TW200915914A - Manufacturing method of organic electro luminescence apparatus - Google Patents

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200915914 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於一種有機電激發光裝置的製造方法。以 下’有時將電激發光（Electro Luminescence)簡稱為el。 【先前技術】 有機EL元件具有下述構造：在至少其中之一是透明 或半透明的一對電極間，夾持著包含發光層的有機EL層， 該發光層是由有機發光材料構成。當向具有此種構造的有 機EL元件的一對電極間施加電壓時，則電子自陰極注入 至發光層’電洞（hole)自陽極注入至該發光層，這些電 子及電洞在發光層中進行再結合。繼而，利用此時所產生 的能量來對發光層中的發光材料進行激發，從而由發光層 來發光。於本說明書中，將在基板上形成了有機EL元件 的裝置稱為有機EL裝置。例如，於平板狀的基板上形成 者有機EL元件的有機EL裝置可用於面狀光源、段式 (segment)顯示裝置、點矩陣（d〇t matrix)顯示裝置等。 若有機EL元件暴露於水蒸氣或氧氣中則會導致劣 化。因此，例如於玻璃基板等的基板上，依次積層陽極、 包含發光層的有機EL層及陰極而形成有機EL元件之後， 利用由氮化矽等形成的無機純化膜以及於無機鈍化膜的表 面上的由樹脂形成的樹脂密封膜來包覆整個有機EL元 件，藉此防止因有機EL元件與水蒸氣接觸而引起的劣化 (例如，參照專利文獻丨）。此處，無機鈍化膜係藉由電漿 化學氣相沈積（Chemical Vapor Deposition，CVD)法或濺 200915914 鍍法而形成。 專利文獻1 :日本專利特開2000 —223264號公報 然而’先釗存在有用以形成無機鈍化膜的各種藏鍍 法，但一般是使用成膜速度較快的磁控濺鍍法（magnetr〇n sputtering method)。如上所述，該磁控濺鍍法能以較高的 成膜速度（rate)來形成無機鈍化膜，但存在無法形成對 水蒸氣或氧的阻隔（barrier)性較高的被覆膜的問題。而 且，先前的無機鈍化膜的形成時所用的CVD法，雖能以 較咼的成膜速度來形成無機鈍化膜，並且與磁控濺鍍法 比可，低對發光層的損害（damage)，但仍存在無法形成 對水蒸氣或氧的阻隔性較高的被覆膜的問題。即，於利用 ，控賤鍍法或CVD法形成的無機聽膜巾存在下述問 會5生針孔（Pinh〇le)等的缺陷’從而導致外部的水 丄氣或氧等的氣體經由該缺陷而侵入至有機元件 【發明内容】 Ο 本發明；!：有鑒於上述問題而研發的，其目的在於提供 :種^機EL裝置的製造方法，在形成包含對有機豇稀 、止=封的無機物層的被覆膜時，可抑制對有機现元件 Ϊ膜财’並且可形成對水蒸氣或氧的阻隔性較高的被 证裳^達目的，本發明提供採用下述構成的有機 [1] 一種有機電激發光裝置的製诰太、土政女拖& 光元件搭載於支持基板上’上述=== 200915914 支持基板與至少包含第1無機物膜以及第2無機物瞑的密 =包圍而與外界阻隔，此有機電激發光裝置的製造方 —利用離子束濺鍍法來形成上述第1無機物膜，以覆蓋 搭載於上述支持基板上的有機電激發光元件的表出面 驟，以及 在形成上述第1無機物膜之後，利用與離子束濺鍍法 不同的成膜方法來形成覆蓋上述第1無機物膜的第2無機 物膜的步驟。 、、、俄 [2]如上述[η所述之有機電激發光裝置的製造方法其 中上述與離子束濺鍍法不同的成膜方法是cvd法或磁^ 錢鍛法。 、一 [3]種有機電激發光襞置的製造方法，將有機電激發 件搭姐支持紐上’上述有機電激發光元件由上述 2基板與至少包含第丨無機物膜以及第2無機物膜的密 ^所包圍而與外界阻隔’此有機電激發絲置的製造方 利用離子束_法來形成上述第丨無機物膜，以㈣ ^.於上述支持基板上的有機電激發光元件的露出面 鄉，以及 / Φ播ί形成上述第1域物狀後，接著與上述離子 來形成第2無機物膜的步驟，該 機物膜相同第1無機物膜且材料與上述第1無 200915914 [4]如上述[3]所述之有機電激發光襞置的製造方法，其 中上述與離子束濺鍍法不同的成膜方法是CVD法或磁控 濺鍍法。 &

