TW200909452A - Interpolymers suitable for multilayer films - Google Patents

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200909452 九、發明說明： C發明所屬之技術領域3 發明領域 本申請案係2006年12月7日所提申之美國申請案第 5 11/608，171號之部分連續申請案，其依照35 U.S.C 119(e)請 求2005年12月9日提申之美國臨時申請案第60/749,308號之 4 優先權，其兩者之全部内容在此併入本案以為參考。 本發明有關具有分子量分佈可控的乙烯α-烯烴互聚物 f 組成物，以及製造與使用該組成物之方法。更特別地，本 10 發明有關在多層薄膜中使用該乙烯/α-烯烴互聚物。 C先前技術:J 發明背景 最好能夠在一個具有成本效益的方法下，生產具有分 子量分佈可控的乙烯(X-烯烴互聚物組成物。特別地，在某 15 些應用中，常需要具有多峰型（二或多型，其中二型之例子 可交換地稱作雙峰型或多峰型）分子量分佈之乙烯/α-烯烴 I 互聚物組成物，例如，天然氣、污水管、採礦等等之管子。 - 此外，某些應用可能需要一種組成物，其中乙烯/α-烯烴互 聚物組成物中低分子量部分之密度，高於該乙烯/α-烯烴互 20 聚物組成物中高分子量部分之密度。很不幸地，迄今為止 可利用的方法無法有效地控制分佈，或產生具有所欲密度 與分子量組合之組成物。因此，需要有一種方法，其可以 控制分子量分佈或產生具有所欲密度與分子量組合之組成 物_。亦需要有一種具有改良特性，如熱封性與殘餘焓之互 5 200909452

聚物，以及具有此等特性之改良的薄層與薄膜。 【發明内容J 發明概要 本發明已發現一種能有效的控制分子量分佈之新的方 5法。有利地，本發明之方法可被設计成可產生一種組成物， 其中乙烯/α-烯烴互聚物組成物中低分子量部分之密度，高 於該乙烯/α-烯烴互聚物組成物中高分子量部分之密度。 且，該乙烯/α-烯烴互聚物組成物可於單一聚合反應器中和 /或使用單一催化劑產生。利用前述之方法常可產生新穎的 10 組成物。該新穎的組成物包含乙烯/α-烯烴互聚物組成物， 其具有多峰型分子量分佈以及一或多種具有克分子量等於 約（(預催化劑之芳基或烴基配位子之分子量)+28+14*Χ)，其 中X代表〇至1〇，較佳地〇至8之整數，之分子。 已發現一種新的多層薄膜，其包含： 15 (Α) —基底層，其包含第一聚合物； (Β) —連接層，其包含第二聚合物；以及 (C) 一密封層，其包含乙稀/α_烯烴互聚物， 其中該連接層介於該基底層與該密封層之間，以及其 中該密封層之乙烯/α.稀烴互聚物具有-收曲線，其特徵 為，從熔融峰溫度至熔融結束間DSC曲線下方之面積：、 從-20 C至炫融結束間DSC炫融曲線下方綠二# 〜面積之至少約 17% ’大部分情況下為至少約5〇%。該互 1物可具有B值大 於0.98。亦發現一種新穎的薄層，其包含— 或多種新穎的 乙烯/α-烯烴互聚物，其具有一DSC曲線，姓伽 将徵為從熔融峰 20 200909452 溫度至熔融結束間Dsc曲線下方之面積，為從_2(rc至熔融 結束間D S C熔融曲線下方之總面積之至少約丨7 %，較佳地為 至少18%。已發現一種新穎的乙烯/α_烯烴互聚物，其包含 下列特徵.密度d，單位g/cc以及…烯烴重量百分比，重量 5 %’其中該(1與重量％之數值相應於下列之關係 :d < -0.0018 重量％ + 0.9297和/或d $ _0 0019重量％ + 0.933。 圖式簡單說明 第1-14圖係一系列解釋共聚合反應中多位點特性之幻 燈片。 10 第15_19圖係分別從範例4、6、12、14以及15製得之聚 合物的示差掃描熱量(DSC)曲線。 第20圖描述乙烯_辛烯共聚物之分子量分佈。 第21圖描述辛烯莫耳分率對高分子量聚合物之分率的 影響。 15 第 22、23、24 與 25 圖顯示使用 TA Instruments model Q1000 DSC ’分別針對範例16、17、2〇以及21之互聚物所 測得之DSC曲線以及溶融峰溫度。 第26圖顯示使用 ta lnstruments model Q1000 DSC，針 對比較聚合物A之聚合物所測得之DSc曲線以及熔融峰溫 20 度。 第 27 圖顯示使用 ta Instruments model 2920 DSC，針對 比較聚合物A之聚合物所測得之DSc曲線以及熔融峰溫度。 第28圖顯示使用 TA Instruments model Q1000 DSC，針 對範例22之互聚物所測得之DSC曲線。 7 200909452 第29圖係顯示使用二乙基鋅(DEZ)製得之發明聚合物 以及不使用DEZ製得之發明聚合物中，乙稀稀煙互聚物 之密度為1-辛烯之重量百分比的函數之圖表。 第3〇圖係顯示本發明多層薄膜ΒΒ和CC與比較多層薄 膜DD和ΕΕ之平均熱黏力（Ν)，即平均熱黏強度，之圖。 第31圖係顯示本發明多層薄膜ΜΜ和ΝΝ與比較多層薄 膜00和ΡΡ之平均熱黏力（Ν)，即平均熱黏強度，之圖。 第32圖係顯示包含範例22之互聚物之取向薄膜與包含 比較聚合物G之取向薄膜之平均波蜂負載與平均總能量之 1〇 比較圖。 C實施方式;j 較佳實施例之詳細說明 一般定義 假如在此使用之時’下列術語應具有為本發明之目的 15 所給之意思： ”聚合物”指的是一種由相同或者是相異類型之單體經 聚合作用而製得之聚合化合物。通用術語"聚合物"包含術 语"均聚物”、”共聚物"、”三元共聚物”以及"互聚物，，。 ”互聚物指的是—種由至少二種相異類型之單體經聚 20合作用所製得之聚合物。通用術語，，互聚物”包括術語"共聚 物”(其通常用於意指由二種相異的單體製成之聚合物）以及 術語"三元共聚物"(其通常用於意指由三種相異類型之單體 製成之聚合物）。其亦包含由四或多種類塑之單體經聚合作 用而製得之聚合物。 200909452 多肷段共聚物”或”多嵌段互聚物"指的是一種聚合 物，其包含二或多種化學上區別的區域或鏈段(稱作,，嵌段,，）， 較佳地以線性方式連接在一起，即，一種包含化學上相異 的單元之聚合物，其等單元在聚合的烯官能基方面，係以 5端對端之方法連結，而不是呈懸掛或接枝之形式。於較佳 的具體例中，該等嵌段在併入共單體之數量或類型、密度、 結晶度值（可歸因於此組成之聚合物之晶粒大小）、構型規整 度之類型或層度（專規或間規）、幾何一致性或幾何不一致 性、分枝之數量（包括長鏈分枝或高分枝）、均質性或任何其 10它化學或物理特性上相異。該多嵌段共聚物因製備該共聚 物之方法獨特’所以具有獨特的多分散性指數（pDI或 Mw/Mn)之分佈、嵌段長度分佈和/或嵌段數量分佈之特徵。 更明確地，當以連續方法產生時，該多嵌段聚合物通常具 有PDI從約1.7至約2.9，從約1.8至約2_5，從約1.8至約2.2， 15 或從約1.8至約2.1。 ”密度”係依照ASTMD792測量。 "熔融指數（12)，，係依照ASTM D1238，使用重量2.16 kg ’在190°C ’測量包含以乙烯作為聚合物之主要組份之聚 合物而得。 20 "熔體流動速率(MFR)"係依照ASTM D1238，使用重量 2.16 kg，在230°C下，測量包含以丙烯作為聚合物之主要組 份之聚合物而得。 ”分子量分佈"或MWD係按照T. Williams and I. M. Ward, Journal of Polymer Science, Polymer Letters Edition 9 200909452 (1968)，6(9), 621-624所述之程序（其中係數B為1，而係數A 為0.4316)，以習用的GPC測量。 ”多層薄膜”指的是具有至少二層之薄膜。 ”連接層”指的是多層薄膜之中間層，其中該中間層可 5 促進該中間層之二個鄰接層間之黏著。 "密封層’'指的是多層薄膜中之一層，其中該層包含能 夠密封之材料。典型地，此密封可在曝露於，例如，熱時 發生。於某些具體例中，該密封層係該多層薄膜之最外層。 ”基底層”指的是多層薄膜之基材，其中該基材形成該 10 薄膜之基底。 ”實質上不含”添加物或化合物之層或多層薄膜，意指 一層或多層薄膜，在以該層或多層薄膜之總重量為基礎 時，含有低於20重量％、低於10重量％、低於5重量％、低 於4重量％、低於3重量％、低於2重量％、低於1重量％、低 15 於0.5重量％、低於0.1重量％或低於0.01重量％之該添加物或 化合物。 於下列說明書中，不管是否有連結使用”約”或”近似” 之字眼，在此所揭示之所有的數值均係近似值。其等可有 1%、2%、5%或有時10至20%之變化。當揭示具有下限 20 以及上限Ru之數值範圍的時候，表示任何落在該範圍之數 值均已明確定地揭示。特別地，在該範圍内之下列數值已 明確地揭示：R = 1^+ k*(Ru- t)，其中k係範圍從1%至 100%之變量，以 1%增加，k係 1%、2%、3%、4%、5% ...、 50%、51%、52%、…、95%、96%、97%、98%、99%或 10 200909452 100%。此外，如以上之定義，由二個R數值界定之任何數 值範圍亦被明確地揭示。 控制分子量以及密度 已發現所產生之聚合物之分子量分佈可被控制。例 如’使用適當的反應條件(如，混合非常均勻之均質反應蟑 境'恆定濃度之二或多種單體，諸如乙烯以及1烯烴類之 辛烯以及適當的預催化劑或催化劑），利用二或多種單體，

n ’之莫耳分率⑺控制該聚合物之雙峰型分子量”分割 (split)" ’使得單體所之莫耳分率定義如下： fm =

^[Μοηοτηβη] 10 即，可控制該分子量分割，以便其根本上為溶液中相 對單體濃度之函數。視反應條件而定’此等相同之相對單 體/辰度亦可決疋该總聚合物之全部的組成（即，密度）。 在此可用來控制單體純度之一態樣，係利用單體側流 -、在塞流式反應器中之選定的催化劑接觸。假如該單體不 純，則在該塞流式反應器中將會觀察到比預期低之放熱。 於此方法中，若需要的話，可監控以及調整單體之純度。 雖不欲夂任何理論之限制，但申請人已發現，可使產 生早體漢度：分子量分割關係之理由，係不同的催化劑種 20類可由各單體反應物製得。此意指較低分子量之聚合物係 由”經乙烯插入的，，形式之催化劑所形成，而，，經α烯烴插入 的”形式之催化劑形成高分子量聚合物。有利地，此產生一 種藉由控制所形成之各種催化劑種類之相對數量而受控制 200909452 之分子量分割。 一作為範例，據信以下銓催化劑可在乙烯與辛烯以及適 *的反應條件下（包括，例如混合非常均勻之反應環境），被 裝成、”工乙稀插人的陽離子以及經α稀烴插人的陽離子。

由乙婦對共單雜之比率決定傕化劑 之混合物（以及因此聚合物分割） 5 因此，本發明使得吾人可以用許多方法來控制分子量 分割。本發明之一方法涉及改變所給定之催化劑之配位子 、、’°構，來影響給定的整體密度共聚物之所產生的分割。因 此’吾人可選擇適合的預催化劑供聚合作用，以控制經乙 10稀插人的陽離子和/或經α•烯烴插人的陽離子之濃度，藉此 控制所產生之分子量分割。選擇性地’本發明使吾人可從 所給疋之催化劑前趨物來控制該聚合物分割 。例如，此一 方法可進行預反應或預聚合作用，如使預催化劑與單一單 體接觸’以產生所欲的催化劑種類之濃度’之後將此預反 15應產物之部分或全部饋入該反應器中。此可任擇地以添加 、屯預催化劑來進行，在所產生之聚合物雙峰型方面，提供 高裡度的控制。 12 200909452

任擇性的 於本發明之又另一選擇中，該聚合物分割可經由改變 製程變量進行改質。例如，吾人可藉由控制組成梯度來控 制經插入的催化劑之數量一特別係當該插入在催化劑活化 5之早期階段發生時之情況。例如，在溶液環路反應器中， 可透過修改反應器流出物循環通過該反應器之速度，達到 一梯度之單體組成。此可在該反應器内不同位置處，產生 共單體莫耳分率差異。可藉由策略性的安排催化劑以及單 體注射點和/或該催化劑與單體接觸之時間，將該反應器安 10 裝成有利於此。 於又另-選擇中，可直接合成一或多種化合物，以便 可直接控制經乙烯插入的陽離子：經CX-烯煙插入的陽離子 之想要的比率。 使用預催化劑來控制分子量之一般方法 15 4上所述，_ 5冑人已發麟？在乙稀/〇1_烯烴互聚物組 成物之生產過程中，控制分子量分佈之方法。方法包含： ⑷選擇至少—種包含至少—種金屬-芳基或金屬-烴基 鍵之適合的預催化劑，其中各預催化劑分子基本上與每一 個其它的預催化劑分子相同； 20 ⑻接觸乙烯、至少—種烯烴錢該適合的預催化 13 200909452 劑； (C)選擇足以活化該預催化劑之乙烯：α_烯烴濃度比 率，以及 (d) 在連續反應聚合條件下’形成乙烯/(χ_稀烴互聚物 5 組成物；以及，任擇地， (e) 選擇以二或多種單體，η ’之莫耳分率⑺決定之該 互聚物之分子量分割，使得單體w之莫耳分率定義如下. r _ [Monomerm] — ~ XP\Monomer^\ /=1 以產生具有雙峰型或多峰型分子量分佈可控的乙烯 10 /α-烯烴互聚物組成物。 另一方法包含： (a)選擇至少一種包含至少一種金屬_芳基或金屬烴基 鍵之適合的預催化劑，其中各預催化劑分子基本上與每一 個其它的預催化劑分子相同； 15 (b)接觸至少一種有機化合物以及該適合的預催化劑； (c) 選擇足以活化該預催化劑之至少一種有機化合物 濃度，以及 (d) 在連續反應聚合條件下形成乙稀/α_稀烴互聚物組 成物；以及，任擇地， 20 (e)選擇由該一或多種有機化合物之濃度決定之該互 聚物之分子量分割，以產生具有雙峰型或多峰型分子量分 佈可控的乙烯/α-烯烴互聚物組成物。 適合的預催化劑與(1)乙烯以及α-烯烴或(2)有機化合物接觸 14 200909452 該適合的預催化劑可擇自於 芳基或金屬煙基鍵者中之任何—種、匕3 ^ 一種金屬_ 有下列環結構特徵之分子或配。料基可為任—種具 菲基、蒽基”。該烴基可# ^如，苯基、萘基、 基)之分子或配位子。此外，tr包含氫或碳(諸如笨甲 代該芳基或煙基之—或多個碳:之雜原子可取 基，而烴基包括雜煙基。相似地，括雜芳

10 15

多個氫可經任—種不會實 基缺基上之—或 '衫響該預催化劑之所欲活性 之取代基取代。此等取代基 匕栝，但不限於，取代或未取 代的坑基自基、硝基、胺基 脂族、經基等等。較佳地，各預^ π、㈣、環 個其它預催化劑分子相同。即劑分子基本上與每一 相同。亦較佳的係該等其子之化學結構實質上 張力能夠從該金屬烴配位子中二=:烯烴接觸時，環 特別適合的預催化劑係擇自㈣2 取代的雜芳基化合物所構成之群組：田、 為

其中： R係擇自於烧基、j裒烧基、雜淀基、環雜炫基、芳基 2〇以及其等之惰性取代的衍生物(含1至30個原子，不算氫）， 或其二價衍生物； T1係從1至41個氫以外之原子，較佳地1至20個氫以外 之原子，最佳的單-或雙Ci-2〇烴取代的亞曱基或矽烷基團之 15 200909452 二價橋接基團；以及 R12係含有路易士驗官能基之C5_2〇雜芳基基團，特別是 吡啶-2-基-或取代的。比啶-2-基基團或其二價衍生物； M1包含铪或其它第4族金屬； 5 X1係陰離子、中性或二陰離子配位子基團； X'係0至5之數值，指出此X1基團之數目；以及 鍵、任擇的鍵以及電子供者交互反應分別以線、虛線以及 箭頭表示，或其等之混合物，與適合的助催化劑接觸。 若需要的話，以足以活化該預催化劑之方法以及數 10 量，將該預催化劑以及任擇的催化劑與（1)乙烯與α-烯烴或 (2)有機化合物，諸如，丙酮或酮之混合物或(3)其等之混合 物，接觸。熟悉此技藝之人士應能認知到，諸如以下所述 之助催化劑可在此階段或之後的階段使用。條件通常隨著 所欲之聚合物以及所使用之設備而改變。然而，熟悉此技 15 藝之人士可利用本說明書、背景知識、先前技術以及常規 實驗，輕易地決定適合的條件。例如美國專利案第6,960,635 號；第 6,946,535 號、第 6,943,215 號；第 6,927,256號；第 6,919,407號；以及第6,906,160號中有提供指導，其等在此 併入本案以為參考。本方法之一優點係可於單一反應器中 20 使用單一催化劑。 典型地，選定乙烯、α-烯烴和/或有機化合物濃度，以 便足以活化該預催化劑，且形成具有所欲分子量分佈之所 欲的乙烯/α-烯烴互聚物組成物。此等活化條件會隨著所使 用的反應物以及設備而改變，且與用於形成互聚物之連續 16 200909452 聚合作用之反應條件相同，但較佳地相異。更明確地，在 活化期間所使用之起始單體比率可與該互聚物聚合作用期 間所使用之單體比率相同，但較佳地相異。雖然此等比率 通常根據反應條件以及所欲的產物而改變，但互聚物之分 5 子量分割通常可經由選擇該二或多種單體，η，之莫耳分率 (/)，使得單體m之莫耳分率之定義如下而受控制：

有利地，所產生的聚合物時常具有密度比高分子量部 分之密度高之低分子量部分。雖然可使用批次或連續之聚 10 合反應條件，但在互聚物形成期間較佳地使用連續聚合反 應條件。然而，即使該預催化劑與主要聚合作用係分開被 活化的，仍可使用連續聚合反應條件。 使用合成催化劑來控制分子量分佈之一般方法 另一控制分子量之方法包含在足以形成乙烯/α-烯烴 15 互聚物組成物之反應條件下，接觸乙浠、α-稀烴以及適合 的催化劑，其中該催化劑包含一催化數量之具有下列結構 之分子：

