TW200529203A - Magnetic recording medium and magnetic recording medium substrate - Google Patents

Description

200529203 (υ 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關磁性記錄媒體用基板，及含記錄層磁性 記錄媒體。 【先前技術】 於磁性記錄領域，以硬碟裝置之資訊記錄以個人電腦 Φ 爲始之電腦之必須一次外部記錄裝置。硬碟機著其記錄密 度之提高，改變向來面內磁性記錄方式，朝開發可記錄高 密度之垂直磁性記錄方式進展。 垂直磁性記錄係由鄰接之彼特（bit)的磁場成爲與磁 化方向的相同方向，鄰接彼特之間形成磁閉路，與水平磁 性記錄閉路比較因自身之磁化自減磁場（以下以反磁場稱 之）少，磁化狀態安定。 以磁性膜厚度觀點，於垂直磁性記錄隨著記錄密度之 φ 提高無特別減薄的必要，由此觀點，垂直磁性記錄爲減輕 反磁場與KuV ( Ku爲異方性能源，特別是磁性記錄時表 示爲結晶磁性異方性能源，V表示爲單位記錄彼特體積） 値可確保，對因熱搖的磁化之安定性大，在擴大記錄界限 之前爲可能之記錄方式。作爲記錄媒體，與水平記錄媒體 之親和性亦高，磁性記錄之寫入與讀取可使用與向來所使 用之同樣技術。 垂直磁性記錄用媒體，廣泛硏究於基板上將軟磁性底 襯層（典型的高導磁鐵鎳合金等）、記錄層、（將CoCr系 200529203 (2) 合金、PtC 〇層與Pd與Co之超薄膜交互數層層合之多層 膜、SmCo不定形膜等之候補材料等）、保護層、潤滑層等 依順序層合之垂直二層式磁性記錄媒體。 垂直二層式磁性記錄媒體，與僅有記錄層作爲磁性機 能層之垂直磁性記錄媒體比較其寫入特性非常優。 該垂直二層式磁性記錄媒體相關之底襯層爲軟磁性， 且厚度槪略亦必要爲1〇〇 nm以上500 nm以下程度之厚 | 度。軟磁性底襯層爲上部記錄層之磁通路，同時爲磁頭之 寫入用磁通路。因此，要完成與永久磁石磁性回路相關同 樣的軛鐵任務，與記錄層比較必要加厚其厚度。 與水平記錄媒體形成非磁性Cr系底襯層比較，於垂 直二層式記錄媒體形成軟磁性底襯層並不簡單。通常，水 平記錄媒體的各層全部以乾式製程（主要爲磁控管濺鍍） 形成（專利文獻1)。垂直二層式記錄媒體檢討種種將記錄 層且軟磁性層由乾式製程形成的方法，但是，乾式製程製 φ 作軟磁性層，因製程安定性、各種參數設定之煩雜度，因 此形成速度低，量產性或生產性有大問題。又，爲高密度 化，將磁碟表面飄浮磁頭之飄浮高度（flying height )必 要極力降低，在垂直二層式記錄媒體之製造，產生必要被 覆可平坦化硏磨加工之厚膜金屬膜，因乾式製程所得厚被 膜的密著性低，硏磨之平坦化加工非常困難。所以，與真 空蒸鍍比較，嘗試硏究種種以容易厚膜之無電鍍法於非磁 性基板被覆金屬膜。 【專利文獻】日本特開5 - 1 43 972號公報 200529203 (3) 【發明內容】 〔發明之揭示〕 以無電鑛法成膜垂直二層式磁性生記錄媒體用之 性層時’構成軟磁性層之鍍膜面的數mm至數cm 圍’在特定方向產生多處帶磁性區的磁區，此其磁區 面產生磁壁。