TW200908413A - Method for manufacturing an OLED device and such an OLED device - Google Patents

Description

200908413 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 #本發明係關於-種用於製造一 0LED(有機發光二極體） 裝置，尤其是一大面積0LED裝置之方法，其包括至少— 層具有一表面區域之透明導體層及提供於該導體層之表面 區域上的一栅格單元。 【先前技術】 f 、有機毛光―極體裝置通常為已知，且由於在液晶顯示器 或發光二極體上的優，點，獲得越來越多的青#。一有機發 光二極體係一種特殊的發光二極體，其中發射層包括某些 2機化合物之薄臈。該發射場致發光層可包含—高分子物 負，舉例而言’其容許藉由使用-帛單的"印席「方法在一 平滑載體上成行或列地沉積十分適合的有機化合物，以創 造一可發射不同顏色的光的像素矩陣。 其自身可由分層組成之該發射層係夹在兩層電極層之 間，其中之-為透明以容許光穿過。該透明電極層，其也 被稱為導體層’通常係由透明且傳導的氧化銦錫製成。然 :4材料之傳導性與金屬（舉例而言）之傳導性係無法比 擬的。該拙劣的傳導性在具有小表面面積之〇咖裝置中 不起作用。然而，當增加該0LED裝置之表面面積時，該 拙劣的傳導性變為一主要n韻 1 人 要問74其係糟由在該導體層上提 係：==分Γ解決。該等低歐姆金屬線通常 件，太旅直線的形式配置，界定-均句栅格之栅格元 。在本么明之上下文中栅格元件意指任何提供在該導體 I304l0.doc 200908413 層上用於分流之目的的低歐姆元件。 雖然OLED裝置使用此等柵格可獲得—更大的均勻區域 且因此獲得更均勻的光射線，但目前使用的解決方案受限 於OLED裝置之表面面積的進一步增加。 【發明内容】 因此’本發明之-個目標係提供—種用於製造一〇咖 裝置，尤其是大面積的OLED裝置之方法，其容許設計均 勻的OLED裝置。 ° 。- 該目標係藉由如上描述之方法得以解決，其包括+ 驟： / •模式化無該柵格單元之該〇LED裝置之電流分配，及 -設計該柵格單元使得其栅格元件係不均勻地配置於該 導體層上以最小化該發射層中電流分配之不均一性。〆 換言之’本發明之思想係使用—柵格單元設計， 裝置’尤其係該發射層之電流分配，使得該發射 、導體層及该柵格單元之結合實現在該發射層中 或少地均勾的電流分配。因此，該柵格單元至少部分地補 償無柵格單元之不均勻的電流分配。 本發明的解決方案實現一 〇LED裝置， 面積用於該等發射的及透明的導二的表面 線之苦。 尤又不均勻的光射 與使用水平及垂直線之均句的橋格之 相反，如果該設計係依該〇LED裝 七決方案 其係該發射層中的電流分配之不均—生、= 各早元）中，尤 &要求，則根據本發 130410.doc 200908413 明之方法製造的該等栅格可為不均勻。

