Claims (8)
ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : 1. สารผสมทำความสะอาดสำหรับทำความสะอาดนาโนอิเล็กโทรนิก และ ไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเทตรท ภายใต้ภาวะซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิด(super critical fluid) ซึ่งสารผสม ที่กล่าวแล้วประกอบรวมด้วย(1)ซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิดหลักซึ่งถึงสถานะของซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิด ที่อุณหภูมิ 250 องสาเซลเซียส หรือน้อยกว่า และความดัน 600 บาร์ หรือน้อยกว่า(592.2atm,8702.3 psi) และ (2)ดังที่เป็นฟลูอิดทุติยภูมิ สูตรผสมตัวดัดแปรที่เลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยสูตรผสม ที่ตามมานี้: (a) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย: ตัวออกซิไดซ์; ตัวทำละลายอินทรีย์มีขั้วที่เลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย ซัลโฟน,ซัลโฟลีน, เซลิโนน; แอลคาไลน์เบสของสูตร R4N+OH ซึ่งแต่ละหมู่ R เป็นหมู่ซับสทิทิวเทดหรือ อัน ซับสทิทิวเทดแอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 22 อะตอมที่เป็นอิสระต่อกัน: น้ำ;และ ตัวกระทำคีเลท q หรือ สารเชิงซ้อนของโลหะที่เลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย ทรานส์ -1,2-ไซโคลเฮกเซนไดแอมีนเททระแอซิติกแอซิด(CyDTA),เอธิลีนไดแอ มีนเททระแอซิติก แอซิด(EDTA),สแทนเนท,ไพโรฟอสเฟต,เอเธน-1-ไฮดรอกซิ- 1,1-ไดฟอสโฟเนท,เอธิลีนไดแอมีน เททระ(เมธิลีนฟอสโฟนิกแอซิด)(EDTMP), ไดเอธิลีนไทรแอมีน เพนทะ(เมธิลีนฟอสโนกแอซิด),และไทรเอธิลีนเททระมีน เฮกซะ(เมธิลีนฟอสโฟนิกแอซิด); แลหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งของส่วนประกอบที่ตามมานี้ที่เลือกได้: กรด; ตัวทำละลายร่วม-ยับยั้ง-การกัดกร่อน; ตัวกระทำให้ออกซิไดซ์เสถียร; ตัวกระทำยับยั้ง-การกัดกร่อน; ตัวยับยั้งการกัดกร่อนของโลหะ; สารประกอบฟลูออไรด์;และ สารลดแรงตึงผิว; (b) สูตรผสมที่ปราศจากซิลิเคทซึ่งประกอบรวมด้วย: ตัวทำละลายอินทรีย์มีขั้วที่เลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย ซัลโฟน,ซัลโฟลีน, เซลิโนน; แอลคาไลน์เบสแก่ของสูตร R4N+OH ซึ่งแต่ละหมู่ R เป็นหมู่ซับสทิทิวเทดหรือ อัน ซัยสทิทิวเทดแอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 22 อะตอมที่เป็นอิสระต่อกัน: น้ำ; และ ตัวกระทำคีเลท q หรือ สารเชิงซ้อนของโลหะที่เลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย ทรานส์-1,2-ไซโคลเฮกเซนไดแอมีนเททระแอซิติกแอซิด(CyDTA), เอธิลีนไดแอมีนเททระแอซิติก แอซิด(EDTA),สแทนเนท,ไพโรฟอสเฟต,เอเธน-1- ไฮดรอกซิ-1,1-ไดฟอสโฟเนท,เอธิลีนไดแอมีน เททระ(เมธิลีนฟอสโฟนิกแอซิด) (EDTMP),ไดเอธิลีนไทรแอมีน เพนทะ(เมธิลีนฟอสโฟนิกแอซิด),และไทรเอธิลีน เททระมีน เฮกซะ(เมธิลีนฟอสโฟนิกแอซิด); และหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งของส่วนประกอบที่ตามมานี้ที่เลือกได้: กรด; ตัวทำละลายร่วม-ยับยั้ง-การกัดกร่อน; ตัวกระทำให้ตัวออกซิไดซ์เสถียร; ตัวกระทำยับยั้ง-การกัดกร่อน; ตัวยับยั้งการกัดกร่อนของโลหะ; สารประกอบฟลูออไรด์;และ สารลดแรงตึงผิว; (c) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย: เบสแก่ที่ไม่ผลิตให้-แอมโมเนียของสูตร[(R)4N+]p[Xg]หนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งชนิด ซึ่งแต่ละหมู่ R เป็นหมู่ซับสทิทิวเทดหรือ อันซับสทิทิวเทดแอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 22 อะตอมที่เป็นอิสระต่อกัน และ X=OH หรือแอนไอออนของเกลือที่เหมาะสม และ p และ q มีค่าเท่ากันและเป็นจำนวนเต็มจาก 1 ถึง 3; สารประกอบตัวทำละลายร่วม ยับยั้งการกัดกร่อน หนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งชนิด ซึ่งสารประกอบตัวทำละลายยับยั้งการกัดกร่อนที่กล่าวแล้วมีอย่างน้อยสองบริเวณ ที่สามารถเกิดการเชิงซ้อนกับโลหะได้; และส่วนประกอบอื่นๆที่เลือกจากหมู่ที่ ประกอบด้วย