TW200908178A - Electronic device manufacturing method and electronic device - Google Patents

Description

200908178 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係、關於-種電子裝置製造方法及電子裝置，且更 明確地說，係關於一種製造具有如下結構之電子裝置之方 法及該電子裝置，其巾，基板本體（substratebQdy)及一 經由絕緣層而形成於該基板本體上之導電圖案係藉由使 用一凸塊而相互連接。 【先前技術】 ( 舉例而言，已多樣地提供了電極及導電圖案形成於諸如 h體基板或玻璃基板之基板上的電子設備。作為類型中 之一者，已提供被稱作晶片尺寸封裝（chip size卿⑽） 之半導體裝置（例如，見專利文獻υ。 曰曰片尺寸封裝具有-結構，在此結構中，在藉由將晶圓 切割成—半導體基板而獲得的半導體晶片之表面上經由 絕緣層（保護層）而形成重佈線，裝置形成於該半導體基板 上。 土 、，此和為了製造專利文獻丨中所揭示之晶片尺寸封裝， 百先將複數個電極形成於半導體晶圓之半導體晶片區域 上，且將一凸塊（bump)形成於該等電極中之每一者上。藉 由使用接合裝置（bonding device)經由接線來形成凸塊曰。 隨後，用樹脂覆蓋具有形成於其上之凸塊之半導體晶圓 絕緣層，且此外，使凸塊之上表面自絕緣層暴二 =笔圖案（其亦稱作重佈線）形成以電連接至暴露於絕 緣層之上部分的每一凸塊，且此外，將阻焊劑形成於呈上。 97121651 6 200908178 電==::::rr開，焊球形成於導 或個別地進行分割處理(切割處理)。因此， 片尺寸封裝。 〜衣成晶 [專利文獻i]JPm313985 二封:：’凸塊與導電圖案之接合位置之周邊 之單-層結構。’絕緣層習知地具有由單-材料形成 '4=之，’通常選擇能夠增強凸塊及導電圖案 於絕緣>之_之4數樹脂材料。在將高模數樹脂材料用 下’可增加電連接之可靠性，因為凸塊： 鈇·’、设盍且變硬，且因此受硬樹脂保護。 會 ':過釦中之熱固化後’高模數樹脂材料通常 二裝上產生 具有比*握料& 般而g，低杈數树脂在熱固化後 或在分：後所小的收縮。因此’可抑制在晶圓上 炊 斤&侍的晶片尺寸封裝上翹曲之產生。 圖案 間:tl:模::脂作為絕緣層時’在凸塊與導電 落。社 α力。在最壞情況下，凸塊被自導電圖案剝 。【發二r電連接之可靠性被大大惡化之問題。 考慮該等方面，本發明之—目標為提供-種電子裝置製 97121651 200908178 造方法及可抑制翹曲之產生 電子裝置。 強電連接之可靠性的 二：：該等問題’根據本發明之第-態樣，提供-種 琶子衣is-方法，其包括： 第：：：塊形成於一設於一基板本體上之電極襯墊上的 將一第-絕緣層形成於該基板本體上及將—第二絕緣 層層壓並形成於該第-絕緣層上的第二步驟，該第二絕緣 層具有比_第—絕緣層之彈性模數高㈣性模數； 使k凸塊< #分暴露於該絕緣層之上表面的第三步 形成一連接至該凸塊之導電圖案的第四步驟。 另卜根據本發明之第二態樣，提供根據第一態樣之電 子裝置製造方法，其中， “第、、、邑緣層具有等於或咼於20 MPa且低於1，〇〇〇 MPa 之彈性模數，及 該第二絕緣層具有等於或高於1，000 MPa之彈性模數。 