TW200537480A - Write-once information recording medium - Google Patents

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TW200537480A
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Seiji Morita
Naoki Morishita
Naomasa Nakamura
Koji Takazawa
Yasuaki Ootera
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Toshiba Kk
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Description

200537480 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於僅寫一次資訊記錄媒體，而其可藉由使 用短波長雷射光束（例如，藍色雷射光束）而記錄並再生 資訊。 【先前技術】 如眾所周知的，近幾年，供儲存數位資料用的媒體隨 著個人電腦等的普遍而漸形重要。舉例來說，在現代，可 長時期以數位的方式記錄並再生的影像資訊及聲音資訊之 資訊記錄媒體已經很普遍。另外，已經以供數位記錄及再 生用的資訊記錄媒體用於例如手機等行動式裝置。 在此，關於此類型的資訊記錄媒體，由於下列各種不 同的理由而經常運用碟形媒體：其具有大資訊記錄能力； 其具有可使所企求的記錄資訊的尋找加速之高隨機存取效 能；且再者，其重量小又輕，具有優異的可攜性且不貴。 關於此碟形資訊記錄媒體，時下主要使用··所謂的光 碟，而其可藉由發出雷射光而以非接觸的方式記錄並再生 資訊。此光碟主要依循壓縮光碟（CD )標準或數位化視頻 光碟（D V D )標準，且這些標準之間有相容性。 有三類型光碟：無法記錄資訊的僅再生型，例如C D -DA (數位音頻）、CD-ROM (唯讀記憶體）、DVD-V (影像）或DVD-ROM ;僅可一次寫入資訊的一次式，例 如CD-R (可記錄）或DVD-R ;以及可再寫入資訊許多 200537480 (2) 次的再寫入型，例如CD-RW (可再寫入）或DVD-RW。 當中，關於可記錄資訊的光碟，記錄層使用有機著色 物質的僅寫一次光碟最爲普遍，因爲它有低製造成本。這 • 是因爲，若資訊記錄容量超過700百萬位元組（MB )， 〜 幾乎不用抹消記錄資訊並再寫入新資訊項目，而最後僅一 次記錄資訊.就夠了。 在記錄層使用有機著色物質的僅寫一次光碟中，等雷 ^ 射光射到藉由溝槽定義的記錄區（軌），若在樹脂的玻璃 轉移點Tg或更高下加熱樹脂基材時，在溝槽中的有機著 色物質膜將進行光化學反應，並產生負壓。結果，藉由運 用樹脂基材在溝槽中變形的事實而形成記錄標記。 供記錄及再生用的雷射光波長爲約7 80奈米之CD-R 用之典型有機著色物質包括例如可購自 Ciba Speciality Chemicals 的 IRGAPHOR Ultragreen MX 等酿花青系著色 物質。此外，供記錄及再生用的雷射光波長爲約650奈米 I 之DVD-R用之典型有機著色物質包括可購自 Mitsubishi Chemicals Medium Co.，Ltd.的偶氮金屬錯合物系著色物 質。 當中，在與現行光碟相比可達到較高效能的記錄及再 • 生的下一代光碟中，以具有約405奈米波長的藍色雷射光 -當作供記錄及再生用之雷射光。然而，目前仍未開發出可 藉著使用此等具小波長的光而達到實際上足夠的記錄及再 生特性之有機著色物質材料。 也就是說，在藉由使用紅外線雷射光或紅色雷射光進 -6 - 200537480 (3) 行記錄及再生的現行光碟中，有使用··有機著色物質材 料，而其於比記錄及再生用的雷射光波長（7 8 0或65 0奈 米）更短之波長側具有大的吸收端。依此方式，現行的光 碟達到所謂的Η到L (高到低）特性，其中藉由發射雷射 光而形成的記錄標記部分之光反射性比發射雷射光之前的 反射性更低。 相對地，在藉由使用藍色雷射光進行記錄及再生的情 況中，會有一個問題：比記錄及再生用的雷射光波長 (405奈米）更短之波長側具吸收端的有機著色物質材料 對於紫外線等之安定性與保存持久性不良；對於熱的安定 性不良；且記錄標記的對比度與解析度低。 此外，記錄標記的模糊程度傾向於增加，因此，此模 糊將影響相鄰軌，且可能發生交錯寫入特性（cross write feature )惡化。再者，會發生記錄靈敏度降低且無法獲得 足夠的再生訊號對雜訊比及位元錯誤率的不方便情況。 在相鄰軌中未記錄資訊的情況下，會有可獲得預定記 錄靈敏度的情況。然而，若在相鄰軌中記錄資訊，再生訊 號對雜訊比將因爲交錯寫入到相鄰軌的程度大而降低。此 外，位元錯誤率更高，且無法達到適於實際用途的程度。 在日本專利公開公報2002-74740中，揭示記錄層中 包括有機著色物質的吸收端之光記錄媒體存在於比寫入光 的波長更長的波長側。然而，在此文件中，並沒有任何地 方說明光碟本身的改良效能（例如在光反射之前的及雷射 光發射之後的變化、再生訊號對雜訊比或位元錯誤率等） 200537480 (4) 之結構。 【發明內容】 本發明有鑑於以上的情況而完成。本發明的目的在於 提供可藉著使用例如藍色雷射光的短波長雷射光而在高密 度及足敷實際用途的性能下記錄並再生資訊之僅寫一次資 訊記錄媒體。 根據本發明之一形態，提供一種僅寫一次資訊記錄媒 體’其包含：具同心或螺旋形的溝槽及形成於其上的平面 之透明性樹脂基材；以及形成在該透明性樹脂基材的溝槽 與平面上的記錄膜，藉由短波長雷射光束的發射而在該媒 體上形成記錄標記，其中將藉由該短波長雷射光束的發射 而形成之記錄標記部分的光反射性設定成比該短波長雷射 光束的發射之前得到的光反射性更高，且該溝槽依照預定 振幅範圍蛇行。 【實施方式】 在此之後，本發明之一具體例將參照隨附的圖式詳細 加以說明。在該具體例中說明的僅寫一次記錄媒體包含 由，舉例來說，呈碟子外形之例如聚碳酸酯等合成樹脂材 料形成的透明性樹脂基材。在該透明性樹脂基材上，形成 呈同心形或呈螺旋形的溝槽。該透明性樹脂基材可藉由使 用母版射出成型而製造。 在該透明性樹脂基材上，形成包括有機著色物質的記 -8- 200537480 (5) 錄膜以塡滿該溝槽。關於形成該記錄膜的有機著色物質， 使用具有偏移到比記錄波長（40 5奈米）更長的波長側之 最大吸收波長帶的著色物質。另外’該記錄波長帶已經經 過設計具有等量光吸收而不需刪除該吸收。 ^ 依此方法，在藉由記錄用的雷射光記錄資訊之前在軌 道上進行聚焦或循軌（tracking )的情況下’得到低光反 射性。著色物質分解反應藉由雷射光而產生，且光吸收率 ® 降低，藉以使記錄標記部分的光反射性提高。由此，達到 所謂的L到Η特性使得藉由發射雷射光而形成的記錄標記 部分之光反射性比發射雷射光之前的反射性更高。 該透明性樹脂基材，特別是溝槽底部可能由於熱孳生 而變形。在此例中，相差可能隨反射光而發生。 以上的有機著色物質藉由溶在溶劑中而液化，且最後 得到的溶液可根據旋塗技術輕易地塗在透明性樹脂基材表 面上。在此例中，該膜厚於旋塗的期間藉由溶劑與轉動頻 ® 率控制該稀釋速率而以高精確的方式管制。 該有機著色物質係由著色物質部分與陰離子部分組 成。關於該著色物質部分，可使用花青著色物質或苯乙烯 基著色物質等。具體而言，因爲與記錄波長有關的吸收率 - 可輕易地控制，所以以花青著色物質及苯乙烯基著色物質 ^ 爲宜。 當中，在具有單次甲基鏈的單次甲基花青著色物質 中，降低塗在該透明性樹脂基材上的記錄膜的厚度，藉以 可輕易地將末端吸收與記錄波長帶（400到405奈米）的 200537480 (6) 吸收度調整於〇 . 3到0.5的範圍內，較佳爲約0.4。由此’ 可改良記錄與再生特性，並可良好地設計光反射性與記錄 靈敏度。 •關於陰離子部分，就光安定性的觀點而言，較佳地使 .用有機金屬錯合物。金屬錯合物具有優異的光安定性，特 別是以鈷或鎳當作核心金屬之時。 偶氮金屬錯合物最佳。在以2,2,3,3·四氮-卜丙醇 B ( TFP )當作溶劑的情況下分解性也很好，且可輕易地製 造供旋塗用的溶液。此外，旋塗之後可進行再循環，由此 可降低光碟的製造成本。 第1圖顯示充當有機著色物質材料之四個著色物質A 到D的實施例。著色物質A含有由苯乙烯基著色物質構 成的著色物質部分（陽離子部分），且含有由偶氮金屬錯 合物1構成的陰離子部分。著色物質C含有由苯乙烯基著 色物質構成的著色物質部分（陽離子部分），且含有由偶 > 氮金屬錯合物2構成的陰離子部分。著色物質d含有由單 次甲基花青著色物質構成的著色物質部分（陽離子部 分），且含有由偶氮金屬錯合物1構成的陰離子部分。也 可單獨使用該有機金屬錯合物。舉例來說，著色物質B爲 鎳錯合物著色物質。 接著，利用以上旋塗之後得到的有機著色物質薄膜塗 布碟狀基材，藉著使用加熱板或淸潔烘箱令著色物質在約 8 0 °C的溫度下乾燥。然後’在該薄膜上，藉由濺灑形成具 光反射膜功能的金屬薄膜。關於供金屬反射膜用的材料， -10- 200537480 (7) 使用，舉例來說，金、銀、銅、銘或它們的合金。 接著，在該金屬膜上旋塗紫外線可硬化的樹脂，並將 保護碟狀基材黏附於該膜，藉以將僅寫一次光碟製成僅寫 ^ 一次資訊記錄媒體的形式。 - 在此，通式1代表當作以上說明的著色物質A與C各 自著色物質部分之苯乙烯基著色物質的通式。通式2代表 當作以上說明的著色物質A與C各自的陰離子部分之偶氮 B 金屬錯合物的通式。此外，通式3代表當作以上說明的著 色物質D的著色物質部分之單次甲基花青著色物質的通 式，而通式4代表當作著色物質D的陰離子部分之偶氮金 屬錯合物的通式。 [通式1] R34 R35
[通式2]
-11 - 200537480 (8)
[通式3]
在以上的苯乙烯基著色物質通式中’ Z3表 且該芳環可含有取代基。Y31表示碳原子或 R31、R32及R33表示彼此相同或不同的脂肪族 些脂肪族烴基各自都可含有取代基。R34及R35 地表示氫原子或適當的取代基。若Y31爲雜原子 R35之中任一或二者都不存在。 此外，在單次甲基花青著色物質的通式中， 表示彼此相同或不同的芳環，且這些芳環可各自 基。Y11及Y12各自獨立地表示碳原子或雜原子 R 1 2表示脂肪族烴基，且這些脂肪族烴基各自都 代基。R13、R14、R15及R16各自獨立地表示氫 當的取代基。若Y 1 1及Y 1 2皆爲雜原子，R 1 3、 不方環， 雜原子。 丨烴基。這 各自獨立 .’ R34 或 Z1 及 Z2 含有取代 …Rl 1及 可含有取 原子或適 R14 、 R15 -12- 200537480 Ο) 及R 1 6之中有一部分或全部都不存在。 用於該具體例中的單次甲基花青著色物質爲任一種彼 此相同或不同的者色物質，而可含一或多個取代基之單次 甲基鏈的兩端含有一或多個取代基，其包括與例如咪唑啉 環、咪唑環、苯并咪唑環、心萘并咪唑環、卜萘并咪唑 環、吲哚環、異吲哚環、吲哚啉環、異吲哚啉環、苯并吲 口杂啉環、吡啶并吲哚啉環、噚唑啉環、nf唑環、異鳄d坐 環、苯并噚唑環、吡啶并噚唑環、α _萘并鳄唑環、p _萘并 口琴唑環、硒唑啉環、硒唑環、苯并硒唑環、α _萘并硒唑 環、β-萘并硒π坐環、噻11 坐琳環、噻哇環、異噻u坐環、苯并 噻唑環、（X -萘并噻唑環、β -萘并噻唑環、碲唑啉環、碲唑 環、苯并碲唑環、萘并碲唑環、萘并碲唑環，又更進 一步地，丙烯醯啶環、蒽環、異喹啉環、異吡咯環、亞胺 硫磷（imidanoxaline)環、陰丹二酮（indandi〇ne)環、 吲唑環、吲哚啉環、哼二唑環、卡唑環、咕吨環、咕唑啉 環、D奎嘴琳環、D奎諾啉環、色滿（c 〇 u r 〇 m a n e )環、環己 二酮環、環戊二酮環、鄰二氮雜萘環、噻二唑環、噻Π萼唑 烷酮環、噻吩環、硫萘環、硫巴比妥酸環、硫乙內醯脲 環、四唑環、三嗪環、萘環、萘啶環、六氫吡嗪環、吡嗪 環、吡唑環、吡唑啉環、吡唑啶環、吡唑啉酮環、吡喃 環、吡啶環、吡噠嗪環、嘧啶環、啤英鏠（pytilium ) 環、吡咯啶環、焦磷酸環、吡咯環、菲那啶（phenadine ) 環、菲啶環、菲環、菲并磷酸環、二氮雜萘環、喋啶環、 呋咱環、呋喃環、嘌呤環、苯環、苯并鸣嗪環、苯并吡喃 -13- 200537480 (10) 環、嗎啉環及繞丹酸（rhodanine)環等環狀核接合的著色 物質。 