Teknik Alan Mevcut açiklama, bir materyalin substrat üzerine fiziksel buharli birakimi sirasinda bir substratin tutulmasina yönelik bir substrat tutucu ve bir fiziksel buharli birakim aparatinin Onceki Teknik Fiziksel buharli birakim (PVD), ince filmler ve kaplamalar üretmek üzere kullanilabilen birçok vakumlu birakim yöntemini açiklamak üzere kullanilan bir terimdir. PVD'de bir substrat 'üzerine kaplanacak materyal bir yogunlastirilmis fazdan bir buhar fazina geçmektedir ve daha sonra yeniden bir ince film yogunlastirilmis fazina geçmektedir. En yaygin PVD prosesleri püskürtme ve buharlastirmadir. PVD mekanik, optik, kimyasal ve/veya elektronik fonksiyonlara yönelik ince filmler gerektiren maddelerin 'üretiminde yaygin olarak kullanilmaktadir. Fiziksel buharli birakimda kaplanacak substrat siklikla, substrat üzerine materyalin daha esit ve homojen kaplamasinin elde edilmesini saglamaya çalismak için birakim prosesi sirasinda substrati döndüren bir aparat üzerine monte edilmektedir. Substrat, tek bir eksen etrafinda dönmek veya bir uydu düzenlemesi olarak anilan bir düzenlemede bir ikinci eksen etrafinda dönen bir eksen etrafinda dönmek üzere monte edilebilmektedir. Ancak her sekilde, özellikle substratin bazi parçalarinin birakim prosesi sirasinda aparat üzerine monte edilen diger substratlar dahil olmak üzere diger bilesenler ile buhardan saklanabilmesi veya korunabilmesinden dolayi substratin tüm parçalarinin esit bir sekilde Kisa Açiklama Burada açiklanan bir birinci yöne göre bir materyalin substrat üzerinde fiziksel buharli birakimi sirasinda bir substratin tutulmasina yönelik bir substrat tutucu saglanmakta olup, substrat tutucu asagidakileri içermektedir: fiziksel buharli birakim sirasinda kullanimda dönebilecek sekilde düzenlenen bir gövde fiziksel buharli birakim sirasinda kullanimda bir substratin monte edilebildigi bir kaideye sahiptir; kaide, kullanimda gövde döndükçe kaide üzerine monte edilen bir substratin gövdeye göre substratin yönünü degistirecek sekilde santrifüj kuvveti ile disariya dogru atilacagi sekilde olusturulmakta ve düzenlenmektedir. Bir örnekte kaide, gövdeye sabitlenen bir birinci kaide kismi ve fiziksel buharli birakim sirasinda bir substratin kullanimda monte edilebildigi bir ikinci kaide kismini içermektedir, birinci ve ikinci kaide kisimlari kaide üzerine monte edilen bir substratin gövde kullanimda döndükçe santrifüj kuvveti ile disariya dogru atilmasina olanak saglamak üzere birbirine eksensel olarak baglanmaktadir. Birbirine eksensel olarak baglanan ek ara kaide kisimlari olabilmektedir. Bir örnekte kaide esnektir. Bir örnekte substrat tutucu, kaide üzerine monte edilen bir substratin agirligini desteklemek üzere kaideye baglanan bir etkileme elemani içermektedir. Bir örnekte substrat tutucu, gövde kullanimda döndükçe kaide 'üzerine monte edilen bir substratin disariya atilmasini kontrol etmek üzere kaideye baglanan bir etkileme elemani içermektedir. Bir örnekte substrat tutucu, bir fiziksel buharli birakim aparatinin bir dönebilen döner platformuna monte edilmek üzere bir dönebilen uydu substrat tutucudur. Ayrica bir materyalin substrat üzerinde fiziksel buharli birakimi sirasinda bir substratin tutulmasina yönelik bir fiziksel buharli birakim aparati saglanabilmekte olup, aparat asagidakileri içermektedir: bir birinci dönme ekseni etrafinda dönebilen bir döner platform; yukarida açiklandigi gibi bir veya birden fazla substrat tutucu, burada söz konusu veya her bir substrat tutucu birinci dönme ekseni ile çakismayan bir ikinci dönme ekseni etrafinda dönebilecek sekilde döner platform üzerine monte edilmektedir. Bir örnekte aparat döner platformun dönüsünün tahrik edilmesine yönelik bir motoru içermektedir. Bir