另外，根據本發明之第三態樣’提供根據第一或第二態 樣之電子裝置製造方法，其中， 該第一絕緣層及該第二絕緣層係由不導電樹脂形成。 一 f外，根據本發明之第四態樣，提供根據第一態樣至第 二態樣中之任一者的電子裝置製造方法，其中， 該第四步驟具有以下步驟： 將一導電層形成於該絕緣層之上表面及該凸塊之一暴 97121651 200908178 露部分上； 饋電層之電解電鍍來形成一 經由使用該導電層作為一 佈線層；及 =案化該佈線層以形成—連接至該凸塊之導電圖案。 m根據本發明之第五，提供根據第ϋ至第 一恶樣中之任一者的電子裝置製造方法，其中， 該基板本體為一半導體基板。 根據本發明之第六態樣，提供根據第一態樣至第 悲樣中之任一者的電子裝置製造方法，其中， 該凸塊係於該第一步驟中經由一接線而形成。 勺另外，根據本發明之第七態樣，提供一種電子裝置，其 一基板本體，其具有一形成於其上之電極襯墊； 一凸塊’其形成於該電極襯墊上； 層麗絕緣層，其由一形成於該基板本體上之第一絕緣 層及Γ具有比該第—絕緣層之彈性模數高的彈性模數且 、、’層£並形成於該第—絕緣層上之第二絕緣層構成；及 一導電圖案，其形成於該層壓絕緣層上且連接至該凸 塊。 。 另外，根據第八態樣，提供根據第七態樣之電子裝置， 其中， 該第一絕緣層具有等於或高於20 MPa且低於1，000 MPa 之彈性模數，及 該第二絕緣層具有等於或高於1，000 MPa之彈性模數。 97121651 200908178 另外，根據第九態樣，提供根據 裝置，其中， 或弟八態樣之電子 該基板本體為一半導體晶片。 根據本發明，具有比該第—絕緣屌 模數之該第：絕緣層存在於該0道減高的彈性 位晋月III m ,1. 口冰處丄 鬼與该導電圖案之連接 置周圍。因此’即使應力作用於該凸塊* 連接位置中，應力亦受具有高彈性模數之第 '電圖案之 收、較及保護。因此，可增強 —&緣層的吸 可靠性。 ㈢強凸塊與導電圖案之電連接 此外，具有比第二絕緣層之彈性模數低的彈性模數 一絕緣層存在於層壓絕緣層連接至基板本體的位置中。因 二ΓΗ 1層壓絕緣層之固化收縮率（咖e Shr 1 nk_) 叹疋成比在整個層壓絕緣層由具有高彈性模數之單一声 :士之情況下低。因此’可減少在電子裝置中產生之翹：。 L貫施方式】 〇 接下來，將參考圖式描述實施本發明之最佳模式。 一圖1A展示根據本發明之第一實施例的電子裝在該 實施例中’將藉由採用經設定成具有晶片尺寸之半導體裝 置100A(CSP)作為電子裝置的例子來給出描述。 根據該實施例之半導體裝置1〇〇A具有層壓絕緣層 1〇5(其將在下文予以描述）及導電圖案1〇6經層壓並形^ 於其上形成有電極襯墊丨03之半導體晶片1〇1之保護層 (鈍化層）1 02上的結構。此外，舉例而言，由Au構成之 凸塊104形成於電極襯墊1〇3上。凸塊1〇4係藉由例如使 97121651 10 200908178 用線接合裝置經由接線而形成。 "導電圖案106在一些情況下稱作重佈線且經設置以使 半導體晶片101之電極襯墊103之位置不同於充當外部連 接端子的烊料凸塊110之位置（以便在可選位置中進行扇 入及端子配置）。此外，層I絕緣層1G5由例如環氧樹脂 構成，且用以保護其上形成有電路之半導體晶片丨之一 表面（主表面）且在形成導電圖案1〇6時充當基材。 