TW200302425A - Semiconductor wafer manufacturing method, semiconductor wafer manufacturing order acceptance method, and semiconductor wafer manufacturing order acceptance system - Google Patents

Description

200302425 ⑴ 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於在晶圓製造商與元件製造商之間的半導 體晶圚的製造方法，及半導體晶圓製造的接受訂貨方法， 以及接受訂貨系統。特別是關於供應適合於元件製造商之 各元件製造工程的晶圓之方法。 【先前技術】 習知之半導體製品的製作，可大分爲製造成爲基板之 半導體晶圓的晶圓製造商，及在該晶圓上形成記憶體等之 各種元件之元件製造商。 在晶圓製造商自元件製造商接到製品規格，一拉起對 應該規格之單結晶晶錠，即進行切割該單結晶晶錠，而製 造至少進行一主要面之鏡面化的晶圓加工及其他熱處理等 的半導體晶圓，供應（出售）給元件製造商。 元件製造商則在由晶圓製造商所供應（購入）之晶圓上 ，使用步進機等之曝光裝置形成元件，而製造並出售 DRAM或快閃存儲體等之半導體製品。 自元件製造商向晶圓製造商訂貨之一般的規格，例如 數量、交貨期限、及晶錠與晶圓特性（晶圓直徑、導電型 、電阻係數、含氧濃度、平坦性）等。 在現狀，係依據元件製造商之要求規格，在晶圓製造 商雖製造及供應晶圓，惟即使滿足所要求之規格（雖在規 格內），尙產生在元件製造商之良率等惡化之問題。 -6- (2) (2)200302425 這樣可認爲，藉由元件之高度積體化等，已無作業程 序之合倂，要求規格以上之晶圚品質爲必需要的情況，或 未達規格之品質的影響所致。 以往，這樣在現狀依據要求規格所製作之晶圓與裝置 之互相契合的好、惡之判斷，不好的情況即予以處理爲不 良品。這樣晶圓製造商側即使一般所要求之平坦度等之規 格良好，還是有成爲不良之傾向。 於是，在晶圓製造商側，晶圓製造商側獨自將晶圓製 造工程設法，而配合於各元件製造商。因此形成了各種工 程之晶圓生產線（晶圓製造條件）。 又，良率等問題，係元件製造商側之生產線的不同， 尤其有所使用之裝置特性之參差不齊等亦成爲大的原因。 因此，即使在晶圓製造商設法配合晶圓，如元件製造 商側之元件製造工程，特別是所使用之裝置等變更的話， 配合就會轉壞。如此僅晶圓製造商側之對應，係有無法供 應真正較佳之晶圓的狀況。 於是，只要晶圓製造商側亦不進行考慮元件製造商側 之製造條件等之晶圓製造，穩定供應就成爲困難的狀況。 又，對於元件製造商側之元件製造工程之變更，晶圓製造 商側之對應亦必需要予以迅速進行。 【發明內容】 本發明係有鑑於上述情形所開發完成，其目的在於提 供正確地供應適合於元件製造商側之元件製造工程之晶圓 (3) 200302425 之半導體晶圚的製造方法及半導體晶圓製造的 法以及接受訂貨系統。 爲了解決上述課題，本發明係一種半導體 方法，其特徵爲：至少由取得關於在元件製造 製造工程資訊的步驟；及解析上述元件製造工 擇能製造具有對應於上述元件製造工程資訊之 半導體晶圓的晶圓製造工程之步驟；以及藉由 的晶圓製造工程而製造半導體晶圓的步驟所構 如此，本發明之製造方法，其特徵爲：藉 商側之元件製造工程資訊以製造具有適合於元 之各工程的晶圓特性之晶圓並予以供應。習知 規格進行製造、供應晶圓，惟不僅規格亦利用 側之工程資訊，而製造、供應適合其工程（個另 晶圓。 以採取如此細緻之對應，則可迅速地供應 。又在元件製造商側可進行良率良好的晶圓製 此時，上述元件製造工程資訊含有關於在 造工程所使用之裝置的資訊較佳。 特別是，現狀之問題在於晶圓形狀、尤其 之形狀或晶圓背面形狀與製造裝置、評價·測 配合。於是，作爲元件製造商側之元件製造工 關於在元件製造商側所使用之裝置的資訊較佳 ，各裝置有呈不同之良率傾向。 如此本發明之製造方法，係爲了供應避免 接受訂貨方 晶圓的製造 工程之元件 程資訊且選 晶圓特性之 上述所選擇 成的。 由元件製造 件製造商側 僅以一般之 元件製造商 的工程）之 少量之晶圓 造。 上述元件製 晶圓外周部 定裝置等之 程資訊，係 。因爲現狀 元件製造商 -8- (4) (4)200302425 因製造晶圓卻浪費最佳的晶圓，而能製造·供應適合於元 件製造商之各裝置特性的晶圓。 此時’關於在上述元件製造工程所使用之裝置之資訊 ，含有關於在上述裝置之晶圓夾具之資訊較佳。 如此’元件製造商側之元件製造工程資訊爲製造裝置 之夾具形狀等資訊尤其更佳。亦即，關於在元件工程所使 用之曝光裝置或乾式蝕刻裝置等所使用之製造裝置之晶圓 支承用夾具形狀等有關之資訊。 例如曝光裝置所使用之步進機，係對於晶圓形狀之容 許範圍非常小且易發生問題，因此作爲關於晶圓夾具之資 訊’使用時之夾具之平坦度、外周部之形狀等之資訊頗爲 有效。 又在乾式蝕刻工程有熱傳導率等之影響而必需要進行 溫度調整’且晶圓背面狀態（形狀）與夾具形狀之配合不良 的話’則每一晶圓必需要進行溫度校準而生產性變壞。因 此’作爲有關此種工程所使用之晶圓的夾具的資訊，爲夾 具面之狀態、例如晶圓吸著面積或吸著方法，作爲更詳細 之資訊，爲夾具面之粗糙度等。 又，上述元件製造工程資訊，係含有：由晶圓面內之 基準線與晶圓面之變位的最大値A、最小値B、及變位標 準偏差C所組成的ABC參數所表示之資訊較佳。 所謂ABC參數，如日本特願2000 — 350151號（W 00 2/ 4 1380)所揭示，在晶圓面內預定的間隔之中測定晶圓之形 狀（對於晶圓表面之垂直的方向之變位（高度、粗糙度）或晶 -9- (5) (5)200302425 圓厚度），藉由該測定之晶圓形狀’如第8圖所示之將用來 算出基準線之第一領域設定在晶圓面內，於該第一領域算 出基準線，且在該第一領域外設定欲評價之第二領域（通 常設定於晶圓之外周部），將上述基準線外插至該第二領 域，並解析第二領域之形狀與於該第二領域內之該基準線 的差，當作表面特性算出的評價方法，且將其値之最大値 (正之最大變位量或正之最大厚度差）作爲表面特性（躍起 )A(A參數）、或將最小値（負之最大値）作爲表面特性（鬆垂 )B(B參數）評價之方法。