Claims (35)
แก้ไข 12/06/2558Updated 12/06/2015
1. องค์ประกอบอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำที่ประกอบรวมด้วย (A) ผลึกอีพอกซิ เรซิน (B) ฟีนอล เรซินที่ถูกแทนโดยสูตรทั่วไป (1) (สูตรเคมี) (1) ที่ซึ่ง R1 และ R2 อย่างเป็นอิสระคือไฮโดรเจน หรือ แอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 4 อะตอม และ R1 สองหมู่ หรือ มากกว่า หรือ R2 สองหมู่ หรือ มากกว่าเหมือน หรือ แตกต่างกัน; a คือ จำนวนเต็ม จาก 0 ถึง 4; b คือ จำนวนเต็มจาก 0 ถึง 4; c คือ จำนวนเต็มจาก 0 ถึง 3 และ n คือ ค่าเฉลี่ย และคือ ตัวเลขจาก 0 ถึง 10 (C-2) บิวทะไดอีน-แอคริโลไนไทรล์ โคพอลิเมอร์ และ (D) สารตัวเติมอนินทรีย์ในปริมาณ 80% โดยน้ำหนัก ถึง 95% โดยน้ำหนัก ซึ่งรวมเอาไว้ทั้งคู่ ในองค์ประกอบอีพอกซิ เรซินทั้งหมด ที่ซึ่งบิวทะไดอีน-แอคริโลไรไทรล์ โคพอลิเมอร์ (C-2) ดังกล่าว คือ คาร์บอกซิล-เทอร์ทิเน- เทด บิวทะไดอีน-แอคริโลไรไทรล์ โคพอลิเมอร์ที่แทนโดยสูตรทั่วไป (3) (สูตรเคมี) (3) ที่ซึ่ง Bu แทนหน่วยโครงสร้างที่ได้มาจากบิวทะไดอีน; CAN แทนหน่วยโครงสร้างที่ได้มา จากแอคริโลไนไทรล์; x คือ ตัวเลขเชิงบวกที่น้อยกว่า 1; y คือ ตัวเลขเชิงบวกที่น้อยกว่า 1 ; x + y = 1; และ z คือ จำนวนเต็มจาก 50 ถึง 80 2. องค์ประกอบอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งนำตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 2 ที่ซึ่งฟีนอล เรซิน (B) ดังกล่าวถูกแทนโดยสูตรทั่วไป (2) (สูตรเคมี) (2) ที่ซึ่ง R1 และ R2 อย่างเป็นอิสระคือไฮโดรเจน หรือ แอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 4 อะตอม และ R1 สองหมู่ หรือ มากกว่า หรือ R2 สองหมู่ หรือ มากกว่าเหมือน หรือ แตกต่างกัน; a คือ จำนวนเต็ม จาก 0 ถึง 4; b คือ จำนวนเต็มจาก 0 ถึง 4; c คือ จำนวนเต็มจาก 0 ถึง 3 และ n คือ ค่าเฉลี่ย และคือ ตัวเลขจาก 0 ถึง 10 3. องค์ประกอบอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งนำตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 2 ที่ซึ่งบิวทะไดอีน-แอคริโลไนไทรล์ โคพอลิเมอร์ (C-2) ดังกล่าวถูกบรรจุกในปริมาณ 0.05% โดย น้ำหนัก ถึง 0.5% โดยน้ำหนัก ซึ่งรวมเอาไว้ทั้งคู่ในองค์ประกอบของอีพอกซิ เรซินทั้งหมด 4. องค์ประกอบอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งนำตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 2 ที่ซึ่งตัวเติมอนินทรีย์ (D) ดังกล่าวถูกบรรจุในปริมาณ 85% โดยน้ำหนัก ถึง 95% โดยน้ำหนัก ซึ่งรวม เอาไว้ทั้งคู่ในองค์ประกอบอีพอกซิ เรซินทั้งหมด 5. องค์ประกอบอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งนำตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 2 ซึ่งประกอบรวมต่อไปด้วยสารเร่งการบ่ม (E) 6. อุปกรณ์กึ่งตัวนำที่ซึ่งชิพกึ่งตัวนำห่อหุ้มด้วยองค์ประกอบองค์ประกอบอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้ม ชิพกึ่งนำตามที่ขอถือสิทธิในข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อ 2 ถึง 6 7. องค์ประกอบอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งนำตามที่ขอถือสิทธิในข้อใดข้อหนึ่ง ของข้อถือสิทธิข้อ 2 ถึง 6 ที่ถูกใช้สำหรับห่อหุ้มอุปกรณ์กึ่งตัวนำประเภทติดตั้งเฉพาะบริเวณ ที่ซึ่งชพกึ่งตัวนำถูกติดตั้งอยู่บนด้านหนึ่งของซับสเทรท และเพียงแค่ด้านของซับสเทรทที่ ติดตั้งชิพกึ่งตัวนำถูกห่อหุ้มอย่างแท้จริง 8. อุปกรณ์กึ่งตัวนำประเภทติดตั้งเฉพาะบริเวณ, ที่ซึ่งชิพกึ่งตัวนำถูกห่อหุ้มด้วยองค์ประกอบ องค์ประกอบอีพอกซิ เรซินประเภทติดตั้งเฉพาะบริเวณสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งนำตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 7 9. องค์ประกอบอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งนำตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งผลึกอีพอกซิ เรซิน (A) ดังกล่าวถูกแทนที่โดยสูตรทั่วไป (4) (สูตรเคมี) (4) ที่ซึ่ง X คือ หมู่ที่ถูกเลือกจากพันธะเดียว, -O-,-S- และ –C(R2)2-; R1 คือ แอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 6 อะตอม; R1 สองหมู่ หรือ มากกว่าเหมือน หรือ แตกต่างกัน; m คือ จำนวนเต็มจาก 0 ถึง 4; R2 คือ ไฮโดรเจน หรือ แอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 4 อะตอม และ R2 สองหมู่ หรือ มากกว่าเหมือน หรือ แตกต่างกัน ฟีนอล เรซิน (B) ดังกล่าวถูกแทนโดยสูตรทั่วไป (5) (สูตรเคมี) (5) ที่ซึ่ง R1 และ R2 อย่างเป็นอิสระคือไฮโดรเจน หรือ แอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 4 อะตอม;R1 สองหมู่ หรือ มากกว่า หรือ R2 สองหมู่ หรือ มากกว่าเหมือน หรือ แตกต่างกัน; a คือ จำนวนเต็มจาก 0 ถึง 3; b คือ จำนวนเต็มจาก 0 ถึง 4; n คือ ค่าเฉลี่ย และคือตัวเลขเชิงบวกจาก 1 ถึง 5 และ ซึ่งประกอบรวมต่อไปด้วย (F) อีพอกซิ เรซินที่ถูกแทนโดยสูตรทั่วไป (6) (สูตรเคมี) (6) ที่ซึ่ง R1 และ R2 อย่างเป็นอิสระคือไฮโดรเจน หรือ แอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 4 อะตอม;R1 สองหมู่ หรือ มากกว่า หรือ R2 สองหมู่ หรือ มากกว่าเหมือน หรือ แตกต่างกัน; a คือ จำนวนเต็มจาก 0 ถึง 3; b คือ จำนวนเต็มจาก 0 ถึง 4; n คือ ค่าเฉลี่ย และคือตัวเลขเชิงบวกจาก 1 ถึง 5 10. องค์ประกอบอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งนำตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 9 ที่ซึ่งบิวทะไดอีน-แอคริโลไนไทรล์ โคพอลิเมอร์ (C-2) ดังกล่าวถูกบรรจุกในปริมาณ 0.05% โดยน้ำหนัก ถึง 0.5% โดยน้ำหนัก