TR201711460A2 - Işik tespi̇ti̇ i̇çi̇n bi̇r sensör - Google Patents

Işik tespi̇ti̇ i̇çi̇n bi̇r sensör Download PDF

Info

Publication number
TR201711460A2
TR201711460A2 TR2017/11460A TR201711460A TR201711460A2 TR 201711460 A2 TR201711460 A2 TR 201711460A2 TR 2017/11460 A TR2017/11460 A TR 2017/11460A TR 201711460 A TR201711460 A TR 201711460A TR 201711460 A2 TR201711460 A2 TR 201711460A2
Authority
TR
Turkey
Prior art keywords
line
sensor
base
feature
unit
Prior art date
Application number
TR2017/11460A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiliç Hali̇l
Original Assignee
Hat Teknoloji A S
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hat Teknoloji A S filed Critical Hat Teknoloji A S
Priority to PCT/TR2018/050409 priority Critical patent/WO2019103710A2/en
Publication of TR201711460A2 publication Critical patent/TR201711460A2/tr

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10Semiconductor bodies
    • H10F77/14Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10Semiconductor bodies
    • H10F77/14Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
    • H10F77/148Shapes of potential barriers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/20Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising photovoltaic cells in arrays in or on a single semiconductor substrate, the photovoltaic cells having planar junctions
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/40Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising photovoltaic cells in a mechanically stacked configuration
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/80Encapsulations or containers for integrated devices, or assemblies of multiple devices, having photovoltaic cells
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/90Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers
    • H10F19/902Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers for series or parallel connection of photovoltaic cells
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10Semiconductor bodies
    • H10F77/14Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
    • H10F77/147Shapes of bodies
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/93Interconnections
    • H10F77/933Interconnections for devices having potential barriers
    • H10F77/935Interconnections for devices having potential barriers for photovoltaic devices or modules
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/40Optical elements or arrangements
    • H10F77/42Optical elements or arrangements directly associated or integrated with photovoltaic cells, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H10F77/488Reflecting light-concentrating means, e.g. parabolic mirrors or concentrators using total internal reflection
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52PV systems with concentrators

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

Mevcut buluş, maruz kaldığı ışıkla ilişkili sinyal oluşturmak üzere, bir birinci önceden belirlenmiş enerji seviyesine sahip ışığa maruz kalınmasına reaksiyon verecek şekilde konfigüre edilen ve bir birinci akımın oluşturulmasına neden olan yarıiletken malzemeden yapılan bir birinci altlığa (111) sahip bir birinci birimi (101) içeren bir sensördür (10). Mevcut buluşun özelliği; bahsedilen birinci birimin (101), aralarında bir birinci birleşme bölgesi (131) tanımlamak için kaydırılmış bir şekilde birinci altlık (111) üzerinde düzenlenen bir ikinci altlığa (112) sahip olması; bahsedilen ikinci altlığın (112), ikinci bir önceden-belirlenmiş enerji seviyesine sahip ışığa maruz kalınmasına reaksiyon verecek şekilde konfigüre edilen ve bir ikinci akımın oluşmasına neden olan yarıiletken malzemeden yapılmış olması ve sensörün (10), ilâve olarak, üzerindeki akımı ölçecek şekilde adapte edilen birinci altlığa (111) bağlanan bir birinci ölçüm aracını (161) ve üzerindeki akımı ölçecek şekilde adapte edilen ikinci altlığa (112) bağlanan bir ikinci ölçüm aracını (162), aralarında bir ikinci birleşme bölgesi (132) tanımlamak için kaydırılmış bir şekilde ikinci altlığın (112) altında düzenlenen bir üçüncü altlığı (113) ve üçüncü altlığa (113) bağlanan ve üzerindeki akımı ölçecek şekilde adapte edilen bir üçüncü ölçüm aracını (163) içermesi ve birinci altlık (111) ve üçüncü altlık (113) arasında bir dielektrik bölgenin (150) sağlanmış olmasıdır.

