TW200924128A - Method of manufacturing laminated wiring board - Google Patents

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200924128 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種增層線路板之製作方法，尤 指-種以雙介電層支撐之單層圖案化線路結構為美 完成-半導料層㈣基板結構之增層線路板 方法。 【先前技術】 ^ 一/ 録板之製作上，其製作方式通常 '、核、基板開始，、經過鑽孔、電鍍金屬、A 雙面線路製作等方々…上 基孔及 式，元成一雙面結構之内層核心 ’之後再經由-料增層製程 板。如第3 2圖所示，m ^日訂裝暴 面示意圖。首先，準備其:為：有核層封裝基板之剖 心基板“係由二：、基板其中，該核 此芯層8 1丄表面^ 心層8 11及形成於 8 H 路層8 12所構成，且該芯層 連接該芯層個電鍍導通孔8 13,可藉以 丄丄表面之線路層8 1 2。 8 圖3 3〜第3 6圖所示’對該核心基板 ^开Γ層製程。首先，係於該心基板8 1 表面形成一第—介雷 土低〇丄 面並形成有複數^ 且該第—介電層8 2表 1 2 ;之德， 開口8 3 ’以露出該線路層§ 層8 2外露之^無電電鑛與電鑛等方式於該第一介電 卜路之表面形成—晶種層δ4，並於該晶種層 200924128 84上形成1案化阻層85，且其圖案化阻層85 中並有複數個第二開口 8 6 ’以露出部份欲形成圖案 化線路之晶種層8 4 ;接著，利用電狀方式於該第 一開口 8 6中形成-第-圖案化線路層8 7及複數個 導電盲孔8 8 ’並使其第一圖案化線路層8 7得以透 過該複數個導電盲孔8 8與該核心基板8丄之線路層 8 1 2做電性導通，然後再進行移除該圖案化阻層8 5與蝕刻，待完成後係形成-第-線路增層結構8a。 同樣地係、可於該第—線路增層結構8 &之最外 層表面再運用相同之方式形成—第二介電層8 9及__ 第二圖案化線路層9 Q之第二線路增層結構8 b，以逐 步增層方式形成-多層封裝基板。然:而，此種製作方 法有佈線密度低'層數多及流程複雜等缺點。 另外，亦有利用厚銅金屬板當核心材料之方法， 可於經過餘刻及塞孔等方式完成一内層核心板後，再 經由一線路增層製程以完成一多層封裝基板。如第3 7圖〜第39圖所示，其係為另一有核層封裝基板之 剖面示意圖。首先’準備一核心基板9丄，該核心基 板9 1係由一具預定厚度之金屬層利用蝕刻與樹脂塞 孔9 1 1以及鑽孔與電鍍通孔g丄2等方式形成之單 層銅核心基板9 1 ;之後，利用上述線路增層方式， 於泫核心基板9 1表面形成一第一介電層9 2及一第 一圖案化線路層9 3，藉此構成一具第—線路增層結 200924128 構9 a。該法亦與上述方法相同，係可再利 增層f式於該第一線路增層結構9a之最外層表2 成一第二介電層94及一室-国奋 面也 ^ h 第—圖案化線路層9 5，# 1 ::=路增層結構9b，以逐步增層方式： 心基板製作不易，且亦與上述方法相同，具有佈2 度低及流程複雜等缺點。^ 使用者於實際使用時之所需。 /套付合 【發明内容】 :發明之主要目的係在於，可完成一半導體多層 結構，可有效改善超薄核層基板板彎翹問題 及簡化傳統增層線路板之製作流程。 數夕^明之次要目的係在於，可依實際需求形成雙 之封裝基板’並可有效達到降低成品板厚度及 減> 製作成本之目的。 你古2達、乂上之目的’本發明係一種增層線路板之製 首先係以光學微影及蝕刻之方式於一雙面 製作一單層線路’藉此以做為增層結構之電性 =签，、之後再於該單層線路連接塾關合之方式形 ，增層線路，以形成一具三層金屬結構之電路 其中兩層係已完成圖案化線路且已透過複數個 玫孔而產生電性連接。接著，再於該第一增層線 路、、°構上形成第二增層線路，同時使原未圖案化線路 200924128 ’成為一具圖案化線路且