ซึ่งรวมเอาไว้ทั้งคู่ในองค์ประกอบของอีพอกซิ เรซินทั้งหมด 11. องค์ประกอบอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งนำตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 9 ที่ซึ่งอัตราส่วนโดยน้ำหนัก [(F)/(A)] ของพอกซิ เรซิน (F) ต่อผลึกอีพอกซิ เรซิน (A) ที่ถูกแทนโดย สูตรทั่วไป (4) คือ 10/90 ถึง 90/10 ซึ่งรวมเอาไว้ทั้งคู่ 12. องค์ประกอบอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งนำตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 9 ซึ่งประกอบรวมต่อไปด้วยสารเร่งการบ่ม (E) 13. อุปกรณ์กึ่งตัวนำพาซึ่งชิพกึ่งตัวนำถูกห่อหุ้มด้วยองค์ประกอบอัพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้ม ชิพกึ่งตัวนำตามที่ขอถือสิทธิในข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อ 9 และ 11-13 14. องค์ประกอบอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งนำตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิในข้อใดข้อหนึ่ง ของข้อถือสิทิข้อ 9 และ 11-13 ที่ถูกใช้สำหรับห่อหุ้มอุปกรณ์กึ่งตัวนำประเภทติดตั้งเฉพาะบริเวณ ที่ซึ่งชิพกึ่งตัวนำถูกติดตั้งอยู่บนด้านหนึ่งของซับสเทรท และเพียงแค่ด้านของซับสเทรทที่ ติดตั้งชิพกึ่งตัวนำถูกห่อหุ้มอย่างแท้จริง 15. อุปกรณ์กึ่งตัวนำประเภทติดตั้งเฉพาะบริเวณ, ที่ซึ่งชิพกึ่งตัวนำถูกห่อหุ้มด้วยองค์ประกอบ อีพอกซิ เรซินประเภทติดตั้งเฉพาะบริเวณสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งนำตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 14 ------------------------------------------------------- 1.องค์ประกอบอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำที่ประกอบรวมด้วย (A)ผลึกอีพอกซิ เรซิน (B)ฟีนอล เรซินที่ถูกแทนโดยสูตรทั่วไป(1) (สูตรเคมี) (1) ที่ซึ่ง R1 และ R2 อย่างเป็นอิสระคือไฮโดรเจน หรือ แอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 4 อะตอม และ R1 สองหมู่ หรือ มากกว่า หรือ R2 สองหมู่ หรือ มากกว่าเหมือน หรือ แตกต่างกัน;a คือ จำนวนเต็ม จาก 0 ถึง 4;b คือ จำนวนเต็มจาก 0 ถึง 4;c คือ จำนวนเต็มจาก 0 ถึง 3 และ n คือ ค่าเฉลี่ย และคือ ตัวเลขจาก 0 ถึง 10 (C-2)บิวทะไดอีน-แอคริโลไนไทรล์ โคพอลิเมอร์ และ (D)สารตัวเติมอนินทรีย์ในปริมาณ 80% โดยน้ำหนัก ถึง 95% โดยน้ำหนัก ซึ่งรวมเอาไว้ทั้งคู่ ในองค์ประกอบอีพอกซิ เรซินทั้งหมด ที่ซึ่งบิวทะไดอีน-แอคริโลไนไทรล์โคพอลิเมอร์(C-2)ดังกล่าว คือ คาร์บอกซิล-เทอร์มิเน- เทด บิวทะไดอีน-แอคริโลไนไทรล์ โคพอลิเมอร์ที่แทนโดยสูตรทั่วไป(3) (สูตรเคมี) (3) ที่ซึ่ง Bu แทนหน่วยโครงสร้างที่ได้มาจากบิวทะไดอีน;ACN แทนหน่วยโครงสร้างที่ได้มา จากแอคริโลไนไทรล์;x คือ ตัวเลขเชิงบวกที่น้อยกว่า 1;y คือ ตัวเลขเชิงบวกที่น้อยกว่า 1;x+y=1; และ z คือ จำนวนเต็มจาก 50 ถึง 801. The composition of the epoxy resin for semiconductor chip encapsulation consists of (A) crystalline epoxy resin, (B) phenolic resin represented by the general formula (1) (chemical formula) (1) where R1 and R2 independently are hydrogen or alkyls with 1 to 4 carbon atoms and two or more R1 groups or two or more R2 groups are the same or different; a is an integer from 0 to 4; b is an integer from 0 to 4; c is an integer from 0 to 3 and n is the mean and is a number from 0 to 10, (C-2) butadiene-acrylonitrile copolymer, and (D) inorganic filler in an amount of 80% by weight to 95% by weight, which includes both. In all epoxy resin compositions, where the butadiene-acrylonitrile copolymer (C-2) is the carboxyl-tertina-tated butadiene-acrylonitrile copolymer represented by the general formula (3) (chemical formula) (3), where Bu represents the structural unit derived from butadiene; CAN represents the structural unit derived from acrylonitrile; x is a positive number less than 1; y is a positive number less than 1; x + y = 1; and z is an integer from 50 to 80. 2. Epoxy resin compositions 3. The composition of the epoxy resin for semiconductor chip encapsulation as claimed in claim 2, where such phenolic resin (B) is represented by the general formula (2) (chemical formula) (2), where R1 and R2 independently are hydrogen or alkyls with 1 to 4 carbon atoms and two or more R1 groups or two or more R2 groups are the same or different; a is an integer from 0 to 4; b is an integer from 0 to 4; c is an integer from 0 to 3 and n is the mean and n is a number from 0 to 10. 3. The composition of the epoxy resin for semiconductor chip encapsulation as claimed in claim 2, where such butadiene-acrylonitrile copolymer (C-2) is contained in an amount of 0.05% by weight to 0.5% by weight, both included in the total composition of the epoxy resin. 4. The composition of the epoxy resin 5. Semiconductor chip encapsulation resins as claimed in Reputation 2, in which the inorganic filler (D) is contained in an amount of 85% by weight to 95% by weight, both included in the total epoxy resin composition. 6. Semiconductor chip encapsulation resins as claimed in Reputation 2, which are further incorporated with a curing accelerator (E). 