Claims (23)
1.กล่องบรรจุสารกึ่งตัวนำ ( 50 ) ที่แสดงคุณลักษณะโดย ส่วนซับสเตรท ( 12' ) ที่เป็นโลหะเจือชนิดที่หนึ่ง สว่นฝาครอบ ( 60 ) ที่เป็นโลหะเจือชนิดที่สอง ส่วนเฟรมขาชนิดประกบ ( 52 ) ที่ประกอบด้วยชั้นแกน ( 54 ) ที่เป็นโลหะเจือชนิดที่สามและขั้นนอกชั้นที่หนึ่ง ( 56 ) ที่เป็นโลหะเจือชนิก ที่สี่ เฟรมขาชนิด ประกบ ( 52 ) ดัง กล่าวถูกจัดวางอยู่ในระหว่างส่วนซับสเตรท ดังกล่าวและส่วน ฝาครอบ ( 60 ) ดังกล่าว โลหะเจือชนิดที่สามดังกล่าวเป็นโลหะเจือที่เสถียรต่อความ ร้อนและผนึกได้ด้วยแก้ว ซึ่งมีความต้านทานต่อการอ่อนตัวบ ที่ดีเลิศที่อุณหภูมิต่ำกว่าประมาณ 475 ? ซ เป็นระยะเวลา ที่ต้องการผนึกด้วยแก้ว และมีสัมประสิทธิ์การขยายตัวด้วย ความร้อยเป็นประมาณ 140 ถึงประมาณ 180 x 10-7 ซม / ซม / ? ซ โลหะเจือชนิดที่สี่ดังกล่าวมีความต้านทานตาออกซิเดชัน และ มีความต้านทานต่อการอ่อนตัวลงที่ค่อนข้างเลว ที่อุณหภูมิ น้อยกว่าประมาณ 475 ? ซ เป็นระยะเวลาที่ต้องการผนึกด้วย แก้ว และมีสัมประสิทธิ์การขยายตัวด้วยความร้อนที่เข้ากัน ได้กับโลหะเจือชนิดที่สามดังกล่าว และ แก้วยสำหรับผนึกที่จุดหลอมเหลวต่ำที่เลือกจากกลุ่มที่ ประกอบด้วยแก้วตะกั่วโบเรต ตะกั่ว - สังกะสีโบเรต ตะกั่วโบ โรซิลิเกต และตะกั่ว-สังกะสีโบโรซิลิเกต แก้วสำหรับผนึก ดังกบ่าวมีสารเติมผสมเพื่อแปลงการขยายตัวดัวยความรอนของ แก้วสำหรับผนึกดังกล่าวที่ซ฿งสารปรกอบแก้วสำหรับผนึก ( 22' ) ที่ได้มีสัมประสิทธิการขยายตัวด้วย ความร้อนวึ่งเข้สาได้ กับโลหะเจือชนิดที่หนึ่ง ที่สอง ที่สาม และที่สี่ดังกล่าว สารประกอบแก้วสำหรับผนึก ( 22 ' ) ดังกล่าวถูกจัดวางไว้ใน ระหว่างส่วนซับสเตรท ( 12' ) ดังกล่าวและส่วนฝาครอบ ( 60 ) ดังกล่าวเพื่อผนึกเฟรมขาชนิดปรกบ ( 52 ) ดังกล่าวไว้ใน ระหว่างส่วนซับสเทตรและส่วนฝาครอบ1. A semiconductor enclosure (50) is characterized by a first-alloy substrate (12'), a second-alloy cover (60), and a split-type frame (52) consisting of a third-alloy core (54) and a fourth-alloy outer layer (56). The split-type frame (52) is placed between the aforementioned substrate and the cover (60). The third-alloy is a thermostable and glass-sealed alloy with excellent resistance to softening at temperatures below approximately 475°C for the required glass sealing time and has a thermal expansion coefficient of approximately 140 to approximately 180 x 10⁻⁷ cm/cm/? The fourth alloy exhibits oxidative resistance and relatively poor softening resistance at temperatures less than approximately 475°C for the required glass sealing period and has a thermal expansion coefficient compatible with the third alloy and the low melting point sealing glass selected from the group consisting of lead borate, lead-zinc borate, lead borosilicate, and lead-zinc borosilicate glass. The sealing glass contains an additive to convert the thermal expansion of the sealing glass, in which the sealing glass compound (22') has a thermal expansion coefficient compatible with the first, second, third, and fourth alloys. This sealing glass compound (22') is placed between the substrate (12') and the cover (60) to seal the frame (52) in. Between the substrate and the cover.
2.กล่องบรรจุสารกึ่งตัวนำ ( 50 ) ของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่แสดงคุณลักษณะที่ว่าโลหะเจือชนิดที่สามดังกล่าวเลือกจาก กลุ่มที่ประกอบด้วยโลหะเจือของหลอมแดงที่ทำให้แข็งขึ้นได้ ด้วยการตกตะกอนที่รวมถึงโลหะเจือของทองแดงที่เบรริล เลียม โลหะเจือของทองแดงที่แมกนีเซียม - เซอร์โดเนียม โลหะเจือ ของทองแดงที่มีนิกเกิล - ฟอสฟอรัสโลหะเจือไปโพคอล ที่ทำให้ แข็งขึ้นได้ด้วยการตกตะกอนของทองแดง-นิกเกิล-ดีบุก โลหะ เจือของทองแดงที่ทำให้แข็งแกร่วขึ้นด้วยการกระจายเหล็กกล้า ไร้สนิมออสเตไนต์2. Semiconductor Enclosure (50) of Reputation 1, which describes the characteristics of the third alloy being selected from a group of precipitation-hardened molten copper alloys including beryllium-copper alloys, magnesium-zirdonium-copper alloys, nickel-phosphorus-copper alloys, precipitation-hardened copper-nickel-tin-copper alloys, and austenite-hardened copper alloys.
3.กล่องบรรจุสารกึ่งตัวนำดังในข้อถือสิทธิข้อที่ 2 ที่แสดง คุณลักษณะที่ว่าสารประกอบแก้วสำหรับผนึก ( 22' ) ดังกล่าว ยังประกอบต่อไปอีด้วยสารเติมผสมที่เป็นอนุภาคที่ไม่ละลาย เป็นส่วนใหญ่เพื่อเพิ่มสัมประสิทธิ์การขยายตัวด้วยความร้อน ของโลหะเจือชนิดที่หนึ่ง ที่สอง ที่สาม และที่สี่ดังกล่าว3. The semiconductor enclosure as described in claim 2 shows that the glass compound for sealing (22') is further composed of mostly insoluble particle fillers to increase the thermal expansion coefficient of the first, second, third and fourth alloys.
4.กล่องบรรจุสารกึ่งตัวนำดังในข้อถือสิทธิข้อที่ 3 ที่แสดง คุณลักษณะที่ว่าโลหะเจือชนิดที่สี่ดังกล่าวประกอบโดยพื้น ฐานด้วยอะลูมินัมตั้งแต่ประมาณ 1 % โดยน้ำหนักถึงประมาณ 12 % และทองดงที่โดยหลักแล้วเป็นส่วนที่เหลือ4. The semiconductor enclosure as described in claim 3 shows that the fourth alloy is fundamentally composed of aluminum ranging from approximately 1% by weight to approximately 12%, with copper primarily being the remainder.