在單次¥基花青著色物質與苯乙烯基著色物質的通式 中，Z1至Z3表示，舉例來說，例如苯環、萘環、吡啶 環、D奎諾啉環及D奎噚啉環等芳族環，且這些芳環可具有一 或多個取代基。該取代基的實施例包括例如甲基、三氟甲 基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第 三丁基、戊基、異戊基、新戊基、第三戊基、；[-甲基戊 基、2-甲基戊基、己基、異己基、5_甲基己基、庚基及辛 基等脂肪族烴基；例如環丙基、環丁基、環戊基及環己基 等脂環族烴基；例如苯基、聯苯基、鄰甲苯基、間甲苯 基、對甲苯基、二甲苯基、三曱基苯基、鄰異丙苯基、間 異丙苯基及對異丙苯基等芳香族烴基；例如甲氧基、三氟 甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、第二丁氧 基、第三丁氧基、戊氧基、苯氧基及苯甲醯氧基等醚基； 例如甲氧羰基、三氟甲氧羰基、乙氧羰基、丙氧羰基、乙 醯氧基及苯甲醯氧基等酯基；例如氟基、氯基、溴基及碘 基等鹵基；例如甲硫基、乙硫基、丙硫基、丁硫基及戊硫 基等硫基；例如甲基磺醯胺基、二甲基磺醯胺基、乙基磺 醯胺基、二乙基磺醯胺基、丙基磺醯胺基、二丙基磺醯胺 基、丁基磺醯胺基及二丁基磺醯胺基等磺醯胺基；例如一 級胺基、甲基胺基、二甲基胺基、乙基胺基、二乙基胺 基、丙基胺基、二丙基胺基、異丙基胺基、二異丙基胺 基、丁基胺基、二丁基胺基及六氫吡Π定基等胺基；例如甲 -14- 200537480 (11) 基胺基甲醯基、二甲基胺基甲醯基、乙基胺基甲醯基、二 乙基胺基甲醯基、丙基胺基甲醯基及二丙基胺基甲醯基等 胺基甲醯基；又進一步地，羥基、羧基、氰基、硝基、亞 硫醯基、磺基及甲基磺醯基等等。在通式3中，Z1與Z2 可彼此相同或不同。 在單次甲基花青著色物質與苯乙烯基著色物質的通式 中’ Yll、Y12及Y31表示碳原子或雜原子。該雜原子包 括氮原子、氧原子、硫原子、硒原及碲原子，及其他選自 週期表第XV與XVI族元素的原子。在Y11、Y12及Y31 中的碳原子可爲例如伸乙基及伸乙烯基等主要包含兩個碳 原子的原子基團。在單次甲基花青著色物質的通式中， Y11及Y12可彼此相同或不同。 在單次甲基花青著色物質與苯乙烯基著色物質的通式 中’ R1 1、R12、R13、R32及R33表示脂肪族烴基。該脂 肪族烴基的實施例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、異丙 烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、丁基、異丁基、第二丁基、 第三丁基、2-丁烯基、1,3-丁二烯基、戊基、異戊基、新 戊基、第三戊基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、2_戊烯基、 己基、異己基、5 -甲基己基、庚基、辛基及其他。如zi 至Z3這些脂肪族烴基可有一或多個取代基相同。 附帶地，單次甲基花青著色物質通式中的及R12 與苯乙烯基著色物質的通式中的Rl3、R32及R33可彼此 相同或不同。 在單次甲基花青著色物質與苯乙烯基著色物質的通式 -15- 200537480 (12) 中’R13至r16、R34及R35在個別式中獨立地 子或適合的取代基。該取代基的實施例包括例如 氟甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基 基、第二丁基、戊基、異戊基、新戊基、第三戊 基戊基、2-甲基戊基、己基、異己基、5-甲基己 及辛基等脂肪族烴基；例如甲氧基、三氟甲氧 基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、第三丁氧基、 苯氧基及苯甲醯氧基等醚基；例如氟基、氯基、 基等鹵基；又更進一步地，羥基、羧基、氰基及 在單次甲基花青著色物質與苯乙烯基著色物質的 若Y11、Y12及Y13皆爲雜原子，Z1及Z2中栏 R16的部分或全部，以及Ζ3中的R34及R35的 部將不存在。 在偶氮金屬錯合物的通式中，Α與Α’表示彼 不同的五員到十員雜環族基，其包含一或多個 子、氧原子、硫原子、硒原子及碲原子的雜原子 喃基、噻吩基、吡啶基、六氫吡啶-…基、六氫 喹諾基及異鸣唑基。該雜環基含有一或多個取代 甲基、三氟甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、 第二丁基、第三丁基、戊基、異戊基、新戊基 基、b甲基戊基、2_甲基戊基、己基、異己基及 基等脂肪族烴基；例如甲氧羰基、三氟甲氧羰基 基、丙氧羰基、乙醯氧基、三氟乙醯氧基及苯甲 酯基；例如苯基' 聯苯基、鄰甲苯基、間甲苯基 表示氫原 甲基、三 、第二丁 基、1-甲 基、庚基 基、乙氧. 戊氧基、 溴基及碘 硝基。在 通式中， 勺R13至 部分或全 此相同或 選自氮原 ，例如呋 批啶基、 基，例如 異丁基、 、第三戊 5-甲基己 、乙氧羰 醯氧基等 、對甲苯 -16- 200537480 (13) 基、鄰異丙苯基、間異丙苯基、對異丙苯基、二甲 三甲基苯基、苯乙烯基、肉桂醯基及萘基等芳香族 又進一步地，羧基、羥基、氰基及硝基。 * 由通式表示之構成該偶氮金屬氧化物的偶氮化 - 藉由普通方法，藉由含有對應至該通式的R2 1、 R23、R24的重氮鑰鹽（diazonium salt)與含有田比 子的羧基之活性亞甲基的雜環化合物（舉例來說， I 酮化合物、噚唑酮化合物、硫萘化合物、吡咯啉 物、巴比妥酸化合物、乙內醯脲化合物及繞丹酸化 之間的反應製備。