örnekte aparat, motoru döner platforma tahrik edilebilir sekilde baglayan ve motoru söz konusu veya her bir substrat tutucuya tahrik edilebilir sekilde baglayan bir disli düzenlemesini içermektedir. Disli düzenlemesi, döner platform ve söz konusu veya her bir substrat tutucunun farkli dönüs hizlarinda dönebilecegi sekilde döner platform ve söz konusu veya her bir substrat tutucu için ilgili tahriklere yönelik farkli disli oranlarini saglayabilmektedir. Disli düzenlemesi, döner platform ve söz konusu veya her bir substrat tutucudan biri veya her ikisine yönelik farkli dönüs hizlarinin seçilmesine olanak saglamak üzere seçilecek farkli disli oranlarina olanak saglamak üzere düzenlenebilmektedir. Burada açiklanan bir ikinci yöne göre substrat üzerinde bir materyalin birakilmasina yönelik bir fiziksel buharli birakim aparatinin çalisma yöntemi saglanmakta olup, fiziksel buharli birakim aparati bir dönebilen gövdeyi içeren bir substrat tutucuyu içermektedir, gövde bir substratin monte edildigi bir kaideye sahiptir, yöntem asagidakileri içermektedir: gövdenin bir birinci dönüs hizinda döndürülmesi; ve substratin gövdeye göre substratin yönünü degistirecek sekilde santrifüj kuvveti ile disariya dogru atilmasina neden olmak üzere gövdenin birinci dönüs hizindan daha büyük olan bir ikinci dönüs hizinda döndürülmesi. Adimlarin sirasi tersine çevrilebilmektedir. Yani gövde, ilk olarak ikinci (daha yüksek) dönüs hizinda döndürülebilmektedir ve daha sonra birinci (daha düsük) dönüs hizinda döndürülebilmektedir. Bir örnekte kaide, gövdeye sabitlenen bir birinci kaide kismi ve fiziksel buharli birakim sirasinda bir substratin kullanimda monte edilebildigi bir ikinci kaide kismini içermektedir, birinci ve ikinci kaide kisimlari kaide üzerine monte edilen bir substratin gövde kullanimda döndükçe santrifüj kuvveti ile disariya dogru atilmasina olanak saglamak üzere birbirine eksensel olarak baglanmaktadir. Bir örnekte substrat tutucu, bir fiziksel buharli birakim aparatinin bir dönebilen döner platformuna monte edilmek 'üzere bir dönebilen uydu substrat tutucudur. Sekillerin Kisa Açiklamasi Mevcut açiklamanin anlasilmasina yardimci olmak ve uygulamalarin nasil uygulamaya koyulabilecegini göstermek amaciyla ekli sekillere örnek yoluyla atifta bulunulmaktadir, Sekil 1, bir önceki teknik fiziksel buharli birakim aparatinin bir plan görünüsünü Sekil 2, bir önceki teknik uydu substrat tutucunun bir cephesini sematik olarak göstermektedir; ve Sekil 3A ve SB, burada açiklanan uygulamalara göre bir substrat tutucunun bir örneginin cephelerini sematik olarak göstermektedir. Ayrintili Açiklama Bahsedildigi gibi fiziksel buharli birakimda (PVD) kaplanacak substrat siklikla, substrat üzerinde materyalin esit ve homojen bir kaplamasinin elde edilmesini saglamaya çalismak için birakim prosesi sirasinda substrati döndüren bir aparat üzerine monte edilmektedir. Kaplamanin kalinligi tipik olarak dönüs hizi ile baglantilidir. Substrat, tek bir eksen etrafinda dönmek veya bir uydu düzenlemesi olarak anilan bir düzenlemede bir ikinci eksen etrafinda dönen bir eksen etrafinda dönmek üzere monte edilebilmektedir. Ancak her sekilde, özellikle substratin bazi parçalarinin birakim prosesi sirasinda aparat üzerine monte edilen diger substratlar dahil olmak üzere diger bilesenler ile buhardan saklanabilmesi veya korunabilmesinden dolayi substratin tüm parçalarinin esit bir sekilde Tamamlama açisindan burada mevcut açiklamanin tipik olarak substrat 'üzerinde materyalin esit ve homojen bir kaplamasini saglamaya çalisma açisindan verildiginden bahsedilmektedir. Basitlik ve özlük açisindan burada verilen spesifik örnekler bu terimlerde açiklanacaktir. Ancak, bir (muhtemelen spesifik) homojen