導通，藉此以完成一無核層多層封裝基板。 之金屬層形成第三增層線路 電性導通之四層基板，並？ 【實施方式】 請參閱『第1圖〜第3 1圖』所示，係分別為本 發明之製作流程示意圖、本發明之雙面基板剖面示意 圖、本發明之兩層基板（一）剖面示意圖、本發明之 兩層基板（二）剖面示意圖、本發明之兩層基板（三） 剖面示意圖、本發明之兩層基板（四）剖面示意圖、 本發明之二層基板（五）剖面示意圖、本發明之三層 基板（六）剖面示意圖、本發明之三層基板（七）剖 面示意圖、本發明之三層基板（八）剖面示意圖、本 發明之三層基板（九）剖面示意圖、本發明之三層基 板（十）剖面示意圖、本發明之三層基板（十一）剖 面示意圖、本發明之四層基板（一）剖面示意圖、本 發明之四層基板（二）剖面示意圖、本發明之四層基 板（三）剖面示意圖、本發明之四層基板（四）剖面 示意圖、本發明之四層基板（五）剖面示意圖、本發 明之四層基板（六）剖面示意圖、本發明具圖案化及 電性連接之四層基板（七）剖面示意圖、本發明之置 200924128 晶側與球側線路層（一）剖面示意圖、本發明之置晶 側與球側線路層（二）剖面示意圖、本發明之置晶側 本發明之上下兩層 本發明之上下兩層 本發明之上下兩層 本發明之上下兩層 本發明之上下兩層 本發明之上下兩層 與球側線路層（三）剖面示意圖、本發明之上下兩層 線路增層結構（―）剖面示意圖 曰 線路增層結構（二）剖面示意圖 線路增層結構（三）剖面示意圖 線路增層結構（四）剖面示意圖 、線路增層結構（五）剖面示意圖 線路增層結構（六）剖面示意目 : = :(七)剖面示意圖及本發明之上= 線路增層結構（八）丨 #一_^ 如圖所示：本發明 糸種田層線路板之製作方法，其至少包括下列步驟： 基板10:如第2圖所示，選擇 -金屬w/1電°31、一第—金屬層3 2及-第 一金屬層33之雙面基板工； (B )貼合第一、二阻層1 1 :如第3圖所干 該f面基板之第-金屬層32上貼合：第：阻 二f蓋狀^於该雙面基板之第二金屬層3 3上以完 王覆蓋狀貼s —第二阻層3 5 ; (C) 形成複數個第一開口 1 2 ··如第4圖所干 以曝光及顯影之方式扃 4 S斤不， 第一開口 3 β e 3 4上形成複數個 弟開36，以顯露其下之第—金屬層32 ; (D) 移除第一金屬層1 3 :如第5圖所示，以 200924128 金屬層3 =之方式移除該第—開σ36下方之第— )形成苐一線路層丄4 ··如 除該第一阻層及哕筮_„ β 吊b圖所示，移 具有作為電性連接墊^ a 金屬層形成一 设免之第—線路層3 7 ; (F)形成二層結構之電路基板 所示，於該第一後蹊展Q π 13 ·如第7圖 琛路層37及該第一介雷 接壓合或貼合一與哕 電層31上直 兴„哀第一介電層3 1相同 層38及一第二全屬』之第二介電 木—|屬層3 9 ’形成一二屏姓4故 基板2a; 小取一層結構之電路 (G)形成複數個第二開口工6 :如 =:孔之方式於該第三金屬層39與該第二：電 二 形成禝數個第二開口 4 0，以顯露其下之第 