將具有這種磁壁之軟磁性層用於垂直二 φ 磁性記錄媒體用時，因磁壁部份產生之漏磁場而產生 尖峰噪訊之孤立脈衝噪訊，對於信號再生特性有很大 的問題。 本發明者等，以簡便的方法得到具有優特性之垂 層式磁性記錄媒體，經深入硏究由電鍍法形成軟磁性 條件及可適用之軟磁性層的種類。其結果，於欲形成 媒體之基板上以無電鍍法使用二種以上選自C 〇、N i 所成群之合金形成軟磁性層時，使用平行於該層之 φ VSM磁化測定之保磁力爲未達30奧斯特（Oersted ) 其飽和磁化與殘留磁化之比率爲5 0 : 1至5 : 1之軟 作爲媒體時，得到可有效抑制尖峰噪訊之產生及成爲 原因之磁壁。又，本發明者等爲得到這種軟磁層，詳 行硏究電鍍條件，發現於無電鍍時與被鍍基板平行方 加100〜800奧斯特之平行磁場進行無電鍍，此時對基 之成膜速度與被鍍基板表面之鍍液流速之比率爲1 : 以上，未達1 : 200000的狀態，使基板於無電鍍中自 進行被覆，完成本發明。 軟磁 的範 之界 層式 所謂 影響 直二 層之 記錄 、F e 面以 ，且 磁性 產生 細進 向施 板上 3000 公轉 -6- 200529203 (4) 即，本發明爲提供含有直徑90 mm以下之基板，及被 設置於該基板上，且含有具二種以上選自 Co、Ni、Fe所 成群之合金的軟性膜鍍層所成的磁性記錄媒體用基板，以 VSM (振動試料型磁力計，Vibration sample magnet meter )磁化測定所得，對於基板平面內的同心圓保磁力 之値爲未達30奧斯特（Oersted)，且其飽和磁化與殘留磁 化之比率爲5 0 : 1至5 : 1之含軟磁性層磁性記錄媒體用 ^ 基板。 又，本發明爲提供含將直徑90 mm以下基板浸漬於含 有一種以上選自Ag、Co、Cu、Ni、Pd、及Pt所成群之金 屬離子的鍍液，於該基板上形成基礎鍍層之步驟，及形成 該基礎鍍層之基板以無電鍍法浸漬於含有二種以上選自 Co、Ni、Fe所成群之兩種離子之鍍液於該基礎鍍層上形 成軟磁性層之步驟所成之磁性記錄媒體用基板之製造方 法，形成該軟磁性層之步驟爲使用無電鍍，與被鍍基板平 Φ 行之方向施加100〜800奧斯特之平行磁場進行無電鍍，鍍 敷速度爲〇·〇3μηι/ιηίη以上，未達0·3μπι/ιηίη的條件下， 在此基板上之鍍敷速度與被鍍基板表面的鍍液流速之比率 爲1:3000以上，未達1:200000，使基板於無電鍍中自 公轉進行被覆的磁性記錄媒體用基板之製造方法。 又，本發明爲提供使用該基板之磁性記錄媒體。 本發明之磁性記錄媒體，以及適用軟磁性電鍍之磁性 記錄媒體用基板，係表面極少產生磁壁之具有良好的尖峰 噪訊特性。將其使用於垂直磁性記錄裝置時，可得到良好 200529203 (5) 噪訊特性即高記錄密度。又於本發明，由於軟磁性層由濕 式之無電鍍取代電鍍成膜，與蒸鍍法等導入底襯層比較製 程極爲簡便且生產性優。又，該軟磁性層製造步驟，可由 無電鍍後之硏磨保證平滑性，爲具有極優特性之磁性記錄 媒體。 〔用以實施發明之最佳型態〕 g 本發明使用之基板，以使用由向來磁性記錄媒體製造 所用之鋁基板施以Ni-P無電鍍之基板，玻基板以外，以 單結晶Si所成之Si基板爲理想。 