所謂的濺鍍法是薄膜形成方法的1種，其是指使原子 或分子尺寸（size)的微粒子撞擊靶材料（targetmaterial) (薄膜的材料），使靶材料微粒子放出至氣相中，並使乾材 料微粒子堆積於規定的基板表面上以作為薄膜的方法。有 時將使原子或分子尺寸的微粒子撞擊靶材料而使靶材料微 粒子放出至氣相中稱為（狹義的）濺鍍。 所謂的離子束濺鍍法是濺鍍法的1種，其是指將離子 束照射至靶材料而對靶材料微粒子進行濺鍍的方=。 ，所明的磁控賤鑛法是难鍍法的1種，其是指一邊在乾 材料附近施加磁場而引起磁控放電一邊進行崎 所謂的 CVD ( Chemical Vapor Deposition)法，1 β =:=，是指將包含薄膜的構成元素的原:氣 =法並使反應生成物堆積於規定的基板表面以作 根據本發明，可於錢a元件上戦 等的氣體的阻隔性較高的密封層，並且可抑或1 層_有機EL元件造成的損害。其結果，— 命較長的有機EL裝置的效果。 〃有可獲得壽 200915914 【實施方式】 以下，參照圖式來對本發明的實施形態進一步詳細說 明。另外’為了易於理解，有時圖式中的各構件的比例尺 (scale)與實際不同。而且，本發明並不限定於以下的記 述，可在不脫離本發明主旨的範圍内作適當變更。於有機 EL裝置中，、雖亦存在電極的引線等的構件，但由於在本發 明的說明中並不直接需要，因而省略記載。為了便於說明 層構造等’在以下料賴巾，是與將基板配置於下方的 圖一起進行說明，但本發明的有機EL元件以及搭載有該 有機EL元件的有機EL裝置未必須要配置成該上下左右的 朝向而進行製造或使用等，可適當地進行調整。 圖1是本發明所適用的有機EL裝置的構造的一例的 剖面不意圖。圖1是表示該有機EL裝置為頂部發光（t〇p emission)型的有機el裝置的圖，上述頂部發光型有機 EL裝置是自形成於支持基板1〇上的有機£]^元件的與 支持基板10相反的一側放出光。圖丨所示的有機EL裝置 具有下述構造：於支持基板1〇上’形成著依次積層有陽極 21、包含發光層的有機EL層22及陰極幻的有機el元件 20，並形成有密封層3〇，以覆蓋形成於該支持基板1〇上 的整個有機EL元件20。 此處，支持基板10例如可使用破璃基板或矽基板、塑 膠基板等各縣板。而且’陽極21 —般是錢功函數(评她 function)相對較大的（較佳的是功函數大於4 〇 eV)導電 性的金屬氧化物膜或半透明的金屬薄膜等。作為具體例， 200915914 可使用麵錫氧化物（Indium Tin Oxide，以下稱為ιτο)、 氧化錫等的金屬氧化物；金（Au)、鉑（Pt)、銀（Ag)、 銅（Cu)等的金屬或包含該些金屬中的至少一種的合金· 聚苯胺（P〇lyaniline)或其衍生物、聚嗟吩（polythiopLne’) ，其衍生物等的有機的透明導電膜等。而且，若有需要， 陽極21亦可由兩屬或兩層以上的層結構而形成。陽極21 的^可考慮率（在絲發光（b_m emissi〇n)型 的情況下，亦可考慮光的透過性）而適當地選擇，例如為 5=〜㈣’較好的是2G咖〜1叫，更好的是50 nm ^ 、21的製作方法可列舉真空蒸鍍法、濺鍵 ^ 電鍍法等。另外，在頂部發光型的情況 下，亦可於陽極21的下方設置及鼾暄生的脣/兄 出射至基板側的光。叹置反射膜’該反射膜用以反射 物或高分子化合光的有機物（低分子化合 材料。