TH9304A

TH9304A - ตัวกลางบันทึกแมกนีดโตออพติคอล Megnetrootical?Recarding Media

Info

Publication number: TH9304A
Application number: TH9001000981A
Authority: TH
Inventors: ชินโต นายคิโยโตกะ; มิสุโมโต นายคูนิฮิโกะ; คูริซู นายมาซาโยชิ; โทโด นายอิกิระ; ฮาชิโมโต นายฮิเดกิโกะ
Original assignee: นายเดชอุดม ไกรฤทธิ์; มิตซุย ปิโตรเคมีคัล อินดัสตรีส์
Filing date: 1990-07-05
Publication date: 1991-08-01

Abstract

ตัวกลางบันทึกแมกนีโตออพติคอลที่มีอยู่บนซับเทรทด้วยฟิล์มป้องกันที่หนึ่ง ฟิล์มบันทึกแมกนีโตออพติคอล ฟิล์มป้องกัน ที่สอง และฟิล์มโลหะตามลำดับโดยที่มีการปรับปรุงอยู่ที่ ฟิล์มป้องกันที่หนึ่งและที่สองต่างก็ประกอบด้วย SiNx ฟิล์มบันทึกแมกนีโตออพติคอลดังกล่าวประกอบด้วยฟิล์มอัล ลอยด์อสัณฐานซึ่งมีแกนอีซี่แม่เหล็กตั้งฉากกับฟิล์มดัง กล่าว และประกอบด้วย (i) อย่างน้อยที่สุดโลหะหนึ่งที่เลือก จากโลหะทรานซิชั่น d (ii) อย่างน้อยที่สุดโลหะหนึ่งที่ เลือกจากโลหะทนต่อการกัดกร่อน และ (iii) อย่างน้อยที่สุด ธาตุหนึ่งที่เลือกจากเหล่าธาตุแรร์เอิร์ธ โดยปริมาณของโลหะ ทนต่อการกัดกร่อนดังกล่าวเป็น 50-30% อะตอม เมื่อเปรียบ เทียบกับปริมาณอะตอมทั้งหมดของฟิล์มบันทึกดังกล่าว และ ฟิล์มโลหะดังกล่าวประกอบด้วยอะลูมินัมอัลลอยด์ ตัวกลางบันทึกแมกนีดโตออพติคอลที่มีความทนต่อการออก ซิเดชั่นที่ดีเลิศและคุณลักษณะของการ บันทึกแมกนีดโตออพติ คอลด้วย มีช่วงของพลังงานในการบันทึกกว้าง ขึ้นอยู่กับความ เร็วในแนวเส้นของความไวในการบันทึกต่ำ

Claims

1. ตัวกลางบันทึกแมกนีโตออพติคอลที่มีอยู่บนซับเทรทด้วยฟิล์มป้องกันที่หนึ่ง ฟิล์มบันทึกแมกนีโตออพติคอล ฟิล์ม ป้องกันที่สอง และฟิล์มโลหะตามลำดับโดยที่มีการปรับปรุง อยู่ที่ ฟิล์มป้องกันที่หนึ่งและที่สองต่างก็ประกอบด้วย SiNx ฟิล์มบันทึกแมกนีโตออพติคอลดังกล่าวประกอบด้วยฟิล์มอัล ลอยด์อสัณฐานซึ่งมีแกนอีซี่แม่เหล็กตั้งฉากกับฟิล์มดัง กล่าว และประกอบด้วย (i) อย่างน้อยที่สุดโลหะหนึ่งที่เลือก จากโลหะทรานซิชั่น d (ii) อย่างน้อยที่สุดโลหะหนึ่งที่ เลือกจากโลหะทนต่อการกัดกร่อน และ (iii) อย่างน้อยที่สุด ธาตุหนึ่งที่เลือกจากเหล่าธาตุแรร์เอิร์ธ โดยปริมาณของโลหะ ทนต่อการกัดกร่อนดังกล่าวเป็น 50-30% อะตอม เมื่อเปรียบ เทียบกับปริมาณอะตอมทั้งหมดของฟิล์มบันทึกดังกล่าว และ ฟิล์มโลหะดังกล่าวประกอบด้วยอะลูมินัมอัลลอยด์