S i基板爲可取代電鍍，具有極均質的特性關係，由於 可控制因電鍍不均勻爲起因之磁性不均勻觀點，在履行本 發明時特別理想。 S i基板所使用之S i單結晶，以C Z (捷克拉基）法或 F Z (流動帶）法所製造之S i單結晶爲特別理想。基板之 φ 面方位使用（1〇〇)、（110)、（Π1)爲始之任一者均可。 又，基板中含B、P、N、As、Sn等元素雜質之合計量爲 0〜1 02 2 atoms/cm2範圍亦可。但，使用於基板同一平面其 面方位爲相異之多結晶S i，及極度偏析雜質之S i基板 時，因其化學反應性之不同所形成之襯底鍍層有成爲不均 勻的情形。又，使用極端偏析之基板時，於襯底鍍層成膜 中亦有基板表面形成局部電池，不能達成襯底鍍層構造。 於本發明基板材料使用Si時，其表面氧化膜及基板 表面僅少許的蝕刻時，襯底鍍層進行形成必要的活性化。 200529203 (6) 触刻可選擇酸、鹼或電解等種種方法。有關蝕刻條件例如 使用苛性鈉等鹼水溶液時，於濃度爲2〜60重量。/〇、30〜100 °C液中鈾刻’爲得到密合性，順次實施表面氧化膜之去 除’同時進行僅少許的腐蝕基板之取代電鍍以及軟磁性層 之無電鍍。 襯底電鍍（取代電鍍）爲進行蝕刻處理後，以一種以 選自Ag、Co、Cu、Ni、Pd、及Pt所成群之金屬離子或以 φ 此等爲主要金屬離子，含有 0.01N以上，理想爲 0.0 5〜0.3N元素成分之電鑛液浸漬得到襯底鑛層。又，爲 Si基板時，基板表面成爲將Si原子與金屬原子取代之襯 底鍍層。襯底鍍層之厚度以10〜1 000 nm爲理想，更理想 爲5 0〜5 0 0 nm。未達1〇 nm時，金屬多結晶粒不能均勻分 佈於層內，超過1 0 0 0 nm時，個個結晶粒變爲肥大化不理 想作爲襯底鍍層。 本發明製造磁性記錄媒體時，使用 VSM磁化測定所 φ 得，對於所得基板平面內的同心圓保磁力之値爲未達3 0 奧斯特（Oersted)，且其飽和磁化與殘留磁化比率爲50 : 1至5 : 1之媒體基板。 理想爲基板平面內的半徑方向與圓周方向之次要迴路 (minor loop )之第一象限之彎曲轉折點相關之外部磁場 値各自爲Hu、Htc時，具有Htr/Hte = 5〜1之周方向磁性異 方性。 ' 理想爲使用相對於所得基板垂直方向之次要迴路 (minor loop )之第一象限之彎曲轉折點相關之外部磁場 -9- 200529203 (7) 値各自爲Htv、Htc時，賦與形成具有Htv/Htc = 10000〜100 圓周方向面內磁性異方性鍍軟磁性層之基板。該軟磁性 層’更可抑制產生磁壁，依產生尖峰噪訊的觀點非常理 想。 該所謂VSM磁化測定，係將受測樣品截取3〜5 mm角 型，由振動型磁力計測定磁化量及次要迴路的形狀。 又，第1象限之彎曲轉折點如圖1所示，採取由上述 φ 測定所得次要迴路之第1象限値以測定外部磁場II之2次 微分値爲最大値時之外部磁場値。更詳述時，係採取增加 或減少第1象限之次要迴路測定磁場時之彎曲轉折點，於 本發明特別是增加磁場時，即於實際迴路之測定磁化量小 的迴路相關之彎曲轉折點爲「第1象限彎曲轉折點」。 本發明之軟磁性層，基板平面內的半徑方向與圓周方 向之次要迴路（minor loop)之第一象限之彎曲轉折點相 關之外部磁場値各自爲Htr、Hte時，以圓周方向磁性異方 φ 性爲Htr/Hte = 5〜1者爲理想。