表路層37之第-面3 7a，其中，該複數個第二開 口 4 0係可先做開銅窗後再經由雷射鑽孔 接以雷射鑽孔之方式形成； 係直 (H)無電電鍍與電鍍第四金屬層17:如第9 圖所示，以無電電鍍與電鍍之方式於複數個第二開口 中及該第-線路層37與該第三金屬層39上形成一 第四金屬層4 1，其中，該第四金屬層4丄係做為與 5玄第一線路層3 7之電性連接用，且層與層之間之連 接係由電鑛之複數個第一雷射盲孔4 6所導通； 200924128 ("貼合第三、四阻層18 :如第1〇圖所示， 分別於該第四金屬層41上貼合 及於該第二金屬層33上以完全覆蓋狀貼合2 層 4 3 ; ^ 1 (J)形成複數個第三開口19:如 示，以曝光及顯影之方式在該第三阻 數個第三開口 44,以顯露其下之第四金屬2層上成複 (K)移除第三、四金屬 示，以姓刻之方式移㈣第如第12圖所 屬们9與第四金屬層開口44下方之第三金 基板以案化::及電性連接之三層 至此C屬層形成一第三線路層45， 兩層具圖案化線路及電性連接之三 (M)壓合第三介電層及第五金屬層2 2 1 4圖所#，於該第三線路層4 5及該第二介 8上再壓合-第三介電層47及—第五金屬層48 曰； 一（N)形成複數個第四、五開口 2 3 :如第丄5 圖所不，以雷射鑽孔之方式分別於t亥第二金屬層3 3 與2第一介電層3 1上形成複數個第四開口 4 9 ’以 顯露其下已圖案化之第一線路層3 7之第二面3 了 200924128 第五金屬層48與該第三介電…上形 五開口 5◦，以顯露其下已圖案化之第三 線路層4 5，其中，該複數個第四、五開口 4 9、$ 0係可先做開銅窗後再經由雷射鑽孔、亦或係直接以 雷射鑽孔之方式形成； (〇)無電f鍍與f鍍第六、七金屬層24:如 二二所：’以無電電鍍與電鍍之方式分別於複數 =開口中及該第二金屬層33上形成一第六金屬 複數個第五開口中及該第五金屬層4 -第七金屬層52,其中，層與層之間之連 =由電鍍之複數個第二、三雷射盲孔53、“所 (Ρ)貼合第五、六阻層25:如第丄了圖所示， /刀別於該第六金屬層51上貼合一第五阻層55，以 及於該第七金屬層52上貼合一第六阻層56 ; (Q)形成複數個第六、七開口 2 6 :如第1 8 圖所示’以曝光及顯影之方式分別於該第五阻層55 ::成複數個第六開口57，以顯露其下之第六金屬 曰5 1，以及於該第六阻層5 6上形成複數個第七開 口 5 8 ’以顯露其下之第七金屬層5 2 ; (R)移除第二、五、六、七金屬層2 7 :如第 1 9圖所示，以㈣之方式分別移除該第六開口 5 7 下方之第二金屬層3 3與第六金屬層5 1，以及移除 12 200924128 該第七開口58下方之第五金屬層48與第七金屬層 5 2; (S)完成四層具圓案化線路及電性連接之四層 基板2 8 .如第2 〇圖所示，分別移除該第五阻層， 使該第二、六金屬層形成一已圖案化之第二線路層5 9 ’以及移除該第六阻層，使該第五、七金屬層形成 -已圖案化之第四線路層6 〇。至此完成—四層具圖 案化線路及電性連接之四層基板3，並可選擇直接進 行步驟（丁）或步驟（U); (T )進行置晶側與球側線路層電性連接墊製作 2 9 ·進行-置晶側與球側線路層電性連 其至少包含下列步驟： t 1：>塗覆第-、二防焊層291:如第2 1圖所示’分別於該第二線路層59與該第-介電声 二 m-層絕緣保護用之第—防焊層61，以J 於㈣四線路層60與該第三介電層47上 一 層絕緣保護用之第二防焊層6 2 ; y 2)形成複數個第八、九開口2” ：女 所示’以曝光及顯影之方式分別在該 =:形成複數個第八開口63，以及在該第: 防¥曰6 2上形成複數個第九開D 6 4。