其中： 17 200909452 M=第2-8族金屬，較佳地第4族之中性或帶電部份； Y=任何包括稠合環之取代基； L=任何連結基團，特別是吡啶基或吡啶醯胺； X=烷基、芳基、取代的烷基、Η或氫化物、鹵化物或 5 其它陰離子部分： y=從0至M之完整價數之整數； R=烷基、芳基、鹵烷基、li芳基、氫等等； x=l-6，特別是2 ; 破折線=任擇鍵，特別是弱鍵；以及 10 X與(CR2)X可為繫住的(tethered)或環之部分。 利用以上所提及之各種形式之催化劑，使得熟悉此技 藝之人士能直接控制”經乙烯插入的’’形式之催化劑以及”經 α-烯烴插入的”形式之催化劑之濃度。藉由直接控制此等濃 度，可控制該互聚物之分子量分割。此使得熟悉此技藝之 15 人士使用更廣範圍之反應條件之餘，仍可控制分子量分 佈。例如，之後其可能在更廣範圍之單體濃度下，控制分 子量分佈。 以上催化劑可經由任何習知之方法合成。 18 200909452 催化劑結構 γ

(X)y

可能的合成方法包括如下之偶合 Y

或如下之環金屬化 γ

(X)y+1

H-X

其中： 5 M=第2-8族金屬，較佳地第4族之中性或帶電部份。 Y=任何包括稠合環之取代基。 L=任何連結基團，特別是吡啶基或吡啶醯胺。 X=烷基、芳基、取代的烷基、Η或氫化物、鹵化物或 其它陰離子部份。 10 y=M之完整價數之數值。 R=烷基、芳基、鹵烷基、鹵芳基、氫等等。 19 200909452 χ=1-6，特別是2。 破折號=任擇鍵，特別是弱鍵。 X與(CR2)X可為繫住的或環之部分。 E=任何陰離子部分，（包括烷基或芳基）或c—h單元之 5 Η

Red=還原劑。 a+b=氧化時，使還原劑之價數完整之數值 c=連接所需之還原劑的當量數。 熟悉此技藝之人士可認知到，於某些情況下最好亦使 10用原位合成方法，以致催化劑在聚合反應期間形成。 助催化劍 熟悉此技藝之人士當能認知到，使預催化劑或合成催 化劑結合適合的助催化劑，較佳地陽離子形成助催化劑、 強路易士酸或其等之組合，係有用的。於較佳具體例中， 15若有使用穿梭劑(shuttHng agent)時，其係用於鏈穿梭之目 的以及作為該催化劑組成物之助催化劑組份。 該金屬錯合物最好是藉由與陽離子形成助催化劑結合 而被催化活化，諸如該等之前於此技藝中已知用於與第4族 金屬烯經聚合化錯合物一起使用者。供在此使用之適合的 20陽離子形成助催化劑包括中性路易士酸，諸如Cm〇烴基取 代的第13族化合物，特別是三（烴基)鋁或三（烴基)硼化合物 以及其鹵化的（包括全鹵化的）衍生物(於各烴基或_化烴基 基團中具有從1至10個碳），更特別地是全氟化三（芳基)硼化 合物，以及最特別的是三（五氟_苯基)硼；非聚合、相容性、 20 200909452 非配位性離子形成化合物（包括在氧化條件下使用此等化 合物），特別地使用相容性'非配位性陰離子之銨、鱗、氧 鏽、奴鑌、矽正離子或绮之鹽類，或相容性、非配位性陰 離子之二茂鐵、鉛或銀之鹽類；以及前述陽離子形成助催 5化劑以及技術之組合。前述活化助催化劑以及活化技術， 在用於烯煙聚合作用之不同的金屬錯合物方面，下列參考 文獻中已有教示：EP專利公開案第277,003號；美國專利案 第 5,153，157號、第 5,064,802號、第 5,321，1〇6號、第 5,721,185 號、第 5,350,723 號、第 5,425,872 號、第 5,625,087 號、第 10 5,883,204號、第5,919,983號以及第5,783,512號；以及國際 專利公開案WO 99/15534與WO 99/42467，其等之全部均在 此併入本案以為參考。 中性路易士酸之組合物，特別是在各烷基基團中具有1 至4個碳之三烷基鋁化合物與在各烴基基團上具有1至2〇個 15 碳之齒化三(烴基)硼化合物（特別是三（五氟苯基)硼烷)之組 合，進一步此中性路易士酸混合物與聚合或募聚合紹氧燒 之組合物，以及單一中性路易士酸，特別是三（五氟苯基) 石朋烧，與聚合或寡聚合銘氧燒之組合物，可用作為活化助 催化劑。金屬錯合物：三（五氟笨基)-硼烧：鋁氧烧之較佳 20的莫耳分率係從1 : 1 : 1至1 : 5 : 20，更佳地從1 : 1 : 1.5 至1 : 5 : 10 。 於本發明之一具體例中可作為助催化劑之適合的離子 形成化合物包含一種陽離子，其係能夠供給質子之質子酸 (Bronsted acid)，以及一種相容性、非配位性陰離子，a-。 21 200909452 在此使用之術語”非配位性"意指一種陰離子或基質，其不 會配位至含第4族金屬之前趨錯合物以及從其衍生而來之 催化衍生物，或其僅微弱地配位至此錯合物，從而仍非常 不穩定而易被中性路易士鹼取代。非配位性陰離子特別指 5 的是一種陰離子，其在陽離子金屬錯合物中當作為電荷平 衡陰離子時，不會轉移陰離子取代基或其片段給該陽離 子，從而形成中性錯合物。'’相容性陰離子"係一種陰離子， 當一開始形成的錯合物分解時，其不會降解成中性，且不 會干擾該錯合物之所欲的隨後聚合作用或其它用途。 10 較佳的陰離子係該等含有單一配位錯合物者，其包含 帶電金屬或類金屬中心，該陰離子能夠平衡活性催化劑形 式之電荷（該金屬陽離子），其可在當二種組份結合時形成。 此外，該陰離子應夠不穩定而易被烯烴、二烯烴以及炔不 飽和化合物或其它中性路易士鹼（諸如酯或亞硼酸鹽）取 15 代。適合的金屬包括，但不限於，鋁、金與鉑。適合的類 金屬包括，但不限於，硼、磷以及矽。當然，含有包含配 位錯合物（含有單一金屬或類金屬原子）之陰離子之化合物 係眾所周知的，且許多，特別是此等在該陰離子部分含有 單一硼原子之化合物，係市售可得的。 20 較佳地此等助催化劑可由下列通式表示： (L*-H)g+(A)g- 其中： L*係中性路易士鹼； (L*-H)+係L*之共輛質子酸(Bronsted acid); 22 200909452

Ag_係具有g-電荷之非配位性、相容性陰離子，以及 G係從1至3之整數。 更佳地，Ag·相應於方程式·_ [M'Q4]_ ; 其中： 5 M'係呈+3形式氧化態之硼或鋁；以及 /

Q每次出現獨立地擇自於氫化物、二烷基醯胺基、鹵化 物、烴基、烴基氧(hydrocarbyloxy)、鹵基取代的烴基、鹵 基取代的烴基氧以及鹵基取代的石夕基烴基(silylhydrocarbyl) 基團（包括全鹵化的烴基-全鹵化的烴基氧-以及全鹵化的矽 10 基烴基基團），該Q具有高達20個碳，但有條件的是，在不 超過一次的出現中係Q鹵化物。適合的烴基氧化物Q基團之 例子述於美國專利第5,296,433號中。 於更佳的具體例中，d係1，即，反離子具有單一負電 荷，且係A·。特別有利於製造本發明之催化劑之活化助催 15 化劑（包含硼）可以下列通式表示： (L*-H)+(BQ4)_ ; 其中： L*如之前之定義； B係呈形式氧化態為3之硼；以及 20 Q係具有高達20個非氫原子之烴基、烴基氧、氟化烴 基、氟化烴基氧或氟化矽基烴基基團，但有條件的是，在 不超過一次的出現中係Q烴基。 較佳的路易士鹼鹽係銨鹽，更佳地係含一或多個(：12-40 烷基基團之三烷銨鹽。更佳地，Q每次出現為氟化芳基基 23 200909452 團，特別地五氟苯基基團。 可於本發明之改良的催化劑之製備中，作為活化助催 化劑之棚化合物之例示性，但非限制性之例子係三取代的 銨鹽，諸如： 5 三甲基銨四（五氟苯基)硼酸鹽、 三乙基銨四（五氟苯基)硼酸鹽、 三丙基銨四（五氟苯基）硼酸鹽、 三（正-丁基)銨四（五氟苯基)硼酸鹽、 三（次-丁基)銨四（五氟苯基)硼酸鹽、 10 Ν,Ν-二甲基苯胺四（五氟苯基)硼酸鹽、 Ν,Ν-二甲基苯胺正-丁基三（五氟苯基)硼酸鹽、 Ν,Ν-二曱基苯胺苯甲基三(五氟苯基)硼酸鹽、 Ν,Ν-二甲基苯胺四（4-(叔-丁二甲基矽烷基）-2,3,5,6-四 氟苯基)硼酸鹽、 15 Ν,Ν-二甲基苯胺四（4-(三異丙基矽烷基）-2,3,5,6-四氟 苯基)硼酸鹽、 Ν，Ν-二甲基苯胺五氟苯氧基三（五氟苯基)硼酸鹽、 Ν,Ν-二乙基苯胺四（五氟苯基)硼酸鹽、 Ν,Ν-二甲基-2,4,6-三甲基苯胺四（五氟苯基)硼酸鹽、 20 二甲基十八烷基銨四（五氟苯基)硼酸鹽、 甲基雙十八烷基銨四（五氟苯基)硼酸鹽、 二烷基銨鹽，諸如： 二-(異-丙基)銨四（五氟苯基)硼酸鹽、 曱基十八烷基銨四（五氟苯基)硼酸鹽、 24 200909452 甲基雙十八烷基銨四（五氟苯基)硼酸鹽，以及 雙十八烷基銨四（五氟苯基)硼酸鹽； 三取代的鱗鹽，諸如： 三苯基鎮四（五氟苯基)硼酸鹽、 5 甲基雙十八烷基鱗四（五氟苯基)硼酸鹽，以及 三(2,6-二甲基苯基)鎮四（五氟苯基)硼酸鹽； 二取代的氧鑌鹽，諸如： 二苯基氧鑌四（五氟苯基)硼酸鹽、 二（鄰-甲苯基）氧鏽四（五氟苯基)硼酸鹽，以及 10 二（十八烷基）氧鏽四（五氟苯基)硼酸鹽； 二取代的疏鹽，諸如： 二（鄰-甲苯基)錡四（五氟苯基)硼酸鹽，以及 甲基十八烷基鈒四（五氟苯基)硼酸鹽。 較佳的（L*-H)+陽離子係甲基雙十八烷基銨陽離子、二 15 甲基十八烷基銨陽離子以及由含1或2個C14_18烷基基團之三 烧基胺之混合物衍生而來之銨陽離子。 另一適合離子形成、活化助催化劑包含以下式表示之 陽離子氧化劑與非配位性、相容性陰離子之鹽： (Oxh+)g(Ag-)h 20 其中： 〇xh_係具有h+電荷之陽離子氧化劑； h係從1至3之整數；以及 A&與g如之前之定義。 陽離子氧化劑之例子包括：二茂鐵、烴基取代的二茂 25 200909452 鐵、Ag+或Pb+2。Ag-之較佳的具體例係該等於之前定義有關 S裊子酸(Bronsted aeid)之活化助催化劑（特別是四（五氟苯 基)硼酸鹽）時之陰離子。 另一適合的離子形成、活化助催化劑包含一化合物， 5其係以下式表示之正碳離子與非配位性、相容性陰離子之 鹽： [C]+A- 其中： [C]係匸丨·2。正破離子；以及 1〇 A係具有電荷-1之非配位性、相容性陰離子。較佳的 正碳離子係三苯甲基陽離子，即，三苯基甲基。 另外適合的離子形成、活化助催化劑包含一種化合 物，其係以下式表示之矽正離子與非配位性 '相容性陰離 子之鹽： 15 (Q 丨 3Si)+A_ Q係Ci—iofe基，以及八-如之前之定義。 較佳的矽正離子鹽活化助催化劑係三甲基矽正離子四 五氟苯基硼酸鹽、三乙基矽正離子四五氟笨基硼酸鹽以及 其喊取代的加合物。石夕正離子鹽之前於s〇c fhem 2〇 1993，383-384，以及 Lambert，j B, et al ,

Organometallics, 1994, 13, 2430-2443 中已有廣泛的介紹。使 用以上矽正離子鹽作為加成聚合催化劑之活化助催化劑之 技術，已揭示於美國專利案第5,625,〇87號中。 具有三（五氟苯基)硼酸鹽之醇、硫醇、矽烷醇以及肟之 26 200909452 特定錯合物，亦為有效的催化劑活化物，且可依照本發明 使用。此助催化劑述於美國專利案第5,296,433號中。 供在此使用之適合的活化助催化劑包括聚合或寡聚合 鋁氧烧，特別是甲基鋁氧烧(MAO)、三異丁基鋁改質的甲 5基鋁氧烷(MMA〇)或異丁基鋁氧烷；路易士酸改質的鋁氧 燒，特別是全鹵化三（烴基)鋁-或全鹵化三（烴基)硼改質的鋁 氧烷，於每一個烴基或鹵化烴基團中具有從1至10個碳，更 特別地係三（五氟苯基)硼烷改質的鋁氧烷。此等助催化劑揭 示於之前美國專利案第6,214,760號、第6，160，146號、第 10 6，140,521號以及第6,696,379號中。 一種助催化劑包含非配位性陰離子，一般稱擴張型陰 離子（expanded anions)，另外揭示於美國專利案第6,395,671 號中’可適合用於活化本發明供烯烴聚合化之金屬錯合 物。大體而言’此等助催化劑（用該等具有咪唑烷 15 (imidaz〇lide)、取代的 β米唾烧、u米唾淋(imidazolinide)、取 代的β米唾琳、苯並ρ米。坐烧(benzimidazolide)或取代的苯並σ米 唑烷之陰離子作說明）可以下式表示：

其中： Α*+係陽離子，特別是含質子之陽離子，較佳地係含一 27 200909452 或二個c, 烷基基團之三烴基銨陽離子，特別是甲基二 (Ch^o烷基)銨陽離子， Q3每次出現獨立地為氫或鹵基、烴基、_二價碳基、 函’基基或石夕烧基（包括一一二_與三(烴基)石夕烧基) 基團’具有高達3〇個氫不算在内之原子，較佳地Ci_威基， 以及 ，、二（五氟苯基）硼烷或三（五氟苯基）鋁烷 (alumnae)) 〇 匕等催化劑活化物之例子包括三烴基銨鹽，特別是下 10列之甲基二(Ci4 2〇烧基)鍵鹽： (—(五鼠本基)爛烧）咪°^^(imidazolide)、 一（一（五氟苯基)硼烧)-2-十一烧基咪唑烧、 一(二（五氟苯基)硼酸鹽）-2-十七烷基咪唑烷、 一（二（五氟苯基)硼烷)_4,5-二（十一烷基)咪唑烷、 15 二(三(五氟苯基)硼烷)-4,5-二（十七烷基)咪唑烷、 一(—(五氡苯基)硼烧）口米唾琳(imidazolinide)、 二(三（五氟苯基)硼烷)-2-十一烷基咪唑啉、 一(二(五氟苯基)删烧)-2-十七烧基η米嗤琳、 一(—(五氟苯基)棚烧)-4,5-二（Ί 烧基)β米唾嘛、 *° 二(三(五氟苯基)硼烷)-4,5-二（十七烷基)咪唑嘴、 二(三（五氟苯基)硼烷)-5,6-二甲基苯並咪唑烷、 二（三（五氟苯基)硼烷)-5,6-二（十一烷基）苯並咪唑烷、 二(三（五氟苯基)鋁烷)咪唑烷、 一（二（五氟苯基)銘炫《)-2-Η—烧基哺嗤烧、 28 200909452 二(三（五氟苯基)鋁烷)-2-十七烷基咪唑烷、 二(> (五鼠本基)銘烧)_4,5-二（十·一烧基户米。坐烧、 二(三（五氟苯基)紹烧)-4,5-二（十七烧基米唾烧、 二(三（五氟苯基)鋁烷)咪唑啉、 5 二(三（五氟苯基)鋁烷)-2-十一烷基咪唑啉、 二(三（五氟笨基)鋁烷)-2-十七烷基咪唑啉、 二(三（五氟苯基)銘烧)-4,5-二（十一烧基)》米嗤琳、 二(三（五氟笨基)鋁烷)-4,5-二（十七烷基）咪唑啉、 二(三（五氟笨基)銘炫·)-5,6-二曱基苯並β米嗤院以及 10 二(三(五氟苯基)銘烧)-5,6-二（十一烧基）苯並味唾炫。 其它活化物包括該等於PCT公開案WO 98/07515中所 述者，諸如三(2,2’2”壬氟二笨基）氟鋁酸鹽。本發明亦意圖 包括活化物之組合物，例如，鋁氧烷與離子化活化物之組 合物，見，例如，ΕΡ-Α-0 573120、PCT公開案 WO 94/Q7928 15 與WO 95/14044以及美國專利案第5,153,157號與第 5,453,410號。WO 98/09996說明具有過氯酸鹽、過碘酸鹽與 碘酸鹽（包括其等之水合物）之活化催化劑化合物。WO 99/18135說明有機硼鋁活化物之用途。WO 03/10171揭示以 路易士酸加成質子酸(Bronsted acids)之催化劑活化物。其它 20 用於活化催化劑化合物之活化物或方法述於，例如，美國 專利案第 5,849,852號、第 5,859,653 號、第 5,869,723 號、 EP-A-615981與PCT公開案W0 98/32775中。用於過渡金屬 錯合物催化劑之前述全部的催化劑活化物以及任何其它已 知的活化物，可依照本發明單獨使用或合併使用，然而， 29 200909452 為求最佳結果，應避免含鋁氧烷之助催化劑。 所使用之催化劑/助催化劑之莫耳比率之範圍較佳地 從1 : 10,000至100 : 1，更佳地從〗：5000至10 ·卜最佳地 從】：1000至1 : 1。鋁氧烷，當其本身作為活化助催化劑時， 5所使用之量很大，通常為金屬錯合物數量之至少100倍（以 莫耳计）。二（五氟笨基)硼烷，當作為活化助催化劑時，其 與該金屬錯合物之莫耳比率為從〇 5 : 1至1〇 ·· 1，更佳地從 1 : 1至6 :卜最佳地從丨：丨至5 : i。剩下的活化助催化劑 通常使用之數量與該金屬錯合物之數量大約等莫耳。 10本發明之新穎组成物 有利地，本發明之新穎組成物包含具有多峰型分子量 分佈以及-或多種具有克分子量等於約下式之分子之乙稀 /(X-烯烴互聚物組成物： ((預催化劑之芳基或烴基配位子之分子量）+28+ 15 4*X) ’其中X代表從〇至1〇之整數，較佳地〇至8。 該芳基或烴基配位子可為該等在此所述中之任一個。 可藉由以諸如二氯曱烧之溶劑萃取該互聚物添加另一諸 如醇之溶劑(如乙醇），然後輕輕倒出，來監控在該組成物中 之分子。之後可用任-習用之分析方法，諸如氣相色層分 析結合質譜儀，分析該傾出物。該組成物亦可含有乙稀、心 烯煙、反應產物或其混合物。 本發明之其它新穎組成物包括可以上述方法合成之催 化Μ ’任擇地混合與乙稀、α_烯烴、反應產物或其混合物。 乙烯/α·烯烴多嵌段互聚物组份 30 200909452 10 以上所述之一般方法亦可用於產生乙烯/α. 段互聚物，諸如該等於，例如，下列文獻中所述者· 未決的美國申請案第11/376,835號(2006年3月15日 ’ 幾申 及PCT公開案WO 2005/090427 (2005年3月17日提中$ 次請求美國臨時申請案第60/553,906號(2004年3月 多 嵌 17 申）之優先權。為美國專利實務之目的，前所提及 之全部内容在此併入本案以為參考。假如需要的< 嵌段聚合物，則以上所述之方法通常亦包括諸如_ 鋅之催化劑，其與任一種可使用之預催化劑不同。 此 % )以 曰提 靖衆 多 包含 此外， 亦可使用穿梭劑（shuttling agent)，諸如二乙基辞^^ PCT公開案WO 20〇5/090427中所述的。此方法可產 聚合物，其中該聚合物具有一或多個下列特徵 (1)均嵌段指數大於0，且高達1.0，而分+ $ ^襲>\ Mw/Mn，大於約1.3 ;或 乃 生 在 種 佈 15 20 5足 (2)使用TREF分級時，至少一個在4〇。(：至no》 出之分子區段’特徵在於該區段具有嵌段指數為至+ 最1%達約1 ;或 種熔點Tm (3) w/Mn從約1.7至約3.5,至少一 度d (克/立方公分），其中該Tm與d之數值相應於下列關达、