導電圖案106具有第一導電圖案107及第二導電圖案 108經層壓的結構，且此外，第一導電圖案1〇7具有鈦膜 114及銅膜115經層壓的結構（如圖16之放大圖中所示 第-導電圖案107(鈦膜114、銅臈115)係藉由減鑛製程 (PVD製程）而形成。圖1B為展示半導體裝置i〇〇a之由在 圖1中指示為A的虛線包圍之區域（凸塊} 〇4附近）。 如上所述，第一導電圖案107連接至凸塊1〇4，使得導 電圖案106經由凸塊1〇4連接至半導體晶片1〇1之電子電 ◎路。阻焊層（絕緣層）1〇9經形成以覆蓋層壓絕緣層及 在焊料凸塊110周圍的導電圖案1〇6之一部分。 另一方面，如圖1B中所示’凸塊1〇4由將被接合至電 極襯墊103之凸塊本體i〇4A及自凸塊本體1〇“突出之突 出部分104B構成。凸塊1〇4係例如經由線接合裝置由接 線形成，該接線由Au構成。 線接合裝置連續地將接線接合至電極襯墊1〇3且在接 合後切斷接線，藉此形成將被接合至電極襯墊1 〇3之凸塊 本體104A及自凸塊本體104A突出之突出部分丨〇4β。 97121651 11 200908178 應注意層壓絕緣層105。在該實施例中，層壓絕緣層^⑽ 具有低模數絕緣層120(第一絕緣層）及高模數絕9緣層 121 (第二絕緣層）經層壓的結構。低模數絕緣層120形成 於半導體晶片101側上，且高模數絕緣層121形 導+ 圖案106側上。 、守电 低模數絕緣層12〇及高模數絕緣層121兩者皆由樹脂材 料（不導電膜）構成，該樹脂材料幾乎不添加 .(諸如稱作NCF之填充物)。然而’選擇了具有等於=: 20 MPa且低於MPa之彈性模數的低模數絕緣層 ^具有等於或高於^剛啦之彈性模數的高模數絕緣層 I /1 〇 此外，低模數絕緣層uo及高模數絕緣層121之材 广卜若可實現該等特徵’亦可使用增層樹脂(包含 真充物之環氧樹脂）及稱作ACF之樹脂材料。 =有該結構之半導體裝置跡具有比低模數絕 曰2G向的彈性模數之高模數絕緣们21存在於凸塊 (=出部分胸）與導電圖案職第—導電圖案1〇7) 之連接位置周圍。 即使應力作用於凸塊1〇4與導電㈣1〇6之連接 其亦由於用具有高彈性模數之高模數絕緣層121 復孤該連接位置而被牢因从阳〜 導雷1§1垒— 口地固疋。因此，防止凸塊104自 ⑽之電連接可=°。因此，可增強凸塊104與導電圖案 另方面，具有比高模數絕緣I 121低的彈性模數之低 97121651 12 200908178 模數絕緣層12〇存在於層壓絕緣層m ::;(包括保縣的位置中。因此，可防 102之界面剝落。因此，可將整個層壓絕緣層阳曰 全部絕緣層均由高模數材料形成(如在習 數材下：。因…^與全部絕緣層均由高模 =科形成之情況下㈣，可減少在半導體裝£⑽ 產生之魅曲。

因此，根據該實施例之半導體裝置100A，可防止翱 產生於半導體裝置讓中，同時增強凸塊1G4與導= 案106之電連接可靠性 圖2展示根據本發明之第二實施例的半導體裝置 圖2中，對應於圖丨之結構具有相同的元 且將省略其描述。 饤观 根據第一實施例之半導體裝置1〇〇A具有層壓絕緣層 1〇5 ^有低模數絕緣層12〇及高模數絕緣層i2i層壓於其 L)勺口構另一方面，根據本實施例之半導體裝置1 〇 〇β 之=彳政則在於’提供分割絕緣層13 〇代替層壓絕緣層1 〇 5。 分割絕緣層130具有高模數絕緣層121 _之鄰近^置中且低模數絕緣層12Q形成於其他部= 之、。