TH37154A - Method for cleaning porous surfaces and semiconductor surfaces - Google Patents

Method for cleaning porous surfaces and semiconductor surfaces

Info

Publication number
TH37154A
TH37154A TH9701002036A TH9701002036A TH37154A TH 37154 A TH37154 A TH 37154A TH 9701002036 A TH9701002036 A TH 9701002036A TH 9701002036 A TH9701002036 A TH 9701002036A TH 37154 A TH37154 A TH 37154A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
porous
base layer
cleaning
cleaning method
semiconductor
Prior art date
Application number
TH9701002036A
Other languages
Thai (th)
Inventor
ฟูจิยามา นายยาซูโตโม
คูโมมิ นายฮิเดยะ
Original Assignee
นายดำเนิน การเด่น
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายวิรัช ศรีเอนกราธา
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Filing date
Publication date
Application filed by นายดำเนิน การเด่น, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายวิรัช ศรีเอนกราธา, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์ filed Critical นายดำเนิน การเด่น
Publication of TH37154A publication Critical patent/TH37154A/en

Links

Abstract

DC60 (06/08/42) ได้รับการจัดเตรียมจะเป็น วิธีการทำความสะอาดของชั้นฐานสารกึ่งตัวนำ ชนิดรูพรุนโดยไม่มีการเกิดขึ้นมาของการยุบตัว ของโครงสร้างรูพรุน เนื่องมาจากการเป็นโพรง หรือรีโซแนนซ์ ในวิธีการทำความสะอาดของพื้นผิวรูพรุนของชั้นฐานสารกึ่ง ตัวนำที่มีโครง สร้างรูพรุนอย่างน้อยที่สุดในพื้นผิวนี้ การ ทำความสะอาดสำหรับการนำอนุภาคฝุ่นที่ยึดติดกับพื้นผิว รู พรุนของชั้นฐานออกมาจะบังเกิดขึ้นมาด้วยน้ำบริสุทธิ์ซึ่ง คลื่นความถี่สูงพร้อมด้วยความถี่ในช่วง พิสัยจาก 600 กิโลเฮิรตซ์ถึง 2 เมกะเฮิรตซ์จะได้รับการซ้อนทับเข้ามา ได้รับการจัดเตรียมจะเป็น วิธีการทำความสะอาดของชั้นฐานสารกึ่งตัวนำชนิดรูพรุนโดยไม่มีการเกิดขึ้นมาของการยุบตัว ของโครงสร้างรูพรุน เนื่องมาจากการเป็นโพรงหรอืรีโซแนนซ์ ในวิธีการทำความสะอาดของพื้นผิวรูพรุนของชั้นฐานสารกึ่ง ตัวนำที่มีโครงสร้างรูพรุนอย่างน้อยที่สุดในพื้นผิวนี้ การ ทำความสะอาดสำหรับการนำอนุภาคฝุ่นที่ยึดติดกับพื้นผิวรู พรุนของชั้นฐานออกมาจะบังเกิดขึ้นมาด้วยน้ำบริสุทธิ์ซึ่ง คลื่นความถี่สูงพร้อมด้วยความถี่ในช่วงพิสัยจาก 600 กิโลเฮิรตซ์ถึง 2 เมกะเฮิรตซ์จะได้รับการซ้อนทับเข้ามา DC60 (06/08/42) was prepared to be Cleaning method of the semiconductor base layer Porous type without the occurrence of collapse Of porous structures Due to being hollow Or resonance In the cleaning method of the porous surface of the semi-base layer Conductor with frame This cleaning process for removing dust particles attached to the porous surface of the base layer is produced with pure water. High-frequency waves with frequencies in the range from 600 kHz to 2 MHz are superimposed. Be prepared to be The cleaning method of the porous semiconductor base layer without the occurrence of collapse. Of porous structures Due to being hollow or resonance In the cleaning method of the porous surface of the semi-base layer Conductors with the least porous structure in this surface, cleaning for conduction of dust particles attached to the hole surface. The porosity of the base layer is produced with pure water, which High-frequency waves with frequencies in the range from 600 kHz to 2 MHz are superimposed.