2. ตัวกลางบันทึกแมกนีดโตออพติคอลที่มีอยู่บนซับสเทรทด้วย ฟิล์มป้องกันที่หนึ่ง ฟิล์มบันทึกแมกนีโตออพติคอล ฟิล์ม ป้องกันที่สอง และฟิล์มโลหะตามลำดับโดยมีการปรับปรุงอยู่ ที่ ฟิล์มบันทึกแมกนีโตออพติคอลดังกล่าวประกอบด้วยฟิล์มอัล ลอยด์อสัณฐานซึ่งมีแกนอีซี่แม่เหล็กตั้งฉากกับฟิล์มดัง กล่าว และประกอบด้วย (i) อย่างน้อยที่สุดโลหะหนึ่งที่เลือก จากโลหะทรานซิชั่น d (ii) อย่างน้อยที่สุดโลหะหนึ่งที่ เลือกจากโลหะทนต่อการกัดกร่อน และ (iii) อย่างน้อยที่สุด ธาตุหนึ่งที่เลือกจากเหล่าธาตุแรร์เอิร์ธ และ ฟิล์มโลหะดังกล่าวประกอบด้วยอะลูมินัมอัลลอยด์

3. ตัวกลางบันทึกแมกนีโตออพติคอลชนิดสองหน้า ในที่ซึ่ง ตัว กลางบันทึกแมกนีดโตออพติคอลที่หนึ่งมีอยู่บนซับสเทรทด้วย ฟิล์มป้องกันที่หนึ่ง ฟิล์มบันทึกแมกนีโตออพติคอล ฟิล์ม ป้องกันที่สอง และฟิล์มโลหะตามลำดับ ดังบรรยายในข้อถือ สิทธิ 1 ตามลำดับ และ ตัวกลางบันทึกแมกนีดโตออพติคอลที่สอง ที่มีอยู่บนซับสเทรทด้วยฟิล์มป้องกันที่หนึ่ง ฟิล์มบันทึก แมกนีโตออพติคอล ฟิล์มป้องกันที่สอง และฟิล์มโลหะดัง บรรยายในข้อถือสิทธิ 1 ตามลำดับ ได้เชื่อมเข้าด้วยกันผ่าน ชั้นยึดเกาะเพื่อให้ฟิล์มโลหะของตัวกลางบันทึกแมกนีโตออพติ คอลที่หนึ่งและฟิล์มโลหะของตัวกลางบันทึกแมกนีโตออพติคอล ที่สองดังกล่าวหันหน้าเข้าหากันและกัน

4. ตัวกลางบันทึกแมกนีโตออพติคอลดังในข้อถือสิทธิ 1,2 หรือ 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ในที่ซึ่ง ฟิล์มป้องกันที่หนึ่งดังกล่าวมี ความหนาของฟิล์มเป็น 400 ถึง 2000 แองสตรอม และฟิล์มป้อง กันที่สองดังกล่าวมีความหนาของฟิล์มเป็น 400 ถึง 1000 แองสตรอม

5. ตัวกลางบันทึกแมกนีโตออพติคอลดังในข้อถือสิทธิ 1,2 หรือ 3 ในที่ซึ่งฟิล์มบันทึกแมกนีโตออพติคอลดังกล่าววประกอบด้วย 20-90% อะตอมของโลหะทรานซิชั่น 3D 5-30% อะตอมของโลหะทนต่อ การกัดกร่อน และ 5-50 % อะตอมของธาตุแวร์เอิร์ธ

6. ตัวกลางบันทึกแมกนีโตออพติคอลดังในข้อถือสิทธิ 1 หรือ 3 ในที่ซึ่งโละทนต่อการกัดกร่อนกล่าวคือ Pt และ/หรือ Pd

7. ตัวกลางบันทึกแมกนีโตออพติคอลดังในข้อถือสิทธิ 1,2 หรือ 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ในที่ซึ่ง ฟิล์มบันทึกแมกนีโตออพติคอลดัง กล่าวมีความหนาของฟิล์มเป็น 100-600 แองสตรอม

8. ตัวกลางบันทึกแมกนีโตออพติคอลดังในข้อถือสิทธิ 1,2 หรือ 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ในที่ซึ่ง ฟิล์มบันทึกแมกนีโตออพติคอลดัง กล่าวมีความหนาของฟิล์มเป็น 100-5000 แองสตรอม

9. ตัวกลางบันทึกแมกนีโตออพติคอลดังในข้อถือสิทธิ 1,2 หรือ 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ในที่ซึ่ง ซับสเทรทกล่าวประกอบด้วยโคโพลีเ มรอ์เชิงสุ่มไซโคลโอลีฟินที่มีค่าความหนืดจำกดั (n) เป็น 0.05-10 dl/g โดยโคโพลีเมอร์เชิงสุ่มดังกล่าว คือ โคโพลีเ มอร์ของเอทธิลีน และอย่างน้อยที่สุดหนึ่งไซโคลโอลีฟินที่ แสดงด้วยสูตรต่อไปนี้ (I) หรือ (II) (สูตรเคมี) ในที่ซึ่ง n คือ ศูนย์หรือ 1 m คือ ศูนย์ หรือเลจจำนวนเต็ม บวก R โดยเป็นอิสระจากกันคือ ไฮโดรเจน ฮาโลเจน หรือหมู่ ไฮโดรคาร์บอน R R อาจเชื่อมเข้าด้วยกันจัดตัวเป็น ริงโ มโน-หรือโพลีไซคลิคที่อาจจะมีดัลเบิลบอนด์ และ R ร่วมกับ R หรือ R ร่วมกับ R อาจจัดตัวเป็นหมู่อัลคิลิดีน (สูตรเคมี) ในที่ซึ่ง n คือ ศูนย์หรือ 1 m คือ ศูนย์ หรือเลจจำนวนเต็ม บวก R โดยเป็นอิสระจากกันคือ ไฮโดรเจน ฮาโลเจน หรือหมู่ ไฮโดรคาร์บอน อะโรมาติคไฮโดรคาร์บอน และอัลคอกซี และ R (หรือ R) และ R (หรือ R) อาจเชื่อมกันผ่านหมู่อัลิลีนที่มี คาร์บอน 1-3 อะตอม หรืออาจเชื่อมเข้าด้วยกันโดยไม่ต้องผ่าน หมู่ใดๆ เลย