เอธิลีนไกลคอล,ไดเอธิลีนไกลคอล,กลิเซอรอล,ไดเอธิลีนไกลคอล ไดเมธิลอีเธอร์,โมโนเอธานอลอแอมีน,ไดเอธานอลแอมีน,ไทรเอธานอลแอมีน, N,N-ไดเมธิลเอธานอล,1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล)-2-ไพร์โรลิดิโนน,4-(2-ไฮดรอก ซิเอธิล)มอร์โฟลีน,2-(เมธิลอะมิโน)เอธานอล,2-อะมิโน-2-เมธิล-1-โพรพานอล,1- อะมิโน-2-โพรพานอล,2-(2-อะมิโนเอธอกซิ)-เอธานอล,N-(2-ไฮดรอกซิเอธิล)แอซิ เทมีด,N-(2-ไฮดรอกซิเอธิล)ซัคซินิมีด และ3-(ไดเอธิลอะมิโน)1-,2-โพรเพนไดออล และหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งของส่วนประกอบที่ตามมานี้ที่เลือกได้: น้ำ หรือ ตัวทำละลายร่วมชนิดอื่น; แอมีนที่ไม่กีดขวางทางสเตอริกหรือแอลคานอลแอมีน; กรด อินทรีย์ หรือ อนินทรีย์; สารประกอบตัวยับยั้งการกัดกร่อนโลหะอื่นๆ; สารลดแรงตึงผิว; สารประกอบซิลิเคทที่ปราศจากโลหะไอออน; ตัวกระทำคีเลทโลหะ;และ สารประกอบฟลูออไรด์; (d) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย: หนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งเกลือฟลูออไรด์ที่ไม่ผลิตให้-HF,ไม่ผลิตให้-แอมโมเนียม; ของสูตร (R)4N+F31 ซึ่งแต่ละหมู่ R เป็นหมู่ซับสทิทิวเทดหรือ อันซับสทิทิวเทด แอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 22 อะตอมที่เป็นอิสระต่อกัน; ซัลโฟเลน ไดเมธิลซัลฟอกไซด์ และ 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล)-2-ไพร์โรลิดิโนน เป็นตัว ทำละลายอินทรีย์; และหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งของส่วนประกอบที่ตามมานี้ที่เลือกได้: ตัวทำละลายยับยั้งการกัดกร่อนของโลหะ; แอมีนที่ไม่กีดขวางทางสเตอริกหรือแอลคานอลแอมีน; กรด อินทรีย์ หรือ อนินทรีย์;จากประมาณ 0 ถึง 40% โดยน้ำหนักของสารประกอบ ตัวยับยั้งการกัดกร่อนโลหะอื่นๆ; สารลดแรงตึงผิว; สารประกอบซิลิเคทที่ปราศจากโลหะไอออน และจากประมาณ 0 ถึง 5% โดยน้ำหนักของตัวกระทำคีเลทโลหะ;และ (e) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย: เบสแก่ทีไม่ผลิตให้-แอมโมเนียมหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งชนิดที่มีสูตร[(R)4N+]p[Xg] ซึ่งแต่ละหมู่ R เป็นหมู่ซับสทิทิวเทดหรือ อันซับสทิทิวเทดแอลคิลที่มีคาร์บอน 1 ถึง 22 อะตอมที่เป็นอิสระต่อกัน และ X=OH หรือแอนไอออนของเกลือที่เหมาะสม และ p และ g มีค่าเท่ากันและเป็นจำนวนเต็มจาก 1 ถึง 3; ตัวทำละลายแอมีดที่กีดขวางทางสเตอริกหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งชนิดเลือกจากกลุ่ม ที่ประกอบไปด้วย แอซิแทมีด,ไดเมธิล ฟอร์มามีด(DMF),N,N\'-ไดเมธิลแอซิแทมีด (DMAc),เบนซามีด,N-เมธิล-2-ไพร์โรลิดิโนน (NMP),1,5-ไดเมธิล-2- ไพร์โรลิดิโนน,1,3-ไดเมธิล-2-พิเพอริโดน,1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล)-2-ไพร์โรลิดิโนน, และ 1,5-ไดเมธิล-2-พิเพอริโดน ตัวทำละลายร่วมอินทรีย์หนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งชนิดเลือกจากกลุ่มที่ประกอบไปด้วย ไดเมธิล ซัลฟอกไซด์(DMSO),ซัลโฟเลน(SFL),ไดเมธิลพิเพอริโดน และหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งของส่วนประกอบที่ตามมานี้ที่เลือกได้: แอมีนที่ไม่กีดขวางทางสเตอริกหรือแอลคานอลแอมีน; กรดอินทรีย์ หรือ อนินทรีย์; สารประกอบตัวยับยั้งการกัดกร่อนโลหะอื่นๆ; สารลดแรงตึงผิว; สารประกอบซิลิเคทที่ปราศจากโลหะไอออน; ตัวกระทำคีเลทโลหะ;และ สารประกอบฟลูออไรด์; 2. สารผสมทำความอาดตามข้อถือสิทธิข้อ1 ซึ่งตัวดัดแปรฟลูอิดที่สองนี้ประกอบรวมด้วย สูตรผสมที่เลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยสูตรผสมที่ตามมานี้ (a) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย ตัวทำละลายออกซิไดซ์; ตัวทำละลายโพลาร์อินทรีย์ที่เลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยแอมีด,ซัลโฟน, ซัลโฟลีน, เซลิโน และแอลกอฮอล์อิ่มตัว; และหนึ่งหรือมากว่าหนึ่งของส่วนประกอบที่ตามมานี้ที่เลือกได้: กรด; แอลคาไลน์เบส; ตัวละลาย-ร่วมยับยั้ง-การกัดกร่อน; ตัวกระทำคีเลท หรือ สารเชิงซ้อนของโลหะ; ตัวกระทำให้ตัวออกซิไดซ์เสถียร; ตัวกระทำยับยั้ง-การกัดกร่อน; ตัวยับยั้งการกัดกร่อน-โลหะ; สารประกอบฟลูออไรด์; สารทำให้พื้นผิวว่องไว; และ น้ำ; (b) สูตรผสมที่ปราศจากซิลิเคทซึ่งประกอบรวมด้วย: ตัวทำละลายโพลาร์อินทรีย์ที่เลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยแอมีด,ซัลโฟน,เซลิโนน และแอลกอฮอล์อิ่มตัว;และ แอลคาไลน์ เบสแก่; และหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งของส่วนประกอบที่ตามมานี้ที่เลือกได้ กรด; ตัวทำละลาย-ร่วมยับยั้ง-การกัดกร่อน; ตัวทำคีเลทหรือสารเชิงซ้อนของโลหะ; ตัวกระทำให้ตัวออกซิไดว์เสถียร; ตัวกระทำยับยั้ง-การกัดกร่อน; ตัวยับยั้งการกัดกร่อนโลหะ; สารประกอบฟลูออไรด์; สารทให้พื้นผิวว่องไว; และ น้ำ; (c) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย : จากประมาณ 0.05% ถึง 30% โดยน้ำหนักของหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งเบสแก่ที่ไม่ผลิต ให้-แอมโมเนีมที่มีนอน-นิวคลีโอฟิลิกเคาน์เตอร์ไอออนประจุบวกอยู่ด้วย; จากประมาณ 0.5 ถึงประมาณ 99.95%โดยน้ำหนักของหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่ง สารประกอบตัวทำละลายยับยั้งการกัดกร่อน,ซึ่งประกอบตัวทำละลายยับยั้งการกัดกร่อนที่กล่าว แล้วมีอย่างน้อยสองบริเวณที่สามารถเกิดสารเชิงซ้อนกับโลหะได้; จากประมาณ 0 ถึงประมาณ 99.45% โดยน้ำหนัก หรือตัวละลาย-ร่วมอินทรีย์ อื่น; จากประมาณ 0 ถึง 40%โดยน้ำหนักแอมีนที่มไม่กีดขวางทางสเตอริกหรือแอลคานอล แอมีน; จากประมาณ 0 ถึง 40%โดยน้ำหนักกรดอินทรีย์ หรือ อนินทรีย์; จากประมาณ 0 ถึง 40%โดยน้ำหนักของสารประกอบตัวยับยั้งการกัดกร่อนโลหะ อื่นๆ; จากประมาณ 0 ถึง 5%โดยน้ำหนักสารทำให้พื้นผิวว่องไว; จากประมาณ 0 ถึง 10%โดยน้ำหนักของสารประกอบซิลิเคทที่ปราศจากโลหะ ไอออน; จากประมาณ 0 ถึง 5%โดยน้ำหนักของตัวกระทำการคีเลทโลหะ;และ จากประมาณ 0 ถึง10%โดยน้ำหนักของสารประกอบฟลูออไรด์; (d) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย: จากประมาณ 0.05 ถึง 20%โดยน้ำหนักของหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งเกลือฟลูออไรด์ที่ ไม่ผลิตให้HF,ไม่ผลิตให้-แอมโมเนีย; จากประมาณ 0 ถึงประมาณ 99.95%โดยน้ำหนักขอน้ำ,ตัวทำละลายอินทรีย์หรือทั้ง น้ำและตัวทำละลายอินทรีย์; จากประมาณ 0 ถึงประมาณ 80% โดยน้ำหนักของตัวทำละลายยับยั้งการกักร่อน โลหะ; จากประมาณ 0 ถึง 40%โดยน้ำหนักแอมีนที่กีดขวางทางสเตอริกหรือแอลคานอล แอมีน; จากประมาณ 0 ถึง 40%โดยน้ำหนักของกรดอินทรีย์หรืออนินทรีย์; จากประมาณ 0 ถึง 40%โดยน้ำหนักของสารประกอบตัวยับยั้งการกัดกร่อนโลหะอื่น; จากประมาณ 0 ถึง 5%โดยน้ำหนักของสารทำให้พื้นผิวว่องไว; จากประมาณ 0 ถึง10%โดยน้ำหนักของสารประกอบซิลิเคทที่ปราศจากโลหะ ไอออน และ จากประมาณ 0 ถึง 5% โดยน้ำหนักของตัวกระทำคีเลทโลหะ;และ (e) สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย จากประมาณ 0.05% ถึง 30%โดยน้ำหนักของหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งเบสแก่ที่ไม่ผลิต ให้-แอมโมเนียมที่มีนอน-นิวคลีโอฟิลิกเคาน์เตอร์ไอออนประจุบวกอยู่ด้วย; จากประมาณ 5 ถึงประมาณ 99.95%โดยน้ำหนักของหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งตัวทำ ละลายแอมีดที่กีดขวางทางสเตอริก; จากประมาณ 0 ถึงประมาณ 95%โดยน้ำหนักน้ำหรือน้ำหนักตัวทำละลาย-ร่วมอินทรีย์; จากประมาณ 0 ถึง 40%โดยน้ำหนักแอมีนที่กีดขวางทางสเตอริกหรือแอลคานอล แอมีน; จากประมาณ 0 ถึง 40% โดยน้ำหนักกรดอินทรีย์ หรือ อนินทรีย์; จากประมาณ 0 ถึง 40% โดยน้ำหนักของสารประกอบตัวยับยั้งการกัดกร่อนโลหะ อื่นๆ; จากประมาณ 0 ถึง 5%โดยน้ำหนักสารทำให้พื้นผิวว่องไว; จากประมาณ 0 ถึง 10%โดยน้ำหนักของสารปะกอบซิลิเคทที่ปราศจากโลหะ ไอออน; จากประมาณ 0 ถึง 5% โดยน้ำหนักของตัวกระทำคีเลทโลหะ; และ จากประมาณ 0 ถึง 10 โดยน้ำหนักของสารประกอบฟลูออไรด์ 3. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 2 ซึ่งสารผสมนี้ประกอบรวมด้วยจากประมาณ 0.1% ถึง ประมาณ 50% โดยน้ำหนัก ของสูตรผสมตัวดัดแปรอิดฑุติยภูมิส่วนประกอบ (2) บน พื้นฐานน้ำหนักของซูเปอร์คริทิคัลหลักส่วนประกอบ (1) 4. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 3 ซึ่งสารผสมร่วมนี้ประกอบรวมด้วยจาก ประมาณที่ควรใช้จากประมาณ 3% ถึงประมาณ 25% โดยน้ำหนักของสูตรผสมตัวดัดแปร ฟลูอิดทุติยภูมิส่วนประกอบ (2) บนพื้นฐานน้ำหนักซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิดส่วนประกอบ (1) 5. สารผสทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 4 ซึ่งสารผสมร่วมนี้ประกอบรวมด้วยจาก ประมาณที่ควรใช้จากประมาณ 5% ถึงประมาณ 20%โดยน้ำหนักของสูตรผสมตัวดัดแปรฟลูอิด ทุติยภูมิส่วนประกอบ (2) บนพื้นฐานน้ำหนักของซูเปอร์คริทัลฟลูอิดหลักส่วนประกอบ (1) 6. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ1ซึ่งซูเปอร์คริทัลคัล ฟลูอิดหลักนี้ประกอบรวม ด้วยคาร์บอกนไดออกไซด์ 7. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 6 ซึ่งสูตรผสมตัวดัดแปรฟลูอิดทุติยภูมินี้ ประกอบรวมด้วยสูตรผสมของซัลโฟเลน,น้ำ,เททระเมธิลแอมโมเนียไฮดรอกไซด์,ทรานส์-1,2- ไซโคลเฮกเวนไดแอมีน เททระแอซิติกแอซิด และ ไฮโดรเจนเปอร์ออกไซด์ 8. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 6 ซึ่งสูตรผสมตัวดัดแปรฟลุอิดทุติยภูมินี้ ประกอบรวมด้วยสูตรผสมของซัลโฟเลน,น้ำ,เอธิลีนไกลคอน,เททระเมธิลแมโมเนียม ไฮดรอกไซด์,ทรานส์-1,2-ไซโคลเฮกเซนไดแอมีน เททระแอซิติก แอซิดและไฮโดรเจน เปอร์ออกไซด์ 9. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 6 ซึ่งสูตรผสมตัวดัดแปรฟลูอิดทุติยภูมินี้ ประกอบรวมด้วยสูตรผสมของซัลโฟเลน,น้ำ,เททระเมธิลแอมโมเนียม ไฮดรอกไซด์, เอธิลีนไดแอมีน เททระ(เมธิลีน ฟอสโฟนิกแอซิด),เอธิลีนไกลคอน และไฮโดรเจนเปอร์ออกไซด์ 1 0. กรรมวิธีสำรหับทำความสะอาดนาโนอิเล็กโทรนิก หรือไมโครอิเล็กทรอนิก ซับสเตรท ของสารต้านแสง หรือ สารตกค้าง ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยทำให้ซับสเตรทนี้สัมผัสเป็นเวลา หนึ่งที่สภาวะซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิด กับสารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 1 อย่างพอเพียง เพื่อทำความสะอาดซับสเตรทนี้ 1Disclaimer (all) which will not appear on any notice page: 1. Cleaning mixtures for cleaning nanoelectronics and microelectronic substrates. Under the state of supercritical fluid (super critical fluid) in which the above mixtures are composed of (1) the main supercritical fluid, the state of the supercritical fluid. Fluid at 250 degrees Celsius or less and a pressure of 600 bar or less (592.2atm, 8702.3 psi) and (2) as a secondary fluid. Selected modifier formulas from the group containing the following formulas: (a) Compound formulas which include: oxidizing agent; Organic solvents are polar selected from a group consisting of Sulfone, Sulfoline, Selinone; Alkaline bases of the formula R4N + OH, in which each group R is a substrate or substrate alkyl group with 1 to 22 carbon atoms independent of each other: water; and Chelateq agents or metal complexes selected from the group containing trans-1,2-cyclohexendiamanetetraacetic acid (CyDTA), ethylene. Die Mean Tetraacetic Acid (EDTA), stanate, pyrophosphate, ethane-1-hydroxy-1,1-dipphosonate, ethylene diamine. Tetra (Methylene Phosphonic Acid) (EDTMP), Diethylene Triamine Penta (methylene phosphate acid), and triethylene tetramine. Hexa (methylene phosphonic acid); And one or more of the optional following components: acid; Co-solvent-inhibitor-corrosion; Stable oxidizing agent; Inhibitor-corrosion agent; Metal corrosion inhibitor; Fluoride compounds; and