TH51056A3 - การเตรียมพธาลิกแอนไฮไดรด์ - Google Patents
การเตรียมพธาลิกแอนไฮไดรด์Info
- Publication number
- TH51056A3 TH51056A3 TH9901001785A TH9901001785A TH51056A3 TH 51056 A3 TH51056 A3 TH 51056A3 TH 9901001785 A TH9901001785 A TH 9901001785A TH 9901001785 A TH9901001785 A TH 9901001785A TH 51056 A3 TH51056 A3 TH 51056A3
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- weight
- mixtures
- agile
- catalysts
- catalyst
- Prior art date
Links
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 4
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract 10
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000003814 drug Substances 0.000 claims abstract 2
- 229940079593 drug Drugs 0.000 claims abstract 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 16
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 abstract 10
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 abstract 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 abstract 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract 2
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 abstract 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 abstract 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 abstract 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 abstract 2
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 2
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (15/12/43) พธาลิก แอนไฮไดรด์ จะถูกเตรียมโดยออกซิเดชัน ในเฟสก๊าซที่มีการเร่งปฏิกิริยาของ ไซลีน และ/หรือ แนพธาลีนด้วยก๊าซที่ประกอบด้วย ออกซิเจนโมเลกุลในฟิกซ์เบตที่อุณหภูมิสูงขึ้น และใช้ตัว เร่งปฏิกิริยาที่เคลือบผิวอย่างน้อยที่สุด 3 ตัว ซี่ง เรียงกันในบริเวณที่วางไว้บน ซี่งตัวเร่ง ปฏิกิริยามีชั้น ของเมทัลออกไซด์ที่ว่องไวในการเร่งปฏิกิริยาใช้กับแกนของ วัสดุสารตัวรองรับกรรม วิธีดังที่ได้อธิบายไปนั้น แอคติวิตีตัวเร่งปฏิกิริยาเพิ่มขึ้นจากบริเวณหนึ่งสู่อีกบริเวณหนึ่งจากส่วน ปลายของทางเข้าของก๊าซถึงส่วนปลายทางออกก๊าซ และแอคติวิตีของตัวเร่งปฏิริยาของแต่ละ บริเวณจะถูกกำหนดตัวเร่งปฏิกิริยาที่ว่องไวอย่างน้อยที่สุดนี้นั้นประกอบด้วยปริมาณที่ต่ำกว่าของ สารผสมที่ว่องไว และถ้าต้องการเติมอัลคาไลเมทัลมากกว่านี้อีกที่ถูกเลือกจากหมู่ที่ประกอบด้วย โพแทสเซียม, รูบิเดียม และ ซีเซียมในฐานะสิ่งเจือปนที่มากกว่าตัวเร่งปฏิกิริยาของบริเวณถัดไป และแม้แต่ตัวเร่งปฏิกิริยาที่ว่องไวมากกว่าที่ตามมา ประกอบด้วย ปริมาณเท่ากันของสารผสมที่ ว่องไว และแม้แต่อัลคาไลเมทัลในฐานะสิ่งเจือปนที่น้อยกว่าหรือปริมาณมากกว่าของสารผสมที่ ว่องไว และถ้าต้องการอัลคาไลเมทัลในฐานะสิ่งเจือปนน้อยกว่าตัวเร่งปฏิกิริยาของบริเวณที่ 2 ด้วยเงื่อนไขต่อไปนี้ a) ตัวเร่งปฏิกิริยาที่ว่องไวอย่างน้อยที่สุดบนวัสดุสารตัวรองรับที่ไม่มีรูพรุน ประกอบ รวมด้วย ตั้งแต่ 5 ถึง 9% โดยน้ำหนัก มีพื้นฐานจากตัวเร่งปฏิกิริยาทั้งหมด ของสารผสมที่ว่องไว ประกอบรวมด้วย ตั้งแต่ 3 ถึง 8 % โดยน้ำหนักของ V2O5, ตั้งแต่ 0 ถึง 3.5% โดยน้ำหนักของ Sb2O3, ตั้งแต่ 0 ถึง 0.3% โดยน้ำหนักของฟอสฟอรัส, ตั้งแต่ 0.1 ถึง 0.5% โดยน้ำหนักของอัล คาไลเมทัล (คำนวณในรูปโลหะ) และ TiO2 ที่สมดุลในรูปอะนาเทสที่มีพื้นที่ผิว BET ตั้งแต่ 18 ถึง 22 ตร.