藉此 線路增層結構作為電性連接墊； S ”、、與 13 200924128 路層2 ( 1 3)完成具完整圖案化之置晶側與球側線 口 6 9 3 ·如第2 3圖所示，分別於複數個第八開 開口 6: = :第：阻障層65 ’以及於複數個第九 蚊圖安Γ 阻障層6 6。於此，獲得具完 多屠^之置晶側與球側線路層，形成一四層無核層 6係可為鎳金層。，-、肩層65、6 亦可亍(上S、)下，之線路增層結構製作3 ◦: 屏之蠄 四層基板上直接進行上、下兩 胃之線路増層結構製作，其至少包含下列步驟： 4圖所= = 五介電層301 :如第2 第—線路層5 Θ與該第一介電層 3 1上直接壓合或貼 以層 第四線路層60與該第三介電J =二及於該 合一第五介電層68，· 層47上直接壓合或貼 如第2=)-形成複數個第十、十-開口 3〇2: 電声6 7上π:、:Γ雷射鑽孔之方式分別於該第四介 第：二二T 十開°69,以顯露其下之 第-線路層5 9，以及於該第 數個第十-開口 70，以顯露二電層68上形成複 〇,其中，該複數個第十：十：下之第四線路層6 做開鋼窗後再經由雷射鑽孔、亦係先 之方式形成； 次係直接以雷射鑽孔 14 200924128 (u3)形成第—、二晶種層303 :如第2 6圖所示’以無電電鍍與電鍍之方式分別於該第四介 電層67與複數個第十開口69表面形成一第—晶種 層7 1 ’以及於五介電層6 8與複數個第十一開 口 70表面形成一第二晶種層72，其中，該第一、 二晶種層7 1、7 2係可為金屬銅層； (U 4 )貼合第七、八阻層3 〇 4 :如第2 7 圖所示’分別於該第-晶種層7 :上貼合—第七阻層 73，以及於該第二晶種層72上貼合—第八阻声^ 4 ; 曰, u )形成複數個第十二、十三開口 3 〇 如第2 8圖所示，以曝光及顯影之方式分別於該第七 第十二開口 7 ς ;=二=;::=_個 (h 並顯露該第 .^U6)無電錢與仙n九金屬 6 .如第29圖所示，以無電電鍍與電鍍之方 八 別於複數個第十二開口中之第一晶種層^ 工，分 第八金屬層77，以及於複數個第二 形成— 不丁二開口中之坌一 晶種層72上形成一第九金屬層了8; — :如第3 〇 以分別顯露 (u7)移除第七、八阻層3q7 圖所示’移除該第七阻層及該第八阻層， 其下之第一、二晶種層7 1、7 2 ;以及 15 200924128 (u 8)形成具圖案化線路及電性連接之六層 基板3 〇 8 :如第3 1圖所示，以蝕刻之方式分別^ 除戎顯露之第一晶種層，並使該第四介電層6 7上之 第 BB種層及弟八金屬層形成一第五線路層79，以 及移除該顯露之第二晶種層，並使該第五介電層6 8 上之第二晶種層及第九金屬層形成一第六線路層8 〇。於此，獲得上下各一層之線路增層結構，形成一 具圖案化線路及電性連接之六層基板5。 本發明亦可在此六層基板之結構上繼續增加線路 增層結構，以形成具更多雙數多層之封裝基板；亦或 可直接進行該步驟（T)之置晶側與球側線路層電性 連接墊製作。 