Description

TARIFNAME TEKNIK ALAN Mevcut bulus, maruz kaldigi isikla iliskili sinyal olusturmak üzere, bir birinci altliga sahip bir birinci birimi içeren bir sensörle ilgilidir. Bahsedilen birinci altlik, yariiletken malzemeden yapilmaktadir ve bahsedilen yariiletken malzeme, bir birinci önceden belirlenmis enerji seviyesine sahip isiga maruz kalinmasina reaksiyon verecek sekilde konfigüre edilmekte ve bu da, bir birinci akimin olusturulmasina neden olmaktadir. ÖNCEKI TEKNIK Sensör mekanizmasi, anot ve katot arasindaki isiktan etkilenen bir aktif katmani içermektedir. Sensör için, amaç, aktif katman için belirli frekanslarda/olaylarda pozitif ve negatif üzerinden elektrik sinyali almaktir. Alinan sinyal, dinamik, hizli, açik, kararli ve sürekli olarak tekrarlanabilir olmalidir. Sensörler, her türlü elektronik devrede kullanilabilmektedir. Elektronik devreler; otomotiv, medikal cihazlar, radar, gece görüs gözlükleri ve uzay gibi uygulama alanlarinda kullanilmaktadir. Sensörde bulunan aktif katman, kullanilan uygulama alanina göre (gerekli oldugu sekilde) düzenlenmektedir. Sensörlerin duyarliligini artirmak için, aktif katmanin basarisini artiran yöntemler uygulanmaktadir. Optik sensörlerde, aktif katmanlar, birbirinin üstüne istiflenmekte ve duyarlilik yönlendirilmektedir. Ancak, bu durumda, isiga maruz kalan katman sayisi bir ya da birkaç tanedir ve bu durum, duyarlilik gibi özellikleri sinirlandirmaktadir. Bu düzen, ayrica günes hücrelerinde de kullanilmaktadir. BULUSUN KISA AÇIKLAMASI Mevcut bulusun amaci, yüksek duyarliliga ve ayarlanabilir örnekleme frekansina sahip bir sensör ortaya koymaktir. Bulusun baska bir amaci, farkli enerji seviyelerine sahip isiklarin özelliklerini ölçebilen bir sensör ortaya koymaktir. Yukarida bahsedilen ve asagidaki detayli anlatimdan ortaya çikacak tüm amaçlari gerçeklestirmek üzere mevcut bulus, maruz kaldigi isikla iliskili sinyal olusturmak üzere, bir birinci önceden belirlenmis enerji seviyesine sahip isiga maruz kalinmasina reaksiyon verecek sekilde konfigüre edilen ve bir birinci akimin olusturulmasina neden olan yariiletken malzemeden yapilan bir birinci altliga sahip bir birinci birimi içeren bir sensör olup özelligi; bahsedilen birinci birimin, aralarinda bir birinci birlesme bölgesi tanimlamak için kaydirilmis bir sekilde birinci altlik üzerinde düzenlenen bir ikinci altliga sahip olmasi; bahsedilen ikinci altligin, ikinci bir önceden-belirlenmis enerji seviyesine sahip isiga maruz kalinmasina reaksiyon verecek sekilde konfigüre edilen ve bir ikinci akimin olusmasina neden olan yariiletken malzemeden yapilmis olmasi ve sensörün, ilâve olarak, üzerindeki akimi ölçecek sekilde adapte edilen birinci altliga baglanan bir birinci ölçüm aracini ve üzerindeki akimi ölçecek sekilde adapte edilen ikinci altliga baglanan bir ikinci ölçüm aracini, aralarinda bir ikinci birlesme bölgesi tanimlamak için kaydirilmis bir sekilde ikinci altligin altinda düzenlenen bir üçüncü altligi ve üçüncü altliga baglanan ve üzerindeki akimi ölçecek sekilde adapte edilen bir üçüncü ölçüm aracini içermesi ve birinci altlik ve üçüncü altlik arasinda bir dielektrik bölgenin saglanmis olmasidir. Bulusun muhtemel bir yapilanmasinda, ikinci önceden belirlenmis enerji seviyesi, birinci önceden belirlenmis enerji seviyesinden farklidir. Bulusun muhtemel bir baska yapilanmasinda, bahsedilen birinci birim, ilâve olarak, aralarinda bir üçüncü birlesme bölgesini tanimlayan ve ikinci katkili altliga temas etmeksizin üçüncü altlik üzerinde ya da altinda ya da yaninda düzenlenen bir dördüncü altligi içermektedir. Bulusun muhtemel bir baska yapilanmasinda, bahsedilen birinci birim, ilâve olarak, dördüncü altliga baglanan ve üzerindeki akimi ölçecek sekilde adapte edilen bir dördüncü ölçüm aracini içermektedir. Bulusun muhtemel bir baska yapilanmasinda, bahsedilen birinci birim, ilâve olarak, aralarinda bir dördüncü birlesme bölgesini tanimlayan ve ikinci ya da dördüncü katkili altliga temas etmeksizin birinci altlik üzerinde ya da altinda ya da yaninda düzenlenen bir besinci altligi içermektedir. Bulusun muhtemel bir baska yapilanmasinda, bahsedilen birinci birim, ilâve olarak, besinci altliga baglanan ve üzerindeki akimi ölçecek sekilde adapte edilen bir besinci ölçüm aracini içermektedir. Bulusun muhtemel bir baska yapilanmasinda, aralarinda bir birlesme bölgesi tanimlayacak sekilde altliklarindan biri vasitasiyla birinci birimin dördüncü ya da besinci altligina baglanan ve birinci birimle benzer yapiya sahip bir ikinci birimi içermektedir. Bulusun muhtemel bir baska yapilanmasinda, birinci birim ve bahsedilen ikinci birim, birbirine göre elektriksel olarak seri ya da paralel biçimde düzenlenmistir. Bulusun muhtemel bir baska yapilanmasinda, bahsedilen birinci birim, birimler içerisinden akim akisi saglayan bir güç kaynagina baglanmistir. Bulusun muhtemel bir baska yapilanmasinda, altliklardan biri, farkli katki oranina sahiptir ya da birbirinden farkli malzemeden yapilmistir. Bulusun muhtemel bir baska yapilanmasinda, bir altligin hacmi ve bununla iliskili birlesme bölgesinin hacmi arasindaki oran, 250'den büyüktür. Bulusun muhtemel bir baska yapilanmasinda, her bir altlik, komsu bir katkili altlikla birlesme bölgesinin olusumuna imkân vermek için, en az bir düz yüzle prizmatik biçimdedir. Bulusun muhtemel bir baska yapilanmasinda, ölçüm aracina baglanan ve ölçüm araçlarindan alinan akim degerine bagli olarak sinyalleri olusturacak sekilde adapte edilen bir kontrol birimini içermektedir. Bulusun muhtemel bir baska yapilanmasinda, birbirine elektriksel olarak seri ya da paralel biçimde baglanan çok sayidaki birime sahip en az bir birinci hatti içermekte ve bahsedilen birinci hatla benzer yapiya sahip en az bir ikinci hatti içermektedir ve birinci hat ve bahsedilen