具有該圓周方向磁性異方性 之軟磁性膜，以理論推斷，向來之濺鍍及電鍍技術實際製 作薄膜狀態爲有困難的磁性狀態。但是，本發明，具體實 現如此之磁性狀態，同時發現適用於磁性記錄媒體時最合 適的數値，可確保極優特性。賦與圓周方向磁性異方性爲 Htr/Hte = 5〜1者，例如由軟磁性層所產生之產生噪訊可極 有效果的抑制。 於本發明之軟磁性層，相對於所得基板垂直方向之次 要迴路的第一象限之彎曲轉折點相關之外部磁場値爲Htv -10- 200529203 (8) 時，以具有Htv/Hte = 1 0000〜100之面內磁性異方性者爲理 想。該面內磁性異方性，由向來之軟磁性膜之形成方法一 般之濺鍍不可能達成，無法預見將如此之軟磁性層適用於 磁性記錄媒體時的實用效果。 形成軟磁性鍍層，一般以熟知之無電鍍取代方法進行 成膜。無電鍍可使用硫化物浴或氯化物浴之任一者，又雖 可使用種種作爲浴中金屬，發現作爲軟磁性層之磁性特 φ 性，且由於必要得到立方晶以使用含有選自Co、Ni、Fe 元素之金屬鹽，形成必要具含有此等元素之中2種以上元 素之合金鍍層。

Co、Ni、Fe可無電鍍，且由於具有作爲軟磁性材料 之良好特性關係當實施本發明時必要含有此等之元素。本 發明之磁性特性，由於可推定於極細微領域主成分金屬的 偏析起因，當實施本發明時必要含有2種以上此等之金屬 成分。這方面，以單體金屬之鍍層難於得到本發明的效 • 果。 具體的浴組成，含2種以上選自鎳、鈷及鐵之金屬離 子，可舉例如硫酸鎳與硫酸鈷的混合浴，更含有硫酸鐵的 混合浴等，此時理想的濃度爲0.01〜0.5 N。 無電鍍之還元劑，可使用次磷酸、二甲基胺硼烷爲初 浴，或因應構成浴之金屬離子使用各物質。 本發明必要之鍍軟磁性層，進行無電鍍時，於基板表 面之平行向施加100〜800奧斯特之平行磁場進行無電鍍， 鍍敷速度與被電鍍基板表面的鍍液流速之比率以1 : 3 00 0 -11 - 200529203 (9) 以上，未達1 ·· 200000，使基板於無電鍍中自公轉進行被 覆而得。 此時，鍍膜速度亦爲具體實現與上述之比率同樣的本 發明重要因素，以〇·〇3μπι/ιηίη以上未達〇.3pm/min，理想 爲 〇·2μιη/ιηίη以上的條件可達成。鍍膜速度未達 〇·〇3μπι/ιηίη時在任何組成、鍍膜條件均難於得到未達3〇 奧斯特的保磁力，又殘留磁化過大，實現本發明必要之基 φ 板面與垂直方向的飽和磁化與殘留磁化之比率超過5 : 1。 鍍膜速度超過〇·3μηι/ηιίη時結晶構成粒子非結晶化，殘留 磁化過小，實現本發明必要之基板面與垂直方向的飽和磁 化與殘留磁化之比率未達5 0 : 1。 對基板上之鍍膜速度與被鍍基板表面的鑛液流速之比 率未達1 : 3 000時，本發明規定之基板平面內的半徑方向 與圓周方向之次要迴路之彎曲轉折點相關之外部磁場値 Htr與Ht。的比率未達發明所規定的1 : 1不理想。又對基 • 板上之鍍膜速度與被鍍基板表面的鍍液流速之比率超過 1 : 200 0 00時，Htr與Htc的比率未達發明所規定的5 : i， 由於析出附著產生鍍膜差異不適當。 