TW200529458A - Holder of optical transmission lines and multi-core optical wave-guide - Google Patents

Description

200529458 (1) 九、發明說明 對相關案之交互參考資料： 本申請案之優先權係根據2003年12月26日所提出 之曰本專利申請案第P2003-435827號。 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關光傳輸線之固持器及多芯光波導用的固 持器。 【先前技術】 最近，光通訊技術及光傳輸科技已經被廣爲採用，其 中，訊號係藉由載波來予以傳輸，藉由強度調變或相位調 變來予以調變等等。爲了幫助這樣的光傳輸，需要用來將 光傳輸線（例如，一束光纖）光耦合至光學裝置晶片之光 學半導體模組，其以高精確的位置控制技術來整合多個光 學半導體元件及/或光偵測元件。 當在光學半導體模組中所傳輸之光訊號變成高速時， 因爲不能夠忽略發光元件及光偵測元件的寄生電容，所以 元件之發光區域和光接收區域必須減小。舉例來說，以 GaAs爲基底之針狀光電二極體之光接收面的尺寸被小型 化至約5 0 — 60 // m，以便在一區域中獲得到10 Gbps以上 的響應。有了如此之小的光接收區域，因爲發射自多模光 纖之光束擴展得比光偵測元件之光接收面的尺寸還大，所 以光耦合效率減小。光耦合效率上的減小使防雜訊性能變 -4- 200529458 (2) 差，並且產生像訊號不能夠傳播足夠的距離這樣的問題。 此外，爲了取得光學半導體元件相對於光纖之相對應 芯之相對位置位移的足夠公差，而光學半導體元件在光學 裝置晶片中係以陣列構造來予以整合，一透鏡被插入光徑 中。但是，透鏡的插入增加了封裝組件的數目，其使得位 置的控制愈來愈困擾，而且封裝成本傾向升高。 接著，爲了降低封裝成本，已經硏究和發展被稱爲'' 平接接頭〃的直接光耦合架構，其中，光藉由將光纖放置 接近於光學裝置晶片因而光纖面對著光學裝置晶片，而被 直接耦合進光纖內，但沒有使用透鏡。在此直接光耦合架 構中，因爲發射自光學半導體元件之光或者發射自光纖之 光透射過具有實質均勻之折射率（例如，空氣）的插入介 質及/或折射率匹配材料，其不具有波導特性，所以所發 射之光的光束擴展於插入介質中。因此，到達不同於光纖 之目標波導區域（芯）或光偵測元件之目標主動區域之另 一區域之光的相對部分增加，以便減小光耦合效率，其使 防雜訊性能變差。除此之外，不同種類的雜訊（例如，串 音雜訊）隨著雜散光的增加而增加，並且可能在訊號傳輸 方面造成不利的影響。因此，光纖被配置愈來愈接近光學 裝置晶片的構造變得重要，使得發射自光纖之光不會到達 除了目標區域以外的另一區域。 舉例來說，發射自具有數値孔徑（NA )二0.21及直 徑爲5 0 μ m之多模光纖的光在空氣中建立約1 2度的發散 角。因此，從光纖到光學裝置晶片的距離必須儘可能地接 200529458 (3) 近幾十V 。 因此’提出一種固持器，其也被稱爲、、光纖套接管〃 ，被組構來將光纖固持於在固持器中所形成的套筒中，使 得多個電氣互相連接被直接刻劃在固持器的主要面上。固 持器將光學裝置晶片安裝在主要面上，並且多條光纖被固 持器所收納，而使得光纖的端面能夠面對光學裝置晶片之 相對應的主動區域（發射/接收區域）。有了光纖套接管 ，發射/接收元件能夠被組裝地非常接近光纖的端面，並 且因爲光學半導體元件能夠使用光纖的位置做爲基準位置 而被直接組裝於光纖套接管上，所以能夠提供一在橫向方 向上具有高準確度；抑制組件之數量上的增加；以及適合 於低成本封裝，使用平常的倒裝式晶片封裝的封裝組件。 除此之外，藉由使用樹脂做爲固持器的基板材料，能夠急 遽地減少光纖套接管的製造成本。並且藉由自主要面刻劃 電氣互相連接’其中，多個光纖之套筒的缺口被切開到側 面，平面的正交轉換被達成，使得光纖沿著其延伸的方向 和光纖套接管的安裝面係平行的，藉以防止光纖延伸而垂 直於安裝面的構造。但是，依據早先技術的構造，用於在 發射/接收元件中所產生之熱的熱傳導通道僅爲被設計用 於訊號擷取的電氣互相連接，儘管熱流動能夠藉由熱輻射 進空氣中來予以達成。特別是，當光纖套接管的基板材料 係由樹脂所做的時，因爲熱輻射到固持器的基板材料係非 常地不良，所以幾乎不能夠確保熱傳送。因此，舉例來說 ，需要例如從外面安裝熱傳導通道到光學裝置晶片的背面 -6 - 200529458 (4) ，而光學半導體元件被合倂於其中，其增加製造成本。並 且這樣的問題在 ''光學半導體裝置陣列〃的情況中變得嚴 重，其中，多個光學半導體元件被整合成光學裝置晶片。 因爲合倂光學半導體元件之半導體基板（半導體晶片）係 由比較低的熱阻材料所做的，所以被整合成單一光學裝置 晶片之各個光學半導體元件熱干擾，並且對相鄰之光學半 導體元件的標記密度（工作係數（duty factor))及/或 操作電流上的變化敏感。將外部的熱傳導通道添加於每一 個光學半導體元件中，以便防止光學半導體元件間之熱干 擾係非常困難的。 照這樣，在電氣互相連接被直接刻劃在固持器的主要 面上，且光學裝置晶片之主動區域（發射/接收區域）被 配置而面向主要面上的光纖以便直接耦合光纖之構造中， 做爲用於在光學半導體元件中所產生之熱的熱傳導通道， 僅用於訊號擷取之電氣互相連接和進入空氣中的熱輻射能 夠被利用。但是，因爲延伸電氣互相連接的長度增加了和 互相連接相關聯的電容、電感、及/或電阻，以便使光纖 套接管的性能變差，所以不可能延伸互相連接的長度超過 所需之最小長度。因此，不能夠期望足夠的熱輻射效應。 特別是，在固持器（光纖套接管）係由樹脂所做的情況中 ，因爲熱輻射到固持器的基板材料係非常地不良，所以幾 乎不能夠確保用於熱傳送的機構。將外部熱傳導通道安裝 於光學裝置晶片的背面（光學半導體元件被合倂於其中） 之方法等等用來確保用於熱傳送的機構可能是可接受的， 200529458 (5) 但是，將熱傳導通道安裝於背面增加製造成本，這種問題 對於其中多個光學半導體元件被整合成單一光學裝置晶片 的光學半導體裝置陣列變得嚴重。因爲光學半導體元件被 合倂於其中之半導體基板（半導體晶片）的熱阻係比較低 ，所以單片地整合成光學裝置晶片的各個光學半導體元件 互相熱干擾，並且對相鄰之光學半導體元件的標記密度及 /或操作電流上的變化敏感。

【發明內容】 鑒於這些情況，本發明之目的在於提供一固持器，其 幫助光學裝置晶片（多個多個光學半導體元件被單片地整 合於其中）與光傳輸線之間的直接耦合，且具有低成本， 抑制光學半導體元件的直接熱干擾。

本發明之一態樣可以固有一光傳輸線的固持器，其包 含一藉由一被組構來安裝光學裝置晶片之安裝面、一面對 安裝面之對向面、及多個連接在安裝面與對向面之間的側 面所界定之絕緣基底本體，側面的其中一者被指定爲互連 面，並且係設置有多個貫穿於安裝面與對向面之間的貫通 孔，以便固持多條光傳輸線，貫通孔藉由和安裝面交叉來 界定多個開口於安裝面上；多個從安裝面上之開口的個別 附近延伸至互連面上的電氣互連；以及多個和電氣互連交 替指定的熱傳導通道，從安裝面延伸至互連面上，各個熱 傳導通道具有比互連面上之電氣互連的長度還長的長度。 本發明之另一態樣可以固有一多芯光波導的固持器， -8- 200529458 (6)

其包含一藉由一被組構來安裝光學裝置晶片之安裝面、一 面對安裝面之對向面、及多個連接在安裝面與對向面之間 的側面所界定之絕緣基底本體，側面的其中一者被指定爲 互連面，並且係設置有多個貫穿於安裝面與對向面之間的 貫通孔，以便固持多芯光波導，貫通孔藉由和安裝面交叉 來界定一開口於安裝面上；多個從安裝面上之開口的附近 延伸至互連面上的電氣互連；以及多個和電氣互連交替指 定的熱傳導通道，從安裝面延伸至互連面上，各個熱傳導 通道具有比互連面上之電氣互連的長度還長的長度。 【實施方式】