Surfactants; (b) Silicate-free formulations containing: polar organic solvents selected from the group consisting of: Sulfone, Sulfoline, Selinone; The old alkaline bases of the formula R4N + OH, in which each group R is a substrate or ansythituded alkyl group with 1 to 22 carbon atoms independent of each other: water. ; And chelating agents q or metal complexes selected from the group consisting of Trans-1,2-cyclohexendaiamine tetraacetic acid (CyDTA), ethylenediaminetetraacetic Acid (EDTA), stanate, pyrophosphate, ethane-1-hydroxyl-1,1-dipphosonate, ethylene diamine. Tetra (Methylene Phosphonic Acid) (EDTMP), Diethylene Triamine Penta (methylene phosphonic acid), and triethylene tetramine hexa (methylene phosphonic acid); And one or more of the optional subsequent components: acid; Co-solvent-inhibitor-corrosion; Stabilizer; Inhibitor-corrosion agent; Metal corrosion inhibitor; Fluoride compounds; and Surfactants; (c) Compound formulas which include: non-ammonia mature bases of one or more [(R) 4N +] p [Xg] formulas. In which each group R is a substitute group or An substrate alkyl with 1 to 22 independent carbon atoms and X = OH or appropriate salt anions and p and q are equal and are integers from 1 to 3. ; Co-solvent compound Corrosion inhibition One or more of a kind There are at least two areas of corrosion inhibiting solvent compounds. That can form metal complexes; And other ingredients selected from among containing ethylene glycol, diethylene glycol, glycerol, diethylene glycol Dimethyl ether, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N, N-dimethylethan Aol, 1- (2-hydroxyethyl) -2-pyrolidinone, 4- (2-hydroxyl Ciethyl) morpholine, 2- (methylamino) ethanol, 2-amino-2-methyl-1-propanol, 1-amino Mino-2-propanol, 2- (2-aminoethoxy) -ethanol, N- (2-hydroxyethyl) acid. Pour knife, N- (2-hydroxyethyl) succinimide. And 3- (diethylamino) 1-, 2-propanediol And one or more of the optional subsequent components: water or other co-solvent; Amines that do not obstruct steric or alkaline amines; Organic or inorganic acids; Other metal corrosion inhibitor compounds; Surfactants; Silicate compounds without metal ions; Metal chelating agents; and Fluoride compounds; (d) compound formulas which include: one or more fluoride salts not-HF, non-ammonium; Of the formula (R) 4N + F31, in which each group R is a substitute group or Unsabsti Ted Alkyls with 1 to 22 independent carbon atoms; Sulfolane dimethyl sulfoxide and 1- (2- hydroxyethyl) -2-pyrolidinone are organic solvents; And one or more of these optional subsequent components: metal corrosion inhibitor; Amines that do not obstruct steric or alkaline amines; Organic or inorganic acids; from approximately 0 to 40% by weight of compound. Corrosion inhibitors to other metals; Surfactants; Silicate compounds that are free from metal ions and from approximately 0 to 5% by weight of metal chelating agents; and (e) compound formulas consisting of: one or more non-ammonium bases. With the formula [(R) 4N +] p [Xg], in which each R group is a substrate or An substrate alkyl with 1 to 22 independent carbon atoms and X = OH or suitable salt anions and p and g are equal and are integers from 1 to 3. ; One or more sterile anhydrous solvents, select from the group. Consisting of Acetaminophen, dimethyl Formalade (DMF), N, N \ '- dimethyl acetate (DMAc), benzamide, N-methyl-2-pyrolidinone (NMP), 1,5-dimethyl-2-pyridinone, 1,3-dimethyl-2-piperidone, 1- (2-hydroxyethyl ) -2-pyridinone, and 1,5-dimethyl-2-piperidone One or more organic co-solvents, select from a group consisting of dimethyl sulfoxide (DMSO), sulfolane (SFL), dimethylpiperidone. And one or more of the optional following elements: non-steroidal amines or alkaline amines; Organic or inorganic acids; Other metal corrosion inhibitor compounds; Surfactants; Silicate compounds without metal ions; Metal chelating agents; and Fluoride compounds; 2. Cleaning mixture according to claim 1 Where this second fluid modifier includes Formulas selected from the group containing the following formulas (a) formulas which include: Oxidizing solvent; Organic polar solvents selected from the group containing amides, sulphones, sulfolines, selino and saturated alcohols; And one or more of the optional subsequent components: acid; Alkaline bases; Solvent-co-inhibitor-corrosion; Chelating agents or metal complexes; Stabilizer; Inhibitor-corrosion agent; Corrosion inhibitor - metal; Fluoride compounds; Surface stabilizer; And water; (b) Silicate-free formulation containing: organic solvents selected from the group containing amy, sulphon, selenone. And saturated alcohol; and strong alkaline bases; And one or more of the selected subsequent components of acid; Solvent-co-inhibitor-corrosion; Chelating agents or metal complexes; Stabilizer; Inhibitor-corrosion agent; Metal corrosion inhibitor; Fluoride compounds; Surfactant; And water; (c) Compound formulas consisting of: from approximately 0.05% to 30% by weight of one or more mature non-mature bases. Give - an ammonium with a sleeper - a nucleophilic counter with a cationic ion; From approximately 0.5 to approximately 99.95% by weight of one or more Corrosion inhibiting solvent compounds, which make up the said corrosion inhibitor solvent Then there are at least two areas where metal complexes can be formed; From approximately 0 to approximately 99.45% by weight or other co-organic solvent; From approx. 0 to 40% by weight, non-steroidal amines or alkyl amines; From approximately 0 to 40% by weight organic or inorganic acids; From approximately 0 to 40% by weight of other metal corrosion inhibitor compounds; From approximately 0 to 5% by weight surface stabilizer; From approximately 0 to 10% by weight of anhydrous metal ion silicate compound; From approximately 0 to 5% by weight of metal chelating agent; and from approximately 0 to 10% by weight of fluoride compound; (d) Mixed formulas, which include: from approximately 0.05 to 20% by weight of one or more fluoride salts. Not manufactured to HF, not produced to - ammonia; From approximately 0 to approximately 99.95% by weight of water, organic solvent or both Water and organic solvents; From approximately 0 to approximately 80% by weight of the metal retention inhibitor; From approximately 0 to 40% by weight, sterile amine or alkyl amine; From approximately 0 to 40% by weight of organic or inorganic acids; From approximately 0 to 40% by weight of other metal corrosion inhibitor compounds; From approximately 0 to 5% by weight of surface stabilizer; From approx. 