TW200936802A - Vapor phase growth apparatus and vapor phase growth method - Google Patents

Description

200936802 九、發明說明 本案係以於2007年1 1月29日所申請之日本專利第 2007-30927 1號爲基礎，並主張優先權，同時引用其全文 做爲參考文獻。 【發明所屬之技術領域】 本發明，係有關於氣相成長裝置及氣相成長方法’特 Q 別是係有關於能夠對於在將氣相成長膜有效率地形成一事 上會成爲問題的對矽（以下，記載爲Si )晶圓造成污染 之粒子狀污染物的侵入作防止之氣相成長裝置及氣相成長 方法。 【先前技術】 作爲氣相成長裝置之其中一種，係存在有枚葉式裝 置。此裝置，係在被配置在熱處理爐內之水平圓盤型的晶 〇 座上載置晶圓，並一面以垂直軸爲中心來使其旋轉，一面 於爐內晶圓上方而使原料氣體以及載體氣體流入，藉由 此，而在晶圓之上面處形成磊晶氣相成長膜者。此裝置， 係隨著晶圓之大口徑化而成爲被多所使用，在對應於 3 0 0mm之晶圓的裝置中，亦成爲主流而被注目。在此些 之裝置中，係週知有：在矽單結晶基板之主表面上使矽磊 晶層作氣相成長，而製造矽磊晶晶圓。 此氣相成長裝置，係在成爲反應室之處理室內設置晶 座’並將該晶座以能夠以旋轉軸爲中心而作旋轉的方式來 -4- 200936802 作配設，在晶座處，係爲了載置晶圓，而於外週面處設置 有魚眼座（spot facing )。又，在晶座之下方，係被設置 有加熱手段。爲了藉由使用此種水平圓盤型晶座之氣相成 長裝置來製造矽磊晶晶圓，係在藉由加熱手段而被加熱至 特定溫度之處理室內，從氣體供給管來將反應氣體與載體 氣體一同作供給。此反應氣體，係一面沿著在旋轉軸之周 圍旋轉的晶座而流動，一面被供給至矽單結晶基板上，並 φ 從氣體排氣管而被排出至外部。 然而，作爲在上述反應中所被使用之矽原料氣體等， 一般而W，係爲四氯化砂（SiCl4)或是二氛砍院 (SiHCl3 )等，又，在反應前，係爲了對矽單結晶基板作 蝕刻，而使用有HC1 (氯化氫）氣體。HC1氣體，係亦被 使用爲用以將附著在處理室或是氣體管內壁處之反應副生 成物作蝕刻而進行的清淨用之中。 此些之氣體，係爲腐蝕性，特別是，若是附著有水 Q 分，則會形成鹽酸，並將各種金屬激烈地腐蝕，此事係被 廣泛所知。故而，在JP-A 2001 -274094 ( KOKAI)中，係 揭示有：在將裝置全體作密封之處理室或是與晶圓相接觸 之可能性爲高的晶座等處，使用具有難以被鹽酸系之物質 ' 腐蝕的性質之碳化矽（SiC )、或者是石英（Si02 )等的 技術。 【發明內容】 然而，在JP-A 2001 -274094 ( K0KAI)所揭示之技術 200936802 中，由於在處理室、晶座以及其週邊構件處，係使用有碳 化砂（SiC)或者是石英（Si〇2)，因此，雖然此些之被 氣體所腐蝕的情況係爲少，但是，旋轉胴體等通常係考慮 強度面而多爲藉由不鏽鋼而被形成，並會有由於上述之高 溫的腐蝕性氣體之通過而被腐蝕的情況。又，例如，在維 修時，處理室係暫時性地被開放於大氣中。此時，大氣係 進入至處理室內，而在大氣中以相當多量而存在的水分， 0 會與以極微量而存在於旋轉胴體等之金屬構件處的上述之 腐蝕性氣體混合，其結果，會產生鹽酸，並腐蝕金屬構 件。 