構间模數絕緣層121經形成為圓柱狀以包圍凸塊 104 ^此外，低模數絕緣層12〇及高模數絕緣層121並非 如在第一實施例中般經層壓，而是整體形成於半導體晶片 一至^電圖案106之垂直方向上。低模數絕緣層及 冋杈數絕緣層121中之每一者具有經設定成相同於第一 97121651 13 200908178 實施例的彈性模數。 類似地，在根據該實施例之結構的情況下，高模數絕緣 層121存在於凸塊1〇4與導電圖案1〇6之接合位置周圍 且半導體晶片101與分割絕緣層13〇主要係經由低模數絕 緣層120而相互接合。因此，即使應力作用於凸塊1〇4與 導電圖案106之連接位置中，其亦由於用具有高彈性模數 之高模數絕緣層121覆蓋該連接位置而被牢固地固定，且 此外，可經由低模數絕緣層12〇減少在半導體裝置i〇〇A "中產生之翹曲。因此，藉由半導體裝置100B，可防止翹 曲產生於半導體裝置100B中，同時增強凸塊1〇4與導電 圖案10 6之電連接可靠性。 接下來，將參照圖3A至圖3M描述根據第一實施例之半 導體裝置100A之製造方法。在圖3A至圖3M中，對應於 圖1及圖2之結構具有相同的元件符號，且將省略其描述。 為了製造半導體裝置〇A，首先，在圖3A中所示之步 〇驟中，藉由使用熟知方法製造一半導體基板1〇1A(將在下 文稱作基板1 〇 1A之晶圓），該半導體基板丨〇丨A具有複數 個區域101 a(例如，如栅格），電子電路形成於該複數個 區域101 a中。 區域l〇la對應於半導體晶片ι〇1。一電極襯墊ι〇3形 成於其上形成有電子電路之區域1〇la之裝置形成表面 i〇ib上。此外，將由SiN(Si3N4)形成之保護層（鈍化層）1〇2 °又於裝置形成表面1〇lb中除電極襯墊1〇3以外的部分 中。因此，裝置形成表面101b受到保護。 97121651 14 200908178 圖3B展示圖3A中說明的基板1〇1A之放大區域1〇1&。 在圖3B及隨後的圖式中，為便於說明及闊釋而放 101a。 在圖3C中所示之步驟中，藉由使用例如線接合裝置， 將凸塊104形成於電極㈣1〇3上。凸塊1〇4係經由由 Au形成之接線而形成。線接合裝置連續地將接線接合至 電極襯墊103且在接合後切斷接線，藉此形成將被接合至 電極襯墊103之凸塊本體1〇4A及自凸塊本體1〇4A突出之 突出部分104B。 接下來，在圖3D中所示之步驟中，形成層壓絕緣層 105。如上所述，層壓絕緣層1〇5具有低模數絕緣層12〇 及尚模數絕緣層121經層壓之結構。製造層壓絕緣層1 〇 5 之方法，可提議分開製備充當低模數絕緣層12〇之低模數 NCF及充當高模數絕緣層121之高模數NCF之方法，其首 先將低模數NCF設於基板ιοίa(保護層1〇2)上且將高模數 NCF裝設於低模數NCF上，藉此形成低模數絕緣層12〇及 高模數絕緣層121經層壓之層壓絕緣層1 〇 5。 此外，亦可使用以下方法：製備低模數NCF及高模數 NCF經預先層壓之層壓NCF且將層壓NCF設於基板 101A(保護層102)上’藉此批次形成層壓絕緣層1〇5。 對於此時所使用之低模數絕緣層120及高模數絕緣層 121，選擇具有等於或高於20 MPa且低於1，000 MPa之彈 性模數的材料作為低模數絕緣層120，且選擇具有等於或 高於1，000 MPa之彈性模數的材料作為高模數絕緣層121。 97121651 15 200908178 此外’低模數絕緣層12G及高模數絕 限於NCF，而亦可佶用矸眚银吁埜处 <柯抖不 填充物η… 特徵的增層樹脂(包含 真充物之％乳樹脂）及被稱作ACF之樹脂材料。 