TH57161A - คะแพ็สซิเตอร์ แอ็นโนดที่อยู่บนพื้นฐานไนโอเบียม - Google Patents

Abstract

DC60 (17/09/44) แอ็นโนดถูกบรรยายที่มีชั้นขวางกั้นที่มีพื้นฐานไนโอเบียมที่ประกอบด้วยแกนโลหะ ไนโอเบียม, ชั้นไนโอเบียม ซับออกไซด์ที่เป็นสื่อนำ และชั้นขวางกั้นไดอิเล็กตริกของไนโอเบียม เพนทอก ไซด์ แอ็นโนดถูกบรรยายที่มีชั้นขวางกั้นที่มีพื้นฐานไนโอเบียมที่ประกอบด้วยแกนโลหะ ไนโอเบียม, ชั้นไนโอเบียมซับออกไซด์ที เป็นสื่อนำ และชั้นขวางกั้นไดอิเล็กตริกของไนโอเบียม เพนทอก ไซด์

Claims (8)

1. แอ็นโนดประกอบด้วย (a) แกนโลหะไนโอเบียม, (b) ชั้นไนโอเบียมซับออกไซด์ที่เป็นสื่อนำ, และ (c) ชั้นขวางกั้นไดอิ เล็กตริกที่ประกอบด้วยไนโอเบียมเพนทอกไซด์

2. แอ็นโนดตามข้อถือสิทธิ 1, ในที่ซึ่งแอ็นโนดมีปริมาณ แทนทาลัมในชั้นขวางกั้น ไดอิเล็ตริกจากประมาณ 1500 ถึง ประมาณ 12,000 ppm, สัมพันธ์กับแอ็นโนด

3. แอ็นโนดตามข้อถือสิทธิ 1, ในที่ซึ่งชั้นซับออกไซด์มี ความหนาที่อย่างน้อยที่สุด ประมาณ 50 นาโนเมตร

4. กระบวนการสำหรับการผลิตแอ็นโนดสำหรับคะแพ็สซิเตอร์ที่ ประกอบด้วยผง โลหะไนโอเบียมทีเผาผนึก และการผลิตชั้นขวาง กั้นไดอิเล็กตริกทางอิเล็กโตรลิติกบนผิวหน้าของ รูปร้างที่ ถูกเผาผลึก ในที่ซึ่งชั้นขวางกั้นถูกผลิตด้วยอิเล็กโตรไลท์ ที่มีสารละลายที่มีน้ำของกรดอินทรีย์ ที่มีแอ็นโนด

5. กระบวนการตามข้อถือสิทธิ 4, ในที่ซึ่งอิเล็กโตรไลท์ ประกอบด้วยสารละลาย แทนทาลัมอ็อกซาเลท

6. กระบวนการตามข้อถือสิทธิ 4, ในที่ซึ่งอิเล็กโตรไลท์มี สภาพนำช่วงจากประมาณ 0.15 ถึงประมาณ 25 mS/cm

7. กระบวนการตามข้อถือสิทธิ 6, ในที่ซึ่งสภาพนำของอิเล็ก โตรไลท์เป็นอย่างน้อย ที่สุดประมาณ 5 mS/cm

8. คะแพ็สซิเตอร์ประกอบด้วยแอ็นโนดที่ประกอบด้วย (a) แกน โลหะไนโอเบียม (b) ชั้นไนโอเบียมซับออกไซด์ที่เป็นสื่อนำ และ (c) ชั้นขวางกั้นไดอิเล็กตริกของไนโอเบียมเพนทอก ไซด์