TH73733A

TH73733A - วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ และวัตถุที่จะดำเนินกรรมวิธี

Info

Publication number: TH73733A
Application number: TH501001397A
Authority: TH
Inventors: ซาคาโมโตะ นายทาเคชิ; มูรามัตสึ นายเคนอิชิ
Original assignee: นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์; นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์; นายบุญมา เตชะวณิช; นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
Filing date: 2005-03-28
Publication date: 2005-12-20

Abstract

DC60 (27/01/54) ได้จัดให้มีวิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ ซึ่งสามารถชิ้นส่วนลามิเนทได้ด้วยความ เที่ยงตรงสูงพร้อมกับซับสเตรต เมื่อตัดซับสเตรตที่ก่อรูปขึ้นมาพร้อมด้วยชิ้นส่วนลามิเนทที่ ประกอบด้วยอุปกรณ์เชิงหน้าที่จำนวนหนึ่งเป็นชิปจำนวนหนึ่ง โดยที่ชิปแต่ละชิ้นประกอบด้วย อุปกรณ์เชิงหน้าที่อย่างน้อยที่สุดหนึ่งอุปกรณ์ ในวิธีการดำเนินการวิธีด้วยเลเซอร์นี้ บริเวณดัดแปรที่แตกต่างไปจากกันในด้านของความ ง่ายในการทำให้ซับสเตรต 4 แตกแยกออกจะได้รับการก่อรูปขึ้นมาตามแนวของแนวเส้นทำการตัด 5a ถึง 5d แต่ละแนว ด้วยเหตุนี้ เมื่อติดแถบที่สามารถขยายตัวได้กับผิวหน้าด้านหลังของซับสเตรต 4 และ ทำให้ขยายออก วัตถุที่จะดำเนินกรรมวิธี 1 จะได้รับการตัดแบบทีละขั้นเป็นชิปจำนวนหนึ่ง การตัด แบบทีละขั้นดังกล่าวยอมให้ความเค้นดึงที่สม่ำเสมอกระทำบนส่วนแต่ละส่วนที่ยื่นไปตามแนวเส้น เพื่อทำการตัด 5a ถึง 5d ดังนั้น ฟิล์มคั่นฉนวนระหว่างชั้นบนแนวทำการตัด 5a ถึง 5d จะได้รับการตัด ด้วยความเที่ยงตรงสูงพร้อมกับซับสเตรต 4 ได้จัดให้มีวิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ ซึ่งสามารถชิ้นส่วนลามิเนทได้ด้วยความ เที่ยงตรงสูงพร้อมกับซับสเตรต เมื่อตัดซับสเตรตที่ก่อรูปขึ้นมาพร้อมด้วยชิ้นส่วนลามิเนทที่ ประกอบด้วยอุปกรณ์เชิงหน้าที่จำนวนหนึ่งเป็นชิปจำนวนหนึ่ง โดยที่ชิปแต่ละชิ้นประกอบด้วย อุปกรณ์เชิงหน้าที่อย่างน้อยที่สุดหนึ่งอุปกรณ์ ในวิธีการดำเนินกรรวิธีด้วยเลเซอร์นี้ บริเวณดัดแปรที่แตกต่างไปจากกันในด้านของความ ง่ายในการทำให้ซับสเตรต 4 แตกแยกออกจะได้รับการก่อรูปขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัด 5a ถึง 5dแต่ละแนว ด้วยเหตุนี้ เมื่อติดแถบขยายตัวได้กับผิวหน้าด้านหลังของซับสเตรต 4 และทำให้ขยาย ออก วัตถุที่จะดำเนินกรรมวิธี 1 จะได้รับการตัดแบบทีละขั้นเป็นชิปจำนวนหนึ่ง การตัดแบบทีละ ขั้นดังกล่าวยอมให้ความเค้นดึงที่สม่ำเสมอกระทำบนส่วนแต่ละส่วนที่ยื่นไปตามแนวของแนวทำการ ตัด 5a ถึง 5d ดังนั้น ฟิลม์คั่นฉนวนระหว่างชั้นบนแนวทำการตัด 5a ถึง 5d จะได้รับการตัดด้วยความ เที่ยงตรงสูงพร้อมกับซับสเตรต 4

Claims

1. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์สำหรับการฉายซับสเตรตที่มีผิวด้านหน้าที่ก่อรูปให้มี ชิ้นส่วนลามิเนทซึ่งประกอบด้วยอุปกรร์เชิงหน้าที่จำนวนหนึ่ง ด้วยแสงเลเซอร์ ในขณะที่จัดให้จุดลู่ รวมแสงอยู่ภายในซับสเตรต เพื่อการก่อรูปบริเวณดันแปรงขึ้นมาซึ่งจะเป็นจุดตั้งต้นสำหรับการตัด ภายในซับสเตรตตามแนวของแนวทำการตัดซับสเตรต; วิธีการประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ: การก่อรูปบริเวณดัดแปรงที่หนึ่งขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัดที่หนึ่งสำหรับการตัด ซับสเตรตและชิ้นส่วนลามิเนทเป็นก้อนจำนวนหนึ่ง; และ การก่อรูปบริเวณดัดแปรที่สองขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัดที่สองสำหรับการตัดก้อน เป็นชิปจำนวนหนึ่ง โดยที่ชิปแต่ละชิ้นประกอบด้วยอุปกรณ์เชิงหน้าที่อย่างน้อยที่สุดหนึ่งอุปกรณ์; ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งมีโอกาสเป็นไปได้ในการทำให้ซับสเตรตแตกแยกออกมากกว่า บริเวณดัดแปรที่สอง

2. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยขั้นตอน ของ: การติดฟิลม์ขยายตัวได้กับผิวหน้าด้านหลังของซับสเตรตที่ก่อรูปขึ้นมาให้มีบริเวณดัดแปรที่ หนึ่งและที่สอง; และ การทำให้ฟิล์มขยายตัวได้ขยายออก เพื่อการเริ่มต้นการตัดซับสเตรต และชิ้นส่วนลามิเนท เป็นก้อนจากบริเวณดัดแปรที่หนึ่งที่ทำหน้าที่เป็นจุดตั้งต้น และ จากนั้น เริ่มต้นการตัดก้อนเป็นชิปจาก บริเวณดัดแปรที่สองที่ทำหน้าที่เป็นจุดตั้งต้น

3. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งแนวทำการตัดที่สองจะยื่น ผ่านไประหว่างแนวทำการตัดที่หนึ่งที่อยู่ใกล้กัน

4. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งแนวทำการตัดที่หนึ่งและที่ สองจะขนานกันอย่างเป็นสำคัญ

5. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งแนวทำการตัดที่หนึ่งและที่ สองจะตัดกัน

6. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 5 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งซับสเตรตเป็น ซับสเตรตสารกึ่งตัวนำ และ ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งและที่สองประกอบด้วยบริเวณผ่านกรรมวิธีทำ ให้หลอมเหลว

7. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 6 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งบริเวณดัดแปร ที่หนึ่งในส่วนที่ยื่นไปตามแนวของแนวทำการตัดที่หนึ่งในซับสเตรทมีความหนาแน่นการก่อรูปที่ แตกต่างไปจากความหนาแน่นการก่อรูปของบริเวณดัดแปรที่สองในส่วนที่ยื่นไปตามแนวของแนวทำ การตัดที่สองในซับสเตรต ซึ่งทำให้บริเวณดัดแปรที่หนึ่งก่อเกิดการแตกแยกออกขึ้นมาในซับสเตรต ได้ง่ายมากกว่าบริเวณดัดแปรที่สอง

8. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 7 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งบริเวณดัดแปร ที่หนึ่งในส่วนที่ยื่นไปตามแนวของแนวทำการตัดที่หนึ่งในซับสเตรตมีขนาดที่แตกต่างไปจากขนาด ของบริเวณดัดแปรงที่สองในส่วนที่ยื่นไปตามแนวของแนวทำการตัดที่สองในซับสเตรต ซึ่งทำให้ บริเวณดัดแปรที่หนึ่งก่อเกิดการแตกแยกออกในซับสเตรตได้ง่ายมากกว่าบริเวณดัดแปรที่สอง

9. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 8 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งบริเวณดัดแปร ที่หนึ่งในส่วนที่ยื่นไปตามแนวของแนวทำการตัดที่หนึ่งในซับสเตรตได้รับการก่อรูปขึ้นมา ณ ตำแหน่งที่ดแตกต่างไปจากตำแหน่งที่บริเวณดัดแปรที่สองได้รับการก่อรูปขึ้นมาในส่วนที่ยื่นไปตาม แนวของแนวทำการตัดที่สองในซับสเตรต ซึ่งทำให้บริเวณดันแปรที่หนึ่งก่อเกิดการแตกแยกออกใน ซับสเตอตขึ้นมาได้มาง่ายมากกว่าบริเวณดัดแปรที่สอง 1

0. วัตถุที่จะดำเนินกรรมวิธีประกอบรวมด้วยซับสเตรต และชิ้นส่วนนลามิเนทซึ่งก่อรูปขึ้นมาบน ผิวหน้าด้านหน้าของซับสเตรต ซึ่งประกอบด้วยอุปกรณ์เชิงหน้าที่จำนวนหนึ่ง: วัตถุประกอบรวมต่อไปอีกด้วย: บริเวณดัดแปรที่หนึ่งซึ่งได้รับการก่อรูปขึ้นมาภายในซับสเตรตตามแนวของแนวทำการตัดที่ หนึ่งสำหรับการตัดซับสเตรตและลามิเนทเป็นก้อนจำนวนหนึ่ง; และ บริเวณดัดแปรที่สองซึ่งได้รับการก่อรูปขึ้นมาภายในซับสเตรตตามแนวของแนวทำการตัดที่ สองสำหรับการตัดก้อนเป็นชิปจำนวนหนึ่ง โดยที่ชิปแต่ละชิ้นประกอบด้วยอุปกรณ์เชิงหน้าที่อย่าง น้อยที่สุดหนึ่งอุปกรณ์; ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งมีโอกาสเป็นไปได้ที่จะทำให้ซับสเตรตแตกแยกออกมากกว่า บริเวณดัดแปรที่สอง