ιοΓΓ來曰’、Γ圖3E中所示’將銅箱112設於層壓絕緣層 105,使得凸塊〗。”之突出二b4R㈣層I絕緣層 a r之大出冲勿1 〇4β之一部分被自 二05之上表面(高模數絕緣層121之上表面)暴露。 下二絕緣層1〇_係比較柔軟之樹脂 材:因此，可以可靠地使突出部分卿自層— 此外’亦按以下方式選擇層I絕緣層 壓力接合處理中，可以可靠地使突出部分测自 理，由㈣112按二::之^ 尖端·…突出部分104β，且使其 大鈿。卩分之咼度均一（調平）。 亦可使用創建单侧塗右夺J炫4 M + 〃 U有銅泊之樹脂膜的方法，其中將

Cu洎設於一樹脂膜之單侧 β ) 90 U 5亥树知艇具有低模數絕緣 ^及1數絕緣層121經層壓之結構，且在圖3D中 之步驟中將早側塗有銅笔夕 ± 有钔治之該树脂膜設於半導體晶片1〇1 上，在該貫施例中未使用本方法。

移處理結束時’例如藉由使用例如㈣製程而 移除銅箔112。圖8卩s - # A 所、，十η 不移除了銅落112之狀態。如上 105Ρ 合處理中使突出部分购自層壓絕緣層 ^暴露且進行調平。因此，在移除了㈣ιΐ2之狀離下， 使犬出部分1〇4Β自層壓絕緣層1〇5暴露。 97121651 16 200908178

接下來，在圖3G中所示之步驟中，將第一導電層1〇7A 形成於層壓絕緣層105及凸塊本體ι〇4Α之上表面上。藉 由使用例如為一種沈積製程之濺鍍製程而形成第一導電 層 107A。 第一導電層107A具有鈦膜114及銅膜115經層壓之結 構。因此，首先藉由使用Ti作為目標來進行濺鍍以形成 鈦膜114，且隨後藉由使用Cu作為目標來進行濺鍍以形

C Ο 成銅膜115,以便將第一導電層1〇7A形成於層壓絕緣層 105上。可藉由使用同一濺鍍裝置而連續地形成鈦膜^ η 及銅膜115。 ' 例如將鈦膜114之厚度設定為例如〇1 Am，且將銅膜 Π5之厚度設定為1〇 (為了便於在圖抓及圖犯中說 明’將鈦膜114及銅冑115言夸大地繪製成比其他層厚）。 雖然在該實施例中第一導電層職具有鈦膜ιΐ4及銅膜 115經層壓之結構，但此外亦可使用鉻膜（例如，厚度為 〇·〇35 #m)代替鈦膜114。此外，亦可在不設置鈦膜Μ 及鉻膜之情況下僅由銅膜115構成第—導電層i〇7a。 接下來，在圖3H至圖3 J中所示之步驟中，經由使用 ^層職作為饋電層（晶種層）之電解電鑛來形成將被連 =凸塊104之導電圖案106。形成導電圖案m之方法 2戶^胃的料法製程及半加成法製程。在該實施例中， 將，、·α出使用減去法製程之例子的描述。 導ίΐ;二圖3Η中所示之剛，舉例而言，經由使用 電曰_鈦膜114及銅膜115)作為饋電層之電解電鑛 97121651 17 200908178 來，i成之導電層1G8A層堡於導電層1G7A上。接下 ί二？Γ所示之步驟中，將具有開口部分-之遮罩 = 導電層聽上。可藉由經由塗覆或黏貼一 來形成扩®抗蝕層且使用光微影製程來圖案化該抗蝕層 术形成遮罩圖案R1。 '遮：者=圖3”所示之步驟中，使用遮罩圖案Ri作為 • 進行圖㈣刻。因此，將第 P凸塊之㈣導電層108予以層壓’且形成連接至 尾i04之導電圖案106。 至之言;^第一導電圖案1〇7形成為具有大約1 “ 至31又謂弟二導電圖案108形成為具有大約 明不於1 “之厚度，該等數值僅為說明性的，本發 明不限於該等數值。 