TH88220A - อุปกรณ์และกระบวนการสำหรับการปฏิบัติพื้นผิวของซับสเทรตโดยใช้ก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้น - Google Patents

Abstract

DC60 (12/12/49) อุปกรณ์และกระบวนการสำหรับการปฏิบัติพื้นผิวซับสเทรตอย่างน้อยส่วนหนึ่งถูกอธิบายใน ที่นี้ ในลักษณะหนึ่ง อุปกรณ์ ห้องแปรรูปซึ่งประกอบด้วยปริมาณภายใน, ซับสเทรต, และท่อแยกไอ เสีย; แหล่งจ่ายก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นที่ซึ่งก๊าซกระบวนการซึ่งประกอบด้วยก๊าซไวปฏิกิริยาหนึ่ง ชนิดหรือมากกว่าและอาจเลือก๊าซเติมแต่งถูกกระตุ้นโดยแหล่งพลังงานหนึ่งแหล่งหรือมากกว่าเพื่อให้ ก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้น; และท่อจ่าย ซึ่งอยู่ในการติดต่อของไหลกับปริมาตรภายในและแหล่งจ่าย ซึ่งประกอบด้วย: ช่องเปิดจำนวนหนึ่งซึ่งนำก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นเข้าไปในปริมาตรภายใน ที่ซึ่ง ก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นสัมผัสพื้นผิวและให้ก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นที่ใช้และ/หรือผลิตภัณฑ์ที่ กลายเป็นไอซึ่งถูกนำออกจากปริมาตรภายในผ่านท่อแยกไอเสีย อุปกรณ์และกระบวนการสำหรับปฏิบัติพื้นผิวซับสเทรตอย่างน้อยส่วนหนึ่งถูกอธิบายใน ที่นี้ ในลักษณะหนึ่ง อุปกรณ์ ห้องแปรรูปซึ่งประกอบด้วยปริมาณภายใน, ซับสเทรต, และท่อแยกไอ เสีย; แหล่งจ่ายก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นซึ่งก๊าซกระบวนการซึ่งประกอบด้วยก๊าซไวปฏิกิริยาหนึ่ง ชนิดหรือมากกว่าและอาจเลือก๊าซเติมแต่งถูกกระตุ้น โดยแหล่งพลังงานหนึ่งแหล่งหรือมากกว่าเพื่อให้ ก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้น; และท่อจ่าย ซึ่งอยู่ในการติดต่อของไหลกับปริมาตรภายในและแหล่งจ่าย ซึ่งประกอบด้วย: ช่องเปิดจำนวนหนึ่งซึ่งนำก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นเข้าไปในปริมาตรภายใน ที่ซึ่ง ก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นสัมผัสพื้นผิวและให้ก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นที่ใช้และ/หรือผลิตภัณฑ์ที่ กลายเป็นไอซึ่งถูกนำออกจากปริมาตรภายในผ่านท่อแยกไอเสีย

Claims (36)