另外，在該第一領域內求取該基 準線與實測値之差，將該等之差之標準偏差σ作爲表面特 性（起伏）C(C參數）算出的評價方法。 習知晶圓之平坦度以SFQR(Site Front least sQquares Range)或 GBIR(Global Back— side Ideal Range)所言之品質 加以評價，且雖將該等組入於一般規格，惟以該等品質無 法供應充分適合於元件製造商之晶圓。藉由該ABC參數 之評價比起習知SFQR等之顯示平坦度的指標更能正確地 規定晶圓形狀較佳。尤其A、B參數將所謂之躍起及鬆垂 之晶圓外周部形狀以定量地予以評價，能正確地把握在步 進機等之晶圓夾具成爲問題的品質。又，A B C參數不僅晶 圓形狀亦能使用於夾具形狀之評價等。 如此A B C參數能將半導體晶圓之外周部分特別地以 良好的精度加以評價。因此，元件製造工程資訊若是以 A B C參數所表示關於夾具形狀、或期望之晶圓形狀之資訊 的話，尤其是在微影工程有效。此種至今之尙無規格的品 -10- (6) 200302425 質資訊是有效。 例如，元件製造商訂購晶圓時，晶圓製造商係 之ABC參數値作爲元件製造工程資訊取得。又以 數解析曝光裝置之夾具形狀，將其資訊作爲元件製 資訊取得亦可。 此時，上述元件製造工程資訊含有關於微影工 處理工程、CMP工程、蝕刻工程之其中至少一工程 較佳。 現狀是晶圓形狀爲特別之問題，對於晶圓形狀 資訊雖有效，惟在本發明不必限定於此。例如，元 商側之元件製造工程資訊爲對於曝光裝置或乾式蝕 以外之微影工程、熱處理工程、CMP工程、蝕刻工 訊亦可。例如熱處理工程之工程資訊爲熱處理爐等 或其他項目亦可。 此是，例如，藉由於元件製造商側之元件製造 熱處理條件，及晶圓製造商側之晶圓製造工程所製 結晶晶錠之品種，吸氣能力等會有差異，必需要藉 製造商側之熱處理條件微調整晶圓製造商側所製造 晶晶錠特性等。此時，晶圓製造商乃以熱處理工程 得熱處理爐的種類、型號、熱處理條件等加以解析 地調整所製造之晶圓之含氧濃度、含氮濃度等，選 於元件製造工程之晶圓製造工程，而製造較佳的晶 此時，更含有對上述半導體晶圓將對應於上述 造工程資訊之雷射標誌予以印字的步驟較佳。 將所需 ABC參 造工程 程、熱 的資訊 之工程 件製造 刻裝置 程的資 之資訊 工程的 造的單 由元件 之單結 資訊取 ，特別 擇對應 圓。 元件製 -11 - (7) 200302425 如此做的話，即使元件製造商側亦能簡 購入之晶圓投入於那一個工程較佳。 又，如此將適合於每一元件製造工程之 僅供應符合於元件製造商側之工程能力的數 之晶圓，較多的種類（各工程）之訂購增多。 製造商側必需要迅速地進行收集元件製造商 定半導體晶圓之生產線。 因此，本發明係一種半導體晶圓製造的 ，其特徵爲：至少由將元件製造商與晶圓製 腦經由網路予以連接的步驟；及上述晶圓製 腦經由網路接收自上述元件製造商至少關於 之元件製造工程的元件製造工程資訊的步驟 述元件製造工程資訊且有選擇能製造具對應 造工程資訊之晶圓特性的半導體晶圓之晶圓 驟所構成的。 如此本發明，乃是在進行半導體晶圓之 圓製造商與使用半導體晶圓而形成元件之元 進行的接受訂貨方法，元件製造商（正確爲 負責人或中間業者）係藉由客戶端終端機等 商側之顧客電腦，將期望之一般製品規格及 元件製造工程資訊予以輸入，且在晶圓製造 於顧客電腦之資訊，藉由模擬且選擇含有最 工程之生產線，而可製造供應具有適合於元 各工程的晶圓特性之晶圓。 單地把握將所 晶圓供應時， 量，用較少量 於是，在晶圓 之資料、及決 接受訂貨方法 造商之顧客電 造商之顧客電 在元件製造商 ;以及解析上 於上述元件製 製造工程的步 製造販賣之晶 件製造商之間 元件製造商之 連接晶圓製造 元件製造商之 商側解析輸入 佳的晶圓製造 件製造商側之 -12- (8) (8)200302425 供應適合於元件製造商側之晶圓時，雖收集細緻的資 訊及選定迅速的晶圓生產線頗爲重要，惟如上述經由網路 利用電腦之接受訂貨方法的話，能順暢地取得元件製造商 之資訊以圖提升服務。又晶圓製造商側之晶圓生產線的決 定亦爲容易，更加能提供適合於元件製造商側之工程的推 薦晶圓等。 此時，上述元件製造工程資訊含有關於在上述元件製 造商之元件製造工程所使用之裝置的資訊較佳。 作爲元件製造商側之元件製造工程資訊，雖並非特別 予以限定，惟在元件製造商側所使用之裝置資訊較佳。依 據裝置之型號等良率有相異之傾向，必需要供應適合於裝 置之晶圓。 此爲接受在元件製造商側之現行（通常所使用之）生產 線所使用之晶圓訂貨時特別有效。又因爲在元件製造商側 只要輸入執行所使用之裝置之型號就可，故容易輸入。 此時，尤其關於在上述元件製造商側所使用之裝置之 資訊，含有關於在上述裝置之晶圓夾具之資訊較佳。 如此，元件製造商側之元件製造工程資訊爲關於製造 裝置之晶圓夾具之資訊較佳。亦即，對於在元件製造所使 用之曝光裝置或乾式蝕刻裝置等所使用的製造裝置之晶圓 支承用夾具之形狀的資訊。 例如作爲微影工程之曝光裝置所使用之步進機，係對 於晶圓形狀的容許範圍非常小，尤其在元件製造商側，步 進機之夾具形狀爲問題的情形多。因此，此時關於在晶圓 -13- 200302425 Ο) 夾具有關之資訊，係使用時之夾具之平坦度、外周部之形 狀等之資訊爲有效。 又在乾式蝕刻工程，晶圓背面狀態（形狀）與夾具形狀 之配合頗爲重要。因此作爲關於在如此工程所使用之晶圓 夾具之資訊爲夾具面之狀態，例如晶圓吸著面積或吸著方 法，作爲更詳細之資訊則是夾具面之粗糙度等。 此時，上述元件製造工程資訊，係含有利用由晶圓面 內之基準線與晶圓面的變位之最大値A、最小値B、及變 位標準偏差C所組成的ABC參數所表示之資訊較佳。 