Y21與Y22爲選自週期表第XVI 之彼此相同或不同的雜原子，例如氧原子、硫原子 子及碲原子。 以金屬錯合物的形式使用該通式所示的偶氮金 物，該金屬（中心原子）通常有一或多個配位。充 原子的金屬元素之實施例包括航、釔、鈦、鉻、飴 _ i尼、組、鉻、組、鎢、猛、铸、鍊、鐵、鑑、餓 铑、銥、鎳、鈀、鉑、銅、銀、金、鋅、鎘及汞， 爲鈷。 第2圖的參考編號（a )顯示與以上著色物質 長有關的發射雷射光之吸收度變化。第2圖的參 (b )顯示與以上著色物質B的波長有關的發射雷 吸收度變化^第2圖的參考編號（c )顯示與以上 質C的波長有關的發射雷射光之吸收度變化。 此外，第3圖的參考編號（a )顯示與以上著 苯基、 烴基； 合物係 R22或 鄰該分 異腭唑 酮化合 合物） 族元素 、硒原 屬錯合 當中心 、鈀、 、鈷、 而最佳 A的波 考編號 射光之 著色物 色物質 -17- 200537480 (14) D的波長有關的發射雷射光之吸收度變化。第3圖的參考 編號（b )顯示與以上著色物質D的陰離子部分之波長有 關的發射雷射光之吸收度變化。 由第2圖及第3圖所示的特性可證實，在著色物質A 至D中，它們的最大吸收波長帶都偏移到比記錄波長 (40 5奈米）更長的波長側。建構本具體例中.說明的僅寫 一次光碟以便具有所謂的L到Η特性，其中記錄膜中包括 具以上說明的特性之有機著色物質且經雷射光發射之後得 到的光反射性比該雷射光發射之前得到的光反射性更高。 依此方式，即使是使用例如藍光雷射光等短波長雷射光， 也可利用就保存持久性、再生訊號對雜訊比及位元錯誤率 等而言優異的且足敷於高密度下實際使用的性能記錄並再 生資訊。 也就是說，在僅寫一次光碟中，包括該有機著色物質 的記錄膜之末端吸收波長位於比記錄用的雷射光波長更 長。由此，例如紫外線的短波長光線的吸收可降到最小， 由此得到優異的光安定性及改良的資訊記錄與再生可靠 度。 此外，該光反射性在資訊記錄時低，由此，沒有反射 散射發生而造成的交錯光線。因此，即使在資訊已經記錄 於毗鄰軌的情況下，仍可限制再生訊號對雜訊比或位元錯 誤率的下降。更進一步，可利用與熱孳生有關的高品質維 持記錄標記的對比與解析度，並可輕易地完成記錄靈敏度 設計。 -18- 200537480 (15) 爲了得到良好的L到Η特性，吾人企圖在記錄波長 (405奈米）時的吸收度爲〇.3或更大。 在此，在當作該僅寫一次光碟的記錄與再生軌的溝槽 中，其外形對於記錄與再生特性有很大的影響。由於發明 者深入硏究的結果，具體而言，發現溝槽寬度與平面寬度 之間的關係很重要。 也就是說，若溝槽寬度等於平面寬度或者若溝槽寬度 小於平面寬度，可發現經記錄的資訊之再生訊號對雜訊比 及位元錯誤率傾向於降低。換言之，發現當溝槽寬度大於 平面寬度時，可獲得良好的記錄與再生特性。 大體上，爲了在可寫入的光碟中記錄資訊，必需預先 記錄例如在光碟中的軌道碼、區碼、段碼及偵錯和校正 (ECC )區塊位址碼等各式各樣不同的位址資訊。 用於記錄此位址資訊的手段可藉著使該溝槽依該光碟 的徑向變成蛇行而達到。也就是說，由於蛇行而可進行位 址資訊的記錄可藉由下列手段而達到：與該位址資訊聯結 而調變蛇行頻率的手段；與該位址資訊聯結而調變蛇行振 幅的手段；與該位址資訊聯結而調變蛇行相位的手段；以 及與該位址資訊聯結而調變極性反轉間隔的手段。此外， 也可使用運用平面高度及蛇行群組的變化之手段，換言 之，在平面中嵌入預製凹坑（pre-pit )的手段。 此外，位址資訊的再生係於循軌之後讀取推拉訊號而 達到。藉由經標準化的蛇行振幅NWS及蛇行載波對雜訊 (CNR ) (=蛇行經窄化的訊號對雜訊比[NBSNR])評估 -19- 200537480 (16) 讀取蛇行訊號本身的品質。 如第4圖所示，經標準化的蛇行振幅NWS記爲藉由 溝槽循軌期間再生的推拉訊號之振幅Wppmin，即，當光 點橫越未經記錄的溝槽時，溝槽蛇行訊號振幅的最小値 (在與相鄰溝槽的蛇行相位反轉過來情況下的振幅）除以 推拉 gJl 號振幅（11-12) pp 而得到 Wppmin/( 11-12) pp 値。 較佳地NWS爲〇.1〇或更大，更佳爲介於0.10至0.45 的範圍，特別是介於0.1 〇至〇 . 2 5的範圍。較佳地蛇行 NBSNR爲18分貝或更大，又更佳爲26分貝或更大。 蛇行訊號本身會影響記錄後的資訊之位元錯誤率，由 此可限制其振幅於預定範圍內。此蛇行振幅範圍會隨著所 用的有機著色物質材料而有所不同。藉由，具體而言，須 將L到Η的特性設定在最佳範圍內使得可良好地達到該特 性。 另外也發現溝槽深度及蛇行振幅對於記錄與再生特性 具有很大的影響。 關於蛇行造成的位址資料結構，由第5圖參考編號 (a ) 、（ b )所示的結構適用於具有l到Η極性的碟片。 在再生線性速度爲6 · 6 1米/秒的情況下，蛇行頻率約 696.7742千赫。若假設記錄資料的通道位元速率爲64.80 百萬位元/秒，將可得到一個蛇行循環爲9 3通道位元長 度。 如第5圖參考編號（a )所示，位址資料將一個物理 -20- 200537480 (17) 片斷（區段）建構於同步化區（SYNC場）、位址區及整 合區，並由總共1 7個蛇行資料單元WDU組成。 如第5圖參考編號（b )所示，位址區由辨識碼資訊 (P，S )、層資訊、物理區段順序、資料區段碼及CRC組 成。蛇行資料單元WDU由84個蛇行波組成。如第6圖參 考編號（a )到（e )所示，有五種類型的蛇行資料單元。 同步化區及位址區各有兩型總共四個 WDU，且整合區有 一個 WDU。 以蛇行的方式將三個位元資料嵌入位址區的 WDU 內。如第7圖參考編號（a ) 、（ b )所示，資料0及資料 1分別地對應到正常相位蛇行（NPW )及反轉相位蛇行 (IP W )。 如第8圖所示，進行蛇行資料位元部分的偏移，使資 料位元部分不會出現在相鄰溝槽之間的同相位置。藉此， 位址區中的 WDU有兩種位置，即，原始位置及第二位 置。同時，同步化區也有兩種 WDU。如第 9圖參考編號 (b )至（d )所示總共有三種類型的物理區段結構存在。 此位址資料格式對於L到Η僅寫一次光碟特別有效。 