Tm > -2002.9 + 4538.5(d) - 2422.2(d)2，較佳地 系： Tm > 858.91 _ 1825.3(d) _ 1112.8(d)2 ;或 (4)/Μη從約1.7至約3.5，且特徵在於熔解熱Δη (j/幻 以及差量△ T( t )定義為最高的DSC波峰與最高的 CRYSTAF波峰間之溫度差，其中該△T與△H之數值具有下 31 200909452 列關係： △ Τ>-0·1299(ΔΗ) + 62_8卜 ΔΗ大於〇以及最高達 130 J/g， △T2 48〇C，ΔΗ大於 130 J/g， 5 其中該CRYSTAF波峰係使用至少5%之累積聚合物決 定’若小於5%之聚合物具有可識別的CRYSTAF波峰，則該 CRYSTAF溫度為30°C ;或 (5) 乙烯/α -烯烴互聚物之壓縮模壓薄層測得之彈性恢 復Re (%) (300 %應變以及1循環），以及具有密度d (克/立方 1〇公分），其中當乙烯/« -烯烴互聚物實質上無交聯相時，該 Re與d之數值滿足下列關係：

Re >1481-1629(d);或 (6) 使用TREF分級時，在4〇°C與130。(：間洗提之分子區 段’其特徵在於該區段具有莫耳共單體含量，比在相同溫 15度間洗提之比較無規乙稀互聚物區段之莫耳共單體含量高 出至少5%，其中該比較無規乙稀互聚物具有相同的共單體 以及具有炼融指數、密度與莫耳共單體含量（以整個聚合物 計）落在該乙烯/α-烯烴互聚物之熔融指數、密度與莫耳共 單體含量的10%内；或 20 (7) 5 C下之貯存模量G’(25°C)以及l〇〇°c下之貯存模 量G’（100°C)，其中G，(25°C)對G，（10(TC)之比率在約i : i至 約9 : 1之範圍内；或 (8)有DSC熔融曲線，其特徵在於，從熔融峰溫度至熔 融結束間DSC熔融曲線下方之面積，為從_2〇π至炫融結束 32 200909452 間DSC熔融曲線下方之總面積之至少約17%、至少約18%、 至少約19%、至少約21%、至少約23%、至少約25%、至少 約27%、至少約29%、至少約31%、至少約33%至最多為25， 較佳地35%，或 5 (9)有B值大於約0.98、大於約0.99、大於約1.0或大於 約 1.02。 已發現，當使用助催化劑穿梭劑時，如二乙基鋅，常 會製造出具有改善的剩餘熵以及熱黏之互聚物。此外，亦 觀察到可將該互聚物製成具有微量或無長鏈分枝。當沒使 1〇用穿梭劑時’可觀察到如鏢衝擊 '撕裂、穿刺抗性之特性 已經改善。 於本發明中使用之互聚物較佳地具有密度之範圍從約 〇·875 g/cc至約0 915 g/cc，較佳地從約〇 895 g/cc至約〇 91〇 g/cc ;分子量分佈之範圍從約2.0至約3.8、從約2.2至約3.5、 15從約2.2至約3.3或從約2.2至約3.8;11()/12之範圍從約5.5至約 6·5 ’較佳地從約5.6至約6.3 ; 12炼融指數之範圍從約0 2至 約20。 本發明之互聚物通常具有大於約0.98、大於約〇·99、大 於約1·〇或大於約丨.02之Β值。"Β值，，以及相似的術語意指， 乙稀/α-稀煙互聚物之乙烯單元係以非隨機之方式分佈在 °亥忒合物鏈上。3值範圍從〇至2 值愈高，在共聚物中之 共早體的分佈交替程度愈高。Β值愈低，在共聚物中共單體 之分佈愈多團塊或聚集。 有斗多方法可計算Β值；以下所述之方法利用Koenig, J. 33 200909452

單元元全隨機分佈。Koenig °3係用於定義乙烯/α_烯烴 ^單體衍生而來之構成單元 2^〇 Ρ, 其中ΡΕ/、Ρ〇刀別地為叇乙烯/α_烯烴互聚物(諸如乙烯/ 辛烯互聚物)中所含之乙埽組份的莫耳分率以及α_稀烴 (如，辛稀）組份的莫耳分率；—所有兩段組合(dyad) 鏈中乙烯/4賴(諸如辛賴)之莫耳分率。 可以下列方式獲得乙烯/α-烯烴互聚

於某些具體例中，可以7 物（諸如乙烯/辛烯互聚物）之p 10 mm之樣品試管中，將約2〇〇mg之乙烯/α烯烴互聚物均 質地溶於1 ml之六氯丁二烯中，產生一樣品，依照下列參 考文獻測量該樣品之13C-NMR光譜：諸如G. J. Ray 15 {Macromolecules, 10, 773， 1977)以及 J. C. Randall {Macromolecules, 15, 353, 1982; J. Polymer Science, 尸〇/少mer PA少Wes 11, 275，1973)以及K. Kimura 〇P£?/_ymer, 25，441，1984)。於在2006年6月29日公開之公開案WO 2006/069205 A1中亦有討論B值。當該乙烯/α-烯烴互聚物 2〇 (諸如乙烯/辛烯互聚物）為完全交替互聚物時’ Β值為2，而 當該互聚物為完全嵌段互聚物時’ Β值為0。 本發明之乙烯Ax-烯烴互聚物，如乙烯-辛烯，具有可使 用比先前聚合物少之α-烯烴，如辛烯，依然具有近似相同 34 200909452 或較高密度之優點。此顯示於，例如，第29圖中，其顯示 出本發明之乙烯/α-烯烴互聚物常包含一或多種下列特 徵：密度d，單位g/cc，以及α-浠烴重量百分比，重量％， 其中該d與重量％之數值相應於下列關係：d $ -0.0018重量 5 %+0_9297和/或ds-0.0019重量 ％+0.933。 此係令人驚訝且非預期的關係，因為典型地，α-烯烴 之數量減少，密度會減少更多。已發現，使用穿梭劑會影 響前所提及之關係。例如，以諸如二乙基辞之穿梭劑製得 之互聚物，常會顯示出以下關係：d $ -0.0018重量 10 %+〇.9297，然而在無諸如二乙基鋅之穿梭劑之情況下製得 之互聚物，通常展現出以下關係：d $ -0.0019重量 %+0.933。第29圖係顯示使用二乙基鋅(DEZ)製得之發明聚 合物以及不使用DEZ製得之發明聚合物中，乙烯/α-烯烴互 聚物之密度為1-辛烯之重量百分比的函數之圖表。 15 應用以及最终用途 本發明之聚合物可用於各種習知的熱塑性製造方法， 以產生可用的物件。此等物件包括包含由鑄製、吹製、砑 光或擠出塗佈方法製得之至少一種薄層（諸如單層薄膜）或 多層薄膜中之至少一層之物體；模塑物件，諸如吹塑、射 20 出成型或滾塑物件；擠出物；纖維；以及織物或不織布。 由於該令人驚訝以及非預期性的熱黏特性以及穿刺與 鏢衝擊特性，本發明之聚合物以及組成物特別適合食品應 用，諸如製袋成型-充填-封合之應用。本發明之薄層時常被 製成在至少20°C、較佳地25°C，更佳地28°C之溫度範圍下， 35 200909452 具平均熱黏性為至少10 N (ASTM F 1921，方法b，停留時 間500 ms，密封壓力27.5 N/cm2)。以本發明之組成物製成 之熱密封性薄膜可應用於單層或多層薄膜結構，或作為層 壓板。不管如何利用此薄膜，其均可經由熟悉此技藝之人 5 士所熟知之各種方法製得。 薄膜結構可由習知製造技術製成，如單泡擠出法 (simple bubble extrusion)、雙軸取向方法(諸如張布架或雙 泡法(double bubble processes))、單一鑄製/薄板擠出法、共 擠出法、疊層法等等。習知單泡擠出法（亦稱為熱吹膜法） 10 述於，例如，The Encyclopedia of Chemical Technology, Kirk-Othmer, Third Edition, John Wiley & Sons, New York, 1981，Vol. 16, pp. 416-417以及Vol. 18, pp. 191-192 中，其揭 示内容在此併入本案以為參考。諸如在美國專利案第 3,456,044號(Pahlke)之''雙泡”法中所述之雙軸取向薄膜製造 15 方法，以及在美國專利案第4,352,849號(Mueller)、美國專 利案第4,820,557號與第4,837,084號(均頒給Warren)、美國專 利案第4,865,902號(Golike等人）、美國專利案第4,927,708 號(Herran等人）、美國專利案第4,952,451號(Mueller)以及美 國專利案第4,963,419號與第5,059,481號(均頒給Lustig等人) 20中所述之方法（其等之揭示内容在此併入本案以為參考），亦 可用於製造本發明之新穎薄膜結構。雙轴取向薄膜結構亦可 使用張布架技術製得，諸如用於取向聚丙烯之技術。 其它供用於食品包裝應用之多層薄膜製造技術述於