所謂 ABC參數，係在一般規格並無之品質資訊，如 上述已述者，藉由該 ABC參數之評價係比起藉由習知之 規格SFQR等之顯示平坦度之指標更能正確地規定晶圓形 狀較佳。尤其A、B參數將躍起及鬆垂之晶圓外周部之形 狀以定量予以評價，致能正確地把握在步進機等之夾具成 爲問題的品質。該ABC參數不僅晶圓形狀亦能使用於夾 具形狀之評價。因此，例如接受ABC參數已決定之晶圓 的訂貨時，接收其値。又將曝光裝置之夾具形狀以ABC 參數予以解析而作爲元件製造工程資訊接收亦可。 尤其在元件製造商側之新設元件生產線缺乏最適宜晶 圓爲何者的過去資訊時等，利用此特性之資訊較佳。如果 用A B C參數的話，對晶圓製造爲非常有用之資訊。 此時，上述元件製造工程資訊含有關於微影工程、熱 處理工程、CMP工程、鈾刻工程之其中至少一工程的資訊 較佳。 -14 - (10) 200302425 現狀是晶圓形狀爲特別之問題，如上述影響晶圓 之工程資訊雖有用，惟在本發明並不限定於此。例如 件製造商側之元件製造工程資訊是對於微影工程、熱 工程、CMP工程、蝕刻工程等的資訊亦可。例如熱處 程之工程資訊爲熱處理爐等之資訊或其他項目皆可。 例如，由於元件製造商側之熱處理條件，藉由在 製造商所製造之晶錠之品種，吸氣能力等會有差異， 藉由熱處理條件微調整晶錠特性。此時，作爲關於熱 工程之資訊係接收熱處理爐之種類、型號、熱處理條 加以解析，特別地調整期望之晶圓之含氧濃度、含氮 等，選擇可製造較佳的晶圓之晶圓製造工程。 此時，更含有關於將上述所選擇的晶圓製造工程 造之半導體晶圓之半導體晶圓資訊回電給元件製造商 驟較佳。 如此將半導體晶圓資訊回電給元件製造商，以後 製造商側訂購晶圓時，能將該參數作爲元件製造工程 予以發送，更能確認ABC參數或晶圓背面形狀等與 之關係，也可再度縮小定義範圍找出較佳的晶圓，可 適合於元件製造工程之較佳的晶圓。 此時，所回電之上述半導體晶圓資訊，係含有所 之半導體晶圓之上述ABC參數及/或半導體晶圓之 形狀較佳。 因爲ABC參數之評價比起藉由習知之SFQR等指 更能正確地規定晶圓形狀。又半導體晶圓之背面形狀 形狀 ，元 處理 理工 晶圓 必需 處理 件等 濃度 所製 的步 元件 資訊 良率 訂購 製造 背面 標， 係以 -15- (11) 200302425 步進機等夾持晶圚時成爲問題。因此，藉由將該等作爲 薦ABC參數、推薦背面形狀予以回電，在元件製造商 則能訂購適合於元件製造工程之較佳的晶圓。 此時，將上述元件製造工程資訊之解析及晶圓製造 程之選擇，利用所製造之半導體晶圓之上述ABC參數 /或半導體晶圓之背面形狀加以進行較佳。 如此，例如在顧客電腦所進行之資訊解析，係根 ABC參數及/或背面形狀而進行較佳。藉由將ABC參 或背面形狀與晶圓生產線之關係等連結予以解析，選擇 製造具有所要求之晶圓特性之半導體晶圓的晶圓製造工 爲容易。 又，本發明係一種半導體晶圓製造的接受訂貨系統 其特徵爲：至少由元件製造商之客戶端終端機與晶圓製 商之顧客電腦所組成的，上述客戶端終端機藉由元件製 商至少被輸入有關在元件製造商之元件製造工程的元件 造工程資訊，並經由網路將上述元件製造工程資訊予以 送，而上述顧客電腦即接收上述所發送之元件製造工程 訊，且解析該元件製造工程資訊以選擇可製造具有對應 上述元件製造工程資訊之晶圓特性的半導體晶圓之晶圓 造工程。 供應適合於元件製造商側之晶圓時，雖收集細緻的 訊及選定迅速的晶圓生產線頗爲重要，惟如上述經由網 利用電腦之接受訂貨系統的話，能順暢地取得元件製造 之資訊以圖提升服務。又晶圓製造商側之生產線的決定 推 側 工 及 據 數 可 程 造 造 製 發 資 於 製 資 路 商 亦 -16- (12) (12)200302425 爲容易，更加能提供適合於元件製造商側之工程的推薦晶 圓等。 此時，上述元件製造工程資訊含有關於在上述元件製 造商之元件製造工程所使用之裝置的資訊較佳。 因爲依據裝置之型號等良率有相異之傾向，必需要供 應適合於裝置之晶圓。此爲在元件製造商側訂購現行生產 線所使用晶圓時特別有效。因爲只要輸入所使用之裝置之 型號於客戶端終端機就可，故容易輸入。 此時，關於在上述元件製造商側所使用之裝置的資訊 含有關於在上述裝置之晶圓夾具的資訊較佳。 例如作爲微影工程之曝光裝置所使用之步進機，係對 於晶圓形狀的容許範圍非常小，尤其在元件製造商側，步 進機之夾具形狀造成問題的情形多。此時，有關於晶圓夾 具之資訊，係使用時之夾具之平坦度、外周部之形狀等之 資訊爲有效。又在乾式蝕刻工程，晶圓背面狀態（形狀）與 夾具形狀之配合頗爲重要。因此作爲關於在如此工程所使 用之晶圓夾具的資訊係夾具面之狀態，例如晶圓吸著面積 或吸著方法’作爲更詳細的資訊則是夾具面之粗糙度等之 貪訊爲有效。 此時’上述元件製造工程資訊，係藉由含有由晶圓面 內之基準線與晶圓面之變位的最大値A、最小値B、及變 位標準偏差C所組成的A BC參數所表示之資訊較佳。 所謂ABC參數，係爲上述者，藉由該ABC參數之評 價比起藉由習知之SFQR等之顯示平坦度之指標更能正確 -17 - (13) (13)200302425 地規定晶圓形狀較佳。 此時，上述元件製造工程資訊係含有關於微影工程、 熱處理工程、CMP工程、蝕刻工程之其中至少一工程的資 訊較佳。 例如，藉由於元件製造商側之熱處理條件及晶圓製造 商側所製造之單結晶晶錠之品種，吸氣能力等會有差異， 必需要藉由元件製造商側之熱處理條件微調整晶圓製造商 側所製造之晶錠特性。 此時，上述顧客電腦係關於在上述所選擇的晶圓製造 工程所製造之半導體晶圓之半導體晶圓資訊回電給客戶端 終端機較佳。 如此顧客電腦若將半導體晶圓資訊回電給元件製造商 的話，以後在元件製造商側訂購晶圓時，可將該參數作爲 元件製造工程資訊輸入於客戶端終端機予以輸入，更加確 認 ABC參數或晶圓背面形狀等與良率之關係，也可再度 縮小定義範圍找出最佳的晶圓，可訂購適合於元件製造工 程之較佳的晶圓。 此時，上述所回電之半導體晶圓資訊，係含有所製造 之半導體晶圓之上述ABC參數及/或半導體晶圓之背面 形狀較佳。 