olmayan kaplama istenildigi ve substratlarin dönüsünün en azindan kismen bunu elde etmek üzere kontrol edilebildigi durumlar olabilecegi anlasilacaktir. Burada açiklanan aparat bu tür durumlarda esit olarak baglantili ve faydalidir. Püskürtme kullanan bir PVD prosesinde kaplanacak bir veya birden fazla substrat, istenmeyen film kontaminasyonunu minimumda tutmak `üzere yüksek bir vakuma sahip bir hazne içindeki bir aparat ile desteklenmektedir. Proses haznesi, tipik olarak genelde birakim prosesi öncesinde 10`6 ila 10`7 mbar (burada bir bar = 105 Pa) araliginda bir artik gaz basincina bir pompa ile bosaltilmaktadir. Kaplama filminin kalinligi, örnegin birkaç nanometre ila birkaç mikron araliginda olabilmektedir. Bir katot yapisina bir elektrikli alan olusturan bir negatif potansiyel (genel olarak yaklasik - 3OOV veya benzeri) uygulanmaktadir. Katottan gelen elektronlar, iyonlar olusturarak ve bir pariltili bosaltimi uyararak argon ve haznedeki diger gaz atomlari ile çarpismaktadir. Katodun negatif potansiyeli ile hizlandirilan argon iyonlari elektrikli alan hatlarina paralel olarak ilerlemektedir ve katot yapisi üzerinde tasinan kaplama materyalinden olusan bir hedefi etkilemektedir. Bu iyonlarin kinetik enerjisi bazi hedef yüzey atomlarini yerinden çikarmaya yetecek kadar yüksektir, bu da filmi olusturmak üzere substrat üzerinde yogunlasabilmektedir. Püskürtme prosesinin, kullanilabilen hedef materyallere iliskin neredeyse hiçbir kisitlamasi olmayip, örnegin saf metalleri içermektedir ve bunlar için bir DC (direkt akim) güç kaynagi yari iletkenlere ve yalitkanlara yönelik kullanilabilmektedir ve bunlar için bir radyo frekansli veya darbeli DC güç kaynagi kullanilabilmektedir. Haznedeki gaz tipik olarak atildir ve siklikla örnegin argondur, ancak haznedeki atil ve reaktif gazlarin bir karisimi kullanilarak bir reaktif bosaltim elde edilebilmektedir. Hedef, tek elementli hedef veya çok elementli hedef olabilmektedir. Yaygin olarak magnetron püskürtme olarak anilan bir teknik, hedefin (diger bir deyisle substrat üzerine kaplanacak kaplama materyalinin kaynaginin) iyon bombardimanini artirmak üzere manyetik alanlari kullanmaktadir. Oldukça güçlü bir manyetik alan hedef yüzün yakininda indüklenmektedir, manyetik alan hatlari genel olarak elektrikli alaninkilere dik olarak yönlendirilmektedir. Argon iyonlari hedefe çarptikça nötr atomlar, moleküller ve ikincil elektronlar hedeften yayilmaktadir. Çikarilan atomlar, kaplama materyalinin ince bir filmini olusturmak üzere yogunlastiklari substrata dogru hareket etmektedir. Ikincil atomlar hazne içindeki atil gaz ile çarpismaktadir ve plazmanin korunmasina yardimci olmaktadir. Hedeften yayilan ikincil atomlar, hareket yollarinin egimli hale gelecegi sekilde manyetik alan tarafindan etkilenmektedir. Dolayisiyla manyetik alan elektronlari hedef yakininda hapsetmektedir. Bu ise hedef yüke yakin elektron-argon çarpismalari ile sonuçlanmaktadir, böylelikle hedefi bombardimana tutan argon iyon akisini maksimize etmektedir. Bu ayrica, argon iyonlari ve elektronlarin plazmasinin düsük bir basinçta tutulabilecegini ifade etmektedir. Püskürtülen atomlar nötr yüklüdür, dolayisiyla manyetik kapandan etkilenmemektedir. Klasik magnetron püskürtme yöntemindeki plazma hedef üzerinde konsantre edilmektedir ve iyonlarin substrat üzerindeki karsilik gelen filmi bombardimana tutmasina ve etkilemesine neden olabilmektedir. Bu, manyetik alanin plazmayi yaymak üzere düzenlendigi dengeli olmayan magnetron püskürtme yönteminde elimine edilmektedir. Bu, substrat yakininda düsük bir iyon konsantrasyonunun korunmasina yardimci olmaktadir. Bilinen PVD aparatinda, magnetron püskürtme kullanilsa da kullanilmasa da kaplama prosesi sirasinda