Packaging Foods With Plastics by Wilmer A. Jenkins and 36 200909452

James P. Harrington (1991), ρρ· 19-27 以及"Coextrusion Basics" by Thomas I. Butler, Film Extrusion Manual: Process, Materials, Properties, pp. 31-80 (由 TAPPI Press (1992)發行） 中，其等之揭示内容在此併入本案以為參考。 5 於本發明之特殊具體例中，薄膜結構之至少一熱密封 性、最内或最外層（即，密封或表層），包含本發明之聚合物。 此熱密封性層可以與其它層共擠出，或該熱密封性層可於 第二次操作下，層疊於另一層或基材上，諸如於Packaging Foods With Plastics 出處同上或"Coextrusion For Barrier 10 Packaging" by W. J. Schrenk and C. R. Finch, Society of Plastics Engineers RETEC Proceedings Jun. 15-17 (1981), pp. 211-229中所述，其等之揭示内容在此併入本案以為參考。 較佳的基材包括紙、箔、取向聚丙烯、聚醯胺、聚酯、聚 乙烯、聚對苯二甲酸乙酯以及金屬化基材。 15 如果需要多層薄膜，此可從事先透過管狀薄膜（即，吹 膜技術）或平模（即，鑄膜）產生之單層薄膜製得，WK.R. Osborn and W. A. Jenkins in "Plastic Films, Technology and Packaging Applications" (Technomic Publishing Co., Inc. (1992))中所述，其等之揭示内容在此併入本案以為參考， 20 其中該密封薄膜必須通過額外之後擠出步驟黏著至或擠出 疊層於其它包裝材料層上。假如該密封薄膜係二或多層之 共擠出物時（亦由Osborn與Jenkins所述），取決於最後包裝薄 膜之其它物理需求，該薄膜仍可疊層於額外的包裝材料層 上。”Laminations vs. Coextrusions" by D. Dumbleton 37 200909452 (Converting Magazine, September 1992)，其揭示内容在此併 入本案以為參考’亦討論有關疊層對共掩出法。單層與共 擠出薄膜亦可通過其它的後擠出技術，諸如雙車由$向法與 照射法。在照射法方面’此技術亦可在擠出前，先對用於 5 製造此薄膜之丸粒，在將該等丸粒饋入擠出器之前，進行 照射，其會增加該擠出聚合物薄膜之熔融張力以及提高加 工性。 10 15 擠出塗佈法係又另一種用於產生包裝材料之技術。與 鑄膜相似，擠出塗佈係一種平模技術。根據，例如，美國 專利案第4,339,507號中所述之方法（其在此併入本案以為 參考）’由本發明之組成物構成之熱密封性薄膜，可呈單層 之形式或共擠出之擠出物形式，被擠出塗佈於基材上。利 用多擠出H或藉由將各種基材通過擠出塗佈系統數次，可 產生聚合物多層，各提供一些性能特徵，不管是其為屏障、 堅勤度或改善熱減熱密封性。某0層/多基材系統之並 型的最制途制於起士之包裝。其它最利途包括，伸 洋芋片、冷凍食品、肉類、 不限於，濕性寵物食物、點心 熱狗以及許多其它的應用。 於該等其中該薄膜包含一或多種本發明之聚合物之且 2〇體例中，可包括該多層結構之其它層，以提供各種性能特 徵此等層可攸各種材料建構成，包括均質線性或實質上 線性乙烯聚合物與聚丙稀聚合物之摻合物，而某些層可用 相同的材料建構’如某些薄膜可具有結構a/b/c/b/a，其中 各不同的字母代表不同的组成。於其它層中之材料之代表 38 200909452 性、非限制性範例係：聚對苯二曱酸乙酯（PET)、乙烯/醋酸 乙酯（EVA)共聚物、乙烯/丙烯酸(BAA)共聚物、乙烯/甲基 丙烯酸(EMAA)共聚物、LLDPE、HDPE、LDPE、接枝改質 的乙烯聚合物（如，順丁稀二酸酐接枝聚乙烯）、苯乙烯、丁 5 二烯聚合物（諸如K-樹脂，可由Phillips Petroleum購得）等 等。大體而言，多層薄膜結構包含2至約7層。 該多層結構之厚度典型地從約1密爾（mil)至約4密爾 (總厚度）。該熱密封性薄膜層之厚度，視其是透過共擠出或 將單層或共擠出薄膜層疊於其它包裝材料中哪一個方法而 10 改變。在共擠出方面’該熱密封性薄層典型地從約〇.1至約 3密爾’較佳地從約0.4至約2密爾。在層疊結構方面，該單 層或共擠出的熱密封性薄層典型地從約0.5至約2密爾，較 佳地從約1至2密爾。在單層薄膜方面，厚度典型地介於約 0.4密爾至約4密爾之間，較佳地介於約〇.8至約2_5密爾之 15 間。 本發明之熱密封性薄膜可被製成包裝結構，諸如製袋 成型-充填-封合結構或盒中袋結構。例如，此一種製袋成型 -充填-封合操作述於Packaging Foods With Plastics，出處同 上，pp. 78-83中。包裝亦可藉由直立或水平製袋成型-充填_ 20封合包裝法以及熱成型/充填/封合包裝法，從多層包裝輥胚 形成，如”Packaging Machinery Operations: No. 8, Form-Fill-Sealing, A Self-Instructional Course" by C. G. Davis, Packaging Machinery Manufacturers Institute (April 1982) ; The Wiley Encyclopedia of Packaging Technology by 39 200909452 M. Bakker (Editor), John Wiley & Sons (1986), pp. 334, 364-369 ;以及Packaging: An Introduction by S. Sacharow and A. L. Brody, Harcourt Brace Javanovich Publications, Inc_ (1987)，pp. 322-326中所述。前述所有的公開文獻之揭 5 示内容在此併入本案以為參考。對製袋成型-充填-封合操作 特別有用的裝置係 Hayssen Ultima Super CMB Vertical Form-Fill-Seal Machine。其它小袋熱成型以及排空設備之 製造商包括Cryovac以及Koch。以直立式製袋成型-充填-封 合機器製造小袋之方法廣泛地述於美國專利案第4,503,102 10號以及第4,521,437號中，該二者在此併入本案以為參考。 含有一或多層包含本發明之熱密封性薄膜之薄膜結構，非 常適合用於將飲用水 '酒、起司 '馬鈴薯、調味料以及相 似的食品包裝於此製袋成型-充填-封合結構中。 本發明之薄膜可在取向之前或之後，藉由此技藝中眾 15所周知之技術進行交聯，包括，但不限於，在有或無交聯 催化劑之情況下之電子束照射、（3射線照射、γ射線照射、 電暈（corona)照射、矽烷、過氧化物、烯丙基化合物以及υν 輻射。美國專利案第6,803,014號以及第ό，667,351號揭示可 於本發明之具體例中使用之電子束照射方法。 20 照射可藉由使用高能、電離電子、紫外線、X射線、γ 射線、β粒子以及類似物以及其等之組合達成。較佳地使 用尚達70百萬雷得(megarads)劑量之電子。該照射來源可為 任何電子束產生器，在150千伏特以及約6百萬伏特，具有 月匕夠提供所欲劑量之功率輸出之範圍内操作。可將電壓調 40 200909452 整至適當的位準，其可為，例如，100,000、300,000、1 000 000 或2,000,000或3,000,000或6,〇〇〇,〇〇〇或更高或更低。許多其 它用於照射聚合材料之設備係此技藝中已知的。該照射通 常在約3百萬雷得至約35百萬雷得之劑量間進行，較佳地在 5約8至約20百萬雷得劑量間。此外，雖然亦可使用較高與較 低溫度，例如，〇°C至約60。(：，但該照射可很方便地在室溫 下進行。較佳地，照射在該物件（諸如薄膜）成形或製成之後 進行。且，於較佳具體例中，以約8至約20百萬雷得之電子 束放射線，照射併入有前放射物(pro_rad)添加物之乙稀互聚 10 物。 交聯作用可用交聯催化劑予以促進，且可使用任何能 提供此功能之催化劑。適合的催化劑一般包括有機驗、叛 酸以及有機金屬化合物，包括有機鈦酸鹽以及鉛、姑、鐵、 鎳、鋅與錫之錯合物或叛酸鹽；二月桂酸二丁基錫、馬來酸 15 —辛基錫、一酷酸二丁基錫、二辛酸二丁基錫 '醋酸亞錫、 辛酸亞錫、萘酸鉛、辛酸鋅、萘酸鈷等等。羧酸锡，特別 是二月桂酸二丁基錫以及馬來酸二辛基錫特別有效。催化劑 (或催化劑混合物）之催化量典型地介於約〇.〇15至約〇 〇35 Phr之間。 20 代表性之前放射物(pr〇-rad)添加物包括，但不限於，偶 氮化合物、有機過氧化物以及多官能基乙烯基或稀丙基化 合物，諸如，例如，氰尿酸三烯丙酯、異氰尿酸三歸丙酯、 四甲基丙烯酸季戊四醇酯、戊二醛、二曱基丙烯酸乙二醇 酯、順丁烯二酸二烯丙酯、順丁烯二酸二炔丙賴、氛尿酸 41 200909452 二炔丙基單稀丙S旨、過氧化二異丙笨、過氧化二叔丁美、 過笨甲酸叔丁酯、過氧化苯醯、異 土 丹内本過氧化氫、過氧辛 酸叔丁酯、過氧化甲乙酮、2 5_二甲 τ u，5-二(叔-丁基過氧 基）己烧、過氧化月桂基、過氧醋酸叔丁酿、亞賴偶氮二 異丁醋料以及其等之組合。於本發明之某些具體例中使 用之較佳的前放射物(pr〇-rad)添加物係具有多官能基(即， 至少二個）部分，諸如，OC、C=N或〇〇之化合物。 10 可以此技藝中所知之任一方法，將至少一種前放射物 (pro-rad)添加物引入該乙稀互聚物中。然而，較佳地該前放 射物(pro-rad)添加物係透過包含與該乙烯互聚物相同或相 異的基底樹脂之母料漢縮物而被引入。較佳地，該前放射 物(pro-rad)添加物用於母料之濃度相對地高，如約25重量％ (以該濃縮物之總重量計）。 該至少一種前放射物(Pr〇-rad)添加物係以任何有效的 15數量引入該乙烯聚合物中。較佳地，該至少一種前放射物 (pro-rad)添加物引入之數量係從約〇.001至約5重量％，更佳 地從約0.005至約2.5重量％以及最佳地從約〇·〇 15至約1重量 %(以該乙烯互聚物之總重量計）。 除電子束照射外，交聯亦可受UV照射之影響。美國專 2〇利案第6,709,742號揭示一種利用UV照射之交聯方法，其可 於本發明之具體例中使用。該方法包含於纖維形成之前、 期間或之後，在有或無光交聯劑之存在下’將光起始劑與 聚合物混合，之後將該纖維與該光起始劑曝露於足夠的1;乂 射線下，以交聯該聚合物至所欲之位準。於本發明之實務 42 200909452 中使用之光起始劑係芳香酮’如，1,2-雙酮之苯酮類或單乙 縮醛。該單乙縮酮之主要的光反應係均裂α-鍵，以獲得醯 基以及二烷氧基烷基自由基。此種α-裂解稱為Norrish I型反 應，其於 W. Horspool and D. Armesto, Organic 5 Photochemistry: A Comprehensive Treatment, Ellis Horwood Limited, Chichester, England, 1992 ； J. Kopecky, Organic Photochemistry: A Visual Approach, VCH Publishers, Inc., New York, N.Y. 1992 ； N. J. Turro, et al., Ace. Chem. Res., 1972, 5, 92;以及 J. T. Banks, et al., J· Am. Chem. Soc., 1993, 10 115, 2473中有更詳細之說明。芳香1,2雙酮之單乙縮醛， 八1*-(：0-(：(011)2-八1"'之合成述於美國專利案第4,190,602號以 及Ger. Offen. 2,337,813中。從此類而來之較佳的化合物係 2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、c6H5-CO-C(OCH3)2-C6H5，其 可從Ciba-Geigy購得，商品名irgacure 651。其它可作為光 15 起始劑之芳香酮之例子為Irgacure 184、369、819、907以及 2959，全部可從Ciba-Geigy購得。 於本發明之一具體例中，該光起始劑係與光交聯劑結 合使用。可使用任一種在自由基產生時，與二或多種烯烴 聚合物之骨架透過與該骨架形成共價鍵而連接在一起之光 20交聯劑。較佳地’此等光交聯劑係多官能基的，即，其等 包含二或多個位點’該等位點在活化時會與該共聚物之骨 架上之位點形成共價鍵。代表性光交聯劑包括，但不限於， 多官能基乙烯基或烯丙基化合物，諸如，例如，氰尿酸三 稀丙醋、異氰尿酸三烯丙酯、四甲基丙烯酸季戊四醇酯、 43 200909452 二甲基丙烯酸乙二醇酯、順丁烯二酸二烯丙輅、順丁烯二 酸二炔丙酯'氰尿酸二炔丙基單烯丙酯等等。可於本發明 之某些具體例中使用之較佳的光交聯劑係具有多官能基 (即’至少二個）部分之化合物。特佳的光交聯劑係氰尿酸三 5稀丙醋（TAC)以及異氰尿酸三烯丙酯（TAIC)。 某些化合物可作為光起始劑以及光交聯劑。此等化合 物之特徵為，在曝露KUV光下時，能夠產生二或多個反應 性物質（如，自由基、碳烯、氮烯等等），之後與二個聚合物 鍵形成共價鍵結。任何可完成此二種功能之化合物均可在 10本發明之某些具體例中使用，代表性化合物包括在美國專 利案第6,211，302號與第6,284 842號中所述之確酸叠氣化 物。 於本發明之另—具體例中，該共聚物接受第二交聯之 處理’即除了光父聯之外之其它交聯反應。於此具體例中， 15該光起始劑與非光交聯劑，如石夕院，結合使用，或該共聚 物接又第-交聯步驟之處理，如曝露於E束放射線中。石夕院 又聯劑之代表性例子述於美國專利案第5,824,718號中，而 透過曝露於E束放射線之交聯作用述於美國專利 5,525,257號與第5,324,576號中。於此具體例中，'光交聯劑 20 之使用係非必須的。 至少一種光添加物，即，光起始劑以及任擇的光 诏，可L由此技藝中任_種已知之方法引入該共聚物中: 然而，較佳地，該光添加物係透過包含與該共聚物相同或 相異的基底樹月曰之母料濃縮物而被引入。較佳地用於母 44 200909452 料之光添加物之濃度相對地較高，如約25重量％(以該濃縮 物之總重量計）。 該至少一種光添加物係以任何有效的數量引入該共聚 物中。較佳地，該至少-種光添加物弓k數量係從約〇〇〇1 5至約曰5 ’更佳地從約0_005至約2.5以及最佳地從約〇 〇15至約 1重量％ (以該共聚物之總重量計）。 該光起始劍以及任擇的光交聯劑可在該薄膜製造過程 之不同階段期間加人。假如光添加物禁得起擠出溫度，則 稀烴聚合物樹脂可在被饋人擠出器之前，先與添加物混 10合，如’透過母料添加。it擇性地，添加劑可在正好狹縫 模頭之前導入該擠出器中，但於此情況下，擠出前，組份 有效的混合很重要。在另-方法方面，可在無光添加物之 情況下取向烯烴聚合物薄膜，而光起始劑和/或光交聯劑可 透過濕潤輥、喷霧、浸入含有添加物之溶液中或經由使用 5 ”匕後處理之工業方法，施用於該擠出的薄膜上。之後， 在連續或批次製程中，透過電磁放射所產生之具有光添加 物之薄膜進行固化。使用習知化合儀器，包括單與雙螺擠 出器’將該光添加物與烯烴聚合物摻合在一起。 選擇電磁放射之能量以及照射時間，以便使能在無聚 20合物分解和/或二維缺陷之情況下，產生足夠的交聯。較佳 的方法述於EP 0 490 854 B1中。將具有足夠熱安定性之光 添加物預先與稀經聚合物樹脂混合，擠出成薄膜，然後使 用一種能源或許多串聯連接之組件連續照射。與批次方法 相比，使用連續方法固化薄膜具有許多的優點。 45 200909452 照射可藉由使用uv射線來完成。較佳地，uV射線使 用之強度高達HKU/cm2。該照射來源可為任—#uv光產生 器，操作範圍為約50瓦至約25_瓦，具有能夠提供所欲劑 量之功率輸出。瓦特數可調整至適合的位準，其可為，例 5如，1000瓦或4800瓦或6〇〇〇瓦或更高或更低。；多其它供 用於UV照射聚合材料之裝置係此業界已知的。此照射通常 在約3細2至約500 J/scm2之劑量間，較佳地在約$動2 至約100 JW之劑量間進行。另外，雖然亦可使用較高與 較低之溫度，例如(TC至約6(rc，但該照射可方便地在室溫 1〇下進行。光交聯方法在高溫下進行得較快。較佳地，該照 射係在該物件成型或製成之後進行。於較佳具體例中，以 約10 J/cm2至約50 JW之UV射線照射已併入光添加物之 共聚物。 在此所述之聚合物亦可用於電線以及電纜包覆操作以 15及真空成型操作之薄板擠出，以及形成模製物件，包括使 用射出成型、吹塑成型或滾塑法。亦可使用熟悉聚烯烴處 理領域之人士所熟知之習知聚烯烴處理技術，將含烯烴聚 合物之組成物成形成諸如該等於之前所提及之製造物件。 亦可使用聚合物或包含該聚合物之配方，形成水性以及非 20水性分散物。亦可形成包含本發明之聚合物之泡沫發泡 體，如2004年8月25曰提申之PCT申請案 PCT/US2004/027593 ’ 公開為 W02005/021622 中所述。亦可 以已知之手段交聯該聚合物，諸如使用過氧化物、電子束、 矽炫、疊氮或其它交聯技術。亦可以化學方式改質該聚合 46 200909452 物諸如經由接枝(例如使用順丁烯二酸酐(MAH)、矽烷或 其它接枝劑）、鹵化作用、胺化作用、磺化作用或其它化學 改質。 蝻述產物之適合的最終用途包括彈性薄膜以及纖維； 5軟觸商品，諸如牙刷把手以及器械把手；抗黏組成物；封 口片、襯墊與框；膠黏劑（包括熱熔膠黏劑以及感壓膠黏 劑）；鞋類（包括鞋底以及鞋襯墊）；機動車内飾部件以及梨 材，發泡商品（開放室與封密室二種）；供用於其它熱塑性聚 合物之抗衝擊改性劑；塗佈織物；軟管；管材；防雨片材 ίο料，封〇片；地板材料；以及粘度指數改進劑，亦稱為潤滑 劑之傾點改進劑。 範例 如上所述，可藉由控制該二或多種單體，n ,之莫年分 率，選擇該聚合物之雙峰型分子量”分割，，，使得單體所之莫 15耳分率定義如下： f - [^f〇nomerM]

Jm ™ Σ[Μ〇 ηοηιβη] 此可如第20圖與第21圖所示，針對乙稀_辛烯共聚物量 化。在低Α時，低分子量分率佔多數，但&較大時，更高分 子量形式更優勢。 2〇 一般的實驗考量 除非特別指明，否則全部的試劑係在厭氧條件下，使 用處理極端空氣與水敏感性材料之標準程序處理。容劑係 在無進一步純化之情況下使用。所有其它的化學製品均為 47 200909452 可從市面上購得之材料，且以購得之形式使用。 一般的反應器聚合作用程序 在高溫下，用N2清洗1加侖的AE壓力鍋。加入 ISOPAR®E，然後將該反應器加熱至120°C。分批加入1-辛 5 烯以及氫氣至該反應器中，且在反應期間不定期添加。之 後以乙烯(450 psi)加壓該反應器。將預催化劑、助催化劑（預 催化劑之1.2當量）以及脫氧劑（預催化劑之5當量）混合，之 後使用高壓ISOPAR®E張壓液流加至該反應器中。將聚合 物產率保持在低至在實驗期間，單體組成偏移最小化之情 10 況。在預定的反應時間過後’將反應器内容物傾倒到樹脂 鍋中’且與IRGANOX®101(VIRGAFOS® 168安定劑混合物（1 g)混合。藉由在室溫下使大部分的溶劑揮發，回收該聚合 物’之後進一步在真空中，90°C下乾燥一整夜。該反應之 後’利用ISOPAR®E熱沖洗該反應器，以避免此一反應之聚 15 合物污染另一反應。 48 200909452 表1.批次反應器，使用預催化劑之乙烯/辛烯共聚合作用 範例 預催化劑* (mol) ISOPAR®E 饋入量(g) 乙烯 饋入量(g) 辛烯 饋入量(g) /2 產率 (g) 1 2.0 1591 153 11 0.02 44 2 2.0 1550 151 56 0.10 41 3 2.0 1506 153 100 0.16 46 4 2.5 1402 167 203 0.31 26 5 2.5 1201 168 400 0.47 36 6 2.5 1009 170 605 0.57 44 7 3.0 812 169 801 0.64 66 8 3.0 611 165 1003 0.69 60 9 3.0 401 166 1202 0.73 64 10 3.0 204 166 1402 0.75 52 11 3.5 10 168 1603 0.78 84 聚合條件：1.2當量助催化劑、T = 120 °C、460 psig反應器壓力、40 mmol氫 氣、t = 10分。 *預催化劑=[N-(2,6-二(1-甲乙基)苯基)醯胺基)(2-異丙苯基)(α-萘-2-二基(6-吼 5 啶-2-二基)曱烷)]铪二甲基(如美國專利申請案第20040220050號中所述)以及 助催化劑四(五氟笨基)硼酸鹽之甲基二(C14_18烷基)銨鹽(如美國專利案第 5,919,983號中所述）。 範例 Mw (kg/mol) Mn (kg/mol) MJMa 1 671 174 3.86 2 588 164 3.59 3 517 139 3.71 4 851 116 7.35 5 972 137 7.10 6 906 164 5.51 7 1015 169 6.02 8 1108 232 4.78 9 1135 202 5.62 10 1148 239 4.81 11 1013 177 5.74 49 200909452 範例12-15，連續溶液聚合作用，催化劑Ai 連續溶液聚合作用係於電腦控制的壓力鍋反應器（裝 設有内部攪拌器）中進行。於具有控制溫度之外罩以及内部 熱電耦之反應器中，提供純化混合的烷烴溶劑（可從 5 ExxonMobil, Inc.購得之is〇PAR®E)、乙烯、1-辛烯以及氫 氣（若有使用時）。用質流控制器測量饋入該反應器中之溶 劑。變速隔膜泵控制進入該反應器之溶劑流速率以及壓 力。在該泵放出液體時，取一側流以提供催化劑以及助催 化劑1注入線之沖洗流以及反應器攪拌器。此等流由 10 Micro-Motion質流計測量，且以控制閥或手動調整針形閥來 控制。剩下的溶劑與1_辛烯、乙烯以及氫氣（有使用時）合 併，且饋入該反應器中。需要時，使用質流控制器傳送氫 氣至該反應器中。該溶劑/單體溶液在進入該反應器之前， 先以熱父換器控制溫度。此流進入該反應器之底部。催化 15劑組份溶液以泵以及質流計計量，且與催化劑沖洗溶劑合 併，然後引入該反應器之底部。該反應器在5〇〇 psig (3 45 MPa)下液體充滿運作，同時激烈授拌，產物透過該反應器 之頂部之出口線移除。從該反應器而出之全部出口線係蒸 氣伴熱的以及隔熱的。於出口線添加少量的水（以及任何安 20定劑或其它添加劑，且將該混合物通過靜態混合器）可使聚 合反應停止。之後，在去揮發成份之前，令該產物流通過 熱父換器加熱。藉由使用去揮發擠壓器以及水冷卻製粒器 回收聚合物產物。方法之詳細内容以及結果置於表2中。選 定的聚合物特性提供於表3中。 50 200909452

s 0.61 3-6 寸 S 寸.e 卜 S36,9l-s 一-°0.^ sc 9ΌΖ _s s°-¾ Is-2-s s.o s Jq/sd "JF Q/ 0\ —~ν!ι -!·i )d 11^ ---- cl ^ H^ i ^ ^ w ^ mv^ν ^ 客伞鉍ovww OVSW 1#-举苗ί#-举茧茶-举羝ί#-举® Η 寸寸，0 S9O i ^.0 009 uidd i 2.0 °°·0 6-0 JS/货 oi Edd s SO SO °°s 6寸Ό 009 Edd

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•59 Γ39 9.8ε 9G SI 寸一 π - 殊^,^矣命钱爿^iM'K^^cs^-'^lla--l^-'^--cs^^^dt^^^of^of^^--H-^--NJ.J ss-m3 蛛雔」 51 200909452 表3 範例 密度^ (g/cn?) 12 Il〇/l2 Mw (g/mol) Μη (g/mol) Mw/Mn 12 0.8650 1.06 8.36 130 26.6 4.90 13 0.8560 0.92 8.00 142 49.6 2.87 14 0.8800 0.76 7.26 127 30.3 4.18 15 0.9030 0.97 7.00 107 24.3 4.40 第20-21圖中之乙烯-辛浠共聚物可以相似之方法製得。 範例16-22，出鲂聚合物A-£ 5 比較聚合物 A 係從 The Dow Chemical Company,

Midland, MI獲得之AFFINITY®PL 1880G聚合物。比較聚合 物 B 係從 The Dow Chemical Company 獲得之 ATTANE™ 4203聚合物。比較聚合物C係EXACT™ 3132，其係從 ExxonMobil Chemical, Houston，TX獲得之乙烯為主的己烯 10塑性體。比較聚合物D係照常規製成之乙烯_辛烯聚合物。 比較t合物Ε係從The Dow Chemical Company獲得之Dow ATTANE™ 4201G。比較聚合物㈣妙㈣邏遍chemkal 獲得之EXCEEDTM 1012。比較聚合物G係從The Dow Chemical Company獲得之齊格勒納塔(ziegier Natta)乙烯辛 15稀共聚物’具有炼融指數為〇 5，密度為〇 9〇3 g/cc，命名為 XUS 61520.15L。 以與在祀例12_15中所述之相似的方法製備範例 16-22 ’但是使用以下表4之製程參數。範例16 22中所產生 之聚合物之特性示於以下表5與6中。 52 200909452 /i _ ^ .ailSIl ΗΪ-Eii_k%) 6ε·0 οει.ο3,0 -Γο 9el.o ell.o -·0

s.a II·- 6--631 8·寸一 S.91 6-9I

卜26 96 s 86.68 寸卜6卜 36/, 0-s 9-6S

Z.81 661 § i loM <561 ZQZ 0 51 0 52 0 SI 0 000.0 5Ό 0000 B.o 000.0 m.o 000.0 s,l 2d -,1 o'l s.l 2-1 1-1 IK 98£ 6S 6¾ 6¾ πίζ S8O 08.0 £60 s.l 06.0 8-1 660 ΖζίΛ £9$ 6对3 6i 6寸寸9 6i 寸2 5- I 8-1 Tl.I 09.1 6- 1