在一較佳實施例中，該M 栅格元件，舉例而言，以線二：係提供為金屬性重複的

元件、矩形元件等形式。該等:格元m件、：邊形 件且彼此電耦合。 兀牛且提供為低歐姆7L 配格單元係提供為複數個彼此之間間隔平行 其間隔—電流分配。此外 该專柵格線也可具有不同的寬度及/或厚度。 換言之’該OLED裝詈，* s ^疋該發射層中的該電流分 :’可措由選擇相鄰的線及/或每條線之結構之間的距 離，即其寬度及/或厚度而調整。 一最外面的柵格線被置於 a亥距離被選擇為精確地控 0 該模式化步驟包括計算該 在一進一步較佳的實施例中， 與該導體層之邊緣相距一距離， 制進入該導體層之電流的内耗合 在一進一步較佳的實施例中， 電流分配。 藉由計算該OLED裝置（無栅格單元），尤其是該發射層 十的該電流分配，與該模式化步驟比較，該栅格單元可被 更精確地設計。 本發明之目標也可藉由一大面積〇LED裝置得以解決， 其包栝至少-發射層；一透明導體I，其具有—表面區 域；及-柵格單70 ’其具有提供於該導體層之表面區域上 的柵格几件，該發射層具有一預定的電流分配，其中該柵 格單元之該等栅格元件係不均勻地配置於該導體層上以最 130410.doc 200908413 小化該發射層中電流分配之不均一性。 本fx明之OLED裝置具有的優點係可實現關於該透 體層之更大的均勻區域。大面積〇咖裝置之不均—性 由本發明之栅格單元及其不均勾地配置之拇格元件最小化 使得在該透明導體層之整個表面區域上的光射線為均勾。 由於具有其發射層及導體層之大面積⑽D裝置通常具 MM Μ流分配（無栅格單元）之事實’與使用均句配 垂：或水平線之先前技術解決方案的柵格比較，該栅 格早7L也可為不均勻。 該栅格單元宜包括複數個栅格元件，其彼此電耗合且分 佈遍及於該表面區域。該等栅格元件通常係用於分流目的 之低歐姆元件，舉例而言，金屬線、三角形、矩形、六邊 形或其他任何二維結構。理所當然，該柵格單元可包括不 同結構的柵格元件，如線形及矩形之組合。 此外’該栅格單元之該等柵格元件可具有無秩序的結構 且舉例而言’不-定係連續的。此外，該等柵格元件之結 構關於寬度及/或厚度可為不同，且因此而不均勻。 進/的特點及優點可侍於以下的描述及該等所附圖 式。 應瞭解以上提及之轉IJt 3¾ -ρ· 徒及之特點及w特解#的那 發明之範圍下，不僅可用於指 …、延不 、扣出之各自的組合中，也 於其他組合或獨立使用。 、本Η::個實施例在圖式中顯示且將參考該等圖式在 以下描述中4于以更詳細的解釋。 130410.doc 200908413 【實施方式】 在圖1中’一有機發光二極體裝置（oled)係示意性地顯 示且用參考數字10表示。應注意所闡明之該0LED裝置10 之結構僅用於描述本發明。因此，所闡明之結構不是一 0LED之詳細陳述且因此不包括實現一 〇Led裝置之所有必 要的元件。

一 OLED裝置1〇通常包括—基板12，其承載一陰極層 14’發射層16，其自身可由若干分層（stapled layer)組 成；及一導體層18。該導體層18係由一種導電的透明材料 製成，使得該發射層中產生的光可穿過該導體層。該陰極 層14及該透明導體層18用作電極，其分別與一驅動單元或 一電源之負極及正極端子3 6、3 4麵合。 該透明導體層18包括-透明的導f氧化物，例如氧化鋼 錫（ITO)，該層之導電性通常係足夠的用以生產必要的光 發射以照明小的0LED但該導電性不足以生產必要的電流 以照明一大面積OLED。 該該導體層18上提供有 囚此 一” 彳扣干7L ζυ。碌樹格單 元2〇包括複數個栅格元件22’其為低歐姆分流元件且分佈 於該導體層18之表面區域46上。如圖2中所示，該柵格單 U包括金屬線24形式的栅格元件22。該等具有良好的導 :性之金屬線24係用以分流該透明導體，該透明導體自身 具有拙劣的導電性。 該等柵格元件係根據一以下將描 該邕 頂疋的圖案分佈於 導體層18之表面區域仏上。 130410.doc -10- 200908413 在圖2所不之實施例中，該等金屬線24被彼此平行地放 置於該導體層18上，其中相鄰的線24之間的距離d從圖2之 左側至右側漸減。換言之，該等左側最外面的線24之間的 距離，其用d 1指出，係大於該等右側最外面的線24之間的 距離d2。 圖2也顯示所有線24係與該柵格單元之邊緣部分2ι電耦 合〇 此外，顯示的係在右邊側之該導體層18之邊緣及來自右 側之第-金屬線24之間有—縫隙42。該透明導體層及該線 24之間的該縫隙容許精確地調節進入該導體層18之電流的 内岸馬合。 如已在前面提及者，該等柵格元件22之形式及圖案係基 於無柵格單元之該0LED裝i，尤纟是其發射層“之電： 分配特徵而設計的。 亦即，具有該導體層18之該發射層16具有一通常係不均 勻的特定的電流分配（其不與該柵格單元2〇耦合）用於大表 面區域。 為了決定該等栅格元件22之圖案，無柵格單元之該 〇咖裝置，尤其是該發射層16之電流分配係被理論地： 式化或實際上地計算。爾後具有栅格元件之該柵格單元經 設計使得該電流分配之不均一性由該等栅格元件最小化、。 爾後當該導體層18及該柵格單元2〇被組合時，該發射層 16中的電流分配係均勻且均衡的’其結果係該發:層^ 產生的光也係整個表面區域均勻的。 130410.doc -11 - 200908413 因此s亥專拇格元件祐用於曰丨π +斗丄 U Ί干锻用於取小化在該大面積發射層中的 電流分配之不均一性，杳ΙΗ χ^ ^ , 一 性以實現一均勻的光生產。應注意圖 2中所示之4等柵格元件僅是說明性的實例而非限制本發 明之範圍。該等栅格元件也可提供為三角形元件、矩形： 件、六邊形S件或其任何組合。此外，該等柵格元件可具 有不同的寬度及/或厚度。