ikinci hat, elektriksel olarak seri ya da paralel olarak birbirine baglanmistir. Bulusun muhtemel bir baska yapilanmasinda, ilâve olarak, bir üçüncü hatti içermekte, bahsedilen birinci hat, bahsedilen ikinci hat ve bahsedilen üçüncü hat, bir birinci uca ve bir ikinci uca sahip olmakta ve birinci hat, ikinci hat ve üçüncü hat, birbirine elektriksel olarak paralel olmakta; ilâve olarak, açik durumda oldugunda, diger hatlarla birinci hat arasindaki baglantiyi ayiran birinci hattin birinci ucuna baglanan bir birinci anahtar elemanini, açik durumda oldugunda, diger hatlarla birinci hat arasindaki baglantiyi ayiran birinci hattin ikinci ucuna baglanan bir ikinci anahtar elemanini, açik durumda oldugunda, diger hatlarla ikinci hat arasindaki baglantiyi ayiran ikinci hattin birinci ucuna baglanan bir üçüncü anahtar elemanini, açik durumda oldugunda, diger hatlarla ikinci hat arasindaki baglantiyi ayiran ikinci hattin ikinci ucuna baglanan bir dördüncü anahtar elemanini, açik durumda oldugunda, diger hatlarla üçüncü hat arasindaki baglantiyi ayiran üçüncü hattin birinci ucuna baglanan bir besinci anahtar elemanini ve açik durumda oldugunda, diger hatlarla üçüncü hat arasindaki baglantiyi ayiran üçüncü hattin ikinci ucuna baglanan bir altinci anahtar elemanini içermekte; ilâve olarak, bir birinci yönde akimin akmasi saglanacak sekilde adapte edilen ikinci hattin ikinci ucu ve birinci hattin birinci ucu arasinda düzenlenen bir birinci diyotu ve üçüncü hattin birinci ucu ve ikinci hattin ikinci ucu arasinda düzenlenen bir ikinci diyotu içermekte; bahsedilen kontrol birimi, hatlar, y-baglantida ya da delta-baglantisinda baglanacak sekilde anahtar elemanlarinin durumlari kontrol edilecek sekilde konfigüre edilmis olmaktadir. Bulusun muhtemel bir baska yapilanmasinda, bahsedilen anahtar elemanlari, yariiletken malzemelerden yapilmistir. Bulusun muhtemel bir baska yapilanmasinda, birinci anahtar elemani, ikinci anahtar elemani, üçüncü anahtar elemani, dördüncü anahtar elemani, besinci anahtar elemani, altinci anahtar elemani, birinci diyot, ikinci diyot, birinci hat, ikinci hat ve üçüncü hat, tek bir çip içerisinde olusturulmustur. Bulusun muhtemel bir baska yapilanmasinda, üzerinde düzenlenen altligin isigina maruz kalan en az bir yüzü en azindan kismen kapatacak sekilde, çok sayidaki altlik üzerinde çok sayidaki optik filtreyi içermektedir ve bahsedilen kontrol birimi, bahsedilen optik filtrelerin çalisma durumunu kontrol edecek sekilde konfigüre edilmistir. Bulusun muhtemel bir baska yapilanmasinda, besinci altlik ve dördüncü altlik arasinda düzenlenen bir ikinci dielektrik bölgeyi içermektedir. Bulusun muhtemel bir baska yapilanmasinda, bahsedilen kontrol birimi, ilâve olarak, birimlere saglanan enerji kaynaginin gerilim ya da akim seviyesini kontrol edecek sekilde konfigüre edilmistir. SEKILLERIN KISA AÇIKLAMASI Mevcut bulusun örnek niteligindeki yapilanmalari çizimlerde gösterilmektedir ve asagidaki açiklamada daha detayli olarak açiklanacaktir. Sekil 1"de, sensörün üstten görünümünü gösteren bir çizim ve örnek niteligindeki bir yapilanmada sensörde konumlanan bir birimin detayli bir görünümü verilmistir. Sekil 2'de, sensörün örnek niteligindeki bir yapilanmasinda bir sensör birimini gösteren bir çizim verilmistir. Sekil 3'te, sensörün örnek niteligindeki bir yapilanmasinda bir sensör biriminin detayli görünümünü gösteren bir çizim verilmistir. Sekil 4'te, sensörün örnek niteligindeki bir yapilanmasinda bir hatti gösteren çizim verilmistir. Sekil 5'te, sensörün örnek niteligindeki bir yapilanmasinda bir hattin ve transistörün benzerligini gösteren bir çizim verilmistir. Sekil 6'da, sensörün örnek niteligindeki bir yapilanmasinda bir sensör birimini gösteren bir çizim verilmistir. Sekil 7*de, sensörün örnek niteligindeki bir yapilanmasinda bir hattin bir kismini gösteren bir çizim verilmistir. Sekil Side, sensörün örnek niteligindeki bir yapilanmasinda bir sensör birimini gösteren bir çizim verilmistir. Sekil 9"da, sensörün örnek niteligindeki bir yapilanmasinda bir hattin bir kismini gösteren bir çizim verilmistir. Sekil 10'da, sensörün örnek niteligindeki bir yapilanmasinda bir hattin bir kismini gösteren bir çizim verilmistir. Sekil 11'de, sensörün örnek niteligindeki bir yapilanmasinda bir sensör birimini gösteren bir çizim verilmistir. Sekil 12'de, sensörün örnek niteligindeki bir yapilanmasinda bir hattin bir kismini gösteren bir çizim verilmistir. Sekil 131te, sensörün örnek niteligindeki bir yapilanmasinda bir sensör birimini ve ölçüm araçlariyla baglantilarini gösteren bir çizim verilmistir. Sekil 14'te, sensörün örnek niteligindeki bir yapilanmasinda bir hattin bir kismini gösteren bir çizim verilmistir. Sekil 15'te, sensörün örnek niteligindeki bir yapilanmasinda bir hattin ve optik filtrelerle baglantilarini gösteren bir çizim verilmistir. Sekil 16'da, örnek niteligindeki bir yapilanmada sensörü ve bir kontrol birimiyle baglantilarini gösteren bir blok diyagram verilmistir. BULUSUN DETAYLI AÇIKLAMASI Buradaki yapilanmalar ve bu yapilanmalarin çesitli özellikleri ve avantajli detaylari, asagidaki açiklamada detayli olarak verilen ve ekteki çizimlerde gösterilen sinirlandirici olmayan yapilanmalara atfen daha kapsamli olarak açiklanmaktadir. Iyi bilinen bilesenlerin ve isleme yöntemlerinin açiklamalari, buradaki yapilanmalari gereksiz bir sekilde engellememek adina ihmal edilmektedir. Burada kullanilan örneklerin tek amaci, buradaki yapilanmalarin uygulanabilecegi yöntemlerin anlasilmasini kolaylastirmak ve teknikte uzman kimselerin buradaki yapilanmalarin uygulamasini mümkün kilmaktir. Buna göre, örneklerin, buradaki yapilanmalarin kapsamini sinirlandirdigi düsünülmemelidir. Sekil 1ie atfen, bulus konusu sensör (10), esasen yukari ve asagi giden merdivenleri hatirlatan