10. ตัวกลางบันทึกแมกนีโตออพติคอลดังในข้อถือสิทธิ 1,2 หรือ 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ในที่ซึ่งซับสเทรทดังกล่าวประกอบด้วย โคโพลีเมอร์เชิงสุ่มไซโคลโอลีฟีน (A) ที่มีค่าความหนืด จำกัด (n) เป็น 0.05-10 dl/g เมื่อวัดในเดคาลินที่ 135 ซ และมีจุดอ่อนตัว (TMA) อย่างน้อยที่สุดเป็น 70 ซ โดยที่ดค โพลีเมอร์เชิงสุ่มดังกล่าวเป็นโคโพลีเมอร์ ของ (a) เอทธิ ลีน และ (b) อย่างน้อยที่สุดหนึ่งไซโคลโอลีฟินที่เลือกจาก หมู่ที่ประกอบด้วยโมโนเมอร์ไม่อิ่มตัวที่แสดงด้วยสูตร (I) หรือ (II) ดังบรรยายในข้อถือสิทธิข้อ 8

11. ตัวกลางบันทึกแมกนีโตออพติคอลดังในข้อถือสิทธิ 1,2 หรือ 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ในที่ซึ่งซับสเทรทดังกล่าวประกอบด้วย โคโพลีเมอร์เชิงสุ่มไซโคลโอลีฟีน (A) ที่มีค่าความหนืด จำกัด (n) เป็น 0.05-10 dl/g เมื่อวัดในเดคาลินที่ 135 ซ และมีจุดอ่อนตัว (TMA) อย่างน้อยที่สุดเป็น 70 ซ โดย ที่โคโพลีเมอร์เชิงสุ่มดังกล่าวเป็นโคโพลีเมอร์ของ (a) เอทธิลีน และ (b) อย่างน้อยที่สุดหนึ่งไซโคลโอลีฟินที่ เลือกจากหมู่ที่ประกอบด้วยโมโนเมอร์ไม่อิ่มตัวที่แสดงด้วย สูตร (I) หรือ (II) ดังบรรยายในข้อถือสิทธิข้อ 9 และโคโพ ลีเมอร์เชิงสุ่มไซโคลโอลีฟีน (A) ที่มีค่าความหนืดจำกัด (n) เป็น 0.05-10 dl/g เมื่อวัดในเดคาลินที่ 135 ซ และมี จุดอ่อนตัว (TMA) อย่างน้อยที่สุดเป็น 70 ซ โดยโคโพลีเมอร์ เชิงสุ่มดังกล่าวเป็นโคโพลีเมอร์ของ (a) เอทธิลีน และ (b) อย่างน้อยที่สุดหนึ่งไซโคลโอลิฟินที่เลือกจากโมโนเมอร์ที่ ไม่อิ่มตัวที่แสดงโดยสูตร (I) หรือ (II) ดังบรรยายในข้อถือ สิทธิข้อ 9

12. ตัวกลางบันทึกแมกนีโตออพติคอลชนิด 2 หน้า ดังในข้อถือ สิทธิ 3 ในที่ซึ่ง ตัวกลางบันทึกแมกนีโตออพติคอลที่หนึ่ง และ/หรือตัวกลางตัวกลางบันทึกแมกนีโตออพติคอลที่สองดัง กล่าวมีสารปิดคลุมอยู่บนชั้นโลหะดังกล่าว

13. ตัวกลางบันทึกแมกนีโตออพติคอลดังในข้อถือสิทธิ 1 ในที่ ซึ่งตัวกลางตัวกลางบันทึกแมกนีโตออพติคอลดังกล่าวยังมีสาร ปิดคลุมอยู่บนชั้นโลหะดังกล่าว (ข้อถือสิทธิ 13 ข้อ, 4 หน้า, 2 รูป)