有機物例2而包含雜 中，目推雜材料是視需要推雜至有機物 由該些有機物與視W變發先波長專 厚度通常為20Α〜2,_ Α 雜材料構成的發光層的 (色素系材料） 色素系材料例如可列舉環 生物、四苯基丁二稀衍生^^ (cy#ndamme)衍 物化合物、三苯基贿生物"惡 11 200915914 二嗤（oxadiazole )衍生物"比唑並喹琳（取腦㈣恤沾狀） 街生物、二苯乙烯絲触物、二苯乙烯基亞芳基衍生物、 吡咯何生物、噻吩環化合物、吡啶環化合物、紫環酮 (perinone)衍生物、並（胃衍生物、寡聚噻吩衍 生物、°惡一唾二聚物、吼唾琳二聚物等。 (金屬錯合物系材料） 作為金屬錯合物系材料，例如可列舉銥錯合物 、翻錯 合物等的具有自三重態激發狀態發出光的金屬錯合物；中 心金屬具有紹（A1)、鋅（Zn)、鈹（Be)等或錢（Tb)、 銪（Eu)、錦（Dy)等的稀土類金屬，且配位基上具有嗔 一唑、噻一唑'笨基n比啶、苯基笨並咪唑、喹嘛構造等的 金屬錯合物等，例如羥基喹啉鋁錯合物、苯並羥基喹啉鈹 錯合物、苯並噁唑鋅錯合物、苯並噻唑鋅錯合物、偶氮甲 基鋅錯合物、外啉辞錯合物、銪錯合物等。 (高分子系材料） 高分子系材料例如可列舉聚對苯乙炔（p〇ly para-phenylenevinylene)衍生物、聚噻吩衍生物、聚對苯 衍生物、聚矽烧衍生物、聚乙炔衍生物、聚芴衍生物、聚 乙烯味唾衍生物、將上述色素體或金屬錯合物系發光材料 進行局分子化而成的材料等。 發光性材料中，發出藍色光的材料例如可列舉二苯乙 烯基亞芳基衍生物、噁二唑衍生物以及這些衍生物的聚合 物、聚乙烯咔唑衍生物、聚對苯衍生物、聚芴衍生物、^ 吖啶酮衍生物、香豆素衍生物等。其中，尤其好的是高分 12 200915914 =材料的聚#料衍生物、聚對苯衍生物絲賴生物 __發出綠色光的材料例如可列舉啥吖唆酮衍生 十4· &丑^何生物以及這些衍生物的聚合物、聚對苯乙炔 :對笑r、二芴衍生物等。其中，尤其好的是高分子材料的 聚對本乙炔何生物、聚芴衍生物等。

且，發出紅色光的材料例如可列舉香豆素衍生物、 嗟％裒化5物以及這些物質的聚合物、聚對苯乙炔衍生 物聚嗟吩何生物、聚苟衍生物等。其中，尤其好的是高 分子材料时峰乙騎生物、料吩衍生物、聚苟衍生 (摻雜材料） 推雜材料例如可列舉花衍生物、香豆素衍生物、紅螢 烯（mbrene)衍生物、喹吖啶酮衍生物、角業烯鑌 jsqualilmm)衍生物、外淋衍生物、苯乙婦系色素、稠四 苯（tetmcene)衍生物“比唑酮（pyraz〇1〇ne)衍生物、十 環烯（deCaCyClene)、吩„惡嗪_ (phen〇xaz〇ne)等。 而且，在有機EL層22中，除了設置發光層以外，亦 可適虽汉置没於發光層與陽極2.1之間的層以及設於發光 層與陰極23之間的層。首先，設於發光層與陽極21之間 的層’有改善來自陽極21的電洞注入效率的電洞注入層； 或者改善自陽極21、電洞注入層或靠近陽極21的電洞輸. 送層向發光層的電洞注入的電洞輸送層等。而且，設於發 光層與陰極23之間的層，有改善來自陰極23的電子注入 200915914 效率=電子注入層；或者具有改善來自陰極23、電子注入 層或#近陰極23的電子輸送層的電子注入的功能的電子 輸送層等。 _ (電洞注入層） I成電V同注入層的材料例如可列舉苯基胺系、星爆 / starburst)型胺系、酞花青系、氧化釩、氧化鉬、氧化釕: 氧化鋁等的氧化物、非晶形碳、聚苯胺、聚噻吩衍生物等。 (電洞輸送層） 構成電洞輸送層的材料例如可列舉聚乙烯咔唑或其衍 生物、聚矽烧或其衍生物、側鏈或主鏈上具有芳香族胺 (aromatic amines)的聚矽氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、 芳基胺衍生物、均二苯乙烯（stilbene)衍生物、三苯基二 胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳 基胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚(p_苯乙炔）或其 衍生物或者聚(2,5-伸噻吩基乙烯)或其衍生物等。 " 另外，當這些電洞注入層或電洞輸送層具有阻擋電子 輪送的功能時，有時亦將該些電洞輪送層或電洞注二層 為電子阻播層。 (電子輸送層） 構成電子輸送層的材料可使用眾所周知的材料，例如 可列舉喔二销生物、蒽^甲錢其衍生物、苯酸或其 衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基貧蜓 二曱燒或其衍生物、芴酮(Fluorenone)衍生物、二笨臭_ 乙沐或其竹生物、聯苯酿·衍生物、或者8_經基啥琳或其 14 200915914 生物的金屬錯合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹噁#或其衍 生物、聚芴或其衍生物等。 (電子注入層）

作為電子注入層，根據發光層的種類，可設置由Ca 層的單層構造構成的電子注入層，或者設置由除了 Ca以 外的週期表I A族及ΠΑ族的金屬且功函數為i.5〜3.0eV

的金屬以及該金屬的氧化物、鹵化物及碳氧化物中的任i 種或者2種或2種以上所形成的層與（^層的積層構造構 成的電子注入層。作為功函數為15〜3 〇eV的週期表j A 族的，屬或其氧化物、鹵化物、碳氧化物的示例，可列舉 鋰、氟化鋰、氧化鈉、氧化鋰、碳酸鋰等。而且，功函數 ，1.5 3.G eV的除了 Ca以外的週期表jj A族的金屬或其 ，化物、_化物、碳氧化物的示例’可列舉銷、 氟化錤、氟化錯、氟化鋇、氧化銷、碳酸鎂等。、、 於、該些電子輸送層或電子注人層具有阻擋電洞 。二些電子輸送層錢子注入層稱 半透明的材料4對發先層知電子注人的透明或 麵⑽）、絶（Cs t使祕⑴）、納（Na)、卸（κ)、 鋇（Ba)、銘（A1j(Be)、鎮（Mg)，（Ca)、銷（Sr)、 銦（In)、鈽（Ce) (SC)'釩（V)、鋅（Zn)、釔（Y)、 等的金屬;或者上=的=:(Tb)、錄⑽ n屬甲的2種或2種以上的合金；戈 15 200915914 : f以上與金(Au)、銀(Ag)，⑻、 間化合物；f以上的合金；或者石墨或石墨層 =，成者ITO、氣化錫等的金屬氧化物等。 造。作t亦二，極23設為2層或2層以上的積層構 j ’可列舉上述的金屬、金屬氧化物、氟化 吟極23^^^與A1、Ag、絡（C〇等金屬的積層構造等。

’較好的是2Gnm〜_’更好的是Z 鮮去H紐極23的製作方法，可㈣真^蒸鍍法、 雜法或者對金㈣膜進行熱壓接的層壓（laminate)法等。 雜Ιίί所製造的有機EL裝置所要求的性能，來適當 k擇:於發光層與陽極21之間以及設於發光層與陰 極23之間的層。例如’本發明中所使用的有機el元件了〇 的構造，可具有下述的⑷〜（。）的層構成中的任一種。 (a) 陽極/電洞輸送層/發光層/陰極

L (b) 陽極/發光層/電子輪送層/陰極 (C)，極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰極 (d) 陽極/電洞注入層/發光層/陰極 (e) 陽極/發光層/電子注入層/陰極 (0陽極/電洞注入層/發光層/電子注入層/陰極 (g) 陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/陰極 (h) 陽極/電洞輸送層/發光層/電子注入層/陰極 (i) 陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子注入層 16 200915914 /陰極

Cp陽極/電洞注入層/發光層/電子輸送層/陰極 (陽極/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極 /陰極⑴陽極/電洞注入層/發光層/電子輸送層/電子注入層 層/陰^°陽極/電洞注入層7電洞輸送層/發光層/電子輸送 層/F^n)陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電子注入 層/電桃轉闕_/電子輪送 (此處’「/」表示各層鄰接而積層。以下相同。） 找·’上述（a)至（。）所示的層構造例亦可採用陽 ，又於,近基板的—_形態以及陰極設於靠近基板的一 侧的形態的任一個。 L· 的設置目的在於，為了防止水蒸氣或氧 軌體與錢EL元件2G _，而_對上錢體具有較 南阻隔性的層來密封有機EL元件20。該密封層3〇具有第