將參照伴隨之圖形來敘述本發明之各種實施例，注意 到在全部圖形中，相同或相似的參考數字被應用於相同或 相似的部件及構件，並且相同或相似之部件及構件的敘述 將被省略或簡化。通常且如同在光學半導體模組的表示上 係已知的，將可領會到，各種圖形並未按照比例來予以繪 製，也未在給定的圖形之內，且特別是，層厚度被任意繪 製以助於圖形的閱讀。 在下面的說明中，特定的詳細內容被提出，例如特定 的材料、程序、及設備，以便提供對本發明的徹底了解。 但是，習於此技藝者將可領會到，本發明可以被實施，而 不需這些特定的詳細內容。在其他例中，眾所周知之製造 材料、程序、及設備並未被詳細提出，以便不致不必要地 模糊本發明。不管基板真正被固持的方位，介係詞，例如 -9- 200529458 (7) 、'之上 ， 在其上方〃，、、之下〃，、、在其下方〃，及 、、正父係相對於基板的平面表面來予以界定的，即使有 插入層，一層係在另一層之上。 (第一實施例） 如圖1所示’依據本發明第一實施例之固持器包含一 絕緣基底本體1、多個電氣互連4a，4b，4c，4d及多個 熱傳導通道5 a，5 b，5 c，5 d，5 e。絕緣基底本體1係藉 由一被組構來安裝光學裝置晶片之安裝面ία、一面對安 裝面1A之對向面1B、及多個連接在安裝面ία與對向面 1 B之間的側面1 C，1 D，1 e，1 F來予以界定的，電氣互 連4a，4b，4c及4d被平行地刻劃，從安裝面1 a延伸至 多個側面1 C，1 D，1 E，1 F中的一個側面（第一側面）1 C 。在下文中，第一側面1 C可以被稱爲、'互連面1 C 〃 。在 安裝面1A上，電氣互連4a，4b，4c及4(1從在安裝面1A 處所切出之多個開口 3 a，3 b，3 c及3 d的個別附近延伸。 如同在下文中所使用的，、、開口的附近〃意謂著近旁、開 口的周圍區域、或者開口的鄰近區域，其可以是在距開口 的25 // m之內，或者最好是在1 0 // m之內，、、開口的附 近〃之意義在相關於圖4A及圖4B的敘述中將會變得淸 楚。開口 3a，3b，3c及3d被定義而使得多個圓柱形固持 套筒2a，2b，2c及2d和安裝面1A交叉，圓柱形固持套 筒2a，2b，2c及2d貫穿於安裝面1A與對向面1B之間 ’以便機械性地固持多條光傳輸線。熱傳導通道（熱傳導 -10- 200529458 (8) 條）5&，51)，5(：，5(1及5£和電氣互連4&，413，4。及4(1 交替指定，延伸於一側面（第一側面）1 C上，並且各熱 傳導通道5 a ’ 5 b ’ 5 c，5 d及5 e在該一側面（第一側面） 1C上具有比電氣互連4a，4b，4c及4d之長度更長的長 度。在圖1中，第一側面（互連面）1 C和第三側面（在 下文中可以被稱爲、、接合面〃 ）1E互相平行，並且第二 側面1 D及第四側面1 F係正交於互連面（第一側面）1 c 及接合面（第三側面）1E，第一側面（互連面）1 c、第 二側面1 D、第三側面（接合面）1 e及第四側面1 F實行 一四邊形管。在圖1中，顯示一例，其中，由第一側面 1 C、第二側面1 D、第三側面1 E及第四側面1 F所實行之 連接在安裝面1 A與對向面1 B之間的矩形平行六面體幾 何圖形。但是，絕緣基底本體1的幾何圖形並非僅限於矩 形平行六面體。而且在圖1中，多個熱傳導通道（熱傳導 條）5 a，5 b，5 c，5 d及5 e被平行、交替地指定於多個開 口 3a，3b，3c及3d……之間，熱傳導通道5a，5b，5c， 5〇1及56在安裝面1八處被刻劃地比4&，413，4(^及4(1還 長。換言之，熱傳導通道5 a，5 b，5 c，5 d及5 e必須被交 替地指定，使得各開口 3 a，3 b，3 c及3 d……能夠被熱傳 導通道5 a，5 b，5 c，5 d及5 e所隔開。亦即，熱傳導通道 5 a，5 b，5 c，5 d及5 e必須被交替地分配於其中之光學半 導體元件的主動區域（其被整合成安裝在安裝面1A上的 光學裝置晶片）能夠被熱傳導通道5a，5b，5c，5d及5e 所隔開的位置中。此外，如圖1所示，從熱隔離的觀點來 -11 - 200529458 Ο) 看，在開口 3a，3b，3c及3d.....之間的位置中 通道5 b，5 c及5 d應該被刻劃，祇要熱傳導通g 及5 d能夠從互連面（第一側面）丨C跨越到接合 側面）1 E。 對於絕緣基底本體1的材料來說，各種的有 例如，合成樹脂）及無機材料（例如，陶瓷、玻 係可以接受的。有機基底樹脂包含環氧樹脂、聚 PPS )樹脂、聚丁烯對苯二酸酯（pbt )樹脂、 聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、碳氟聚合物等等。並 基底本體1需要用透明基板時，可以使用玻璃及 以使用三氧化二鋁（A1 2 Ο 3 )、莫來石（3 A1 2 Ο 3 、氧化鉻（Z.r02 )、氧化鈹（BeO )、氮化鋁（ 及碳化矽（S i C )等等做爲絕緣基底本體1的陶 特別是，適合使用其中混合了約8 0 %之約3 0 // 塡料之環氧樹脂，用以建立固持套筒2a，2b，2( 這是因爲固持套筒2a，2b，2c及2d能夠使用具 屬模之樹脂模製方法來予以簡單且高精度地形成 固持套筒2a，2b，2c及2d延伸於和互連面 面）1 C、第二側面1 D、接合面（第三側面）1 E 面1F平行的方向上，並且被建立而和安裝面1. 面1B正交。在圖1中，四個固持套筒2a，2b， 係沿著和互連面（第一側面）1 C及接合面（第 1 E平行運行的諸面而被配置在互連面（第一側面 接合面（第三側面）1E之間。但是，固持套筒 ，熱傳導 直 5b ， 5c 面（第三 機材料（ 璃等等） 苯撐硫（ 酚樹脂、 且當絕緣 石英，可 • 2Si02) A1N )、 瓷基板。 m的玻璃 :及 2d， 有特定金 〇 (第一側 及第四側 A與對向 2 c 及 2 d 三側面） ί ) 1C 與 2a， 2b， -12- 200529458 (10) 2 c及2 d的數目並非僅限於4個，其可以是3個以 個以上。通常，光纖之包覆層的外徑爲1 2 5 " m 125 // m之光纖包覆層的外徑來說’固持套筒2a ’ 及2 d的內徑可以被設定爲約1 2 5 . 5到1 2 8 // m ’考 光纖之塗覆層的外徑，固持套筒2a ’ 2b，2c及2d 的間距可以被選擇爲包覆層之外徑的兩倍。 在圖1中，三個熱傳導通道（熱傳導條）5b 5d被交替插入四個電氣互連4a，4b，4c及4d的 間中。除此之外，兩個熱傳導通道（熱傳導條）5 2 ，其係比三個熱傳導通道5b，5c及5d還寬，被配 氣互連4a及4d之外。在第一實施例的固持器1中 的熱傳導通道5 a及5 e被附加刻劃，以便保持位於 連4a到4d內之較窄的熱傳導通道5b，5c及5d之 的對稱拓樸。 圖2爲在圖1中，沿著固持套筒2b延伸的方 平面S上所取出之依據本發明第一實施例之固持器 面圖。如圖2之剖面圖所示，電氣互連4 b延伸於 體1的表面上，其自安裝面1A覆蓋到互連面（第 )1C。並且在電氣互連4b的背面，熱傳導通道5b 裝面1 A延伸到互連面（第一側面）1 c。雖然舉例 省略，但是，其他的電氣互連4a，4c及4d和其他 導通道5a，5c，5d及5e也在基底本體1的表面上 裝面1 A延伸到互連面（第一側面）1 c。 圖3爲示意鳥瞰圖，其中，多個做爲光傳輸線 >下或5 ，對於 2b，2c 慮覆蓋 之配置 ，5c及 各個空 l及5e 置在電 ，較寬 電氣互 熱流動 向，在 1的剖 基底本 一側面 也從安 說明被 的熱傳 ，從安 之光纖 -13- 200529458 (11) 3 1 a，3 1 b，3 1 c，3 1 d…··被第一實施例之固持器1所固持 ，光纖3 1 a，3 1 b，3 1 c，3 1 d……被配置成爲光纖陣列且 實施光纖束。 做爲光傳輸線之光纖3 1 a，3 1 b，3 1 c，3 1 d......的 軸向方向係藉由其中電氣互連 4a，4b，4c，4d，.....從 安裝面1 A延伸到互連面（第一側面）1 c之組態而被保持 和互連面（第一側面）1 C上之電氣互連4a，4b，4c，4d ......的方向平行，其中光傳輸線（光纖）3 1 a，3 1 b， 3 1 c，3 1 d......的軸向方向和安裝面垂直之組態能夠幫助 光學半導體模組的薄化成爲一體。 電氣互連 4a，4b ’ 4c，4d，……被刻劃成爲金屬薄 膜（例如，鋁（A1 )及銅（Cu)等等）的長條圖案，並且 能夠藉由金屬化程序，很容易以金屬遮罩而被刻劃出，而 藉由濺鍍或電鍍技術來形成金屬薄膜於其上。電氣互連 4a，4b ’ 4c，4d，……也能夠係由其他的金屬薄膜所做的 ，其包含銅合金（例如，Cu-Fe，Cu-Cr，Cu— Ni— Si ，Cu-Sn等等）、鐵鎳合金（例如，Ni— Fe，Fe— Ni— Co 等等）、及銅和不鏽鋼的複合材料等等。除此之外，這些 電氣互連可以藉由鍍鎳（Ni )及/或鍍金（Au )於這些 金屬材料上來予以提供，鈦（Ti )及鉑（Pt )也可供使用 做爲底層金屬。 熱傳導通道5 b，5 c及5 d的長條圖案能夠藉由高度的 導熱材料來予以實施’例如包含非晶系S i及藉由濺鑛技 術或CVD法所沉積之多晶系Si的半導體薄膜。熱傳導通 -14- 200529458 (12) 道5b，5c及5d的長條圖案可以係由具有高熱傳導性 瓷薄膜（例如，氮化鋁（A1N ))和絕緣材料（例如 氧樹脂）所形成的，熱傳導通道5 b，5 c及5 d的長條 也可以是由高度的導熱材料（例如，多晶系金剛石、 烯（fullerene )、以及藉由化學氣相沉積（cv〇 )法 造之碳毫微米管（CNT )所做的。 此外，類似於電氣互連4a，4b，4c，4d...... 傳導通道 5a，5b，5c，5d，5e，.....可以使用金屬 ，藉由濺鍍金屬薄膜（例如，鋁（A1 )及銅（Cu )等 來予以形成。並且’例如以金（A u )膜塗覆銅（c u 之複合結構可以被使用於熱傳導通道5a，5b，5c， 5e，…··。當熱傳導通道 5a，5b，5c，5d，5e，..... 金屬材料所做時，因爲熱傳導通道5a，5b，5c，5d ，…··同時具有電傳導性，所以熱傳導通道5a，5b ，5 d，5 .......能夠被使用做爲接地線，以便電氣隔 氣互連 4a，4b，4c，4d....... 無論如何，依據本發明之第一實施例的固持器1 1 # m之非常高的準確度，並且能夠以非常低的成本 以大量製造。 圖4A爲安裝於依據本發明第一實施例之固持器 之光學裝置晶片2 1的示意鳥瞰圖，圖4B爲解釋一組 示意鳥瞰圖，其中，爲安裝光學裝置晶片2 1於已經 於圖1中之固持器1的安裝面1A上所需之熱接頭（ 導突塊）及電接頭（電傳導突塊）分別被配置於熱傳 之陶 rm ，振 圖案 富勒 所製 ，熱 遮罩 等） )膜 5d， 係由 ，5 e ，5c 離電 具有 來予 1上 態的 解釋 熱傳 導通 - 15- 200529458 (13) 道 5a’ 5b’ 5c’ 5d，5e，.....和電氣互連 4a，4b，4c， 4d，……上。如圖 4A所示，多個主動區域 22a，22b， 22c，22d......被整合在光學裝置晶片21的表面上。除 此之外，用於訊號輸入/輸出之多個電氣互連26a，26b ，26c，26d，.....及多個晶片側熱傳導通道27a，27b， 2 7c，2 7d，2 7e，……被刻劃於光學裝置晶片2 1的表面上 〇 當光學裝置晶片2 1爲光偵測元件的陣列時，多個由 高雜質濃度區域（約1 X 1 〇18cm·3〜1 X 1 021cnT3的施體和 受體被掺雜於其中）所實施之接觸區域被形成於主動區域 22a，22b，22c，22d，.....的最頂層處，接觸區域當做針 狀二極體的陽極區域或陰極區域用。然後，在主動區域 22a，22b，22c，22d，.....之接觸區域的頂表面上，多個 能夠幫助和主動區域 22a，22b，22c，22d，……之歐姆 接觸的金屬電極被連接，以便實施多個電氣互連26a， 26b，26c，26d，.....，其包圍光偵測元件的入口窗口。 入口窗口的直徑大於光纖之芯的外徑，具有圓形框構造。 通常，多模光纖之芯的外徑爲50//m，且單模光纖之芯的 外徑爲9 // m ’從達成高效率的觀點來看’主動區域2 2 a ，22b，22c，22d，.....之外徑最好可以被設定得比上述 之芯的外徑還大，使得主動區域22a，22b，22c，22d， …··能夠接收所有發射自光纖之芯的光束。依據所使用之 光訊號的操作頻帶’可能有一種情況’其中’因爲由於元 件之CR時間常數所造成的延遲，所以主動區域的面積被 -16- 200529458 (14) 限制。因爲，舉例來說，爲了接收1 0 Gbrs的光訊號，約 6 0 // m之圓形幾何圖形變成Ga As基底之光偵測元件的上 限，所以當考慮光束發散時，光偵測元件必須被配置得非 常接近光纖的端面。