得到指定鍍液流速的方法，可考慮調整無電鍍時的液 循環、使用葉片等攪拌元件將鍍液攪拌、基板自、公轉的 方法。其中亦以基板自公轉的方法，簡便且有效果的得到 指定鍍液流速爲理想，基板爲大尺寸時容易於基板面產生 渦流。 本發明基板的尺寸爲90 mm以下，係因在此尺寸以上 -12 - 200529203 (10) 者於基板面形成均勻的鍍液流動有困難，具體實現本發明 有困難。本發明所謂之鍍膜速度，係每單位時間之鍍膜之 成長厚度，可將鍍膜的剖面以掃瞄電子顯微鏡調查，或由 螢光X線分析等調查。 又’本發明所謂鍍液速度，係指平行於被鍍基板面方 向的鍍液與基板的相對速度。本發明所謂的鍍液速度，係 特別指離基板面未達1 0 mm領域的鍍液與基板的相對速度 φ 可由皮特（Pitot )管式流速計、翼型之質量流量計、超音 波流量計、雷射多普勒（Doppler )流速測定得到該領域 的鍍流速與被鍍基板的流動差。 被鍍基板附近未達1 mm領域具有由稱爲流境膜的黏 性於鍍面半黏著狀態流動之鍍液滯留流體層，本發明所謂 之鍍液流速不酌量於液境膜領域，測定接近基板部份之流 速數値有困難。 本發明所謂平行於基板面方向的磁場，係指於基板表 φ 面任意位置相關的鍍面即基板平面與磁通所成角之絕對値 爲未達20度之磁場，如圖2所示將永久磁石或電磁石1 配置於鍍液2中之基板3而得。無電鍍中的磁場強度爲 1〇〇奧斯特以上具800奧斯特者於基板各部相異亦可，被 鍍部位之任意點的磁場強度必要於該範圍內。 部分磁場強度有未達1〇〇奧斯特時，基板上軟磁性層 的一部份、或全部不能顯現本發明所記載之磁性特性，製 作成磁性記錄媒體時產生產生噪訊。一方面，磁場値超過 8〇〇奧斯特時鍍膜附著下降，構成軟磁性層之合金組成產 -13- 200529203 (11) 生差異不理想。 本發明的磁性記錄媒體，係依順序形成100〜1000 nm 上述軟磁性層後，於上層形成5〜100 nm之磁性記錄層， 理想爲2〜20 nm的保護層及/或2〜20 nm的潤滑層而具體 實現化。 軟磁性層之厚度超過1 000 nm媒體信號再生時由軟磁 性層之磁性噪訊變大，招來媒體的S/N特性的下降不理 φ 想。一面，厚度未達100 nm時由於作爲軟磁性襯底之磁 性穿透特性不充分，媒體的覆寫特性降低不理想。 軟磁性層之磁性記錄層係爲進行磁性記錄之硬磁性材 料所成。 記錄層於軟磁性層方形成亦可，依必要爲取得結晶粒 徑及磁性特性的整合介由一層以上種種Ti的中間層形成 亦可。 記錄層，於垂直於層平面方向具有容易磁化磁區之硬 φ 磁性材料者無特別限制，例如可使用由濺鍍法以Co-Cr合 金膜、例如 Co-Cr-Ta、Co-Cr-Pt、Co-Cr，Ta-Pt、Fe-Pt 合 金膜爲首及Co-Si晶粒膜、Co/Pd多層膜等種種材料。 又，由濕式法所形成的膜，例如Co-Ni系電鍍膜，又，塗 敷之記錄層由塗敷磁性鉛酸鹽相所成鋇 鐵之記錄層亦 可。 如此之記錄層厚度，理想5爲〜1 0 0 nm，更理想爲 10〜5 0 nm之範圍爲理想。又，相關之保磁力爲0.54 〇 KOe更理想以1 ·5〜3.5 KOe者爲佳。 -14- 200529203 (12) 於記錄層上所形成之保護層，可使用由濺鍍法、CVD 法所形成之非晶質C系保護膜爲首之Al2 03等之結晶性 保護膜。 又最上層之潤滑層，使用塗敷氟系油脂形成之單分子 膜爲佳，其種類及塗敷方法無特別限制。 【實施方式】