1. อุปกรณ์สำหรับการปฏิบัติพื้นผิวของซับสเทรตที่มีอย่างน้อยหนึ่งขนาดมากกว่า 1 ฟุต (30.48 ซม) และ/หรือพื้นที่ผิว 2 ตารางฟุต (0.185 ม2) หรือมากกว่าด้วยก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้น อุปกรณ์ ซึ่งประกอบกด้วย: (a) ห้องแปรรูปซึ่งประกอบด้วยปริมาตรภายในที่ปรับเพื่อยึดพื้นผิวของซับสเทรตอย่างน้อย ส่วนหนึ่ง ที่ซึ่งส่วนดังกล่าวของพื้นผิวมีอย่างน้อยหนึ่งขนาดมากกว่า 1 ฟุต, และท่อแยก ไอเสีย; (b) แหล่งจ่ายก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นที่ซึ่งก๊าซของกระบวนการซึ่งประกอบด้วยก๊าซไว ปฏิกิริยาและอาจเลือกก๊าซเติมแต่งถูกกระตุ้น โดยแหล่งพลังงานซึ่งประกอบด้วยแหล่ง พลาสมาเพื่อให้ก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้น; และ (c) ท่อจ่าย ซึ่งอยู่ในการติดต่อของไหลกับแหล่งจ่ายและปริมาตรภายใน ท่อจ่ายดังกล่าวซึ่ง ประกอบด้วยช่องเปิดจำนวนหนึ่งซึ่งนำก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นเข้าไปในปริมาตร ภานในและโดยตรงไปบนซับสเทรต ที่กำหนดว่าท่อจ่ายมีจำนวน(N) ของช่องเปิด ที่ซึ่ง แต่ละช่องเปิดมีพื้นที่ส่วนตัดขวาง (Ao) และพื้นที่ส่วนตัดขวาง (Ac) และที่ซึ่งพื้นที่ส่วน ตัดขาวงสูงสุด (N*Ao) ของช่องเปิด (หลายช่อง) สามารถถูกหาโดยการแสดงต่อไปนี้ 1.0 * Ac > N * Ao มากกว่าหรือเท่ากับ 0.49 * Ac (1) และ ที่ซึ่งก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นอยู่ในการติดต่อของไหลกับพื้นที่และสัมผัสพื้นผิวเพื่อให้ ก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นที่ใช้และ/หรือผลิตภัณฑ์ที่กลายเป็นไอซึ่งถูกนำออกจากปริมาตรภายใน ผ่านช่องแยกไอเสีย

2. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่ซึ่งพื้นที่ส่วนตัดขวางสูงสุด (N*Ao) ของช่องเปิด (หลายช่อง) สามารถถูกหาโดยการแสดงต่อไปนี้ 0.9 * Ac > N * Ao มากกว่าหรือเท่ากับ 0.49 * Ac (2)

3. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่ซึ่งแหล่งพลาสมาถูกคัดเลือกจากกลุ่มที่ประกอบรวมด้วยแหล่ง พาสมาระยะไกล แหล่งพลาสมา ณ ที่เดิม และของผสมของมันและอาจเลือกให้ช่วยโดยแหล่ง พลังงานความร้อนระยะไกล แหล่งพลังงานที่เร่งปฏิกิริยา แหล่งพลังงานความร้อน ณ ที่เดิม การยึดติด อิเล็กตรอน แหล่งพลังงานที่ยึดตามโฟตอน และขอลผสมของมัน

4. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่ซึ่งห้องการแปรรูปประกอบต่อไปด้วยอุปกรณ์ควบคุมความ ดันเพื่อปรับความดันที่ทำงานของห้องน้อยกว่า 760 ทอร์ร (101.3kPa)

5. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่ซึ่งแต่ละช่องเปิดมีผนังด้านข้างซึ่งถูกเกลาที่มุมอย่างน้อย 20 ํ หรือมากกว่า

6. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่ซึ่งแต่ละช่องเปิดมีเส้นผ่าศูนย์กลาง (do) อย่างน้อย 0.1 มม (4มิล)

7. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่ซึ่งท่อจ่ายมีจำนวนของช่องเปิด (N) ในช่วง 2 ถึง 500

8. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่ซึ่งท่อจ่ายถูกจัดเรียงขนานกับพื้นผิวที่ถูกปฎิบัติ

9. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่ซึ่งแต่ละช่องเปิดมีผนังด้านข้างถูกเกลาที่มุม อัลฟา แต่ละช่อง เปิดถูกเว้นระยะห่างจากช่องเปิดอื่นแต่ละช่องโดยระยะทาง x และท่อจ่ายถูกเว้นระยะห่างจากพื้นผิวที่ ถูกปฏิบัติโดยระยะทาง y เพื่อว่า x / (2 * tanอัลฟา) น้อยกว่าหรือเท่ากับ y

10. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อที่ 8 ที่ซึ่งแต่ละช่องเปิดมีผนังด้านข้างถูกเกลาที่มุม อัลฟา แต่ละช่อง เปิดถูกเว้นระยะห่างจากช่องเปิดอื่นแต่ละช่องโดยระยะทาง x และท่อจ่ายถูกเว้นระยะห่างจากพื้นผิวที่ ถูกปฏิบัติโดยระยะทาง y เพื่อว่า x / (2 * tanอัลฟา) น้อยกว่าหรือเท่ากับ y

11. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อที่ 1, 9 หรือ 10 ที่ซึ่งท่อจ่ายถูกเส้นระยะห่างจากพื้นผิวที่ถูกปฏิบัติ โดยระยะทาง y ในช่วง 1 ถึง 150 ซม (0.4 ถึง 60 นิ้ว)

12. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อที่ 1, 9, 10 หรือ 11 ที่ซึ่งแต่ละช่องเปิดถูกเว้นระยะห่างจากช่องเปิด อื่นแต่ละช่องโดยระยะทาง x ในช่วง 0.1 ถึง 250 ซม (0.04-98 นิ้ว)

13. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่ซึ่งช่องเปิดจำนวนหนึ่งถูกจ่ายประมาณสม่ำเสมอบนพื้นผิว ของช่องการจ่ายที่ใกล้ที่สุดกับพื้นผิวที่ถูกปฏิบัติ

14. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 หรือ 13 ที่ซึ่งช่องการจ่ายเป็นท่อที่เป็นกระบอกและช่องเปิด ถูกให้แนวขนานอย่างแท้จริงกับแกนท่อบนด้านหนึ่งของมัน

15. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 หรือ 13 ที่ซึ่งผนังด้านหนึ่งของช่องการจ่ายถูกให้ในรูปของ แผ่นแต่ละที่ซึ่งช่องเปิดถูกจัดเรียงในแผ่นดังกล่าว นิยมให้สม่ำเสมอตลอดพื้นที่ของมัน

16. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่ซึ่งรูปร่างของช่องเปิดถูกคัดเลือกจากรูปร่างวงกลม รูปไข่ สี่เหลี่ยมพื้นผ้า สี่เหลี่ยมจัตุรัส หลายเหลี่ยม วงรีและช่องยาว

17. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่ซึ่งประกอบต่อไปด้วยวิถีทางให้ความร้อนสำหรับการให้ความ ร้อนห้องปฏิกิริยาและ/หรือแหล่งจ่ายก๊าซที่ถูกกระตุ้น

18. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่ซึ่งท่อแยกไอเสียประกอบด้วยช่องเปิดจำนวนซึ่งนิยม ให้มีขนาดและรูปเรขาคณิตคล้ายกันอย่างแท้จริงและนิยมมากที่สุดให้อยู่ในตำแหน่งที่หันหน้าเข้าหา ช่องเปิดในท่อจ่าย