7. Semiconductor devices in which the semiconductor chip is encapsulated in one of the epoxy resin compositions for semiconductor chip encapsulation as claimed in Reputation 2 through 6. 8. Semiconductor chip encapsulation resins for semiconductor chip encapsulation as claimed in Reputation 2 through 6, which are used for encapsulating site-mounted semiconductor devices in which the semiconductor chip is mounted on one side of the substrate, and only the side of the substrate on which the semiconductor chip is mounted is actually encapsulated. 9. Site-mounted semiconductor devices in which the semiconductor chip is encapsulated in one of the epoxy resin compositions for semiconductor chip encapsulation as claimed in Reputation 2 through 6. A localized resin for encapsulation of semiconductor chips as claimed in claim 7. 9. An epoxy resin composition for encapsulation of semiconductor chips as claimed in claim 1, where such epoxy resin crystal (A) is replaced by a general formula (4) (chemical formula) (4), where X is a single-bonded, -O-,-S- and –C(R2)2- chosen group; R1 is an alkyl containing 1 to 6 carbon atoms; two or more R1 groups are the same or different; m is an integer from 0 to 4; R2 is a hydrogen or alkyl with 1 to 4 carbon atoms; and two or more R2 groups are the same or different; a is an integer from 0 to 3; b is an integer from 0 to 4; n is the mean and is a positive number from 1 to 5 and which is further combined with (F) epoxy resin which is represented by the general formula (6) (chemical formula) (6) where R1 and R2 independently are hydrogen or alkyl with 1 to 4 carbon atoms; two or more R1 groups or two or more R2 groups are the same or different; a is an integer from 0 to 3; b is an integer from 0 to 4; n is the mean and is a positive number from 1 to 5 and which is further combined with (F) epoxy resin which is represented by the general formula (6) (chemical formula) (6) where R1 and R2 independently are hydrogen or alkyl with 1 to 4 carbon atoms; two or more R1 groups or two or more R2 groups are the same or different; a is an integer from 0 to 3; b is an integer from 0 to 4; n is the mean and is a positive number from 1 to 5. 10. Epoxy resin composition for semiconductor chip encapsulation as claimed in claim 9 where butadiene-acrylonitrile copolymer (C-2) is contained in an amount of 0.05% by weight to 0.5% by weight, both included in the total epoxy resin composition. 11. Epoxy resin composition for semiconductor chip encapsulation as claimed in claim 9 where the weight ratio [(F)/(A)] of epoxy resin (F) to crystalline epoxy resin (A) represented by general formula (4) is 10/90 to 90/10, both included. 12. Epoxy resin composition 13. A semiconductor device in which the semiconductor chip is encapsulated in one of the epoxy resin components for semiconductor chip encapsulation as claimed in Reputation 9 and 11-13. 14. An epoxy resin component for semiconductor chip encapsulation as claimed in one of the epoxy resin components for semiconductor chip encapsulation as claimed in Reputation 9 and 11-13, used for encapsulating a site-mounted semiconductor device in which the semiconductor chip is mounted on one side of the substrate and only the side of the substrate in which the semiconductor chip is mounted is actually encapsulated. 15. A site-mounted semiconductor device in which the semiconductor chip is encapsulated in one of the site-mounted epoxy resin components for semiconductor chip encapsulation as claimed in Reputation 14. ------------------------------------------------------- 1. An epoxy resin component for semiconductor chip encapsulation in which (A) crystalline epoxy resin; (B) phenolic resin represented by general formula(1) (chemical formula)(1), where R1 and R2 independently are hydrogen or alkyls with 1 to 4 carbon atoms and two or more R1 groups or two or more R2 groups are the same or different; a is an integer from 0 to 4; b is an integer from 0 to 4; c is an integer from 0 to 3 and n is the mean and is a number from 0 to 10; (C-2) butadiene-acrylonitrile copolymer; and (D) inorganic filler in an amount of 80% by weight to 95% by weight, both of which are included in all epoxy resin compositions, where the butadiene-acrylonitrile copolymer(C-2) is a carboxyl-terminated butadiene-acrylonitrile. The copolymer is represented by the general formula (3) (chemical formula) (3), where Bu represents the structural unit derived from butadiene; ACN represents the structural unit derived from acrylonitrile; x is a positive number less than 1; y is a positive number less than 1; x+y=1; and z is an integer from 50 to 80.
2. สารผสมอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่ง ฟีนอล เรซิน (B) ดังกล่าวถูกแทนที่โดยสูตรทั่วไป (2): (สูตรเคมี) (2) ซึ่ง R1 และ R2 ที่เป็นอิสระคือไฮโดรเจน หรือแอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 4 อะตอม และ R1 สองหมู่หรือมากกว่า หรือ R2 สองหมู่หรือมากกว่าเหมือนหรือแตกต่างกัน; a คือจำนวนเต็มจาก 0 ถึง 4;b คือจำนวนเต็มจาก 0 ถึง 4;c คือจำนวนเต็มจาก 0 ถึง 3; และ n คือค่าเฉลี่ย และคือตัวเลขจาก 0 ถึง 10; (โค)พอลิเมอร์ดังกล่าวหรืออนุพันธ์ของมัน (C) คือสารประกอบอีพอกซิไดเซด พอลิบิวทะไดอีน (C-1); และ ตัวเติมอนินทรีย์ (D) ดังกล่าวถูกบรรจุในปริมาณ 85 % โดยน้ำหนัก ถึง 95 % โดยน้ำหนัก ซึ่งรวมเอาไว้ทั้งคู่ในสารผสมอีพอกซิ เรซินทั้งหมด2. Epoxy resin mixtures for encapsulating semiconductor chips as provided for in claim 1, whereby the said phenolic resin (B) is replaced by the general formula (2): (chemical formula) (2) where the independent R1 and R2 are hydrogen or alkyl compounds with 1 to 4 carbon atoms and two or more R1 groups or two or more R2 groups are the same or different; a is an integer from 0 to 4; b is an integer from 0 to 4; c is an integer from 0 to 3; and n is the mean and a is a number from 0 to 10; (co)polymer (C) or its derivatives (C) is an epoxidized polybutadiene compound (C-1); and the said inorganic filler (D) is contained in an amount of 85% by weight to 95% by weight, both included in the entire epoxy resin mixture.
3. สารผสมอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 2, ซึ่ง น้ำหนักโมเลกุลเฉลี่ยเชิงจำนวนของสารประกอบอีพอกซิไดเซด พอลิบิวทะไดอีน (C-1) ดังกล่าว คือ 500 ถึง 4000 ซึ่งรวมเอาไว้ทั้งคู่3. An epoxy resin mixture for encapsulating semiconductor chips as claimed in claim 2, in which the number average molecular weight of the epoxydized polybutadiene (C-1) compounds is 500 to 4000, which includes both.
4. สารผสมอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 2, ซึ่ง ยังประกอบรวมด้วยตัวเร่งการบ่ม (E)4. Epoxy resin mixture for encapsulating semiconductor chips as provided in claim 2, which also includes a curing accelerator (E).
5. อุปกรณ์กึ่งตัวนำซึ่งชิพกึ่งตัวนำถูกห่อหุ้มด้สนสารผสมอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้ม ชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 2-4 ข้อใดข้อหนึ่ง5. A semiconductor device in which a semiconductor chip is encapsulated in an epoxy resin compound for semiconductor chip encapsulation as provided for under any of the claims in Clauses 2-4.
6. สารผสมอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 2-4 ข้อใดข้อหนึ่งที่ใช้สำหรับห่อหุ้มอุปกรณ์กึ่งตัวนำประเภทติดเฉพาะบริเวณ ซึ่งชิพกึ่งตัวนำถูกทำให้ติดอยู่บนด้านหนึ่งของซับสเทรท และจัดว่าเฉพาะด้านของ ซับสเตรทที่ติดกับชิพกึ่งตัวนำถูกห่อหุ้ม6. An epoxy resin mixture for encapsulating semiconductor chips as provided in any of the claims in Clauses 2-4, applicable for encapsulating locally mounted semiconductor devices where the semiconductor chip is mounted on one side of a substrate and only the side of the substrate adjacent to the semiconductor chip is encapsulated.
7. อุปกรณ์กึ่งตัวนำประเภทติดเฉพาะบริเวณ, ซึ่งชิพกึ่งตัวนำถูกห่อหุ้มด้วยสารผสมอีพอกซิ เรซินประเภทติดเฉพาะบริเวณสำหรับห่อหุ้มกึ่งชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 67. Localized semiconductor devices, in which a semiconductor chip is encapsulated in a localized epoxy resin compound for encapsulation of the semiconductor chip as provided for in claim 6.
8. สารผสมอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่ง ฟีนอล เรซิน (B) ดังกล่าวถูกแทนที่โดยทั่วไป (2); (สูตรเคมี) (2) ซึ่ง R1 และ R2 ที่เป็นอิสระคือไฮโดรเจนหรือแอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 4 อะตอม และ R1 สองหมู่หรือมากกว่า หรือ R2 สองหมู่หรือมากกว่าเหมือนหรือแตกต่างกัน; a คือจำนวนเต็มจาก 0 ถึง 4;b คือจำนวนเต็มจาก 0 ถึง 4;c คือจำนวนเต็มจาก 0 ถึง 3; และ n คือค่าเฉลี่ย และคือตัวเลขจาก 0 ถึง 10; ซึ่ง (โค)พอลิเมอร์ดังกล่าวหรืออนุพันธ์ของมัน (C) คือบิวทะไดอีน-แอคริโลไนโทรล์ โคพอลิเมอร์ (C-2)8. An epoxy resin mixture for encapsulating semiconductor chips as claimed in claim 1, in which such phenolic resin (B) is generally replaced (2); (chemical formula) (2) in which independent R1 and R2 are hydrogen or alkyl containing 1 to 4 carbon atoms and two or more R1 groups or two or more R2 groups are the same or different; a is an integer from 0 to 4; b is an integer from 0 to 4; c is an integer from 0 to 3; and n is the mean and is a number from 0 to 10; in which such (co)polymer or its derivatives (C) is butadiene-acrylonitrile copolymer (C-2).
9. สารผสมอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 8, ซึ่ง บิวทะไดอีน-แอคริโลไนโทรล์ โคพอลิเมอร์ (C-2) ดังกล่าวคือคาร์บอกซิล-เทอร์มิเนเทด บิวทะไดอีน-แอคริโลไนไทรล์ โคพอลิเมอร์ที่แทนที่โดยสูตรทั่วไป (3) : (สูตรเคมี) (3) ซึ่ง Bu แทนหน่วยโครงสร้างที่ได้มาจากบิวทะไดอีน; ACN แทนหน่วยโครงสร้าง ที่ได้มาจากแอคริโลไนไทรล์; x คือตัวเลขเชิงบวกที่น้อยกว่า 1; y คือตัวเลขเชิงบวกที่น้อยกว่า 1; x + y = 1; และ z คือจำนวนเต็มจาก 50 ถึง 809. Epoxy resin mixture for encapsulating semiconductor chips as claimed in claim 8, whereby butadiene-acrylonitrile copolymer (C-2) is a carboxyl-terminated butadiene-acrylonitrile copolymer substituted by general formula (3): (chemical formula) (3), where Bu represents the structural unit derived from butadiene; ACN represents the structural unit derived from acrylonitrile; x is a positive number less than 1; y is a positive number less than 1; x + y = 1; and z is an integer from 50 to 80.
10. สารผสมอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำตามที่สิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 8, ซึ่ง บิวทะไดอีน-แอคริโลไนไทรล์ โคพอลิเมอร์ (C-2) ดังกล่าวถูกบรรจุในปริมาณ 0.05% โดยน้ำหนัก ถึง 0.5% โดยน้ำหนัก ซึ่งรวมเอาไว้ทั้งคู่ในสารผสมอีพอกซิ เรซินทั้งหมด10. Epoxy resin mixture for semiconductor chip encapsulation as per claim 8, in which butadiene-acrylonitrile copolymer (C-2) is included in amounts of 0.05% by weight to 0.5% by weight, both included in the entire epoxy resin mixture.
11. สารผสมอีพออกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 8, ซึ่ง ตัวเติมอนินทรีย์ (D) ดังกล่าวถูกบรรจุในปริมาณ 85% โดยน้ำหนัก 95% โดยน้ำหนัก ซึ่ง รวมเอาไว้ทั้งคู่ในสารผสมอีพอกซิ เรซินทั้งหมด11. Epoxy resin mixture for encapsulating semiconductor chips as provided in claim 8, in which the inorganic filler (D) is contained in an amount of 85% by weight or 95% by weight, both included in the entire epoxy resin mixture.
12. สารผสมอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิจข้อ 8, ซึ่ง ยังประกอบรวมด้วยตัวเร่งการบ่ม (E)12. Epoxy resin mixture for encapsulating semiconductor chips as provided in claim 8, which also includes a curing accelerator (E).
13. อุปกรณ์กึ่งตัวนำซึ่งชิพกึ่งตัวนำถูกห่อหุ้มด้วยสารผสมอพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้ม ชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 8-12 ข้อใดข้อหนึ่ง13. A semiconductor device in which a semiconductor chip is encapsulated in an epoxy resin compound for encapsulation of a semiconductor chip as provided for in any of the claims in Clauses 8-12.
14. สารผสมอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 8-12 ข้อใดข้อหนึ่งที่ใช้สำหรับห่อหุ้มอุปปกรณ์กึ่งตัวนำประเภทติดเฉพาะบริเวณ ซึ่งชิพกึ่งตัวนำถูกทำให้ติดอยู่บนด้านหนึ่งของซับสเทรท และจัดว่าเฉพาะด้านของ ซับเสทรทที่ติดกับชิพกึ่งตัวนำถูกห่อหุ้ม14. One of the epoxy resin mixtures for encapsulating semiconductor chips as provided in Rights 8-12 for the purpose of encapsulating locally mounted semiconductor devices in which the semiconductor chip is mounted on one side of a substrate and only the side of the substrate adjacent to the semiconductor chip is encapsulated.
15. อุปกรณ์กึ่งตัวนำประเภทติดเฉพาะบริเวณ, ซึ่งชิพกึ่งตัวนำถูกห่อหุ้มด้วยสารผสม อีพอกซิ เรซินประเภทติดเฉพาะบริเวณสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1415. Localized semiconductor devices, in which the semiconductor chip is encapsulated in a localized epoxy resin compound for encapsulation of the semiconductor chip as provided for in claim 14.
16. สารผสมอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งผลึกอีพอกซิ เรซิน (A) ดังกล่าวถูกแทนที่โดยสูตรทั่วไป (4); (สูตรเคมี) (4) ซึ่ง X คือหมู่ที่เลือกจากพันธะเดี่ยว, -O-, -S- และ -C(R2)2-; R1 คือแอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 6 อะตอม; R1 สองหมู่หรือมากกว่าเหมือนหรือแตกต่างกัน; m คือจำนวนเ๖มจาก 0 ถึง 4; R2 คือ ไฮโดรเจน หรือแอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 4 อะตอม; และ R2 สองหมู่หรือมากกว่าเหมือนหรือ แตกต่างกัน ฟีนอล เรซิน (B) ดังกล่าวถูกแทนที่โดยสูตรทั่วไป (5); (สูตรเคมี) (5) ซึ่ง R1 และ R2 ที่เป็นอิสระคือไฮโดรเจน หรือ แอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 4 อะะตอม; R1 สองหมู่หรือมากกว่า หรือ R2 สองหมู่หรือมากวก่าเหหมือนหรือแตกต่างกัน; a คือจำนวนเต็มจาก 0 ถึง 3;b คือจำนวนเต็มจาก 0 ถึง 4; n คือค่าเฉลี่ยและคือตัวเลขเชิงบวกจาก 1 ถึง 5, (โค)พอลิเมอร์ดังกล่าวหรืออนุพันธ์ของมัน (C) คือพอลิบิวทะไดอีนที่มีโครงสร้าง ออกเซอเรนภายในโมเลกุล (C-3) ที่มีปริมาณออกเซอเรน-ออกซิเจน 3% ถึง 10 % ซึ่งรวมเอาไว้ ทั้งคู่, และ ตัวเติมอนินทรีย์ (D) ดังกล่าวถูกบรรจุในปริมาณ 85% โดยน้ำหนัก ถึง 95% โดยน้ำหนัก ซึ่งรวมเอาไว้ทั้งคู่ในสารผสมอีพอกซิ เรซินทั้งหมด; และ ซึ่งยังประกอบรวมด้วย (F) อีพอกซิ เรซินที่แทนโดยสูตรทั่วไป (6): (สูตรเคมี) (6) ซึ่ง R1 และ R2 ที่เป็นอิสระคือไฮโดรเจน หรือแอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 4 อะตอม; R1 สองหมู่หรือมากกว่า หรือ R2 สองหมู่หรือมากกว่าเหมือนหรือแตกต่างกัน; a คือจำนวนเต็มจาก 0 ถึง 3,b คือจำนวนเต็มจาก 0 หรือ 4; และ n คือค่าเฉลี่ย และคือตัวเลยเชิงบวกจาก 1 ถึง 516. Epoxy resin mixtures for encapsulating semiconductor chips as claimed in claim 1, whereby the crystalline epoxy resin (A) is replaced by general formula (4); (chemical formula) (4), where X is a group chosen from single bonds, -O-, -S- and -C(R2)2-; R1 is an alkyl with 1 to 6 carbon atoms; two or more R1 groups are identical or different; m is the number of 6 from 0 to 4; R2 is a hydrogen or alkyl with 1 to 4 carbon atoms; and two or more R2 groups are identical or different; whereby the phenolic resin (B) is replaced by general formula (5); (chemical formula) (5), where the independent R1 and R2 are hydrogen or alkyl with 1 to 4 carbon atoms; two or more R1 groups or two or more R2 groups are identical or different; a is an integer from 0 to 3; b is an integer from 0 to 4; n is the mean and is a positive number from 1 to 5, (co)polymer or its derivatives (C) is polybutadiene with an intramolecular oxerane structure (C-3) containing 3% to 10% oxerane-oxygen, both included, and such inorganic filler (D) is contained in an amount of 85% by weight to 95% by weight, both included in the entire epoxy resin mixture; and (F) epoxy resin represented by the general formula (6): (chemical formula) (6) where the independent R1 and R2 are hydrogen or alkyl with 1 to 4 carbon atoms; two or more R1 groups or two or more R2 groups are the same or different; a is an integer from 0 to 3, b is an integer from 0 or 4; And n is the mean, and is a positive number from 1 to 5.
17. สารผสมอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มซิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 16, ซึ่ง พอลิบิวทะไดอีนดังกล่าวที่มีโครงสร้างออกเซอเรนภายในโมเลกุล (C-3) มีความหนืด 20 พาสคัล. วินาที ถึง 700 พาสคัล. วินาที ซึ่งรวมเอาไว้ทั้งคู่ที่ 25 ํซ17. An epoxy resin mixture for encapsulating semiconductor chips as claimed in claim 16, in which the polybutadiene has an intramolecular oxerane structure (C-3) with a viscosity of 20 Pascal.s. to 700 Pascal.s., combined at 25 °C.
18. สารผสมอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มซิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 16, ซึ่ง ยังประกอบรวมด้วยตัวเร่งการบ่ม (E)18. Epoxy resin mixture for encapsulating semiconductor chips as provided in claim 16, which also includes a curing accelerator (E).
19. อุปกรณ์กึ่งตัวนำซึ่งชิพกึ่งตัวถูกห่อหุ้มด้วยสารผสมอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้ม ชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 16-18 ข้อใดข้อหนึ่ง19. A semiconductor device in which the semiconductor chip is encapsulated in an epoxy resin compound for semiconductor chip encapsulation as provided for under any of the claims in Articles 16-18.
20. สารผสมอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 16-18 ข้อใดข้อหนึ่งที่ใช้สำหรับห่อหุ้มอุปกรณ์กึ่งตัวนำประเภทติดเฉพาะบริเวณ, ซึ่งชิพกึ่งตัวนำถูกทำให้ติดอยู่บนด้านหนึ่งของซับสเทรท และจัดว่าเฉพาะด้านของ ซับสเทรทที่ติดกับชิพกึ่งตัวนำถูกห่อหุ้ม20. An epoxy resin mixture for encapsulating semiconductor chips as provided in any of the claims under clauses 16-18, for the purpose of encapsulating locally mounted semiconductor devices, where the semiconductor chip is mounted on one side of a substrate and only the side of the substrate adjacent to the semiconductor chip is encapsulated.
21. อุปกรณ์กึ่งตัวนำประเภทติดเฉพาะบริเวณ, ซึ่งชิพกึ่งตัวนำถูกห่อหุ้มด้วยสารผสม อีพอกซิ เรซินประเภทติดเฉพาะบริเวณสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 2021. Localized semiconductor devices, in which the semiconductor chip is encapsulated in a localized epoxy resin compound for encapsulation of the semiconductor chip as provided for in claim 20.
22. สารผสมอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งผลึกอีพอกซิ เรซิน (A) ดังกล่าวถูกแทนที่โดยสูตรทัวไป (4); (สูตรเคมี) (4) ซึ่ง X คือหมู่ที่เลือกจากพันธะเดี่ยว, -O-, -S- และ -C(R2)2-; R1 คือแอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 6 อะตอม; R1 สองหมู่หรือมากกว่าเหมือนหรือแตกต่างกัน; m คือจำนวนเต็มจาก 0 ถึง 4; R2 คือ ไฮโดรเจน หรือแอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 4 อะตอม; และ R2 สองหมู่หรือมากกว่าเหมือนหรือ แตกต่างกัน ฟีนอล เรซิน (B) ดังกล่าวถูกแทนที่โดยสูตรทั่วไป (5); (สูตรเคมี) (5) ซึ่ง R1 และ R2 ที่เป็นอิสระคือไฮโดรเจน หรือ แอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 4 อะะตอม; R1 สองหมู่หรือมากกว่า หรือ R2 สองหมู่หรือมากวก่าเหหมือนหรือแตกต่างกัน; a คือจำนวนเต็มจาก 0 ถึง 3;b คือจำนวนเต็มจาก 0 ถึง 4; n คือค่าเฉลี่ยและคือตัวเลขเชิงบวกจาก 1 ถึง 5, และ (โค)พอลิเมอร์ดังกล่าวหรืออนุพันธ์ของมัน (C) คือสารประกอบอีพอกซิไดเซด พอลิบิวทะไดอีน (C-1) ตัวเติมอนินทรีย์ (D) ดังกล่าวถูกบรรจุในปริมาณ 80% โดยน้ำหนัก ถึง 94% โดยน้ำหนัก ซึ่งรวมเอาไว้ทั้งคู่ในสารผสมอีพอกซิ เรซินทั้งหมด; ซึ่งยังประกอบรวมด้วย (F) อีพอกซิ เรซินที่แทนโดยสูตรทั่วไป (6): (สูตรเคมี) (6) ซึ่ง R1 และ R2 ที่เป็นอิสระคือไฮโดรเจน หรือแอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 4 อะตอม; R1 สองหมู่หรือมากกว่า หรือ R2 สองหมู่หรือมากกว่าเหมือนหรือแตกต่างกัน; a คือจำนวนเต็มจาก 0 ถึง 3,b คือจำนวนเต็มจาก 0 หรือ 4; และ n คือค่าเฉลี่ย และคือตัวเลขเชิงบวกจาก 1 ถึง 5 ซึ่งอัตราส่วนน้ำหนัก [(F)/(A)] ของอีพอกซิ เรซิน (F) ดังกล่าวต่อผลึกอีพอกซิ เรซิน (A) ดังกล่าวที่แทนโดยสูตรทั่วไป (4) คือ 10/90 ถึง 90/10 ซึ่งรวมเอาไว้ทั้งคู่22. An epoxy resin compound for encapsulating semiconductor chips as claimed in claim 1, in which such epoxy resin crystal (A) is replaced by general formula (4); (chemical formula) (4), where X is a single-bonded, -O-, -S- and -C(R2)2- chosen group; R1 is an alkyl with 1 to 6 carbon atoms; two or more R1 groups are identical or different; m is an integer from 0 to 4; R2 is a hydrogen or alkyl with 1 to 4 carbon atoms; and two or more R2 groups are identical or different; such phenolic resin (B) is replaced by general formula (5); (chemical formula) (5), where the independent R1 and R2 are hydrogen or alkyl with 1 to 4 carbon atoms; two or more R1 groups or two or more R2 groups are identical or different; a is an integer from 0 to 3; b is an integer from 0 to 4; n is the mean and is a positive number from 1 to 5, and (co)polymer or its derivatives (C) are epoxidized polybutadiene compounds (C-1). Such inorganic fillers (D) are included in amounts of 80% by weight to 94% by weight, both of which are included in all epoxy resin mixtures; which also include (F) epoxy resin represented by the general formula (6): (chemical formula) (6) where the independent R1 and R2 are hydrogen or alkyl with 1 to 4 carbon atoms; two or more R1 groups or two or more R2 groups are the same or different; a is an integer from 0 to 3, b is an integer from 0 or 4; and n is the mean and is a positive number from 1 to 5 such that the weight ratio [(F)/(A)] of such epoxy resin (F) to such epoxy resin crystal (A) represented by the general formula (4) is 10/90 to 90/10 which includes both.
23. สารผสมอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิ 22, ซึ่ง สารประกอบอีพอกซิไดเซด พอลิบิวทะไดอีน (C-1) ดังกล่าวมีน้ำหนักโมเลกุลเฉลี่ยเชิงจำนวน 500 ถึง 4000 ซึ่งรวมเอาไว้ทั้งคู่23. An epoxy resin mixture for encapsulating semiconductor chips as provided in claim 22, in which such epoxydized polybutadiene (C-1) compounds have an average molecular weight of 500 to 4000, which include both.
24. สารผสมอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 22, ซึ่ง ยังประกอบรวมด้วยตัวเร่งการบ่ม (E)24. Epoxy resin mixture for encapsulating semiconductor chips as provided in claim 22, which also includes a curing accelerator (E).
25. อุปกรณ์กึ่งตัวนำซึ่งชิพกึ่งตัวนำถูกห่อหุ้มด้วยสารผสมอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้ม ชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 22-24 ข้อใดข้อหนึ่ง25. A semiconductor device in which a semiconductor chip is encapsulated in an epoxy resin compound for semiconductor chip encapsulation as provided for under any of the claims in Articles 22-24.
26. สารผสมอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 22-24 ข้อใดข้อหนึ่งที่ใช้สำหรับห่อหุ้มอุปกรณ์กึ่งตัวนำประเภทติดเฉพาะบริเวณ ซึ่งชิพกึ่งตัวนำถูกทำให้ติดอยู่บนด้านหนึ่งของซับเสทรท และจัดว่าเฉพาะด้านของ ซับสเทรทที่ติดกับชิพกึ่งตัวนำถูกห่อหุ้ม26. An epoxy resin mixture for encapsulating semiconductor chips as provided in any of the claims under clauses 22-24, for the purpose of encapsulating locally mounted semiconductor devices in which the semiconductor chip is mounted on one side of the substrate and only the side of the substrate adjacent to the semiconductor chip is encapsulated.
27. อุปกรณ์กึ่งตัวนำประเภทติดเฉพาะบริเวณ, ซึ่งชิพกึ่งตัวนำถูกห่อหุ้มด้วยสารผสม อีพอกซิ เรซินประเภทติดเฉพาะบริเวณสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 2627. Localized semiconductor devices, in which the semiconductor chip is encapsulated in a localized epoxy resin compound for encapsulation of the semiconductor chip as provided for in claim 26.
28. สารผสมอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งผลึกอีพอกซิ เรซิน (A) ดังกล่าวถูกแทนที่โดยสูตรทั่วไป (4): (สูตรเคมี) (4) ซึ่ง X คือหมู่ที่เลือกจากพันธะเดี่ยว, -O-, -S- และ -C(R2)2-; R1 คือแอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 6 อะตอม; R1 สองหมู่หรือมากกว่าเหมือนหรือแตกต่างกัน; m คือจำนวนเ๖มจาก 0 ถึง 4; R2 คือ ไฮโดรเจนหรือแอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 4 อะตอม; และ R2 สองหมู่หรือมากกว่าเหมือนหรือ แตกต่างกัน ฟีนอล เรซิน (B) ดังกล่าวถูกแทนที่โดยสูตรทั่วไป (5); (สูตรเคมี) (5) ซึ่ง R1 และ R2 ที่เป็นอิสระคือไฮโดรเจน หรือ แอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 4 อะะตอม; R1 สองหมู่หรือมากกว่า หรือ R2 สองหมู่หรือมากกว่าเหมือนหรือแตกต่างกัน; a คือจำนวนเต็มจาก 0 ถึง 3;b คือจำนวนเต็มจาก 0 ถึง 4; n คือค่าเฉลี่ยและคือตัวเลขเชิงบวกจาก 1 ถึง 5, และ (โค)พอลิเมอร์ดังกล่าวหรืออนุพันธ์ของมัน (C) คือบิวทะไดอีน-แอคริโลไนไทรล์ โคพอลิเมอร์ (C-2); และ ซึ่งยังประกอบรวมด้วย (F) อีพอกซิ เรซินที่แทนโดยสูตรทั่วไป (6): (สูตรเคมี) (6) ซึ่ง R1 และ R2 ที่เป็นอิสระคือไฮโดรเจน หรือ แอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 4 อะะตอม; R1 สองหมู่หรือมากกว่า หรือ R2 สองหมู่หรือมากกว่าเหมือนหรือแตกต่างกัน; a คือจำนวนเต็มจาก 0 ถึง 3;b คือจำนวนเต็มจาก 0 ถึง 4; n คือค่าเฉลี่ย และคือตัวเลขเชิงบวกจาก 1 ถึง 528. An epoxy resin mixture for encapsulating semiconductor chips as claimed in claim 1, in which such epoxy resin crystal (A) is replaced by the general formula (4): (chemical formula) (4), where X is a group chosen from single bonds, -O-, -S- and -C(R2)2-; R1 is an alkyl with 1 to 6 carbon atoms; two or more R1 groups are the same or different; m is the number of m from 0 to 4; R2 is a hydrogen or alkyl with 1 to 4 carbon atoms; and two or more R2 groups are the same or different. Such phenolic resin (B) is replaced by the general formula (5); (chemical formula) (5), in which the independent R1 and R2 are hydrogen or alkyl with 1 to 4 carbon atoms; two or more R1 groups or two or more R2 groups are the same or different; a is an integer from 0 to 3; b is an integer from 0 to 4; n is the mean and is a positive number from 1 to 5, and (co)polymer or its derivatives (C) is butadiene-acrylonitrile copolymer (C-2); and which also contains (F) epoxy resin represented by the general formula (6): (chemical formula) (6) where the independent R1 and R2 are hydrogen or alkyl containing 1 to 4 carbon atoms; two or more R1 groups or two or more R2 groups are the same or different; a is an integer from 0 to 3; b is an integer from 0 to 4; n is the mean and is a positive number from 1 to 5.
29. สารผสมอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 28, ซึ่งบิวทะไดอีน-แอคริโลไนไทรล์ โคพอลิเมอร์ (C-2) ดังกล่าวคือคาร์บอกซิล-เทอร์มิเนเทด บิวทะไดอีน-แอคริโลไนไทรล์ โคพอลิเมอร์ที่แทนที่โดยสูตรทั่วไป (3); (สูตรเคมี) (3) ซึ่ง Bu แทนหน่วยโครงสร้างที่ได้มาจากบิวทะไดอีน; ACN แทนหน่วยโครงสร้าง ที่ได้มาจากแอคริโลไนไทรล์; x คือตัวเลขเชิงบวกที่น้อยกว่า 1; y คือตัวเลขเชิงบวกที่น้อยกว่า 1; x + y = 1; และ z คือจำนวนเต็มจาก 50 ถึง 8029. An epoxy resin mixture for encapsulating semiconductor chips as claimed in claim 28, in which the butadiene-acrylonitrile copolymer (C-2) is the carboxyl-terminated butadiene-acrylonitrile copolymer substituted by general formula (3); (chemical formula) (3), where Bu represents the structural unit derived from butadiene; ACN represents the structural unit derived from acrylonitrile; x is a positive number less than 1; y is a positive number less than 1; x + y = 1; and z is an integer from 50 to 80.
30. สารผสมอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 28, ซึ่งบิวทะไดอีน-แอคริโลไนไทรล์ โคพอลิเมอร์ (C-2) ดังกล่าวถูกบรรจุในปริมาณ 0.05% โดยน้ำหนัก ถึง 0.5% โดยน้ำหนัก ซึ่งรวมเอาไว้ทั้งคู่ในสารผสมอีพอกซิ เรซินทั้งหมด30. Epoxy resin mixture for encapsulating semiconductor chips as provided in claim 28, in which butadiene-acrylonitrile copolymer (C-2) is included in amounts of 0.05% by weight to 0.5% by weight, both included in the entire epoxy resin mixture.
31. สารผสมอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 28, ซึ่ง อัตราส่วนน้ำหนัก [(F)/(A)] ของอีพอกซิ เรซิน (F) ดังกล่าวต่อผลึกอีพอกซิ เรซิน (A) ที่แทนโดยสูตรทั่วไป (4) คือ 10/90 ถึง 90/10 ซึ่งรวมเอาไว้ทั้งคู่31. An epoxy resin mixture for encapsulating semiconductor chips as provided for in claim 28, in which the weight ratio [(F)/(A)] of such epoxy resin (F) to the crystalline epoxy resin (A) represented by general formula (4) is 10/90 to 90/10, which includes both.
32. สารผสมอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 28, ซึ่ง ยังประกอบรวมด้วยตัวเร่งการบ่ม (E)32. Epoxy resin mixture for encapsulating semiconductor chips as provided in claim 28, which also includes a curing catalyst (E).
33. อุปกรณ์กึ่งตัวนำซึ่งชิพกึ่งตัวนำถูกห่หหุ้มด้วยสารผสมอีพอกซิ เรซินสำหรำบห่อหุ้ม ชิพพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 28-32 ข้อใดข้อหนึ่ง33. A semiconductor device in which a semiconductor chip is encased in an epoxy resin enclosure compound as provided for under any of the claims in Clauses 28-32.
34. สารผสมอีพอกซิ เรซินสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 28-32 ข้อใดข้อหนึ่งที่ใช้สำหรับห่อหุ้มอุปกรณ์กึ่งตัวนำประเภทติดเฉพาะบริเวณ, ซึ่งชิพกึ่งตัวนำถูกทำให้ติดอยู่บนด้านหนึ่งของซับเสทรท และจัดว่าเฉพาะด้านของ ซับสเทรทที่ติดกับชิพกึ่งตัวนำถูกห่อหุ้ม34. One of the epoxy resin mixtures for encapsulating semiconductor chips as provided in Rights 28-32 is applicable for encapsulating locally mounted semiconductor devices, in which the semiconductor chip is mounted on one side of the substrate and only the side of the substrate adjacent to the semiconductor chip is encapsulated.
35. อุปกรณ์กึ่งตัวนำประเภทติดเฉพาะบริเวณ, ซึ่งชิพกึ่งตัวนำถูกห่อหุ้มด้วยสารผสม อีพอกซิ เรซินประเภทติดเฉพาะบริเวณสำหรับห่อหุ้มชิพกึ่งตัวนำตามที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 3435. Localized semiconductor devices, in which the semiconductor chip is encapsulated in a localized epoxy resin compound for encapsulation of the semiconductor chip as provided for in claim 34.