5.กล่องบรรจุสารกึ่งตัวนำดังในข้อถือสิทธิข้อที่ 2 ที่แสดง คุณลักษณะที่ว่าเฟรมขาชนิดประกบ ( 52 ) ดังกล่าวมีชั้นนอก ชั้นที่สอง ( 58 ) เป็นโลหะเจือชนิดที่สาม ที่ซึ่งชั้นแกน ดังกล่าวถูกจัดไว้ในระหว่างชั้นนอกชั้นที่หนึ่งและชั้นที่ สองดังกล่าว5. The semiconductor enclosure as described in claim 2, which shows the characteristic that the splice-type frame (52) has a second outer layer (58) of a third alloy in which the core is arranged between the first and second outer layers.
6.กล่องบรรจุสารกึ่งตัวนำ ( 70 ) ที่แสดงคุณลักษณะโดย ส่วนซับสเตรท ( 32' ) ที่เป็นโลหะเจือชนิดที่หนึ่ง ส่วนซับสเตรท ( 36' ) ที่เป็นโลหะเจือชนิดที่สอง เฟรมขาชนิดประกบ ( 52' ) ที่ประกอบด้วยชั้นแกน ( 54' ) ที่ เป็นโลหะเจือชนิดที่สามและขั้นนอกชั้นที่หนึ่ง ( 58' ) ที่ เป็นโลหะเจือของทองแดงชนิดที่สี่ โลหะเจื่อชนิดที่สามดังกล่าวเป็นโลหะเจือที่เสถียรต่อความ ร้อนและผนึกได้ด้วยแก้วซึ่งมีความต้านทานต่อการอ่อนตัวที่ ดีเลิศเป็นระยะเวลาที่ต้องการผนึกด้วยแก้วที่อุณหภูมิน้อย กว่าประมาณ 475 ? ซ และมีสัมประสิทธิ์การขยายตัวด้านความ ร้อนประมาณ 140 ถึงประมาณ 180 x 10-7 ซม / ซม / ? ซ และ โลหะเจือชนิดที่สีมีความต้านทานต่อออกซิเดชัน ดและมีความ ต้านทานต่อการอ่อนตัวที่ค่อนข้างเลวที่อุณหภูมิที่น้อยกว่า ประมาณ 475 ? ซ ( เป็นระยะเวลาที่ต้องการจะผนึกด้วยแก้ว และมีสัมประสิทธิ์การขยายตัวด้วยความร้อนที่เข้าได้กับโลหะ เจือชนิดที่สาม ส่วนวงแหวนผนึก ( 34 ' ) ที่เป็นโลหะเจือชนิดที่ห้า เฟรมขาชนิดประกบ ( 52 ' ) ดังกล่าวถูกจัดไว้ระหว่างส่วน ซับสเตรท ( 32 ' )ดังกล่าว และส่วนวงแหวนผนึก ( 34 ' ) ดัง กล่าว แก้วสำหรับผนึกที่มีจุดหลอมเหลวต่ำที่เลือกจากกลุ่มที่ ประกอบด้วยแก้วตะกั่วโบเรตตะกั่ว - สังกะสีโบเรต ตะกั่ว โบ โรซิลิเกต แลกตะกั่ว-สังกะสีโบโรซิลิเกต แก้วสำหรับผนึกดัง กล่าวมีสารเติมเพื่อดัดแปลงการขยายตัวด้วยความร้อนของแก้ว สำหรับผนึกดังกล่าวที่ซึ่งสารประกอบแก้วสำหรับผนึก ( 40 ' ) ที่ได้มีสัมประสิทธิ์การขยายตัวด้วยความร้อยซึ่งเข้าได้ กับโลหะเจือชนิดที่หนึ่ง ที่สอง ที่สาม ที่สี่ และที่ห้า ดังกล่าว สารประกอบแกวสำหรับผนึก ( 40 ') ดังกล่าวถูกจัด ให้อยู่ในระหว่าง ส่วนซับสเทตร ( 32') ดังกล่าวและส่วนวง แหวนผนึก ( 34') ดังกล่าวเพื่อผนึกเฟรมขาชนิดประกบ ( 52' ) ดังกล่าวไว้ระหว่างส่วนซับสเตรทและส่วนวงแหวนผนึก และ วิธีทาง ( 49 ' ) ที่เชื่อมผนึกส่วนวงแหวนผนึก (34') เข้า กับส่วนฝาครอบ ( 36') ดังกล่าวทีวึ่ง กล่องบรรจุ ( 70 ) ดังกล่าวจะถูกผนึกปิดแน่นสนิมมากพอ6. A semiconductor enclosure (70) characterized by a first-alloy substrate (32'), a second-alloy substrate (36'), a split-type frame (52') consisting of a third-alloy core layer (54') and a fourth-alloy outer layer (58'). The third-alloy is thermally stable and glass-sealed, exhibiting excellent ductility for the required glass-sealing time at temperatures less than approximately 475 µC and having a thermal expansion coefficient of approximately 140 to approximately 180 x 10⁻⁷ cm/cm/µC. The second-alloy exhibits poor oxidation resistance and relatively poor ductility at temperatures less than approximately 475 µC (for the required glass-sealing time). and having a thermal expansion coefficient compatible with the third alloy, the sealing ring (34') which is a fifth alloy, the interlocking leg frame (52') is placed between the substrate (32') and the sealing ring (34'). The low melting point sealing glass selected from the group consists of lead borate, lead-zinc borate, lead borosilicate, lead-zinc borosilicate glass. The sealing glass contains additives to modify the thermal expansion of the sealing glass, in which the resulting sealing glass compound (40') has a thermal expansion coefficient compatible with the first, second, third, fourth, and fifth alloys. The sealing glass compound (40') is placed. to be placed between the substrate (32') and the sealing ring (34') to seal the interlocking leg frame (52') between the substrate and the sealing ring, and the method (49') to connect the sealing ring (34') to the cover (36') so that the enclosure (70) is sealed tightly enough.
7.กล่องบรรจุสารกึ่งตัวนำของข้อถือสิทธิข้อที่ 6 ที่แสดง คุณลักษณะที่ว่าโลหะเจือชนิดที่สามดังกล่าวเลือกจากกลุ่ม ที่ประกอบด้วยโลหะเตือของทองแดงที่ทำให้แข็งขึ้นได้ด้ยวการ ตกตะกอน ที่รวมถึงโลหะเจือของทองแดงที่มีเบริลเลียม โลหะ เจือของทองแดงที่มีแมกนีเซียม - เซอร์โคเนียม - โครเมียม โลหะเจือของทองแดงที่มีนิกเกิล-ฟอสฟอรัส โลหะเจือไปโบดอล ที่ทำให้แข็งขึ้นได้ด้วยการรกระกอนของทองแดง-นิกเกิล-ดีบุด โลหะเจือของทองแดงที่ทำให้แข็งแกร่งขึ้นด้วยการกระจาย และ เหล็กกล้ไร้สนิมออสเตไนต์7. The semiconductor enclosure of claim 6 shows that the third alloy is selected from a group of precipitation-hardened copper alloys, including beryllium-containing copper alloys, magnesium-zirconium-chromium-containing copper alloys, nickel-phosphorus-containing copper alloys, precipitation-hardened copper-nickel-debud bibodol alloys, dispersion-hardened copper alloys, and austenite stainless steel.