kademeli bir konfigürasyon olusturmak için kaydirilmis bir sekilde birbirinin üstünde düzenlenen çok sayidaki altliktan (110) yapilan ve bir birinci terminalden (181) ve bir ikinci terminalden (182) baslayarak bu konfigürasyonu tekrarlayan çok sayidaki hatti içermektedir. Sekil 1'e atfen, mevcut bulus, bir sensör (10) olup, esasen, çok sayidaki altliga (110) sahip isigin alinmasi için en az bir birimi içermektedir. Bahsedilen altliklar (110), bir üst yüze (141), bir alt yüze (143) ve yan yüzlere (142) sahip prizmatik formdadir. Bahsedilen altliklar (110), yukari dogru çikan ve daha sonra asagi dogru giden merdiven-benzeri bir konfigürasyon tanimlamak için, birbirinin üstünde ve birbirinin altinda kaymis bir sekilde düzenlenmektedir. Böylece, her bir altligin (110) üst tarafi, bir komsu altligin (110) alt yüzüne (143) bagli olsa bile, en azindan kismen isiga maruz kalmaktadir. Bahsedilen altliklar (110), katkili yariiletken malzemelerden yapilmakta ve bahsedilen yariiletken malzemeler, önceden belirlenmis enerji seviyesine sahip isiga maruz kalinmasina reaksiyon verecek sekilde konfigüre edilmektedir. Bu reaksiyon, birim içerisinden akim akisina neden olmaktadir. En az bir altlik (110), farkli yariiletken malzemeden yapilmakta ya da digerlerinden farkli hizlarda katki uygulanmakta ve bu da, farkli enerji seviyesine sahip isikla reaksiyona girmesine imkan vermektedir. Bu enerji seviyeleri, dalga boyu ya da yogunluk tarafindan tanimlanabilmektedir. Birbiriyle baglantisi olan her bir altlik (110) arasinda bir birlesme bölgesi (130) olusturulmaktadir. Bahsedilen bölgeler, isik nedeniyle olusan altliklar (110) arasinda elektron geçisine imk^an vermektedir. Altliklara (110) çok sayida ölçüm araci (160) baglanmakta ya da her birinden geçen akimi ölçmektedir. Sekil 6'ya atfen, mevcut bulusun muhtemel bir yapilanmasinda, sensör (10), bir birinci altliga (111) sahip bir birinci birimi (101), birinci altlik (111) ve ikinci altlik arasinda bir birinci birlesme bölgesi (131) tanimlayan kaydirilmis bir sekilde bahsedilen birinci altlik (111) üzerinde düzenlenen bir ikinci altligi içermektedir. Baska bir deyisle, bahsedilen ikinci altligin alt yüzü (143), birinci altligin (111) üst yüzüne (141) baglanmaktadir. Bahsedilen birinci birlesme bölgesi (131), birinci altligin (111) üst yüzünü (141) ve ikinci altligin alt yüzünü (143) sadece kismen kapatmakta ve böylece, birinci altligin (111) ve ikinci altligin, iki basamaga sahip bir merdiven konfigürasyonuna benzer olmasini saglamaktadir. Altliklar (110), Bizmut Tellür (BiTe) ya da Silikon-Germanyumdan (SiGe) yapilabilmektedir. Daha özellikle, ancak zorunlu olmayacak sekilde, bahsedilen altliklar (110), AIInP2 GalnP2, GalAs, AIGalAs, GaAs, GaAs, Bi2Te3*ten yapilabilmektedir. Onceki teknikteki sensörler (10); bir taban altligi (110) ve aralarinda bir birlesme bölgesi (130) tanimlayan bahsedilen taban altligin (110) üst kismina yerlestirilen bir üst altligi (110) tamamen kapatilmaktadir. Ust yüzün (141) hacminin artirilmasi, birlesme bölgesinin (130) hacmini artirmakta ve böylece, aralarindaki elektriksel dayanimi artirmaktadir. Daha büyük birlesme bölgesine (130) ve daha büyük elektriksel dirence sahip olunmasi, alana ve dirence oranli olarak, elektronlarin birlesme bölgesinden (130) geçisinin daha yavas olmasina sebep olmaktadir. Bu nedenle, bahsedilen sensörün (10) duyarliligi azalmakta ve reaksiyon süresi artmaktadir. Bu kademeli konfigürasyon, birlesme bölgesinin (130) hacmi ya da alani seçilebilirken, olusan altliklarin (110) degisen hacimlerde olmasina imkân vermektedir. Böylece, altliklarin (110) hacmi artmakta ve birlesme bölgesi (130) önceden belirlenmis bir hacimde tutulmakta ve sensörün (10) reaksiyon süresi artmakta ve duyarlilik artmaktadir. Tercihen, bir altligin (110) hacminin, söz konusu bölgeyle iliskili bir bölgenin hacmine orani, 250'den büyüktür. Ikinci altlik (112) altinda, aralarinda bir ikinci birlesme bölgesi (132) tanimlayacak sekilde kaydirilmis biçimde bir üçüncü altlik (113) yer almaktadir. Birinci altlik (111) ve üçüncü altlik (113) arasinda, bir birinci dielektrik bölge (151) olusturulmaktadir. Bir üçüncü birlesme bölgesi (133) tanimlamak üzere kaydirilmis sekilde birinci altligin (111) altinda bir dördüncü altlik (114) yer almaktadir. Altliklardan (110) en azindan biri, digerlerinden daha farkli enerji seviyesine sahip bir isiga reaksiyon verecek sekilde konfigüre edilmektedir. Birinci altliktan (111) geçen akimi ölçen birinci altliga, bir birinci ölçüm araci (161) baglanmaktadir. Baglandiklari altliklar (110) içerisinden geçen akimlari ölçmek için, ikinci altliga (112) bir ikinci ölçüm araci (162) baglanmakta ve üçüncü altliga (113) bir üçüncü ölçüm araci (163) baglanmakta ve dördüncü altliga (114) bir dördüncü ölçüm araci baglanmaktadir. Olçüm araci (160), tercihen mikro-amper seviyesinde akimi ölçebilen bir multimetre olabilmektedir. Bu yapilanmadaki sensör (10), ilave olarak, bir ikinci altligi (112) içermektedir. Bahsedilen ikinci altlik (112), birinci altliga (111) baglanmaktadir. Bahsedilen ikinci altlik (112), birinci altliga (111) benzer yapiya sahiptir ve altliklarindan (110) biri vasitasiyla birinci birimin üçüncü altliginin (113) alt yüzüne (143) baglanmaktadir. Sensör (10), biri, ikinci birime (102) baglanan ve digerleri, bunu izleyerek ardisik olarak birbirine baglanan çok sayidaki birimi içerebilmekte ve her bir birim dahilinde yukari ve asagi giden tekrarlayan bir merdiven modeli olusturabilmektedir. Birinci birim ve ikinci birim (102) ya da birinci birim, ikinci birim (102) ve çok sayidaki birim, bir birinci hatti (191) tanimlamaktadir. Seçilebilir akimi ya da gerilimi saglayan birinci birime ya da birinci hatta (191) bir güç kaynagi baglanmaktadir. Bahsedilen birinci hat (191), bir