替換金屬電極，可以使用透明電極， 例如，掺雜氧化銦（I η 2 Ο 3 )膜的錫（s n ) ( IΤ Ο )、掺雜 氧化鋅（ΖηΟ )膜的銦（In ) ( ΙΖΟ )、掺雜氧化鋅（ΖηΟ )膜的鎵（Ga ) ( GZO )、氧化錫（Sn02 )。然後，由例 如錦（A1)或銘合金（Al— Si，Al— Cu— Si)所做的電氣 互連26a，26b，26c，26d......能夠被連接到透明電極 ，以便實施和透明電極的歐姆接觸。 當光學裝置晶片2 1爲發光元件（例如，表面發射雷 射—極體）的陣列時’主動區域2 2 a，2 2 b，2 2 c，2 2 d， .....相當於發光元件的發光面，其被整合在由複合半導體 之基板等等所貫施之光學裝置晶片21的兀件形成區域中 。在主動區域 22a，22b，22c，22d，.....中，刻劃多個 用來幫助和電極區域（第一主要電極區域）之歐姆接觸的 金屬電極（第一主要金屬電極），其實施發光元件的陽極 區域或陰極區域。金屬電極（第一主要金屬電極）包圍成 圓形框構造的各個發光面，其係小於光纖的芯。並且，各 金屬電極（第一主要金屬電極）也可以和相對應的一個電 氣互連 26a，26b，26c，26d，……合倂，以便實施單片 的金屬圖案◦表面發射雷射二極體之發光面的直徑能夠被 做成充分地小於多模光纖之芯的直徑，因爲在Ga A s基底 之發光元件中，舉例來說，發射約8 5 0 nm之波長的光， -17- 200529458 (15) 操作於l〇 Gbrs，發光面的直徑能夠被建立爲約10 A m ’ 以便達成光束的高效率使用。在單模光纖的情況中’例如 高速操作由於因操作而造成基板溫度的增加而不能被達成 的問題可能會發生。然後，雖然，對單模光纖來說’必須 考慮光束之使用效率的減少，但是因爲發光面不能夠一直 被做得比單模光纖之芯的直徑還小，所以，無論如何，主 動區域的直徑能夠被選擇成爲幾十// m。 雖然圖4A顯示藉由錐形部分及固定寬度長條部分來 實施各個電氣互連 26a，26b，26c，26d，.....，使得經 由錐形部分’其中，各個電氣互連26a，26b，26c，26d ......的寬度逐漸從主動區域 22a，22b，22c，22d，… ••的外徑開始變寬，各個主動區域2 2 a，2 2 b，2 2 c，2 2 d ......被連接到相對應之長條部分的拓樸，但是電氣互連 26a，26b，26c，26d，……的幾何圖形及拓樸並非僅限於 圖4A所示的幾何圖形及拓樸。 除此之外，電氣互連26a，26b，26c，26d，.....的 上半部分能夠被保護膜所覆蓋，例如，矽酸磷玻璃（p s G )膜、矽酸硼磷玻璃（BPSG )膜、氮化矽（Si3N4 )膜、 或聚醯亞胺膜，使得多個電氣互連26a，26b，26c，26d ’…··之各個上半部分的該部分經由一形成在保護膜中的 窗口而露出。 雖然電氣互連26a，26b，26c，26d，.....可以是由 導電fe所構成的’例如，多晶砂膜或耐熔的金屬膜一、、耐 熔的金屬〃可以包含鎢（W )、鈦（Ti )、或鉬（Μ 〇 )膜 -18- 200529458 (16) 。從連接可靠度的觀點來看，電氣互連26a，26b，26c， 2 6 d......較佳被層疊於導電膜頂表面之薄的鋁（a u )膜 所覆蓋。 雖然舉例說明被省略，發光元件之第二主要電極區域 被形成在光學裝置晶片21的背面上，或者在和光學裝置 晶片頂表面上之第一主要電極區域隔開的區域上。 '、第二 主要電極區域〃係另一個之發光元件的陽極及陰極電極區 域。舉例來說，如果第一主要電極區域爲陽極電極區域， 則第二主要電極區域爲發光元件的陰極電極區域。如同將 可領會到，術語陽極及陰極能夠被互換，而沒有修改其本 身結構。從發光元件的第二主要電極區域，外部互連係藉 由例如打線接合及倒裝晶片接合之方法而被抽出到光學裝 置晶片21之外。 在圖4A中，三個晶片處熱傳導通道27b，27c及27d 被交替插入四個電氣互連26a，26b，26c及26d的各個空 間中。除此之外，兩個晶片處熱傳導通道27a及2 7e，其 係比三個晶片處熱傳導通道27b，27c及27d還寬，被配 置在電氣互連26a及26d之外。在第一實施例的光學裝置 晶片21中，較寬的晶片處熱傳導通道27a及27e爲熱傳 導通道，並且被刻劃，以便保持位於電氣互連26a到2 6d 內之較窄的熱傳導通道27b，27c及2 7d之熱流動的對稱 拓樸。 晶片處熱傳導通道27a，27b，27c，27d，27e，..... 的長條圖案能夠藉由能夠藉由高度的導熱材料來予以形成 -19- 200529458 (17) ，例如包含非晶系Si及藉由濺鍍技術或CVD法所沉積之 多晶系Si的半導體薄膜。晶片處熱傳導通道27a，27b， 27c ’ 27d ’ 27e ’…··的長條圖案可以係由具有高熱傳導 性之陶瓷薄膜（例如，氮化鋁（A1N ))和絕緣材料（例 如’環氧樹脂）所形成的，這些薄膜被刻劃於長條圖案以 便實施晶片處熱傳導通道27a，27b，27c，27d，27e，… ··。此外，類似於電氣互連 26a，26b，26c，26d，..... ，晶片處熱傳導通道 27a，27b，27c，27d，27e，.....可 以使用金屬遮罩，藉由濺鍍金屬薄膜（例如，銅（Cu )及 鋁（A1 )等等）來予以形成。特別是，考慮熱傳導性，金 屬材料（例如，銅（C u )，鋁（A1 )及銀（A g )等等） 係較佳的，並且，例如以金（Au )膜塗覆銅（Cu )膜之 複合結構可以被使用於晶片處熱傳導通道2 7 a，2 7 b，2 7 c ，27d，27e，.....。當晶片處熱傳導通道27a，27b，27c ，27d，27e，……同時具有電傳導性，所以晶片處熱傳導 通道27a，27b，27c，27d，27e，……能夠被使用做爲接 地線，以便電氣隔離電氣互連26a，26b，26c，26d，… • •，並且也能夠被用做另一側的陽極電極及陰極電極。 如圖4B所示，電接頭（電傳導突塊）24a，24b，24c ，24d，……，其係爲電連接於光學裝置晶片21上的電氣 互連26a，26b，26c’ 26d’……與固持器1上的電氣互 連 4a，4b，4c，4d，……之間所需要的，分別被配置在 電氣互連4 a，4 b，4 c，4 d ’ .....上。對於電接頭（電傳 導突塊）24a，24b，24c，24d ’……的材料來說，焊錫球 -20- 200529458 (18) 、金（Au )突塊、銀（Ag )突塊、銅（Cu )突塊、鎳— 金（Ni— Αυ)合金突塊、或鎳一金—銦（Nl 一 Au— In) 合金突塊等等係可接受的，具有例如錫（S n ):錯（P b ) =ό : 4之組成比且具有直徑1 0 // m到2 5 // m、高度5 m 到2 0 // m的低共熔焊錫能夠被使用於焊錫球’或者，具 有例如S n : P b = 5 : 9 5及S n : A u = 2 : 8之組成比的低共 熔焊錫可以被使用於焊錫球。因此，電氣互連4a ’ 4b， 4 c及4 d延伸自該處之、、開口的附近〃將被如此地设§十而 使得個別開口的周圍區域，或者個別開口的鄰近區域應該 位於電接頭（電傳導突塊）24a，24b，24c，24d ’ .....的 直徑等級之內。實際而言， '、開口的附近〃可以視電氣互 連2 6 a，2 6 b，2 6 c，2 6 d，…· ·藉由他而被刻劃於光學裝 置晶片21上的製造程序而定，這是因爲各個電氣互連 26a，26b，26c，26d，.....具有包含如圖 4A所示之錐形 部分及固定寬度長條部分的拓樸。. 如圖4B所示，熱接頭（熱傳導突塊）23a，23b，23C ，23d，23e，……，其係爲熱連接於光學裝置晶片21上 的各個晶片處熱傳導通道27a，27b，27c，27d，27e，... ••與固持器1上的各個固持組件處熱傳導通道5 a，5 b， 5c，5d，5e......之間所需要的，被配置在固持組件處熱 傳導通道5 a，5 b，5 c，5 d，5 .......上。對於熱接頭（ 熱傳導突塊）23a，23b，23c，23d，23e，……的材料來 說，具有高熱傳導性的金屬突塊（例如，金（Au )突塊 、銀（Ag )突塊、銅（Cu )突塊）及導熱材料（例如， -21 - 200529458 (19) 環氧樹脂膏）等等係可接受的，並且焊錫球也可以被使用 〇 如圖5 A及圖5 B所示，光學裝置晶片2 1係以面朝下 (倒裝晶片）組態而被安裝在固持器1的安裝面1 A上， 也就是說，主動區域 22a，22b，22c，22d，.....被合倂 於其中之光學裝置晶片2 1的頂表面面朝下地對著固持器 1的安裝面1A。圖5A係顯示從安裝面1A上所看到之固 持器1的立體前視圖，且圖5 B係顯示從互連面（第一側 面）1C上所看到之固持器1的平面圖。雖然在圖5A的立 體前視圖中，主動區域22a，22b，22c，22d，.....被例 舉，但是爲了簡化而省略光學裝置晶片21上之電氣互連 26a，26b，26 c，26d，……及晶片處熱傳導通道2 7 a， 2 7b，27c，2 7 d，2 7 e，……的舉例說明。 藉由採用面朝下（倒裝晶片）組態的安裝方法，光學 裝置晶片21上的各個電氣互連26a，26b，26c，26d，… ••分別藉由電接頭（電傳導突塊）24 a，24b，24 c，24 d， ……而被電連接至固持器1上的電氣互連4a，4b，4c， 4d，…··，並且光學裝置晶片2 1上的各個晶片處熱傳導 通道27a，27b，27c，27d，27e，.....也分別藉由熱接頭 (熱傳導突塊）23 a，23b，23 c，23 d，23 .......而被熱 連接至固持器1上的各個固持組件處熱傳導通道5 a ’ 5 b ，5 c，5 d，5 e，……。藉由此組態，安裝在安裝面1A上 之光學裝置晶片2 1的輸入/輸出電訊號能夠藉由電氣互 連4 a，4 b，4 c，4 d......而被擺取出到互連面（第一側 -22- 200529458 (20) 面）1 C之外，其係從安裝面1 A延伸到互連面（第一側面 )1 C。 如圖5 A及圖5 B所示，固持組件處熱傳導通道5 a， 5b，5c，5d，5e，.....被交替插入電氣互連4a，4b，4c， 4d，……的各個空間中，並且係位於開口 3 a，3 b，3 c， 3d，.....之間的位置中，亦即，在主動區域 2 2 a，2 2 b， 22c，22d，.....之間的位置中。如圖 5A及圖 5B所示， 係產生於主動區域22a，22b，22c，22d，……中之熱沿 著由寬白色（外形輪廓）箭頭所顯示之熱流動通道而擴散 ，部分的熱在到達相鄰的主動區域22a，22b，22c，22d ......之前經由熱接頭（熱傳導突塊）2 3 a，2 3 b，2 3 c， 23d，23e，……而被擷取出到固持組件處熱傳導通道5a ，5 b，5 c，5 d，5 .......。之後，如同由黑色波浪形箭頭 所顯示的，熱從固持組件處熱傳導通道5 a，5 b，5 c，5 d ，5 e，……輻射到空氣中，其延伸得比在互連面（第一側 面）1C中之電氣互連4a，4b，4c，4d，.....的長度更長 。如圖5 B所示，位於固持組件處熱傳導通道5 b，5 c及 5d之外側上的較寬固持組件處熱傳導通道5a及5e實施 從配置在光學裝置晶片21中之主動區域22b，2 2c之內和 主動區域2 2 a，2 2 d之外的對稱熱流動。 對於熱傳導通道及熱接頭的材料來說，具有類似於光 學裝置晶片之熱傳導性或者比光學裝置晶片之熱傳導性還 高的材料係有效的。舉例來說’砷化鎵（GaAs )，磷化 銦（InP )，氮化鎵（GaN )能夠被用做光學裝置晶片的 -23- 200529458 (21) 基板材料，並且導熱率分別約爲50 W/ m/ K，70 W/ m / K，及130 W / m / K，因此，像CVD金剛石（約爲2000 W/m/K)及鋁（Al:約爲240 W/m/K)等等這樣的 材料足夠適合用於熱傳導通道及熱接頭。 圖1到圖5例舉此情況’其中，熱傳導通道係比安裝 面丨八上的電氣互連還長’並且也在互連面（第一側面） 1 C上。但是，甚至在熱傳導通道比電氣互連還長的情況 中，僅在安裝面1A及互連面（第一側面）ic的其中一者 上’類似於圖1到圖5所示之情況的熱傳送及有效性能夠 被確保。 一第一實施例的第一修正-- 圖6顯示依據本發明第一實施例之修正（第一修正） 之固持器1的組裝構造，其中，光波導膜（多芯光波導） 3 2被使用做爲光傳輸線。圖6所示之固持器1能夠藉由 將圖4A所示之光學裝置晶片21安裝在固持器1的安裝 面1A上來實施如圖5A及圖5B所示之類似的光學半導體 模組。 相反於圖1所示之組態，其中，圓柱形固持套筒2 a ，2b，2c，2d，.....貫穿介於安裝面1A與對向面1B之 間的絕緣基底本體1，以便機械性地固持多條光傳輸線。