8.กล่องบรรจุสารกิ่งตัวนำ ( 70 ) ดังในข้อถือสทิธิข้อที่ 7 ที่แสดงคุณลักษณะที่ว่าสารประกอบแก้วสำหรับผนึกยังประกอบ ต่อไปด้วยสารเติมผสมที่เป็นอนุภาคที่ไม่ละลายเป็นส่วนใหญ่ เพื่อเพิ่มสัมประสิทธิ์การขยายตัวด้วยความร้อนของสารประกอบ แก้วสำหรับผนึกที่ได้เพื่อให้เท่าเทียมกันโดยประมาณกับสัม ปะสิทธิ์การขยายตังด้วยความร้อนของโลหะเจือชนิดที่หนึ่ง ที่สอง ที่สาม ทีสี่ และที่ห้าดังกล่าว8. The container for the conductive material (70) as stated in claim number 7, which shows the characteristic that the glass compound for bonding is further composed of a mixture of mostly insoluble particle fillers to increase the coefficient of thermal expansion of the resulting glass compound for bonding so that it is approximately equal to the coefficient of thermal expansion of the first, second, third, fourth and fifth alloys mentioned above.
9.กล่องบรรจุสารกึ่งตัวนำ ( 70 ) ดังในข้อถือสิทธิข้อ 7 ที่ซึ่งเฟรมขาชนิดประกบ ( 52') ดังกล่าวมีขั้นนอกชั้นที่ สอง ( 56')เป็นโลหะเจือชนิดที่สามที่ซึ่งชั้นแกน ( 54') ดังกล่าวถูกจัดวางให้อยู่ในระหว่างชั้นที่หนึ่งและชั้นที่ สองดังกล่าว9. Semiconductor enclosure (70) as in claim 7, in which the aforementioned segmented frame (52') has a second outer layer (56') of a third alloy in which the aforementioned core layer (54') is placed between the first and second layers.
10.กระบวนการประกอบขึ้นเป็นชุดกล่องบรรจุสารกึ่งตัวนำ ( 50 ) ที่แสดงคุณลักษณะโดยขั้นตอนของ การให้มีส่วนซับสเตรท ( 12') ที่เป็นโลหะเจือชนิดที่หนึ่ง การให้มีสว่นฝาครอบ ( 60 ) ที่เป็นโลหะดชนิดที่สอง การให้มีเฟรมขาชนิดประกบ ( 52 ) ที่โลหะเจือชนิดที่สาม เป็นชั้นแกร ( 54 ) และชั้นนอกชั้นที่หนึ่ง ( 56 ) ที่เป็น โลหะชนิดที่สี่ โลหะชนิดที่สามดังกล่าวเป็นโลหะเจือที่ เสถียรต่อความร้อนผนึกได้ด้วยแก้วซึ่งมีความต้านทานต่อการ อ่อนตัวที่ดีเลิศที่อุณหภูมิน้อยกว่าประมาณ 475 ? ซ เป็น ระยะเวลาที่ต้องการ ที่จะผนึกด้วยแก้ว และมีสัมประสิทธิ์ การขยายตัวด้วยความร้อนประมาณ 140 ถึงประมาณ 180 x 10-7 ซม / ซม / ? ซ โลหะเจือชนิดที่สี่ดังกล่าวเป็นชนิดต้านทานต่อ ออกซิเจน และมีความต้านทานต่อการอ่อนตัวที่ค่อนข้างเลวที่ อุณหภูมิน้อยกว่าประมาณ 475 ? ซ เป็นระยะเวลาที่ต้องการที่ จะผนึกด้วยแก้ว และมีสัมประสิทธิ์การขยายตัวด้วยความร้อนที่เขาได้กับโลหะ เจือชนิดที่สามดังกล่าว การให้มีสารประกอบแก้วสำหรับผนึก ( 22') ที่มีจุดหลอมเหลว ต่ำ ที่แสดงคุณลักษณะที่ว่าแก้วสำหรับผนึกเลือจากกลุ่มที่ ประกอบด้วยแก้วตะกั่วโบแรต ตะกั่ว-สังกะสีโบเรตตะกั่วโบโร ซิลิเกต และตะกั่ว-สังกะสีโบโรซิลิเกต สารเติมผสมที่จะดัด แปลงการขยายตัวด้วยความร้อน่ขแงแก้วสำหรับผนึกเพื่อให้สาร ประกอบแก้วสำหรับผนึกมีสัมปะสิทธิ์การขยายตัวด้วยความร้อน เข้าได้กับโลหะเจือชนิดที่หนึ่ง ที่สอง ที่สาม และที่สี่ ดังกล่าว การซินเตอร์ชันเคลือบที่เป็นสารประกอบแก้ว ( 22')ดังกล่าว ลงบนผิวสวนซับสเตรท และลงบนผิวส่วนฝาครอบ การจัดวางให้ผิวทีหนึ่งของชั้นแกนของเฟรมขา ( 52 ) ดัง กล่าวอยู่บนผิวของสว่นซับสเตรท ( 12')ที่ขั้นเคลือบดแก้ว ซินเตอร์อยู่ การทำให้ชุดประกอบของเฟรมขาดังกล่าวและส่วนซับวเตรทร้อน ขึ้นซึ่งดังนั้นชั้นเคลือบแก้วจะหลอมเหลวเกิดเป็นชั้นเค ลือยที่ต่อเนื่องซึ่งเชื่อมผนึกเฟรมขาเข้ากับส่วนซับสเตรท การติดอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ( 18') เข้ากับส่วนซับสเตรท การเชื่อมต่อลวดนำ ( 68 ) ระหว่างอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ( 18')และเฟรมขา ( 52 ) การจัดวางสว่นฝาครอบ ( 60 ) ดังกล่าว ลงบนผิวที่สอง ( 66 ) ของเฟรมขา และ การทำให้ส่วนซับสเตรท เหรมขา และส่วนฝาครอบร้อนเพื่อละลาย ชั้นเคลือบแก้วสว่นฝาครอบดังกล่าวและผนึกกล่าวบรรจุ ( 50 ) ดังกล่าวย่างแน่นสนิท10. The assembly process of a semiconductor enclosure (50) is characterized by the following steps: the presence of a first alloy substrate (12'), the presence of a second alloy cover (60), the presence of a third alloy interlocking frame (52), the presence of a fourth alloy core (54), and the presence of a fourth alloy outer layer (56). The third alloy is a thermostable glass-sealed alloy with excellent softening resistance at temperatures less than approximately 475 µC for the required glass-sealing time and a thermal expansion coefficient of approximately 140 to 180 x 10⁻⁷ cm/cm/µC. The fourth alloy is oxygen-resistant and has relatively poor softening resistance at temperatures less than approximately 475 µC for the required glass-sealing time and a thermal expansion coefficient comparable to that of the third alloy. The application of a low melting point sealing glass compound (22') exhibiting the characteristics of a sealing glass chosen from the group of lead borate, lead-zinc borate, lead borosilicate, and lead-zinc borosilicate glass, an additive to modify the thermal expansion of the sealing glass so that the sealing glass compound has a thermal expansion coefficient compatible with the first, second, third, and fourth alloys mentioned above. Sintering of the said glass compound (22') coating onto the substrate surface and onto the lid surface. Placing the first surface of the leg frame core layer (52) on the surface of the substrate (12') on which the sintered glass coating is located. Heating of the leg frame assembly and substrate, thus melting the glass coating to form a continuous coating layer that seals the leg frame to the substrate. Attaching the semiconductor device (18') to the substrate; connecting the lead wire (68) between the semiconductor device (18') and the leg frame (52); placing the said cover (60) onto the second surface (66) of the leg frame; and heating the substrate, leg frame, and cover to melt the glass coating of the said cover and seal the said enclosure (50) tightly.