dielektrik katman üzerinde düzenlenmekte ve bahsedilen dielektrik katman, bir taban katman üzerinde düzenlenmektedir. Bahsedilen taban katman, borosilikat ya da silisyumdan yapilabilmektedir. Birimlere ya da hatlara gerilimin ya da akimin uygulanmasi, altliklardan (110) bir reaksiyon almak için uygulanmasi gereken minimum enerji seviyesi için esik degerini azaltmaktadir. Bu, sensörün (10) yogunlugunu artirmakta ve böylece, belirgin sekilde düsük enerji seviyesine sahip isiklarin ölçülmesine imkân vermektedir. Tablo 1'de, borosilikat bir taban üzerinde aydinlik ve karanlik odada gerçeklestirilen ölçümler gösterilmektedir. Gerilim, bir birinci terminalden (181) hatta (190) kademeli olarak uygulanmakta ve ikinci terminalde (182) alinan akim ölçülmektedir. Altliklardan (110) birine bir üçüncü terminal (183) baglanmaktadir. Bahsedilen üçüncü terminal (183), altliga (110) gerilimi beslemekte ve birinci terminalden (181) ikinci terminale (182) ve ikinci terminalden (182) birinci terminale (181) akim akisini mümkün kilan bir kapi terminali olarak islev göstermektedir. Tabloda görüldügü gibi, birinci terminal (181) üzerindeki gerilim kademeli olarak artirildiginda, sensörden (10) alinan akim, ayrica gerilim artim oranindan daha fazla artirilmaktadir. Gerilim artisi, sensörün (10) reaksiyon esik degerini azaltmaktadir. Tablo 1"de, bir silisyum taban plakasi (300) üzerinde BiTe altliklarina (110) sahip bir birinci hatta (191) sahip sensör (10) üzerinde aydinlik ve karanlik oda sartlari altinda gerçeklestirilen ölçümler gösterilmektedir. Üçüncü terminalin (183) konumu, ölçülecek isiga göre ayarlanabilmektedir. Üçüncü terminalin (183) ikinci terminale (182) ya da birinci terminale (181) daha yakin konumlanmasi, sensörün (10) reaksiyon esik degerini degistirmektedir. Üçüncü terminal (183), 1,5 mV kadar düsük bir gerilime sahip olabilmektedir. Birinci hattaki (191) altliklar (110), önceden belirlenmis bir bant genisligi dahilinde dalga boylarina sahip isiklara reaksiyon verecek sekilde konfigüre edilebilmektedir. Sensör (10), çok sayidaki hatti (190) içerebilmektedir. Her bir hat (190), önceden-belirlenmis farkli bant genislikleri dahilinde dalga boylarina sahip isiklara reaksiyon verecek sekilde konfigüre edilen altliklari (110) içerebilmektedir. Bu, daha genis bir isik algilama araligi saglamaktadir. Birinci hatta (191) beslenmekte olan güç kaynaginin akimini ya da gerilimini kontrol etmek için bir kontrol birimi (400) konfigüre edilmektedir. Bahsedilen kontrol birimi (400), yariiletken esasli isleme araci, örnegin, EEPROM, FPGA olabilmektedir. Muhtemel bir yapilanmada, sensör (10), çoklu optik filtreleri (200) içerebilmektedir. Bahsedilen optik filtreler (200), açik ve kapali durumlar arasinda ya da önceden belirlenmis dalga boylarinin ya da önceden belirlenmis polarizasyonlarin engellenmesinin farkli durumlari arasinda anahtarlama yapacak sekilde adapte edilmektedir. Bahsedilen filtreler, bahsedilen kontrol birimine (400) baglanabilmekte ve kontrol birimi (400), bahsedilen filtreleri kontrol edecek sekilde konfigüre edilebilmektedir. Her bir optik filtre (200), altliklardan (110) en azindan biri üzerinde düzenlenebilmektedir. Tercihen, her bir optik filtre (200), her bir altlik (110) üzerinde düzenlenmektedir. Optik filtreler (200), altliklardan en azindan birinin üst yüzünü (141) en azindan kismen kapatacak sekilde düzenlenebilmektedir. Alternatif olarak, optik filtreler (200), ayni sekilde altliklarin (110) yan yüzlerini (142) kapatacak sekilde düzenlenebilmektedir. Her bir filtre, kontrol birimi (400) tarafinda münferit olarak kontrol edilebilmektedir. Sekil 16'ya göre muhtemel bir yapilanmada, bulus konusu, birinci hatti (191), ikinci hatti birbirlerine elektriksel olarak paralel biçimde baglanmaktadir. Her bir hat (190), bir birinci uca ve bir ikinci uca sahiptir. Iletkenler vasitasiyla birinci uçlari birbirine ve ikinci uçlari birbirine baglayarak paralellik saglanmaktadir. Birinci hattin (191) baglantisini diger hatlardan ayiran birinci hattin (191) birinci ucuna bir birinci anahtar elemani (401) baglanmaktadir. Bahsedilen birinci anahtar elemani (401), bir açik durum ve bir kapali durum arasinda anahtarlama yapacak sekilde konfigüre edilmekte ve bahsedilen açik durum, baglantinin koparildigi durum ve bahsedilen kapali durum, birinci hat (191) ve diger hatlar (190) arasinda baglantinin saglandigi durum olmaktadir. Birinci hattin (191) ikinci ucuna, bir ikinci anahtar elemani (402) baglanmakta ve bahsedilen ikinci anahtar elemani (402), birinci anahtar elemanina (401) benzer olmaktadir. Ikinci hattin (192) birinci ucuna bir üçüncü anahtar elemani (403) baglanmakta ve bahsedilen ikinci anahtar elemani (402), birinci anahtar elemanina (401) benzer olmaktadir. Ikinci hattin (192) ikinci ucuna, bir dördüncü anahtar elemani (404) baglanmaktadir. Bahsedilen üçüncü anahtar elemani (403), birinci anahtar elemanina (401) benzer olmaktadir. Bir besinci anahtar elemani (405), üçüncü hattin (193) birinci ucuna baglanmakta ve bahsedilen besinci anahtar elemani (405), birinci anahtar elemanina (401) benzer olmaktadir. Uçüncü hattin (193) ikinci hattina (192) baglanan bir altinci anahtar elemani (406) mevcuttur. Bahsedilen altinci anahtar elemani (406), birinci anahtar elemanina (401) benzerdir. Birinci hattin (191) ikinci ucu ve ikinci hattin (192) birinci ucu arasina bir birinci diyot (411) baglanmakta ve sadece birinci hattin (191) ikinci ucundan ikinci hattin (192) birinci ucuna akimin akmasina imkân vermektedir. Ikinci hattin (192) ikinci ucu ve üçüncü hattin (193) birinci ucu (191) arasinda bir ikinci diyot (412) baglanmakta ve sadece ikinci hattin (192) ikinci ucundan üçüncü hattin (193) birinci ucuna akimin akmasina imkan vermektedir. Güç kaynagi, ayrica paralel hatlarin (190) birinci