這是因爲，在原始未經記錄的狀態下，相鄰溝槽之間的蛇 行相位資訊干擾由於低反射性而發生。雖然即使原始與第 二位置交換仍會得到某程度的錯誤率，但最好還是進行此 切換。 現在，將在以下提供更明確的說明。首先，根據以下 的步驟製備供高密度R片用的碟片母版。也就是說，如第 -21 - 200537480 (18) I 0圖的參考編號（a )中所示的，製備依直徑2 0 0毫米及 厚度0.72 5毫米的碟子外形形成製造矽晶圓 Π的半導 體。 使該矽晶圓1 1浸漬於加熱的濃縮硫酸與過氧化氫水 溶液的混合溶液（液體溫度1 00 °C )中5分鐘。接下來， 藉著將矽晶圓1 1浸漬於超純水中而得沖洗，並以超音波 的方式淸洗。然後，將該晶圓浸漬於70 °C超純水槽中，並 且藉由逐漸拉起而得乾燥之。 接著，如第1 0圖參考編號（b )所示，在矽晶圓11 表面上形成電子束阻劑膜1 2。該電子束阻劑膜1 2係藉著 在矽晶圓1 1表面上旋塗藉由混合並攪拌86.2重量％電子 束阻劑（可購自 Nihon Zeon有限公司的ZEP520A7)對 100重量％苯甲醚溶劑（可購自 Nihon Zeon有限公司的 ZEP-A)得到的阻劑溶液而形成。 在該旋塗條件下，令矽晶圓1 1真空卡在轉檯上，當 轉檯的轉動停止時經由0.1微米濾材使組劑溶液1 2懸浮 於矽晶圓1 1的中心，接著令轉檯在2 5 0 0轉/分下轉動。 然後，如第1 〇圖參考編號（c )所示，在電子束阻劑 膜1 2中形成溝槽1 3。這可藉由下列步驟完成：將塗布電 子束阻劑膜1 2的矽晶圓1 1置於電子束切削機的真空容器 中；抽真空到1 (Γ5帕的量級；使矽晶圓Π轉動；電子束 由電子槍1 4發射到電子束阻劑膜1 2 ;以及以電子束記錄 同心或螺旋形的溝槽圖案。 溝槽圖案記錄條件使得電子束加速電壓爲5 0千伏， -22- 200537480 (19) 束電流爲〗20奈安培，束直徑爲】1 〇奈米，而記錄束速度 爲1 . 1米/秒。此外，溝槽1 3的記錄區使得矽晶圓Π的半 徑介於2 3到5 9毫米的範圍內° ' 接著，自電子束切削機的真空容器內取出溝槽1 3已 ' 經記錄之後得到的矽晶圓1 1。如第1 〇圖參考編號（d )所 示，將取出的晶圓1〗浸漬於浸漬容器1 5內含的有機顯影 液1 6中，並進行浸漬顯影，藉以形成溝槽1 3的阻劑圖 籲案。 接下來，如第10圖參考編號（e )所示，進行鎳膜的 DC濺鍍，藉以形成鎳薄膜1 7而使以上說明的阻劑圖案表 面具導電性。 之後，如第1 1圖參考編號（a )所示，在鎳薄膜17 上進行鎳電鑄而形成厚度247微米的鎳電鑄金屬層18。如 第1 1圖參考編號（b )所示，等鎳電鑄金屬層1 8已經解 下來並旋轉淸洗之後，藉由氧RIE釋放表面上剩餘的阻 B 劑。接著，如第11圖的參考編號（c )所示，在鎳電鑄金 屬層1 8上形成保護膜，拋光背面，加工內徑與外徑，並 製造碟片母版19。 接下來，使用碟片母版1 9製造僅寫一次光碟。也就 • 是說，藉著使用碟片母版19，如第12圖參考編號（b)所 * 示，利用如第12圖參考編號（b )所示，可購自 Sumitomo Heavy Industry有限公司的射出成型裝置SD40 進行射出成型複製厚度0.6毫米的聚碳酸酯製的透明性碟 片基材20。當然，要在碟片基材20上形成溝槽21。 -23- 200537480 (20) 然後，如第1 2圖參考編號（C )所示，使用噴嘴直徑 2 1 G的分配器2 2，使後文中說明之藉著使有機著色物質溶 於溶劑而得到的有機著色物質溶液2 3懸於上面形成溝槽 ^ 2 1的碟片基材20面上。接下來，旋轉控制碟片基材20， ' 藉以，如第1 2圖參考編號（d )所示，將有機著色物質溶 液23塡入溝槽.21中，並形成記錄膜24。 在記錄膜24的旋塗條件下，如第1 3圖所示，首先， ® 驅動而使該碟片基材20在1秒以內由其無作用的狀態達 到3 0 0轉/分。使碟片基材維持在此狀態下8秒，藉由分 配器22塗布該有機著色物質溶液23。其後，令碟片基材 2 〇的轉數在2秒以內提高到1 8 0 0轉/分，並使該碟片基材 維持在此狀態下1 5秒。然後，令碟片基材2 0的轉數在2 秒以內提高到3 000轉/分，並使該碟片基材維持在此狀態 下3秒。 記錄膜24的膜厚度可藉由控制第二狀態下的轉數而 B 得控制。也就是說，記錄膜24的膜厚度可藉由降低第二 狀態下的轉數而增加。 接下來，使用淸潔烘烤令塗布記錄膜24的碟片基材 20在80 °C下烘烤30分鐘，且如第12圖參考編號（e)所 • 示，在記錄膜24上濺鍍1〇〇奈米金屬膜25。關於金屬膜 • 25，儘管使用的是含1 % AgND與1 % Cu的銀合金，但也 可使用純銀。 之後，如第12圖參考編號（f)所示，在金屬膜25 上旋塗紫外線可硬化的樹脂2 6，並黏附厚度0.6毫米的聚 -24- 200537480 (21) 碳酸酯製碟片基材27，藉以製造記錄膜24中包括有機著 色物質的僅寫一次光碟（R片）28。 如第1 4圖所示，如以上說明而製造的僅寫一次光碟 28中，令藉由光學頭29記錄且再生的雷射光由與該碟片 基材20塗布記錄膜24之面相反的那一面入射。 在此例中，製得充當供記錄資訊用的軌道之碟片基材 20上形成的溝槽2 1之底面2 1 a及夾在相鄰溝槽2 1之間的 平面3 0。由溝槽2 1的底面2 1 a形成的記錄軌稱爲溝槽軌 Gt，而由平面30形成的記錄軌稱爲平面軌Lt。 溝槽軌Gt面相對於平面軌Lt的高度差稱爲溝槽深度 Gh。更進一步，在該溝槽深度Gh實質上一半的高度見到 的溝槽軌Gt寬度稱爲溝槽寬度Gw，而在該溝槽深度Gh 實質上一半的高度見到的平面軌Lt寬度稱爲平面寬度 Lw 〇 如以上說明的，使溝槽軌Gt變成蛇行以記錄各式各 樣位址資訊。第1 5圖參考編號（a )顯示相鄰溝槽軌Gt 在同一相中的例子，第1 5圖參考編號（b )顯示相鄰溝槽 軌Gt在相反相中的例子根據僅寫一次光碟2 8的區域，相 鄰溝槽軌Gt有各式各樣的相差。 現在，將在此說明以上說明的有機著色物質溶液23 的產生。