11.กระบวนการของข้อถือสิทธิข้อที่ 10 ที่แสดงคุณลักษณะโดย ขั้นตอนการเลือกโลหะเจือชนิดที่สมจากกลุ่มที่ประกอบด้วย โลหะเจือของทองแดงที่ทำให้แข็งขึ้นได้ด้วยการตกตะกอนที่รวม ถึงโลหะเจือของทองแดงที่เบริลเลียม โลหะเจือของทองแดงที่มี แมกนีเซียม-เซอร์เนียม-โดรเมียม โลหะเจือของทองแดงที่มี นิกเกิล-ฟอสฟอรัส โลหะเจือไปโนคลอที่ทำให้แข็งขึ้นได้ด้วย การตกตะกอนของทองแดง-นิกเกิล-ดีบุก โลหะเจือของทองแดงที่ทำ ให้แข็งแกร่งขึ้นด้วยการกระจาย และเหล็กกล้าไร้สนิมสเตไนต์11. The process of claim 10, characterized by a selection procedure of suitable alloys from a group comprising precipitation-hardened copper alloys including beryllium-copper alloys, magnesium-cernium-dromium-copper alloys, nickel-phosphorus-copper alloys, precipitation-hardened copper-nickel-tin pinochloride alloys, dispersion-hardened copper alloys, and stenite stainless steel.
12.กระบวนการกรประกอบเป็นกลุ่มชุดกล่องบรรจุสารกึ่งตัวนำ ( 70 ) ที่แสดงคุณลักษณะด้วยขั้นตอนของ การให้มีสวนซับสเตรท ( 32') ที่เป็นโลหะเจือชนิดที่หนึ่ง การให้มีส่วนฝาครอบ ( 36') ที่เป็นโลหะเจือชนิดที่สอง การให้มีเฟรมขาชนิดประกบ ( 52') ที่มีชั้นแกน ( 54') เป็น โลหะเจือชนิดที่สามและขั้นนอก ( 58') ที่เป็นโลหะเจือชนิด ที่สี่ โลหะเจือชนิดที่สามดังกล่าวเป็นโลหะเจือที่เสถียร ต่อความร้อยและผนึกได้ด้วยแก้วซึ่งมีความต้านทานต่อการอ่อน ตัวที่ดีเลิศที่อุณหภูมิเสถียรต่อความร้อนและผนึกได้ด้วย แก้วซึ่งมีความต้านยทานต่อการตัวที่ดีเลิศที่อุณหภูมิน้อย กว่าประมาณ 475 ? ซ เป็นระยะเวลาที่ต้องการที่จะผนึกด้วย แก้วยและมีสัมปะสิทธิการขยายตัวด้วยความร้อนประมาณ 140 ถึง 180 x 10-7 ซม / ซม / ? ซ โลหะเจือชนิดที่สี่นั้นต้านทาน ต่อออกซิเดชัน และมีความต้านทานการ อ่อนตัวลง ที่ค่อนข้าง เลวที่อุณหภูมิน้อยกว่าประมาณ 475 ? ซ เป็นระยะ เวลาที่ต้องการที่จะผนึกด้วยแก้วยและมีสัมประสิทธิ์การขยาย ตัวด้วยความร้อนที่เข้าได้กับโลหะเจือชนิดที่สามดังกล่าว การให้มีวงแหวนผนึก ( 34') ที่เป็นโลหะเจือชนิดที่ห้า การใหมีสารประกบแก้วสำหรบผนึก ( 40 ') ที่จุดหลอมเหลวต่ำ ที่แสดงคุณลักษณะโดยแก้วสำหรับผนึกที่เลือกจากกลุ่มที่ ประกอบด้วยแก้วตะกั่วโบเตต ตะกั่ว-ลังกะสีโบเรต ตะกั่วโบโร ซิลิเกต และตะกั่ว-สังกะสีโบโรซิลิเกต และสารเติมผสมที่จะ ดัดแปลงการขยายตัวด้วยความร้อนของแก้วสำหรับผนึกเพื่อที่ ว่าสารประกอบแก้วผนึกจะมีสัมประสิทธิ์การขยายตัวด้วยความ ร้อนซึ่งเข้าได้กับโลหะเจือเที่หนึ่ง ที่สอง ที่สาม ที่สี่ และ ที่ห้าดังกล่าว การวินเตอร์ชั้นเคลือบที่เป็นสารประกอบแก้วดังกล่าวลงบน ผิวของส่วนซับสเตรท ( 32') และลงผิวของวงแหวนผนึก ( 34') การจัดวางเฟรมยาชนิดประกบดังกล่าว ( 52') ให้อยู่ระหว่าง ผิวของสว่น ซับสเตรท ( 32') ดังกล่าว และผิวของวงแหวนผนึก ( 34') ที่ชั้นเคลือบแก้วซินเตอร์อยู่ การทำให้ชุดประกอบของเฟรมขาดังกล่าว ส่วนซับสเตรท และวง แหวรผนึกร้อนขึ้น ดังนั้นชั้น เคลือบแก้วจะละลายเนชั้น เคลือบที่ต่อเนื่องเป็นส่วนใหญ่ซึ่งผนึกเฟรมขสไว้ระหว่าง ส่วนซับสเตรท และวงแหวรผนึก การติดอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ( 44')เข้ากับส่วนซับสเตรท ( 32') การเชื่อมต่อลวดนำ ( 48') ระหว่างอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ( 44') และเฟรมขา (52') การจัดส่วนฝาครอบ ( 36') ดังกล่าวไว้บนผิวของวงแหวนผนึก และ การเชื่อมผนึกส่วนฝาครอบเข้ากับวงแหวนผนึกให้เป็นกล่อง บรรจุดังกล่าวที่ผนึกปิดแน่นสนิท12. The assembly process of a semiconductor enclosure (70) is characterized by the following steps: the presence of a first alloy substrate (32'), a second alloy cover (36'), a third alloy core (54'), and a fourth alloy outer layer (58'). The third alloy is a thermostable and glass-sealed alloy with excellent ductility resistance at thermostable temperatures and glass-sealed with excellent ductility resistance at temperatures less than approximately 475°C for the required glass-sealing time and has a thermal expansion coefficient of approximately 140 to 180 x 10⁻⁷ cm/cm/°C. The fourth alloy is oxidizing resistant and has relatively poor ductility resistance at temperatures less than approximately 475°C. C is the required time for sealing with glass and has a thermal expansion coefficient compatible with the third alloy. The presence of a sealing ring (34') of the fifth alloy. The presence of a low melting point sealing glass compound (40') exhibiting characteristics by a sealing glass selected from the group consisting of lead borate, lead-zinc borate, lead borosilicate, and lead-zinc borosilicate glass, and an additive to modify the thermal expansion of the sealing glass so that the sealing glass compound has a thermal expansion coefficient compatible with the first, second, third, fourth, and fifth alloys. The wintering of the glaze layer of such glass compound onto The surface of the substrate (32') and the surface of the sealing ring (34') are placed on top of the sealing ring. The sintered glass coating is then heated, causing the glass coating to melt into a continuous layer that seals the frame between the substrate and the sealing ring. The semiconductor device (44') is attached to the substrate (32'). The lead wire (48') is connected between the semiconductor device (44') and the frame (52'). The cover (36') is placed on top of the sealing ring, and the cover is fused to the sealing ring to form a hermetically sealed enclosure.
