TH51255A - วิธีการขัดเงาหรือปรับระนาบวัสดุฐานรอง - Google Patents
วิธีการขัดเงาหรือปรับระนาบวัสดุฐานรองInfo
- Publication number
- TH51255A TH51255A TH1004856A TH0001004856A TH51255A TH 51255 A TH51255 A TH 51255A TH 1004856 A TH1004856 A TH 1004856A TH 0001004856 A TH0001004856 A TH 0001004856A TH 51255 A TH51255 A TH 51255A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- metal
- mixtures
- hydroxyl groups
- polishing
- leveling
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract 7
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract 4
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 title claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 9
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 7
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 2
Abstract
DC60 (20/02/44) วิธีการขัดเงาหรือปรับระนาบวัสดุฐานรอง ที่ประกอบด้วย การขัดอย่างน้อยส่วน หนึ่งของผิวของวัสดุฐานรองที่ประกอบด้วย โลหะ, โลหะออกไซด์, สารผสมรวมของโลหะ หรือ ของผสมของสารเหล่านี้ ด้วยสารผสมที่ประกอบด้วยสารขัดที่เป็นโลหะออกไซด์ และสาร พาหะที่ เป็นของเหลว ซึ่งสารผสมมี pH ประมาณ 7 หรือต่ำกว่า และสารขัดที่เป็นโลหะออกไซด์มีความ หนาแน่นของหมู่ไฮดรอกซิล ทั้งหมดของผิว ไม่มากกว่าประมาณ 3 หมู่ไฮดรอกซิลต่อตาราง นา โนเมตร วิธีการขัดเงาหรือปรับระนาบวัสดุฐานรอง ที่ประกอบด้วย การขัดอย่างน้อยส่วน หนึ่งของผิวของวัสดุฐานรองที่ประกอบด้วย โลหะ, โลหะออกไซด์, สารผสมรวมของโลหะ หรือ ของผสมของสารเหล่านี้ ด้วยสารผสมที่ประกอบด้วยสารขัดที่เป็นโลหะออกไซด์ และสาร พาหะที่ เป็นของเหลว ซึ่งสารผสมมี pH ประมาณ 7 หรือต่ำกว่า และสารขัดที่เป็นโลหะออกไซด์มีความ หนาแน่นของหมู่ไฮดรอกซิล ทั้งหมดของผิว ไม่มากกว่าประมาณ 3 หมู่ไฮดรอกซิลต่อตาราง นา โนเมตร
Claims (2)
1. วิธีการขัดเงา หรือ ปรับระนาบวัสดุฐานรอง ที่ประกอบ ด้วยการขัดอย่าง น้อยส่วนหนึ่งของผิวของวัสดุฐานรองที่ประกอบด้วย โลหะ, โลหะออกไซด์, สารผสมรวมของ โลหะ หรือของผสมของสาร เหล่านี้ ด้วยสารผสมที่ประกอบด้วยสารขัดที่เป็นโลหะออกไซด์ และ สารพาหะที่เป็นของเหลว ซึ่งสารผสมมี pH ประมาณ 7 หรือ ต่ำกว่า และสารขัดที่เป็นโลหะ ออกไซด์มีความหนาแน่นของ หมู่ไฮดรอกซิลทั้งหมด ของผิวไม่มากกว่าประมาณ 3 หมู่ไฮดรอกซิล ต่อ ตารางนาโนเมตร
2. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งวัสดุฐแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH51255A true TH51255A (th) | 2002-06-06 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| IL150186A0 (en) | Method of polishing or planarizing a substrate | |
| DE69903538D1 (de) | Verfahren zur herstellung von schleifkörnern durch imprägnieren und damit hergestellte schleifmittel | |
| MX9703682A (es) | Alumina modificada mediante un procedimiento de sol-gel. | |
| WO2000000560A3 (en) | Chemical mechanical polishing slurry and method for using same | |
| AU584873B2 (en) | Abrasive grits or ceramic bodies and preparation thereof | |
| IL134213A0 (en) | A polishing composition including an inhibitor of tungsten etching | |
| MY126717A (en) | Cmp composition containing silane modified abrasive particles. | |
| DE3688768D1 (de) | Verfahren zur herstellung von sehr feinen kugelfoermigen metalloxydteilchen. | |
| DE60020389D1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum planarisieren von mikroelektronischem substratenaufbau | |
| CO4560485A1 (es) | Celdas termicas | |
| EP1055486A3 (en) | Dressing apparatus and polishing apparatus | |
| WO2003011999A3 (en) | Abrasive particles, abrasive articles, and methods of making and using the same | |
| ATE258577T1 (de) | Zusammensetzungen und verfahren zum polieren und egalisieren von oberflächen | |
| WO2002061008A3 (en) | Alkali metal-containing polishing system and method | |
| NZ233397A (en) | Hard surface cleaning composition containing anionic surfactant ammonium salt, alkanolamine(s) and solvent | |
| MY118116A (en) | Method of polishing a memory or rigid disk with an ammonia and/or halide-containing composition | |
| MY133054A (en) | Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing | |
| DE59300120D1 (de) | Verfahren zum kontaminationsfreien Zerkleinern von Halbleitermaterial, insbesondere Silicium. | |
| WO2002016075A3 (en) | Cmp apparatus with an oscillating polishing pad rotating in the opposite direction of the wafer | |
| TH51255A (th) | วิธีการขัดเงาหรือปรับระนาบวัสดุฐานรอง | |
| WO2002021581A3 (en) | Method for uniform polish microelectronic device | |
| WO2002072878A3 (de) | Verfahren zur fälschungssicheren markierung; fälschungssichere markierung und kit | |
| JPS5429189A (en) | Abrasive wheel for glinding purpose | |
| EP0816457A3 (en) | Slurry using Mn oxide abrasives and fabrication process of a semiconductor device using such a polishing slurry | |
| ATE258253T1 (de) | Stabilisiertes gefüge, insbesondere vom typ ballast, und verfahren zur stabilisierung eines solchen gefüges |