五介電層3 8、4 7 其中，該第 7、6 8 係可為 ABF ( Ajinomoto Build-up Film )、笨 裱^烯（BenZOCyCl〇_buthene，BCB)、雙馬來亞醯胺^ 二氮雜苯樹脂（Bismaleimide Triazine, BT )、環氧樹脂 板（FR4、FR5 )、聚醯亞胺（p〇iyimide，）、聚四氟 乙烯（Poly(tetra-f丨oroethy丨ene)，PTFE)或環氧樹脂及 玻螭纖維所組成之一者；該第一〜八阻層3 43 5、 4 2、4 3、5 5、5 6、7 3、7 4亦可以印刷或 旋轉塗佈之方式所為之乾膜或顧之高感光性光阻； 該第—〜九金屬層32、33、39、41、48、 51 ' 52、77 ' 78係可為銅或其它等效金屬； 16 200924128 該第—〜七金屬層3 2、3 3、3 9、4 1、4 8、 52及該第-、二晶種層了1、72之移除方 >係可為蝕刻或其它等效方法；該第—〜 4、35、42、43、55、56、73、；2 移除方法係可為剥離或其它等效方法。 當本發明於運用時，係先以光學微影及蝕刻之方 式於-雙面基板上製作一單層線路，藉此以做為增層 結構之電性連接塾，之後再於該單層線路連接塾以壓 =之方式形成第一增層線路’以形成一具三層金屬結 之電路板，且其中兩層係已完成圖案 過複數個電鍍盲孔而產生電性連接。接著，再於^ 一增層線路結構上形成第二增層線路，同時使原未圖 案化線路之金屬層#彡& $ ’、 蜀嘈办成弟二增層線路，成為一且 化線路且電性導通之四芦 勹圖案 層基板，並可進一步以該四層 :反之上 '下層分別做為增層結構之電性連接墊，亦 或係作為置晶側與球側之完整線路， 側、球側及中間各声之古斗日^ 逆茌，、置曰日 埋孔所導通。藉此:使：:::！複數個電鑛盲孔或 所製作之半導體多層封裝基板結構，係可 =r:=—_ 之封裝基板，進上=貧除需求形成雙數多層 製作成本之目;ί有效達到降低成品板厚度及減少 17 200924128 綜上㈣，本發㈣—種，可有収善 種缺點，係可完成一半導體多層封裝基板結構，包Γ 兩層具圖案化線路及已完成圖案化線路製程之置晶側 與球側線路層等雙數多層結構’可有效改善超薄核層 基板板彎起問題及簡化傳統增層線路板之製作流程， 係-個可依實際需求形成雙數多層之封裝基板，並可 有效達到降低成品板厚度及減少製作成本之目的，進 而使本發明之産生能更進步、更實用、更符合使用者 =所須，確已符合發明專财請之要件，爰依 專利申請。 惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已， 當不能以此限定本發明實施之範圍；&，凡依本發明 申請專利範®及發明說明書内容所作之簡單的等效變 化與修飾’皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍内。 200924128 【圖式簡單說明】 第1圖，係本發明之製作流程示意圖。 第2圖’係本發明之雙面基板剖面示意圖。 第3圖，係本發明之兩層基板（一）剖面示意圖。 第4圖’係本發明之兩層基板（二）剖面示意圖。 第5圖’係本發明之兩層基板（三）剖面示意圖。 第6圖’係本發明之兩層基板（四）剖面示意圖。 第7圖’係本發明之三層基板（五）剖面示意圖。 第8圖，係本發明之三層基板（六）剖面示意圖。 第9圖，係本發明之三層基板（七）剖面示意圖。 第1 0圖’係本發明之三層基板（八）刮面示意圖。 第1 1圖’係本發明之三層基板（九）剖面示意圖。 第1 2圖’係本發明之三層基板（十）剖面示意圖。 第1 3圖’係本發明之三層基板（十一）剖面示意圖。 第1 4圖’係本發明之四層基板（一）剖面示意圖。 第1 5圖’係本發明之四層基板（二）剖面示意圖。 第1 6圖’係本發明之四層基板（三）剖面示意圖。 第1 7圖，係本發明之四層基板（四）剖面示意圖。 