TH89243B - วิธีการสำหรับการขจัดแคลเซียมจากน้ำมันดิบ - Google Patents
วิธีการสำหรับการขจัดแคลเซียมจากน้ำมันดิบInfo
- Publication number
- TH89243B TH89243B TH701001160A TH0701001160A TH89243B TH 89243 B TH89243 B TH 89243B TH 701001160 A TH701001160 A TH 701001160A TH 0701001160 A TH0701001160 A TH 0701001160A TH 89243 B TH89243 B TH 89243B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- aqueous phase
- calcium
- crude oil
- separated
- chip
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (27/02/50) วิธีการสำหรับการลดการตกสะสมของแคลเซียมตามพื้นผิวในการสัมผัสกับเฟสน้ำของ อีมัลชันน้ำ/น้ำมันที่ถูกแยกออกถูกเปิดเผย น้ำมันดิบที่มีแคลเซียมสูงและสิ่งที่คล้ายคลึงถูกสัมผัสกับ สารแยกเพื่อก่อรูปสารเชิงซ้อนที่มีแคลเซียมที่ถูกแยกซึ่งกั้นเฟสน้ำในอีมัลชันที่ถูกแยกออก สาร ควบคุมส่วนตกสะสมพอลิเมอริกที่ถูกออกสูตรจำเพาะถูกเติมลงในเฟสน้ำเพื่อยับยั้งการก่อรูปส่วนตก สะสมแคลเซียมภายในนั้นและตามพื้นผิวในการสัมผัสกับเฟสน้ำ
Claims (1)
1. วิธีการบรรจุของชิปหรือแพ็คเกจของสารกึ่งตัวนำแบบมีปุ่ม ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ (ก) การเตรียมชิปหรือแพ็คเกจของสารกึ่งตัวนำแบบมีปุ่ม และแผ่นฐานรอง เพื่อการ ดำเนินการบรรจุโดยการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าให้แก่ปุ่มดังกล่าวของชิปหรือแพ็ตเกจของสารกึ่งตัวนำ แบบมีปุ่มดังกล่าว เข้ากับขั้วเชื่อมต่อบนแผ่นฐานรองดังกล่าว (ข) การจัดแผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่างชนิดเธอร์โมเซททิงและทำให้เป็นของไหลด้วย ความร้อน ไว้ระหว่างชิปหรือแพ็คเกจของสารกึ่งตัวนำแบบมีปุ่มดังกล่าวและแผ่นฐานรองดังกล่าว
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH89243A TH89243A (th) | 2008-03-31 |
| TH107337A TH107337A (th) | 2011-04-29 |
| TH89243B true TH89243B (th) | 2022-08-09 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB0817831D0 (en) | Improved packaging technology | |
| EP1858063A3 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| TW200636835A (en) | Composition for cleaning semiconductor device and method for cleaning semiconductor device using the same | |
| EP1619717A4 (en) | DEVICE FOR APPLYING SEMICONDUCTOR TREATMENT TO THE TREATMENT SUBJECT MATERIAL | |
| TW200509229A (en) | Method for fabricating dual-metal gate device | |
| TW200802985A (en) | Radiation-emitting semiconductor body with carrier substrate and the method for fabricating the same | |
| WO2004006311A3 (en) | Transfer of a thin layer from a wafer comprising a buffer layer | |
| JP2009194144A5 (th) | ||
| WO2004032247A3 (de) | Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung | |
| GB201318982D0 (en) | Optimized annular copper tsv | |
| JP2010251663A5 (th) | ||
| WO2011098187A3 (de) | Halbleiter-bauelement und entsprechendes herstellungsverfahren | |
| WO2014051511A3 (en) | Electroless metal through silicon via | |
| EP2278612A3 (en) | Material composed of organosilane or organosiloxane compound for insulating film, its production method and semiconductor device | |
| GB2531452A (en) | Fabrication of a microfluidic chip package or assembly with separable chips | |
| GB2541146A (en) | Method of manufacturing a germanium-on-insulator substrate | |
| WO2007050736A3 (en) | Vertical structure semiconductor devices and method of fabricating the same | |
| TW200707671A (en) | Electronic device and method of manufacturing the same | |
| WO2005081316A3 (de) | Halbleiterbauteil mit einem umverdrahtungssubstrat und verfahren zur herstellung desselben | |
| WO2010099017A3 (en) | Stripping compositions for cleaning ion implanted photoresist from semiconductor device wafers | |
| CN110383437A (zh) | 一种二极管的封装方法及二极管 | |
| CN109971356A (zh) | 一种化学机械抛光液 | |
| TW200637441A (en) | Ceramic wiring board and process fro producing the same, and semiconductor device using the same | |
| FR2904304B1 (fr) | Procede de fabrication d'une nanostructure sur un substrat pre-grave. | |
| TW200616040A (en) | Method for making a semiconductor device |