1古t機物膜及第2無機物膜，且至少第1無機物膜接觸於 EL元件20而形成。此處，所謂阻隔性是指有機虹 裝置所放置的環境中存在的水蒸氣或氧等的氣體難以侵入 至有機EL το件20。具體而言，阻隔性的高低受到膜上存 在ί針孔等的賴缺陷影響，越為緻密的連_，阻隔性 越尚。而且’密封層30例如可使用SiN膜或SiO膜、SiON 17 200915914 Ξ丙=等等==該些膜的積層膜、或者該些膜 白支持美mi 積層膜。該例中，密封層30 f 士持_ 10側起由阻隔性較高的第i密封膜 =物膜）及阻隔性第1密封膜 ' (第2無機物膜）構成。 ㈣膜32 較高板10側形成阻隔性 低於第I密封膜31且&第二膜成阻性 射胺Μ — L 立/、弟1在封膜31相同材料的第2密 封膜32’猎此，可保護有機豇元件2〇不與外部 鏑 制有機EL元件20與水蒸氣或氧等的接觸。對該 好所有部分即可’就製造成本的觀2 的疋第1密封膜31的厚度為5〇〜1〇〇nm。 行說：而圖it有此種構成的有機豇裝置的製造方法進 1〜圖2 —3表示本發明的有機EL褒置的製 在玻璃。首先’藉由先前眾所周知的方法， 形狀夺基板10上’依次形成已圖案化成規定 棒、=為點矩陣顯示裝置而使二，為==: 藉由著有機el元件20的支持基板10上， 糟由離子錢鍍法_成規定厚度的第1密封膜31 (圖2 18 200915914 箄U為該第乂岔封膜31的厚度’較理想的是至少大於 ；nm這疋由於，若第丨密封膜 Γ則在第1密封…生成針孔等的缺陷=生; =而且，雖然亦可使第！密封膜31厚於5〇nm，但在此 // 離子束雜法的特性而會導致成馳為耗費時 主1密封膜31的厚度是根據有機扯裝置的製造 所耗費的時間來適當選擇。 G &目3是表示離子束濺鑛裝置的構成的示_。如該圖 所不，離子束濺難置⑽具備：於真空腔室igi ^寺基板10 (形成著有機EL元件2〇的支持基板ι〇Α)的 基板座102 ;由構成» 1密封膜31的材料或該材料的—部 仝構成的靶103 ;以及將電漿化後的離子束ln供給至靶 1〇3的離子源1〇4。真空腔室101内於成膜中呈藉由^空果 1〇5而排氣成規定真空度的狀態。而且，例如當第丄 膜31#由SiO膜構成時，使用Si〇或Si來作為靶ι〇3。其 + ’當使用Si乾時，自未圖示的氣體供給部將氧氣等供給 至真空腔室1〇1内，以在保持於基板座102上的支持基板 1GA的表面上堆積Si0膜。而且，在形成由其他材料^ 的第1密封膜31的情況亦同樣。 於如此之離子束濺鍍裝置100中，將支持基板ι〇α 持在基板座102上，並藉由真空泵105而將真空腔室 内排氣成規定的真空度之後，自離子源1〇4朝向靶1〇3 射氬離子等的離子束111，利用規定的能量來進行加速 使離子束111撞擊靶103。藉此，對靶構成粒子進行濺鍍，

200915914 該濺鍍粒子112的一部分到達支持基板1〇A的表面並堆 積，藉此形成薄膜（第1密封膜31)。 此時，自離子源104出射的離子束m (入射離子） 撞擊靶103之後，進入靶1〇3内部，或被靶103反射。並 且，被靶103反射的離子束m (入射離子）的一部分會 被反射向支持基板10A方向，但由於離子束減鑛裝置 的構成，具有被靶103反射向支持基板1〇A方向的高能量 的離子束的比例從整體上看來極少，與磁控濺鍍法相比 較，可將對有機EL元件20的發光層造成的影響抑制為較 低。而且，由於是利用離子源1〇4來對氬氣體等進行電漿 =而生成離子束m，因此電漿不會侵人至形成薄膜的真 f腔室1G1内’從而亦可抑制電㈣支持基板1() 發 光層的影響。 滑 用離子束濺鍍法而形成的被覆膜與磁控濺鋼 法相味，雖存在細速度贿的缺點，但# 的某屋=錄隔性較高。