9S寸 6SS 寸6S I 009 OOS ΙΌΠ 1.3 rs SI 1 1.0-i

K 冢效 £HUKu s Iοιςς 6e62 s3l 寸卜6S 69p U691 80-9-1 9-1 SI I 寸6U 汔01 9S01 8.93 ςτ寸 /.寸 •66 66 0Κ9 ΓΖΖ. s S6l SI I m 0 ττ u β 61 2 a 9ί HM 浚【(^"^-r--^qv9)砩-r.'^-ax-f54®^-)！；^粜滷(^^(^°i-l)M-9"-NJ s日-日υ蛛醵 53 200909452 表5 · 範例 密度 (g/cm3) h Il〇/l2 Mw (g/mol) Μη (g/mol) Mw/Mn B值 使用矩陣 16 0.9022 0.94 6.35 106400 28670 3.71 1.03 ------ 16.54 17 0.9020 0.95 5.66 106100 43920 2.42 1.03 -------. 15.57 18 0.9029 0.93 5.86 108300 31580 3.43 19 0.9023 0.97 5.63 105000 45900 2.29 '—----- 20 0.9125 0.93 6.16 107700 30120 3.58 1.02 10.73 21 0.9117 0.93 5.59 105200 43560 2.42 1.02 9.76 22 0.9059 0.44 6.53 125500 37300 3.36 1.024 13.95 依照以下程序測量範例16-21以及比較範例a_f之示差 掃描熱量(DSC)曲線。使用裝設有RCS冷卻配件以及自動取 5 樣器之TAI model Q1000 DSC來測定。使用氮淨化氣流5〇 cc/min。壓製該樣品’且使其在此壓機中約17rc下炼化， 然後用氣體冷卻至室溫(25 C)以形成薄膜。之後將該薄膜切 成直徑6 mm約4-8 mg之盤狀，精準稱重，置於輕鋁鍋（約5〇 mg)中，之後捲起來。以下列溫度量變曲線研究該樣品之熱 1〇性質。為了除去任何之前的熱經歷，將樣品快速地加熱至 18〇。(： ’保持等溫下3分鐘。之後將該樣品。以偷之冷 卻速率冷卻至-贼，然後保持在-贼歷時3分鐘。之後將 該樣品以1G/min之速率加熱至1赃。測量從·2〇至炼融 結束間炼融曲線下方之面積。範例16、17、2〇與21之耽 b曲料別示於第22、23、24與令。範例以歌曲線 不於第28圖中。選擇相對於線性基礎線，炫融波溫度為在 最大熱流量處之溫度。例如，於第23圖中所示之範例_ 54 200909452 熔融峰溫度為99.28°C，不是122.07°C。熔融峰溫度記述於 以下表6中。將從熔融峰溫度至熔融結束間DSC曲線下方之 面積記述為熔融峰剩餘熵。相似地，相應於該熔融峰剩餘 面積之摘係在溶融峰之剩餘烟。亦記述該溶融峰剩餘烟為 5 總熵或融合熱之百分比。DSC結果列示於以下表6中。 表6. 樣品 熔融 峰(。〇 熔融峰處 之剩餘熵 (J/g) 總熵 (J/gm) 熔融峰 剩餘面積 (%) 範例16 90.64 37.66 106 35.53 範例17 99.28 19.48 102.8 18.95 範例18 93.01 35.72 107 33.38 範例19 99.85 19.26 105 18.34 範例20 108.45 22.46 127.9 17.56 範例21 108.43 22.92 127.3 18.00 範例22 91.73 19.79 88.35 22.40 比較 聚合物A 第1次反應 100.17 14.60 106.7 13.68 第2次反應 100.02 14.53 104.9 比較聚合物B 123.01 5.95 113.3 5.25 比較聚合物C 95.42 16.60 103.8 15.99 比較聚合物D 109.77 14.43 130.6 11.05 比較聚合物E 121.87 5.816 125.6 4.63 比較聚合物F 114.84 12.77 128.5 9.94 比較聚合物G 122.04 5.69 112.4 5.06 使用不同的DSC儀器分析比較聚合物A之二種DSC曲 線。第26圖與第27圖顯示分別使用TA Instruments model 55 200909452 Q1000 DSC與ΤΑ Instruments model 2920 DSC所獲得之比 較聚合物A之DSC曲線。範例16與17之DSC曲線係雙峰型， 且寬度寬於比較聚合物A。 長鏈分枝αχΒ) 5 表7中所示之LCB結果可藉由使用在，例如，Randall (Rev· Macromol. Chem. Phys·，C29 (2&3)，p. 285-297)(其揭 示内容在此併入本案以為參考）中所述之技術，或在A. Willem deGroot and P. Steve Chum Oct. 4, 1994 conference of the Federation of Analytical Chemistry and Spectroscopy 10 Society (FACSS) in St. Louis, Mo., U.S.A.(其揭示内容在此 併入本案以為參考）中所述之技術而得。 表7. 範例 1000個竣原子中之LCB 16 <0.01 17 <0.01 18 <0.01 19 <0.01 20 <0.01 21 <0.01 22 <0.01 多層薄膜 15 在此所揭示之本發明互聚物可用於任何熟悉此技藝之 人士所知之多層薄膜。於某些具體例中，該多層薄膜包含 一基底層以及一密封層。於另一具體例中，該多層薄膜包 56 200909452 含一基底層、一密封層以及一介於該基底層與該密封層間 之連接層。 於某些具體例中，該基底層係具有熔點高於該密封層 之而t熱層。該对熱層可包含單一聚合物或二或多種聚合物 5 之掺合物。一些適合对熱層之聚合物之非限制性例子包括 聚乙烯、聚丙烯、聚丁二烯、聚苯乙烯、聚酯、聚碳酸酯、 聚醯胺以及其等之組合物。亦可使用任何其它具有熔點高 於在此揭示之密封層之聚合物。於另外的具體例中，該基 底層包含聚醯胺。 10 於特定具體例中，該基底層係具有熔點低於該密封層 之溶點之非对熱層。該非财熱層包含單一聚合物或二或多 種聚合物之摻合物。一些適合非财熱層之聚合物之非限制 性例子包括低密度聚乙烯、聚丙烯、聚（3-羥基丁酸酯） (PHB)、聚二甲基矽烷氧以及其等組合物。亦可使用任何其 15 它具有熔點低於在此揭示之密封層之聚合物。於另外的具 體例中，該基底層具有與該密封層約相同之熔點，且包含 以上所提及之任一種聚合物或其等之組合物。 於某些具體例中，該基底層之厚度可為該多層薄膜之 總厚度之約1%至約90%、從約3%至約80%、從約5%至約 20 70%、從約10%至約60%、從約15%至約50%或從約20%至 約40%。於其它具體例中，該基底層之厚度為該多層薄膜 之總厚度之約10%至約40%、從約15%至約35%、從約20% 至約30%或從約22.5%至約27.5%。於另外的具體例中，該 基底層之總厚度係該多層薄膜之總厚度之約25%。 57 200909452 該密封層可包含至少在此所揭示之乙烯/α-稀烴互聚 物。於某些具體例中，該密封層可進一步包含一或多種包 含由乙烯衍生而來之重複單元之聚合物，例如，低密度聚 乙烯、其它乙烯/α-烯烴共聚物、乙烯/醋酸乙酯共聚物、乙 5烯/烷基丙烯酸共聚物、乙烯/丙稀酸共聚物以及乙烯/丙烯 酸之金屬鹽類，通常指的是離聚體(inomers)。 於某些具體例中’該密封層之厚度為該多層薄膜之總 厚度之約1 %至約90%、從約3%至約80%、從約5%至約 70%、從約10%至約60%、從約15%至約50%或從約20%至 10約40%。於其它具體例中，該密封層之厚度為該多層薄膜 之總厚度之約10%至約40«%、從約15%至約35%、從約20% 至約30〇/〇或從約22.5%至約27.5%。於另外的具體例中，該 密封層之厚度為該多層薄膜之總厚度之約25〇/〇。 該連接層可為任一種能促進其二個鄰接層間之黏著力 15之層。於某些具體例中，該連接層介於該基底曾與密封層 之間，或鄰接該基底層與密封層。一些適合用於該連接層 之聚合物之非限制性例子包括乙稀/醋酸乙酯共聚物、乙烯 /丙烯酸甲酯共聚物、乙烯/丙烯酸丁酯共聚物、極低密度聚 乙烯(VLDPE)、超低密度聚乙烯(ULDpE)、tafmerTM樹脂 以及具較低密度之茂金屬催化的乙稀/α_烯烴共聚物。大體 而言，-些適合用於該密封層之樹脂可作為連接層樹脂。 於某些具體例中’該密封層之厚度為該多層薄膜之總厚度 之約1%至約99%、從約、從約鳩至約卿。、 從約30%至約70%或從約4〇%至約6〇%。於其它具體例中， 58 200909452 該密封層之厚度為該多層薄膜之總厚度之約45%至約 55%於另外的具體例中’該密封層之總厚度為該多層薄 膜之總厚度之約5〇%。 &某些具體例中’該多層薄膜包含至少二層。例如， 5 該多層薄膜可包含2、3、4、5、6、7、8、9、10、h、12、 13、Η、15或更多層之薄膜。 任擇地，該多層薄獏之每一層，諸如基底層、連接層 與您封層’可獨立地包含或實質上無至少一種添加物。一 些適口的添加物之非限制性例子包括塑化劑、油、壤、抗 10氧化劑、UV安定劑、著色劑或顏料、填料、助流劑、偶聯 劑、父聯劑、界面活性劑、溶劑、助滑劑、抗黏劑、潤滑 劑、抗霧劑、成核劑、阻燃劑、抗靜電劑以及其等之組合。 該添加物之總量範圍為該多層薄膜之總重量之約大於0至 約80%、從約〇.〇〇1%至約7〇%、從約〇〇1%至約6〇%、從約 15 〇 1 %至約50%、從約1 %至約4〇〇/。或從約1 〇〇/◦至約5〇〇/p 一些 聚合物添加物述於Zweifel Hans W J拙".赠

Handbook, Hanser Gardner Publications, Cincinnati, Ohio, 5th edition (2001)中，其全部揭示内容在此併入本案以為參 考。於某些具體例中，在此所揭示之多層薄膜不含諸如該 20 等在此所述之添加物。 於某些具體例中，該多層薄膜之一或多層任擇地包含 助滑劑。滑動是薄膜表面彼此之間的滑動或在其它基材上 之滑動。薄膜之滑動性能可用ASTM D 1894,汾如i am/ Kinetic Coefficients of Friction of Plastic Film and Sheeting 59 200909452 測量，其在此併入本案以為參考。一般而言，該助滑劑可 經由修改薄膜之表面特性；以及降低該薄膜之層間以及該 薄膜與將要接觸之其它表面間的磨擦力，而傳導滑動特性。 可於在此所揭示之多層薄膜之至少一外層中，添加任 5何-種助滑劑。該助滑劑之非限制性例子包括具有約似 ”勺40個兔原子之-級胺（如界酸酿胺、油酸醯胺、硬脂酸酿 胺以及山«醯胺）；具有約18至約8_炭原子之二級胺(如 硬脂基芥酸酿胺、山杳基芬酸酿胺、甲基芬酸酿胺以及乙 基芥酸醯胺）’具有約18至約8〇個碳原子之二級_雙_醯胺 ίο (如，乙烯-雙-硬脂酸醯胺以及乙烯_雙_油酸醯胺）；以及其 等之組合。 任擇地，在此揭露之多層薄膜之一或多層可包含抗黏 劑。於某些具體例中，在此揭露之多層薄膜不含抗黏劑。 該抗黏劑可用於預防該多層薄膜之接觸層間不想要之黏 15著，特別是在貯存、加工或使用時之適當的壓力以及熱下。 任何熟悉此技藝之人士所知之抗黏劑均可用於在此揭露之 多層薄膜。該抗黏劑之非限制性例子包括礦物(如，黏土、 白以及碳酸妈）、合成石夕膠(如，Grace Davison, Columbia, MD之SYLOBLOC )、天然二氧化石夕（如，Celite Corporation, 20 Santa Barbara, CA之SUPER FLOSS®)、滑石（如，Luzenac, Centennial, CO 之 OPTIBLOC®)、沸石（如，Degussa, Parsippany, NJ之 SIPERNAT®)、鋁矽酸鹽（如，Mizusawa Industrial Chemicals, Tokyo, Japan之SILTON®)、石灰石（如 Omya，Atlanta，GA 之 CARBOREX®)、球面聚合粒子（如 60 200909452

Nippon Shokubai，Tokyo, Japan之EPOSSTAR®，聚（甲基丙晞 酸甲酯）粒子，以及GE Silicones, Wilton，CT之 TOSPEARL® ’矽粒子）、蠟、醯胺（如，芥酸醢胺、油酸醯 胺、硬脂酸醯胺以及山嵛酸醯胺、乙烯-雙-硬脂酸醯胺、乙 5 烯-雙-油酸醯胺、硬脂基芬酸醯胺以及其它助滑劑）、分子 篩以及其等之組合。無機粒子可藉由在物件之間製造間隙 來降低黏結成塊，然而有機抗黏劑可移動至表面，限制表 面之黏著。當有使用時，該多層薄膜中抗黏劑之數量為該 多層薄膜之總重量之約大於〇至約3重量％、從約o.oool至約 10 2重量％、從約0.001至約1重量％或從約〇 〇〇1至約〇 5重量 %。一些抗黏劑述於Zweifel Hans以β/_，，，Ρ/α此CiS 沿⑽

Handbooks Hanser Gardner Publications, Cincinnati, Ohio, 5th edition, Chapter 7, pages 585-600 (2001)中，其在此併入 本案以為參考。 15 任擇地，在此揭露之多層薄膜中之一或多層可包含塑 化劑。一般而言，塑化劑係可增加聚合物之可撓性以及降 低聚合物之玻璃轉移溫度之化學物件。任何熟悉此技藝之 人士所知之塑化劑均可於在此揭露之多層薄膜中添加。塑 化劑之非限制性例子包括礦物油、松香酯、己二酸酯、烷 20基磺酸鹽、壬二酸酯、苯曱酸酯、氣化石臘、擰檬酸酯、 環氧化物、乙二醇醚類以及其等之酯類、縠胺酸鹽、碳氫 油類、異丁酸酯 '油酸酯類、季戊四醇衍生物、磷酸酯、 鄰苯一甲酸酯、酯類、聚丁烯、蓖麻油酸酯、葵二酸酯、磺 fe類、二-以及笨四酸酯、聯苯衍生物、硬脂酸酯類、二味 61 200909452 喃二酯類、含氟塑化劑、經基苯甲酸酯類、異氰酸醋加成 物、多環芳族化合物、天然產物衍生物、亞確酸踏、石夕氧 烧為主的塑化劑、焦油為主的產物、硫趟以及其等之組人。 當有使用的時候，該塑化劑在該多層薄膜中之數量為該多 5層薄膜之總重量之約大於〇至約15重量％、從約〇 5至約1〇 重量％或從約1至約5重量％。一些塑化劑述於Ge〇rge Wypych, ''Handbook of Plasticizers,'' ChemTec Publishing Toronto-Scarborough，Ontario (2004)中，其在此併入本案以 為參考。 10 於某些具體例中，該多層薄膜之一或多層任擇地包含 可預防該多層薄膜中，聚合物組分以及有機添加物產生氧 化之抗氧化劑。任何熟悉此技藝人士所知之抗氧化劑均可 於在此揭露之多層薄膜中添加。適合的抗氧化劑之非限制 性例子包括芳族或受阻胺，諸如烷基二苯胺、苯基_α_萘 15胺、烷基或芳烷基取代的苯基-α-萘胺、烷基化對_苯二胺、 四甲基-二胺基二苯胺等等（如，chimass〇rb 2〇2〇);酚 類，諸如2,6-二-叔-丁基_4_甲基苯酚；H5·三甲基_2,4,6_ 三（3’，5’-二-叔-丁基-4，-經苯甲基）苯；四[(亞甲基(3 5_二叔_ 丁基-4-羥苯丙酸）]甲烷（如Ciba Geigy，价评之 2〇 IRGANOX™ 1010);丙稀酿基改質的賴；十八烧基_3 5_ 一-叔-丁基-4-¾基肉桂酸酯（如，可從Ciba Geigy購得之 腦ANOX，，)；亞碟酸鹽以·酸鹽；經基胺；笨 並吱喃酮衍生物，以及其等之組合。當有使用的時候，該 抗氧化劑在該多層薄膜中之數量為該多層薄膜之總重量之 62 200909452 約大於0至約5重量％、從約0.0001至約2.5重量％、從約〇.〇〇i 至約1重量％或從約0.001至約0·5重量％。一些抗氧化劑述於 Zweifel Hans et al., "Plastics Additives Handbook,'' Hanser Gardner Publications, Cincinnati, Ohio, 5th edition, Chapter 5丨，Pages 1-140 (2001)中，其在此併入本案以為參考。 於其它具體例中，在此揭露之多層薄膜中之一或多層 任擇地包含可預防或減少該多層薄膜被UV射線降解之UV 安定劑。任何熟悉此技藝之人士所知之UV安定劑均可於在 此揭露之多層薄膜中添加。適合的UV安定劑之非限制性例 10子包括苯甲酮、苯並三唑類、芳基酯類、草醯替苯胺類、 丙烯酸酯類、甲脒、碳黑、受阻胺、鎳猝滅物(qUenchers)、 受阻胺類、酚類抗氧化劑、金屬鹽類、鋅化合物以及其等 之組合。當有使用的時候，該多層薄膜中UV安定劑之數量 為該多層薄膜之總重量之約大於0至約5重量％、從約〇.〇1 15至約3重量％、從約0.1至約2重量％或從約0.1至約1重量％。 一些UV安定劑述於Zweifel Hans以α/., "p/加如以伽·州 Handbooks Hanser Gardner Publications, Cincinnati, Ohio, 5th edition, Chapter 2, pages 141-426 (2001)中，其在此併入 本案以為參考。 20 於另外的具體例中’於在此揭露之多層薄膜中之一或 多層任擇地包含會改變人看該多層薄膜時之外觀之著色劑 或顏料。任何熟悉此技藝之人士所知之著色劑或顏料均可 於在此揭露之多層薄膜中添加。適合的著色劑或顏料之非 限制性例子包括無機顏料，諸如金屬氧化物，如氧化鐵、 63 200909452 氧化鋅以及二氧化鈦、混合型金屬氧化物、碳黑、有機顏 料’諸如蒽醌類、蒽崁蒽醌、偶氮以及單偶氮化合物、芳 基醯胺類、苯並咪唑酮、bona色澱、吡咯並吡咯二酮、二 噁嗪類、二偶氮化合物、雙芳基化合物、黃烷士酮、靛葱 5 酿、異，°朵琳嗣、異弓卜朵琳、金屬錯合物、單偶氮鹽類、萘 酴、β-萘酚、萘酚AS、萘酚色澱、二萘嵌苯類、紫環酮 (perinones)、酞菁、皮蒽酮類、二氫喹吖啶二酮以及喹酞酮 以及其等之組合。當有使用的時候，該多層薄膜中著色劑 或顏料之數量為該多層薄膜之總重量之約大〇至約丨〇重量 10 %、從約〇_1至約5重量％或從約〇_25至約2重量％。一些著色 齊J述於Zweifel Hans ei α/.,"尸/咖如义以沾ves //狀办00左，" Hanser Gardner Publications, Cincinnati, Ohio, 5th edition,