个i 電==106’藉由將導電層_設定為饋 電解電法最為容易。舉例而言，在經由非 ϋ用於使饋電層(晶種層)之情況下，有必要進行 此1成ΐίί Γ糙化之處理(所謂的去汙處理)。因 形成電鍍層之處理係複雜的。 u 另一方面，在根據該實施例之方法 二:二’可易於藉由簡單方法形成饋電層t導電； ，)。因此，根據該方法’半導體裝置 ::層 簡化，使得製造成本降低。 衣 法侍以 其後’在圖3K中所示之步驟中， i〇6(Cu)之表面上進行粗链化處理，且接著將具有開= 97121651 18 200908178 刀109A之阻于層（絕緣層）1〇9形成於層壓絕緣層服上。 使導電圖案106之一部分自開口部分舰暴露。 隨後，在如圖3L中所示之步驟中，在基板1〇u上進行 背㈣磨以使基板101A具有特定厚度。在此情況下，在 4二％例中，將具有低彈性模數之低模數絕緣層⑽設於 層壓絕緣们05之靠近基板101A的位置中。因此’即使 mA I薄使仵機械強度降低’亦可經由低模數絕緣 層120來防止趣曲產生於基板1〇u上。因此，即使半導 體裝置100A變薄’亦可有效防止產生翹曲。 隨後，在圖3M中戶斤干3»·丰s取 斤之^騄中，必要時將焊料凸塊110 開口部分1〇9A暴露之導電圖案106上。此外， =1心進行切割以將半導體晶片分割成片。因此， 可1成圖1A中所示之半導體裝置1〇〇a。 但亦可方法中错由減去法製程形成導電圖案106 ’ 、兄下' :二：用半加成法製程形成導電圖案106。在此情 1 較佳地在該製造方法中執行SI3A至圖3G中所 Γ中:之:著進行將在下文描述之步驟代替圖二 d J甲所不之步驟。 罩==开二，如圖4令所示，將具有開口部分社之遮 ^㈣形成於導電層㈣上。可藉由經由塗覆或黏貼 '而Μ-抗㈣且使用光微影製 層來形成遮罩圓案R2。 +回茶化該抗蝕 執行使料電層簡作騎 電解電鑛以將第二導電圖案形成於自開口部分此暴露： 97121651 19 200908178

導電層107A上。接著’剝落遮罩圖案，且此外，藉由 额刻而移除由於剝落遮罩圖案R 麗°因此’可形成圖W之導電圖案⑽。 、、接:來將、，.σ出根據第二實施例的半導體裝置之製造方 =古圖5Α至圖5F展示根據第二實施例的半導體裝 置之褽造方法。在圖5A 5 @ 山 至圖5F中，對應於圖3A及圖⑽ 之:構具有相同的元件符號，且將省略其描述。圖5A展 2 =上述圖3令所不之狀態、，及凸塊104形成於設於 基板101A上之電極襯墊1〇3上之狀態。 在圖5β中所示之步驟中，形成層塵絕緣層105。同樣 實施例中’層壓絕緣層1〇5具有低模數絕緣層m及 咼模數絕緣層121經層壓之結構。 制按與根據第一實施例之製造方法相同的方式，在 二=曰，絕緣層105之方法中，亦可首先將低模㈣CF設 :土反〇1A上且將高模數NCF裝設於低模數NCF上，或 者製備低模數NCF及高模數腳經預先層壓之層壓㈣且 =壓NCF設於基板1〇Uji，藉此批次形成層壓絕緣層 1〇 ;由於此時所使用的低模數絕緣们2Q及高模數絕緣 二之材料與在第一實施例中低模數絕緣層120及高模 絕緣層121之材料相同，所以將省略其描述。 =來’如圖5C中所示，將鋪112設於層壓絕緣層 中，心ΐ進行壓力接合處理。在此情況下，在該實施例 :銅泊112之厚度設定成等於或稍大 106的銅臈之厚度。 