因此，湘離子錢鍍法而形成 而形成^被覆賴阻隔性與湘CVD法或磁控賤鍍法 性1，=厚度的被覆膜相比，具有約3〜1G倍的阻隔 隔性，具㈣^子束濺鍍法而形成的某厚度的被覆臈的阻 厚度的^ ㈣雜親法㈣成的具有該 p 10倍厚度的被覆膜相等同的阻隔性。 法以二成=Μ法或磁控濺鍍法等的除離子束濺鍍 密封在第1密封膜31上形成規定厚度的^ 圖2 —在形成該第2密封膜幻時，使用與 20 200915914 ^子ίίΓΓ相喊麟錄高的枝。料以上的步 驟’製造有機EL裝置。 用離子束麟法來形成密封層3G中的有機 Ϊ二：]的規定厚度的第1密封膜31，並在第1密封 L叙目 *或磁控濺鍍法來形成第2密封膜32， ^ FT f先前的密封層的有機乱裝置相比，可提高 有機 '件20料部氣體的阻隔性。而且，由於第i密 31與第2密封膜32相比是阻隔性較高的薄膜，因此 ’即:與利用CVD法或磁控繼來形成 厚度減’可使密封層％的整體厚 度變薄。 另外’在上述的說明巾，關財同的製造方法來形 成由1種材料構成的密封層3G的情況為例，但本發明並不 限定於關，亦可_其财絲形成。圖㈠〜圖4 —3 是表示密封層的構造的一例的圖。另外，在該些圖中，對 與上述__構成要素標註了相_符號並省略其說 明。 圖4-1是表示由三層無機物膜構成密封層的情況的 圖。該密封層30自支持基板1〇 (有機a元件則侧起 依次由SiN膜33/Si〇膜或SiON膜34/SiN膜％這3層的 積層構造所形成。其中，最下層的SiN膜33 子 束濺鍍法而形成’其他的Si〇膜或Si〇N膜 其上的是藉由CVD法或磁控滅鍍法二=而 成膜。 21 200915914 圖4 —2是與圖4—1同樣表示由三層無機物膜構成密 封層的情況的圖。該密封層30表示了在圖4—i的情況下， 最下層的SiN膜33由利用離子束濺鍍法而形成的第1SiN 膜33A以及在第lSiN膜33A上利用CVD法或磁控濺鍍 法等的方法而形成的第2SiN膜33B構成的情況。另外广 對於與圖4—1相同的構成，標註了相同符號並省略其說 明、 … 而且，在該圖4 —2中，對於SiO膜或&〇1^膜34以 及形成於其上的SiN膜35,亦可設為由利用離子束濺鍍法 而形成的第1膜以及在該第1膜上利用CVD法或磁^錢 鍍法等的方法而形成的第2膜構成的積層構造。 圖4 —3是表示密封層由無機物膜與有機物膜的積層 構造所構成的情況的圖。該密封層30具有如下所述的構 造，即：自支持基板10 (有機EL元件20)側起，相互地 依次形成無機物膜36A、36B、36C與有機物膜37A、37B， 並在最上位的無機物膜36C上形成最上位有機物膜38。此 處，有機物膜37A、37B以及最上位有蜂物膜38掩埋形成 於無機物膜36A、36B、36C上的針孔等的缺陷，具有提 高阻隔性的功能。而且，所形成的有機物膜37A、37B的 形成區域必須窄於無機物膜36A、36B、36C的形成區域。 這是由於，若使有機物膜37A、37B的端部與無機物膜 36A、36B、36C相同，則有機物膜37A、37B的端部會露 出至外部氣體中，從而會導致有機物膜37A、37B自此處 開始劣化。 22 200915914 具有如此之構造的密封層30的製造是藉由下述方式 來進行’即：利用上述的離子束濺鍍法來形成最下層的無 機物膜36A，藉由快閃（flash)蒸鑛法等而形成有機物膜 37A、37B以及最上位有機物膜38，並利用cvd法或磁控 滅鑛法來形成其他的無機物膜36B、36C。 藉由設成如此之無機物膜36A、36B、36C與有機物 ，37A、37B交替地積層的形態，藉由最下層的阻隔性較 尚的無機物膜36A的存在與設置用於掩埋無機物膜36A、 36B、36C上的缺陷的有機物膜37A、37B以及最上位有機 物膜38所γ來的相乘效應（synergistic effect)，可形成阻 隔性更尚的密封層30。