因爲藉由ABC參數之評價比起習知之SFQR等指標， 更能正確地規定晶圓形狀所致。又半導體晶圓之背面形狀 係在步進機等夾持晶圓時成爲問題。因此，藉由將該等作 爲推薦 A B C參數、推薦背面形狀予以回電，在元件製造 -18- (14) 200302425 商則能訂購適合於元件製造工程之較佳的晶圓。 此時，將上述元件製造工程資訊之解析及晶圓製 程之選擇，利用所製造之半導體晶圓之上述ABC參 /或半導體晶圓之背面形狀加以進行較佳。 如此，在顧客電腦所進行之資訊之解析，係根據 參數及/或背面形狀進行的情形較佳。藉由將 ABC 或背面形狀與晶圓生產線之關係等連結予以解析，選 製造具有所要求之晶圓特性之半導體晶圓的晶圓製造 較爲容易。 如果藉由如本發明之製造方法製造晶圓的話，就 應適合於元件製造商之各工程的晶圓形狀者，而提高 製造商側之良率。 如果又實行如本發明之接受訂貨方法及使用接受 系統的話，就能細緻的對應元件製造商之各元件生產 又晶圓製造商側也容易決定晶圓生產線。 【實施方式】 〔發明之最佳實施形態〕 以下，就本發明有關半導體晶圓的製造方法及半 晶圓製造的接受訂貨方法，以及半導體晶圓製造的接 貨系統之實施形態，參照圖示加以說明。以下之實施 僅爲一例示而已，可作各種變更。又以下之說明，卻 元件製造工程使用之裝置（曝光裝置）所適合形狀的晶 應例加以說明。 造工 數及 ABC 參數 擇可 工程 能供 元件 訂貨 線。 導體 受訂 形態 是就 圓供 -19- (15) (15)200302425 如第1圖所示，本發明之接受訂貨系統係介網際網路 等網路，將晶圓製造商與使用半導體晶圓形成元件之元件 製造商間予以連接所構成。元件製造商之負責人即自客戶 端終端機藉與晶圓製造商之顧客電腦的連接，將期望一般 製品規格及元件製造商之工程資訊予以輸入。 晶圓製造商乃構築有可解析輸入於顧客電腦之資訊， 並模擬含有最適宜製造工程之生產線的自動解析手段，且 由該顧客電腦決定生產線。藉此而可製造供應具有適合於 元件製造商之元件製造工程的晶圓特性之晶圓。 更詳細地說明實施形態，元件製造商之負責人即自客 戶端終端機藉與晶圓製造商之顧客電腦的連接，將期望一 般製品規格及元件製造商之工程資訊予以輸入。具體是， 如第1圖介網際網路等與晶圓製造商之顧客電腦連接，連 接後，由如第2圖所示畫面予以輸入顧客資訊（元件製造商 之名稱或工廠名稱）。對此預先決定代碼等較佳。 當被輸入顧客代碼時，如第3圖所示確認期望一般製 品規格。如已決定規格No.等、詳細規格已決定時，將其 號碼予以輸入。又，欲重新設定晶圓品種、導電型、直徑 、電阻係數、含氧濃度、不純物特性、結晶性等結晶品質 及厚度平坦度、光澤度等之晶圓品質等時，則移到個別規 格輸入畫面（未圖示），而可輸入其詳細（品質項目爲任意） 〇 其次，輸入元件製造工程資訊。可輸入之元件製造工 程資訊卻需由元件製造商預先加以確認，例如，如第4圖 -20- (16) (16)200302425 所示需確認元件製造商使用之生產線是現行（至目前使用 之）製造工程，或是新開始之生產線（但，此種資訊輸入不 一定需要輸入）。 接著，如第5圖所示將元件製造工程資訊之詳細予以 輸入。此等亦需由元件製造商確認提供何種程度之資訊， 而藉此以決定輸入何種元件製造工程資訊或如何進行最適 合晶圓之決定（解析），惟元件製造工程資訊以裝置有關資 訊，或更詳細爲曝光裝置等之晶圓夾具形狀有關資訊等較 佳。 尤其在現行使用之生產線，元件製造商之元件製造工 程資訊以元件製造商所使用之裝置有關之資訊較佳。此時 ，則輸入通常使用之裝置型號等。元件製造商雖具有多數 裝置及工程，惟自其中提供良率惡劣的裝置有關資訊等。 又，元件製造商之元件製造工程資訊如爲曝光裝置之 晶圓夾具形狀有關資訊更宜。尤其元件製造商有曝光裝置 之良率的問題，提供該工程適合之晶圓頗爲重要。 特別是元件製造商之工程資訊爲 ABC參數之資訊較 佳。雖現行生產線亦是，惟特別在訂購及接受訂購新開始 生產線使用之晶圓時使用之。將曝光裝置之夾具形狀以 ABC參數加以評價，且將其資訊提供給晶圓製造商。取得 ABC參數之晶圓製造商乃能容易地選擇晶圓製造工程並決 定生產線，故較佳。 繼之，就解析輸入於顧客電腦之資訊，以模擬最適宜 晶圓生產線之手法加以說明。晶圓製造商之顧客電腦係累 -21 - (17) (17)200302425 積有顧客資訊及生產線資訊等。該累積資訊可推測有各種 形態並非特別予以限定，惟累積有例如過去元件製造商之 異議資訊及良率資訊等。其他尙輸入有晶圓製造商之晶圓 生產線資訊，且將該等予以連結。 又，對於元件製造商之各生產線如將最適宜晶圓形狀 以ABC參數之品質加以累積資料較佳。 晶圓製造商係存儲有多數晶圓生產線與晶圓形狀特性 等之資訊。尤其對於晶圓形狀求取各生產線之容易製造的 ABC參數並記錄。 該ABC參數尤其能正確地把握晶圓外周部之形狀， 對於確認與曝光裝置等之互相契合具有優異品質。 以本實施形態之解析步驟，如第7圖所示如元件製造 商輸入元件製造工程有關之資料時，晶圓製造商之顧客電 腦即累積資料，並利用過去之資料以解析最適宜之晶圓製 造工程。以該解析之參數則使用A B C參數加以實施，而 決定適合於元件製造商之元件製造工程的推薦ABC參數 。接著決定可製造該ABC參數之晶圓的晶圓製造工程所 組成的晶圓生產線。且將該生產線之運轉狀況等納入考慮 以決定交貨期限等，將其結果向元件製造商回電。 以上自晶圓製造商之資料累積及解析至晶圓生產線之 決定及交貨期限之決定，在顧客電腦上可自動進行模擬地 予以程式設計較佳。 模擬方法並未特別地加以限定。而藉元件製造商之元 件製造工程資訊以構築各種解析程式設計。 -22- (18) (18)200302425 一例示，乃自元件製造商所輸入之工程資訊以核對過 去該生產線是否發生過異議事宜等即可。藉此，如無異議 等事時，則拾起元件製造商過去製造之生命線目錄，接著 將所拾起生命線容易製造之晶圓形狀以 ABC參數予以列 表。