13.กระบวนการของข้อถือสิทธิข้อที่ 12 ที่แสดงคุณลักษณะโดย ขั้นตอนการเลือกโลหะเจือชนิดที่สามดังกล่าวจากกลุ่มที่ ประกอบด้วยโลหะเจือที่ทำให้แข็งขึ้นได้ด้วยการตกตะกอนที่ รวมถึงโลหะเจือของทองแดงที่โบริลเลียม โลหะเจือของทองแดง ที่มีแมกนีเซียม-เซอร์โดเนียม -โครเมียม โลหะเจทอของทองแดง ที่นิกเกิล-ฟอสฟอรัส โลหะเจือไปโนคอลที่ทำให้แข็งขึ้นได้ ของทองแดง-นิดเกิล-ดีบุก โลหะเจือของทองแดงที่ทำให้แข็ง แกร่งขึ้นด้วยการกรจายและเหล็กกล้าไร้สนิมออสเตอไนต์13. The process of claim number 12, characterized by the selection of a third alloy from a group of precipitation-hardening alloys including copper-boryllium alloys, copper-magnesium-serdonium-chromium alloys, copper-nickel-phosphorus alloys, hardening copper-nickel-tin pinocole alloys, and dispersion-hardening copper-austerite alloys.
14.กล่องบรรจุสารกึ่งตัวนำ ( 10 ) ที่แสดงคุณลักษณะโดย ส่วนซับสเตรท ( 12 ) ที่เป็นโลหะเจือชนิดที่หนึ่ง ส่วนฝาครอบ ( 14 ) ที่เป็นโลหะเจือชนิดที่สอง เฟรมขา ( 20 ) ที่เป็นโลหะเจือชนิดที่สามที่ถูกจัดให้อยู่ ในระหว่างส่วนซับสเตรทดังกล่าวและส่วนฝาครอบดังกล่าว โลหะ เจือชนิดที่สามดังกล่าวเป็นโลหะเจือที่เสถียรต่อความร้อน และผนึกได้ด้วยแก้วซึ่งมีความต้านทนต่อการอ่อนตังลงที่ดี เลิศที่อุณหภูมิน้อยกว่าประมาณ 475 ? ซ เป็นระยะเวลาที่ ต้องการจะผนึกด้วยแก้วและมีสัมประสิทธิการขยายตัวด้วยความ ร้อนประมาณ 140 ถึงประมาณ 180 x 10-7 ซม / ซม / ? ซ และ แก้วสำหรับผนึกที่มีจุดหลอมเหลวต่ำที่เลือกจากกลุ่มี่ ประกอบด้วยแก้วตะกั่วโบเรต ตะกั่ว-ลังกะสีโบเรต ตะกั่วโบโร ซิลิเกต และตะกั่ว-สังกะสีโบโรซิลิเกต แก้วสำหรับผนึกดัง กล่าวมีสารเติมผสมที่จะดัดแปลงการขยายตัวด้วยความร้อนของ แก้วสำหรับผนึกได้ซึ่งสารประกอบแก้วสำหรับนผนึก ( 22 ) ที่ ได้มีสัมปะสิทธิ์การขยายตัวด้วยความร้อนซึ่งเข้าได้กับโลหะ เจือชนิดที่หนึ่ง ที่สองและที่สามดังกล่าว สารปะกอบแก้ว สำหรับผนึก ( 22 ) ดังกล่าวถูกจัดให้อยู่ในระหว่างส่วน ซับสเตรท ( 12 ) ดังกล่าวและส่วนฝาครอบ ( 14 ) ดังกล่าว สำหรับผนึกเฟรมขาชนิด ประกบ ( 20 ) ดังกล่าวไว้ระปว่างส่วน ซับสเตรท และฝาครอบ14. A semiconductor enclosure (10) characterized by a substrate (12) of first alloy, a cover (14) of second alloy, and a leg frame (20) of third alloy placed between the substrate and cover. This third alloy is thermally stable and can be sealed with glass of which it exhibits excellent softening resistance at temperatures less than approximately 475 µC for the required sealing time and has a thermal expansion coefficient of approximately 140 to approximately 180 x 10⁻⁷ cm/cm/µC. The sealing glass is of a low melting point and is selected from a group consisting of lead borate, lead-zinc borate, lead borosilicate, and lead-zinc borosilicate glass. The sealing glass contains additives that modify the thermal expansion of the semiconductor. The sealing glass (22) is a sealing glass compound (22) that has a thermal expansion coefficient compatible with the first, second and third alloys. This sealing glass compound (22) is placed between the substrate (12) and the cover (14) to seal the interlocking leg frame (20) between the substrate and the cover.
15.กล่องบรรจุสารกึ่งตัวนำ ( 10 ) ของข้อถือสิทธิข้อที่ 14 ที่แสดงคุณลักษณะที่ว่าโลหะเจือชนิดที่สามดังกล่าวเลือกจาก กลุ่มที่ประกอบด้วยโลหะเจือของทองแดงที่ทำให้แข็งขึ้นได้ ด้วยการตกตะกอนที่รวมถึงโลหะเจือของทองแดงที่เบริลเลียม โลหะเจือของทองแดงที่แมกนีเซียม-เซอร์โดเนียม-โครเมียม โลหะเจือของทองแดงที่นิดเกิล-ฟอสฟอรัส โลหะเจือไปโนคอล ที่ ทำให้แข็งขึ้นได้ด้วยการตกตะกอนของทองแดง -นิกเกิล-ดีบุก โลหะเจือทองแดงที่ได้ทำให้แข็งแกร่งขึ้นด้วยการกระจาย และ เหล็กกล้าไร้สนิมออสเตไนต์15. Semiconductor Enclosure (10) of claim 14, which describes the characteristics of such third alloy as chosen from a group of precipitation-hardened copper alloys including beryllium-copper alloys, magnesium-zerdonium-chromium-copper alloys, nickel-phosphorus-copper alloys, precipitation-hardened copper-nickel-tin pinocole alloys, dispersion-hardened copper alloys, and austenite stainless steel.