依據本發明第一實施例之修正（第一修正）的固持器1具 有貫穿絕緣基底本體1之單一矩形固持套筒，使得單一矩 形固持套筒能夠被固持，其貫穿於安裝面1 A與對向面1 B -24 *· 200529458 (22) 之間。 亦即，如圖6所示，依據本發明第一實施例之第一修 正的固持器1包含一絕緣基底本體1、多個電氣互連4a， 4b’ 4c’ 4d及多個熱傳導通道5a，5b，5c，5d，5e。絕 緣基底本體1的幾何圖形係藉由一被組構來安裝光學裝置 晶片21之安裝面1A、一面對安裝面ία之對向面1B、一 第一側面（互連面）1 C、一第二側面1 d、一接合面（第 三側面）1 E、及一第四側面1 F來予以界定的，互連面（ 第一側面）1 C、第二側面1 D、第三側面（接合面）1 e、 及第四側面1 F被連接在安裝面丨a與對向面1 B之間，電 氣互連4a，4b，4c及4d被平行地刻劃，從安裝面ία延 伸至互連面(第·一側面）1 C。在安裝面1 A上，電氣互連 4a，4b，4c及4d延伸自單一矩形開口面的附近，其係藉 由透過貫穿於安裝面1 A與對向面1 B之間的單一矩形套 筒而交叉安裝面1 A來予以形成的，以便機械性地固持光 波導膜（多芯光波導）32。熱傳導通道（熱傳導條）5a， 5b，5c，5d及5e和電氣互連4a，4b，4c及4d交替刻劃 ，從安裝面1 A延伸到互連面（第一側面）丨C，各熱傳導 通道5 a，5 b，5 c，5 d及5 e在互連面（第一側面）1 C上 具有比電氣互連4a，4b，4c及4d之長度更長的長度。雖 然四個矩形芯6a，6b，6c及6d被例舉於光波導膜（多芯 光波導）3 2中，但是芯的幾何圖形及數目並非僅限於圖6 所示的幾何圖形及數目。相反於圖1所示之組態，其中， 熱傳導通道（熱傳導條）5 a，5 b，5 c，5 d及5 e的長度， -25- 200529458 (23) 其被平行、交替地刻劃於開口 3 a，3 b，3 c，3 d，.....之 間，係比電氣互連4a到4d的長度還長；在圖6的組態中 ，三個位於電氣互連4a到4d之內部之較短熱傳導通道 5b，5c及5d的長度實質上係和電氣互連4a到4d的長度 一樣。但是，如圖6所示，兩個外側較寬熱傳導通道5 a 及5e的長度係比在安裝面1A處之電氣互連4a，4b，4c 及4d的長度還長，這是因爲較寬的熱傳導通道5a及5e 在安裝面1 A上從互連面（第一側面）1 C延伸到接合面（ 第三側面）1 E。 在使用依據本發明第一實施例之第一修正之固持器1 的光學模組中，建立於絕緣基底本體1中之單一矩形固持 套筒能夠幫助光波導膜（多芯光波導）32中之矩形芯6a ，6b，6c及6d的位置高準確度地對準於圖4A所示之主 動區域22a，22b，22c及22d的位置。 光波導膜（多芯光波導）3 2可以係由UV硬化環氧樹 脂及聚醯亞胺樹脂、氟化聚醯亞胺樹脂等等來予以形成的 〇 使用圖6所示之依據本發明第一實施例之第一修正之 固持器1的光學模組能夠達成類似的熱流動，其係藉由圖 5A及圖5B中之寬白色箭頭及波浪形黑色箭頭來予以例舉 的，使得在主動區域2 2 a，2 2 b，2 2 c，2 2 d，……間之有 效熱阻上的增加能夠抑制主動區域22a，22b，22c，2 2d ......之間的熱干擾。換言之，藉由插入依據第一實施例 之第一修正的熱傳導通道5 b，5 c及5 d，其係位於光學裝 -26- 200529458 (24) 置晶片2 1上之電氣互連4 a到4 d之內，介於主動區域 22a，22b，22c，22d，……各者之間的熱干擾能夠被抑制 --第一實施例的第二修正… 在和圖1相關的敘述中，主要討論在安裝面1 A處之 電氣互連4a，4b，4c，4d，……及熱傳導通道5a，5b， 5c，5d，5e，.....的拓樸，以及一拓樸，其中，電氣互連 4a’ 4b’ 4c’ 4d’ .....及熱傳導通道 5a，5b，5c，5d，5e ......從安裝面1 A被刻劃以便被延伸至互連面（第一側 面）1 C，並且省略掉對相反於互連面（第一側面）1 c之 接合面（第三側面）1 E上的圖案及拓樸。因此，如圖7A 所示，在依據本發明第一實施例之另一修正（第二修正） 的固持器1中，解釋在接合面（第三側面）1E上的圖案 及拓樸。圖7 A係例舉之接合面（第三側面）1 £的平面圖 ，其可以對應於固持器1的背面，圖7 B係例舉安裝面1 a 的前視圖，且圖7 C係例舉互連面（第一側面）1 c的平面 圖’因爲圖7B和圖7C的舉例說明類似於圖1所示之舉 例說明，所以省略掉重複的解釋。 相反於互連面（第一側面）1C之接合面（第三側面 )1 E被用做用來將固持器1接合到封裝基板等等上的接 合面（接合平面）。在固持器1的接合程序中，如果單一 、寬片的金屬膜被形成在絕緣基底本體1 (係由樹脂等等 所做的）之接合面（第三側面）1 E的幾乎整個面上，則 -27- 200529458 (25)