Chapter 15, pages 813_882 (2〇〇1)中，其在此併入本案以為 參考。 15 20 任擇地，在此揭露之多層薄膜中之一或多層包含可用 ;調整特別疋體積、重量、成本和/或技術性能之填料。 任何熟悉此技藝之人士所知之填料均可於在此揭露之多層 奎Ά約、黏土、高嶺土、二氧化石夕、玻璃 薄膜中添加。適合的填料之非限制性例子包括滑石、碳酸 名弓、白造、w . 氣 相(fumed)二氧化石夕、雲母、石夕礦石、長石、_呂、石夕酸 =微：執水合氧化銘，諸如三水合氧化紹、玻璃微球、 陶堯微球、_性微球、重晶石、木粉 維、大理石粉、士、P1、 石厌纖 化鋅、硫酸鋇、-氧二氧化鎂、氫氧化鎮、氧化錄、氧 —虱化鈦、鈦酸鹽以及其等之組合。於某 64 200909452 些具體例中，該填料係硫酸鋇、滑石、碳酸鈣、二氧化矽、 玻璃、玻璃纖維、氧化鋁、二氧化鈦或其等之混合物。於 其它具體例中’該填料係滑石、碳酸鈣、硫酸鋇、玻璃纖 維或其等之混合物。當有使用的時候，該多層薄膜中填料 5之數量為該多層薄膜之總重量之約大〇至約80重量％、從約 0.1至約60重量％、從約0.5至約40重量％、從約1至約30重量 %或從約10至約40重量％。一些填料述於美國專利案第 6,103,803 號以及 Zweifel Hans w a/·, "P/aWcs

Handbook,'' Hanser Gardner Publications, Cincinnati, Ohio, 10 5th edition，Chapter 17, pages 901-948 (2001)中，其二者在 此併入本案以為參考。 任擇地，在此揭示之多層薄膜中之一或多層可包含潤 滑劑。一般而言，尤其可使用潤滑劑來修飾該熔融多層薄 膜之流變性，以改善模製物件之表面平滑度，和/或促進填 15 料或顏料之分散。在此揭露之多層薄膜中可加入任何熟悉 此技藝人士已知之潤滑劑。適合的潤滑劑之非限制性例子 包括脂肪醇以及其等之二羧酸酯、短鏈醇之脂肪酸酯、脂 肪酸、脂肪酸醯胺、金屬皂、寡聚脂肪酸酯、長鏈醇之脂 肪酸酯、褐煤蠟、聚乙烯蠟、聚丙烯蠟、天然與合成石蠟、 20 氟聚合物以及其等之組合。有使用時，該潤滑劑於該多層 薄膜中之數量可從該多層薄膜之總重量之約大於〇至約5重 量％、從約0.1至約4重量％或從約0.1至約3重量％。一些適 合的潤滑劑已揭露於Zweifel Hans ei a/. "P/osi/cs JcW治·νπ Handbook^' Hanser Gardner Publications, Cincinnati, Ohio. 65 200909452 5th edition, Chapter 5, pages 511-552 (2001)中，其等在此併 入本案以為參考。 任擇地，在此揭露之多層薄膜中之一或多層可包含抗 靜電劑。大體而言，該抗靜電劑可增加該多層薄膜之導電 5性以及預防靜電荷之累積。於在此揭露之多層薄膜中可加 入任何熟悉此技藝人士所知之抗靜電劑。適合的抗靜電劑 之非限制性例子包括導電性填料(如，炭黑、金屬粒子以及 其它導電粒子）、脂肪酸酯（如，單硬脂酸甘油酯）、乙氧基 化烷胺、二乙醇醯胺、乙氧基化醇、烷基磺酸酯類、烷基 1〇磷酸酯類、季銨鹽類、烷基甜菜鹼以及其等之組合。在有 使用之情況下，該抗靜電劑於該多層薄膜中之數量可從該 多層薄膜之總重之約大於〇至約5重量％、從約〇 〇1至約3重 置％或從約0.1至約2重量％。一些適合的抗靜電劑已揭示於 Zweifel Hans ei al, "Plastics Additives Handbook：' Hanser 15 Gardner Publications, Cincinnati, Ohio, 5th edition, Chapter l〇，PageS 627-646 (2001)*，其等在此併入本案以為參考。 於進一步具體例中，在此所揭示之多層薄膜中之一或 多層任擇地包含可用於增加該多層薄狀交聯密度之交聯 劑。可於在此揭示之多層薄膜中加入熟悉此技藝之人士已 A之任何交聯劑。適合的交聯劑之非限制性例子包括有機 過氧化物(如’烧基過氧化物、芳基過氧化物、過氧醋、過 氧碳酸醋、二醯基過氧化物、過氧_以及環過氧化物）以 夕燒(如，乙稀基二甲氧基石夕燒、乙烯基三乙氧基石夕院、 烯基— (2-曱氧基乙氧基)石夕;^、乙稀基三乙酿氧基石夕烧、 66 200909452 乙烯基甲基二甲氧基矽烷以及3-甲基丙烯醯氧丙基三甲氧 基矽烷）。當有使用時，該多層薄膜中之交聯劑的數量可從 該多層薄膜之總重量之約大於0至約20重量％、從約0.1至約 15重量％或從約1至約10重量％。一些適合的交聯劑揭示於 5 Zweifel Hans et al., "Plastics Additives Handbook,'' Hanser Gardner Publications, Cincinnati, Ohio, 5th edition, Chapter 14, pages 725-812 (2001)中，其在此併入本案以為參考。 於特定具體例中’該多層薄膜之一或多層任擇地包含 諸如石油蠟、低分子量聚乙烯或聚丙烯、合成蠟、聚烯烴 10蠟、蜜蠟、植物蠟、大豆蠟、棕櫚蠟、燭蠟或具有熔點大 於25°C之乙烯/α-烯烴互聚物之蠟。於特定具體例中，該蠟 係具有數量平均分子量為約400至約6,000克/莫耳之低分子 量聚乙烯或聚丙烯。該蠟存在之範圍為該組成物之總重量之 約10%至約50%或20%至約40%。 15 藉由已知的薄膜製程，在此所揭示之乙烯/α-烯烴互聚 物可用於製備多層薄膜。於某些具體例中，該乙烯/α_烯烴 互聚物應用於該多層薄膜之密封層中。一些適合的薄膜製 程之非限制性例子包括吹膜擠出法、鑄製薄膜法以及疊膜 法。 20 般而5，擠出法係一種方法，藉此方法聚合物沿著 螺旋桿連續被向前推進，同時經高溫以高壓的區域⑽化 且=緊密壓縮，最後被強迫經過模頭。該擠出器可為單螺 方疋才干擠出器、多螺旋桿擠出器 '圓盤擠出器或柱塞式梅出 67 200909452 器。可使用各不相同類型之螺旋桿。例如，可使用單螺紋 螺旋桿、雙螺紋螺旋桿、三螺紋螺旋桿或其它多螺紋螺旋 桿。該模頭可為薄膜型模頭、吹膜模頭、薄板型模頭、管 模頭、管材模頭或型材(profile)擠出模頭。在吹膜擠出法方 5面’可使用有關單層或多層薄膜之吹膜模頭。聚合物之擠 出法已述於C. Rauwendaal，，，户0/少_ Hanser

Publishers，New York，Ν.γ. (1986);以及河】⑽⑽， ''Extruder Principals and Operation：' Ellsevier Applied Science Publishers，New York，N.Y. (1985)中，其二者之全部 10 内容在此併入本案以為參考。 疋竹汁，將一或多箱 合物饋入-含有旋轉螺旋桿之加_筒體，然㈣_ 螺旋桿向前傳送與藉由該職桿之旋轉而產生之摩捧力 熱，熔化該聚合物。該聚合物熔融物穿過該筒體㈣ 15 20 體之送料斗端至與切_連接之H概略而言， 在該筒體之—端裝上轉接11，以便在崎合魏融物祐 經該吹膜模頭的狹縫之前，提供該切_與該筒體間 個過渡&。為產生多層薄膜，可使用具有數個擠出器輿 共同的吹膜_連接在—起之設備。每擠出 部分層，其巾各㈣合㈣^犧帽化』 經過該吹賴體之狹縫被擠出。在強迫 後，繼氣從該吹膜模體的中简擠_脹」 ==子。在該模頭之上方固 出亂體於熱賴上以將其冷卻。之後令該冷卻的薄 68 200909452 過屋輕’在此該薄膜管可被麼平形成平坦的薄膜。之後可 讓該平坦的薄膜保持現狀，或可將壓平的邊緣截斷，產生 二個平坦的薄片，'然後捲在捲軸上供進—步使用。在該管 子中之空氣的容積、壓輥之速度以及擠出器之輸出速率一 5般在决疋δ亥薄膜之厚度與大小方面，扮演重要角色。 於某些具體例中’該筒體具有直徑約丨付至觸叶，從 約2叶至約8对、從約3忖至約7忖、從約4忖至約6忖、約5时。 於其它具體例中，該筒體具有直徑從約丨吋至約4吋、從約2 吋至約3吋或約2_5吋。於特定具體例中，該筒體具有長度 1〇對直徑（L/D)之比率從約10 :丄至約3〇 : !，從約15 : 1至約 25: 1或從約20·· 1至約25··卜於另外的具體例中，該L/D 比率係從約22 : 1至約26 : 1或從約24 : 1至約25 : 1。 可將該筒體分成數個溫度區域。該筒體中靠近送料斗 端之區域通常稱作區域1。區域數字依序朝向該筒體之另一 I5端增加。於某些具體例中，於筒體中有卜2、3、4、5、6、 7、8、9或10個溫度區域。於其它具體例中，於筒體中有超 過10個、超過15個、超過20個溫度區域。於該筒體中各溫 度區域之溫度之範圍從約50°F至約1000卞，從約80°F至約 800°F，從約100°F至約700°F，從約150°F至約600°F，從約 20 2〇〇°F至約500°F，從約250°F至約450°F。於某些具體例中， 該筒體之溫度從第一區至最後一區依序增加。於其它具體 例中，該筒體整個之溫度實質上保持相同。於其它具體例 中，該筒體之溫度從第一區至最後一區依序減少。於另外 的具體例中，該筒體中一區至另一區之溫度隨機改變。 69 200909452 於某些具體例中，亦可將該模頭加熱至特定的溫度， 從約250°F至約700°F，從約300°F至約600°F，從約350°F至 約550°F，從約400°F至約500°F。於其它具體例中，該模頭 溫度之範圍從約425°F至約475°F或從430°F至約450°F。 5 該轉接器之溫度可介於該模頭溫度與最後區域之溫度 之間。於某些具體例中，該轉接器溫度係從約200°F至約 650°F，從 250°F 至約 600°F，從約300°F 至約 550°F，從約 350°F至約500°F以及從約400°F至約450°F。 鑄製薄膜法 10 鑄製薄膜法涉及將熔融聚合物擠經狹縫或平坦的模 頭，以形成薄的熔融薄片或薄膜。之後利用從風刀或真空 箱而來氣衝，將此薄膜"固定(pinned)”至冷的親之表面。該 冷的報可為水冷式的以及鍵鉻的。該薄膜通常在該冷的輥 上會立即冷卻，之後可在捲繞之前，將其邊緣截斷。 15 因為快速冷卻之能力，所以鑄製薄膜通常較為光亮透 明，所以具有比吹膜高的光傳輸。此外，鑄製薄膜生產線 之速度通常比吹膜快。還有，因修邊，該鑄製薄膜方法可 能產生較多的廢料，且可能提供在橫向上具有非常少的薄 膜取向之薄膜。 20 如在吹膜中，可使用共擠出以提供在此揭示之多層薄 膜。於某些具體例中，該多層薄膜比單層薄膜多出額外的 功能性、保護性以及裝飾特性。鑄製薄膜可用於各種商業 需求以及應用，包括拉伸/黏著薄膜、個人護理薄膜、烘焙 薄膜以及高透明性薄膜。 70 200909452 於某些具體例中，鑄膜生產線可包含擠出系統、鑄造 機以及捲繞機。任擇地，該鑄膜生產線可進一步包含度量 系統、表面處理系統和/或搖擺座。鑄膜模頭通常位在主鑄 膜輥之垂直上方處’且溶融物可藉由使用風刀和/或真空箱 5 而黏抵該鑄膜輥。 鑄造機通常係設計成會去冷卻該薄膜，然後在該薄膜 上提供所欲的表面光潔度。於某些具體例中，該鑄造機包 含二個鑄膜輥。主鑄膜棍可用於該薄膜上提供最初的冷卻 以及表面光潔度。第二鑄膜輥會冷卻該薄膜之相反側，提 10供該薄膜均一度。在上面有浮雕圖案的薄膜之應用方面， 鑄膜輥可具雕刻圖案，且可用橡膠輥夾住。任擇地，可使 用水洛以及擠乾棍來冷卻§亥橡膠軺1之表面。 該鑄膜輥可為具有螺旋隔板之雙殼型（double shell)，且 可具有一内部流，設計用於維持橫過該軺；之寬度之上方溫 15度的均一性。任擇地，可用從熱交換系統來的冷水循環， 冷卻該等觀。 —旦鑄製完成，該薄臈可任擇地通過度量系統，以便 測量與控制厚度。任擇地，該薄膜可為表面以電暈(c〇r〇na) 處理的或火焰處理的，且通過搖擺座，以便在最後的捲繞 20產物中隨機排列任何的計量帶。在該鑄製薄膜進入捲繞機 之前，可將邊緣裁切回收或拋棄。於某些具體例中，有時 於具短循環周期之捲繞機上提供自動輥與軸操作儀器。 在用於製造多層薄膜之疊膜方法中，各層之聚合物係 71 200909452 獨立地經由㈣器處㈣ 物分層_頭中，形成鑄造物:後 成固態。可藉由重新從約50t加熱至約二 =、，在，速度轉動之二： 至約‘將=:::氣體加熱烤箱中—加熱 在張布機内相異的夾子早由取向薄膜定在橫向方向，然後 機内相異的夾子之間拉伸約3至物倍。 選擇性地’二個方向 該拉伸在各方向上可^^ 了问時發生’於此情況下 10 卻至接近室溫。之後&可施^約1〇倍。可將該取向薄膜冷 (c⑽na)處理與金 後來的薄膜操作，諸如電暈 不是透，模頭之階段併在一J二 15 底層-開始係鑄製的，之後棬山、某一、體例中，基 製物上。於其它具體例中，令密=層塗覆在該基底層鑄 後擠出該基底層塗覆至該密始是鑄製的，之 例中，該密封層-開始是二缉製物上。於另外的具體 底層依序或同時塗覆於該=後擠出該結合層與基 基底層一開始是鑄製的，之於另外的具體例中，該 序或同時4擠出_合層與密封層，依 20 之前或崎 若有需要，可使用習知 銀或金塗覆該多層薄膜。該=術，以諸如铭、銅、 處理該基底層或密封層之表面/層可在第—電暈(C_a) 上，之後藉由任何已知之方^語鋪在該基底層或密封層 ' 堵如濺鑛、真空沈積或電 72 200909452 鑛’施予該金屬塗層。 若需要的話，可視最後使用特別之需求，在該多層薄 膜上加入或擠出其它層（諸如黏著劑或任何其它材料）。例 如’該多層薄膜之外表面，諸如縣底層或密封層 ，可層 5疊至纖維素紙層上。

三層吹I 二層薄膜可在6吋3層共擠出吹膜生產線上，利用吹膜 擠出法而製得。設備如下： 1. 擠出器 A 21 /2’’ Egan 60 HP, 1 〇〇 amp Max, 127 RPM， 10 24 : 1比率。 2. 擠出器 B 21/2” Egan 75 HP, 123 amp Max，157 RPM, 24 : 1比率。 3_ 擠出器C2” Johnson 20 HP，42 amp Max, 150 RPM， 4 : 1比率。 15 4.牽引裝置，500 fpm Max。 一起使用具有CRT顯示屏以及列印機之Battenfeld Gloucester Extrol 6032製程控制系統以及具有三個送料斗 之Battenfeld Gloucester送料斗裝料系統。使用6吋3層共擠 出Macro模頭以及氣環’模頭間隔70密爾。使用可用於冷卻 20氣體之可變氣環控制速度之10 HP Buffalo鼓風機，以及用 導管輸入用於氣環中冷卻氣體之冷卻水。其它設備包括具 有供用於18至40吋平展之Sano塌縮架、泡分級籠以及泡圍 攔之Gloucester塔，具有夹輥54’長，可調整的泡籠升降機、 在塌縮架上之15 HP鼓風機、Gloucester 116雙塔式捲繞機， 73 200909452 具有自動切換之52"耳狀型膨脹軸、AEC之200 CFM風機盤 管換熱器、Battenfeld Gloucester内部泡冷卻（IBC)系統、用 於IBC系統之Battenfeld Gloucester冷卻系統。 使用2個用於2 1/2” Egan擠出器之螺旋桿。核心是由 5 Davis Standard製造之DSB II，具有桿狀螺紋型、測量深度 0.204吋、進料深度〇_48吋、壓縮比率2.35、MAD混合器型、 0.04忖混合清潔器、進料長度5对、橫向長度14叶以及計量 長度2吋。2 1/2" Egan擠出器之外側螺旋桿是由New Castle 製造之SF高剪切器（具2個可互換之混合器），具有SF螺紋 10 型、測量深度0.104吋、進料深度0.3吋、壓縮比率2.88、扭 轉的Egan/Z-混合器型、0.0345混合清潔器、進料長度6吋、 橫向長度63寸以及計量長度12叫*。 2” Johnson擠出器之螺旋桿是由Johnson製成，具有SF 螺紋型、測量深度0.17吋、進料深度0.425吋、壓縮比率2.5、 15 MAD混合器型、0·035吋混合清潔器、進料長度5吋、橫向 長度8吋以及計量長度8吋。 亦可使用 Precision Air Convey Coi*poration修減移除系 統模型編號BC3-06-22A以及Western Polymers Entrac Dual Iris，供用於6吋單層模頭模型編號SAT II 0601。 20 使用以上之設備，利用吹膜擠出法製造三層薄膜。第 一個擠出器用於製造密封層，其具有筒體直徑2.5吋以及單 螺紋高剪力螺旋桿，具有螺旋壓縮比率為2.88。第二個擠 出器係用於製造連接層，其具有筒體直徑2.5吋以及經修改 之雙混合型螺旋桿，具有螺旋壓縮比率為3.64。第三個擠 74 200909452 出器係用於製造基底層，其具有筒體直徑2.0吋以及單螺紋 螺旋桿，具有螺旋壓縮比率為2.5。每一個筒體具有長度與 直徑（L/D)比率為24 : 1，且具有4個溫度區域，即，區域1、 區域2、區域3以及4。區域1最接近送料斗端，而區域4最近 5 模頭端。筒體直徑為2.5吋。全部的筒體具有平滑的表面。 冷卻輥溫度為約15°C。輥夾壓力為約13 kg/cm。擠出速率 為約 35 kg/hr。 每一個擠出器之溫度概況列在以下8中。 表8· 薄膜層 密封層 連接層 基底層 區域1 (°F) 285 375 400 區域2(°F) 300 425 425 區域3(°F) 385 375 440 區域4(°F) 385 375 440 轉接器溫度(°F) 410 400 440 根據所使用之聚合物類型，製得下列薄膜。