由於此腐蝕，在金屬上所產生之腐蝕生成物，會與腐 蝕性氣體容易地起反應，並產生氣體狀之氯化合物。而， 此氣體狀之氯化合物，由於蒸汽壓係爲高，因此，會從金 屬構件而擴散至處理室內，並被取入至在處理室內所生成 之矽晶圓中。其結果，會有使矽晶圓之載體壽命降低等的 Q 導致品質降低之情況。此些之金屬污染物的產生，係成爲 使晶圓良率降低之大的問題。 本發明，係爲有鑑於上述之課題而進行者，其目的， 係在於提供一種：在具備水平圓盤型晶座，並一面使該晶 座高速旋轉一面加熱至高溫而形成氣相成長膜的裝置中’ 將從晶座之下方所產生的金屬污染物之侵入作遮蔽，而能 夠改善晶圓之良率的氣相成長裝置及氣相成長方法。 本發明之氣相成長裝置，其特徵爲，具備有：支持 器，係具備有圓環形狀，並可載置晶圓；和晶座，係爲圓 -6 - 200936802 盤型形狀’而可載置前述支持器，並在上面處，設置有當 被載置有前述支持器時內接於前述支持器之圓環形狀之內 週端的圓周狀階段差；和旋轉驅動機構，係將前述晶座以 及被載置於前述晶座處之前述支持器，以特定之旋轉速度 而作旋轉；和加熱機構’係將被載置於前述支持器處之晶 圓作加熱；和晶圓突起舉升機構，係在前述旋轉驅動機構 之外側處，將前述支持器下面推壓舉起。 0 本發明之氣相成長方法，其特徵爲，係使用有一種氣 相成長裝置’該氣相成長裝置，係具備有：支持器，係具 備有圓環形狀，並可載置晶圓；和晶座，係爲圓盤型形 狀，而可載置前述支持器，並在上面處，設置有當被載置 有前述支持器時內接於前述支持器之圓環形狀之內週端的 圓周狀階段差；和旋轉驅動機構，係將前述晶座以及被載 置於前述晶座處之前述支持器，以特定之旋轉速度而作旋 轉；和加熱機構，係將被載置於前述支持器處之晶圓作加 〇 熱；和晶圓突起舉升機構，係在前述旋轉驅動機構之外側 處，將前述支持器下面推壓舉起，該氣相成長方法，係具 備有以下之工程：使前述晶圓突起舉升機構上升，並將被 載置於前述晶座上之前述支持器推壓舉起之工程；和將前 述晶圓搬入，並載置於前述支持器上之工程；和使前述晶 圓突起舉升機構下降’並將前述支持器載置於前述晶座上 之工程；和在藉由前述旋轉驅動機構而使前述晶圓旋轉的 同時，藉由前述加熱機構而將晶圓加熱，並在前述晶圓上 形成氣相成長膜之工程；和使前述晶圓突起舉升機構上 -7- 200936802 升，並將被載置在前述晶座上之前述支持器推壓舉起之工 程；和將前述晶圓搬出之工程。 若藉由本發明，則能夠得到下述之效果：提供一種： 具備有在上面處設置有圓周狀階段差之水平圓盤型晶座； 和具備有與該圓周狀階段差之周徑幾乎相同之內周徑的圓 環形狀之支持器，並由下起而依序支持晶座、支持器、晶 圓，而在晶圓交換時，係將支持器之突出部下面推壓舉 Q 起，並將晶圓與支持器推壓舉起，藉由此，恆常位置於晶 圓下方之沒有開口部的晶座，係對從晶圓下方之金屬污染 物的侵入作遮蔽，而成爲能夠改善晶圓之良率之氣相成長 裝置以及氣相成長方法。 【實施方式】 以下，針對本發明之氣相成長裝置以及氣相成長方法 的實施形態，根據添附圖面來作說明。 〇 以下，針對本發明之形態的氣相成長裝置作詳細說 明。圖1，係爲展示本實施形態的氣相成長裝置1之槪略 構成的剖面圖。氣相成長裝置1，例如，係爲在高純度單 結晶矽（以下，記載爲Si )之晶圓W上以氣相成長法來 使Si成長之裝置，並具備有：處理室2、和導管被連接 於處理室2處之氣體供給管3、和氣體排氣管7。 