kaplanacak substratlarin döndürülmesi bilinmektedir. Bu, kaplamanin substratin bütün yüzeyleri üzerine daha esit bir sekilde uygulanmasini saglamaya yardimci olmaktadir. Ayrica substratin dönüsü, haznede diger substratlar veya diger bilesenlerin varliginin neden olabildigi bir "gölgeden" bir substrati hareket ettirmeye yardimci olmaktadir. Bu, Sekil 1'de plan görünüsünde sematik olarak gösterilen bir önceki teknik PVD aparatinin (1) örnegine bakilarak görülebilmektedir. PVD aparati (1) bir dönme ekseni (3) etrafinda dönebilen bir ana döner platforma (2) sahiptir. Kaplanacak bir veya birden fazla substrat (4) döner platform (2) 'üzerine monte edilmektedir. Substratlar (4) `üzerine kaplanacak materyalin bir hedefi (5), aparatin (1) bulundugu ve bombardiman tarafindan yerinden çikarilan hedef atomlarinin hazneye dogru hareket edecegi ve substratlari (4) kaplayacagi sekilde düzenlendigi hazneyi dolduran argon veya diger gaz iyonlari tarafindan bombardimana tutulmak üzere düzenlenmektedir. Bu 'örnekte bir magnetron (6), yukarida açiklandigi gibi hedefi (5) bombardimana tutan argon veya baska iyon akisini maksimize eden bir manyetik alan olusturmak üzere hedef (5) yakininda konumlandirilmaktadir. Kaçinilmaz bir sekilde aparatin (1) kenarina dogru olan hedefin (5) monte edilmesi nedeniyle döner platformun (2) dönme ekseni (3) etrafinda dönüsü, substratlari (4) hedefin (5) yakinina getirmektedir, bu da her bir substratin (4) esit bir sekilde kaplanmasini saglamaya yardimci olmaktadir. Substratlar (4) üzerindeki kaplamanin homojenligini daha fazla artirmak üzere substratlar (4) siklikla, kendiliginden döner platformun (2) dönüsüne yönelik monte edilen dönebilen anilmaktadir) üzerine monte edilmektedir. Bir dönebilen uydu substrat tutucunun (7) bir örnegi Sekil 2'deki cephede sematik olarak gösterilmektedir. Uydu substrat tutucularin (7) her biri, ana döner platformun (2) dönme ekseni (3) ile çakismayan bir dönme eksenine (8) sahiptir. Substratlar (4) eksen disi olmak üzere uydu substrat tutucular (7) üzerine monte edilmektedir ve böylece bunlarin, uydu substrat tutucular (7) dönme ekseni (8) etrafinda dönerken uydu substrat tutucularin (7) dönme ekseni (8) etrafinda dönmesine neden olunmaktadir. Bu, substratin (4) "arkasinda" olanlar, diger bir deyisle substratin (4) monte edildigi uydu substrat tutucuya (7) bakanlar dahil olmak üzere substratin (4) tüm parçalarinin kaplanmasini saglamaya yardimci olmaktadir. Sekil 1lde açiklik nedeniyle iki uydu substrat tutucudan (7) her birine sabitlenen yalnizca tek bir substrat (4) gösterilmektedir. Pratikte, Sekil 2ide daha açik bir sekilde gösterildigi gibi birakim sirasinda her bir uydu substrat tutucu (7) etrafina tipik olarak birkaç substrat (4) sabitlenmektedir. Substrat tutucunun (7) uzunlugu boyunca dagitilan ve her biri birden çok substrat (4) tasiyan her bir substrat tutucu (7) üzerine monte edilen örnegin birçok substrat (4) "katmani" veya seviyesi olabilmektedir. Buna göre, döner platform (2) dönme ekseni (3) etrafinda döndürülürken uydu substrat tutucular (7) da hedef (5) yakinina getirilmektedir. Ayrica, ayri uydu substrat tutucular (7) kendi dönme eksenleri (8) etrafinda döndürülürken uydu substrat tutucu (7) üzerindeki her bir substrat (4), substratlar (4) üzerinde hedef materyalin kaplamasinin meydana gelebilecegi bölgeye getirilmektedir. Bu 'örnekteki bu bölge hedefe (5) yakindir ve tipik olarak genel olarak döner platformun (2) dönme ekseni (3) etrafinda döndürülürken uydu substrat tutucularin (7) dönüs yolu ve hedefin (5) konumu arasindaki dairesel bölgede (9) bulunmaktadir. Bir tahrik mekanizmasi (gösterilmemektedir), döner platformun (2) ve uydu substrat tutucularin (7) dönüsünü tahrik