ม./กรัม b) ตัวเร่งปฏิกิริยาที่ว่องไวมากกว่าถัดไปมีสารผสมทีเหมือนกันในฐานะตัวเร่ง ปฏิกิริยา (a) ยกเว้นสำหรับปริมาณสารผสมที่ว่องไวซึ่งเป็นตั้งแต่ 1 ถึง 5% โดยน้ำหนัก (สัมบรูณ์) ที่มากกว่า และปริมาณอัลคาไลเมทัลซึ่งเป็นตั้งแต่ 0 ถึง 0.25% โดยน้ำหนัก (สัมบรูณ์) ที่น้อยกว่า และ c) ตัวเร่งปฏิกิริยาที่ว่องไวที่สุดมีสารผสมที่เหมือนกันเป็น (a) ยกเว้นสำหรับ ปริมาณสารผสมที่ว่องไว ซึ่งเป็นตั้งแต่ 1 ถึง 5% โดยน้ำหนัก (สัมบูรณ์) มากกว่าใน (a) และ ปริมาณอัลคาไลเมทัลซึ่งเป็นตั้งแต่ 0.15 ถึง 0.4% โดยน้ำหนัก (สัมบูรณ์) ต่ำกว่าใน (a) พธาลิก แอนไฮไดรด์ จะถูกเตรียมโดยออกซิเดชัน ในเฟสก๊าซที่มีการเร่งปฏิกิริยาของ ไซลีน และ/หรือ แนพธาลีนด้วยก๊าซที่ประกอบด้วย ออกซิเจนโมเลกุลในฟิกซ์เบตที่อุณหภูมิสูงขึ้น และใช้ตัว เร่งปฏิกิริยาที่เคลือบผิวอย่างน้อยที่สุด 3 ตัว ซี่ง เรียงกันในบริเวณที่วางไว้บน ซี่งตัวเร่ง ปฏิกิริยามีชั้น ของเมทัลออกไซด์ที่ว่องไวในการเร่งปฏิกิริยาใช้กับแกนของ วัสดุสารตัวรองรับกรรม วิธีดังที่ได้อธิบายไปนั้น แอคติวิตีตัวเร่งปฏิกิริยาเพิ่งขึ้นจากบริเวณหนึ่งสู่อีกบริเวณหนึ่งจากส่วน ปลายของทางเข้าของก๊าซถึงส่วนปลายทางออกก๊าซ และแอคติวิตีของตัวเร่งปฏิริยาของแต่ละ บริเวณจะถูกกำหนดตัวเร่งปฏิกิริยาที่ว่องไวอย่างน้อยที่สุดนี้นั้นประกอบด้วยปริมาณที่ต่ำกว่าของ สารผสมที่ว่องไว และถ้าต้องการเติมอัลคาไลเมทัลมากกว่านี้อีกที่ถูกเลือกจากหมู่ที่ประกอบด้วย โพแทสเซียม, รูบิเดียม และ ซีเซียมในฐานะสิ่งเจือปนที่มากกว่าตัวเร่งปฏิกิริยาของบริเวณถัดไป และแม้แต่ตัวเร่งปฏิกิริยาที่ว่องไวมากกว่าที่ตามมา ประกอบด้วย ปริมาณเท่ากันของสารผสมที่ ว่องไว และแม้แต่อัลคาไลเมทัลในฐานะสิ่งเจือปนที่น้อยกว่าหรือปริมาณมากกว่าของสารผสมที่ ว่องไว และถ้าต้องการอัลคาไลเมทัลในฐานะสิ่งเจือปนน้อยกว่าตัวเร่งปฏิกิริยาของบริเวณที่ 2 ด้วยเงื่อนไขต่อไปนี้ a) ตัวเร่งปฏิกิริยาที่ว่องไวอย่างน้อยที่สุดบนวัสดุสารตัวรองรับที่ไม่มีรูพรุน ประกอบ รวมด้วย ตั้งแต่ 5 ถึง 9% โดยน้ำหนัก มีพื้นฐานจากตัวเร่งปฏิกิริยาทั้งหมด ของสารผสมที่ว่องไว ประกอบรวมด้วย ตั้งแต่ 3 ถึง 8 % โดยน้ำหนักของ V2O5, ตั้งแต่ 0 ถึง 3.5% โดยน้ำหนักของ Sb2O3, ตั้งแต่ 0 ถึง 0.3% โดยน้ำหนักของฟอสฟอรัส, ตั้งแต่ 0.1 ถึง 0.5% โดยน้ำหนักของอัล คาไลเมทัล (คำนวณในรูปโลหะ) และ TiO2 ที่สมดุลในรูปอะนาเทสที่มีพื้นที่ผิว BET ตั้งแต่ 18 ถึง 22 ตร.ม./กรัม b) ตัวเร่งปฏิกิริยาที่ว่องไวมากกว่าถัดไปมีสารผสมทีเหมือนกันในฐานะตัวเร่ง ปฏิกิริยา (a) ยกเว้นสำหรับปริมาณสารผสมที่ว่องไวซึ่งเป็นตั้งแต่ 1 ถึง 5% โดยน้ำหนัก (สัมบรูณ์) ที่มากกว่า และปริมาณอัลคาไลเมทัลซึ่งเป็นตั้งแต่ 0 ถึง 0.25% โดยน้ำหนัก (สัมบรูณ์) ที่น้อยกว่า และ c) ตัวเร่งปฏิกิริยาที่ว่องไวที่สุดมีสารผสมที่เหมือนกันเป็น (a) ยกเว้นสำหรับ ปริมาณสารผสมที่ว่องไว ซึ่งเป็นตั้งแต่ 1 ถึง 5% โดยน้ำหนัก (สัมบูรณ์) มากกว่าใน (a) และ ปริมาณอัลคาไลเมทัลซึ่งเป็นตั้งแต่ 0.15 ถึง 0.4% โดยน้ำหนัก (สัมบูรณ์) ต่ำกว่าใน (a) สิทธิบัตรยา