電圖案 97121651 200908178 藉由圖5C中所示之壓力接合處理，亦按壓層壓絕緣層 105且使凸塊1〇4中之突出部分麗之一部分自層壓^ 緣層105之上表面（高模數絕緣層121之上表面）暴露。此 外，銅箔112存在於層壓絕緣層1〇5上。因此，凸塊 之突出部分104B得以壓力接合至銅箔112且電連接至銅 箱112。此外’銅猪112得以壓力接合至為樹脂的高模數 絕緣層121之上表面。因此’銅镇112藉由高模數絕緣層 、121之接合力而接合至層壓絕緣層1〇5(高模數絕緣層1^) 之上表面 〇 當如上所述銅箔112與凸塊104相互電連接且銅箔 與層壓絕緣層105相互接合（黏著）時，在銅箔112之表面 清洗處理。例如，藉由使用驗清洗及酸清洗 清洗處理。 '當清洗處理結束時，藉由使用減去法製程處理銅箱112 以形成導電圖案106。為了形成導電圖案106,首先，如 二T二具有開口部之遮罩圖案形成於 且使用"T精由經由塗覆或黏貼一膜而形成-抗蝕層 使用先被影製程圖案化該抗韻層來形成遮罩圖案R1。 m中所示之步驟中’使㈣112進行使用遮罩圖 圖請得以形成 传連接至凸塊丨°4之導電 於^ 較佳實施例描述了本發明，但本發明不限 …亥等具體貫施例，而 要點的情況下進行各種修改及改變/㈣圍中描述之 97121651 21 200908178 ，、—σ之亦有可能將玻璃基板或多層佈線板用於基 板101Α以代替半導體基板。因此，可使用該等基板進 至各種電子裝置之塗覆。 【圖式簡單說明】 圖1Α為展不根據本發明之第一實施例的半導體 剖面圖。 圖1Β為展不放大的圖1Α中之凸塊附近之剖面圖。

圖2為展示根據本發明之第一實施例的半導體 剖面圖。 圖3Α為用於闡釋根據本發明之第一實施例的半導體裝 置之製造方法之剖面圖（No. 1)。 之第一實施例的半導體裝 之第一實施例的半導體裝 之第一實施例的半導體裝 圖3B為用於闡釋根據本發明 置之製造方法之剖面圖（No. 2)。 圖3C為用於闡釋根據本發明 置之製造方法之剖面圖（No. 3)。 圖3D為用於闡釋根據本發明 置之製造方法之剖面圖（No. 4)。 圖3E為用於闡釋根據本發明之第一實施例的半導體裝 置之製造方法之剖面圖（No. 5)。 圖=為用於闡釋根據本發明之第一實施例的半導體裝 置之製造方法之剖面圖（No. 6)。 罢為用於闡釋根據本發明之第一實施例的半導體裝 置之衣造方法之剖面圖（No. 7)。 θ為用於闡釋根據本發明之第一實施例的半導體裝 97121651 22 200908178 置之製造方法之剖面圖（N〇. 8)。 » ^ ^ 乃之苐一實施例的+導體裝 置之方法之剖面圖（N〇. 9)。 圖3J為用於闡釋根據本發 —η丨*、曾咖 制、止士、+ +私月之弟一實施例的+導體裝 置之製k方法之剖面圖（N〇. 1〇)。 圖3K為用於闡釋根據本發 —Η , ΛΛ丄…音 祖 Μ ^ 4 乂月之第一實施例的半導體裝 置之製把方法之剖面圖（No· u)。 圖3L為用於闡釋根據本發 η ^ ,,, ^ ^ ,, 知乃之第一實施例的+導體裝 【置之製这方法之剖面圖（Νο. 12)。 圖3Μ為用於闡釋根據本發 —^丨αα * .曾μ 分月之4 一實施例的半導體裝 置之製过方法之剖面圖（Νο. 13) 〇 圖4為用於闡釋根據本發 ^ ,,. —知乃之弟—實施例的半導體裝 置之製这方法之變體的剖面圖。 圖5Α為用於闈釋根據本發 „^^ 佩不I明之第二實施例的半導體裝 置之製邊方法之剖面圖（N〇.