16.กล่องบรรจุสารกึ่งตัวนำ ( 10 ) ดังข้อถือสิทธิข้อที่ 15 ที่แสดงคุณลักษณะที่วาสารดประกอบแก้วสำหรับผนึก ( 22 ) ดัง กล่าวยังแสดงลักษณะต่อไปโดยสารเติมผสมที่ไม่ถูกละลายเป็น ส่วนใหญ่เพื่อเพิ่มสัมปะสิทธิ์การขยายตัวด้วยความร้อนของ สารประกอบแก้วสำหรับผนึกที่ได้เพื่อให้เท่าเทียบกันโดย ประมาณกับสัมปะสิทธิ์การรขยายตัวด้วยความร้อนของโลหะเจือ ชนิดที่หนึ่ง ที่สอง และที่สามดังกล่าว16. Semiconductor packing box ( 10 ) As stated in claim 15, which shows the characteristics of the glass compound for sealing ( 22 ) as mentioned, further shows the characteristics of the mostly non-soluble filler mixture to increase the thermal expansion coefficient of the resulting glass compound for sealing so that it is approximately equal to the thermal expansion coefficient of the first, second and third alloys mentioned.
17.กล่องบรรจุสารกึ่งตัวนำ ( 30 ) ที่แสดงคุณลักษณะโดย ส่วนซับสเตรท ( 32 ) ที่เป็นโลหะเจือชนิดที่หนึ่ง ส่วนฝาครอบ ( 36 ) ที่เป็นโลหะเจือชนิดที่สอง เฟรมขา ( 38 ) ทีเป็นโลหะเจือชนิดที่สาม โลหะเจือที่สาม ดังกล่าวเป็นโลหะเจือที่สถียรต่อความร้อยและผนึกได้ด้วย แก้วซึ่งมีความต้านทานต่อการอ่อนตัวลงที่ดีเลิศสำหรับระยะเวลาที่ต้องการจะผนึกด้วยแก้วที่อุณหภูมิน้อยกว่าประมาณ 475 ? ซ และมีสัมประสิทธิ์การขยายตัวด้วยควาร้อนเป็นประมาณ 140 ถึง ประมาณ 180 x 10-7 ซม / ซม / ? ซ และ ส่วนวงแหวนผนึก ( 34 ) ที่เป็นโลหะเจือชนิดที่สี่ เฟรมขา ( 38 ) ดังกล่าวถูกจัดให้อยู่ในระยะในระหว่างส่วน ซับเสตรท ( 32 ) ดังกล่าวและส่วนวงแหวนผนึก ( 34 ) ดัง กล่าว แก้วสำหรับผนึกที่จุดหลอมเหลวต่ำที่เลือกจากกลุ่มที่ ประกอบด้วยแก้วตะกั่วโบเรต ตะกั่ว-ลังกะสีโบเรต ตะกั่วโบโร ซิลิเกต และตะกั่ว-สังกะสีโบโรซิลิเกต แก้วสำหรับผนึกดัง กล่าวมีสารเติมผสมที่จะดัดแปลงการขยายตัวด้วยความร้อนของ แก้วสำหรับผนึกดังกล่าวซึ่งสารประกอบแก้วสำหรับผนึก ( 40 ) ที่ได้สัมปะสิทธิ์การขยายตัวด้วยความร้อนซึ่งเข้าได้กับ โลหะเจือชนิดที่หนึ่ง ที่สาม และที่สี่ดังกล่าว สารประกอบ แก้วสำรหับผนึก ( 40 ) ดังกล่าวถูกจัดให้อยู่ในระหว่างส่วน ซับสเตรท ( 32 ) ดังกล่าว และสวนวงแหวนผนึด ( 34 ) ดัง กล่าวสำหรับผนึกเฟรมขา ( 38 ) ดังกล่าวไว้ในระหว่างส่วน ซับสเตรทและส่วนวงแหวรผนึก และ วิถีทาง ( 49 ) สำหรับเชื่อมผนึกส่วนวงแหวนผนึก ( 34 ) ดังกล่าวเข้ากับสว่นฝาครอบ ( 36 ) ดังกล่าวซึ่งกล่องบรรจุ ( 30 ) ดังกล่าวก็จะถูกผนึกอย่างแน่นสนิมมากพอ17. A semiconductor enclosure (30) is characterized by a first-alloy substrate (32), a second-alloy cover (36), a third-alloy leg frame (38) which is thermally stable and glass-sealed with excellent resistance to softening for the required glass-sealing time at temperatures less than approximately 475 µC and has a thermal expansion coefficient of approximately 140 to approximately 180 x 10⁻⁷ cm/cm/µC, and a fourth-alloy sealing ring (34). The leg frame (38) is positioned between the aforementioned substrate (32) and the sealing ring (34). The low-melting point sealing glass is selected from the group consisting of borate lead glass. Lead-zinc borosilicate, lead-zinc borosilicate, and lead-zinc borosilicate sealing glass contains additives that modify the thermal expansion of the sealing glass, which are compounds of sealing glass (40) that have a thermal expansion coefficient compatible with the first, third, and fourth alloys. Such sealing glass compound (40) is placed between the substrate (32) and the sealing ring (34) for sealing the leg frame (38) between the substrate and the sealing ring, and a pathway (49) for connecting the sealing ring (34) to the cover (36) so that the enclosure (30) is sufficiently hermetically sealed.
18.กล่องบรรจุสารกึ่งตัวนำ ( 30 ) ของข้อถือสิทธิข้อที่ 17 ที่แสดงคุณลักษณะที่ว่าโลหะเจือชนิดที่สามดังกล่าวเลือกจาก กลุ่มที่ประกอบด้วยโลหะเจือของทองแดงที่ทำให้แข็งขึ้นได้ ด้วยการตกตะกอน ที่รวมถึงโลหะเจือของทองแดงที่เบริลเลียม โลหะเจือของทองแดงที่มีแมกนีเซียม-เซอร์โดเนียม-โครเมียม โลหะเจือของทองแดงที่มรนิกเกลิ-ฟอสฟอรัสโลหะเจือสไปโนคอล ที่ทำให้แข็งขึ้นได้ด้วยการตกตะกอนของทองแดง-นิกเกิล-ดีบุก โลหะเจือของทองแดงที่ทำให้แข็งแกร่งขึ้นด้วยการกระจาย และ เหล็กกล้าไร้สนิมออสเตไนต์18. Semiconductor Enclosure (30) of claim 17, which describes the characteristics of such third alloy as chosen from a group of precipitation-hardened copper alloys including beryllium-copper alloys, magnesium-zirdonium-chromium-copper alloys, nickel-phosphorus-copper alloys, precipitation-hardened copper-nickel-tin spinocol alloys, dispersion-hardened copper alloys, and austenite stainless steel.