以下以例爲準說明本發明，本發明不限於此等例。 實施例1 由CZ法製作之直徑20 mm之Si單結晶基板，進行 沖型、取芯、硏磨，得到直徑6 5 mm ( 1 0 0 )之S i單結晶 (P滲雜之N型基板）後，以平均粒徑1 5 nm之膠質二氧 化矽兩面硏磨，得到表面粗糙度（Rms ) 4 nm。Rms爲平 方平均粗糙度，使用AFM (原子力顯微鏡）測定。 將該基板於45 °C，2質量％苛性鈉水溶液浸漬3分鐘 去除基板表面之薄表面氧化膜同時進行表面Si蝕刻處 理。 接著，於0 . 1 N硫酸鎳水溶液中添加0.5N之硫酸銨製 作襯底鍍液於80t加熱之浴中浸漬5分鐘得到襯底鍍層。 將該基板於0.2N硫酸銨、0.2N硫酸鎳、0.1N硫酸 鈷、0.0 1N硫酸鐵，含作爲還元劑的二甲基胺硼烷0.04N 之鍍液，將浴溫設定於65 °C使無電鍍之膜成長速度爲 Ο.ΐμιη/min。配置永久性磁石於電解槽之前後將槽挾住， -15- 200529203 (13) 於電鍍中之基板附加450〜600奧斯特之平行磁場。於此狀 態將被鍍基板以6 0 rpm之回轉數自轉進行無電鍍得到厚 度2 μηι之軟磁性層。此時，鍍面相關之鍍液之速度，由離 基板面5 mm處以雷射多普勒流速測定時，相對於基板側 內圓周部之半徑20 mm位置爲3 000 mm/ min，又，相對 於最外圓周部之半徑32.5 mm位置爲10000 mm/min，無 電鍍成膜速度與被鍍基板表面之鍍液流之比率各自爲1 : • 30000、 1:100000之値 ° 如此所得之軟磁性膜之磁性特性以振動試料型磁力測 定時，與軟磁性層面平行方向之圓周方向保磁力爲1奧斯 特，飽和磁化爲1 8 kG殘留磁化爲1 kG磁力飽和磁化與 殘留磁化之比率爲1 8 : 1。 又以 VSM磁化測定所得之基板內部半徑方向與圓周 方向之次要迴路（圖3 )之1象限之彎曲轉折點相關之外 部磁場之値爲Htr，測定Htc時，Htr = 13奧斯特，Ht。= 8 φ 奧斯特，Htr/Htc = 1.63。 又，以 VSM磁化測定所得之垂直方向之次要迴路 (圖4)之1象限之彎曲轉折點相關之外部磁場之値Htv 時，Htv = 1 800奧斯特，Htv/Ht。= 225，確認形成本發明 之軟磁性層。 於這種含軟磁性層基板由濺鍍法一邊維持220 °C的溫 度一邊被覆Co: Cr: Ta = 79: 19: 2質量％之20 nm厚度 之垂直磁性記錄膜。測定該記錄層之保磁力時，與膜面垂 直的方向之保持力2.2 KOe %，與膜面平行方向之保磁力 -16- 200529203 (14) 爲500奧斯特。 於該基板上被覆厚度1 〇 nm之不定形碳，由浸漬法塗 敷氟潤滑膜得到垂直式記錄媒體。 將所得之媒體設置於旋轉架實施消除DC後，由飄浮 高度10 nm之納滑動（nano-slider)-GMR磁頭進行媒體寫 入再生信號之測定結果，如圖5所示，於信封型圖型中沒 有出現尖峰噪訊。又，其 S/N之平均水準爲良好的 21dB。 