可能會因金屬膜與實施絕緣基底本體1之樹脂間的線性熱 膨脹係數的差異而導致金屬膜的翹曲，或者依據翹曲的程 度而破壞金屬膜。因此，在第一實施例的第二修正中，如 圖7A所示，多個矩形金屬圖案（短的長條圖案）Xij ( i 二1 一 3 ; j = 1 - η )成矩陣組態被刻劃於接合面（第三側 面）1 E上，用來接合固持器1於接合面（第三側面）1 E 上。如圖7A所示，藉由形成短的長條之矩陣的分割金屬 圖案Xu於接合面（第三側面）1E上，能夠使由於金屬圖 案Xu中之線性熱膨脹係數的差異所導致之應力的絕對値 減小，並且能夠降低金屬圖案Xij之翹曲的可能性，或者 在接合程序之後，依據翹曲的程度而對金屬膜的破壞，即 使絕緣基底本體1係由樹脂等等所做的。並且，當然，金 屬圖案Xij的幾何圖形及拓樸並非僅限於圖7A所示之矩 陣短的長條組態，而且其他的拓樸（例如，蜂房組態中之 六邊形幾何圖形之金屬圖案Xi」的配置）能夠達成類似的 效用。 一第一實施例的第三修正-_ 圖8爲顯示依據第一實施例之又一修正（第三修正） 之固持器1示意構造的剖面圖。類似於圖2所示之構造的 剖面圖，圖8顯示沿著在圖1中之固持套筒2 b延伸之方 向的平面S上所取出之固持器丨的剖面圖。如圖8之剖面 圖所示，削面1 〇被建立在安裝面1 A與互連面（第一側 面）1C之間的交叉角處。並且，電氣互連4b延伸在基底 -28- 200529458 (26) 本體1的表面上，從安裝面1 A經過削面1 0而覆蓋 連面（第一側面）1 C。在電氣互連4 b的背面，熱傳 道5 b也從安裝面1 A延伸到互連面（第一側面）1 c 然舉例說明被省略，但是，其他的電氣互連4a，4c 2 和其他的熱傳導通道5a，5c，5d及5e也在基底本體 表面上，從安裝面1 A經過削面1 〇而延伸到互連面 一側面）1 C。藉由在安裝面1 A與互連面（第一側面 之間的交叉角處設置削面1 0，能夠防止在安裝面1 A 連面（第一側面）1 C之間的交叉角處之電氣互連4a ，4c，4d，.....及多個熱傳導通道5a，5b，5c，5d， .....的斷裂失敗，以便幫助金屬化程序。 …第一實施例的第四修正… 圖9爲顯示依據第一實施例之再一修正（第四修 之固持器示意構造的剖面圖，圖9顯示沿著在圖1中 持套筒2b延伸之方向的平面S上所取出之固持器1 面圖。在第一實施例的第四修正中，如圖9所示，固 1之安裝面1 A的法線方向S η稍微傾斜向固持套筒 2b，2c，2d，.....的軸向方向。 如圖9所示，在安裝面1A的法線方向S η與固 筒2 a，2 b，2 c，2 d，……的軸向方向之間的角度被 是Θ，安裝面1 A的傾斜約0 = 4 - 1 0 °能夠防止透射 傳輸線（例如，光纖3 1 a，3 1 b，3 1 c，3 1 d，……) 射光束因光學裝置晶片之主動區域表面上的反射而變 到互 導通 。雖 乏4 d 1的 (第 )1C 與互 ，4b 5e，、 正） 之固 的剖 持器 2a， 持套 當作 過光 之入 成返 -29- 200529458 (27) 回光束，其係配置在開口 3 a，3 b，3 c及3 d處。 --第一實施例的第五修正--