etmektedir. Tahrik mekanizmasi, örnegin döner platform (2) ve uydu substrat tutucular (7) arasindaki dönüsün istenilen bir nispi hizini elde etmek üzere farkli ilgili disli oranlari kullanilarak döner platform (2) ve uydu substrat tutuculara (7) baglanan tek bir motoru kullanabilmektedir. Tahrik mekanizmasi alternatif olarak döner platformun (2) ve uydu substrat tutucularin (7) döndürülmesine yönelik ayri motorlar ve disli mekanizmalarini kullanabilmektedir. Dönme hizlari kullanimda degisiklik gösterebilmektedir. Ancak, substratlarin (4) en az bir dönme ekseni (döner platformun dönme ekseni (3)) etrafinda dönmesine neden olunmasina ragmen ve hatta substratlarin (4) uydu düzeneginde bir ikinci dönme ekseni (ayri substrat tutucunun (7) dönme ekseni (8)) etrafinda dönmesine neden olunmasina ragmen, halen substratlarin (4) bazi parçalarinin istenildigi gibi kaplanmamasi meydana gelebilmektedir. Bunun nedeni, örnegin bir substratin (4) bir diger substrati (4) kismen bloke etmesi veya gölgelemesi olabilmektedir. Bir diger neden, substratin (4) üç boyutlu seklinin kompleks olabilmesidir. Herhangi bir durumda, substratin (4) tüm yüzeylerinin bu türde düzenleme ile homojen bir sekilde Buna göre burada bir materyalin bir substrat üzerinde fiziksel buharli birakimi sirasinda bir substratin tutulmasina yönelik bir substrat tutucu saglanmaktadir. Substrat tutucu, fiziksel buharli birakim sirasinda kullanimda dönebilecek sekilde düzenlenen bir gövdeye sahiptir. Gövde fiziksel buharli birakim sirasinda kullanimda bir substratin monte edilebildigi bir kaideye sahiptir. Kaide, kullanimda gövde döndükçe kaide üzerine monte edilen bir substratin gövdeye göre substratin yönünü degistirecek sekilde santrifüj kuvveti ile disariya dogru atilacagi sekilde olusturulmakta ve düzenlenmektedir. Bu, substrata daha homojen bir kaplamanin uygulanmasini saglamaya yardimci olmaktadir. Substratin gövdeye göre hareketi, substratin tüm parçalarinin kaplama buharina sunulmasini saglamaya yardimci olmaktadir ve diger sekilde bloke edilecek veya tikanacak substrat parçalarini açiga çikarmaya yardimci olmaktadir. Substrat tutucu, magnetron kullanmayan PVD proseslerinde ve hedefin iyon bombardimanini artirmak üzere magnetron kullanan PVD proseslerinde kullanilabilmektedir. Bazi örneklerde substrat tutucu aslinda gövdenin bir PVD aparatinin bir ana döner platformunu olusturacagi sekilde düzenlenebilmektedir ve bu nedenle substrat tutucu kullanimda tek bir dönme ekseni etrafinda dönmektedir. Diger örneklerde substrat tutucu, kullanimda kendi dönme ekseni etrafinda dönen ve Sekil 1'de sematik olarak gösterilen önceki teknige benzer bir sekilde bir bütün olarak bir PVD aparatinin bir ana döner platformunun bir dönme ekseni etrafinda döndürülen bir uydu substrat tutucu olarak düzenlenebilmektedir. Sekil 3A ve BB'ye atifla burada açiklandigi gibi bir substrat tutucunun (30) bir örneginin bir kismi sematik olarak gösterilmektedir. Bu örnekteki substrat tutucusu (30), Sekil 1'de sematik olarak gösterilen ve yukarida tartisilana benzer bir sekilde substrat tutucunun (30) kullanimda (en az) iki (genel olarak paralel) dönme ekseni etrafinda döndürülecegi sekilde bir uydu substrat tutucudur. Diger örneklerde substrat tutucu (30), substrat tutucunun (30) kullanimda yalnizca tek bir dönme ekseni etrafinda dönecegi sekilde bir PVD aparatinin bir ana döner platformunun parçasi olabilmektedir. Substrat tutucunun (30) detayli yapisi ve düzenlemesi farkli uygulamalara yönelik farkli olabilmektedir ve örnegin kaplanacak substratin spesifik özellikleri (boyutu ve sekli dahil) ve uygulanacak kaplamanin yapisina göre uygun hale getirilebilmektedir. Substrat tutucu (30) bir dönme ekseni (32) etrafinda dönebilen bir