19.กล่องบรรจุสารกึ่งตัวนำ ( 30 ) ของข้อถือสิทธิข้อที่ 18 ที่แสดงคุณลักษณะที่ว่าสารประกบอแก้วสำหรับผนึกดังกล่าวยัง ประกอบต่อไปด้วยสารเติมสารผสมที่เป็นอนาภคที่ไม่ถูกละลาย เป็น ส่วนให้ญ่เพื่อเพิ่มสัมประสิทธิ์การขยายตัสด้วยความ ร้อนของสารประกอบแก้วสำหรับผนึกได้ให้เท่าเทียมโดยประมาณ กับสัมประสิทธิการตัวด้วยความร้อนของโลหะเจือชนิดที่หนึ่ง ที่สาม และที่สี่ดังกล่าว19. Semiconductor enclosure (30) of claim 18 which shows that the glass bonding compound is further composed of a large proportion of non-soluble filler material to increase the thermal expansion coefficient of the glass bonding compound to be approximately equal to the thermal expansion coefficient of the first, third and fourth alloys.
20.กระบวนการประกอบเป็นชุดกล่องบรรจุสารกึ่งตัวนำ ( 10 ) ที่แสดงคุณลักษณะโดยขั้นตอนของ การให้มีซับสเตรท ( 12 ) ที่เป็นโลหะเจือชนิดที่หนึ่ง การให้มีฝาครอบ ( 14 ) ที่เป็นโลหะเจือชนิดที่สอง การให้มีเหรมขา ( 20 ) ที่เป็นโลหะชนิดที่สาม โลหะเจือนิด ที่สามดังกล่าวเป็นโลหะเจือที่เสถียรต่อความร้อนและผนึกได้ ด้วยแก้วซึ่งมีความต้านทานต่อการอ่อนตัวลงที่ดีเลิศที่ อุณหภูมิน้อยกว่า ประมาณ 475 ? ซ เป็นระยะเวลาที่ต้องการ ที่จะผนึกด่วยแก้วและที่สัมปะสิทธิการขยายตัวด้วยความร้อน ประมาณ 140 ถึงประมาณ 180 x 10-7 ซม / ซม / ? ซ การให้มีสารประกอบแก้วสำหรับผนึก ( 22 ) ที่จุดหลอมเหลว ต่ำที่แสดงคุณลักษณะโดยแก้วสำหรับผนึกที่ได้เลือกจากกลุ่ม ที่ประกอบด้วยแก้วตะกั่วโบเรต ตะกั่ว-สังกะสสีโบเรต ตะกั่ว โบโรซิลิเกต และตะกั่ว-สังกะสีโบโรซิลิเกต และสารเติมผสม ที่จะดัดแปลงการขยายตัวด้วยความร้อยของแก้วสำหรับผนึกเพื่อ ที่ว่าสารประกบแกวสำหรับผนึกจะมีสัมประสิทธิ์การขยายตัว ด้วยความร้อนซึ่งเข้าได้กับโลหะเจือชนิดที่หนึ่ง ที่สอง และที่สามดังกล่าว การซินเตอร์ชั้นเคลือยที่เป็นสารประกอบแก้ว ( 22 ) ดัง กล่าวลงบนผิวส่วนซับสเตรท ( 12 ) และลงบนผิวของสว่นฝาครอบ ( 14 ) การจัดให้ผิวที่หนึ่งของเฟรมขา ( 20 ) ดังกล่าวลงบนผิวขิง ส่วนซับสเตรท ( 12 ) ดังกล่าวที่ขั้นเคลือบแก้วซินเตอร์ อยู่ การทำให้สุประกอบของเฟรมขาดังกล่าวและส่วนซับสเตรทรร้อน ดังกล่าวนั้นชั้นเคลือบแก้วก็จะหลอมละลายเป็นชั้นเคลือบที่ ต่อเนื่องซึ่งเพื่อผนึกเฟรอมขาเข้ากับส่วนซับสเตรท การติดอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ( 18 ) เข้ากับส่วนซับสเตรท ( 12 ) การเชื่อมต่อลวดนำไว้ระหว่าง อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำและเฟรม ขา การจัดวางส่วนฝาครอบ ( 14 ) ดังกล่าวลงบนผวิที่สองของเฟรม ขา และ การทำให้ส่วนซับสเตรท เฟรมขา และส่วนฝาครอบดังกล่าวดัง กล่าวร้อนหลอมละลายชั้นเคลือบแก้วบนส่วนฝาครอบดังกล่าวและ ผนึกกล่องบรรจุ ( 10 ) ดังกล่าวอย่างแน่นสนิท20. The assembly process of the semiconductor enclosure (10) is characterized by the following steps: the introduction of a first-grade alloy substrate (12), the introduction of a second-grade alloy cover (14), the introduction of a third-grade alloy frame (20). This third-grade alloy is thermally stable and can be sealed with glass that exhibits excellent softening resistance at temperatures less than approximately 475 µC for the required sealing time and at a thermal expansion coefficient of approximately 140 to approximately 180 x 10⁻⁷ cm/cm/µC. The introduction of a low-melting-point sealing glass compound (22) is characterized by a sealing glass selected from a group consisting of lead borate, lead-zinc borate, lead borosilicate, and lead-zinc borosilicate glass and additives to modify the thermal expansion of the sealing glass. The glass bonding compound has a thermal expansion coefficient compatible with the first, second, and third alloys. Sintering the glass compound (22) onto the substrate (12) and onto the cover (14) surfaces; placing the first surface of the leg frame (20) onto the substrate (12) surface where the sintered glass coating is located; heating the leg frame and substrate, the glass coating melts into a continuous layer to bond the leg frame to the substrate; attaching the semiconductor device (18) to the substrate (12); connecting the conductor wire between the semiconductor device and the leg frame; placing the cover (14) onto the second surface of the leg frame; and heating the substrate, leg frame, and cover, melting the glass coating on the cover and Seal the packaging box ( 10 ) tightly.
21.กระบวนการของข้อถือสิทธิข้อที่ 20 ที่แสดงคุณลักษณะ โดยขั้ตอนการเลือกโดยโลหะเจือชนิดที่สามดังกล่าวจากกลุ่ม ที่ประกอบด้วยโลหะเจือของทองแดงที่ทำให้แข็งขึ้นได้ด้วยการ ตกตะกอน ที่รวมถึงโลหะเจือทองแดงที่เบริลเลียม โลหะเจือของ ทองแดงที่แมกนีเซียมเซอร์โดเนียม-โครเมียม โลหะเจือของทอง แดงที่นิดเกิล-ฟอสฟอรัสโลหะเจือสไปโนคอลที่ทำให้แข็งขึ้น ได้ด้วยการตกตะกอนของทองแดง-นิกเกิล-ดีบุก ลหะเจือของทอง แดงที่ทำให้แข็งแกร่งขึ้นด้วยการกระจาย และเหล็กกล้ไร้สนิม ออสเตไนต์21. The process of claim 20, characterized by a third alloy selection step from a group of precipitation-hardened copper alloys including beryllium-copper alloys, magnesium-serdonium-chromium-copper alloys, nickel-phosphorus-copper alloys, precipitation-hardened copper-nickel-tin spinocol alloys, dispersion-hardened copper alloys, and austenite stainless steel.