uçlarina ve paralel hatlarin (190) ikinci uçlarina da baglanmaktadir (ya da hatlarin ikinci hatlarina (192) bir toprak baglantisi baglanmaktadir) ve anahtar elemanlari, ayrica uçlardan güç kaynaginin baglantisini da ayirmaktadir. Anahtar elemanlari ayrica kontrol birimine de (400) baglanmaktadir. Kontrol birimi (400), bahsedilen baglanti üzerinden anahtar elemanlarinin durumlari kontrol edilecek sekilde de konfigüre edilmektedir. Kontrol birimi (400), hatlar (190) y-baglanacak sekilde anahtar elemanlarini kontrol edecek biçimde konfigüre edilmektedir. Kontrol birimi (400), hatlar (190) delta-baglanacak sekilde anahtar elemanlarini kontrol edecek biçimde de konfigüre edilmektedir. Delta-baglantisinda, birinci hat (191) ve ikinci hat (192), birbirine seri olabilmekte ve üçüncü hat (193), bunlara paralel olabilmektedir. Anahtar elemanlari; özellikle transistörlere önceden-belirlenmis bir enerji uygulandiginda, akim akisina izin verecek ve akim geçisini engelleyecek sekilde adapte edilen yariiletken cihazlar olabilmektedir. Sekil 9'a göre muhtemel bir yapilanmada, birinci birim (101), birinci altligi (111), aralarinda birinci birlesme bölgesini (131) tanimlayan kaydirilmis bir sekilde birinci altlik (111) üzerinde düzenlenen bir ikinci altligi (112), aralarinda ikinci birlesme bölgesini (132) tanimlayan kaydirilmis bir sekilde ikinci altligin (112) altinda düzenlenen bir üçüncü altligi (113), aralarinda birinci birlesme bölgesini (131) tanimlayan kaydirilmis bir sekilde ve ikinci altliga (112) temas etmeksizin üçüncü altlik (113) üzerinde düzenlenen dördüncü altligi (114) içerebilmektedir. Ikinci birim (102), birinci birime (101) benzerdir ve ara birlesme bölgesini (135) tanimlayan altliklardan (110) biri vasitasiyla dördüncü altligin (114) üst yüzüne (141) baglanmaktadir. Bir hat (190) tanimlayacak sekilde ardisik olarak çoklu birimler baglanabilmektedir. Sekil 2 ya da 3'e göre baska bir muhtemel yapilanmada, birinci birim (101), birinci altligi (111), aralarinda birinci birlesme bölgesini (131) tanimlayan kaydirilmis bir biçimde birinci altlik (111) üzerinde düzenlenen ikinci altligi (112), aralarinda ikinci birlesme bölgesini (132) tanimlayan kaydirilmis bir biçimde ikinci altligin (112) altinda düzenlenen üçüncü altligi (113), birinci birim (101) ve ikinci birim (102) arasinda saglanan birinci dielektrik bölgeyi (151) ve bir üçüncü birlesme bölgesini (133) tanimlayan kaydirilmis bir biçimde birinci altligin (111) altinda düzenlenen dördüncü altligi (114) ve bir dördüncü birlesme bölgesi (134) tanimlayan kaydirilmis bir biçimde üçüncü altligin (113) altinda düzenlenen bir besinci altligi (115) içerebilmektedir. Dördüncü altlik (114) ve bahsedilen besinci altlik (115) arasinda bir ikinci dielektrik bölge (152) saglanmaktadir. Bahsedilen ikinci dielektrik bölgenin (152) hacmi, birinci dielektrik bölgenin hacminden daha büyüktür, baska bir deyisle, birinci altlik (111) ve ikinci altlik (112) arasindaki mesafe, dördüncü altlik (114) ve besinci altlik (115) arasindaki mesafeden daha azdir. Böylece, birinci birim (101), yukari giden iki basamaga (örnegin, dördüncü altlik, birinci altlik), bir üst basamaga (örnegin, ikinci altlik) ve asagi giden iki basamaga (örnegin, üçüncü altlik, besinci altlik) sahip merdiven-benzeri bir görünümü hatirlatmaktadir. Ikinci birim (102), birinci birime (101) benzerdir ve ara birlesme bölgesini (135) tanimlayan altliklarindan (110) biri vasitasiyla besinci altligin (115) yan yüzüne baglanmaktadir. Çoklu birimler, birinci birimden (101) ve bir hat (190) tanimlayan ikinci birimden (102) baslayarak arka arkaya baglanabilmektedir. Sekil 11'e göre baska bir muhtemel yapilanmada, birinci birim (101), Sekil 10'daki yapilanmaya benzer olabilmektedir. Bu yapilanmadaki ikinci birim (102), Sekil 2'deki ikinci birime (102) benzerdir. Ikinci birim (102), ara birlesme bölgesini (135) tanimlayan altliklarindan (110) biri vasitasiyla üçüncü altligin (113) alt yüzüne (143) baglanmaktadir. Kontrol birimi (400), altliklar (110), ölçüm araçlarinin (160) baglantilari, anahtar elemanlari, diyotlar, tek bir entegre devrede olusturulabilmekte ve böylece, tertibatin toplam direnci azaltilmaktadir. Sensör (10), altliklar (110) olusturulabilmekte ve ölçüm araçlarinin (160) altliklara baglantisi, yariiletken cihaz üretim yöntemlerinin kullanilmasiyla gerçekIestirilebilmektedir. Sensör (10), kullanilabilmektedir. ayrica diger her türlü elektromanyetik isimanin tespiti için de BiTe Isik altindaki altlik BiTe-Koyu altlik A l (Amper) Volt :Aydinlik- (U) Amper (l) Amper (I) Karanlik BiTe-Alttas BiTe-Alttas Koyu altlik A I (Amper) Volt (U) Amper (I) Amper (I) = Aydinlik- Karanlik SEKILDE VERILEN REFERANS NUMARALARI Sensör 100 Sensör birimi 101 Birinci birim 102 Ikinci birim 110 AItIik 111 Birinci altlik 112 Ikinci altlik 113 Uçüncü altlik 114 Dördüncü altlik 115 Besinci altlik 130 Birlesme bölgesi 131 Birinci birlesme bölgesi 132 Ikinci birlesme bölgesi 133 Uçüncü birlesme bölgesi 134 Dördüncü birlesme bölgesi 135 Ara birlesme bölgesi 141 Ust yüz 142 Yan yüzler 143 Alt yüz 150 Dielektrik bölgesi 152 Ikinci dielektrik bölgesi 160 Olçüm araci 161 Birinci ölçüm araci 162 Ikinci ölçüm araci 163 Uçüncü ölçüm araci 164 Besinci ölçüm araci Hj Birlesme kismi yüksekligi Wj Birlesme kismi genisligi Lj Birlesme kismi uzunlugu H AItIik yüksekligi W AItIik genisligi L AItIik uzunlugu 181 Birinci terminal 182 Ikinci terminal 183 Uçüncü terminal 190 Hat 191 Birinci hat 192 Ikinci hat 193 Uçüncü hat 200 Optik filtre 300 Taban plakasi 310 Dielektrik plaka 400 Kontrol birimi 401 Birinci anahtar elemani 402 Ikinci anahtar elemani 403 Uçüncü anahtar elemani 404 Dördüncü anahtar elemani 405 Besinci anahtar elemani 406 Altinci anahtar elemani 411 Birinci diyot 412 Ikinci diyot TR TR TR TR TR TR