且解析ABC參數，而可使用有過訂購之元件製造商 的元件製造工程、決定適合元件生產線之晶圓形狀等的解 析程式設計。 又，被程式設計爲過去有異議時，可進行避免其生產 線之決定。且，管理有過異議之工程易形成之晶圓形狀的 晶圓不予製造出貨。 又，對每一元件製造商之工程或裝置予以累積例如元 件製造商X之型號111裝置的ABC參數爲多少個晶圓，元 件製造商Y之工程MM的ABC參數爲多少個晶圓之資料 ，將其核對亦可。 其他，新開始之生產線時，乃促使元件製造商以ABC 參數等輸入曝光裝置之夾具形狀。將該 ABC參數與應製 造晶圓之 ABC參數加以解析而選擇較佳的晶圓及可製造 其之製造工程並決定生產線。又俾使輸入裝置之型號。與 使用同樣裝置之過去資訊進行核對及解析，以推測最適宜 之晶圓亦可。如此實行以 ABC參數爲軸心之解析時，即 易於解決對晶圓形狀之問題。 另外，由晶圓製造商向元件製造商供應 ABC參數爲 眾知之晶圓（標準晶圓），且元件製造商使用該標準晶圓， 在相當之步進機等裝置設定該晶圓，以獲得設定於步進機 -23- (19) (19)200302425 狀態之形狀資料等，將其爲元件製造工程資訊予以輸入， 並以該資料爲基準考慮與標準樣品ABC之差異等，在晶 圓製造商模擬適合該步進機之晶圓，而決定符合該步進機 之晶圓的A B C參數亦可。 如上進行解析元件製造工程之較佳的晶圓的 ABC參 數。接著將其結果與晶圓製造商之晶圓生產線的 ABC參 數資訊予以環接，以決定最適宜之晶圓生產線。 且在晶圓製造商之各生產線累積易於形成之晶圓形狀 (ABC參數及背面粗糙度或光澤度），而於先前模擬之元件 側予以決定可製造較佳ABC參數等之晶圓的生產線。 如此顧客電腦，係連接晶圓生產線資訊與元件製造商 側之元件製造資訊，且被構築爲可模擬最適宜之晶圚生產 線，故藉使用其進行模擬，而可迅速地實施最適宜之晶圓 接受訂貨·製造·供應。以往元件製造商之資訊通常雖由 晶圓製造商之營業負責人所取得，惟如使用本訂購方法， 則如營業負責人等變更，亦由於元件製造商之資訊已被輸 入於顧客電腦，故能進行正確之對應。 況且，顧客電腦亦能由元件製造商親自輸入元件製造 工程資訊，因此可進行正確且迅速之對應。 如是在選擇·決定之元件製造工程所組成的生產線進 行晶圓製造。又，晶圓製造商之生產線有多數工程。矽晶 圓之一般製造方法乃由使用切克勞斯基（Czochralsld ; CZ) 法等以製造單結晶晶錠之成長工程，與切割該單結晶晶錠 予以加工爲至少一主要面呈鏡面狀的晶圓加工工程所組成 -24- (20) (20)200302425 的。將晶圓加工工程更詳細地表示時，乃具有切割單結晶 晶錠以獲得薄圓板狀晶圓之切割工程，與爲防止藉該切割 工程所得晶圓之破裂、缺口將其外周部予以去角取面之去 角工程，與平坦化該晶圓之硏磨工程，與爲除去已去角及 硏磨之晶圓所殘留加工彎曲的蝕刻工程，與將該晶圓表面 予以鏡面化之硏磨（拋光）工程，以及洗淨所硏磨之晶圓’ 以除去其所附著之硏磨劑或異物的洗淨工程。上述晶圓加 工工程則是顯示主要工程而已，其他亦可添加熱處理工程 等之工程，或將相同工程予以多段進行等，以改換工程順 序。 各工程中亦使用各色各樣之裝置，加工條件等亦有種 。於是晶圓之生產線的種類亦存在有多數。因此，可滿足 現狀所要求之一般規格的晶圓製造工程亦有多數存在。且 ，元件製造商之構成問題的特性與晶圓製造商之應改善晶 圓製造工程，由於已經驗性地加以把握著，故藉將其最前 端生產線之稍些條件予以改變，可呈適合於元件製造商之 晶圓，或不適合之晶圓。例如，付予晶圓品質有影響之工 程，以晶錠之單晶拉起工程及如晶圓形狀時鏡面硏磨工程 等爲尤其重要之工程，故主要地進行調整該等工程之條件 〇 又，在元件生產線使用曝光裝置之工程，已知晶圓形 狀、尤其晶圓外周部之形狀剖爲重要。一般晶圓形狀雖以 高平坦度者較佳，惟在元件製造商之生產線、尤其使用曝 光裝置之工程等，卻有晶圓之外周形狀呈鬆垂時良率較佳 -25- (21) (21)200302425 之情形或反而呈躍起形狀時良率較佳之情形，或非將鬆垂 量管理於所定範圍不可之情形等。 於是，以具適合於元件製造商之各元件製造工程的晶 圓特性之晶圓的簡單製造例，晶圓製造商藉由元件製造商 之元件製造工程（元件製造工程資訊）以製造晶圓時，係準 備大致分成使晶圓外周形狀呈躍起或呈鬆垂，或管理於所 定範圍內的三系統晶圓生產線。 又，如第6圖所示決定晶圓生產線後，即考慮該晶圓 生產線之處理能力、現狀之晶圓製造順序，而模擬交貨期 限等向元件製造商予以回電。又以所供應之晶圓形狀予以 添加 A B C參數或晶圓背面形狀爲參考値亦可。藉將如此 半導體晶圓資訊回電給元件製造商，而在元件製造商亦能 把握ABC參數或晶圓背面形狀與元件生產線之互相契合 ，今後訂購時頗爲有用。 如此供應之晶圓與元件製造商之生產線的互相契合如 良好時，自下次進行依據該ABC參數或晶圓背面形狀進 行訂購即可，故下次以後之訂購操作亦變爲容易。 藉此，晶圓製造商對於成批處理之想法亦會改變。即 能進行多種、少量之生產。 又，晶圓製造商完成製造，對元件製造商供應晶圓胃 ，對晶圓予以印刷對應工程資訊之雷射標誌較佳。如此’ 元件製造商亦能簡單地把握將所購入晶圓投入於那一工程 較佳。 以下，係舉本發明實施例具體地說明，惟本發明並非 -26- (22) (22)200302425 限定於此。 (實施第1例） (元件製造商之元件製造工程資訊輸入） 自兀件製造商X之客戶端終端機，介網路連接於顧客 電腦而有訂購。元件製造商X進行的訂購爲習知之生產線 LL的晶圓訂購。且以元件製造工程資訊予以輸入步進工 程所使用之裝置型號1 1 1。 (晶圓製造商之元件製造工程資訊資料累積及解析） 在顧客電腦核對過去資訊時，該元件製造商之步進工 程所使用的型號1 1 1裝置卻有良率低之異議。此時供應之 晶圓爲晶圓製造商的晶圓生產線α所製造。於是避開該生 產線，而拾起符合一般規格之工程。其中尙存在有過去供 應晶圓之生產線/3、r。