TH49784A - ระบบขัดมันที่มีสารประกอบหยุดและวิธีในการใช้ระบบนี้ - Google Patents
ระบบขัดมันที่มีสารประกอบหยุดและวิธีในการใช้ระบบนี้Info
- Publication number
- TH49784A TH49784A TH1003031A TH0001003031A TH49784A TH 49784 A TH49784 A TH 49784A TH 1003031 A TH1003031 A TH 1003031A TH 0001003031 A TH0001003031 A TH 0001003031A TH 49784 A TH49784 A TH 49784A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- polishing
- layer
- substrate
- compound
- layers
- Prior art date
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title abstract 19
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title abstract 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 8
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 abstract 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract 4
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 abstract 4
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 abstract 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 abstract 4
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 abstract 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (21/09/43) การประดิษฐ์ให้ระบบสำหรับขัดมันซับสเทรทแบบหลายชั้นที่มีหนึ่งชั้นหรือมากกว่าที่ได้ แก่ชั้นโลหะแรกและชั้นที่สองที่ประกอบรวมด้วย (i) แคริเออร์ชนิดเหลว, (ii) ตัวออกซิไดซ์อย่าง น้อยหนึ่งชนิด, (iii) สารเติมแต่งขัดมันอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เพิ่มอัตราที่ซึ่งระบบขัดมันซับเสทรท อย่างน้อยหนึ่งชั้น, (iv) สารประกอบหยุดอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่มีเซเลคทิวิทีสำหรับการขัดมันของ ชั้นโลหะแรก ชั้นที่สองอย่างน้อยประมาณ 30:1 ซึ่งสารประกอบหยุดคือสารประกอบที่มี ไนโตรเจนที่มีประจุบวกซึ่งเลือกจากสารประกอบที่ประกอบรวมด้วยแอมีน, อิมีน, เอไมด์, อิไมด์ และของผสมของสารเหล่านั้น และ (v) แผ่นขัดมันและ/หรือสารขัดถู การประดิษฐ์ยังให้วิธีขัดมัน ซับสเทรทที่ประกอบรวมด้วยนำพื้นผิวของซับสเทรทมาสัมผัสกับระบบและขัดมันซับสเทรทอย่าง น้อยส่วนหนึ่งกับที่นั้น อนึ่ง การประดิษฐ์ให้วิธีสำหรับขัดมันซับสเทรทแบบหลายชั้นหนึ่งชั้น หรือมากกว่าที่ได้แก่ชั้นโลหะแรกและชั้นที่สองที่ประกอบรวมด้วย (a) นำชั้นโลหะแรกมาสัมผัส กับระบบ และ (b) ขัดมันชั้นโลหะแรกด้วยระบบจนกระทั่งชั้นโลหะแรกอย่างน้อยส่วนหนึ่งถูก กำจัดออกจากซับสเทรท อนึ่ง การประดิษฐ์ให้สารผสมสำหรับขัดมันซับสเทรทแบบหลายชั้น หนึ่งชั้นหรือมากกว่าที่ได้แก่ชั้นโลหะแรกและชั้นที่สองที่ประกอบรวมด้วย (i) แคริเออร์ชนิดเหลว, (ii) ตัวออกซิไดซ์อย่างน้อยหนึ่งชนิด, (iii) สารเติมแต่งขัดมันอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เพิ่มอัตราที่ซึ่ง ระบบขัดมันซับสเทรทอย่างน้อยหนึ่งชั้น, (iv) สารประกอบหยุดอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่มีเซเลคทิวิที สำหรับการขัดมันของชั้นโลหะแรก : ชั้นที่สองอย่างน้อยประมาณ 30:1 ซึ่งสารประกอบหยุดคือ สารประกอบที่มีไนโตรเจนที่มีประจุบวกซึ่งเลือกจากสารประกอบที่ประกอบรวมด้วยแอมีน, อิมีน, เอไมด์, อิไมด์ และของผสมของสารเหล่านั้นที่จะนำมาใช้กับ (v) แผ่นขัดมันและ/หรือสารขัดถู การประดิษฐ์ให้ระบบสำหรับขัดมันซับสเทรทแบบหลายชั้นที่มีหนึ่งชั้นหรือมากกว่าที่ได้ แก่ชั้นโลหะแรกและชั้นที่สองที่ประกอบรวมด้วย (i) แคริเออร์ชนิดเหลว, (ii) ตัวออกซิไดซ์อย่าง น้อยชนิดหนึ่ง, (iii) สารเติมแต่งขัดมันอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เพิ่มอัตราที่ซึ่งระบบขัดมันซับเสทรท อย่างน้อยหนึ่งชั้น, (iv) สารประกอบหยุดอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่มีเซเลคทิวิทีสำหรับการขัดของ ชั้นโลหะแรก : ชั้นที่สองอย่างน้อยประมาณ 30:1 ซึ่งสารประกอบหยุดคือสารประกอบที่มี ไนโตรเจนที่มีประจุบวกซึ่งเลือกจากสารประกอบที่ประกอบรวมด้วยแอมีน, อิมีน, เอไมด์, อิไมด์ และของผสมของสารเหล่านั้น และ (v) แผ่นขัดมันและ/หรือสารขัดถู การประดิษฐ์ยังให้วิธีขัดมัน ซับสเรทที่ประกอบรวมด้วยนำพื้นผิวของซับสเทรทมาสัมผัสกับระบบและขัดมันซับสเทรทอย่าง น้อยส่วนหนึ่งกับที่นั้น อนึ่ง การประดิษฐ์ให้วิธีสำหรับขัดมันซับสเทรทแบบหลายชั้นหนึ่งชั้น หรือมากกว่าที่ได้แก่ชั้นโลหะแรกและชั้นที่สองที่ประกอบรวมด้วย (a) นำชั้นโลหะแรกมาสัมผัส กับระบบ และ (b) ขัดมันชั้นโลหะแรกด้วยระบบจนกระทั่งชั้นโลหะแรกอย่างน้อยส่วนหนึ่งถูก กำจัดออกจากซับสเทรท อนึ่ง การประดิษฐ์ให้สารผสมสำหรับขัดมันซับสเทรทแบบหลายชั้น หนึ่งชั้นหรือมากกว่าที่ได้แก่ชั้น โลหะแรกและชั้นที่สองที่ประกอบรวมด้วย (i) แคริเออร์ชนิดเหลว, (ii) ตัวออกซิไดซ์อย่างน้อยหนึ่งชนิด, (iii) สารเติมแต่งขัดมันอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เพิ่มอัตราซึ่ง ระบบขัดมันซับสเทรทอย่างน้อยหนึ่งชั้น, (iv) สารประกอบหยุดอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่มีเซเลคทิวิที สำหรับการขัดมันของชั้นโลหะแรก : ชั้นที่สองอย่างน้อยประมาณ 30:1 ซึ่งสารประกอบหยุดคือ สารประกอบที่มีไนโตรเจนที่มีประจุบวกซึ่งเลือกจากสารประกอบที่ประกอบรวมด้วยแอมีน, อิมีน, เอไมด์, อิไมด์ และของผสมของสารเหล่านั้นที่จะนำมาใช้กับ (v) แผ่นขัดมันและ/หรือสารขัดถู:
Claims (1)
1. ระบบสำหรับขัดมันซับเสทรทแบบหลายชั้นที่มีหนึ่งชั้นหรือมากกว่าที่ได้แก่ชั้นโลหะ แรกและชั้นที่สองที่ประกอบรวมด้วย (i) แคริเออร์ชนิดเหลว, (ii) ตัวออกซิไดซ์อย่างน้อยชนิดหนึ่ง, (iii) สารเติมแต่งขัดมันอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เพิ่มอัตราที่ซึ่งระบบขัดมันซับเสทรทอย่างน้อยหนึ่งชั้น, (iv) สารประกอบหยุดอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่มีเซเลคทิวิทีสำหรับการขัดมันของชั้นโลหะแรก : ชั้นที่ สองอย่างน้อยประมาณ 30:1 ซึ่งสารประกอบหยุดคือสารประกอบที่มีไนโตรเจนที่มีประจุบวกซึ่ง เลือกจากสารประกอบที่ประกอบรวมด้วยแอมีน, อิมีน,แท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH49784A true TH49784A (th) | 2002-03-04 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MY129591A (en) | Polishing system with stopping compound and method of its use | |
| US6206756B1 (en) | Tungsten chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a tungsten layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad | |
| TW200513520A (en) | Method for manufacturing substrate | |
| DE60307111D1 (de) | Verfahren zum chemisch mechanisch polieren von materialien mit einer niedrigen dielektrizitätskonstanten | |
| WO2000028586A3 (en) | Copper chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a copper layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad | |
| AU2003263536A8 (en) | Cmp method utilizing amphiphilic non-ionic surfactants | |
| KR100577127B1 (ko) | 반도체 가공에 적합한 구조 웨이퍼 수정용 작동 액체 및방법 | |
| CN100519079C (zh) | 用于三维固定的研磨件的原位激活的设备和方法 | |
| WO2004076574A3 (en) | Cmp composition comprising a sulfonic acid and a method for polishing noble metals | |
| ATE421769T1 (de) | Cmp-zusammensetzung mit einem tensid | |
| WO2004072199A3 (en) | Mixed-abrasive polishing composition and method for using the same | |
| MY146358A (en) | Use of cmp for aluminum mirror and solar cell fabrication | |
| ATE296185T1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum planarisieren von mikroelektronischem substratenaufbau | |
| MY144187A (en) | A cmp composition with a polymer additive for polishing noble metals | |
| WO2004053008A3 (en) | Passivative chemical mechanical polishing composition for copper film planarization | |
| TW200502340A (en) | Improved chemical mechanical polishing compositions for copper and associated materials and method of using same | |
| DE69942615D1 (de) | Eine chemisch-mechanisch polierende aufschlämmung, eine beschleunigerlösung enthaltend | |
| WO2001078128A3 (en) | Abrasive-free metal cmp in passivation domain | |
| MY120573A (en) | Slurry comprising a ligand or chelating agent for polishing a surface. | |
| KR970061445A (ko) | 웨이퍼 및 기판의 재생방법 및 장치 | |
| US6524168B2 (en) | Composition and method for polishing semiconductors | |
| WO2003003428A2 (en) | Apparatus, process and method for mounting and treating a substrate | |
| JP2001332517A (ja) | 基板の化学機械研磨方法 | |
| TH49784A (th) | ระบบขัดมันที่มีสารประกอบหยุดและวิธีในการใช้ระบบนี้ | |
| TWI256415B (en) | Slurry for chemical mechanical polishing |