關於此有機著色物質溶液23 ’使用藉著將1 .2重 量％的有機著色物質粉末溶在毫升TFP中而製得之溶 液濃度1 · 2 %的溶液。溶劑的溶液條件爲將著色物質粉末 置於溶液中，並使最後得到的溶液用超音波處理3 0分 -25- 200537480 (22) 鐘。 關於有機著色物質’除了先前說明的四種著色物質A 至D以外，藉由混合這些著色物質之中的二或多種而製成 七種混合型著色物質F至L。 混合型著色物質F藉著添加5%著色物質B到著色物 質D，換言之，藉著以〇.〇5對1克的比例混合著色物質B 與著色物質D而製成。 混合型著色物質G藉著以7 : 3 ( =D ·· E )的比例混 合當作著色物質E的單次甲基花青著色物質（陰離子部 分的偶氮金屬錯合物3)與著色物質D，再進一步，添加 5°/。著色物質B，換言之，以〇.〇5對1克的比例混合著色 物質B與藉著以7 : 3的比例混合著色物質D與E得到的 著色物質而製成。 混合型著色物質Η藉著以1 : 1 ( =D : A )的比例混 合著色物質A與著色物質D而製成。 混合型著色物質I藉著添加1 0%著色物質B到著色物 質D，換言之，藉著以〇. 1 0對1克的比例混合著色物質B 與著色物質D而製成。 混合型著色物質J藉著添加1 5 %著色物質B到著色物 質D，換言之，藉著以〇. 1 5對1克的比例混合著色物質B 與著色物質D而製成。 混合型著色物質K藉著將陰離子部分的偶氮金屬錯合 物1添加到著色物質D，提高陰離子比例使該著色物質部 分：陰離子部分爲1 : 1 · 5，再進一步，添加1 5 %著色物質 -26- 200537480 (23) B。 混合型著色物質L藉著將陰離子部分的偶氮金屬錯合 物1添加到著色物質D，提高陰離子比例使該著色物質部 分：陰離子部分爲1 : 2 · 0，再進一步，添加1 5 %著色物質 B。 第16圖參考編號（a)到（g)各自顯示與以上說明 的著色物質F至L的波長有關之發射雷射光的吸收度變 化。同樣地在該混合型著色物質F至L任一型中，最大吸 收波長將偏移到比記錄波長（40 5奈米）更長的波長，且 在記錄波長（405奈米）的吸收度在實質0.4的附近。 藉著使用11種以上說明的有機著色物質A至D及F 至L，根據以上說明的方法製造僅寫一次光碟28,並在製 成的碟片之溝槽軌Gt上進行記錄與再生，藉以進行評估 試驗。關於評估裝置，使用可自Pulse Tech有限公司購得 的光碟評估裝置。 試驗條件如下：光學頭 29的接物鏡開口 NA爲 0.65 ;用於記錄與再生的雷射光波長爲405奈米；以及在 記錄與再生期間的線性速度爲6.61米/秒。獲得調變於8 至1 2範圍內的不規則資料形式之記錄訊號。也就是說， 如第1 7圖所示獲得由固定記錄能量及兩種偏壓能量1與2 記錄而成的波形形式之記錄訊號。 此外，軌距爲400奈米，且溝槽寬度Gw爲「1·1」而 平面寬度爲「1」。溝槽軌Gt的蛇行振幅爲14奈米，且 溝槽深度Gh爲90奈米。使用蛇行相位調變記錄蛇行的位 -27- 200537480 (24) 址資訊。 在此，評估特性包括下列三種特性各自的測量結果’ 即，再生訊號的載波雜訊比CNR、在部分回應期間的訊號 對雜訊比（PRSNR )及模擬位元錯誤率SbER。在可購自 DVD Format Logo Licensing有限公司的書籍，舉例來 說，對於高密度唯讀碟片的DVD規格，第1部分物理規 格，0.9版的附註Η，中有說明PRSNR的定義及測量技 術。在可購自DVD Format Logo Licensing有限公司的書 籍，舉例來說，供高密度唯讀碟片用的DVD規格，第1 部分物理規格，0.9版的附註Η，中有說明SbER的定義及 測量技術。較佳地SbER爲5.0 X 10_5或更小。PRSNR及 SbER皆在已記錄於相鄰軌中的資訊之狀態下測量。 第18圖顯示使用著色物質A至D及F至L的僅寫一 次光碟2 8各自的測量結果。由第1 2圖所示的測量結果判 斷，發現CNR、PRSNR及SbER的測量結果在使用著色物 質B及C之各自僅寫一次光碟28中都不夠。 相較之下，在使用著色物質A、D、F、G、H、I、J、 K及L之各自僅寫一次光碟2 8中都得到良好的測量結 果。儘管使用著色物質A的僅寫一次光碟2 8之測量結果 也很好，但是使用著色物質D的僅寫一次光碟2 8之測量 結果特別好。更進一步地，使用著色物質F、I、J、K及 L之各自僅寫一次光碟2 8的測量結果都屬優異。 接下來，對各個使用測量結果都良好的著色物質D、 F、G、H、I、J、K及L之僅寫一次光碟28進行評估反覆 -28-
200537480 (25) 再生造成的退步程度之試驗。也就是 生雷射能量下進行1 0,000次再生，並: 的退步程度。 第19圖顯示使用著色物質D、F L之各自僅寫一次光碟28的測量結j SbER各自的測量結果在使用著色物質 28中並不好。比起使用著色物質D的 測量結果，使用著色物質F、Η、I、J 一次光碟2 8的測量結果皆屬良好。 當中，具體而言，使用著色物質」 寫一次光碟2 8·的測量結果都好，而使 外型光碟2 8的測量結果最佳。 如以上說明的，發現著色物質部夕 物質或單次甲基花青著色物質且陰離3 錯合物的材料充當用於記錄膜24的窄 好。 此外，發現苯乙烯基著色物質與· 質的混合物很好。更進一步地，發現窄 其中的材料很優異。再者，發現提高陰 屬錯合物之混合比例將導致優異的再生
