TH65544A - อนุภาคเล็กๆ ที่มีซิลิกาเป็นพื้นฐาน - Google Patents
อนุภาคเล็กๆ ที่มีซิลิกาเป็นพื้นฐานInfo
- Publication number
- TH65544A TH65544A TH201002925A TH0201002925A TH65544A TH 65544 A TH65544 A TH 65544A TH 201002925 A TH201002925 A TH 201002925A TH 0201002925 A TH0201002925 A TH 0201002925A TH 65544 A TH65544 A TH 65544A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- silica
- slurry mixtures
- small particles
- particles based
- abrasives
- Prior art date
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 18
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims abstract 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 abstract 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 4
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 2
Abstract
DC60 (29/10/45) การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับซิลิกา, สารผสมสเลอรี และวิธีของการเตรียมของมัน โดยเฉพาะซิลิกาของการประดิษฐ์นี้ รวมถึง อนุภาคเบื้องต้นที่เกาะเป็นกลุ่มก้อน สารผสมสเลอรี ซึ่งรวม กับซิลิกา เหมาะสำหรับวัตถุขัดถู และมีประโยชน์โดยเฉพาะ สำหรับการทำระนาบเชิงกล ทางเคมีของซับสเตรตของสารกึ่งตัวนำ และไมโครอิเลคโทรนิกซับสเตรตอื่นๆ การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับซิลิกา, สารผสมสเลอรี และวิธีของการเตรียมของมัน โดยเฉพาะซิลิกาของการประดิษฐ์นี้ รวมถึง อนุภาคเบื้องต้นที่เกาะเป็นกลุ่มก้อน สารผสมสเลอรี ซึ่งรวม กับซิลิกา เหมาะสำหรับวัตถุขัดถู และมีประโยชน์โดยเฉพาะ สำหรับการทำระนาบเชิงกล ทางเคมีของซับสเตรตของสารกึ่งตัวนำ และไมโครอิเลคโทรนิกซับสเตรตอื่น ๆ
Claims (2)
1. สารผสมที่ประกอบด้วยวัสดุอนุภาคที่มีซิลิกาเป็นพื้นฐานและในเรซินองค์ ประกอบเดี่ยว ที่ประกอบด้วยอิลคิลเลเต็ดไตรอะซีนเรซินที่คอนเดนซ์ได้เอง ซึ่งวัสดุอนุภาคที่มีซิลิ การเป็นพื้นฐานดังกล่าวมีลักษณะเฉพาะตามที่มี : ขนาดอนุภาคของค่ากลางโดยเฉลี่ยอย่างน้อย เป็น 20 ไมโครเมตร ; พื้นที่ผิว BET อย่างน้อยเป็น 90 ม2/ก. และ pH อย่างน้อยเป็น 9.5 ในที่ซึ่งสาร ผสมดังกล่าวเกิดในที่ไม่มีรีซอร์ซินอลอยู่
2. สารผสมของข้อถือสิทธิ 1 ในที่ซึ่งวัสดุอนุภาคที่มีซิลิกาเป็นพื้นฐาน ประกอบด้วยมแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH65544A true TH65544A (th) | 2004-12-16 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100215939B1 (ko) | 활성화된 연마 조성물 | |
| US8439995B2 (en) | Abrasive compounds for semiconductor planarization | |
| PL1675971T3 (pl) | Metoda powlekania powierzchni przedmiotów przy użyciu strumienia plazmy | |
| DE60030444D1 (de) | Cmp-zusammensetzung enthaltend silanmodifizierte-schleifteilchen | |
| KR20140003475A (ko) | 폴리규소를 연마하기 위한 조성물 및 방법 | |
| EP1542266A4 (en) | SEMICONDUCTOR GRINDING PROCESS FOR ITS MANUFACTURE AND POLISHING PROCESS | |
| WO2007133894A3 (en) | Low dimensional thermoelectrics fabricated by semiconductor wafer etching | |
| Lei et al. | Synthesis of Sm-doped colloidal SiO2 composite abrasives and their chemical mechanical polishing performances on sapphire substrates | |
| CN105637986B (zh) | 抛光组合物及印刷线路板的制造方法 | |
| WO2013008751A1 (ja) | 光変換用セラミック複合体の製造方法 | |
| ID24802A (id) | Proses untuk pemolesan kimia mekanik dari suatu lapisan material penghantar aluminium atau campuran aluminium | |
| Wang et al. | Effect of a pH regulator on sapphire substrate CMP | |
| TW200720016A (en) | Chemically modified chemical mechanical polishing pad, process of making a modified chemical mechanical polishing pad and method of chemical mechanical polishing | |
| KR20130054267A (ko) | 벌크 규소를 연마하기 위한 조성물 및 방법 | |
| TW200621965A (en) | Polishing composition for a semiconductor substrate | |
| TW200643157A (en) | Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method | |
| CN109971356B (zh) | 一种化学机械抛光液 | |
| TH65544A (th) | อนุภาคเล็กๆ ที่มีซิลิกาเป็นพื้นฐาน | |
| TWI804587B (zh) | 研磨組合物 | |
| TW200717635A (en) | Polishing method for semiconductor wafer | |
| KR20230044516A (ko) | 슬러리, 연마 방법 및 반도체 부품의 제조 방법 | |
| TWI853796B (zh) | 研磨組合物、及調整研磨速度之方法 | |
| WO2004073922A3 (en) | Abrasives for copper cmp and methods for making | |
| TH74074A (th) | ซิลิกาและสเลอรีที่มีซิลิกาเป็นพื้นฐาน | |
| WO2019012743A1 (ja) | 透明封止部材 |