19. อุปกรณ์สำหรับการปฏิบัติพื้นผิวของซับสเทรตที่มีอย่างน้อยหนึ่งขนาดมากกว่า 1 ฟุต (30.48 ซม) และ/หรือพื้นที่ผิว 2 ตารางฟุต (0.185 ม2) หรือมากกว่าด้วยก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้น อุปกรณ์ ซึ่งประกอบกด้วย (a) ห้องแปรรูปซึ่งประกอบด้วยปริมาตรภายในที่ปรับเพื่อยึดพื้นผิวของซับสเทรตอย่างน้อย ส่วนหนึ่ง ที่ซึ่งส่วนดังกล่าวของพื้นผิวมีอย่างน้อยหนึ่งขนาดมากกว่า 1 ฟุต, และท่อแยก ไอเสีย; (b) แหล่งจ่ายก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นที่ซึ่งก๊าซของกระบวนการซึ่งประกอบด้วยก๊าซไว ปฏิกิริยาและอาจเลือกก๊าซเติมแต่งถูกกระตุ้น โดยแหล่งพลังงานซึ่งประกอบด้วยแหล่ง พลาสมาเพื่อให้ก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้น; และ (c) ท่อจ่าย ซึ่งอยู่ในการติดต่อของไหลกับแหล่งจ่ายและปริมาตรภายใน ท่อจ่ายดังกล่าวซึ่ง ประกอบด้วยช่องเปิดจำนวนหนึ่งซึ่งนำก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นเข้าไปในปริมาตร ภานในและโดยตรงไปบนซับสเทรต ที่กำหนดว่าท่อจ่ายมีทางเข้าซึ่งอยู่ในส่วนกลางของ ท่อจ่ายอย่างแท้จริง, และ ที่ซึ่งก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นอยู่ในการติดต่อของไหลกับพื้นที่ถูกส่งเข้าไปยังทางเข้า ดังกล่าวและสัมผัสพื้นผิวเพื่อให้ก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นที่ใช้และ/หรือผลิตภัณฑ์ที่กลายเป็นไอซึ่ง ถูกนำออกจากปริมาตรภายในผ่านช่องแยกไอเสีย

20. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อที่ 19 ที่ซึ่งท่อจ่ายมีจำนวน(N) ของช่องเปิด ที่ซึ่งแต่ละช่องเปิดมี พื้นที่ส่วนตัดขวาง (Ao) และพื้นที่ส่วนตัดขวาง (Ac) และที่ซึ่งพื้นที่ส่วนตัดขาวงสูงสุด (N*Ao) ของ ช่องเปิด (หลายช่อง) สามารถถูกหาโดยการแสดงต่อไปนี้ 1.0 * Ac > N * Ao มากกว่าหรือเท่ากับ 0.1 * Ac (1)

21. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อที่ 20 ที่ซึ่งพื้นที่ส่วนตัดขาวงสูงสุด (N*Ao) ของช่องเปิด (หลาย ช่อง) สามารถถูกหาโดยการแสดงต่อไปนี้ 0.9 * Ac > N * Ao มากกว่าหรือเท่ากับ 0.49 * Ac (2)

22. กระบวนการสำหรับการปฏิบัติพื้นผิวของซับสเทรตอย่างน้อยส่วนหนึ่งที่มีความกว้าง มากกว่าหนึ่งฟุตและความยาวมากกว่า 2 ฟุต และ/หรือพื้นที่ผิว 2 ตารางฟุตหรือมากกว่า กระบวนการ ดังกล่าวซึ่งประกอบด้วย: การจัดเตรียมพื้นผิวของซับสเทรตอย่างน้อยส่วนหนึ่งภายในปริมาตรภายในห้องแปรรูป ซึ่งประกอบด้วยปริมาตรภายใน ท่อแยกไอเสีย และท่อจ่าย, ท่อจ่ายดังกล่าวซึ่งประกอบด้วยช่องเปิด จำนวนหนึ่งและที่อยู่ในการติดต่อของไหลกับปริมาตรภายในผ่านช่องเปิดดังกล่าว และแหล่งจ่ายก๊าซ ไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้น; การจ่ายพลังงานพลาสมาสู่ก๊าซกระบวนการซึ่งประกอบด้วยก๊าซไวปฏิกิริยาและอาจเลือก ก๊าซเติมแต่งในแหล่งจ่ายก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้น; กานผ่านก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นจากแหล่งจ่ายก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นผ่านท่อจ่าย ที่ ซึ่งก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นไหลผ่านช่องผ่านช่องเปิดและเข้าไปในปริมาตรภายใน ที่กำหนดว่าท่อจ่ายมี จำนวน(N) ของช่องเปิด ที่ซึ่งแต่ละช่องเปิดมีพื้นที่ส่วนตัดขวาง (Ao) และพื้นที่ส่วนตัดขวาง (Ac) และ ที่ซึ่งพื้นที่ส่วนตัดขาวงสูงสุด (N*Ao) ของช่องเปิด (หลายช่อง) สามารถถูกหาโดยการแสดงต่อไปนี้ 1.0 * Ac > N * Ao มากกว่าหรือเท่ากับ 0.49 * Ac (1); การสัมผัสพื้นผิวอย่างน้อยส่วนหนึ่งด้วยก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นเพื่อปฏิบัติพื้นผิวที่ซึ่ง ก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นอยู่ในการติดต่อของไหลจากท่อจ่ายพื้นผิว; และ การขจัดก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นที่ใช้และ/หรือผลิตภัณฑ์กลายเป็นไอจากปริมาตร ภายในผ่านท่อแยกไอเสีย