22.กระบวนการการประกอบเป็นชุดกล่องบรรจุสารกึ่งตัวนำ ( 30 ) ที่แสดงคุณลักษณะโดยขั้นของ การให้มีส่วนซับสเตรท ( 32 ) ของโลหะเจือชนืกที่หนึ่ง การให้มีส่วนฝาครอบ ( 36 ) ของโลหะเจือชนิดที่สอง การให้มีเฟรมขา ( 38 ) ของโลหะเจือชนิดที่สาม โลหะเจือ ชนิดที่สามดังกล่าวเป็นโลหะเจือที่เสถียรต่อคสามร้อนและ ผนึกได้ด้วยแก้วซึ่งมีความต้านทานต่อการอ่อนตัวลงที่ดีเลิศ ที่อหุณหภูมิน้อยกว่า ประมาณ 47.5? ซ เป็นระยะเวลาที่ต้อง การที่ผนึกด้วยแก้วและมีสัมประสิทธิ์การขยายตัวด้วยความ ร้อนประกอมาณ 140 ถึงประมาณ 180 x 10-7 ซม / ซม / ? ซ การใหมีวงแหวนผนึก ( 34 ) ทีเป็นโลหะเจือชนิดที่ห้า การให้มีสารประกอบแก้วสำหรับผนึก ( 40 ) ที่จุดหลอมเหลว ต่ำที่แสดงคุณลักษณะโดยแก้วสำหรับผนึกที่เลือกจากลุ่มที่ ประกอบด้วยแก้วตะกั่วโบเรต ตะกั่ว-สังกะสีโบเรต ตะกั่วโบโร ซิลิเดต และตะกั่ว-สังกะสีโบโรซิลิเกต สารเติมผสมที่จะดัด แปลงการขยายตัวด้วยความร้อนของแก้วสำหรับผนึกเพื่อที่ว่า สารประกอบแก้วสำหรับผนึกมสัมประสิทธิทางขยายตัวด้วยความ ร้อนซึ่งเข้สได้กับโลหะเจือชนิดที่หนึ่งส่วน และที่สี่ดัง กล่าว การซินเตอร์สารเคลือบที่เป็นสารประกอบแก้ว ( 40 ) ดัง กล่าว ลงบนผิวส่วนซับสเตรท ( 32 ) และลงบนผิววงแหวนผนึก ( 34 ) การจัดวางเฟรมขา ( 38 ) ดังกล่าวไว้ระหว่างผิวขิงสว่น ซับสเตรท ( 32 ) ดังกล่าว และผิววงแหวนผนึก ( 34 ) ดัง กล่าวที่สารเคลือบที่เป็นแกวซินเตอร์อยู่ การทำให้ชุดประกอบของเฟรมขา ( 38 ) ส่วนซับสเตรท ( 32 ) และวงแหวนผนึก ( 34 ) ดังกล่าวร้อน ซึ่งสารเคลือบที่เป็น แก้วจะหลอมละลายไปเป็นชั้นเคลือบที่ต่อเนื่องซึ่งเพื่อ เชื่องผนึกเฟรมขาไว้ระหว่างส่วนซับสเตรท และวงแหวนผนึก การติดอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ( 44 ) เข้ากับส่วนซับสเตรท ( 32 ) การเชื่อมต่อลวดนำ ( 48 ) ระหว่างอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ( 44 ) และเฟรมขา ( 38 ) การจัดวางส่วนฝาครอบ ( 36 ) ดังกล่าวลงบนผวิที่สองของสง แหวนผนึก ( 34 ) และ การเชื่อมผนึกส่วนฝาครอบ ( 36 ) เข้ากับวงแหวนผนึก ( 34 ) ดังกล่าวเพื่อผนึกกล่องบรรจุดังกล่าวให้แน่นสนิท22. The assembly process of the semiconductor enclosure (30) is characterized by the following steps: the presence of a first alloy substrate (32), the presence of a second alloy cover (36), the presence of a third alloy leg frame (38). This third alloy is thermally stable and glass-sealed, exhibiting excellent softening resistance at temperatures less than approximately 47.5°C for the required glass-sealing time and having a thermal expansion coefficient of approximately 140 to approximately 180 x 10⁻⁷ cm/cm/°C; the presence of a fifth alloy sealing ring (34); and the presence of a low melting point sealing glass compound (40) characterized by a sealing glass selected from a group consisting of borate lead glass. Lead-zinc borate, lead borosilicate, and lead-zinc borosilicate fillers are used to modify the thermal expansion of the sealing glass so that the sealing glass compound has a thermal expansion coefficient compatible with the aforementioned first and fourth alloys. Sintering of the glass compound (40) is performed on the substrate (32) and on the sealing ring (34). The leg frame (38) is placed between the substrate (32) and the sealing ring (34) surfaces where the sintered glass compound is located. Heating of the leg frame (38), substrate (32), and sealing ring (34) assembly causes the glass compound to melt into a continuous layer which seals the leg frame between the substrate and the sealing ring. Attaching the semiconductor device (44) to the substrate (32), connecting the lead wire (48) between the semiconductor device (44) and the leg frame (38), placing the aforementioned cover section (36) onto the second surface of the sealing ring (34), and welding the cover section (36) to the sealing ring (34) to seal the enclosure tightly.
23.กระบวนการของข้อถือสิทธิข้อที่ 22 ที่แสดงคุณลักษณะโดย ขั้นตอนการเลือกโลหะเจือชนิดที่สามดังกล่าวจากกลุ่มที่ ประกอบด้วยโลหะเจือของทองแดงที่ทำหแข็งขึ้นได้ด้วยการตก ตะกอน ที่รวมถึงโลหะเจือของทองแดงที่เบริลเลียม โลหะเจือ ของทองแดงที่แมกนีเซียม-เซอร์โคเมียม-โครเมียม โลหะเจือของ ทองแดงที่มีนิกเกลิ-ฟอสฟอรัสโลหะเจือสไปโนคอลที่ทำให้แข็ง ขึ้นได้ด้วยการตกตะกอนของ ทองแดง-นิกเกิล-ดีบุก โลหะเจือ ของทองแดงที่ทำให้แข็งแกร่งขึ้นด้วยการกระจายและหล็กกล้า ไร้สนิมออสเตไนต์ (ข้อถือสิทธิ 23 ข้อ, 12 หน้า, 6 รูป)23. The process of claim 22, characterized by the selection procedure of a third alloy from a group of precipitation-hardened copper alloys including beryllium-copper alloys, magnesium-zircomium-chromium-copper alloys, nickel-phosphorus-copper alloys, precipitation-hardened copper-nickel-tin spinocol alloys, dispersion-hardened copper alloys, and austenite stainless steel (Clause 23, page 12, figures).