而且，在先前利用CVD法或磁控 錢鐘法等的方絲進行成膜時，例如必需5層無機物膜， 但藉由使_子束麟法來形成最下層的無機物膜36a， 了用更少數里的無機物膜（例如3層無機物膜）來獲得具 有與先前的5層無機物膜的構造的情況相__ ^的^ 封層30。 而且’圖4-3的構成中亦可構成為：在形成各無機物 、36B、36C B夺’最先利用離子束崎法來形成規 疋厚度的第1膜，並且在第1膜上利用CVD法或磁控賤 鍍法等的方法來形成第2膜。 上述的說明中，是舉頂部發光型的有機EL裝置為例 而進行了說明，但在自支持基板1 〇側取出由有機EL層2 2 所生成的光的底部發光型的有機EL裝置中，亦可適^本 23 200915914 本發明的有機EL元件可用作面狀光源、段 置、點矩陣顯示裝置。 展 根縣實卿H，在軸㈣將形成於讀基板 上的有機EL 70件20與外部氣體予以阻隔的密封層3 利用離子束雜法來形成直接覆蓋有機EL元件2〇的被覆 2，並在馳賴上_ CVD法或磁控雜法來形成被 覆膜，因此具有可提高所製造的有機EL裝置的有機e 件20對外部氣體的阻隔性的效果。而且，湘離子束賤鍵 法來形成密封層30的-部分，並利用成膜速度較快的 法或磁控雜法等來使其他_分成膜，因此亦具有下述 效果，即，與利用離子束濺鍍法來使所有密封層30成膜相 比’更提高生產效率。 實施例 以下，參照實施例以及比較例，更詳細地說明本發明， 但本發明並不限定於此。 (實施例） 本實施例中，製作具有圖1所示的構造的有機EL裝 置。首先，在作為基板（10)的玻璃基板上，利用濺鍍法 而形成約150 nm的膜厚的仃〇膜，使用光微影 (photolithography)技術與餘刻（etching)技術而將上述 ιτο膜圖案化成規定的形狀，從而形成陽極21。繼而，利 用有機溶劑、驗性洗劑（alkali detergent)以及超純水 (ultrapurewater)來對形成有陽極（21)的玻璃基板（1〇) 進行洗淨並使其乾燥之後，利用紫外線/臭氧洗淨裝置來進 24 200915914 行紫外線/臭氧洗淨處理。 繼而’利用直徑為0.5 μηι的過濾器（fllter)來過濾聚 ⑶斗丨二氧乙基嗟吩/聚苯乙烯項酸⑶办壮⑽彳註冊商標片丁卩 AI 4083 (商品名），HC Starck vtc公司製）的懸濁液，藉 由旋塗法’使過濾後的懸濁液在形成有陽極21的玻璃基板 (10)上形成70 nm厚度的膜。隨後，將玻璃基板（1〇) 置於加熱板（hot plate)上’在大氣環境下以2〇〇°c乾燥 10分鐘，形成電洞注入層。 繼而，使用將二甲苯與苯甲醚以丨·· i的比例混合而成 的溶劑’製作1.5重量百分比（wt%)的高分子有機發光 材料（Lumation GP1300 (商品名），Sumati〇n公司製）的 洛液。藉由旋塗法，使該溶液於形成有電洞注入層的玻璃 基板（10)上形成80 nm厚度的膜，從而形成發光層。隨 後，去除玻璃基板（10)上的取出電極部或密封區域部分 中的發光層，將玻璃基板（10)導入至真空腔室内，並移 至加熱室。另外，以後的步驟中，是在真空中或氮氣環境 中進行處理，因此處理中的有機EL裝置不會暴露於大氣 中。 將玻璃基板（10)移至加熱室之後，使真空腔室内的 加熱室為lxl〇-4 Pa以下的真空度，以約1〇(rc加熱6〇分 鐘。繼而，將玻璃基板（10)移至蒸錢腔室 對準（峋_)玻璃基板⑽並 以在有機EL裝置中的進行發光的區域即發光部與取出電 極。卩上將陰極23成膜。此處，陰極23由Ba膜與A1膜形 25 200915914 =^ Ba膜是_電阻加熱細驗速度觸2 A/秒 =式對金屬Ba進行加熱，聽賴厚 Μ爲止， 亡述A1膜是電子束蒸觀_ 2 A/秒的紐速度而 j至100 A的膜厚為止。隨後，將玻璃基板（ι〇)移至 ，有對向料麟裂置的真空腔室内，向真空腔室内導入 鼠氣與氧氣，姻對向起式频法形成膜厚丨，獅人的11〇 =。藉由以上步驟，在玻璃基板（1〇)上形成有機EL元 件20。 隨後’使製作著有機EL元件（2〇)的玻璃基板（1〇) 不暴露於域巾’ 自具有對向料雜裝置的真空腔室 移至具有離子束麟裝置的真空腔室。