Claims (14)

    ISTEMLER
  1. Maruz kaldigi isikla iliskili sinyal olusturmak üzere, bir birinci önceden belirlenmis enerji seviyesine sahip isiga maruz kalinmasina reaksiyon verecek sekilde konfigüre edilen ve bir birinci akimin olusturulmasina neden olan yariiletken malzemeden yapilan bir birinci altliga (111) sahip bir birinci birimi (101) içeren bir sensör (10) olup özelligi; bahsedilen birinci birimin (101), aralarinda bir birinci birlesme bölgesi (131) tanimlamak için kaydirilmis bir sekilde birinci altlik (111) üzerinde düzenlenen bir ikinci altliga (112) sahip olmasi; bahsedilen ikinci altligin (112), ikinci bir önceden-belirlenmis enerji seviyesine sahip isiga maruz kalinmasina reaksiyon verecek sekilde konfigüre edilen ve bir ikinci akimin olusmasina neden olan yariiletken malzemeden yapilmis olmasi ve sensörün (10), ilâve olarak, üzerindeki akimi ölçecek sekilde adapte edilen birinci altliga (111) baglanan bir birinci ölçüm aracini (161) ve üzerindeki akimi ölçecek sekilde adapte edilen ikinci altliga (112) baglanan bir ikinci ölçüm aracini (162), aralarinda bir ikinci birlesme bölgesi (132) tanimlamak için kaydirilmis bir sekilde ikinci altligin (112) altinda düzenlenen bir üçüncü altligi (113) ve üçüncü altliga (113) baglanan ve üzerindeki akimi ölçecek sekilde adapte edilen bir üçüncü ölçüm aracini (163) içermesi ve birinci altlik (111) ve üçüncü altlik (113) arasinda bir dielektrik bölgenin (150) saglanmis olmasidir.
  2. Istem 11e göre bir sensör (10) olup özelligi; ikinci önceden belirlenmis enerji seviyesinin, birinci önceden belirlenmis enerji seviyesinden farkli olmasidir.
  3. Istem 1 ya da 2*ye göre bir sensör (10) olup özelligi; bahsedilen birinci birimin (101), ilâve olarak, aralarinda bir üçüncü birlesme bölgesini tanimlayan ve ikinci katkili altliga temas etmeksizin üçüncü altlik (113) üzerinde ya da altinda ya da yaninda düzenlenen bir dördüncü altligi (114) içermesidir.
  4. Istem 3'e göre bir sensör (10) olup özelligi; bahsedilen birinci birimin (101), ilâve olarak, dördüncü altliga (114) baglanan ve üzerindeki akimi ölçecek sekilde adapte edilen bir dördüncü ölçüm aracini içermesidir.
  5. Istem 3 ya da 4*e göre bir sensör (10) olup özelligi; bahsedilen birinci birimin (101), ilâve olarak, aralarinda bir dördüncü birlesme bölgesini (134) tanimlayan ve ikinci ya da dördüncü katkili altliga temas etmeksizin birinci altlik (111) üzerinde ya da altinda ya da yaninda düzenlenen bir besinci altligi (115) içermesidir.
  6. Istem 5'e göre bir sensör (10) olup özelligi; bahsedilen birinci birimin (101), ilave olarak, besinci altliga (114) baglanan ve üzerindeki akimi ölçecek sekilde adapte edilen bir besinci Ölçüm aracini (164) içermesidir.
  7. Istem 3 ya da 6 arasindaki istemlerden herhangi birine göre bir sensör (10) olup özelligi; aralarinda bir birlesme bölgesi (130) tanimlayacak sekilde altliklarindan (110) biri vasitasiyla birinci birimin (101) dördüncü ya da besinci altligina (115) baglanan ve birinci birimle (101) benzer yapiya sahip bir ikinci birimi (102) içermesidir.
  8. Istem 7`ye göre bir sensör (10) olup özelligi; birinci birimin (101) ve bahsedilen ikinci birimin (102), birbirine göre elektriksel olarak seri ya da paralel biçimde düzenlenmis olmasidir.
  9. Istem 1'e göre bir sensör (10) olup özelligi; bahsedilen birinci birimin (101), birimler içerisinden akim akisi saglayan bir güç kaynagina baglanmis olmasidir.
  10. Istem 1'e göre bir sensör (10) olup özelligi; altliklardan (110) birinin, farkli katki oranina sahip olmasi ya da birbirinden farkli malzemeden yapilmis olmasidir.
  11. Istem 1,e göre bir sensör (10) olup özelligi; bir altligin (110) hacmi ve bununla iliskili birlesme bölgesinin (130) hacmi arasindaki oranin, 250'den büyük olmasidir.
  12. 12. Onceki istemlerden herhangi birine göre bir sensör (10) olup özelligi; her bir altligin (110), komsu bir katkili altlikla (110) birlesme bölgesinin (130) olusumuna imkân vermek için, en az bir düz yüzle prizmatik bir biçimde olmasidir.
  13. 13. Onceki istemlerden herhangi birine göre bir sensör (10) olup özelligi; ölçüm aracina (160) baglanan ve ölçüm araçlarindan (160) alinan akim degerine bagli olarak sinyalleri olusturacak sekilde adapte edilen bir kontrol birimini (400) içermesidir.
  14. 14.0nceki istemlerden herhangi birine göre bir sensör (10) olup özelligi; birbirine elektriksel olarak seri ya da paralel biçimde baglanan çok sayidaki birime sahip en az bir birinci hatti (191) içermesi ve bahsedilen birinci hatla (191) benzer yapiya sahip en az bir ikinci hatti (192) içermesi ve birinci hattin (191) ve bahsedilen ikinci hattin (192), elektriksel olarak seri ya da paralel olarak birbirine baglanmis olmasidir. Istem 14'e göre bir sensör (10) olup özelligi; ilâve olarak, bir üçüncü hatti (193) içermesi, bahsedilen birinci hattin (191), bahsedilen ikinci hattin (192) ve bahsedilen üçüncü hattin (193), bir birinci uca ve bir ikinci uca sahip olmasi ve birinci hattin (191), ikinci hattin (192) ve üçüncü hattin (193), birbirine elektriksel olarak paralel olmasi; ilâve olarak, açik durumda oldugunda, diger hatlarla (190) birinci hat (191) arasindaki baglantiyi ayiran birinci hattin (191) birinci ucuna baglanan bir birinci anahtar elemanini (401), açik durumda oldugunda, diger hatlarla (190) birinci hat (191) arasindaki baglantiyi ayiran birinci hattin (191) ikinci ucuna baglanan bir ikinci anahtar elemanini (402), açik durumda oldugunda, diger hatlarla (190) ikinci hat (192) arasindaki baglantiyi ayiran ikinci hattin (192) birinci ucuna baglanan bir üçüncü anahtar elemanini (403), açik durumda oldugunda, diger hatlarla (190) ikinci hat (192) arasindaki baglantiyi ayiran ikinci hattin (192) ikinci ucuna baglanan bir dördüncü anahtar elemanini (404), açik durumda oldugunda, diger hatlarla (190) üçüncü hat (193) arasindaki baglantiyi ayiran üçüncü hattin (193) birinci ucuna baglanan bir besinci anahtar elemanini (405) ve açik durumda oldugunda, diger hatlarla (190) üçüncü hat (193) arasindaki baglantiyi ayiran üçüncü hattin (193) ikinci ucuna baglanan bir altinci anahtar elemanini (406) içermesi; ilâve olarak, bir birinci yönde akimin akmasi saglanacak sekilde adapte edilen ikinci hattin (192) ikinci ucu ve birinci hattin (191) birinci ucu arasinda düzenlenen bir birinci diyotu (411) ve üçüncü hattin (193) birinci ucu ve ikinci hattin (192) ikinci ucu arasinda düzenlenen bir ikinci diyotu (412) içermesi; bahsedilen kontrol biriminin (400), hatlar (190), y-baglantida ya da delta- baglantisinda baglanacak sekilde anahtar elemanlarinin durumlari kontrol edilecek sekilde konfigüre edilmis olmasidir. Istem 15,e göre bir sensör (10) olup özelligi; bahsedilen anahtar elemanlarinin, yariiletken malzemelerden yapilmis olmasidir. Istem 15 ya da 16'ya göre bir sensör (10) olup özelligi; birinci anahtar elemaninin (401), ikinci anahtar elemaninin (402), üçüncü anahtar elemaninin (403), dördüncü anahtar elemaninin, besinci anahtar elemaninin (405), altinci anahtar elemaninin (192) ve üçüncü hattin (193), tek bir çip içerisinde olusturulmus olmasidir. Istem 13'e göre bir sensör (10) olup özelligi; üzerinde düzenlenen altligin (110) isigina maruz kalan en az bir yüzü en azindan kismen kapatacak sekilde, çok sayidaki altlik (110) üzerinde çok sayidaki optik filtreyi (200) içermesi ve bahsedilen kontrol biriminin (400), bahsedilen optik filtrelerin (200) çalisma durumunu kontrol edecek sekilde konfigüre edilmis olmasidir. Istem 5 ya da 6*ya göre bir sensör (10) olup özelligi; besinci altlik (115) ve dördüncü altlik (114) arasinda düzenlenen bir ikinci dielektrik bölgeyi (152) içermesidir. istem 13”e göre bir sensör (10) olup özelligi; bahsedilen kontrol biriminin (400), ilâve olarak, birimlere saglanan enerji kaynaginin gerilim ya da akim seviyesini kontrol edecek sekilde konfigüre edilmis olmasidir.
TR2017/11460A 2017-01-12 2017-08-03 Işik tespi̇ti̇ i̇çi̇n bi̇r sensör TR201711460A2 (tr)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/TR2018/050409 WO2019103710A2 (en) 2017-01-12 2018-08-01 A sensor for light detection