該生產線之良率則良好 (推薦ABC參數之決定） 又’上述晶圓生產線所能製造之晶圓形狀（ABC參數） 被累積於顧客電腦，且將該等晶圓製造工程與晶圓形狀加 以核對結果，知道晶圓生產線α爲晶圓外周部呈躍起形狀 (Α參數爲150// m以上）的晶圓生產線。生產線石、r爲容 易幵> 成鬆垂形狀之晶圓生產線（A參數爲150// m以下）。因 此’對於元件製造商X之習知生產線LL的步進工程所使 用之型號1 i 1裝置較佳之晶圓A參數爲1 50 // m以下。其餘 的 B 爹數=—400/zm 〜—800C//m，C 參數= 20//m 以下 »27- (23) (23)200302425 (晶圓製造商之晶圓生產線決定及交貨期限決定） 其次，根據上述ABC參數選擇晶圓生產線並加以決 定。能製造符合上述條件之晶圓的生產線卻有生產線/3、 7 、Γ、π等之多數工程。故考慮處理能力及製造成本， 晶圓製造商乃選擇晶圓生產線r ，而算出交貨期限。 (對元件製造商之半導體晶圓資訊回電） 將如上述半導體晶圓資訊回電給元件製造商。並在回 電添加上述ABC參數之資訊。 元件製造商係依據上述結果正式進行訂購晶圓。晶圓 製造商則在晶圓生產線T製造晶圓，將顯示應投入於元件 製造商X之生產線的編號由印字雷射標誌而進行，並向元 件製造商輸入晶圓。 (實施第2例） (元件製造商之元件製造工程資訊輸入） 自元件製造商Y之客戶端終端機，介網路連接於顧客 電腦而有訂購。元件製造商Y進行的訂購爲習知之生產線 MM的晶圓訂購。且以元件製造工程資訊予以輸入過去曾 經資訊提供之ABC參數。 (晶圓製造商之元件製造工程資訊資料累積及解析） 在顧客電腦核對過去資訊時，確認到上述 A B C參數 之晶圓未曾發生過異議之情形。於是拾起過去供應晶圓之 生產線。即爲生產線α、δ、ε。 -28- (24) (24)200302425 (推薦ABC參數之決定） 由於過去未有異議，因此將以前由元件製造商所輸入 之ABC參數原樣予以作爲推薦ABC參數。 (晶圓製造商之晶圓生產線決定及交貨期限決定） 其次’根據上述ABC參數選擇晶圓生產線並加以決 定。能製造符合上述條件之晶圓的生產線卻有生產線α、 5、ε、0等之多數工程。故考慮處理能力及製造成本， 晶圓製造商乃選擇晶圓生產線5，而算出交貨期限。 (對元件製造商之半導體晶圓資訊回電） 將如上述半導體晶圓資訊回電給元件製造商。並在回 電添加上述A B C參數之資訊。元件製造商係確認該等而 進行訂購。 (實施第3例） (元件製造商之元件製造工程資訊輸入） 自元件製造商Z之客戶端終端機，介網路連接於顧客 電腦而有訂購。元件製造商Z進行的訂購爲新開始之生產 線NN的晶圓訂購。且以元件製造工程資訊予以輸入在步 進工程所使用之裝置型號及夾具形狀。 (晶圓製造商之元件製造工程資訊資料累積及解析） -29- (25) (25)200302425 在顧客電腦核對過去資訊時，自該元件製造商有過良 率低之異議。此時供應之晶圓爲晶圓製造商的晶圓生產線 ^所製造。於是避開該生產線，而拾起符合一般規格之工 程。（由於是新開始之生產線）其中並未存在有過去供應晶 圓之生產線。接著對步進工程所使用之裝置型號進行核對 過去資訊。該裝置雖非元件製造商Z之所有，惟其他元件 製造商亦在使用，已知該裝置之較佳形狀爲鬆垂形狀。 (推薦ABC參數之決定） 又，藉晶圓夾具形狀之資訊將ABC參數設爲150 // m 以下，B參數設爲—800 // m以下，C參數設爲25 // m以 下。 (晶圓製造商之晶圓生產線決定及交貨期限決定） 其次，根據上述 ABC參數以決定晶圓生產線。能製 造符合上述條件之晶圓的生產線卻有生產線/3、T 、r、 7；等之多數工程。故考慮處理能力及製造成本，晶圓製造 商乃選擇晶圓生產線/?，而算出交貨期限。 (對元件製造商之半導體晶圓資訊回電） 將如上述半導體晶圓資訊回電給元件製造商。並在回 電附加上述 ABC參數之資訊。元件製造商則確認該等而 進行訂購。 又，本發明並非限定於上述實施形態。上述實施形態 -30- (26) 200302425 僅是例示而已，凡是具有與 術思想實質上相同之構成， 如何亦理應包括於本發明之 例如，上述實施形態係 等曝光裝置之良率有問題的 ABC參數爲主之最適宜晶圓 如乾式鈾刻工程等之良率特 工程用之解析算法即可。亦 元件製造商之元件製造工程 例如，在乾式蝕刻工程 背面形狀時，乃以背面形狀 圓的解析。亦即藉元件製造 晶圓之夾具面狀態，例如晶 細資訊之夾具面粗糙度等解 定推薦之背面形狀，且依照 又決定交貨期限，並將其結 等，夾具面與晶圓背面之接 夾具面形狀，俾使呈較佳接 或起伏、更細週期之粗糙度 狀，主要是背面側的彎曲或 。惟將該等形態欲以一數値 該等形狀之代替品質而用光 亦可。亮度（光澤度）雖一般 是廣泛範圍。實施上由更狹 本發明申請專利範圍所記載技 且奏出同樣作用效果者，不關 技術範圍。 爲自微影工程、尤其是步進機 元件生產線之訂購，而進行以 的解析。惟，在元件製造商， 別有問題時，則使用乾式鈾刻 即，預先予以程式設計適合於 的解析用算法。 ，熱傳導率有問題需注意晶圓 之參數爲主予以進行最適宜晶 商取得之夾具形狀、尤其保持 圓吸著面積或吸著方法、更詳 析最適宜的晶圓背面形狀而決 其結果決定晶圓的生產線，復 果予以回電。在乾式蝕刻工程 觸面積有問題時，則考慮上述 觸面積地規定晶圓背面之彎曲 等即可。亦即所謂晶圓背面形 起伏、更細週期的粗糙度之意 加以表示頗爲困難，故以反映 澤計測定之亮度規定背面形狀 的規格亦包含著，但數値性卻 窄範圍加以規定至爲重要，於 -31 - (27) (27)200302425 是將適合於元件製造商之工程的背面形狀（光澤度）予以回 電° 且在元件工程含有其他形態之微影工程、熱處理工程 、CMP工程、蝕刻工程，該等工程有時亦會降低良率。因 此，對元件製造工程資訊將該等工程有關之資訊組合於上 述解析算法，將該等有關之ABC參數及背面形狀（光澤度） 予以組合，而更加動腦決定最適宜晶圓以規定晶圓製造工 程亦可。 