gövdeye (31) sahiptir. Substrat tutucunun (30) bir uydu substrat tutucu olmasi durumunda bu örnekteki gövde (31) Sekil 1 ve 2'de gösterilen önceki teknik örneginin gövdesine (10) karsilik gelmektedir. Substrat tutucunun (30) bir PVD aparatinin bir ana döner platformunun parçasi olmasi durumunda bu örnekteki gövde (31) Sekil 1'de gösterilen önceki teknik örneginin ana döner platformuna (2) karsilik gelmektedir. Substrat tutucu (30), kullanimda bir substratin (34) monte edilebildigi bir kaideye (33) sahiptir. Kaide (33) gövdeye (31) sabitlenmektedir ve tipik olarak bunun disina dogru radyal olarak uzanmaktadir. Her biri bir ilgili substratin (34) tasinmasina yönelik bu tür birden çok kaide (33) olabilmektedir. Substrat tutucu (30), kullanimda gövde (31) döndükçe kaide (33) üzerine monte edilen bir substratin (34) gövdeye (31) göre substratin (34) yönünü degistirecek sekilde santrifüj kuvveti ile disariya dogru atilacagi sekilde olusturulmakta ve düzenlenmektedir. Bunu elde etmenin birçok yolu mümkündür, bunun bazi örnekleri asagida daha fazla açiklanacaktir. Ancak herhangi bir durumda bu etki, Sekil 3A ve 3B'nin karsilastirilmasi ile görülebilmektedir. Sekil 3A durumunda substrat tutucu (30) bir tek genis egimli ok ile belirtilen dönme ekseni (32) etrafindaki bir birinci dönüs hizinda döndürülmektedir. Daha sonra Sekil 3B durumunda substrat tutucu (30) iki genis egimli ok ile belirtilen dönme ekseni (32) etrafindaki birinci dönüs hizindan daha büyük olan bir ikinci dönüs hizinda döndürülmektedir. Bunun detayli etkisi asagida daha fazla tartisilacagi gibi farkli spesifik örneklere yönelik farkli olabilirken, genel olarak kaidenin (33) santrifüj kuvveti ile disariya dogru atildigi miktar veya derece dönüs hizina bagli olarak farkli olacaktir. Bunun anlami, substratin (34) gövdeye (31) göre dönüsünün dönüs hizina bagli olarak farkli olacagidir. Bunun anlami ise, dönüs hizina bagli olarak hedefe (PVD kaplamasina yönelik kullanilan atomlarin kaynagidir) ve daha genel olarak püskürtülen kaplama atomlarinin bulundugu bölgeye substratin (34) farkli kisimlarinin sunulabilmesidir. Bu, substratin (34) hiçbir kisminin diger substratlar (34) veya PVD haznesindeki diger bilesenler tarafindan bloke edilmemesini veya tikanmamasini saglamaya yardimci olabilmektedir veya en azindan diger substratlar (34) veya PVD haznesindeki diger bilesenler tarafindan bloke edilen veya tikanan substrat (34) miktarini azaltmaktadir. Bu ayrica, daha homojen kaplamalarin daha hizli ve verimli bir sekilde elde edilebilmesinden dolayi isleme süresini azaltabilmektedir ve hedef kaplama materyalinin tüketimini azaltabilmektedir. Kaide (33) üzerine monte edilen bir substratin (34) santrifüj kuvveti ile disariya dogru atilmasinin saglanmasina yönelik çesitli farkli düzenlemeler mümkündür. Bunun için ilgili bir faktör, çalisma halinde PVD haznesinin 10_6 ila 10_7 mbar (burada bir bar = 105 Pa) araligi gibi oldukça düsük bir artik gaz basincina sahip olabilmesidir. Bu da, substrat tutucuyu (30) döndürmek üzere örnegin spesifik elektrikli veya pnömatik ekipman saglanin ve substrat tutucunun (30) dönüs hizinin örnegin elektrikli motorlar veya pnömatik motorlar veya benzeri kullanilarak degisiklik göstermesine olanak saglamanin zor olabilmesi anlamina gelmektedir. Bir Örnekte substrata (34) yönelik kaide (33) bir esnek çubuk veya benzeri olabilmektedir. Bu, Sekil 1 ve 2'de belirtildigi gibi önceki teknik PVD aparatinda (1) kullanilan rijit kaideler (11) ile çelismektedir. Substrat tutucunun (30) dönüs hizi arttirildikça esnek kaide (33) kendi uzunlugu boyunca esneyebilmekte ve santrifüj kuvvetinin substrati (34) disariya dogru atmasina olanak saglamakta ve böylelikle substratin (34) gövdeye (31) göre