氣體供給管3，係在處理室2內之上部，被配設於水 平方向之略中央部，並以將原料氣體、載體氣體或者是摻 雜（dopant )氣體供給至處理室2內的方式，而被與處理 200936802 室2外部之氣體供給控制裝置（省略圖示）相連接。而， 從氣體供給控制裝置（省略圖示），係因應於在氣相成長 裝置1處所形成之氣相成長膜的種類，而朝向圖1之A 方向供給原料氣體、載體氣體或是摻雜氣體。作爲原料氣 體，主要係爲四氯化矽（SiCl4 )，其他係對二氯矽烷 (SiH2Cl2)、三氯矽烷（SiHCl3)、矽烷（SiH4)適宜作 選擇而使用。又，作爲載體氣體，係使用氬（H2)。又， ❹ 作爲摻雜氣體，係對膦（phosphine，PH3 )、二硼烷 (B2H6 )、砷（As )化合物作適宜選擇而使用。 氣體排氣管7，係在處理室2內之下部，分爲圖1之 左右處而被配設於2個場所，並在處理室2內部，將矽原 料氣體與載體氣體112反應後之結果所產生的氯化氫（以 下，記載爲HC1)，以及未反應便結束之載體氣體、原料 氣體以及摻雜氣體作排氣。以將此些之氣體排出至處理室 2外部的方式’而被連接於處理室2外部之氣體排氣控制 ® 裝置（省略圖示）處。而，藉由被連接於氣體排氣控制裝 置（省略圖示）’被朝向圖1之B方向排出的氣體，係被 _ 廢棄。 進而’處理室2’係於其內部，具備有：晶圓w、和 整流板4 '和晶座5、和支持器1 〇、和旋轉胴體6、和加 熱器8、和晶圓突起舉升機構9、和溫度感測器11。晶圓 W，係被載置於支持器10上。

整流板4，係爲將從氣體供給管3所供給而來之上述 原料氣體、載體氣體以及摻雜氣體均—地流入至晶圓W -9- 200936802 上方的構件，並藉由石英等而被形成，而被固定在氣體供 給管3與晶座5之間的處理室2之內部壁面處。又，涵蓋 於與晶圓W相對向之範圍的全區域，而被設置有多數之 開口部，並以涵蓋晶圓W全區域而成爲均一之氣體流量 的方式，而對開口面積作調整。 溫度感測器1 1，係使用輻射溫度計等，而從被設置 在處理室2外壁處之透明石英窗來將馮圓之表面溫度作遠 0 端遙測。加熱器8，係將位置於上方之晶圓W從背面側而 作加熱直到到達氣相成長之製程溫度爲止的加熱器，並根 據溫度感測器1 1之檢測溫度，而經由從在處理室2之外 部處所具備的加熱電路（省略圖示）所供給而來之定電流 而進行加熱。上述製程溫度，係依原料氣體而有所不同， 而爲約9 0 0〜1 2 5 0 °C之間。 晶圓W，係爲形成氣相成長膜之對象的高純度單結晶 Si。爲了在晶圓W上形成氣相成長膜，藉由加熱器8之 〇 加熱而加熱至上述製程溫度。通常，該晶圓係爲藉由FZ 法或是CZ法所拉起育成的矽鑄錠作切片，並施加了摩擦 處理或是蝕刻處理者。 支持器10，係爲了將形成氣相成長膜之晶圓w在特 定之位置處作支持’而成爲圓環形狀，並在圓環形狀之內 週階段差處將晶圓w作收容。又，在支持器10之周圍邊 緣部的3個場所處，具備有突出部l〇a。故而，在晶圓W 之交換時，藉由突出部10a之被推壓舉起，支持器10係 在將晶圓W作支持之狀態下而被推壓舉起至上方。作爲 -10- 200936802 支持器10之材質’從熱傳導性、熱膨脹性、耐熱性、高 純度製造性等之觀點來看’係以在碳之基材上被膜有碳化 矽（以下，記載爲SiC)者、將Sic作爲基材者、或是矽 含浸碳化矽者中之任一者爲理想。 