圖1 〇爲顯示依據第一實施例之仍一修正（第五修正 )之固持器示意構造的剖面圖，圖1 0顯示沿著在圖1中 之固持套筒2b延伸之方向的平面S上所取出之固持器i 的剖面圖。在第一實施例的第五修正中，如圖1 0所示， 不僅固持器1之安裝面1 A的法線方向S η稍微傾斜向固 持套筒2a，2b，2c，2d，……的軸向方向，而且對向面 1B的法線方向也稍微傾斜向固持套筒2a，2b，2c，2d， .....的軸向方向，使得對向面1 B能夠和安裝面1A被平 行地定向。 當光學裝置晶片21被安裝在固持器1上以便組裝第 一實施例的光學半導體模組時，光學裝置晶片2 1沿其而 被安裝在固持器1上之加權方向係和安裝面1 A的法線方

向對齊。在組裝程序中，如圖1 〇所示，當固持器1的對 向面1 B係和安裝面丨A被平行地定向時，使用對向面i b 做爲基準平面能夠很容易地界定安裝面1A使其朝向沿著 光學裝置晶片21被安裝之加權方向的角度，其能夠幫助 組裝程序。 (第二實施例） 如圖1 1所示，依據本發明第二實施例之固持器〗類 似於依據第-實随之固持^丨在於依據本發明第二實施 -30- 200529458 (28) 例之固持器1包含一絕緣基底本體l，其係藉由一被組構 來安裝光學裝置晶片之安裝面1A、一面對安裝面1A之對 向面1B、及四個連接在安裝面1A與對向面1B之間的第 一側面來予以界定的，該四個第一側面被指定爲第一側面 (互連面）1 C、第二側面1 D、第三側面（接合面）1 E及 第四側面1F。多個圓柱形固持套筒2a，2b，2c，2d，… ••貫穿安裝面1 A與對向面1 B之間，以便機械性地固持 多條光傳輸線。多個開口 3a，3b，3c，3d，.....被界定 ，使得圓柱形固持套筒2a，2b，2c，2d，.....和安裝面 1A交叉。第二實施例之固持器1另包含多個電氣互連4a ，4 b ’ 4 c，4 d......，其係被平行地刻劃於安裝面1 A和 互連面（第一側面）1C上，電氣互連4a，4b，4c，4d， .....的各個長條圖案從相對應之開口 3a，3b，3c，3d， .....的附近開始，以便從安裝面1 A延伸到互連面（第一 側面）1 C。第二實施例之固持器1另包含多個熱傳導通道 (熱傳導條）5a，5b，5c，5d，.....，其係和電氣互連 4a ’ 4b ’ 4c，4d，……交替被平行地刻劃於安裝面1 A和 互連面（第一側面）1 C上，也就是說，安裝面1 A、熱傳 導通道（熱傳導條）5a，5b，5c，5d，.....被配置在開口 3 a，3 b，3 c，3 d，…··之間的位置上，並且從安裝面1 A 延伸到互連面（第一側面）1 C。 但是’在第二實施例的固持器1中，所有的熱傳導通 道（熱傳導條）5 a，5 b，5 c，5 d，……藉由熱短路組件（ 熱輻射墊塊）7 1而被熱短路，其係和熱傳導通道（熱傳 -31 - 200529458 (29) 導條）5 a，5 b，5 c，5 d，··· · ·合倂，以便形成梳形組態於 互連面（第一側面）1 C上，如圖1 1所示。第二實施例的 熱傳導通道5 a，5 b，5 c，5 d......係類似於第一實施例 的熱傳導通道5a，5b，5c，5d......在於熱傳導通道5a ，5b，5c，5d，……的長度比在安裝面1A和互連面（第 一側面）1C兩者上之相對應之電氣互連4a，4b，4c，4d ......的長度還長。除此之外’如圖1 1所不，配置在內 電氣互連4a，4b，4c及4d之外且夾住電氣互連4a，4b ，4c及4d之附加的熱傳導通道5a及5e也藉由熱短路組 件（熱輻射墊塊）71而被熱短路，以便完成此梳形組態 〇 雖然舉例說明被省略，但是，類似於圖5A及圖5B 所示之組態，第二實施例之固持器1被組構來很容易地直 接安裝於光學裝置晶片2 1上，其中，類似於第一實施例 ，多個光學半導體元件被單片地整合。第二實施例之固持 器 1能夠抑制在主動區域 2 2 a，2 2 b，2 2 c，2 2 d，……各 者之間的熱干擾，而主動區域 22a，22b，22c，22d，… ••被整合在光學裝置晶片21中，以便實施光學半導體元 件。因此，能夠以高的熱可靠性達成用非常低的成本幫助 直接光耦合架構的光學半導體模組。結果，即使多個光學 半導體元件以高包裝密度而被整合於單一光學裝置晶片中 的組態及拓樸，仍能夠提供具有非常低成本及高度可靠性 能的光學半導體模組。特別是，因爲有和圖1 1所示之拓 樸相同的拓樸，其中，熱短路組件（熱輻射墊塊）7 1形 -32- 200529458 (30) 成具有固持器處熱傳導通道5a，5b ’ 5c ’ 5d，5e ’…·· 的梳形組態’能夠增加固持器處/熱傳導通道5 a ’ 5 b ’ 5 c ，5 d，5 e ,….·的有效表面積，並且有可能顯著地增加輻 射效率。 因此，第二實施例之固持器1比第一實施例之固持器 1更能夠進一步抑制主動區域22a，22b’ 22c’ 22d’ ..... 之間的熱干擾。 固持器處熱傳導通道5a，5b，5c’5d，5e，……和 熱短路組件（熱輻射墊塊）7 1係由高度的導熱材料所形 成的，例如，包含多晶系Si #等的半導體薄膜、具有高 熱傳導性之陶瓷薄膜（例如’氮化鋁（A1N ))及絕緣材 料（例如，環氧樹脂））。在高度的導熱材料（例如，半 導體薄膜）藉由濺鍍技術或CVD法而被沉積在互連面（ 第一側面）1C上之後，其中固持器處熱傳導通道5a，5b ，5 c，5 d，5 .......之末端藉由熱短路組件（熱輻射墊塊 )7 1而被短路的梳形組態能夠藉由微影法及反應離子蝕 刻（RIE )法來予以刻劃。梳形組態也能夠藉由金屬化程 序’以金屬遮罩來予以刻劃，經由該金屬遮罩，高度的導 熱材料被選擇性地沉積在互連面（第一側面）1 C上。同 樣地’電氣互連4a，4b，4c，4d ’ .....的圖案能夠藉由 微影法及反應離子蝕刻（RIE )法來予以刻劃，或者替換 地’能夠藉由使用金屬遮罩來予以選擇性地沉積。 固持器處熱傳導通道5a，5b，5c，5d，5e，... 〜 •.冃匕 夠是由金屬材料（例如，銅（Cu )，鋁（A1 )及銀（Ag -33 - 200529458 (31) )等等）所做的，並且，例如以金（Au )膜塗覆銅（Cu )膜之複合結構可以被使用於固持器處熱傳導通道5 a ’ 5b，5c，5d，5e，…··。當其中固持器處熱傳導通道5a ，5 b，5 c，5 d，5 .......之末端係藉由熱短路組件（熱輻

射墊塊）7 1而被短路，並且係由這些金屬材料所做的的 梳形組態時，因爲梳形組態的各個長條同時具有導電性’ 所以諸長條能夠被用做爲接地線’以便電热_離電热互連 4 a，4 b，4 c，4 d，……。然後，在此情況中，固持器處熱 傳導通道 5a’ 5b’ 5c’ 5d’ 5e’ .....及熱短路組件（熱 福射墊塊）71能夠和電氣互連4a’ 4b’ 4c’ 4d’ .....同 時被刻劃。 特別是，當其中固持器處熱傳導通道5a，. 5b，5c， 5d，5e，…··之末端係藉由熱短路組件（熱輻射墊塊）71 而被短路，並且係由這些金屬材料所做的的梳形組態時’ 能夠使固持器處熱傳導通道5a，5b，5c，5d，5e，.....