繼而，向具有離子 束賤鍍裝置的真錢㈣導人歧錢氣，利祕子束滅 鍍法，使作為第1密封膜的氮切（SiN) 機EL元件20的玻璃基板（10)上堆積5〇〇a。 炚後，將玻璃基板（10)自具有離子束濺鍍裝置的真 空腔室移至具有錢CVD裝置的真空㈣。並且，向具 有电漿CVD裝置的真空腔室内導入矽烷氣體與氮氣，使 用電漿CVD法而形成約2 μιη厚度的作為第2密封膜32 的SiN膜。藉由以上步驟，製造有機EL裝置。 (比較例） 為了與實施例中所製造的有機EL裝置進行比較對 照，在本比較例中製造有機EL裝置。另外，在破璃基板 (10)上形成有機EL元件（20)，並在有機EL元件（2〇) 上利用對向靶式濺鍍法而形成厚度1500人的IT〇膜，至 26 200915914 此為止與實施例相同。 不暴=大使Γ著有機乱元件(2〇)的_基板⑽ 移Ϊ:有電5CV二具有對向靶式濺鍍裝置的真空腔室 ，至具有電漿CVD裝置的真空腔室。繼而，向 Z f置的真空腔室内導人魏氣體與氮氣， CVD法而成膜2μιη的_膜。 則電聚 ΐ.) 番方式在實施例與比較例中製造的有機EL裝 ί 測定。該測定的概要為：對有機

===峨後-直持續該發J =膜的實施例的有===膜1 置= =VD法來形成密封層的比較例的有㈣ [產業上的可利用性] 用於:Ϊ:Ϊτ’本發明的有機肛裝置的製造方法有利地 況。、、有機EL το件密封财與水蒸氣#的氣體接觸的情 【圖式簡單說明】 例二==明所適用的有機EL裝置的構造的- 例的 &的- 圖2 — 2是表示本發明的有機el裝置的製造方法的一 27 200915914 例的局部剖面示意圖（其2)。 圖2 —3是表示本發明的有機EL裝置的製造方法的一 例的局部剖面示意圖（其3)。 圖3是表示離子束濺鍍裝置的構成的示意圖。 圖4—1是表示密封層的構造的一例的局部剖面圖。 圖4 —2是表示密封層的構造的一例的局部剖面圖。 圖4 — 3是表示密封層的構造的一例的局部剖面圖。 【主要元件符號說明】 U 10、10A :支持基板 20:有機EL元件 21 :陽極 22 :有機EL層 23 :陰極 30 :密封層 31 〜35、33A、33B :密封膜 36A、36B、36C :無機物膜 〇 37A、37B:有機物膜 38 :最上位有機物膜 100 離子束濺鍍裝置 101 真空腔室 102 基板座 103 萆巴 104 離子源 105 真空泵 28 200915914 111 :離子束 112 :濺鍍粒子

Claims (1)

1. 200915914 十、申請專利範圍： 1種有機電激發光裝置的製造方法，將有機電激發 ^凡件搭载於域絲上，上述有機電激發光元件由上述 支持基板與至少包含第1錢物咖及第2無機物膜的密 封層所包_與外界阻隔，上述有機電激發絲置的製造 方法包括： 利用離子錢舰來形成上述第〗無機物膜，以覆蓋 搭載於上述支持基板上的有機電激發光元件的露出 驟；以及 在形成上述第1錢物叙後，·與料束濺鑛法 =同的成財法來形成覆蓋上述第丨無機物膜的第2 物膜的步驟。 …、 2.如巾料利範圍第丨項所述之有機電激發光裝置的 方法’其巾上述與軒束麟法不_成膜方法是化 子氣相沈積法或磁控濺鑛法。 財機電激發光裝置的製造方法，將有機電激發 =搭载於支持基板上，上述有機電激發光元件由上述 it板、與至少包含第1無機物膜以及第2無機物膜的 p、胃所包圍而與外界阻隔，上述有機電激發光的 造方法包括： 利用離子束麟法來形成上述第丨無機物膜，以覆雲 ^载，上述支持基板上的錢絲發航件的露出面的步 及 在形成上述第1無機物膜之後，接著利用與上述離子 30 200915914 ，，觀抑的麵方法來侃第2無機物朗步驟，上 2無機物膜覆蓋上述第1無機物膜且材料與上述第j 無機物膜相同。 、乐i 製造範圍第3項所述之有機電激發光裝置的 學氣相沈積法或磁㈣鍍法。 軸财法疋化

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