晶座5，係具備有：在將支持器10在特定之位置處 作支持的同時’對較晶座5更下方之粒子狀污染物 (partiele)的侵入作遮蔽，而防止對於晶圓w之污染的 φ 功能。故而，身爲相對於晶圓W而不具備有垂直方向之 開口部的略圓盤形狀一事，係爲必須要件。亦即是，在晶 座6上面處不存在有開口部一事，係爲必須。作爲晶座5 之材質，與支持器10相同的，係以在碳之基材上被膜有 碳化矽（以下，記載爲SiC )者、將SiC作爲基材者、或 是矽含浸碳化矽者中之任一者爲理想。 旋轉胴體6，係爲使上述晶座5作旋轉之旋轉體，並 具備有以使晶圓W上之氣相成長膜均一地生成的方式而 〇 將晶圓W於圖1之C方向上一定的旋轉速度來作高速旋 轉之驅動功能。另外，旋轉速度，在使本實施形態之氣相 成長裝置實用化上，爲了有效率地形成均一性爲高之氣相 成長膜，係以在氣相成長膜形成時而以5 OOrpm以上之速 度來旋轉爲理想。 晶圓突起舉升機構9，係具備有將晶圓W與支持器 10 —起地而從下方來推壓舉起的功能。晶圓突起舉升機 構9，係被配設在旋轉胴體6之外側，並藉由被設置於外 部之驅動機構（省略圖示）而在圖1之D方向上作上下 -11 - 200936802 往返運動。此係成爲：若是銷朝上方動作’則銷係將支持 器10之突出部l〇a推壓舉起，並在載置有晶圓W之狀態 下而使支持器10被推壓舉起的構成。 以下，針對晶圓W、支持器10、晶座5之位置關係 作詳細說明。圖2，係爲本實施形態的氣相成長裝置1之 圖1中的E-E方向上面圖。圖2中，晶座5係支持支持器 10，而支持器10係支持晶圓W。支持器10，係以從晶座 φ 5之外周徑而超出的方式而具備有3場所的突出部10a。 被設置在支持器10之周圍邊緣部處的突出部l〇a，於圖2 中，係以略梯形形狀來作表示。梯形之底邊的長度（圖2 中之實線兩箭頭），係以5〜20mm爲理想。但是，亦可 爲如同圖3A中所示一般之前端部圓化的形狀，或是如圖 3B中所示一般之略圓弧形狀、或者是略長方形狀。突出 部1 〇a ’係以成爲能夠與晶圓突起舉升機構9之銷相抵接 之最小面積爲理想。由於若是突出部1 0a之面積越廣，則 Ο 支持器10之重量係變得越重，因此，在將支持器10推壓 舉起之晶圓突起舉升機構9，係成爲需要充分之驅動扭 矩。 又’針對搬送晶圓W時之晶圓搬送臂12的狀態作詳 細說明。圖4，係爲展示對於本實施形態的氣相成長裝置 之晶圓搬送臂12的插入狀態之上面圖。晶圓搬送臂12， 係如圖4中所示—般，具備有細長之形狀，而臂之前端形 狀’係並不被作限定。藉由其之對於支持器的開口部 - 之插入或者是拉出動作，而將晶圓W作搬入或搬出。支 -12- 200936802 持器1〇，係具備有在圓環形狀之一部分處作了開口的形 狀。此開口部，係爲了插入晶圓搬送臂12而被設置者。 支持器10之圓環形狀部分，由於係在3個場所處設置有 突出部l〇a，因此，係具備有涵蓋240度以上之角度的形 狀。又，在支持器10之圓環形狀的一部份開口之區域 處，如圖1中所示一般，晶座5係具備有凸部階段差，並 支持晶圓W之端部。 Q 以下，針對晶圓突起舉升機構9之動作作詳細說明。 圖5，係爲展示本實施形態的氣相成長裝置之晶圓W的設 置狀態之擴大剖面圖。晶座5係被保持在旋轉胴體6之 上。於此狀態下，晶圓W係被支持於由圓環形狀所成之 支持器10的內週階段差之中，而支持器10係以使其之圓 環形狀的內週端與設置在晶座5之上面處的圓周狀階段差 相抵接的方式而被支持。