TH64590A - Mixture for cleaning microelectronics containing oxidizing agents. And organic solvents - Google Patents
Mixture for cleaning microelectronics containing oxidizing agents. And organic solventsInfo
- Publication number
- TH64590A TH64590A TH301002082A TH0301002082A TH64590A TH 64590 A TH64590 A TH 64590A TH 301002082 A TH301002082 A TH 301002082A TH 0301002082 A TH0301002082 A TH 0301002082A TH 64590 A TH64590 A TH 64590A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- mixture
- organic solvents
- oxidizing agents
- cleaning
- containing oxidizing
- Prior art date
Links
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 title claims abstract 4
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 title claims abstract 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title abstract 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 title abstract 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims abstract 3
- 125000001174 sulfone group Chemical group 0.000 claims abstract 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 claims 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 claims 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 1
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 claims 1
- 150000003966 selones Chemical class 0.000 claims 1
- -1 sulfolines Chemical class 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- GYSDUVRPSWKYDJ-UHFFFAOYSA-N selinone Chemical compound C1=CC(OCC=C(C)C)=CC=C1C1OC2=CC(O)=CC(O)=C2C(=O)C1 GYSDUVRPSWKYDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000637 aluminium metallisation Methods 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract 1
- 238000009867 copper metallurgy Methods 0.000 abstract 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (02/09/46) สารผสมสำหรับทำความสะอาดซึ่งเหมาะสำหรับทำความสะอาดโครงสร้างไมโคร- อิเล็กทรอนิกที่มีซิลิคอนไดออกไซด์, ไดอิเล็กทริก ชนิด K ต่ำหรือ K สูง และการทำให้เป็นโลหะด้วย ทองแดง หรืออลูมิเนียมซึ่งมีสารออกซิไดซ์กับตัวทำละลายอินทรีย์ที่ มีขั้วซึ่งเลือกมาจากเอไมด์, ซัลโฟน, ซัลโฟลีน, ซีลีโนน และแอลกอฮอล์ชนิดอิ่มตัว, และอาจเลือกใช้ส่วนประกอบชนิด อื่น ๆ สารผสมสำหรับทำความสะอาดซึ่งเหมาะสำหรับทำความสะอาดโครงสร้างไมโคร- อิเล็กทริกที่มีซิลิคอนไดออกไซด์, ไดอิเล็กทริก ชนิด K ต่ำหรือ K สูง และการทำให้เป็นโลหะด้วย ทองแดง หรืออลูมิเนียมซึ่งมีสารออกซิไดซ์กับตัวทำละลายอินทรีย์ที่ มีขั้วซึ่งเลือกมาจากเอไมด์, ซัลโฟน, ซัลโฟลีน, ซีลีโนน และแอลกอฮอล์ชนิดอิ่มตัว, และอาจเลือกใช้ส่วนประกอบชนิด อื่น ๆ DC60 (02/09/46) cleaning compound suitable for cleaning micro-electronic structures containing silicon dioxide, low K or high K type dielectrics and copper metallurgy. Or aluminum which contains an oxidizing agent with an organic solvent that There are polarities selected from amides, sulphones, sulfolines, selenone and saturated alcohols, and other components may be chosen. A small silicon dioxide, a low-K or high-K dielectric, and a copper or aluminum metallization with an oxidizing agent with an organic solvent. There are polarities selected from amides, sulphones, sulfolines, selenone and saturated alcohols, and may be made with other ingredients.
Claims (1)
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH64590A true TH64590A (en) | 2004-10-11 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2003104900A3 (en) | MICROELECTRONIC CLEANING COMPOSITIONS CONTAINING OXIDANTS AND ORGANIC SOLVENTS | |
| KR100386137B1 (en) | Ethylenediaminetetraacetic acid or its ammonium salt semiconductor process residue removal composition and process | |
| MY142745A (en) | Microelectronic cleaning and arc remover compositions | |
| DE60129465D1 (en) | 1,3-DICARBONYL COMPOUNDS CONTAINING SEMICONDUCTOR STRIP COMPOSITION | |
| ATE420941T1 (en) | CHEMICAL RINSING COMPOSITION | |
| US6821352B2 (en) | Compositions for removing etching residue and use thereof | |
| WO2002004233A8 (en) | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices | |
| US20060042651A1 (en) | Cleaning submicron structures on a semiconductor wafer surface | |
| MY117049A (en) | Composition for stripping photoresist and organic materials from substrate surfaces | |
| EP1576072A4 (en) | AQUEOUS PHOSPHORIC ACID COMPOSITIONS FOR CLEANING SEMICONDUCTOR DEVICES | |
| JP2005529363A5 (en) | ||
| AU2003284932A1 (en) | Supercritical carbon dioxide/chemical formulation for ashed and unashed aluminum post-etch residue removal | |
| US20160010035A1 (en) | Copper corrosion inhibition system | |
| MY130394A (en) | Aqueous stripping and cleaning composition | |
| CN107121901A (en) | A kind of rich water base cleaning liquid composition | |
| JP3389166B2 (en) | Stripping composition for resist | |
| KR101691850B1 (en) | A composition for striping of photoresist | |
| TW200617623A (en) | Composition for removing a photoresist residue and polymer residue, and residue removal process using same | |
| CN102334069B (en) | Microelectronic cleaning composition based on multipurpose acidic organic solvent | |
| CN109642159B (en) | Non-aqueous tungsten compatible metal nitride selective etchants and cleaners | |
| TH64590A (en) | Mixture for cleaning microelectronics containing oxidizing agents. And organic solvents | |
| DE60238244D1 (en) | AQUEOUS CLEANING AGENT WITH COPPER-SPECIFIC CORROSION PROTECTION AGENT FOR CLEANING INORGANIC RESIDUE OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATES | |
| US8399391B2 (en) | Photoresist residue removal composition | |
| JP4666515B2 (en) | Release agent composition | |
| TW201730326A (en) | Acidic semi-aqueous fluoride activated anti-reflective coating cleaner with excellent substrate compatibility and excellent bath stability |