範例BB 範例BB包含由100%範例16之聚合物製成之密封層；由 90% ATTANE™ 4201 G ( —種可從Dow Chemical構得之線 15性低密度聚乙烯(LLDPE)，具有12為1、密度0.912 g/cc)、 AMPLIFY GR 205 (— 種可從Dow Chemical購得之馬來 酸酐接枝聚乙稀）製成之連接層；以及由1〇〇〇/ ULTRAMID® C33L ( —種可由BASF購得之聚醯胺共聚物） 75 200909452 製成之基底層。該薄膜之總厚度為3.5密爾。該基底層具有 厚度0.875密爾，占總厚度之25%。該連接層具有厚度175 密爾，占總厚度之50%。該密封層具有厚度0.875，占總厚 度之25%。

5 範例CC 範例CC包含由100%範例17之聚合物製成之密封層；由 90% ATTANE™ 4201 G (—種可從Dow Chemica丨購得之線 性低密度聚乙烯(LLDPE)，具有12為卜密度0.912 g/cc〇、10% AMPLIFY™ GR 205 (— 種可從Dow Chemical購得之馬來 10 酸酐接枝聚乙烯）製成之連接層；以及由100% ULTRAMID® C33L (—種可由BASF購得之聚醯胺共聚物) 製成之基底層。該薄膜之總厚度為3.5密爾。該基底層具有 厚度0.875密爾，占總厚度之25%。該連接層具有厚度1.75 密爾，占總厚度之50%。該密封層具有厚度0.875，占總厚 15 度之25%。

比較範例DD 比較範列DD包含由100% AFFINITY™ PL 1880G (具 有I2為1以及密度0.902 g/cc)製成之密封層；由90% ATTANE™ 4201 G (—種可從Dow Chemical購得之線性低 20 密度聚乙烯(LLDPE)，具有12為1、密度0.912 g/cc)、1〇〇/。 AMPLIFY™ GR 205 (— 種可從Dow Chemical購得之馬來 酸酐接枝聚乙烯）製成之連接層；以及由100% ULTRAMID® C33L (—種可由BASF講得之聚醢胺共聚物） 製成之基底層。該薄膜之總厚度為3.5密爾。該基底層具有 76 200909452 厚度0.875密爾，占總厚度之25%。該連接層具有厚度1·75 密爾，占總厚度之50%。該密封層具有厚度0.875，占總厚 度之25%。 比#交範4歹1J ΕΕ 5 比較範例ΕΕ包含由100% EXACT™ 3132 (具有12為 1.02以及密度〇.9〇〇g/cc)製成之密封層；由90%ATTANE™ 4201 G ( —種可從Dow Chemical購得之線性低密度聚乙烯 (LLDPE)’ 具有12為卜密度0.912 g/cc)、10% AMPLIFY™ GR ( 205 (—種可從Dow Chemical購得之馬來酸酐接枝聚乙烯） 10 製成之連接層；以及由100%ULTRAMID® C33L (—種可由 BASF購得之聚醯胺共聚物）製成之基底層。該薄膜之總厚 度為3.5密爾。該基底層具有厚度〇_875密爾，占總厚度之 25%。該連接層具有厚度1.75密爾，占總厚度之50%。該密 封層具有厚度0.875，占總厚度之25%。

15 篏例II 範例II係二層的薄膜。基底層係由雙軸取向聚丙烯 ί (ΒΟΡΡ)製成，厚度0.5密爾。密封層係由範例18之聚合物製 . 成，厚度0.75密爾。

範例JJ 20 範例JJ係三層薄膜。内側基底層係由PET或耐龍製成， 厚度2密爾。外側密封層係由範例19之聚合物製成，厚度2 密爾。介於該密封層與基底層之間之連接層係聚（乙、歸醋酸 乙烯酯），厚度1密爾。

释例KK 77 200909452 範例κκ係四層薄膜。第一層是由聚碳酸酯製成之基底 層，厚度0.1密爾。第二層是由低密度聚乙烯(LDPE)製成之 連接層，厚度0.3密爾。第三層是由範例20之聚合物製成之 密封層，厚度0.7密爾。

5 範例LL 範例LL係五層薄膜。第一層是由聚苯乙烯製成之基底 層，厚度0.3密爾。第二層是由酸改質的聚烯烴聚合物製成 之連接層，厚度1密爾。第三層是由二氣乙烯(VDC)_丙烯酸 甲酯(MA)共聚物製成之中間層，厚度〇5密爾。第四層是亦 10由酸改質的聚婦煙聚合物製成之連接層，厚度1密爾。第五 層是由範例21之聚合物製成之密封層，厚度18密爾。 關於範例BB-EE，擠出器之概況與表8所示大致相同。 關於以下範例MM至PP，擠出器之概況示於以下表8a中： 表8a. 薄層 密封層 連接層 基底層 區域1 (°F) 375 375 400 區域2(°F) 425 425 425 區域3 (下） 375 375 440 區域4(下） 375 375 440 轉接器溫度(°F) 400 400 440

範例MM 範例MM包含由100%範例20之聚合物製成之密封層； 由 90% DOWLEXTM 2038.68G (—種可從Dow Chemical購得 78 15 200909452 之線性低密度聚乙烯（LLDPE) ’具有ι2為1、密度〇 935 g/cc)、10% AMPLIFY™ GR 205 (— 種可從D〇w Chemical購 得之馬來酸酐接枝聚乙烤）製成之連接層；以及由100% ULTRAMID® C33L ( —種可由BASF購得之聚醯胺共聚物) 5製成之基底層。該薄膜之總厚度為3.5密爾。該基底層具有 厚度0.875密爾，占總厚度之25%。該連接層具有厚度I.% 密爾’占總厚度之50%。該密封層具有厚度〇_875，占總厚 度之25%。

範例NN 10 範例NN包含由100%範例21之聚合物製成之密封層；由 90% DOWLEX™ 2038.68G ( —種可從Dow Chemical購得之 線性低密度聚乙烯(LLDPE))、1 〇% AMPLIFY™ GR 205 (— 種可從Dow Chemical購得之馬來酸酐接枝聚乙烯）製成之

連接層；以及由100% ULTRAMID® C33L (—種可由BASF 15 購得之聚醯胺共聚物）製成之基底層。該薄膜之總厚度為3.5 密爾。該基底層具有厚度0.875密爾，占總厚度之25%。該 連接層具有厚度1.75密爾，占總厚度之50%。該密封層具有 厚度0.875，占總厚度之25%。 比較範例〇0 20 比較範例00係由100% ATTANE™ 42〇lG之聚合物製 成之密封層；由90%DOWLEXTM 2038.68G (—種可從D〇w Chemical購得之線性低密度聚乙烯（LLDPE))、1〇〇/。 AMPLIFY™ GR 205 (—種可從Dow Chemical購得之馬來 酸酐接枝聚乙烯）製成之連接層；以及由100% 79 200909452 ULTRAMID® C33L (—種可由BASF購得之聚醯胺共聚物) 製成之基底層。該薄膜之總厚度為3.5密爾。該基底層具有 厚度0.875密爾，占總厚度之25%。該連接層具有厚度1.75 密爾，占總厚度之50%。該密封層具有厚度0.875，占總厚 5 度之25%。

比較範例PP 比較範例PP係由100% EXCEED™ 1012CA之聚合物(12 為1，密度0.912 g/cc，可從ExxonMobil Corporation購得 LLDPE)製成之密封層；由 90%DOWLEX™ 2038.68G (—種 10 可從Dow Chemical購得之線性低密度聚乙烯(LLDPE))、 10% AMPLIFY™ GR 205 (一種可從Dow Chemical購得之 馬來酸酐接枝聚乙烯）製成之連接層；以及由100% ULTRAMID® C33L (—種可由BASF購得之聚醯胺共聚物) 製成之基底層。該薄膜之總厚度為3.5密爾。該基底層具有 15 厚度0.875密爾’占總厚度之25%。該連接層具有厚度1.75 密爾，占總厚度之50%。該密封層具有厚度0.875，占總厚 度之25%。 熱黏強度 BB-PP之熱黏強度係在J&B型熱黏度測試儀上，依照 2〇 ASTM F 1921 ’方法B測量。當密封層之厚度小於1密爾時， 停留時間為500 ms。密封壓力為27.5 N/cm2。測試樣本為1 吋寬，然後依照ASTM E 171調整。全部的測試樣本在脫膠 模式下均失敗。結果列於以下表9中。 80 200909452 表9. 範例 密封棒溫度(°c) 80 90 100 110 120 130 140 150 160 範例 BB 樣本编被 5 5 7 6 5 7 6 5 7 平均熱黏度(N) 0.86 1.43 3.87 6.43 8.58 7.58 5.96 3.99 2.84 標準差(N) 0.39 0.59 0.61 0.55 0,35 0.69 0.60 0.32 0.49 範例 CC 樣本编说 3 7 12 9 5 6 8 9 5 平均熱黏度(N) 0.25 1.78 6.51 11.94 11.49 10.94 7.81 4.99 0.07 標準差(N) 0.16 0.49 1.45 1.58 0.65 0.89 1.12 0.84 0.04 範例 DD 樣本编號 6 6 9 6 6 5 7 9 9 平均熱黏度(N) 3.12 4.26 6.18 6.20 6.50 5.54 4.80 4.09 3.38 標準差(N) 0.28 0.47 0.9 0.57 0.72 0.39 0.49 0.88 0.84 範例 EE 樣本编说 5 5 12 6 6 10 10 8 14 平均熱黏度(N) 035 0.86 8.45 13.72 8.5 8.55 6.7 3.98 4.43 標準差(N) 0.22 0.81 1.52 0.67 0.54 1.12 1.21 0.75 2.18 範例 MM 樣本编號 0 4 4 4 4 4 4 4 6 平均熱黏度(N) 0.08 2.01 6.63 9.08 9.98 8.64 6.97 4.14 標準差(N) 0.02 0.68 1.41 0.20 0.29 0.26 0.70 1.02 範例 NN 樣本编號 0 4 3 4 4 4 4 4 4 平均熱黏度(N) 0.06 1.30 8.86 11.52 11.94 9.64 6.19 4.28 標準差(N) 0.02 0.23 0.63 0.85 0.37 1.58 0.62 0.62 範例 〇〇 樣本编號 4 4 4 4 4 4 4 4 4 平均熱黏度(N) 3.16 4.85 6.06 6.64 6.38 6.15 5.82 5.15 4.42 標準差(N) 1.31 0.48 0.38 0.18 0.33 0.25 1.46 0.87 0.62 -----— 範例 PP 樣本编號 4 4 4 4 4 4 4 4 6 平均熱黏度(N) 0.10 1.84 6.86 10.31 10.10 9.90 9.30 6.49 4,49 標準差(N) 0.04 0.63 1.19 0.55 1.48 0.42 1.48 1.11 1.44 81 200909452 的、^、〇〇與现之多層薄膜’在不同溫度下之平均 熱黏力（N)示於第3G圖中。可看到，與包含比較聚合物之 與EE相比’包含本發明聚合物之卵與⑶具有改善的熱黏 特性。範例MM、NN、00與PP之多層薄膜之平均熱黏力(二） 示於第31圖中。亦可看到，與範_與冲相比範例· 具有改善的熱黏特性。 取向膜 使用範例22之乙烯/α_烯烴互聚物製成25密爾厚的薄 10 15 膜，之後使用Bruckner雙軸張布架實驗室規模裝置，在每二 方向雙軸拉伸約4.5秒至薄膜厚度m.25密爾 = _ m ^寻膜在各 種7皿度以及裝有測量儀器的鏢下取向，在室温下，使用直 徑0.5吋大小之鏢、夾具直徑薄膜/15夾具以及速度3 測量衝擊。包含範例22之互聚物之取向膜之結果示於表1〇 中。再次進行以上程序，除了以比較聚合物G取代範例22 之聚合物。包含比較聚合物G之互聚物之取向膜之 表11中。 、，°果不於 表10-範例22之取向膜

總能量平 總能量 最大變形平均值(呀） 最大變 最而能量平均砝、 最高能 最大負 最大負載標準差(續） 82 200909452 表比較聚合物G之取向膜 取向溫度 91 °C 94°C 98°C 一 102°C 最大變形平均值(吋） 2 2 1.9 1.9 最大變形標準差(吋） 0 0 0 0 最咼能重平均值(叶_镑） 15 13.3 11 9.6 敢南能量標準差(叶_碎） 1.2 2.2 1.8 1.3 最大負載平均值(磅） 52.6 47 39.9 33.8 最大負載標準差(磅） 1.1 1.6 2.1 1.6 總能:平均值(叶-镑） 15.2 1 13.7 11.6 10 總能量標準差(吋-崎） 1.5 1.9 1.8 1.3 包3範例22之薄膜以及包含比較聚合物〇之薄膜之平 均农大負載以及平均總能量之比較，示於第32圖中。 5 雙軸取向多層簿眩 第一阻透層一包含阻透聚合物，特別是具有阻氧性 的。適合的阻透聚合物係聚偏氣乙烯(如，來自D〇w chemkal company之Saran)、EVOH、耐龍等等。 黏著層一黏著層各黏附至該阻透層之各別的相反表 10面。適合作為黏著層之聚合物包括EVA、ΜΑΗ接枝聚乙烯 等等。 使用此技藝中眾所周知之雙泡、截留泡(trapped bubble) 或張布架方法，在低於獨特的半均質聚乙烯樹脂之熔點 下，雙軸取向該多層薄膜。該薄膜可在該取向步驟之前或 15之後，透過E束放射或UV放射進行交聯。在第二泡中相對 地保留擠出加工以及減緩取向時，該薄膜具有改善的穿刺 與鏢衝擊(韌性)特性。多層薄膜可依照本發明，使用如美國 83 200909452 專利案第3,456,044號之雙泡法製得。若需要的話，該膜可 在該取向步驟之前或之後進行放射照射。以下薄膜範例可 依照本發明製得。可改變層的比率以及薄膜厚度來達到所 欲阻透特性以及所欲的堅韌（穿刺與鏢衝擊）特性。 5 第1層 乙浠/α-烯烴互聚物 第2層 透聚合物 偏氯乙烯-丙烯酸甲酯（VDC-MA)共聚物作為阻 第3層 聚烯烴 10 第1層 乙烯/α-烯烴互聚物 第2層 黏著層 第3層 VDC-MA共聚物 第4層 包含12% VA EVA之黏著層 15 第5層 乙稀/α-烯烴互聚物 第1層 乙烯/ α-稀烴互聚物-EVA摻合物 第2層 黏著層 第3層 VDC-MA共聚物 第4層 黏著層 20 第5層 乙稀/α-稀烴互聚物 第1層 乙稀/α-烯烴互聚物-EVA摻合物 第2層 黏著層 第3層 VDC-MA共聚物 25 第4層 黏著層 第5層 物 乙烯/α-烯烴互聚物-EVA (12% VA) 70/30摻合 第1層 对龍6 30 第2層 黏著層 第3層 EVOH 第4層 黏著層 第5層 乙稀/α-烯烴互聚物 84 200909452 第1層对龍6 第2層黏著層 第3層70/30 EVOH/耐龍6摻合物 第4層黏著層 第5層乙稀/α-烯烴互聚物 第1層乙烯/α-烯烴互聚物-VLDPE (0.905 g/cc、0.8 ΜΙ) 70/30摻合物 10 第2層 黏著層 第3層 VDC-MA共聚物 第4層 黏著層 第5層 乙稀/α-烯烴互聚物 15 第1層 乙烯/α-烯烴互聚物-VLDPE摻合物 第2層 黏著層 第3層 VDC-MA共聚物 第4層 黏著層，12% VA EVA 第5層 乙烯/α-烯烴互聚物- VLDPE摻合物 20 第1層 乙烯/α-烯烴互聚物-LLDPE摻合物 第2層 黏著層，12% VA EVA 第3層 VDC-MA共聚物 第4層 黏著層，12% VA EVA 25 第5層 乙稀/α-稀烴互聚物 第1層 乙烯/α-烯烴互聚-EVA摻合物 第2層 VDC-MA共聚物 第3層 乙烯/α-烯烴互聚-EVA摻合物 30 第1層 乙烯/α-稀烴互聚物 第2層 黏著層 第3層 EVOH 第4層 黏著層 35 第5層 乙稀/α-烯烴互聚物 85 200909452 第1層乙烯/α-稀烴互聚物 第2層黏著層 第3層EVOH-耐龍摻合物 第4層黏著層 第5層乙浠/α-稀烴互聚物 10

第1層乙烯/α-稀烴互聚物 第2層黏著層 第 3層 VDC-MA 第4層黏著層 第5層VLDPE 第1層乙浠/α-烯烴互聚物，具有0.902 g/cc，ΜΙ=1·0， 15 Ιι〇/ΐ2=5.6 第2層黏著層 第3層PET或耐龍 第1層乙烯/α-烯烴互聚物，具有0.902 g/cc，ΜΙ=1·0， 20 Ιι〇/ΐ2=5.6 第2層黏著層 第3層VDC-MA共聚物 第4層黏著層 第5層对龍 25 第1層乙烯/α-稀烴互聚物，具有0.902 g/cc，ΜΙ=1·0， Ιι〇/ΐ2~5.6 第2層黏著層 第3層ΒΟΡΡ 30 第1層乙烯/(X-烯烴互聚物，具有0.902 g/cc，ΜΙ=1.0， Ιι〇/ΐ2=5·6 第2層LDPE 第3層ΒΟΡΡ 86 35 200909452 理論方法以及解釋 為支持本發明，使用市售可得之軟體套組’由Gaussian，

Inc.，Pittsburgh Pa.，2001 銷售之Gaussian98 Revision A. 10 進行計算。該計算結果利用如在Becke, A. D··/. Oiew.尸紗义 5 1993, 98, 5648 ； Lee, C.; Yang, W.; Parr, R. G. Phys. Rev B 1988, 37, 785 ;以及Miehlich，B·; Savin, A·; Stoll, H·; Preuss, H. C/zem.尸Ze/i. 1989, 157，200中所述之岔度泛函理論 (DFT)方法，B3LYP，其等每一篇均在此併入本案以為參 考。在少數情況下，使用如M0ller，C·; Plesset，M_ S. ΡΑγ· 10 Rev. 1934, 46, 618 ； Head-Gordon, M.; Pople, J. A.; Frisch, M. J. Chem. Phys. Lett. 1988, 153, 503 ； Frisch, M. J.; Head-Gordon, M.; Pople, J. A. Chem. Phys. Lett. 1990, 166, 275 ； Frisch, M. J.; Head-Gordon, M.; Pople, J. A. Chem. Phys. Lett. 1990, 166, 281 ； Head-Gordon, M.; Head-Gordon, 15 T. Zeii· 1994, 220，122 ;以及Saebo, S.; Almlof, J. C^e/n. 少Zeii· 1989, 154, 83中所述之習知相關性理 論，二階M0ller-Plesset微擾理論(MP2)再確認該等結果，其 等每一篇均在此併入本案以為參考。從品質上來講，使用 MP2之結果與B3LYP相似。使用以及測試一系列不同的基 20 底函數組。一開始針對全部的原子使用如Dunning, Jr.，T. H.; Hay, P. J. in Μοί/erw Ed. H. F.

