TH88220A - อุปกรณ์และกระบวนการสำหรับการปฏิบัติพื้นผิวของซับสเทรตโดยใช้ก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้น - Google Patents

อุปกรณ์และกระบวนการสำหรับการปฏิบัติพื้นผิวของซับสเทรตโดยใช้ก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้น

Info

Publication number
TH88220A
TH88220A TH601004510A TH0601004510A TH88220A TH 88220 A TH88220 A TH 88220A TH 601004510 A TH601004510 A TH 601004510A TH 0601004510 A TH0601004510 A TH 0601004510A TH 88220 A TH88220 A TH 88220A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
reactive gas
internal volume
activated
activated reactive
equipment
Prior art date
Application number
TH601004510A
Other languages
English (en)
Other versions
TH88220B (th
TH159545A (th
Inventor
การ์จ นายไดวาการ์
อาร์โนลด์ ครูสซี นายสตีเว่น
แอนโธนี่ โรเบิร์ตสัน นายอีริค
ที่สาม
มา นายปิงปิง
Original Assignee
นายธเนศ เปเรร่า
นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
นางวรนุช เปเรร่า
Filing date
Publication date
Publication of TH88220A publication Critical patent/TH88220A/th
Application filed by นายธเนศ เปเรร่า, นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์, นางวรนุช เปเรร่า filed Critical นายธเนศ เปเรร่า
Publication of TH159545A publication Critical patent/TH159545A/th
Publication of TH88220B publication Critical patent/TH88220B/th

Links

Abstract

DC60 (12/12/49) อุปกรณ์และกระบวนการสำหรับการปฏิบัติพื้นผิวซับสเทรตอย่างน้อยส่วนหนึ่งถูกอธิบายใน ที่นี้ ในลักษณะหนึ่ง อุปกรณ์ ห้องแปรรูปซึ่งประกอบด้วยปริมาณภายใน, ซับสเทรต, และท่อแยกไอ เสีย; แหล่งจ่ายก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นที่ซึ่งก๊าซกระบวนการซึ่งประกอบด้วยก๊าซไวปฏิกิริยาหนึ่ง ชนิดหรือมากกว่าและอาจเลือก๊าซเติมแต่งถูกกระตุ้นโดยแหล่งพลังงานหนึ่งแหล่งหรือมากกว่าเพื่อให้ ก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้น; และท่อจ่าย ซึ่งอยู่ในการติดต่อของไหลกับปริมาตรภายในและแหล่งจ่าย ซึ่งประกอบด้วย ช่องเปิดจำนวนหนึ่งซึ่งนำก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นเข้าไปในปริมาตรภายใน ที่ซึ่ง ก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นสัมผัสพื้นผิวและให้ก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นที่ใช้และ/หรือผลิตภัณฑ์ที่ กลายเป็นไอซึ่งถูกนำออกจากปริมาตรภายในผ่านท่อแยกไอเสีย อุปกรณ์และกระบวนการสำหรับปฏิบัติพื้นผิวซับสเทรตอย่างน้อยส่วนหนึ่งถูกอธิบายใน ที่นี้ ในลักษณะหนึ่ง อุปกรณ์ ห้องแปรรูปซึ่งประกอบด้วยปริมาณภายใน, ซับสเทรต, และท่อแยกไอ เสีย; แหล่งจ่ายก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นซึ่งก๊าซกระบวนการซึ่งประกอบด้วยก๊าซไวปฏิกิริยาหนึ่ง ชนิดหรือมากกว่าและอาจเลือก๊าซเติมแต่งถูกกระตุ้น โดยแหล่งพลังงานหนึ่งแหล่งหรือมากกว่าเพื่อให้ ก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้น; และท่อจ่าย ซึ่งอยู่ในการติดต่อของไหลกับปริมาตรภายในและแหล่งจ่าย ซึ่งประกอบด้วย: ช่องเปิดจำนวนหนึ่งซึ่งนำก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นเข้าไปในปริมาตรภายใน ที่ซึ่ง ก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นสัมผัสพื้นผิวและให้ก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นที่ใช้และ/หรือผลิตภัณฑ์ที่ กลายเป็นไอซึ่งถูกนำออกจากปริมาตรภายในผ่านท่อแยกไอเสีย:

Claims (1)

1. อุปกรณ์สำหรับการปฏิบัติพื้นผิวของซับสเทรตที่มีอย่างน้อยหนึ่งขนาดมากกว่า 1 ฟุต (30.48 ซม) และ/หรือพื้นที่ผิว 2 ตารางฟุต (0.185 ม2) หรือมากกว่าด้วยก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้น อุปกรณ์ ซึ่งประกอบกด้วย: (a) ห้องแปรรูปซึ่งประกอบด้วยปริมาตรภายในที่ปรับเพื่อยึดพื้นผิวของซับสเทรตอย่างน้อย ส่วนหนึ่ง ที่ซึ่งส่วนดังกล่าวของพื้นผิวมีอย่างน้อยหนึ่งขนาดมากกว่า 1 ฟุต, และท่อแยก ไอเสีย; (b) แหล่งจ่ายก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุแท็ก :
TH601004510A 2014-04-16 ขวดที่มีส่วนรูปกรวยตัดที่อยู่ตรงข้ามตามแนวแกน TH88220B (th)

Publications (3)

Publication Number Publication Date
TH88220A true TH88220A (th) 2008-01-21
TH159545A TH159545A (th) 2017-01-23
TH88220B TH88220B (th) 2022-05-26

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2006034130A3 (en) Apparatus and process for surface treatment of substrate using an activated reactive gas
TW200504861A (en) Uniform etch system
TW200739714A (en) Substrate processing device, substrate processing method and storage medium
JP2010153680A5 (th)
TW200608489A (en) Plasma treatment method and plasma etching method
AR106421A1 (es) Gas reactivo, sistema de generación de gas reactivo y tratamiento de productos mediante el uso de gas reactivo
WO2009057395A1 (ja) 酸化膜除去のための基板洗浄処理方法
TW200719412A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
WO2013016191A3 (en) Methods and apparatus for the deposition of materials on a substrate
HRP20090139T3 (hr) Postupak za obradu otpada i postrojenja
TW200739727A (en) Semiconductor processing system and vaporizer
MY139113A (en) Methods of etching photoresist on substrates
TW200614365A (en) Method for providing uniform removal of organic material
TW200625387A (en) System for cleaning a surface using cryogenic aerosol and fluid reactant
TW200802571A (en) Substrate processing apparatus
SG152206A1 (en) In-situ chamber cleaning method
ATE509694T1 (de) Plasmaminderungsvorrichtung
ATE425548T1 (de) Zerstäubungsvorrichtung mit einer rohrkathode und verfahren zum betreiben dieser zerstäubungsvorrichtung
DE502007003675D1 (de) Vorrichtung zum schnellen frosten von stoffen
EA201100141A1 (ru) Устройство для снижения уровня диоксида углерода в дымовых газах сгорания
TH88220A (th) อุปกรณ์และกระบวนการสำหรับการปฏิบัติพื้นผิวของซับสเทรตโดยใช้ก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้น
ATE479494T1 (de) Verfahren und vorrichtung zur behandlung von schüttgut mit einem physikalischen plasma bei atmosphärendruck
TW200729285A (en) Gas-removal processing device
ATE423758T1 (de) Anordnung zur behandlung eines polymerisationsfähigen stoffes
DE502006001507D1 (de) Vorrichtung zum Verdampfen von Materialien mit einem Verdampferrohr