又上述實施形態，雖由元件製造商之負責人，自客戶 端終端機連接於晶圓製造商之顧客電腦而輸入資訊，惟將 此由元件製造商之營業負責人聽取元件製造工程資訊，且 輸入該元件製造工程資訊亦能獲得同樣效果。 又，實施形態所示第2圖〜6等之畫面顯示內容，或輸 入項目等，並無特別的限定乃可任意地予以設定。 且在本發明，不必多言當然設有適當之資訊保護手段 。例如適當地設有認證顧客所需之認證手段，或保持顧客 資訊所需之密碼等機密保持手段、存取控制手段等。 【圖式簡單說明】 第1圖爲顯示本發明之半導體晶圓製造的接受訂貨方 法之半導體晶圓製造的接受訂貨系統的槪略之說明圖。 第2圖爲顯示本發明之半導體晶圓製造的接受訂貨方 法之客戶端終端機的顧客資訊的輸入畫面之一例之圖。 第3圖爲顯示本發明之半導體晶圓製造的接受訂貨方 -32- (28) (28)200302425 法之客戶端終端機的一般規格的輸入畫面之一例之圖。 第4圖爲顯示本發明之半導體晶圓製造的接受訂貨方 法之客戶端終端機的元件製造工程資訊的輸入晝面之一例 之圖。 第5圖爲顯示本發明之半導體晶圓製造的接受訂貨方 法之客戶端終端機的兀件製造工程資訊的輸入畫面之一例 之圖。 第6圖爲顯示本發明之半導體晶圓製造的接受訂貨方 法之將半導體晶圓資訊回電元件製造商時的客戶端終端機 的晝面之一例之圖。 第7圖爲顯示本發明之半導體晶圓製造的接受訂貨方 法之一例之流程圖。 第8圖爲顯示A B C參數之評價手法的模式性之說明圖 -33-

Claims (1)

1. (1) 200302425 拾、申請專利範圍 1. 一種半導體晶圓的製造方法，其特徵爲： 得關於在元件製造工程之元件製造工程資訊的步 析上述元件製造工程資訊且選擇能製造具有對應 件製造工程資訊之晶圓特性的半導體晶圓之晶圓 的步驟；以及藉由上述所選擇的晶圓製造工程而 體晶圓的步驟所構成。 2. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓的製 其中，上述元件製造工程資訊係含有關於在上述 工程所使用之裝置的資訊。 3. 如申請專利範圍第2項之半導體晶圓的製 其中，關於在上述元件製造工程所使用之裝置的 有關於在上述裝置之晶圓夾具的資訊。 4. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓的製 其中，上述元件製造工程資訊係含有由晶圓面內 與晶圓面之變位的最大値A、最小値B、及變位 C所組成的ABC參數所表示之資訊。 5. 如申請專利範圍第2項之半導體晶圓的製 其中，上述元件製造工程資訊係含有由晶圓面內 與晶圓面之變位的最大値A、最小値B、及變位 C所組成的ABC參數所表示之資訊。 6. 如申請專利範圍第3項之半導體晶圓的製 其中，上述元件製造工程資訊係含有由晶圓面內 與晶圓面之變位的最大値A、最小値B、及變位 至少由取 驟；及解 於上述元 製造工程 製造半導 造方法， 元件製造 造方法， 資訊係含 造方法， 之基準線 標準偏差 造方法， 之基準線 標準偏差 造方法， 之基準線 標準偏差 -34- (2) (2)200302425 C所組成的ABC參數所表示之資訊。 7. 如申請專利範圍第1至6項之任一項半導體晶圓的製 造方法，其中，上述元件製造工程資訊係含有關於微影工 程、熱處理工程、CMP工程、蝕刻工程之其中至少一工程 的資訊。 8. 如申請專利範圍第1至6項之任一項半導體晶圓的製 造方法，其中，更含有對上述半導體晶圓將對應於上述元 件製造工程資訊之雷射標誌予以印字的步驟。 9. 如申請專利範圍第7項之半導體晶圓的製造方法， 其中，更含有對上述半導體晶圓將對應於上述元件製造工 程資訊之雷射標誌予以印字的步驟。 10. —種半導體晶匪製造的接受訂貨方法，其特徵爲 :至少由將元件製造商與晶圓製造商之顧客電腦經由網路 予以連接的步驟；及上述晶圓製造商之顧客電腦經由網路 接收自上述元件製造商至少關於在元件製造商之元件製造 工程的元件製造工程資訊之步驟；以及解析上述元件製造 工程資訊且選擇能製造具有對應於上述元件製造工程資訊 之晶圓特性的半導體晶圓之晶圓製造工程的步驟所構成。 11. 如申請專利範圍第10項之半導體晶圓製造的接受 訂貨方法，其中，上述元件製造工程資訊係含有關於在上 述元件製造商之元件製造工程所使用的裝置的資訊。 1 2.如申請專利範圍第1 1項之半導體晶圓製造的接受 訂貨方法，其中，關於在上述元件製造商所使用的裝置的 資訊係含有關於在上述裝置之晶圓夾具的資訊。 -35- (3) (3)200302425 13 ·如申請專利範圍第丨0項之半導體晶圓製造的接受 口丁貝方法’其中，上述元件製造工程資訊係含有利用由晶 圓面內之基準線與晶圓面之變位的最大値A、最小値B、 及M k標準偏差^所組成的aBC參數所表示之資訊。 1 4 ·如申請專利範圍第丨丨項之半導體晶圓製造的接受 5丁貝'方法’其中’上述元件製造工程資訊係含有利用由晶 □面內之基準線與晶圓面之變位的最大値A、最小値b、 及’變^標準偏差C所組成的A B C參數所表示之資訊。 1 5 ·如申請專利範圍第1 2項之半導體晶圓製造的接受 g了《方法’其中，上述元件製造工程資訊係含有利用由晶 Π面內之基準線與晶圓面之變位的最大値a、最小値b、 & ^ ^標準偏差C所組成的A B C參數所表示之資訊。 1 6· $[|申請專利範圍第ι〇項之半導體晶圓製造的接受 言丁 «力法’其中，上述元件製造工程資訊係含有關於微影 工程、熱處理工程、CMP工程、蝕刻工程之其中至少一工 程的資訊。 1 7 ·如申請專利範圍第1 1項之半導體晶圓製造的接受 訂貨方法’其中，上述元件製造工程資訊係含有關於微影 工程、熱處理工程、CMP工程、鈾刻工程之其中至少一工 程的資訊。 U·如申請專利範圍第丨2項之半導體晶圓製造的接受 訂貨方法，其中，上述元件製造工程資訊係含有關於微影 工程、熱處理工程、CMP工程、蝕刻工程之其中至少一工 程的資訊。 -36- (4) 200302425 1 9 .如申請專利範圍第1 3項之半導體晶圓製造的 訂貨方法，其中，上述元件製造工程資訊係含有關於 工程、熱處理工程、CMP工程、鈾刻工程之其中至少 程的資訊。 