又，晶圓突起舉升機構9之銷前 端係抵接於支持器10之突出部l〇a的下面，或者是位在 〇 可立即抵接的位置處。又，在晶圓w被支持於支持器10 之圓環形狀的內週階段差內之狀態下，係以在晶圓W下 面與晶座5上面之間空出有數百μιη〜1mm左右之些許的 空間爲理想。 於圖5中，若是晶圓突起舉升機構9之銷進行朝向上 方推壓舉起之動作，則銷係將支持器10之突出部的 下面推壓舉起。圖6A〜圖6D，係爲展示晶圓突起舉升機 構的形狀例之圖。上圖係爲上面圖，下圖係爲剖面圖。如 同圖中所示一般，關於身爲晶圓突起舉升機構之銷，係可 -13- 200936802 採用各種類之形狀。 圖7，係爲展示本實施形態的氣相成長裝置之支持器 10的推壓舉起狀態之擴大剖面圖。圖7’係展示藉由晶圓 突起舉升機構9之銷的推壓舉起’而將支持器10在支持 有晶圓W的狀態下來推壓舉起了的狀態。如圖7中所示 一般，在支持器10被推壓舉起的狀態下，晶圓搬送臂12 係被插入於晶圓W之下方。而後，晶圓突起舉升機構9 0 之銷係下降，而支持晶圓w之晶圓搬送臂12係將晶圓W 搬送至其他處理室或是下一工程處。 如上述一般，藉由對於從位置在晶座5下方之加熱器 8或是旋轉胴體6所產生之金屬污染物的對於晶圓W近旁 之侵入作遮蔽，在於複數之氣相成長裝置處連接有晶圓搬 送機器人之多處理室構成的系統中，能夠實現一種可提升 晶圓之良率的半導體製造方法。圖8，係爲展示本實施形 態的氣相成長裝置之單晶圓多處理室20的槪略構成之構 〇 成圖。於圖8中，單晶圓多處理室20，係具備有使用將1 個的晶圓W作收容之晶座並形成氣相成長膜的氣相成長 裝置21、22、23 ;和晶圓搬送臂12 ;和晶圓搬送機器人 24 ° 氣相成長裝置21、22、23，係如上述一般，爲收容 單晶圓並在晶圓上形成氣相成長膜之裝置，並因應於其目 的’而對原料氣體、載體氣體以及摻雜氣體之種類、晶圓 之種類等作適宜選擇。晶圓搬送機器人24,係操作晶圓 搬送臂12並能夠在氣相成長裝置21、22、23之任一者中 -14- 200936802 均將晶圓作搬入·搬出。 如同上述所示一般，若藉由本實施形態’則能夠提供 一種氣相成長裝置以及氣相成長方法’其係爲藉由以不具 有開口部之略圓盤形狀的晶座5來支持支持器10並以支 持器10來支持晶圓W的構成，而在晶圓之交換時，藉由 以晶圓突起舉升機構9來將支持器10之突出部10a推壓 舉起，就算是在晶圓W交換時，晶座5亦能夠對從位置 0 於下方之加熱器8或是旋轉胴體6所產生的金屬污染物之 對於晶圓 W近旁的侵入作遮蔽，而能夠改善晶圓之良 率〇 另外，在本實施形態中，雖係將設置於支持器10處 之突出部10a作爲略梯形形狀來對實施形態作了詳細說 明，但是，係並不被限定於此，亦可爲略圓弧形狀、略長 方形狀中之任一者。只要具備有能夠藉由晶圓突起舉升機 構9之銷的向上突出而使支持器1〇被朝向上方推壓舉起 〇 的程度之面積即可。 又，晶圓突起舉升機構9之銷的根數以及突出部10a 之設置個數，在本實施形態中，雖係作爲3個場所而對本 實施形態作了詳細說明，但是，當設置在2個場所的情況 時’在將支持器10舉升時，會產生不安定，而有使晶圓 W破損之虞。另一方面，若是成爲8個場所以上，則由於 支持器10之開口角度係變得狹窄，因此，在將晶圓搬送 臂12作插入時，會沒有空間上的餘裕，而在晶圓搬送臂 插入時之相互干涉的危險性會變高。在晶圓搬送臂插入時 -15- 200936802 之干涉的危險性，係在設置5個場所以上時會更進而變 高。