之各個末端的電位保持固定。因此，能夠藉由將固持器處 熱傳導通道 5 a，5 b ’ 5 c ’ 5 d ’ 5 e ’ .....連接到接地線’ 或者連接到外部電源來進一步確保電氣互連4a ’ 4b ’ 4c ’ 4 d，……之間的電氣隔離，且因此，能夠抑制電氣互連 4a，4b，4c，4d，.....之間的串音雜訊。 --第二實施例的修正… 如圖1 2所示，所有的固持器處熱傳導通道5 a ’ 5 b ’ 5 c，5 d，5 e，……能夠藉由第二熱短路組件（熱輻射組件 -34- 200529458 (32) )7 2而被短路，例如，散熱器（h e a t s p r e a d e r )及輻射散 熱片等等。做爲散熱器的例子，能夠採用係由高度的導熱 材料（例如，S i等等）所做的晶片、矩形平行六面體條 或長條形平板。 第二熱短路組件（熱輻射組件）7 2係藉由使用焊錫 球及突塊等等而被熱連接到第一熱短路組件（熱輻射墊塊 )7 1的梳形組態，如圖Η所示。替換地，第二熱短路組 件（熱輻射組件）72能夠適合於圖1所示之拓樸，其並 不包含，舉例來說，第一熱短路組件（熱輻射墊塊）7 1。 在依據圖1 2所示之第二實施例修正的固持器1中， 較佳地，第二熱短路組件（熱輻射組件）72應該連接到 附加的固持器處熱傳導通道5 a及5 e。因爲其中附加的固 持器處熱傳導通道5 a及5e被第二熱短路組件（熱輻射組 件）72所連接的組態使得固持器處熱傳導通道5 a，5b， 5c’ 5d，5e，.....之有效表面積較大，所以有可能顯著地 增加輻射效率。因此，依據第二實施例之修正的固持器1 比第一實施例之固持器1更能夠進一步抑制主動區域22a ，22b，22c，22d，.....的熱干擾。 如圖1 2所示，藉由其中所有的固持器處熱傳導通道 5 a，5 b ’ 5 c，5 d，5 e，……之末端係藉由第二熱短路組件 (熱輻射組件）7 2而被短路的組態，能夠使固持器處熱 傳導通道5 a，5 b，5 c，5 d，5 .......之各者的電位保持 固定。因此，能夠藉由將固持器處熱傳導通道5 a，5 b， 5 c，5 d ’ 5 .......連接到接地線，或者連接到外部電源來 -35- 200529458 (33) 進一步確保電氣互連4a，4b，4c，4d，.....之間的電氣 隔離，且因此，能夠抑制電氣互連4a，4b，4c，4d，... • •之間的串音雜訊。 類似於圖U之固持器1，在依據圖1 2所示之第二實 施例修正的固持器1中，固持器處熱傳導通道5a，5b， 5 c，5 d，5 .......能夠是由金屬材料所做的。當固持器處 熱傳導通道 5a，5b，5c，5d，5e，.....係由金屬材料所 做的時，因爲熱傳導通道 5a，5b，5c，5d，5e，.....同 時具有電傳導性，所以熱傳導通道 5a，5b，5c，5d，5e ，……能夠被用做接地線，以便電氣隔離電氣互連4a， 4b， 4c， 4d’ ..... ° (第三實施例） 通常，以紫外線（UV )硬化樹脂塗覆層來覆蓋光纖 之包覆層的外表面，塗覆層當作所謂的光纖電纜之''緩衝 塗覆層〃使用，塗覆層的厚度，舉例來說，爲約400 # m ，並且通常係大於光纖本身的外徑，也就是說，光纖和塗 覆層做成單件的光纖電纜。如果上述包含塗覆層之光纖電 纜的各者能夠當作單件的光傳輸線而被直接分別插入圓柱 形固持套筒2a，2b，2c，2d，……的各者中，則有可能 顯著地增加在光傳輸線與固持器1之間的機械耦合強度。 但是，各自具有足夠內徑而使得具有大的外徑之塗覆層能 夠被插入圓柱形固持套筒2 a，2 b，2 c，2 d......中之鑽 孔圓柱形固持套筒2a ’ 2b，2c，2d，……來說，界定於 -36 - 200529458 (34) 固持器1之互連面（第一側面）1 c與接合面（第三側面 )1 E之間的厚度必須保持預定値。如同從圖1淸楚地看 到，當固持器1的厚度變得較大時，形成於安裝面1 A上 之電氣互連4a，4b，4c，4d，.....的長度變得較長，其 增加互連電谷、電ί几及電阻等等。換言之，光傳輸線與固 持器1間之機械耦ί合強度的增強和電氣特性（例如，互連 電容、電抗及電阻等等）具有折衷關係。 圖1 3 Α及圖1 3 Β顯示依據本發明第三實施例之固持 器1的示意組態，圖1 3 A爲固持器1的平面圖，且圖ί 3 B 爲在圖13A中之直線XIIIB— XIIIB上所取出之剖面圖。 在本發明之第三實施例的固持器1中，在位於安裝面1 A 與對向面1 B之間的部分中，圓柱形固持套筒2 b的內徑具 有內部段差，使得在接近對向面1 B之部分中的內徑變得 較大。雖然在圖1 3 B的剖面圖中，內部段差9被顯示爲錐 形二維幾何圖形，內部段差9呈錐形的部分，在三維圖形 中其係沿著圓柱形固持套筒2 b的中心軸而對稱。也就是 說，當直徑轉變區域從接近安裝面1 A之較小內徑部分被 轉變到接近對向面1 B之較大內徑部分時，錐形內部段差 9存在。並且，第三實施例之固持器1具有完成互連面（ 第一側面）1 C中之平坦突出部分的外部段差，外部段差8 沿著和安裝面1 A及對向面1 B平行的方向而延伸。 如圖13B之剖面圖所示，電氣互連4b延伸於基底本 體1的表面上，從安裝面1 A覆蓋到互連面（第一側面） 1 C。在電氣互連 4b的背面處，熱傳導通道5 b也從安裝 -37- 200529458 (35) 面1 A延伸到互連面（第一側面）1 c。雖然舉例說明被省 略，但是，其他的圓柱形固持套筒2a，2c及2d在位於安 裝面1 A與對向面1 B之間的部分中具有內部段差，使得 圓柱形固持套筒2 a ’ 2 c及2 d的內部段差在接近對向面 1B的背面處變得較大。並且，其他的電氣互連4a’ 4c及 4d和其他的熱傳導通道5a，5c，5d及5e也在基底本體1 的表面上，從安裝面1 A延伸到互連面（第一側面）1 C。 圓柱形固持套筒2b的較大內徑，從內部段差的位置 延伸至對向面1 B，具有幫助光傳輸線（光纖）之塗覆層 插入的尺寸大小。依據第三實施例之固持器1，在位於固 持器1之安裝面1 A與對向面1 B間的位置處，藉由提供 外部段差8於互連面（第一側面）1C上，固持器1在安 裝面1 A側之厚度能夠變得比在對向面1 B處之厚度、、t 〃 還薄，其能夠解決在固持器1之電氣特性與機械強度間的 折衷關係問題，並且能夠改善固持器1之電氣特性和機械 強度兩者。因此，能夠抑制在整合於光學裝置晶片中之光 學半導體元件各者間的熱干擾，其被組構而被安裝在安裝 面1 A上，並且改善固持器1的機械強度和封裝可靠度。 --第三實施例的第一修正…

如圖1 4 A及圖1 4 B所示，依據本發明第三實施例之 第一修正的固持器1和圖1 3 A及圖1 3 B所示之第三實施 例的固持器1的不同在於僅三個固持組件處熱傳導通道 5 b，5 c及5 d被形成，以便從安裝面1 a延伸到對向面！ B -38- 200529458 (36) ，固持組件處熱傳導通道5b，5c及5d互相平行地配置在 安裝面1 A上之開口 3 a，3 b，3 c及3 d……間的位置中’ 而沒有附加的熱傳導通道5a及5e被配置在第三實施例之 內電氣互連4a，4b，4c及4d之外且夾住第三實施例之電 氣互連4a，4b，4c及4d。 圖14A爲固持器1的平面圖，且圖14B爲在圖14A 中之直線XIVB — XIVB上所取出之剖面圖。

如同已經解釋於第一實施例，雖然外熱傳導通道5a 及5e用做和內熱傳導通道5b，5c及5d類似的功能’因 爲外熱傳導通道5 a及5 e被形成爲附加的圖案以便保持對 稱的熱流動，所以能夠省略外熱傳導通道5 a及5 e °因此 ，如圖1 4 A所示，在依據本發明第三實施例之第一修正 的固持器1中，圓形墊塊7a及7e被配置在安裝面1A上 ，而不是外熱傳導通道5 a及5 e。