此外’ 5纟等栅格元件可為連續的或非連續的。該等栅格 凡件可具有只追求最小化該發射層16中& f流分配之不均 一性的目標之任何無秩序的結構。 如上界疋之具有一柵格單元之OLED裝置可通常被用於 知、明、傢俱、用於公共空間之照明、城市美化、環境照明 等。根據本發明之該OLED裝置對於大面積的OLEO裝置特 別有利。 【圖式簡單說明】 在圖式中： 圖1顯示根據本發明之一 OLED裝置之示意性的側視 圖；及 圖2顯示根據本發明之一 OLED裝置之示意性的平面圖。 【主要元件符號說明】 OLED裝置 基板 陰極層 發射層 導體層 10 12 14 16 18 130410.doc -12- 200908413 20 柵格單元 21 邊緣部分 22 拇格元件 24 金屬線 34 正極端子 36 負極端子 42 縫隙 46 表面區域 dl 距離 d2 距離 130410.doc - 13 -

Claims (1)

1. 200908413 十、申請專利範園： 1. 尤其是製造一大面 ;一透明導體層， 其具有提供於該導 該方法包括之步驟 一種用於製造一0LED裝置之方法， 積0㈣裝置’其包括至少-發射層 其具有一表面區域；及一柵格單元， 體層之表面區域上的若干柵格元件， -模式化無該柵格單元之該〇LED裝置之電流分配，及 没相柵格單元使得其各柵格元件不均勻地配置於該 導體層上’以最小化該發射層中電流分配之不均一性。 月长項1之方法’其中該柵格單元係提供 性重複的柵格元件。 屬 3. 4. 如請求項2之方法，其中該 線形元件、若干三角形元件 如請求項2或3之方法，其中 姆元件提供且彼此電耦合。 等柵格元件係選自包括若干 、若干六邊形元件之群組。 該等柵格元件係以若干低歐 5. 6. 如請求項1之方法，其中該柵格 _ 份早兀係从複數個彼此之 間平行配置之栅格線提供，決 办士 决疋其間之距離以最小化該 電流分配之不均一性。 如請求項5之方法，其中_昜休 被卜面的柵格線被置於與該 V體層之邊緣相距一距離， ^•雕被迷擇為精確地控制 進入該導體層之電流的内耦合。 8. 如請求項1至6項中任一 括計算該電流分配。 一種大面積OLED裝置， 項之方法，其中該模式化步驟包 其包括至少一發射層（16); 一透 130410.doc 200908413 明導體層(18) ’其具有一表面區域(46);及一柵格單元 (2〇)，其具有提供於該導體層（18)之表面區域（46)上的若 干栅格元件（24);該發射層具有—預先決定的電流分 配，其中該柵格單元（20)之該等栅格元件（24)係不均勻 地配置於該導體層上以最小化該發射層中電流分配之不 均一性。 9.如請求項7之OLED裝置，其中該栅格單元（20)包括複數 個栅格元件（22)，其彼此電耦合且分佈遍及於該表面區 域。 I 〇.如請求項9之OLED裝置，其中該等栅格元件（22)係若干 金屬線（24)、若干三角形、若干矩形、若干六邊形或其 他任何二維結構。 II ·如請求項1 〇之OLED裝置，其中該等栅格元件係具有不 同的寬度及/或厚度的若千線（24)。 130410.doc