故而，突出部1 〇a，係以設置爲3個場所或是4個場 所的任一者爲更理想。 支持器10之開口角度（圖2中之點線兩箭頭），爲 了避免晶圓搬送臂插入時之干涉的危險性，係有必要成爲 40度以上。又，支持器10之突出部的外接圓，在對8吋 (200tnm )晶圓作處理之氣相成長裝置的情況時，係以成 0 爲Φ 270mm〜290mm爲理想。又，支持器10之下面、與 在支持器10上載置了晶圓時之晶圓下面間的距離（圖5 中之s)，係以成爲0.5〜3.0mm爲理想。又，支持器10 之上面的內週階段差之直徑（圖5中之d n )，係以Φ 2 0 0mm強爲理想。而，被設置在晶座5之上面的圓周狀 階段差之外徑（圖5中之d2)，係以Φ 160mm〜198mm 爲理想。進而，被設置在晶座5之上面的圓周狀階段差外 側之厚度（圖5中之t )，係以成爲0.5〜3.0mm爲理 ❹ 想。 另外，在本實施形態中，雖係對具備有在圓環形狀之 支持器的周圍邊緣部設置有突出部的形狀之實施形態作了 詳細說明，但是，亦可設爲相較於晶座而外周徑更增大了 ' 晶圓突起舉升機構之銷的抵接面積的支持器之形狀。於此 情況，係有著支持器之加工變得極爲容易之優點。但是， 由於支持器之重量係變重，因此，施加在晶圓突起舉升機 構之銷處的荷重係變大，而成爲有必要將銷的強度增加、 或是使將支持器朝向上方而推壓舉起時之驅動耐荷重量增 -16- 200936802 大。 又，於此，雖係以多處理室爲例而作了說明，但是， 本發明係亦可適用在單處理室中。 【圖式簡單說明】 圖1，係爲展示本實施形態的氣相成長裝置之槪略構 成的剖面圖。 Q 圖2，係爲展示本實施形態的氣相成長裝置之圖1中 的E-E方向上面圖。 圖3 A以及圖3 B，係爲展示本實施形態之氣相成長裝 置的突出部之其他形態的上面圖。 圖4，係爲展示對於本實施形態的氣相成長裝置之晶 圓搬送臂的插入狀態之上面圖。 圖5，係爲展示本實施形態的氣相成長裝置之晶圓的 設置狀態之擴大剖面圖。 〇 圖6A〜圖6D，係爲展示本實施形態之晶圓突起舉升 機構的形狀例之圖。 圖7，係爲展示本實施形態的氣相成長裝置之支持器 的推壓舉起狀態之擴大剖面圖。 圖8，係爲展示本實施形態的氣相成長裝置之單晶圓 多處理室20的槪略構成之構成圖。 【主要元件符號說明】 1 :氣相成長裝置 -17- 200936802 2 :處理室 3 :氣體供給管 4 :整流板 5 :晶座 6 :旋轉胴體 7 :氣體排氣管 8 :加熱器 φ 9:晶圓突出舉升機構 10 :支持器 l〇a :支持器突出部 1 1 :溫度感測器 1 2 :晶圓搬送臂 20:單晶圓多處理室 2 1 :處理室 22 :處理室 〇 23 :處理室 24 :晶圓搬送機器人 W :晶圓 -18-

Claims (1)

1. 200936802 十、申請專利範圍 1. 一種氣相成長裝置，其特徵爲，具備有： 支持器，係具備有圓環形狀，並可載置晶圓；和 晶座，係爲圓盤型形狀，而可載置前述支持器’並在 上面處，設置有當被載置有前述支持器時內接於前述支持 器之內週端的圓周狀階段差；和 旋轉驅動機構，係將前述晶座以及被載置於前述晶座 ❹ 處之前述支持器，以特定之旋轉速度而作旋轉；和 加熱機構，係將被載置於前述支持器處之晶圓作加 熱；和 晶圓突起舉升機構，係在前述旋轉驅動機構之外側 處，將前述支持器下面推壓舉起。 2 .