23. กระบวนการของข้อถือสิทธิข้อที่ 22 ที่ซึ่งพื้นที่ส่วนตัดขวางสูงสุด (N* Ao) ของช่องเปิด (หลายช่อง) สามารถถูกหาโดยการแสดงต่อไปนี้ 0.9 * Ac > N * Ao มากกว่าหรือเท่ากับ 0.49 * Ac (2)

24. กระบวนการของข้อถือสิทธิข้อที่ 22 ที่ซึ่งก๊าซไวปฏิกิริยาประกอบด้วย (i) ก๊าซที่มีออกซิเจนที่คัดเลือกได้จากออกซิเจน, โอโซน, ไนตริกออกไซด์, ไนตรัส ออกไซด์, ไนโตรเจนไดออกไซด์, คาร์บอนมอนอกไซด์, คาร์บอนไดออกไซด์, น้ำ, และของผสมของมัน, (ii) ก๊าซที่มีฟลูออโร; เปอร์ฟลูออโรคาร์บอน; ไฮดรอกฟลูออโรคาร์บอน; ออกซีฟลูออโร คาร์บอน; ไฮโดรฟลูออโรคาร์บอนที่ถูกออกซีจีเนเต็ด; ไฮโดรฟลูออโรอีเทอร์; ไฮโดรฟลูออโรต์; ฟลูออโรเปอร์ออกไซด์; ฟลูออโรไทรออกไซด์; ฟลูออโรเอมีน; ฟลูออโรไนไทร์ล; ซัลฟอกซีฟลูออไรด์; และของผสมของมัน, หรือ (iii) ก๊าซที่มีคลอรีนที่คัดเลือกได้จาก BCI3, COCI2, HCI, CI2, CIF3, NFxCI3-x, ซึ่ง x เป็น จำนวนเต็มที่อยู่ในช่วงตั้งแต่ 0 ถึง 2, คลอโรคาร์บอน, คลอโรไฮโรคาร์บอน, และ ของผสมของมัน

25. กระบวนการของข้อถือสิทธิข้อที่ 24 ที่ซึ่งก๊าซที่มีฟลูออรีนถูกคัดเลือกได้จาก F2; HF, NF3; SF6; SF4; COF2, NOF, C3F3N3, และของผสมของมัน

26. กระบวนการของข้อถือสิทธิข้อที่ 22 ที่ซึ่งก๊าซกระบวนการประกอบด้วยก๊าซเติมแต่ง

27. กระบวนการของข้อถือสิทธิข้อที่ 26 ที่ซึ่งก๊าซเติมแต่งคือชนิดหนึ่งที่คัดเลือกได้จาก H2, N2, He, Ne, Kr, Xe, Ar, และของผสมของมัน

28. กระบวนการของข้อถือสิทธิข้อที่ 22 ที่ซึ่งซับสเทรตขนานอย่างแท้จริงขนาดก๊าซไวปฏิกิริยาที่ ถูกกระตุ้นในระหว่างขั้นตอนการสัมผัส