接下來，藉著使溝槽軌Gt的蛇行 奈米之範圍變化而製造碟片母版19; Μ 1 9而製造利用著色物質J的僅寫一次 軌Gt進行記錄與再生，藉以進行評估I ，在〇 . 8毫瓦的再 量 PRSNR 及 SbER 、G、Η、I、J、K 及 艮。發現PRSNR及 G的僅寫一次光碟 僅寫一次光碟2 8的 、K&L之各自僅寫 、K及L之各自僅 用著色物質L之額 、含有苯乙嫌基著色 •部分含有偶氮金屬 >機著色物質材料很 .次甲基花青著色物 鎳金屬錯合物加入 離子部分的偶氮金 光線持久性。 振幅在3奈米至28 ί由使用該碟片母版 光碟2 8 ;並爲溝槽 ΐ驗。 -29- 200537480 (26) 有四種評估特性，即，SbER、蛇行CNR、載波電平 變化（由相鄰軌的蛇行訊號造成的訊號擊發變化）及 NWS。第20圖參考編號（a)顯示SbER相對於蛇行振幅 - 的測量結果。第20圖參考編號（b )顯示蛇行CNR相對 - 於蛇行振幅的測量結果。第2 0圖參考編號（c )顯示載波 電平變化相對於蛇行振幅的測量結果。第2 1圖顯示NWS 相對於蛇行振幅的測量結果。 I 在此，較低爲SbER爲，最好是如此，且CNR需爲 26分貝或更大。吾人企圖NWS爲0.10或更大，更佳地， 介於〇·1〇至0.45的範圍內。因此，若以這些條件應用於 第20及2 1圖，可發現到，在蛇行振幅方面，介於5奈米 或更大的範圍時可獲得良好的特性。更佳地，介於5到2 5 奈米的範圍內。 由此蛇行振幅範圍，對照特佳的NWS範圍 0.1至 〇·25，而經發現該蛇行振幅在 5至18奈米的範圍內最 ，佳。 更進一步地，儘管第20及2 1圖顯示出在蛇行振幅已 經隨著使用著色物質J的僅寫一次光碟2 8而改變的情況 下之特性，但是當該蛇行振幅介於5奈米或更大時，所有 在蛇行振幅已經改變的情況下獲得之SbER、蛇行CNR、 載波電平變化及NWS的測量結果都會很好。 第22圖參考編號（a) 、（b)各自顯示與三種使用 以上說明的著色物質J和L，以及用單一偶氮金屬錯合物 充當有機金屬錯合物製得的著色物質P製造的僅寫一次光 -30- 200537480 (27) 碟有關之再生計數相對於再生能量的測量結果。在此例 中’再生計算假設S b E R爲1 · 〇 X 1 〇_4或更小。 關於化學式1中的著色物質P，使用Μ定義爲Cu， ‘ 到R3定義爲CH3，且R4和R5定義爲C1的著色物 - 質。 化學式
RIN
3 R
R1 11 4 RIN R 舉例來說， M : C u、Zn、N i C Η N〇2、
Ri、 R2、 R3、 R4、 R5: CH3、 CxHy SO2NHCH3 弟23圖參考編號（a) 、（b)各自顯示與各個使用 以上說明的著色物質J、L及P製造的僅寫一次光碟有關 之再生計數相對於再生能量的測量結果。在此例中，再生 計算假設SbER爲5.0 X 1〇·5或更小。 -31 - 200537480 (28) 由第2 2及2 3圖顯然可見，無論任何例子中’使用著 色物質L製造的僅寫一次光碟在再生能量〇 · 4毫瓦的附近 都具有良好的結果。 在此，在第2 4圖參考編號（a )所示的實施例中’將 溝槽上的記錄膜厚度設定爲79奈米，且平面上的設定爲 36奈米。在此，在第24圖參考編號（b)所示的實施例 中，將溝槽上的記錄膜厚度設定爲79奈米，且平面上的 設定爲56奈米。相對地，如第24圖參考編號（c)所示 在傳統CD_R或DVD-R中的記錄膜厚度變得非常小。 將溝槽上的記錄膜厚設定在50到1 20奈米的範圍 內，且平面上設定在20至70奈米的範圍內，藉以可顯著 地改良 RPSNR、SbER、蛇行串音或徑向偏差。具體而 言，其對於蛇行NBSNR的改良有效果，且在相鄰溝槽之 間的蛇行相位轉移資訊幾乎不會干擾。此外，藉著將溝槽 上的記錄膜厚度對平面上的記錄膜厚度之比例設定於1.3 至3可得到良好的結果。更進一步地，有效的是分別地將 溝槽寬度與溝槽深度設於在220到2 70奈米的範圍內及50 至80奈米的範圍內。 再者，如第25圖參考編號（a) 、（b)所示，藉由 使用該具體例中說明的著色物質，在僅寫一次光碟的記錄 膜上形成記錄標記而無任何不規則變化。習慣上，已經在 用於使例如衝孔系統等基材變形的不規則外形中形成記錄 系統。 本發明並不限於以上說明的具體例。在實施階段時， -32- 200537480 (29) 會發生構成元件的各種不同修飾而不會悖離本發明的精 神。此外，各式各樣的發明皆可藉由適當地結合以上具體 例中揭示的多種構成元件而形成。舉例來說，有些該具體 例中揭示的構成元件可省略。再者，根據不同具體例的構 成元件可彼此適當地結合。 【圖式簡單說明】 第1圖爲供解釋四個根據本發明之一具體例的記錄膜 中包括的有機著色物質材料之實施例用之圖式； 第2圖爲供解釋相對於與該具體例中的三個實施例各 自的有機著色物質材料有關的雷射光波長之光吸收度的變 化用之特徵圖式； 第3圖爲供解釋相對於與該具體例剩餘的一個實施例 的有機著色物質材料有關的雷射光波長之光吸收度的變化 用之特徵圖式； 第4圖爲供解釋經標準化以供該具體例的僅寫一次光 碟評估之用的蛇行振幅NWS實施例用之圖式； 第5圖爲供解釋由於該具體例的僅寫一次光碟的蛇行 造成的位址資料結構用之圖式； 第6圖爲供解釋該具體例的僅寫一次光碟之蛇行資料 單元WDU的類型用之圖式； 第7圖爲供解釋該具體例的僅寫一次光碟之類型用之 圖式； 第8圖爲供解釋該具體例的僅寫一次光碟之蛇行資料 -33- 200537480 (30) 位元部分的偏移用之圖式； 第9圖爲供解釋由於該具體例的僅寫一次光碟的蛇行 造成的位址資料之物理資料片段結構用之圖式； • 第1 〇圖爲供解釋用於製造供製造本具體例的僅寫一 ' 次光碟用的碟片母版（Stamper )之方法其中一部分用之圖 式； 第1 1圖爲供解釋用於製造供製造本具體例的僅寫一 ® 次光碟用的碟片母版之方法其餘部分用之圖式； 第1 2圖爲供解釋用於製造本具體例的僅寫一次光碟 之方法用的圖式； 第1 3圖爲供解釋根據用於製造本具體例的僅寫一次 光碟之方法的有機著色物質溶液的旋塗條件用的圖式； 第14圖爲供解釋該具體例的僅寫一次光碟之溝槽與 平面之間的關係用之圖式； 第15圖爲供解釋該具體例的僅寫一次光碟之溝槽軌 ® 道的蛇行（wobble)用之圖式； 第1 6圖爲供解釋相對於與該具體例中的記錄膜中包 括之其他七個實施例各自的有機著色物質材料有關的雷射 光波長之吸收度變化用之特徵圖式； • 第1 7圖爲顯示經記錄以進行供該具體例的僅寫一次 • 光碟的記錄與再生之評估用的評估試驗之訊號實施例的波 形圖； 第1 8圖爲供解釋該具體例的1 1個有機著色物質材料 實施例已經經過僅寫一次光碟評估試驗之後得到的測量結 -34- 200537480 (31) 果用之圖式； 第1 9圖爲供解釋該具體例的8個有機著色物質材料 實施例已經經過僅寫一次光碟再生持久性試驗之後得到的 測量結果用之圖式； 第20圖爲供解釋該具體例中的僅寫一次光碟的蛇行 振幅與SbER、蛇行CNR及載波層級變化之間的相互關係 用之特徵圖式； 第2 1圖爲供解釋在該具體例中的僅寫一次光碟的蛇 行振幅與NWS之間的相互關係用之圖式； 第22圖爲供解釋該具體例的三個有機著色物質材料 實施例已經經過再生試驗之後得到的測量結果用之圖式； 第23圖爲供解釋該具體例的三個有機著色物質材料 實施例已經經過另一個再生試驗之後得到的測量結果用之 圖式； 第24圖爲供解釋該具體例的僅寫一次光碟之溝槽與 平面中形成的記錄膜厚度用之顯微圖片； 第2 5圖爲供解釋該具體例的僅寫一次光碟之記錄膜 中形成的記錄標記用之顯微圖片。 【主要元件符號說明】