yönünü degistirmektedir. Bir esnek kaide (33) örnegin poliamid veya polipropilen olmak kaplanacak materyal tarafindan kaplanmaya daha az egilimli (özellikle materyalin krom vb. gibi bir metal olmasi durumunda) olabilmesidir. Bir alternatif olarak bir esnek kaide (33) bir çelik gibi bir metalden olusturulabilmektedir. Çelik gibi bir metalin bir avantaji, substratin (34) birakimi tamamlandiginda kaplanmis materyalleri uzaklastirmak üzere temizlemenin daha kolay olabilmesidir. Bir ikinci örnekte substrata (34) yönelik kaide (33) mafsalli olabilmektedir, yani en az iki çubuk veya birinin digerine göre hareket edebilecegi sekilde birbirine baglanan diger elemanlardan olusabilmektedir. Bu ikinci örnegin spesifik bir örnegi Sekil 3A ve BB'de sematik olarak gösterilmektedir. Bu örnekte kaide (33), bir dönebilen baglanti (35) vasitasiyla ilgili uçlarinda birbirine eksensel olarak baglanan iki kaide kismindan (33a, 33b) olusmaktadir. Birinci kaide kisminin (33a) diger ucu, substrat tutucunun (30) gövdesi (31) üzerine monte edilmektedir veya buna tümlesiktir. Kullanimda substrat (34), ikinci kaide kisminin (33b) diger ucu üzerine monte edilmektedir veya diger sekilde bunun tarafindan tasinmaktadir. (Kaidenin (33) eksensel olarak bagli kaide kisimlarinin bir zincirinden olusacagi sekilde diger örneklerde eksensel olarak baglanan diger ara kaide kisimlari olabilecegi anlasilacaktir.) Dönebilen baglanti (35) birinci ve ikinci kaide kisimlari (33a, 33b) arasinda oldukça ince bir "canli" mentese veya benzeri gibi sadece bir esnek parça olabilmektedir. Bir diger örnekte dönebilen baglanti (35) bir ayri rijit mentese veya benzeri olabilmektedir. Kaide kisimlari (33a, 33b) bu örnekte rijit olabilmektedir. Bu örnekte bir ayri rijit mentese veya benzerinin dönebilen baglantiya (35) yönelik kullanilmasi durumunda, birinci ve ikinci kaide kisimlari (33a, 33b) ve dönebilen baglanti (35) çelik gibi bir metalden olusturulabilmektedir. Bu, substratin (34) birakiminin tamamlanmasinin ardindan kaplanan materyali uzaklastirmak üzere birinci ve ikinci kaide kisimlari (33a, 33b) ve dönebilen baglantinin (35) temizlenmesini daha kolay hale getirmektedir, bu ise dönebilen baglantinin (35) blokajini veya yapismasini engellemeye yardimci olmaktadir. Ancak, örnegin poliamid veya polipropilen gibi plastikler gibi diger materyaller diger örneklerde birinci ve ikinci kaide kisimlarina (33a, 33b) yönelik kullanilabilmektedir. Substrata (34) yönelik kaidenin (33) detayli düzenlemesi, substratin santrifüj kuvveti ile disariya dogru atilmasinin istenilen etkileri (örnegin substratin (34) spesifik parçalarinin kullanimda hedeften serbest birakilan püskürtme atomlarinin bulutuna daha iyi sekilde maruz birakmak) elde edebilecegi sekilde belirlenebilmektedir. Bu amaca yönelik birçok faktör ve seçenek uygulanabilir. Bir birinci faktör, substratin (34) kaideye (33) baglanti noktasina (36) göre substratin (34) kütlesinin (M) merkezinin konumudur. Bunu göstermek için, Sekil 3A ve ßB'de sematik olarak gösterilen örnekte substrat (34), substratin (34) kütlesinin (M) merkezinin substratin (34) kaideye (33) baglanti noktasindan (36) daha düsük olacagi sekilde kaide (33) üzerine monte edilmektedir. Bunun etkisi, substrat tutucunun (30) dönüs hizi substratin (34) kütlesinin (M) merkezinin disariya dogru atilacagi sekilde artirilirken, substratin (34) dönebilen baglanti (35) etrafinda yukariya dogru dönmesidir, böylece substratin (34) gövdeye (31) göre yönü degismektedir. Bu istenildiginde tersine çevrilebilmektedir, böylece substratin (34) kütlesinin (M) merkezi substratin (34) kaideye (33) baglanti noktasindan (36) daha yüksektir, bu ise substratin (34) dönüs hizi artirilirken dönebilen baglanti (35) etrafinda asagiya dogru dönmesine neden olmaktadir. Bir ikinci faktör ise aslinda substrat tutucu (30) döndürülmediginde substratin (34) dinlenme pozisyonudur. Örnegin düzenleme, aslinda söz konusu veya her bir substratin (34) substrat tutucu (30) döndürülmediginde en düsük pozisyonda olacagi ve substrat tutucunun (30) dönüs hizi artirildikça kademeli sekilde yukariya dogru hareket edecegi sekilde olabilmektedir. Bir birinci seçenek, kaide (33) üzerine monte edilen bir substratin (34) agirligini desteklemek üzere bir etkileme elemani saglamaktir. Bu, Sekil 3A ve 38`deki bir helezon yay (40) formundaki bir etkileme elemani (40) ile sematik olarak belirtilmektedir (ancak pratikte kullanilan asil etkileme elemaninin (40) bu sekilde bir helezon yay olmasi gerekmemektedir ve etkileme elemanina (40) yönelik diger düzenlemeler de mümkündür). Bu örnekteki etkileme elemani (40), substratin (34) gövde (31) bir birinci dönüs hizinda döndügünde ve yer çekimi nedeniyle daha fazla düsemediginde, ancak dönüs hizi artirildikça farkli bir yöne degisiklik gösterdiginde gövdeye (31) göre bir yöne yönlendirilecegi sekilde düzenlenmektedir. Bir ikinci seçenek, gövde (31) kullanimda döndükçe kaide (33) 'üzerine monte edilen bir substratin (34) disariya atilmasini kontrol etmek üzere bir etkileme elemani saglamaktir. Bu, Sekil 3A ve SB'deki bir helezon yay (40) formundaki bir etkileme elemani (40) ile sematik olarak belirtilmektedir (ancak yine pratikte kullanilan asil etkileme elemaninin (40) bu sekilde bir helezon yay olmasi gerekmemektedir ve etkileme elemanina (40) yönelik diger düzenlemeler de mümkündür). Bu örnekte bu, yukarida açiklanan substratin (34) agirligini destekleyen ayni etkileme elemanidir (40), ancak diger örneklerde bu iki fonksiyona yönelik ayri etkileme elemanlari (40) ve diger örneklerde bu fonksiyonlardan yalnizca birini gerçeklestiren yalnizca bir etkileme elemani olabilmektedir. Her halükarda, bu örnekte gövdenin (31) dönüs hizi arttikça ve substrat (34) disariya dogru atildikça etkileme elemani (40) substratin (34) belirli bir dönüs hizinda ne kadar disariya atildigini kontrol etmektedir. Özetle, burada açiklanan örneklerde substratin (34) gövdeye (31) göre yönü, PVD haznesindeki substratin (34) dönüs hizina bagli olarak farkli olacaktir. Bunun anlami ise, dönüs hizina bagli olarak hedefe (PVD kaplamasina yönelik kullanilan atomlarin kaynagidir) ve daha genel olarak püskürtülen kaplama atomlarinin bulundugu bölgeye substratin (34) farkli kisimlarinin sunulabilmesidir. Bu, substratin (34) hiçbir kisminin diger substratlar (34) veya PVD haznesindeki diger bilesenler tarafindan bloke edilmemesini veya tikanmamasini saglamaya yardimci olabilmektedir veya en azindan diger substratlar (34) veya PVD haznesindeki diger bilesenler tarafindan bloke edilen veya tikanan substrat (34) miktarini azaltmaktadir. Bu ayrica, daha homojen kaplamalarin daha hizli ve verimli bir sekilde elde edilebilmesinden dolayi isleme süresini azaltabilmektedir ve hedef kaplama materyalinin tüketimini azaltabilmektedir. Burada açiklanan örnekler, bulusun uygulamalarinin açiklayici örnekleri olarak anlasilacaktir. Baska uygulamalar ve örnekler öngörülmektedir. Herhangi bir örnege veya uygulamaya göre açiklanan herhangi bir özellik tek basina veya diger özelliklerle birlikte kullanilabilmektedir. Ek olarak herhangi bir örnek veya uygulama ile iliskili olarak açiklanan herhangi bir özellik, diger örneklerin veya uygulamalarin bir veya birden fazla özelligiyle birlikte veya diger örnek veya uygulamalardan herhangi biriyle birlikte de kullanilabilmektedir. Ayrica burada açiklanmayan esdegerleri ve modifikasyonlari da istemlerde tanimlanan bulusun kapsaminda kullanilabilmektedir. TR