Claims (2)

1. วิธีการทำความสะอาดของพื้นผิวรูพรุนสำหรับการทำความสะอาดพื้นผิวรูพรุนของชั้นฐานที่มีโครงสร้างรูพรุนอย่าง น้อยที่สุดในพื้นผิวของชั้นฐาน ซึ่งในนั้น การทำความสะอาดสำหรับการนำอนุภาค ฝุ่นที่ยึด ติดอยู่กับพื้นผิวรูพรุนของชั้นฐานดังกล่าวออกมาจะบังเกิด ขึ้นมาด้วยน้ำบริสุทธิ์ ซึ่งบนนั้น จะซ้อนทับคลื่นความถี่ สูงด้วยความถี่ในช่วงพิสัยจาก 600 กิโลเฮิรตซ์ถึง 2 เมกะเฮิรตซ์เข้ามา1. Cleaning method of porous surfaces For the cleaning of porous surfaces of a base layer with a highly porous structure. Minimal in the surface of the base layer, in which a cleaning for the removal of dust particles attached to the porous surface of the said base layer occurs. It comes up with pure water on top of which will overlap the frequency High with frequencies in the range from 600 kHz to 2 MHz. 2. วิธีการทำความสะอาดของพื้นผิวรูพรุนที่สอดคล้องกับข้อ ถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งในนั้น พื้นผิวของชั้นฐานที่จะนำมาทำ ความสะอาดจะมีโครงสร้าแท็ก :2. The cleaning method of the porous surface corresponds to claim 1, in which the surface of the base layer to be treated. Cleanliness is structured with a tag:
TH9701002036A 1997-05-28 Method for cleaning porous surfaces and semiconductor surfaces TH37154A (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH37154A true TH37154A (en) 2000-02-14

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2206139A1 (en) Cleaning methods of porous surface and semiconductor surface
CA2033318A1 (en) Super high frequency oscillator/resonator
KR890008952A (en) Surface treatment method of semiconductor substrate
US5927308A (en) Megasonic cleaning system
KR910010639A (en) Method and apparatus for removing contaminants from the surface of a product by pressure difference
TH37154A (en) Method for cleaning porous surfaces and semiconductor surfaces
DE60139444D1 (en) METHOD FOR PRODUCING A PIEZOELECTRIC FILTER SHAPED ON A SUPPORT SUBSTRATE WITH AN ACOUSTIC RESONATOR ON AN ACOUSTIC REFLECTOR LAYER
JPH0964000A (en) Dry cleaning equipment
JPH0314230A (en) Cleaning of semiconductor wafer and device therefor
JPH05243203A (en) Ultrasonic washer
KR20070091412A (en) Panel dry damper
PE20000403A1 (en) METHOD TO OBTAIN A MORE EFFECTIVE DRYING
JP4144201B2 (en) Wet cleaning processing equipment
JPH08108157A (en) Ultrasonic cleaning equipment
DE69818953D1 (en) Process and solution for etching tri-metal layers for the production of electronic circuits
JP2777570B2 (en) Cleaning method and cleaning device
CN214638652U (en) An activated carbon cleaning device
KR970053520A (en) Method for removing reactive product generated in dry etching process of semiconductor device and metal wiring formation method using same
JP3549285B2 (en) Substrate cleaning method and cleaning apparatus, high-clean substrate manufacturing method and high-clean substrate
JPH0513396A (en) Cleaning method for semiconductor device
JPH06244164A (en) Ultrasonic cleaning equipment
JPH06104376A (en) Rinse water dryer for CFC substitute cleaning
KR19990073897A (en) Semiconductor wafer cleaning apparatus and cleaning method using the same
KR100468691B1 (en) Wafer cleaning method using chemical and physical method
JPH03230526A (en) Cleaning method of wafer