Gh :溝槽深度 Gt :溝槽軌 Gw :溝槽寬度 Lt :平面軌 -35- 200537480 (32)
Lw :平面寬度 1 :偶氮金屬錯合物 2 :偶氮金屬錯合物 • 1 1 :砂晶圓 \ 12 :電子束阻劑膜 1 3 :溝槽 1 5 :浸漬容器 • 1 6 :有機顯影液 1 7 :鎳薄膜 1 8 :鎳電鑄金屬層 1 9 :碟片母版 20 :透明性碟片基材 21 :溝槽 2 1 a :底面 22 :分配器 ® 23 :有機著色物質溶液 24 :記錄膜 2 5 :金屬膜 26 :紫外線可硬化的樹脂 • 27 :碟片基材 • 2 8 :僅寫一次光碟 2 9 :光學頭 30 :平面 -36-

Claims (1)

  1. 200537480 (1) 十、申請專利範圍 1 · 一種僅寫一次資訊記錄媒體，其包含： 具同心或螺旋形的溝槽（2 1 )及形成於其上的平面 ' (30 )之透明性樹脂基材（20 );以及 、 形成在該透明性樹脂基材（20 )的溝槽（2 1 )與平面 (30)上的記錄膜（24)， 藉由短波長雷射束的發射在該媒體上形成記錄標記， ® 其中將藉由該短波長雷射光的發射而形成之記錄標記部分 的光反射性設定成比該短波長雷射光的發射之前得到的光 反射性更高，且 該溝槽（2 1 )依預定的振幅範圍蛇行。 2 ·如申請專利範圍第1項之僅寫一次資訊記錄媒體， 其中該溝槽（2 1 )的蛇行振幅係設定於5奈米或更大。 3 ·如申請專利範圍第1項之僅寫一次資訊記錄媒體， 其中標準化蛇行振幅係設定爲0 · 1或更大。 ® 4 ·如申請專利範圍第1項之僅寫一次資訊記錄媒體， 其中蛇彳了 NBSNR係設定爲26dB或更大。 5 ·如申請專利範圍第1項之僅寫一次資訊記錄媒體， 其中該記錄膜（24 )，其有一部分或全部係由著色物質部 • 分與有機金屬錯合物構成的陰離子部分組成，包括最大吸 • 收波長帶存在於比該短波長雷射光的波長更長之波長的有 機著色物質。 6 ·如申請專利範圍第5項之僅寫一次資訊記錄媒體， 其中該有機著色物質含有由苯乙烯基著色物質或單次甲基 -37- 200537480 (2) 花青著色物質構成的著色物質部分，且含有主要由如鈷或 鎳之金屬組成之有機金屬錯合物構成的陰離子部分。 7.如申請專利範圍第5項之僅寫一次資訊記錄媒體， 其中該有機著色物質爲以下的混合型著色物質：由苯乙烯 基著色物質或單次甲基花青著色物質構成的著色物質部分 及主要由如鈷或鎳之金屬組成之有機金屬錯合物構成的陰 離子部分所組成之第一種著色物質；以及由金屬錯合物構 成的第二種著色物質。 8 ·如申請專利範圍第5項之僅寫一次資訊記錄媒體， 其中該有機著色物質含有由苯乙烯基著色物質或單次甲基 花青著色物質構成的著色物質部分，且含有主要由如鈷或 鎳之金屬組成之有機金屬錯合物構成的陰離子部分，該陰 離子部分的比例大於該著色物質部分的比例。 9 ·如申請專利範圍第5項之僅寫一次資訊記錄媒體， 其中該有機著色物質爲以下的混合型著色物質：由苯乙烯 基著色物質或單次甲基花青著色物質構成的著色物質部分 及主要由如鈷或鎳之金屬組成之有機金屬錯合物構成的陰 離子部分所組成之第一種著色物質；以及主要由如鈷或鎳 之金屬組成之有機金屬錯合物構成的第二種著色物質。 1 〇·如申請專利範圍第5項之僅寫一次資訊記錄媒 體，其中該有機著色物質爲以下的混合型著色物質：由苯 乙烯基著色物質或單次甲基花青著色物質構成的著色物質 部分及主要由如鈷或鎳之金屬組成之有機金屬錯合物構成 的陰離子部分所組成之第一種著色物質；以及主要由如鈷 -38- 200537480 (3) 或鎳之金屬組成之有機金屬錯合物構成的第二種著色物 質；以及由金屬錯合物構成的第三種著色物質。 1 1 .如申請專利範圍第5項之僅寫一次資訊記錄媒 • 體，其中該有機著色物質係由以下的步驟形成：將該陰離 • 子部分的偶氮金屬錯合物加入由單次甲基花青著色物質構 成的著色物質部分及偶氮金屬錯.合物構成的陰離子部分組 成的著色物質而得到1: 1.5之該著色物質部分與該陰離 • 子部分之間的比例，更進一步地，添加1 5%的鎳錯合物著 色物質。 1 2.如申請專利範圍第5項之僅寫一次資訊記錄媒 體，其中該有機著色物質係由以下的步驟形成··將該陰離 子部分的偶氮金屬錯合物加入由單次甲基花青著色物質構 成的著色物質部分及偶氮金屬錯合物構成的陰離子部分組 成的著色物質而得到1 : 2.0之該著色物質部分與該陰離 子部分之間的比例，更進一步地，添加1 5 %的鎳錯合物著 I 色物質。 1 3 ·如申請專利範圍第1項之僅寫一次資訊記錄媒 體，其中該記錄膜（24 )，其有一部分或全部係由有機金 屬錯合物構成的陰離子部分組成，包括最大吸收波長帶存 在於比該短波長雷射光的波長更長之波長的有機著色物 質。 1 4.如申請專利範圍第1項之僅寫一次資訊記錄媒 體，其中該溝槽（21 )上的記錄膜厚度係介於50至120 奈米的範圍，且該平面（3 0 )上的記錄膜厚度係介於2 0 -39- 200537480 (4) 至7 0奈米的範圍。
    -40-
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