丨）。 圖53為用於闡釋根據本笋明 〇 „^ ^ ^ 佩不知明之第二實施例的半導體裝 置之製邊方法之剖面圖（No. 2)。 圖5C為用於闡釋根據本菸明 — I月之弟二實施例的半導體裴 置之製邊方法之剖面圖（No. 3)。 圖5D為用於闡釋根據本發明> — ,^ ，冰古土 + 月之弟二實施例的半導體裝 置之製遠方法之剖面圖（N〇. 4)。 圖5E為用於闡釋根據本發明 也古土 月之弟二實施例的半導體裝 置之製造方法之剖面圖（No. 5)。 圖5F為用於闡釋根據本發明 赞月之第二實施例的半導體裝 97121651 23 200908178 置之製造方法之剖面圖（No. 6)。 【主要元件符號說明】 100A 半導體裝置 100B 半導體裝置 101 半導體晶片 101a 區域 101b 裝置形成表面 101A 基板 102 保護層（鈍化層） 103 電極襯墊 104 凸塊 104A 凸塊本體 104B 突出部分 105 層壓絕緣層 106 導電圖案 107 第一導電圖案 107A 第一導電層/饋電層 108 第二導電圖案 108A 導電層 109 阻焊層（絕緣層） 109A 開口部分 110 焊料凸塊 112 銅羯 114 鈦膜 97121651 24 200908178 115 120 121 130 R1 R2

Ra

Rb 銅膜 低模數絕緣層 高模數絕緣層 分割絕緣層 遮罩圖案 遮罩圖案 開口部分 開口部分 97121651 25

Claims (1)

1. 200908178 十、申請專利範圍： 1· 一種電子裝置製造方法，其包含： 將：凸塊形成於一設於一基板本體上之 第一步驟； J 將一第一絕緣層形成於該基板本體上，及將一呈有比該 性模數高的彈性模數之第二絕緣層層壓: 並形成於遠第一絕緣層上的第二步驟； 使：凸塊之一部分暴露於該絕緣層之上表面的第三步 形成—連接至該凸塊之導電圖案的第四步驟。 2.):申請專利範圍第！項之電子裝置製造方法，盆中， :::緣Γ有等於或高於2°MPa且低於一9 絕緣層具有等於或高於！，_ MPa之彈性模數。 兮：申請專利範圍第i項之電子裝置製造方法，1中， 該第—絕緣層及該第二絕緣層係由不導電樹脂形成。 兮=申4專利範圍第！項之電子裝置製造方法，， 該第四步驟具有以下步驟： ，、 暴 :-導電層形成於該絕緣層之上表面及該 露部分上； 佈:層由使:該導電層作為一饋電層之電解電錢來形成一 ==;=一連接至該凸塊之導電圖案。 甲明專仏㈣i項之電子褒置製造方法，其中， 97121651 26 200908178 该基板本體為一半導體基板。 6.如申請專利範圍第1項之電子裝_置製造方法，其中， 該凸塊係於該第一步驟中經由一接線而形成。 7·—種電子裝置，其包含： 一基板本體’其具有一形成於其上之電極襯塾； 一凸塊’其形成於該電極襯墊上； 一層壓絕緣層，其由一形成於該基板本體上之第一絕緣 層及一具有比該第一絕緣層之彈性模數高的彈性模數且 經層壓並形成於該第一絕緣層上之第二絕緣層構成；及 V电圖案’其形成於該層麗絕緣層上且連接至該凸 塊。 8·如申請專利範圍第7項之電子裝置，其中， 該第一絕緣層具有等於或高於20MPa且低於1,〇〇〇Μρ& 之彈性模數，及 ’ 該第二絕緣層具有等於或高於1, 000 MPa之彈性模數。 9·如申請專利範圍第7項之電子裝置，其中， 該基板本體為—半導體晶片。 97121651 27