如申請專利範圍第1項所記載之氣相成長裝置， 其中，前述支持器，係於周緣部處具備有突出部，前述晶 圓突起舉升機構，係將前述突出部推壓舉起。 G 3-如申請專利範圍第1項所記載之氣相成長裝置， 其中，於前述晶座上面，係並沒有開口部。 4. 如申請專利範圍第1項所記載之氣相成長裝置， 其中，前述晶座，係藉由被膜有碳化矽（SiC)之碳基 材、碳化矽（Sic)基材、或者是含浸有矽之碳化矽基材 中的任一者而被形成。 5. 如申請專利範圍第1項所記載之氣相成長裝置， 其中，前述晶圓突起舉升機構，係爲將前述支持器下面從 下方而推壓舉起之銷形狀。 -19- 200936802 6 ·如申請專利範圍第2項所記載之氣相成長裝置， 其中，前述晶圓突起舉升機構，係爲將前述突出部下面從 下方而推壓舉起之銷形狀。 7 ·如申請專利範圍第2項所記載之氣相成長裝置， 其中，前述支持器，係在涵蓋240度以上之角度之圓環形 狀之周緣部處被設置有前述突出部。 8 ·如申請專利範圍第2項所記載之氣相成長裝置， 〇 其中，前述突出部，係以均等之間隔而被設置於3個場 所。 9. 一種氣相成長方法，其特徵爲，係使用有一種氣 相成長裝置， 該氣相成長裝置，係具備有： 支持器，係具備有圓環形狀，並可載置晶圓；和 晶座，係爲圓盤型形狀，而可載置前述支持器，並在 上面處’設置有當被載置有前述支持器時內接於前述支持 〇 器之內週端的圓周狀階段差；和 旋轉驅動機構，係將前述晶座以及被載置於前述晶座 處之前述支持器，以特定之旋轉速度而作旋轉；和 加熱機構，係將被載置於前述支持器處之晶圓作加 熱：和 晶圓突起舉升機構，係在前述旋轉驅動機構之外側 處，將前述支持器下面推壓舉起， 該氣相成長方法，係具備有以下之工程： 使前述晶圓突起舉升機構上升，並將被載置於前述晶 -20- 200936802 座上之前述支持器推壓舉起之工程；和 將前述晶圓搬入，並載置於前述支持器上之工程；和 使前述晶圓突起舉升機構下降，並將前述支持器載置 於前述晶座上之工程；和 在藉由前述旋轉驅動機構而使前述晶圓旋轉的同時， 藉由前述加熱機構而將晶圓加熱，並在前述晶圓上形成氣 相成長膜之工程；和 0 使前述晶圓突起舉升機構上升，並將被載置在前述晶 座上之前述支持器推壓舉起之工程；和 將前述晶圓搬出之工程。 10. 如申請專利範圍第9項所記載之氣相成長方法， 其中，前述支持器，係於周緣部處具備有突出部，前述晶 圓突起舉升機構，係將前述突出部推壓舉起。 11. 如申請專利範圍第9項所記載之氣相成長方法， 其中，於前述晶座上面，係並沒有開口部。 〇 1 2.如申請專利範圍第9項所記載之氣相成長方法， 其中，前述晶座，係藉由被膜有碳化矽（Sic )之碳基 材、碳化矽（Sic)基材、或者是含浸有矽之碳化矽基材 中的任一者而被形成。 1 3 .如申請專利範圍第9項所記載之氣相成長方法， 其中，前述晶圓突起舉升機構’係爲將前述支持器下面從 下方而推壓舉起之銷形狀。 14.如申請專利範圍第10項所記載之氣相成長方 法，其中，前述晶圓突起舉升機構，係爲將前述突出部下 -21 - 200936802 面從下方而推壓舉起之銷形狀。 1 5.如申請專利範圍第9項所記載之氣相成長方法， 其中，前述支持器’係在涵蓋240度以上之角度之圓環形 狀之周緣部處被設置有前述突出部。 16.如申請專利範圍第1 〇項所記載之氣相成長方 法，其中，前述突出部’係以均等之間隔而被設置於3個 場所。 ❹ ❹ -22-