第1 8圖’係本發明之四層基板（五）剖面示意圖。 第1 9圖’係本發明之四層基板（六）剖面示意圖。 19 200924128 第2 0圖，係本發明之四層基板（七）剖面示意圖。 第2 1圖，係本發明之置晶側與球側線路層（一）剖 面示意圖。 第2 2圖，係本發明之置晶側與球側線路層（二）剖 面示意圖。 第2 3圖，係本發明之實施置晶側與球側線路層（三） 剖面示意圖。 第2 4圖，係本發明之上下兩層線路增層結構（一） 剖面示意圖。 第2 5圖，係本發明之上下兩層線路增層結構（二） 剖面示意圖。 第2 6圖，係本發明之上下兩層線路增層結構（三） 剖面示意圖。 第2 7圖，係本發明之上下兩層線路增層結構（四） 剖面示意圖。 第2 8圖，係本發明之上下兩層線路增層結構（五） 剖面示意圖。 第2 9圖，係本發明之上下兩層線路增層結構（六） 剖面示意圖。 第3 0圖，係本發明之上下兩層線路增層結構（七） 剖面示意圖。 第3 1圖，係本發明之上下兩層線路增層結構（八） 20 200924128 剖面示意圖。 第3 2圖，係習用有核層封裝基板之剖面示意圖。 第3 3圖’係f用之實施線路增層（-)剖面示意圖。 第3 4圖’係習用之實施線路增層（二)剖面示意圖。 第3 5圖係驾用之實施線路增層（三）剖面示意圖。 第36圖’係、習用之實施線路增層（四）剖面示意圖。 第3 7圖’係另一習用有核屌 力〜層封裝基板之剖面示意圖。 第3 8圖，係習用之第一绩玫 弟線路增層結構剖面示意圖。 第3 9圖，係習用之第二路掸 【主要元件符號說明】 g層結構剖面示意圖。 (本發明部分） 步驟（A)〜（U) 11〜 2 9 3 3 0 8 步驟（tl)〜（t3) 29l 步驟（ul)〜（u8) 3〇1 雙面基板1 三層基板2a、2b 四層基板3 四層無核層多層封裝基板4 六層基板5 第一介電層3 1 第一、二金屬層32、33 200924128 第一、二阻層34、35 第一開口 3 6 第一線路層3 7 第一、二面 37a、37b 第二介電層3 8 第三金屬層3 9 第二開口 4 0 第四金屬層4 1 第一雷射盲孔4 6 第三、四阻層42、43 第三開口 4 4 第三線路層4 5 第三介電層4 7 第五金屬層4 8 第四、五開口 49、50 第六、七金屬層51、52 第二、三雷射盲孔5 3、54 第五、六阻層5 5、56 第六、七開口 57、58 第二、四線路層59、60 22 200924128 第一、二防焊層61、62 第八、九開口 6 3、6 4 第一、二阻障層6 5、66 第四、五介電層67、68 第十、十一開口 69、70 第一、二晶種層71、72 第七、八阻層7 3、74 第十二、十三開口 7 5、7 6 第八、九金屬層77、78 第五、六線路層79、80 (習用部分） 第一、二線路增層結構8 a、8 b 核心基板8 1 芯層8 1 1 線路層8 1 2 電鍍導通孔813 第一、二介電層8 2、8 9 第一、二開口 83、86 晶種層8 4 圖案化阻層8 5 23 200924128 第一、二圖案化線路層8 7、9 0 導電盲孔8 8 第一、二線路增層結構9 a、9 b 核心基板9 1 樹脂塞孔9 1 1 電鍍通孔9 1 2 第一、二介電層9 2、9 4 第一、二圖案化線路層93、95 24

Claims (1)