又，爲調查磁性轉移狀態，以磁性檢查裝置 (Candela公製OSA 5100)如圖6所示調查基板面全領域 Kerr效果映像，沒有發現軟磁性膜起因之尖峰噪訊的原因 之磁化轉移（圖7爲實施例、圖8爲比較例），沒有觀察 到成爲白噪之磁區。 比較例1 使用與實施例1同樣的基板將該基板於45 °C 2質量 %之苛性鈉水溶液浸漬1 〇分鐘去除基板表面之薄表面氧化 膜同時進行表面Si蝕刻處理。 接著，於0.1 N硫酸鎳水溶液中添加0.5 N之硫酸銨 製作襯底鍍液於80°C加熱之浴中浸漬5分鐘得到襯底鍍 層。 接著，將該基板於含〇·2Ν硫酸銨、0.2N硫酸鎳、 0.1N硫酸鈷、0.0 1N硫酸鐵，含作爲還元劑的二甲基胺硼 烷0·06 N之鍍液，將浴溫設定於70 °C使無電鍍之膜成長 -17- 200529203 (15) 速度爲〇. 1 μηι/min。配置永久性磁石於電解槽之前後將槽 挾住，於無電鍍中之基板附加450〜600奧斯特之平行磁 場。於此狀態使被鍍基板以60 rpm之回轉數自轉進行1 5 分鐘無電鍍。 又此時，鍍面相關之鍍液速度，由離基板面5mm 處，以雷射多普勒流速測定時，基板之最內部之半徑 10mm位置爲100mm/min，又，相對於基板最外周部之半 ^ 徑32.5 mm位置爲290mm/min，鍍膜速度與被鍍基板表面 之鑛液流速之比率各自爲1 : 333333、1 : 966667之値。 如此所得之軟磁性膜之磁性特性以振動試料型磁力測 定時，與軟磁性層面平行方向之圓周方向保磁力爲31奧 斯特，飽和磁化爲16 kG殘留磁化爲0.2 5kG磁力飽和磁 化與殘留磁化之比率爲64 : 1。 又以VSM磁化測定所得之基板內部半徑方向與圓周 方向之次要迴路（圖3 )之1象限之彎曲轉折點相關之外 Φ 部磁場之値Htr，Hte時，Htr = 78奧斯特，Hte = 80奧斯 特，Htr/Htc = 0.97。 又，以 VSM磁化測定所得之垂直方向之次要迴路 (圖4)之1象限之彎曲轉折點相關之外部磁場之値Htv 時，Htv = 1800 奧斯特，Htv/Htc = 80。 於如此所得之含軟磁性層基板面以實施例1同樣的方 法被覆記錄層製作垂直式記錄媒體。 將所得之媒體設置於旋轉架實施消除DC後，由飄浮 高度10 nm之納滑動（nano-slider)-GMR磁頭進行媒體寫 -18- 200529203 (16) 入再生信號之測定結果，如圖5所示，於信封型圖型中沒 有現尖峰噪訊。又其S/N之平均水準爲不良的10 dB。 爲調查磁性轉移狀態，以磁性檢查裝置（Candela公 製OSA 5100)調查基板面全領域Kerr效果映像時，發現 多處尖峰噪訊的原因之局部磁壁。 比較例2 B 使用與實施例1同樣的基板將該基板於45°C 2質量 %之苛性鈉水溶液浸漬1 0分鐘去除基板表面之薄表面氧化 膜同時進行表面Si蝕刻處理。 將該基板於0.2N硫酸銨、0.2N硫酸鎳、0.1N硫酸 鈷、0.0 1N硫酸鐵，含作爲還元劑的二甲基胺硼烷〇.〇1 5N 之電鍍液，將浴溫設定於62t使無電鍍之膜成長速度爲 0·05μιη/ιηίη。配置永久性磁石於電解槽之前後將槽挾住， 於無電鍍中之基板附加450〜600奧斯特之平行磁場。於此 φ 狀態使被鍍基板以6 0 rpm之回轉數自轉進行6 0分鐘無電 鍍。 