Claims (1)
1. กรรมวิธีสำหรับการเตรียมพธาลิกแอนไฮไดรด์ โดยออกซิเดชันในเฟสก๊าซที่มี การเร่งปฏิกิริยาของไซลีน และ/หรือ แนพธาลีนด้วยก๊าซซี่งประกบด้วยออกซิเจนโมเลกุลใน ฟิกซ์ เบดที่อุณหภูมิสูงขึ้น และการใช้ตัวเร่งปฏิกิริยาที่ ถูกเคลือบผิวอย่างน้อยที่สุด 3 ชนิดที่ถูกเรียงใน บริเวณที่ วางไว้บน ซี่งตัวเร่งปฏิกิริยาจะมีชั้นของเมทัลออกไซด์ที่ ว่องไวในการเร่งปฏิกิริยาที่ใช้ใน แกนของวัสดุสารตัวรองรับ ที่ซี่งแอคติวิตีตัวเร่งปฏิกิริยาเพิ่มจากบริเวณหนี่งสู่ อีกบริเวณหนี่งจาก ส่วนท้ายทางเข้าก๊าซ และแอคติวิตแท็ก : สิทธิบัตรยา
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH51056A3 true TH51056A3 (th) | 2002-05-22 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR930001975A (ko) | 무수프탈산 제조용 촉매와 그 촉매를 이용한 무수프탈산의 제조방법 | |
| TW444004B (en) | Preparation of phthalic anhydride | |
| TW487705B (en) | Preparation of phthalic anhydride by catalytic gas-phase oxidation of o-xylene/naphthalene mixtures | |
| KR880012515A (ko) | 프탈산 무수물의 제조방법 | |
| JP2011088925A5 (th) | ||
| KR910016378A (ko) | 무수 프탈산 제조용 촉매 | |
| CN109364908A (zh) | 羟醛缩合制甲基丙烯酸甲酯催化剂的制备、催化剂及应用 | |
| RU2005140089A (ru) | Способ получения ангидрида фталевой кислоты | |
| CA2299602A1 (en) | A catalyst material and a process for its preparation | |
| CN101428216A (zh) | 用于制备薄壳形催化剂的层状复合载体 | |
| ATE238099T1 (de) | Verfahren zur herstellung von phthalsäureanhydrid und titan-vanadium-cäsium enthaltendem schalenkatalysator hierfür | |
| BR9713454A (pt) | Catalisador de cubeta para a preparação de ácido acético mediante oxidação em fase gasosa de c4-hidrocarbonetos insaturados | |
| US20090306410A1 (en) | Shaped catalyst body for partial oxidation reactions | |
| KR101308197B1 (ko) | 촉매의 제조를 위한, 이산화티탄 혼합물의 용도 | |
| TH51056A3 (th) | การเตรียมพธาลิกแอนไฮไดรด์ | |
| JP3797147B2 (ja) | メタクリル酸製造用触媒の保存方法 | |
| JPH03221144A (ja) | 排ガス浄化用触媒 | |
| JPH08332394A (ja) | 排気浄化用金属担体触媒およびその製造方法 | |
| JPS6037108B2 (ja) | 無水フタル酸の製造方法 | |
| JPH0356140A (ja) | 排ガス浄化用触媒 | |
| TH40860A3 (th) | ตัวเร่งปฏิกิริยาแบบเคลือบสำหรับออกซิเดชันในเฟสแก๊สที่มีตัวเร่งปฏิกิริยาของไฮโดรคาร์บอนชนิดอะโรเมทิก | |
| DE59207781D1 (de) | Katalysator zur Verminderung der Stickoxide im Rauchgas und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| JPS57105241A (en) | Catalyst for preparing phthalic anhydride | |
| JPH0563222B2 (th) | ||
| TH68067A (th) | การเตรียมฟธาลิค แอนไฮไดรด์ |