TH70723A - การประกอบไมโครโฟนที่เป็นซิลิคอน - Google Patents

Abstract

DC60 (14/06/47) ไมโครโฟนที่เป็นซิลิคอนถูกสร้างขึ้นโดยใช้ขั้นตอนของการจัดเตรียมเวเฟอร์ที่หนึ่งซึ่ง มีชั้นของซิลิคอนที่มีสารเจือปนในปริมาณมาก, ชั้นของซิลิคอนและชั้นที่เป็นออกไซด์ที่อยู่ระหว่าง กลางของชั้นทั้งสอง เวเฟอร์ที่หนึ่งดังกล่าวจะมีพื้นผิวหลักที่หนึ่งบนพื้นผิวด้านหนึ่งของชั้นของ ซิลิคอนที่มีสารเจือปนในปริมาณมากและพื้นผิวหลักที่สองบนชั้นของซิลิคอน เวเฟอร์ที่สองของ ซิลิคอนจะมีพื้นผิวหลักที่หนึ่งและพื้นผิวหลักที่สอง ชั้นที่เป็นออกไซด์ถูกสร้างขึ้นบนพื้นผิวหลักที่ หนึ่งเป็นอย่างน้อยของเวเฟอร์ที่หนึ่งและที่สองดังกล่าว โพรงถูกกัดรอยให้ทะลุผ่านชั้นที่เป็น ออกไซด์บนพื้นผิวหลักที่หนึ่งของเวเฟอร์ที่หนึ่งดังกล่าวและเข้าไปในชั้นของซิลิคอนที่มีสารเจือปน ในปริมาณมาก พื้นผิวหลักที่หนึ่งของเวเฟอร์ที่หนึ่งดังกล่าวจะถูกเชื่อมติดเข้ากับพื้นผิวหลักที่หนึ่ง ของเวเฟอร์ที่สองดังกล่าว ชั้นของโลหะถูกสร้างขึ้นบนพื้นผิวหลักที่สองของเวเฟอร์ที่สอง รูรับเสียง ถูกสร้างแพตเทิร์นและกัดรอยในชั้นโลหะดังกล่าวและในพื้นผิวหลักที่สองของเวเฟอร์ที่สองดังกล่าว อิเล็กโทรดอย่างน้อยหนึ่งอันถูกสร้างขึ้นบนซิลิคอนที่มีสารเจือปนในปริมาณมากของเวเฟอร์ที่หนึ่ง และอิเล็กโทรดอย่างน้อยหนึ่งอันถูกสร้างขึ้นบนเวเฟอร์ที่สองดังกล่าว ชั้นที่เป็นออกไซด์ของ เวเฟอร์ที่หนึ่งดังกล่าวถูกกัดรอยจากด้านหลังของแผ่นบังระหว่างที่ผลิตไมโครโฟนที่เป็นซิลิคอน ดังกล่าว ไมโครโฟนที่เป็นซิลิคอนถูกสร้างขึ้นโดยใช้ขั้นตอนของการจัดเตรียมเวเฟอร์ที่หนึ่งซึ่ง มีชั้นของซิลิคอนที่มีสารเจือปนในปริมาณมาก , ชั้นของซิลิคอนและชั้นที่เป็นออกไซด์ที่อยู่ระหว่าง กลางของชั้นทั้งสอง เวเฟอร์ที่หนึ่งดังกล่าวจะมีพื้นผิวหลักที่หนึ่งบนพื้นผิวด้านหนึ่งของชั้นของ ซิลิคอนที่มีสารเจือปนในปริมาณมากและพื้นผิวหลักที่สองบนชั้นของซิลิคอน เวเฟอร์ที่สองของ ซิลิคอนจะมีพื้นผิวหลักที่หนึ่งและพื้นผิวหลักที่สอง ชั้นที่เป็นออกไซด์ถูกสร้างขึ้นบนพื้นผิวหลักที่ หนึ่งอย่างน้อยของเวเฟอร์ที่หนึ่งและที่สองดังกล่าว โพรงถูกกัดรอยให้ทะลุผ่านชั้นที่เป็น ออกไซด์บนพื้นผิวหลักที่หนึ่งของเวเฟอร์ที่หนึ่งดังกล่าวและเข้าไปในชั้นของซิลิคอนที่มีสารเจือปน ในปริมาณมาก พื้นผิวหลักที่หนึ่งของเวเฟอร์ที่หนึ่งดังกล่าวจะถูกเชื่อมติดเข้ากับพื้นผิวหลักที่หนึ่ง ของเวเฟอร์ที่สองดังกล่าว ชั้นของโลหะถูกสร้างขึ้นบนพื้นผิวหลักที่สองของเวเฟอร์ที่สอง รูรับเสียง ถูกสร้างแพตเทิร์นขึ้นและกัดรอยในชั้นโลหะดังกล่าวและในพื้นผิวหลักที่สองของเวเฟอร์ที่สองดังกล่าว อิเล็คโทรดอย่างน้อยหนึ่งอันถูกสร้างขึ้นบนซิลิคอนที่มีสารเจือปนในปริมาณมากของเวเฟอร์ที่หนึ่ง และอิเล็คโทรดอย่างน้อยหนึ่งอันถูกสร้างขึ้นบนเวเฟอร์ที่สองดังกล่าว ชั้นที่เป็นออกไซด์ของ เวเฟอร์ที่หนึ่งดังกล่าวถูกกัดรอยจากด้านหลังของแผ่นบังระหว่างที่ผลิตไมโครโฟนที่เป็นซิลิคอน ดังกล่าว

Claims (1)

1. วิธีการผลิตไมโครโฟนที่เป็นซิลิคอนซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ - การจัดเตรียมเวเฟอร์ที่หนึ่งซึ่งมีขั้นของซิลิคอนที่มีสารเจือปนในปริมาณมาก , ชั้นของซิลิคอนและชั้นระหว่างกลางที่เป็นออกไซด์ซึ่งอยู่ระหว่างชั้นของซิลิคอนทั้งสองชั้นดังกล่าว และมีพื้นผิวหลักที่หนึ่งอยู่บนพื้นผิวด้านหนึ่งของชั้นของซิลิคอนที่มีสารเจือปนในปริมาณมาก ดังกล่าวและพื้นผิวหลักที่สองซึ่งอยู่บนชั้นของซิลิคอนดังกล่าว - การจัดเตรียมเวเฟอร์ที่สองของซิลิคอนซึ่งมีพื้นผิวหลักที่หนึ่งและพื้นผิวหลัก ที่สอง แท็ก :