又此時，電鑛面相關之電鍍液之速度，由離基板面 5 mm處，以雷射多普勒流速測定時，基板之最內部之半徑 10 mm位置爲2800 mm/ min，又，相對於基板最外圓周部 之半徑32.5 mm位置爲8000 mm/min，鍍膜速度與被鍍基 板表面之鍍液流速之比率各自爲1 : 56000000、1 : 160000000 之値 〇 -19- 200529203 (17) 【圖式簡單說明】 圖1所示爲小磁滯迴路相關之彎曲轉折點圖。 圖2所示爲於軟磁性膜形成，電鍍時之磁場附加方向 圖。 圖3所示爲周方向、徑方向小磁滯迴路（實施例） 圖。 圖4所示爲周方向、垂直方向小磁滯迴路（實施例） 圖。 圖5所示再生信封型圖型。 圖6所示爲磁性檢查裝置觀察（實施例）圖。 圖7所示爲MFM照像（實施例）圖。 圖8所示爲次要迴路（比較例）圖。 【主要元件符號說明】 1 電磁石 2 鍍液 3 基板 -20-

Claims (1)

1. 200529203 (1) 十、申請專利範圍 1 · 一種含軟磁性層之磁性記錄媒體用基板，其特徵 爲含直徑90 mm以下之基板，及被設置於該基板上，含有 二種以上選自Co、Ni、Fe所成群之合金的軟磁性膜鍍層 所成的磁性記錄媒體用基板，以 VSM磁化測定所得，對 於基板平面內之同心圓方向的保磁力之値爲未達3 0奧斯 特（Oersted)，且其飽和磁化與殘留磁化之比率爲5 0 : 1 • 至 5 : 1。 2. 如申請專利範圍第1項之含軟磁性層之磁性記錄 媒體用基板，其中以VSM磁化測定所得，對於基板平面 內的半徑方向與圓周方向之次要迴路（minor loop)之第 一象限之彎曲轉折點相關之外部磁場値各自爲Htr、Htc 時，具有Htr/Hte = 5〜1之周方向磁性異方性。 3. 如申請專利範圍第1或2項之含軟磁性層之磁性 記錄媒體用基板，其中以VSM磁化測定所得，與基板垂 φ 直方向與基板面內圓周方向之次要迴路（minor loop )之 第一象限之彎曲轉折點相關之外部磁場値各自爲Htv、Htc 時，具有Htv/Hte = 1 0000〜100的面內磁性異方性者。 4. 一種磁性記錄媒體用基板之製造方法，其係由含 有將直徑90 mm以下之基板浸漬於含有一種以上選自 Ag、Co、Cu、Ni、Pd、及Pt所成群之金屬離子的鑛液， 於該基板上形成基礎鍍層之步驟，及形成基礎鍍層之基板 以無電鍍法浸漬於含有二種以上選自Co、Ni、Fe所成群 中兩種金屬離子之鍍液，於該基礎鍍層上形成軟磁性層之 -21 - 200529203 (2) 步驟所成之磁性記錄媒體用基板之製造方法，其中形成該 軟磁性層之步驟爲使用無電鍍，與被鍍基板平行之方向施 力口 10 0〜8 00奧斯特之平行磁場進行電鍍，鍍敷速度成爲 0·03μηι/ιηίη以上、未達3μιη/ηιίη之條件下，基板上之鍍 敷速度與被鍍基板表面的鍍液流速之比率爲1 : 3 000以 上，未達1 : 2 0 0 0 0 0的狀態，使基板於鍍敷中自公轉進行 被覆。 ρ 5. 一種磁性記錄媒體，其特徵爲使用申請專利範圍 第1至第3項中任一項之基板。

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