1. 200924128十、申請專利範園： • 1 ·—種增層線路板之製作方法，係至少包含： (A )選擇一包含一第一介電層、 層及一第二金屬層之雙面基板； (B)分別於該雙面基板之第一、 各形成一第—、二阻層； 第一金屬 二金屬層上 (C)在該第一阻層上形成複數個 顯露其下之第一金屬層； 第一開口 )移除該第-開口下方之第-金屬層； )移除該第-阻層及該第二阻層，形成 〃有作為電性連接墊之第一線路層； (F )於該第一 第一介電層及'一第 電路基板； 線路層及該第一介電層上形成 三金屬層，形成一三層結構之 (G )於該第 複數個第二開口 面； 三金屬層與該第二介電層上形成 ·.’、員路其下之第一線路層之第一 (Η )於複數個第 έ亥苐三金屬層上形成一 (I )分別於該第 三、四阻層； 二開口中及該第一線路層與 第四金屬層； 四、二金屬層上各形成—第 25 200924128 (J )在該第三阻層上形成複數個第三開口， 顯露其下之第四金屬層； (κ)移除該第三開口下方之第三金屬層與第 四金屬層； (L )移除該第三阻層及該第四阻層，使該第 二、四金屬層形成一已圖案化之第三線路層，至此 完成一兩層具圖案化線路及電性連接之三層基板； (M)於該第三線路層及該第二介電層上再壓 合一第三介電層及一第五金屬層； (N )分別於該第二金屬層與該第一介電層上 形成複數個第四開口，顯露其下已圖案化之第一線 路層之第二面，以及於該第五金屬層與該第三介電 層上形成複數個第五開口，顯露其下已圖案化之第 三線路層； (〇）刀別於複數個第四開口中及該第二金屬 層上形成一第六金屬層，以及於複數個第五開口中 及該第五金屬層上形成一第七金屬層； (p)分別於該第六、七金屬層上各貼合一第 五、六阻層； (Q)分別於該第五阻層上形成複數個第六開 口，顯露其下之第六金屬層，以及於該第六阻層上 形成複數個第七開口，顯露其下之第七金屬層； 26 200924128 (R)分別移除該第六開口下方之第二金屬層 與第六金屬層，以及移除該第七開口下方之第五金 屬層與第七金屬層； (S )分別移除該第五阻層，以形成一已圖案 化之第二線路層，以及移除該第六阻層，以形成一 已圖案化之第四線路層。至此完成一四層具圖案化 線路及電性連接之四層基板，並選擇直接進行步驟 (T )或步驟（U )； (T )進行一置晶側與球側線路層電性連接墊 製作；以及 (u)進行上、下兩層之線路增層結構製作。 2 .依據申凊專利範圍第1項所述之增層線路板之製作 方法，其中’該第一〜七金屬層係可為銅。 3 .依據申請專利範圍第1項所述之增層線路板之製作 方法，其中’該第--^三介電層係可為ABF (Ajinomoto Build-up Film )、苯環丁稀 (Benzocyclo-buthene, BCB )、雙馬來亞醯胺·三瓦 雜笨樹脂（Bismaleimide Triazine，BT )、環氧植于月匕 板（FR4、FR5 )、聚醯亞胺（Polyimide，PI )、聚 四氟乙稀（Poly(tetra-floroethylene)，PTFE)咬環氧 樹脂及玻璃纖維所組成之一者。 27 200924128 4 ·依據申請專利範圍第j項所述之增層線路板之製作 方法，其中，該第--六阻層係以貼合、印刷或旋 轉塗佈所為之乾膜或溼膜之高感光性光阻。 5 .依據申請專利範圍第1項所述之增層線路板之製作 方法，其中，該複數個第一、三、六及七開口係以 曝光或與顯影之方式形成。 6依據申5月專利範圍第1項所述之增層線路板之製作 方法，其中，該第一〜七金屬層之移除方法係可為 餘刻。 7 · 依據申請專利範圍第 方法，其中，該第一 離。 1項所述之增層線路板之製作 〜六阻層之移除方法係可為剝 8.