Schaefer, III, Plenum, New York, 1976, vol 3, 1 ； Hay, P. J. Wadt, W. R. J. Chem. Phys. 1985, 82, 270 ； Wadt, W. R; Hay, P· J_ 乂 CAem·尸/^· 1985, 82, 284;以及Hay，P· J. Wadt，W. R. 87 200909452 / 抑只· 1985, 82, 299中所述之適度的LANL2DZ基底 函數組，但漸進地使用較大的基底函數組，諸如i)如Ditchfield， R.; Hehre, W. J.； Pople, J. A. J. Chem. Phys. 1971, 54, 724 ； Hehre, W. J.; Ditchfleld, R.; Pople, J. A. J. Chem. Phys. 1972, 5 56, 2257 ;以及Gordon, M· S. C7^w.1980, 76, 163 中所述’在過渡金屬上使用LANL2DZ以及在全部其它原子 上使用 6-31G* ’以及ii)如McLean, A. D·; Chandler, G. S. ·/. CAem. /%义 1980, 72, 5639 ;以及Krishnan, R·; Binkley, J. S.; Seeger, R·; Pople，J_ A. / C/iew· 1980, 72, 650中所述， 10在過渡金屬上使用LANL2DZ以及在全部其它原子上使用 6-311G**，且此等在品質上不會改變該等結果。算入在給 定溫度下之熵與自由能修正，亦不會顯著改變該等結果。 該計算涉及定位位能表面上之四個不動點（見圖示1)。 利用Gaussian98程式裡面之標準最佳化以及預設值’其包括 15 如Peng, C·; Ayala, P. Y·; Schlegel，Η. B. Frisch, M. J. ·/_

Comp. C/iem. 1996, 17，49 ; W&Peng，C.;Schlegel，H.B·

Zsrae/. J. CTiem. 1994, 33, 449中所述之多餘内座標系統中 之Berny最佳化。該四個定位的結構係乙烯插入原始形式之 M-芳基或M-烴基鍵之過渡狀態（1)、乙烯插入原始形式之多 20聚合鏈之過渡狀態(2)、插入該芳基或烴基基團之產物(3)以 及插入該多聚合鏈之產物(4)。利用僅有的一個由質量加權 (mass-weighting)對角線化該二階導數或赫氏矩陣而來之特 徵值(相應於反應座標）決定之虛頻率，確定以過渡狀態界定 的不動點。二個產物3與4在此分析中沒有虛頻率。 88 200909452 卜

I,TS

2, IS 4,產物 3,產物 圖式1:從芳基或烴基插入的以及從烷基插入的產物之路徑 在有關乙烯/辛烯之範例中，可能形成超過一種可能之 插入的催化劑。圖式2指示四種從一面之可能的辛烯插入的 5 催化劑。此等獨特的催化劑各可製造具有不同特性(諸如分 子量以及共單體併入)之聚合物。 己基4. 聚合物 .、公己基

聚合物 >己基 聚合物 己基、 聚合物 闽式2 :四種可能之經辛烯插入的催化劑 89 200909452 插入可在該催化劑之頂面與底面發生，且取決於該起 始催化劑之整體對稱性，此等可能是獨特的（圖示3)。關於 以下特別的催化劑，插入該頂面與底面會產生獨特的異構 物。因此，在乙烯/辛烯聚合化方面，可能產生高達10個獨 特的‘插入的，催化劑。以上提及之計算結果指出，並不是全 部都是適合的，但無疑超過1種係可能的。如上所述，申請 人已確定，可使用不同的條件以便有利於某些形式。

R TS

TS

Me 產物 產物 圖式3 :乙稀插入起始催化劑之頂面舆底面。此二種產 10物是否為相異的，取決於該催化劑之對稱性(在R舆R，處之 基團）。 根據以上一者之催化劑活性’可評估阻礙對聚合作用 之重要性。假如插入該芳基或烴基高於插入該院基之能量 低於1 〇 kcal/mol ’則此反應會在聚合作用之循環期間發 200909452 生。從圖式1與4 ,此暗示著TS 1位在TS 2上方不超過10 kCal/m〇1。較佳的是此差異低於5 kcal/mol，甚至更佳地插 入該芳基或烴基低於插入該烷基。插入烷基並不是一個可 逆的過程，但避免逆轉插入芳基或烴基，插入芳基或烴基 之產物不此位在插入該烧基上方超過5 kcai/m〇b從圖式1 與4，此暗示著產物3位在產物4上方不超過$ kcal/m〇1。然 而，較佳地，此差異很小，甚至更佳地芳基或烴基插入之產 物低於烷基插入之產物。圖式4指出二種方法之位能表面。

10 圖式4 :插入該Hf-芳基以&Hf•烷基鍵之位能表面 熟悉此技藝之人士應能把以上定律用於選擇反應條件 以及催化劑，以便達到所欲之可控的分子量。

【圖式簡單說明;J 第1-14圖係一系列解釋共聚合反應中多位點特性之幻 15 燈片。 第15-19圖係分別從範例4、6、12、14以及15製得之聚 合物的示差掃描熱量(DSC)曲線。 91 200909452 第20圖描述乙烯_辛烯共聚物之分子量分佈。 第21圖描述辛烯莫耳分率對高分子量聚合物之分率的 影響。 第 22、23、24與25 圖顯示使用 TA Instruments model Q1000 DSC ’分別針對範例16、17、2〇以及21之互聚物所 測得之DSC曲線以及熔融峰溫度。 第26圖顯示使用 TA Instruments model Q1000 DSC，針 對比較聚合物A之聚合物所測得之DSc曲線以及熔融峰溫 度。 10 弟27圖顯示使用 TA Instruments model 2920 DSC，針對 比較聚合物A之聚合物所測得之DSc曲線以及熔融峰溫度。 第28圖顯示使用 ta Instruments model Q1000 DSC，針 對範例22之互聚物所測得之DSC曲線。 第29圖係顯示使用二乙基鋅(DEZ)製得之發明聚合物 15以及不使用DEZ製得之發明聚合物中，乙烯/α_烯烴互聚物 之密度為1-辛烯之重量百分比的函數之圖表。 第30圖係顯示本發明多層薄膜ΒΒ和cc與比較多層薄 膜DD和ΕΕ之平均熱黏力（Ν)，即平均熱黏強度，之圖。 第31圖係顯示本發明多層薄膜MM和NN與比較多層薄 20膜〇〇和ρρ之平均熱黏力（Ν)，即平均熱黏強度，之圖。 第32圖係顯示包含範例22之互聚物之取向薄膜與包含 比較聚合物G之取向薄膜之平均波峰負載與平均總能量之 比較圖。 【主要元件符號說明】 (無） 92

Claims (1)

1. 200909452 十、申請專利範圍： L 一種多層薄膜，其包含： κ 一基底層，其包含一第一聚合物； u· 一連接層，其包含一第二聚合物；以及 Hi.遂、封層’其包含一乙稀/α-稀烴互聚物， 其中該連接層介於該基底層與該密封層之間，以及 其中忒岔封層之乙烯/α_烯烴互聚物具有一DS(：曲線，其 特徵為’從熔融峰值溫度至熔融結束間DSC曲線下方之 面積’為從-20。(：至熔融結束間DSC熔融曲線下方總面積 10 之至少約17%。 2·如申請專利範圍第1項之多層薄膜，其巾該互聚物具有 DSC曲線，其特徵為，從熔融峰溫度至熔融結束間 DSC曲線下方之面積，為從_2〇<^至溶融結束間DSC炼融 曲線下方總面積之至少約1804。 15 3.如申請專利範圍第2項之多層薄膜，其中該互聚物具有 DSC曲線，其特徵為，從熔融♦溫度至熔融結束間 DSC曲線下方之面積，為從_2〇它至熔融結束間DSC熔融 曲線下方總面積之至少約18至約25%。 4. 如申請專利範圍第！項之多層薄膜，其中該互聚物具有B 20 值大於0.98。 5. 如申請專利範圍第4項之多層薄膜，其中該互聚物具有B 值大於0.99。 6_如申請專利範圍第5項之多層薄膜，其中該互聚物具有B 值大於1.0。 93 200909452 7. 如申請專利範圍第6項之多層薄膜，其中該互聚物具有b 值大於1.02。 8. 如申請專利範圍第3項之多層薄膜，其中該互聚物具有b 值大於0.98。 5 9. Μ請專利範圍第1項之多層薄膜，其中該互聚物具有 岔度之範圍從約〇.875 §/(^至約〇.915笆/(^。 瓜如申請專利範圍第i項之多層薄膜，其中該互聚物具有 岔度之範圍從約0.895 g/cc至約0.910 g/cc。 1 u·如巾請專利範圍第1項之多層薄膜，其中該互聚物具有 10 分子量分佈之範圍從約2.0至約3.8。 12_如申請專·圍第11項之多層薄膜，其中該互聚物具有 分子量分佈之範圍從約2.2至約2.8。 13.如申請專利範圍第1項之多層薄膜，其中該互聚物具有 ί|〇/Ι1 2之範圍從約5.5至約6.5。 15 Κ如巾請專利範圍第13項之多層薄膜，其中該互聚物具有 94 1 1〇/12之範圍從約5.6至約6.3。 15.如申請專利範圍第丨項之多層薄膜，其中該互聚物每 1000個碳原子中具有少於0.1個長鏈分枝。 6·*申凊專利範圍第15項之多層薄膜，其中該互聚物具有 I2熔融指數之範圍從約〇 2至約20。 2 如申請專利範圍第1項之多層薄膜，其中該第一聚合物 係擇自於由下列所構成之群組：聚乙烯、聚丙烯、聚丁 —稀、聚本乙稀、聚醋、聚碳酸酯、聚醯胺以及其等之 組合。 200909452 18. 如申請專利範圍第1項之多層薄膜，其中該第一聚合物 係聚醯胺。 19. 如申請專利範圍第1項之多層薄膜，其中該第二聚合物 係擇自於由下列所構成之群組：聚乙烯、聚（乙烯醋酸 5 乙烯酯）、酐改質的聚烯烴聚合物、EVA與酐改質的聚烯 _ 烴聚合物之摻合物、酐改質的E VA聚合物、酸改質的E VA 聚合物、酸改質的聚烯烴聚合物、非晶形聚烯烴改質的 EVA聚合物、任何以上之材料與聚酯或共聚酯之摻合 物、聚烯烴與聚酯或共聚酯之摻合物以及其等之組合。 10 20.如申請專利範圍第19項之多層薄膜，其中該第二聚合物 係順丁烯二酸酐改質的聚烯烴聚合物。 21. 如申請專利範圍第1項之多層薄膜，其中該密封層：該 連接層：該基底層之厚度比率為約1 : 2 : 1。 22. —種物件，其包含如申請專利範圍第1項之多層薄膜。 15 23.如申請專利範圍第22項之物件，其中該互聚物具有一 DSC曲線，其特徵為，從熔融峰溫度至熔融結束間DSC 曲線下方之面積，為從-20°C至熔融結束間DSC熔融曲線 • 下方總面積之至少約17%。 24. 如申請專利範圍第23項之物件，其中該互聚物具有一 20 DSC曲線，其特徵為，從熔融峰溫度至熔融結束間DSC 曲線下方之面積，為從-2 0 °C至熔融結束間D S C熔融曲線 下方總面積之至少約18%。 25. 如申請專利範圍第22項之物件，其中該第一聚合物係擇 自於由下列所構成之群組：聚乙稀、聚丙烯、聚丁二烯、 95 200909452 聚苯乙烯、聚酯、聚碳酸酯、聚醯胺以及其等之組合。 26. 如申請專利範圍第25項之物件，其中該第一聚合物係聚 醯胺。 27. 如申請專利範圍第22項之物件，其中該第二聚合物係擇 5 自於由下列所構成之群組：聚乙烯、聚（乙烯醋酸乙烯 酯）、酐改質的聚烯烴聚合物、EVA與酐改質的聚烯烴聚 合物之摻合物、酐改質的EVA聚合物、酸改質的EVA聚 合物、酸改質的聚烯烴聚合物、非晶形聚烯烴改質的 EVA聚合物、任何以上之材料與聚酯或共聚酯之摻合 10 物、聚稀烴與聚酯或共聚酯之摻合物以及其等之組合。 28. 如申請專利範圍第27項之物件，其中該第二聚合物係順 丁烯二酸酐改質的聚烯烴聚合物。 29. 如申請專利範圍第22項之物件，其中該物件係包裝材 料。 15 30.如申請專利範圍第29項之物件，其中該包裝材料係食品 包裝材料。 31. —種薄層，其包含乙烯/α-烯烴互聚物，具有一DSC曲 線，其特徵為，從熔融峰溫度至熔融結束間DSC曲線下 方之面積，為從-20°C至熔融結束間DSC熔融曲線下方總 20 面積之至少約17%。 32_如申請專利範圍第31項之薄層，其中該互聚物具有一 DSC曲線，其特徵為，從熔融峰溫度至熔融結束間DSC 曲線下方之面積，為從-20°C至熔融結束間DSC熔融曲線 下方總面積之至少約18%。 96 200909452 33.如申請專利範圍第32項之薄層，其中該互聚物具有一 DSC曲線，其特徵為，從熔融峰溫度至熔融結束間DSC 曲線下方之面積，為從-20°C至熔融結束間DSC熔融曲線 下方總面積之至少約18至約25%。 5 34.如申請專利範圍第31項之薄層，其中該互聚物具有B值 大於0.98。 35. 如申請專利範圍第31項之薄層，其中該互聚物具有B值 大於0.99。 36. 如申請專利範圍第31項之薄層，其中該互聚物具有B值 10 大於1.0。 37. 如申請專利範圍第31項之薄層，其中該互聚物具有B值 大於1.02。 38. 如申請專利範圍第31項之薄層，其中該互聚物具有密度 之範圍從約〇_875 g/cc至約0.915 g/cc。 15 39. —種乙稀/α-烯烴互聚物，其具有一 DSC曲線，其特徵 為，從熔融峰溫度至熔融結束間DSC曲線下方之面積， 為從-2 0 °C至熔融結束間D S C熔融曲線下方總面積之至 少約17%。 40. 如申請專利範圍第39項之乙稀/α-烯烴互聚物，其具有一 20 DSC曲線，其特徵為，從熔融峰溫度至熔融結束間DSC 曲線下方之面積，為從-20°C至熔融結束間DSC熔融曲線 下方總面積之至少約18%。 41. 如申請專利範圍第39項之乙烯/α-烯烴互聚物，其具有B 值大於約0.98。 97 200909452 42.如申請專利範圍第39項之乙烯/α-烯烴互聚物，其具有一 DSC曲線，其特徵為，從熔融峰溫度至熔融結束間DSC 曲線下方之面積，為從-20°C至熔融結束間DSC熔融曲線 下方總面積之至少約18至約35%。 5 43.如申請專利範圍第39項之乙烯/α-烯烴互聚物，其具有一 DSC曲線，其特徵為，從熔融峰溫度至熔融結束間DSC 曲線下方之面積，為從-2 0 °C至熔融結束間D S C熔融曲線 下方總面積之至少約20%。 44. 如申請專利範圍第39項之乙烯/α-烯烴互聚物，其具有B 10 值大於約0.99。 45. 如申請專利範圍第39項之乙烯/α-烯烴互聚物，其具有Β 值大於約1.0。 46. 如申請專利範圍第39項之乙烯/α-烯烴互聚物，其具有Β 值大於約1.02。 15 47.如申請專利範圍第39項之乙烯/α-烯烴互聚物，其具有密 度之範圍從約0.875 g/cc至約0.915 g/cc。 48. 如申請專利範圍第39項之乙烯/α-烯烴互聚物，其中該聚 合物每1000個碳原子中具有少於0.1個長鏈分枝。 49. 如申請專利範圍第39項之乙烯/α-烯烴互聚物，其中該聚 20 合物每1000個碳原子中具有多於0.1個長鏈分枝。 50. —種乙稀/α-稀烴互聚物，其包含下列特徵：密度d，單 位g/cc以及α-烯烴重量百分比，重量％，其中該d與重量 %之數值相應於下列之關係：d $ -0.0018重量％ + 0.9297。 98 200909452 51. —種乙烯/α-烯烴互聚物，其包含下列特徵：密度d以及 α-稀烴重量百分比，重量％，其中該d與重量％之數值相 應於下列之關係：（1$-0.0019重量％ + 0.933。 52. 如申請專利範圍第50項之乙烯/α-烯烴互聚物，其中d是 5 從約0·875 g/cc至約0.915 g/cc，而重量°/◦是從約5至約 35 ° 53. 如申請專利範圍第31項之薄層，其中該平均熱黏力 (ASTMF 1921，方法B，停留時間500 ms，密封壓力27.5 N/cm2)在至少20°C之溫度範圍下，具至少10N。 10 54.如申請專利範圍第31項之薄層，其中該平均熱黏力 (ASTMF1921，方法B，停留時間500 ms，密封壓力27.5 N/cm2)在至少25。(：之溫度範圍下，具至少10N。 55. 如申請專利範圍第31項之薄層，其中該平均熱黏力 (ASTM F 1921，方法B，停留時間500 ms，密封壓力27.5 15 N/cm2)在至少28°C之溫度範圍下，具至少10N。 56. 如申請專利範圍第39項之乙烯Αχ-烯烴互聚物，其中該互 聚物具有分子量分佈之範圍從約2.2至約3.5。 57. 如申請專利範圍第39項之乙烯/α-烯烴互聚物，其中該互 聚物具有分子量分佈之範圍從約2.2至約3.3。 20 58.如申請專利範圍第50項之乙稀/α-浠烴互聚物，其中該α- 烯烴係1-辛稀。 59. 如申請專利範圍第51項之乙烯/α-烯烴互聚物，其中該α-烯烴係1-辛烯。 60. 如申請專利範圍第50項之乙烯/α-烯烴互聚物，其中該密 99 200909452 度d係從約0.895至約0.92 g/cc。 61.如申請專利範圍第51項之乙浠/α-烯烴互聚物，其中該密 度d係從約0.895至約0.92 g/cc。 100