--第三實施例的第二修正… 在依據本發明第三實施例之又一修正（第二修正）的 固持器1中，如圖1 5所示，解釋被刻劃於接合面（第三 側面）1 E上的另一圖案及拓樸。圖1 5 A爲例舉刻劃於接 合面（第三側面）上之組態的平面圖，其可以被指定爲固 持器1的背面，圖1 5 B爲例舉刻劃於安裝面1 A上之組態 的前視圖，其顯示圓形墊塊7a及7e被配置在內電氣互連 4a，4b，4c及4d之外且夾住內電氣互連4a，4b，4c及 4d，圖1 5 C爲例舉互連面（第一側面）1 C的平面圖。因 -39- 200529458 (37) 爲圖15C之舉例說明類似於圖15A所示之組態，所以重 複的解釋被省略。 相對於互連面（第一側面）1 C的接合面（第三側面 )1 E被用做用來連結固持器1於封裝基板等等上之接合 平面。在依據本發明第三實施例之第二修正中，如圖i 5 A 所示’多個矩形金屬圖案（短的長條圖案）Χϋ ( i = 1 一 3 ;j二1 一 η )被刻劃於接合面（第三側面）1 e上，用來接 合固持器1於封裝基板上。如圖丨5 Α所示，藉由形成短 的長條之矩陣的分割金屬圖案Xij於接合面（第三側面） 1 E上，能夠使由於金屬圖案中之線性熱膨脹係數的差 異所導致之應力的絕對値減小，並且能夠降低金屬圖案 Xi」之翹曲的可能‘性，或者在接合程序之後，依據翹曲的 程度而對金屬膜的破壞。 (第四實施例） 圖1 6爲例舉依據本發明第四實施例之固持器1組態 的示意圖，依據本發明第四實施例之固持器1和第一到第 三實施例中所討論之組態的不同在於依據第四實施例之固 持器1包含圓形的凹部1 2a及1 2b於第二側面1 D和面對 第二側面1 D之第四側面丨f的各個部分上，凹部丨2 a及 1 2b從互連面（第一側面）1 C延伸至接合面（第三側面） 1 E ’以幫助當固持器1被安裝在封裝板上時的定位。藉由 ，舉例來說’從固持器1的外部插入圓形定位銷到凹部 12a及12b內，各個定位銷具有大約和凹部12a及12b的 -40- 200529458 (38) 內徑相同的外徑，幾乎能夠準確地決定固持器1的定位及 方向，其能夠幫助使外部電路連接至電氣互連4a，4b， 4c，4d，……的打線接合程序。並且，藉由黏著物質而使 固持器1在固持器1處黏著於外部定位銷的組態能夠增加 固持器1與封裝板之間的接合強度，或者能夠防止當光傳 輸線從固持器1的背面被拉緊時對固持器1的破壞。 因爲第四實施例之固持器1的其他組態係類似於第一 到第三實施例中所顯示之組態，所以其重複的解釋被省略 (其他實施例） 對於習於此技藝者而言，在接收到本發明之教旨後， 各種修正將變爲可能而沒有違離其範疇。舉例來說，對於 已經在第一到第三實施例中所討論之組態而言，上述圓形 的凹部1 2 a及1 2b可以係凹陷於第二側面1 D和第四側面 1F中。 做爲另一例，在第一到第二實施例的固持器1中，依 據第三到第四實施例之圖1 4到圖1 6所示的圓形墊塊7 a 及7 b能夠被配置在安裝面1 A上，而不是附加的熱傳導 通道5a及5b。此外，圓形墊塊7a及7b也可以被省略。 此外，其中光波導膜（多芯光波導）32被使用於第 一實施例之第一修正中的組態、其中削面1 〇被設置在安 裝面1 A與互連面（第一側面）1 C間之交叉轉角處的組態 (如同已經解釋於第一實施例之第三修正中），和其中固 -41 - 200529458 (39) 持器1之安裝面1 A的法線方向s η稍微傾斜向固持套筒 2 a，2 b，2 c，2 d，……的軸向方向之組態（如同已經解釋 於第一實施例的第四及第五修正中）能夠被應用於在第二 到第四實施例中所解釋的各種固持器1中。 同樣地，在第一實施例之第三修正及在第三實施例之 第二修正中所解釋之分割的金屬圖案Χϋ被刻劃於第三側 面上的組態當然能夠被採用於第二到第四實施例中所解釋 的各種固持器1中。因此，本發明當然包含沒有在上面詳 細說明的各種實施例及修正等等，因此，本發明的範疇將 被界定於下面的申請專利範圍中。 【圖式簡單說明】‘ 圖1係例舉依據本發明第一實施例之固持器構造的示 意鳥職圖； 圖2係在圖1之平面S上所取出之固持器的剖面圖； 圖3係顯示多個固持於依據圖1所示第一實施例之固 持器中之光纖的示意鳥瞰圖； 圖4Α係顯示安裝於依據圖1所示第一實施例之固持 痛"中之光學裝置晶片的不意鳥瞰[圖； 圖4 Β係解釋一構造的示意鳥瞰圖，其中，熱接頭（ 熱傳導突塊）及電接頭（電傳導突塊）被配置於依據本發 明之第一實施例的固持器上； 圖5 Α係顯示依據第一實施例，從安裝面上所看到之 固持器的立體前視圖； -42 - 200529458 (40) 圖5 B係顯示依據第一實施例，從第一側面上所看到 之固持器的平面圖； 圖6係顯示依據本發明第一實施例之修正（第一修正 )之固持器的組裝構造之示意鳥瞰圖，其中，光波導膜（ 多芯光波導）被固持做爲光傳輸線； m 7A係例舉第三側面之平面圖，其可以被指定做爲 依據本發明第一實施例之另一修正（第二修正）之固持器 的背面； 圖7B係例舉依據第一實施例之第二修正之固持器之 安裝面的前視圖； 圖7C係例舉依據第一實施例之第二修正之固持器之 第一側面的平面圖； 圖8係顯示依據第一實施例之又一修正（第三修正） 之固持器示意構造的剖面圖； 圖9係顯示依據第一實施例之再一修正（第四修正） 之固持器不意構造的剖面圖； 圖1 0係顯示依據第〜實施例之仍一修正（第五修正 )之固持器示意構造的剖面圖； 圖1 1係顯示例舉依據本發明第二實施例之固持器的 示意鳥瞰圖； 圖1 2係顯示依據第二實施例之修正之固持器的示意 鳥瞰圖； 圖1 3 A係依據本發明第三實施例之固持器的平面圖 -43- 200529458 (41) 圖13B係在圖13A中之直線ΧΙΙΙΒ-ΧΙΠΒ上所取出之 剖面圖； 圖1 4 Α係顯不依據本發明第三實施例之修正（第一 修正）之固持器的平面圖； 圖14B係在圖14A中之直線XIVB-XIVB上所取出之 剖面圖； 圖1 5 A係例舉第三側面之平面圖，其可以被指定做 爲依據本發明第三實施例之另一修正（第二修正）之固持 器的背面； 圖1 5 B係例舉依據第三實施例之第二修正之固持器之 安裝面的前視圖； 圖1 5 C係例舉依據第三實施例之第二修正之固持器之 互連面（第一側面）1 C的平面圖； 圖1 6 A係依據本發明第四實施例之固持器之安裝面 的前視圖；以及 圖16B係對應於圖16A中之安裝面之第一側面的平 面圖。 【主要元件符號說明】 1 絕 緣 基 底 本體（ 固持器） 1 A 安 裝 面 1 B 對 向 面 1C 第 一 側 面 (互連 面） ID 第 二 側 面 -44 - 200529458 (42) IE 第 三側 面 (接合面） IF 第 四側 面 2a， 2b，2c ，2d 圓 柱 形固持套筒 3a， 3b，3c ，3d 開 □ 4a， 4b，4 c ，4d 電 氣 互連 5a， 5b，5c ，5d ，5 e 熱傳導通道 (熱 傳 導 條 ) 6a， 6b，6 c ，6d 矩 形 心 7a， 7b，7e 圓 形墊 塊 8 外 部段 差 9 內 部段 差 10 削 面 12a ，12b . 凹 部， 2 1 光 學裝 置 晶片 22a ，22b， 22c， 22d 主動區域 24a ，24b， 24c， 24d 電接頭（電' 傳導 突 塊 ) 23a ，23b， 23c， 23d ，2 3 e 熱接頭 (熱 傳 導 突 塊） 26a ，26b， 26c， 26d 電氣互連 27a ，27b， 27c， 21 ά ’ 2 7 e 晶片處 熱傳 導 通 道 3 1a ，3 1 b， 3 1c， 3 1 d 光纖 32 光 波導 膜 (多芯光波導） 7 1 埶 短路 組 件（熱輻射墊塊 ) 72 熱 短路 組 件（熱輻射組件 ) -45-

Claims (1)

1. 200529458 (1) 十、申請專利範圍 1 · 一種光傳輸線之固持器，包含：

   一絕緣基底本體，係藉由一被組構來安裝光學裝置晶 片之安裝面、一面對安裝面之對向面、及多個連接在安裝 面與對向面之間的側面來予以界定，側面的其中一者被指 定爲互連面，並且係設置有多個貫穿於安裝面與對向面之 間的貫通孔，以便固持多條光傳輸線，貫通孔藉由和安裝 面交叉來界定多個開口於安裝面上； 多個電氣互連，從安裝面上之開口的個別附近延伸至 互連面上；以及 多個和電氣互連交替指定的熱傳導通道，從安裝面延 伸至互連面上，各個熱傳導通道具有比互連面上之電氣互 連的長度還長的長度。 2·如申請專利範圍第1項之固持器，其中，各個熱 傳導通道具有比安裝面上之電氣互連的長度還長的長度。

   3 ·如申請專利範圍第1項之固持器，其中，安裝面 的法線方向傾斜向貫通孔的軸向方向。 4.如申請專利範圍第3項之固持器，其中，對向面 的法線方向傾斜向貫通孔的軸向方向。 5 ·如申請專利範圍第3項之固持器，其中，對向面 被定向而和安裝面平行。 6 ·如申請專利範圍第3項之固持器，其中，安裝面 的法線方向與貫通孔的軸向方向之間的角度爲約4到! 〇 度。 -46- 200529458 (2) 7·如申請專利範圍第1項之固持器，另包含一被組 構來使熱傳導通道熱短路的熱短路組件。 8 ·如申請專利範圍第1項之固持器，其中，外部段 差被設置於互連面中。 9. 如申請專利範圍第1項之固持器，其中，削面被 建立在安裝面與互連面之間的交叉轉角處，並且電氣互連 及熱傳導通從安裝面延伸到互連面。 10. 如申請專利範圍第1項之固持器，另包含多個被 刻劃於面對互連面之側面的其中一者上之金屬圖案，被組 構來接合固持器於封裝基板。 11·如申請專利範圍第1項之固持器，另包含一形成 而和互連面垂直的凹部，其能夠收容定位銷以決定固持器 靠著封裝基板的位置。 12. 如申請專利範圍第1項之固持器，其中，各個熱 傳導通道被形成爲長條圖案。 13. 如申請專利範圍第1項之固持器，其中，各個熱 傳導通道係導電的。 14. 一種多芯光波導之固持器，包含： 一絕緣基底本體，係藉由一被組構來安裝光學裝置晶 片之安裝面、一面對安裝面之對向面、及多個連接在安裝 面與對向面之間的側面來予以界定的，側面的其φ _者令皮 指定爲互連面，並且係設置有多個貫穿於安裝面與對向面 之間的貫通孔，以便固持多芯光波導，貫通孔藉由和安裝 面交叉來界定一開口於安裝面上； -47- 200529458 (3) 多個電氣互連，係從安裝面上之開口的附近延伸至互 連面上；以及 多個和電氣互連交替指定的熱傳導通道，從安裝面延 伸至互連面上，各個熱傳導通道具有比互連面上之電氣互 連的長度還長的長度。 15·如申請專利範圍第1 4項之固持器，其中，安裝 面的法線方向傾斜向貫通孔的軸向方向。

   1 6 ·如申請專利範圍第1 5項之固持器，其中，對向 面的法線方向傾斜向貫通孔的軸向方向。 1 7.如申請專利範圍第1 5項之固持器，其中，安裝 面的法線方向與貫通孔的軸向方向之間的角度爲約4 g[J 1 〇度。 1 8 .如申請專利範圍第1 4項之固持器，另包含一被 組構來使熱傳導通道熱短路的熱短路組件。

   19.如申請專利範圍第14項之固持器，其中，外部 段差被設置於互連面中。 2 〇 ·如申請專利範圍第1 4項之固持器，另包含多個 被刻劃於面對互連面之側面的其中一者上之金屬圖案，被 組構來接合固持器於封裝基板。 -48-