依據申請專利範圍第1項所述之增層線路板之製作 方法其中，該第二、三介電層係以直接壓合或貼 合之方式形成。 〆、 9依據中請專利範圍第1項所述之增層線路板之製作 =法，其中’該複數個第二、四及五開口係可 汗銅窗後再經由雷射鑽孔、亦或係直接以 之方式形成。 射鑽孔 〇 .依據申請專利範圍第1 作方法n Μ I 係為無電電鍍與電鍍。 項所述之增層線路板之製 六及七金屬層之形成方式 28 200924128 •依據仏專㈣圍第1賴述之增層線路板之製 作方法，其中’該步驟（τ)置 電性連接㈣作，係至少包含下列步驟線路層 (1)刀別於5亥第二線路層與該第一介電層 上塗覆-第-防焊層，以及於該第四線 ^ 三介電層上塗覆一第二防焊層； /、/弟 教 2)”⑴在該第―、二防焊層上各形成複 九開口。藉此顯露線路增層結構作為電 性連接塾；以及 九開口中各形成 (t 3 )分別於複數個第八 第一、二阻障層。 圍第11項所述之增層線路板: 3作=申：專利範圍第1項所述之增層線路板之I ⑷u;、r = (S)完成後係可直_ 少包層之線路增層結構製作七 y )刀別於5亥第二線路層與該第一介電層 士貼合-第四介電層’以及於該第四線路層與該第 二介電層上貼合一第五介電層； (u 2 )分別於該第四介電層上形成複數個第 29 200924128 十開口，顯露並 _ 電層上形成複數個第線路層，以及於該第五介 路層； 個第十一開口，顯露其下之第四線 σ身而in )刀W於$第四介電層與複數個第十開 口表面形成—第一曰 複數個第十—開二曰，以及於該第五介電層與 禾卞開口表面形成一苐二晶種層； (u4)分別於該第_、二晶種層 第七、八阻層； 人 -門：）刀別於5亥第七阻層上形成複數個第十 並顯露該第一晶種層，以及 上形成複數個第十三開口，並顯露該第二晶種層曰; 晶 (“）分別於複數個第十二開口中之第一 口广成一第八金屬層’以及於複數個第十 之第二晶種層上形成-第九金屬層； " 下之匕I)-移曰除該第七、八阻層，並分別顯露其 第 一日日種層；以及 IV:別移除該顯露之第-晶種層’蓮於 成弟四介電層上形成一笛 义 露之第二晶種層，並於兮第以及移除該顯 綠路層。 I於。亥弟五介電層上形成—第六 30 200924128 1 4 ·依據申請專利範圍第1 2項所述之增層線路板之 製作方法，其中，該步驟（u)完成後係為一六層 基板，並可在此六層基板上繼續增加線路增層結構 之製作，亦或重覆進行置晶側與球側線路層之製作。 1 5.依據申請專利範圍第1 3項所述之增層線路板之 製作方法’其中m、九金屬層係可為銅且 其與該第―、二晶種層形成之方式皆為無電電鍍盘 電鍍。 l 6依據申w專利_第2 3項所述之增層線路板之 製作方法’其中，該第七'八阻層係以貼合、印刷 或旋轉塗佈所為之乾膜或澄膜之高感光性光阻。 7製=請::=1 3項所述之增層線路板之 产丁 r /、中邊四、五介電層係可為ABF、苯 ★I、：酿：馬來亞叫三氮雜苯樹脂、環氧樹脂 維所:且成之胺者聚四氟乙烯、或環氧樹脂及玻璃纖 形成成之—者，且其㈣直接壓合或貼合之方式 8=據申請專利範圍第13 製作方法’其中 2曰層線路板之 經由雷射鑽孔 ' :二-:= 之方式形成，而該複數個射鑽孔 曝光或與顯影之方式形成。―、十三開口則係以 200924128 9 ·依據申請翻㈣第！ 3項所述之增層線路板之 製作方法’其中，該第七、人阻層之移除方法係可 2 0 .依據申請專利範圍第丄 製作方法，其中，該第一 可為姓刻。 3項所述之增層線路板之 、二晶種層之移除方法係 32