20.如申請專利範圍第14項之半導體晶圓製造的 訂貨方法，其中，上述元件製造工程資訊係含有關於 工程、熱處理工程、CMP工程、蝕刻工程之其中至少 程的資訊。 2 1.如申請專利範圍第1 5項之半導體晶圓製造的 訂貨方法，其中，上述元件製造工程資訊係含有關於 工程、熱處理工程、CMP工程、鈾刻工程之其中至少 程的資訊。 22. 如申請專利範圍第10至21項之任一項半導體 製造的接受訂貨方法，其中，更含有將關於在上述所 的晶圓製造工程所製造的半導體晶圓之半導體晶圓資 電給元件製造商的步驟。 23. 如申請專利範圍第22項之半導體晶圓製造的 訂貨方法，其中，上述所回電之上述半導體晶圓資訊 有所製造的半導體晶圓之上述ABC參數及/或半導 圓之背面形狀。 24. 如申請專利範圍第10至21項之任一項半導體 製造的接受訂貨方法，其中，採用上述元件製造工程 之解析及晶圓製造工程之選擇、所製造的半導體晶圓 述ABC參數及/或半導體晶圓的背面形狀予以進行。 接受 微影 一工 接受 微影 一工 接受 微影 一工 晶圓 選擇 訊回 接受 係含 體晶 晶匪 資訊 之上 -37- (5) (5)200302425 2 5.如申請專利範圍第22項之半導體晶圓製造的接受 訂貨方法，其中，採用上述元件製造工程資訊之解析及晶 圓製造工程之選擇、所製造的半導體晶圓之上述 ABC參 數及/或半導體晶圓的背面形狀予以進行。 26. 如申請專利範圍第23項之半導體晶圓製造的接受 訂貨方法，其中，採用上述元件製造工程資訊之解析及晶 圓製造工程之選擇、所製造的半導體晶圓之上述 ABC參 數及/或半導體晶圓的背面形狀予以進行。 27. —種半導體晶圓製造的接受訂貨系統，其特徵爲 :至少由元件製造商之客戶端終端機與晶圓製造商之顧客 電腦所組成的，上述客戶端終端機藉由元件製造商至少被 輸入有關在元件製造商之元件製造工程的元件製造工程資 訊，並經由網路將上述元件製造工程資訊予以發送，而上 述顧客電腦即接收上述所發送之元件製造工程資訊，且解 析該元件製造工程資訊以選擇可製造具有對應於上述元件 製造工程資訊之晶圓特性的半導體晶圓之晶圓製造工程。 2 8.如申請專利範圍第27項之半導體晶圓製造的接受 訂貨系統，其中，上述元件製造工程資訊係含有關於在上 述元件製造商之元件製造工程所使用之裝置的資訊。 29.如申請專利範圍第28項之半導體晶圓製造的接受 訂貨系統，其中，關於在上述元件製造商側所使用之裝置 的資訊係含有關於在上述裝置之晶圓夾具的資訊。 3 0.如申請專利範圍第27項之半導體晶圓製造的接受 訂貨系統，其中，上述元件製造工程資訊係藉由含有由晶 -38- (6) (6)200302425 圓面內之基準線與晶圓面之變位的最大値A、最小値b、 及變位標準偏差C所組成的ABC參數所表示之資訊。 3 1 ·如申|靑專利朝圍第2 8項之半導體晶圓製造的接受 s丁貝系統，其中’上述兀件製造工程資訊係藉由含有由晶 圓面內之基準線與晶圓面之變位的最大値A、最小値Β、 及變位標準偏差C所組成的A B C參數所表示之眘訊。 3 2_如申請專利範圍第29項之半導體晶圓製造的接受 訂貨系統，其中，上述元件製造工程資訊係藉由含有由晶 圓面內之基準線與晶圓面之變位的最大値A、最小値β、 及變位標準偏差C所組成的A B C參數所表示之資訊。 3 3，如申請專利範圍第2 7項之半導體晶圓製造的接受 訂貨系統，其中，上述元件製造工程資訊係含有關於微影 工程、熱處理工程、CMP工程、蝕刻工程之其中至少一工 程的資訊。 34·如申請專利範圍第28項之半導體晶圓製造的接受 訂貨系統，其中，上述元件製造工程資訊係含有關於微影 工程、熱處理工程、CMP工程、蝕刻工程之其中至少一工 程的資訊。 3 5 ·如申請專利範圍第29項之半導體晶圓製造的接受 訂貨系統，其中，上述元件製造工程資訊係含有關於微影 工程、熱處理工程、CMP工程、蝕刻工程之其中至少一工 程的資訊。 3 6.如申請專利範圍第3 〇項之半導體晶圓製造的接受 訂貨系統’其中，上述元件製造工程資訊係含有關於微影 -39- (7) 200302425 工程、熱處理工程、CMP工程、蝕刻工程之其中至少 程的資訊。 37·如申請專利範圍第3 1項之半導體晶圓製造的 訂貨系統，其中，上述元件製造工程資訊係含有關於 工程、熱處理工程、CMP工程、蝕刻工程之其中至少 程的資訊。 3 8 ·如申請專利範圍第3 2項之半導體晶圓製造的 訂貨系統，其中，上述元件製造工程資訊係含有關於 工程、熱處理工程、CMP工程、蝕刻工程之其中至少 程的資訊。 39·如申請專利範圍第27至38項之任一項半導體 製造的接受訂貨系統，其中，上述顧客電腦係將關於 述所選擇的晶圓製造工程所製造的半導體晶圓之半導 圓資訊予以回電給客戶端終端機。 40.如申請專利範圍第39項之半導體晶圓製造的 訂貨系統，其中，上述所回電之半導體晶圓資訊係含 製造的半導體晶圓之上述ABC參數及/或半導體晶 背面形狀。 4 1.如申請專利範圍第27至3 8項之任一項半導體 製造的接受訂貨系統，其中，採用上述元件製造工程 之解析及晶圓製造工程之選擇、所製造的半導體晶圓 述A BC參數及/或半導體晶圓的背面形狀予以進行。 42·如申請專利範圍第39項之半導體晶圓製造的 訂貨系統’其中，採用上述元件製造工程資訊之解析 一工 接受 微影 一工 接受 微影 一工 晶圓 在上 體晶 接受 有所 圓之 晶圓 資訊 之上 接受 及晶 -40- (8) 200302425 圓製造工程之選擇、所製造的半導體晶圓之上述 ABC參 數及/或半導體晶圓的背面形狀予以進行。 4 3.如申請專利範圍第40項之半導體晶圓製造的接受 訂貨系統，其中，採用上述元件製造工程資訊之解析及晶 圓製造工程之選擇、所製造的半導體晶圓之上述ABC參數 及/或半導體晶圓的背面形狀予以進行。

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