0 to 10% by weight of non-metal ion silicate compounds and from approximately 0 to 5% by weight of metal chelating agents; and (e) compound formulas comprising approximately 0.05% to 30. % By weight of one or more bases not produced Give - ammonium with a non-nucleophilic counter, with cation ions present; From approximately 5 to approximately 99.95% by weight of one or more people do Dissolves the steroid barrier; From approximately 0 to approximately 95% by weight, water or solvent-co-organic weight; From approximately 0 to 40% by weight, sterile amine or alkyl amine; From approximately 0 to 40% by weight organic or inorganic acids; From approximately 0 to 40% by weight of other metal corrosion inhibitor compounds; From approximately 0 to 5% by weight surface stabilizer; From approximately 0 to 10% by weight of metal-ion-free silicates; From approximately 0 to 5% by weight of metal chelating agents; And from approximately 0 to 10 by weight of the fluoride compound. 3. Cleaning Mixture according to claim 2, where this mixture comprises from approximately 0.1% to approximately 50% by weight of the modifier mix. Ingredients (2) based on the weight of the primary supercritical component (1) 4. Cleaning mixtures of claim 3, which this combination consists of: The approximate amount should be from approximately 3% to approximately 25% by weight of the modifier mix. Secondary Fluid Composition (2) on a weight basis Supercritical Fluid Composition (1) 5. Cleaning Compound of Clause 4, which this Co-Mixture is composed of Estimated to be used from approximately 5% to approximately 20% by weight of the fluid modifier formula. Secondary component (2), based on the weight of Supercritical Fluid Main Component (1) 6. Cleaning Mixture according to claim 1, which Supercritical This main fluid consists of With carbox dioxide 7. Cleaning compound according to claim 6, which is formulated with this secondary fluid modifier Contains a mixture of sulfolane, water, tetramethylammonium hydroxide, trans-1,2-cyclohagwendiamine. Tetraacetic Acid and Hydrogen Peroxide 8. Cleaning compound according to claim 6, which is formulated with this secondary flute modifier. Includes a formula of sulfolane, water, ethylene glycon, tetramethylamonium. Hydroxide, trans-1,2-cyclohexendai, amine, tetracetic acid and hydrogen peroxide; 9. cleaning mixture according to claim 6, which is formulated Mix this secondary fluid modifier. Contains a mixture of sulfolane, water, tetramethyl ammonium hydroxide, ethylene diamine. Tetra (methylene Phosphonic Acid), Ethylene Glycon And hydrogen peroxide. 1 0. Process for cleaning nano-electrophoresis. Or microelectronic substrates of the anti-photosensitive or residue which this process is composed of causing this substrate to be exposed for a period One at the supercritical fluid state With the cleaning mixture of claim 1 sufficiently to clean this substrate.1
1. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก หรือไมดครอิเล็กทรอนิก ซับสเตรท ของสารต้านแสง หรือสารตกค้าง ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยทำให้ซับสเตรทนี้สัมผัสเป็นเวลา หนึ่งที่สภาวะซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิดกับสารผสมของข้อถือสิทธิข้อ 2 อย่างพอเพียงเพื่อทำความสะอาด ซับเสตรทนี้ 11. Process for cleaning nano-electronic. Or an electronic substrate of anti-light agents Or residue This process includes making the substrate exposed for time. One at the state of supercritical fluid with claim 2 ingredients sufficient to clean this substrate 1.
2. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก หรือ ไมโครอิเล็กทรอนิก ซับสเตรท ของสารต้านแสงหรือ สารตกค้าง ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยทำให้ซับสเตรทนี้สัมผัสเป็น เวลาหนึ่งที่สภาวะซูเปอร์คริคัลฟลูอิด กับ สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 3 อย่าง พอเพียงเพื่อทำความสะอาดซับสเตรทนี้ 12. A process for cleaning nano-electronic or microelectronic substrates of anti-photosensitive or residues which this process incorporates makes the substrates come into contact. At one time the supercritical fluid state and the cleaning mixture of claim 3 were sufficient to clean this substrate. 1
3. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก หรือ ไมโครอิเล็กทรอนิก ซับสเตรท ของสารต้านแสงหรือ สารตกค้าง ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยทำให้ซับสเตรทนี้สัมผัสเป็นเวลา หนึ่งที่สภาวะซูเปอร์คริทิคัลฟลุอิด กับสารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 4 อย่างพอเพียงเพื่อ ทำความสะอาดซับเตรทนี้ 13. A process for cleaning a nano-electronic or microelectronic substrate of an anti-light or residue, which is included in this process, exposes the substrate for a period of time. One at the supercritical flute state With the cleaning mixture of claim 4 sufficiently to Clean the substrate 1
4. กรรมวิธีนี้สำหรับทำความสะอาดนาโนอิเล็กโทรนิก หรือไมโครอิเล็กนิกซับสเตรท ของสารต้านแสง หรือ สารตกค้าง ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยทำให้ซับสเตรทนี้สัมผัสเป็นเวลา หนึ่งที่สภาวะซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิดกับสารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 5 อย่างพอเพียงเพื่อ ทำความสะอาดซับสเตรทนี้ 14. This process is for cleaning nano-electronic. Or microelectronic substrate Of the anti-photosensitive or residue which this process is composed of causing the substrate to be exposed for time First, the supercritical fluid state with the cleaning mixture of claim 5 is sufficient to Clean the substrate 1
5. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก หรือ ไมโครอิเล็กทรอนิก ซับสเตรท ของสารต้านแสงหรือสารตกค้างซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยทำให้ซับสเตรทสัมผัสเป็นเวลาหนึ่ง ที่สภาวะซูปเปอร์คริทัลคัลฟลูอิดกับสารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 6 อย่างพอเพียงเพื่อทำ ความสะอาดซับสเตรทนี้ 15. A process for cleaning a nano-electronic or micro-electronic substrate of an anti-light or residue, which consists of making the substrate touch for a period of time. At the supercritical fluid state with the cleaning mixture of claim 6 sufficient to Cleanliness of this substrate 1
6. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก หรือไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเตรท ของสารต้านแสงหรือสารตกค้าง ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยทำให้ซับสเตรทนี้สัมผัสเป็นเวลา หนึ่งที่สภาวะซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิด กับสารฟสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 7 อย่างพอเพียงเพื่อ ทำความสะอาดซับสเตรทนี้ 16. Process for cleaning nano electronic. Or micro-electronic substrate Of an anti-light or residue This process includes making the substrate exposed for time. One at the supercritical fluid state With the cleaning agent of claim 7 sufficiently to Clean the substrate 1
7. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก หรือ ไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเตรท ของสารต้านแสงและสารตกค้าง ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยทำให้ซับสเตรทนี้สัมผัสเป็นเวลาหนึ่ง ที่สภาวะซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิดกับสารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 8 อย่างพอเพียงเพื่อทำ ควมสะอาดซับสเตรทนี้ 17.Processes for cleaning nano-electronic or micro-electronic substrates Of anti-photosensitive and residue This process includes making the substrate touch for a time. At the supercritical fluid state with the cleaning mixture of claim 8, it is sufficient to Clean this substrate 1
8. กรรมวิธีสำรหับทำความสะอาดนาโนอิเล็กทรอนิก หรือ ไมโครอิเล็กทรอกนิกซับสเตรท ของสารต้านแสงหรือสารตกค้าง ซึ่งกรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยทำให้ซับสเตรทนี้สัมฟัสเป็นเวลา หนึ่งที่สภาะวซูเปอร์คริทิคัลฟลูอิดกับสารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 9 อย่าพอเพียงเพื่อ ทำความสะอาดซับสเตรทนี้8. Processes for cleaning nano-electronic or microelectronic substrates. Of an anti-light or residue This process, together with it, makes this substrate feel sensible for time. One that the supercritical fluid and cleaning mixture of Clause 9 do not suffice to Clean this substrate.