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TR2017/00484A TR201700484A2 (tr) 2017-01-12 2017-01-12 Güneş işiğindan elektri̇k üretmek i̇çi̇n bi̇r solar hücre ve solar panel

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TR201711460A2 true TR201711460A2 (tr) 2018-08-27

Family

ID=64016924

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TR2017/00484A TR201700484A2 (tr) 2017-01-12 2017-01-12 Güneş işiğindan elektri̇k üretmek i̇çi̇n bi̇r solar hücre ve solar panel
TR2017/11460A TR201711460A2 (tr) 2017-01-12 2017-08-03 Işik tespi̇ti̇ i̇çi̇n bi̇r sensör

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TR2017/00484A TR201700484A2 (tr) 2017-01-12 2017-01-12 Güneş işiğindan elektri̇k üretmek i̇çi̇n bi̇r solar hücre ve solar panel

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11049986B2 (tr)
JP (1) JP2020507935A (tr)
MX (1) MX2019008324A (tr)
MY (1) MY199512A (tr)
TR (2) TR201700484A2 (tr)
WO (2) WO2018203865A2 (tr)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5689087A (en) * 1994-10-04 1997-11-18 Santa Barbara Research Center Integrated thermopile sensor for automotive, spectroscopic and imaging applications, and methods of fabricating same
US6316715B1 (en) * 2000-03-15 2001-11-13 The Boeing Company Multijunction photovoltaic cell with thin 1st (top) subcell and thick 2nd subcell of same or similar semiconductor material
JPWO2011052426A1 (ja) * 2009-10-26 2013-03-21 株式会社アルバック 太陽電池の評価装置及び評価方法
IT1397091B1 (it) * 2009-12-28 2012-12-28 Stmicroelectronics S Rl Metodo per realizzare un sistema di recupero di calore, in particolare basato sull'effetto seebeck e relativo sistema.
WO2013173450A1 (en) * 2012-05-15 2013-11-21 Sheetak, Inc. Integrated selective wavelength absorber solar thermoelectric generator
JP6171470B2 (ja) * 2013-03-28 2017-08-02 セイコーエプソン株式会社 センサー基板、検出装置及び電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020507935A (ja) 2020-03-12
US11049986B2 (en) 2021-06-29
MX2019008324A (es) 2019-10-21
WO2018203865A3 (en) 2019-01-31
WO2018203865A2 (en) 2018-11-08
TR201700484A2 (tr) 2017-10-23
MY199512A (en) 2023-11-02
WO2019103710A3 (en) 2019-07-25
WO2019103710A2 (en) 2019-05-31
US20190363207A1 (en) 2019-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103000645B (zh) 具有可控制的光谱响应的光电探测器
US11927478B2 (en) Light detection device
US7964932B2 (en) Semiconductor device with depletion region
US20160230972A1 (en) Light emitting module having wafer with integrated power supply device
RU158474U1 (ru) Планарный многоплощадочный кремниевый фотодиод
CA1269164A (en) Photosensitive diode with hydrogenated amorphous silicon layer
TW201603304A (zh) 光感測器及其製造方法
US20220026268A1 (en) Light detection device
KR101107645B1 (ko) 광변환기
JP6746750B2 (ja) 表面荷電抑制を有するPiNダイオード構造
US7968963B2 (en) Photodiode array and image pickup device using the same
KR101942094B1 (ko) 산소 리치 바나듐산화물 전자파 센서 및 그 시스템
CN100356588C (zh) 半导体位置探测器
JPS5928072B2 (ja) 輻射線感知装置
RU56069U1 (ru) Кремниевый pin-фотодиод большой площади
US8541859B2 (en) Semiconductor light receiving element and method for manufacturing the same
WO2019103710A2 (en) A sensor for light detection
US4717946A (en) Thin line junction photodiode
US20140097522A1 (en) Methods and apparatus for identifying and reducing semiconductor failures
TWI648840B (zh) 具有良好單脈衝雪崩能量之高壓半導體元件與相關之製作方法
CN110277462B (zh) 电调制光电二极管及其制造方法
US3986195A (en) Light responsive field effect transistor having a pair of gate regions
Suria Inexpensive current-voltage system with electronically-controlled resistance under xenon arc light for solar cell efficiency measurements
JP6143049B2 (ja) 半導体装置
KR100926533B1 (ko) 자외선의 강도를 측정할 수 있는 이미지센서