TH84891A - อุปกรณ์ประเภทหน่วยความจำแบบเข้าถึงโดยการสุ่มความต้านทาน (rram) แบบขั่วเดี่ยวและสถาปัตยกรรมแบบวางซ้อนกันตามแนวดิ่ง - Google Patents
อุปกรณ์ประเภทหน่วยความจำแบบเข้าถึงโดยการสุ่มความต้านทาน (rram) แบบขั่วเดี่ยวและสถาปัตยกรรมแบบวางซ้อนกันตามแนวดิ่งInfo
- Publication number
- TH84891A TH84891A TH601005044A TH0601005044A TH84891A TH 84891 A TH84891 A TH 84891A TH 601005044 A TH601005044 A TH 601005044A TH 0601005044 A TH0601005044 A TH 0601005044A TH 84891 A TH84891 A TH 84891A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- rram
- access memory
- devices
- memory
- vertical stacked
- Prior art date
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 2
Abstract
DC60 รูปลักษณะหนึ่งของการประดิษฐ์นี้จะมีส่วนที่เป็นอุปกรณ์ประเภทหน่วยความจำที่มีความต้าน ทานแบบแปรผันได้ที่เขียนซ้ำใหม่ได้แบบขั้วเดี่ยวที่ใช้ต้นทุนต่ำซึ่งทำด้วยแถวลำดับจุดตัดข้ามของเซลล์ หน่วยความจำที่วางซ้อนตามแนวดิ่งที่ด้านบนสุดของอีกตัวหนึ่งและใช้งานร่วมกันได้กับไดโอดจำพวก ซิลิคอนที่มีเนื้อผลึกหลายรูปแบบ รูปลักษณะหนึ่งของการประดิษฐ์นี้จะมีส่วนที่เป็นอุปกรณ์ประเภทหน่วยความจำที่มีความต้าน ทานแบบแปรผันได้ที่เขียนซ้ำใหม่ได้แบบขั้วเดี่ยวที่ใช้ต้นทุนต่ำซึ่งทำด้วยแถวลำดับจุดตัดข้ามของเซลล์ หน่วยความจำที่วางซ้อนตามแนวดิ่งที่ด้านบนสุดของอีกตัวหนึ่งและใช้งานร่วมกันได้กับไดโอดจำพวก ซิลิคอนที่มีเนื้อผลึกหลายรูปแบบ
Claims (1)
1. โครงสร้างหน่วยความจำ ซึ่งมีส่วนประกอบดังต่อไปนี้ เสาของหน่วยความจำต้นที่หนึ่งและที่สองซึ่งวางซ้อนกันตามแนวดิ่งที่แยกจากกันโดยสายส่งบิต หรือสายส่งคำ โดยที่เสาต้นที่หนึ่งจะรวมถึงส่วนที่เป็น ไดโอดตัวที่หนึ่งซึ่งมีทิศทางการไหลของกระแสที่หนึ่ง ชุดวางซ้อนหน่วยความจำแบบเข้าถึงโดยการสุ่มความต้านทาน (RRAM) ที่เขียนซ้ำใหม่ ได้แบบขั้วเดี่ยวชุดที่หนึ่งซึ่งสร้างขึ้นที่ด้านล่างของไดโอดตัวที่หนึ่งและบนสายส่งบิตหรือสายส่ง แท็ก :
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH84891A true TH84891A (th) | 2007-06-07 |
| TH170814A TH170814A (th) | 2017-11-30 |
| TH84891B TH84891B (th) | 2021-10-25 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200739881A (en) | Unipolar resistance random access memory(RRAM) device and vertically stacked architecture | |
| KR101482814B1 (ko) | 다중상태 비휘발성 메모리 소자 | |
| JP6577954B2 (ja) | 切り替えコンポーネントおよびメモリユニット | |
| WO2008102650A1 (ja) | 半導体記憶装置 | |
| KR102293120B1 (ko) | 반도체 소자 | |
| WO2008100872A3 (en) | An improved high capacity low cost multi-state magnetic memory | |
| WO2007008902A3 (en) | Nonvolatile memory cell comprising switchable resistor and transistor | |
| TW200603385A (en) | Thin film phase-change memory | |
| KR102368449B1 (ko) | 반도체 소자 | |
| JP2008160004A (ja) | 半導体記憶装置及びその製造方法 | |
| JP2013065638A5 (th) | ||
| WO2009057262A1 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 | |
| WO2004105039A3 (en) | STACKED 1T-nMEMORY CELL STRUCTURE | |
| WO2008150583A3 (en) | Resistive memory architectures with multiple memory cells per access device | |
| EP1965391A4 (en) | NON-VOLATILE MEMORY DEVICE WITH SEMICONDUCTORS | |
| KR100868105B1 (ko) | 저항 메모리 장치 | |
| CN103370790A (zh) | 非易失性存储装置及其制造方法 | |
| US11315941B2 (en) | Memory having a continuous channel | |
| US8574954B2 (en) | Phase change memory structures and methods | |
| WO2003098636A3 (en) | STACKED 1T-nMEMORY CELL STRUCTURE | |
| WO2011106329A4 (en) | Structure and fabrication method for resistance-change memory cell in 3-d memory | |
| US20140361238A1 (en) | Resistance variable memory cell structures and methods | |
| TH84891A (th) | อุปกรณ์ประเภทหน่วยความจำแบบเข้าถึงโดยการสุ่มความต้านทาน (rram) แบบขั่วเดี่ยวและสถาปัตยกรรมแบบวางซ้อนกันตามแนวดิ่ง | |
| JP2010528402A5 (th) | ||
| US9190147B2 (en) | Resistance changing memory with a first driver closer than a second driver |