29. กระบวนการของข้อถือสิทธิข้อที่ 22 ที่ซึ่งซับสเทรตตั้งฉากอย่างแท้จริงกับก๊าซไวปฏิกิริยาที่ ถูกกระตุ้นในระหว่างขั้นตอนการสัมผัส

30. กระบวนการของข้อถือสิทธิข้อที่ 22 ที่ซึ่งซับสเทรตประกอบด้วยแก้ว

31. กระบวนการของข้อถือสิทธิข้อที่ 23 ที่ซึ่งการสัมผัสถูกกระทำที่ความดันต่ำกว่า 760 ทอร์ร (101.3kPa)

32. กระบวนการของข้อถือสิทธิข้อที่ 22 ที่ซึ่งการปฏิบัติของพื้นผิวคือการปฏิบัติที่คัดเลือกได้จาก กลุ่มที่ประกอบด้วยออกซิเดชัน, รีดักชัน, ไนไทร์ดดิง, คาร์บิวไรเซชัน, แฮโลจีเนชัน, การทำให้หยาบ, การทำให้เรียบ, การทำให้สะอาด, หรือการกัด, ที่ไม่รวมถึงการปฏิบัติการตกสะสมชั้นใดๆ

33. กระบวนการของข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อที่ 22 ถึง 32, ที่กระทำโดยใช้ อุปกรณ์ของข้อถือสิธิข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ถึง 18

34. กระบวนการสำหรับการปฏิบัติพื้นผิวของซับสเทรตอย่างน้อยส่วนหนึ่งที่มีความกว้าง มากกว่าหนึ่งฟุตและความยาวมากกว่า 2 ฟุต และ/หรือพื้นที่ผิว 2 ตารางฟุตหรือมากกว่า กระบวนการ ดังกล่าวซึ่งประกอบด้วย: การจัดเตรียมพื้นผิวของซับสเทรตอย่างน้อยส่วนหนึ่งภายในปริมาตรภายในห้องแปรรูป ซึ่งประกอบด้วยปริมาตรภายใน ท่อแยกไอเสีย และท่อจ่าย, ท่อจ่ายดังกล่าวซึ่งประกอบด้วยช่องเปิด จำนวนหนึ่งและที่อยู่ในการติดต่อของไหลกับปริมาตรภายในผ่านช่องเปิดดังกล่าว และแหล่งจ่ายก๊าซ ไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้น; การจ่ายพลังงานพลาสมาสู่ก๊าซกระบวนการซึ่งประกอบด้วยก๊าซไวปฏิกิริยาและอาจเลือก ก๊าซเติมแต่งในแหล่งจ่ายก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้น; กานผ่านก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นจากแหล่งจ่ายก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นผ่านท่อจ่าย ที่ ซึ่งก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นไหล ผ่านช่องผ่านช่องเปิดและเข้าไปในปริมาตรภายใน ท่อจ่ายดังกล่าวซึ่ง ประกอบด้วยช่องเปิดจำนวนหนึ่งซึ่งนำก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นเข้าไปในปริมาตรภายในและ โดยตรงไปบนซับสเทรต ที่กำหนดว่าท่อจ่ายมีทางเข้าซึ่งอยู่ในส่วนกลางของท่อจ่ายอย่างแท้จริง; การสัมผัสพื้นผิวอย่างน้อยส่วนหนึ่งด้วยก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นเพื่อปฏิบัติพื้นผิวที่ซึ่ง ก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นอยู่ในการติดต่อของไหลจากท่อจ่ายพื้นผิว; และ การขจัดก๊าซไวปฏิกิริยาที่ถูกกระตุ้นที่ใช้และ/หรือผลิตภัณฑ์กลายเป็นไอจากปริมาตร ภายในผ่านท่อแยกไอเสีย

35. กระบวนการของข้อถือสิทธิข้อที่ 34 ที่กระทำโดยใช้อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อที่ 20

36. กระบวนการของข้อถือสิทธิข้อที่ 34 ที่กระทำโดยใช้อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อที่ 21