TW201007781A - Flat soft magnetic material and process for its production - Google Patents

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201007781 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用於雜訊抑制用磁性薄片中之扁平狀 軟磁性材料及其製造方法。 【先前技術】 近年來，隨著數位電路之動作速度的高速化，電路放射 出，電磁雜訊轉移至高頻段。該雜訊會造成内部干擾而使 機器自身產生誤動作、或造成外部干擾而使其他機器產生 =、動作$ 面’為了使近年之搭載有數位電路之機器 的輕量化、薄型化及小型化均能推進輕量小型化，故而， 封裝密度必須進-步提高。因此，開發出能遮斷雜訊之電 磁屏蔽材，提出—種將定向分散有軟磁性材料之片狀雜訊 抑制零件’配置於雜訊之發生源即電子電路的附近之方 法。 眾所周知，上述之片狀的雜訊抑制零件中，使用有軟磁 性材料，藉由使軟磁性材料之厚度較薄而成為扁平狀，而 可於較廣的屏段内獲得雜訊抑制效果。 關於扁平狀軟磁性材料之製作方法，例如，於曰本專利 特開昭62-238305號公報（文獻！）以及日本專利特開平 1-294802號公報(文獻2)中揭示有，作為片狀或者扁平狀 w合金之粉末的製造方法，使用由水霧化法所製成 之銘石夕鐵粉原料。W，日本專利特開2則η號八 報(文獻3)以*日本專利特開2〇〇5_123531號公報（文獻^ 揭不有，作為扁平狀軟磁性金屬粉末或者其製造方法 139628.doc 201007781 用由氣體霧化法所製成之原料。而B 丄由 寸 而且，日本專利特開 2001-303111號公報（文獻5)中揭示有 *1另如下方法，即，當將

藉由霧化法而獲得之軟磁性金Μ趴士 & & A 1屬私末的粉碎介質利用粉碎 機機械地進行爲平加工時’“醇等有機溶劑及脂肪酸而 進行粉碎。進而，日本專利㈣平5_9請旧純（文獻6) 中揭示有’作為實施例’將藉由水霧化法而製成之紹石夕鐵 粉粉末與乙醇一同利用粉碎機進行扁平化處理。 【發明内容】 發明所欲解決之問題 文獻1、2、5以及6係用於將軟磁性材料使用於磁卡中而 進行研究者，文獻3以及4係著眼於軟磁性材料之氧量者。 按照上述文獻！〜6中所述之方法所製成的任_軟磁性材 料，均不具有足以滿足用作雜訊抑制用磁性薄片時之磁性 薄片特性的較高磁導率。 因此’本發明之目的在於，提供一種能製作具有充分高 的磁導率之雜訊抑㈣磁性薄片的扁平狀軟磁性材料及其 製造方法。 本發明提供-種雜訊抑制用磁性薄片中之扁平狀軟磁性 材料，該扁平狀軟磁性材料之5〇%粒徑仏❹化⑷、保磁力 Hc(A/m)以及體密度BD(Mg/m3)滿足下述式（ι):

D5〇/(HcxBD)^ 1.5 藉由使用滿足上述條件之扁平狀軟磁性材料，可製作磁 導率充刀间之雜訊抑制用磁性薄片。此處，高周波之磁導 率可使用實部磁導率μ,及虛部磁導率^"，來以複合磁導率 139628.doc 201007781 (μ=μΗμ")表示。磁屏效果依賴於實部磁導率〆之大小，雜 訊吸收效果依賴於虛部磁導率μ”之大小。 雜訊抑制用磁性薄片係㈣產生雜訊之屏段的磁性材料 之複：磁導率的虛部μ”而進行雜訊吸收，低屏之〆越大則 μ之最大值越大。此種具有高磁導率（Highp)之磁性薄片可 藉由以高密度填充保磁力_小且粒徑較大之扁平粉而獲 得。 因此，本發明者等人，針對使用軟磁性合金粉末經扁平 化處理後而得之扁平㈣製㈣磁性薄片，對扁平粉之各 物性與磁性薄片特性即磁㈣μ，之關係進行銳意研究之後 發現，當磁性材料之填充率固定時，扁平粉之 D5〇/(HCxBD)之值越大，則磁性薄片之口，越大。而且，本發 月者等人e忍冑’因#在扁f粉之粒徑越大則出越小之傾 向’故而，冑用粒㈣交大且經充分扁平化之磁性材料係用 於使磁性薄片High#化之必要條件。 本發明之扁平狀軟磁性材料較好的是，縱橫比為2〇以 上，Dm為50 μπι以上。藉由使用此種扁平狀軟磁性材料， 可製作磁導率更高之雜訊抑制用磁性薄片。 上述扁平狀軟磁性材料較好的是，含有Fe_Si_A1系合金 (以下，有時稱作「㈣鐵粉」）。㈣鐵粉因保磁力充分 小，故而可進一步提高磁導率。而且，㈣鐵粉中不含高 價之金屬，故而亦具有能降低成本之優點。 本發明提供-種扁平狀軟磁性材料之製造方法，其係製 造上述爲平狀軟磁性材料者，其包括：熱處理步驟，將由 139628.doc 201007781 霧化法而製成之軟磁性合金粉末，置於惰性環境中以 議W進行熱處理，而獲得熱處理粉末；以及扁 平化處理步驟，於存在有機、、交麻 百機/令劑之條彳下使上述熱處理粉 末扁平化。 藉由上述製造方法，可盥作φ 裂作出能製成磁導率充分高之雜 訊抑制用磁性薄片的扁平狀軟磁性材料。 本發明之製造方法中 隙度為0，15 m3/Mg以下 使用此種熱處理粉末， 料。 ，較好的是，上述熱處理粉末之孔 平均結晶粒徑為6 μιη以上。藉由 能獲得He更小之扁平狀軟磁性材 上述製造方法中，若有機溶劑係碳數為2〜4之一元醇， 則即便不使用扁平化助劑，亦可高產率地獲得粒徑較大之 扁平粉’ &而較好。另外’此時，扁平化時所使用之醇容 易回收再利用。 根據本發明’可提供-種能製作出磁導率充分高之雜訊 抑制用磁性薄片的扁平狀軟磁性材料及其製造方法。 【實施方式】 <扁平狀軟磁性材料> 本實施形態之扁平狀軟磁性材料（以下，有時亦稱作 「扁平粉」）之50%粒徑〇5〇(μηι)、保磁力Hc(A/m)以及體密 度BD(Mg/m3)滿足下述式⑴： D5〇/(HcxBD)^ 1.5 (1)。 上述扁平狀軟磁性材料，可藉由對軟磁性合金粉末進行 扁平化處理而製作。 139628.doc 201007781 軟磁性合金粉末’較好的是保磁力較小的人金 是被稱作鋁矽鐵粉之Fe-Si-A丨系合金或者被稱作鎳 之Fe-Ni系合金’其中，因更能減小Hc，故而更好的：链 矽鐵粉。 軟磁性合金粉末’可藉由水霧化法、氣體霧化法或者氣 體喷霧水霧化法而製作。所謂水霧化法係指，對自噴嘴流 下之原料即軟磁性合金之流體喷射高壓水，進行水冷，:

使軟磁性合金凝固·粉末化之方法。另外，所謂氣體霧化 法係指，對自喷嘴流下之軟磁性合金的流體喷射高壓氣 體，進行空冷，而使軟磁性合金凝固·粉末化之方法。所 明氣體，係使用空氣或惰性氣體，但對於銘石夕鐵粉而令較 好的是使用惰性氣體。進而，氣體喷霧水霧化法，係由氣 體霧化法與水霧化法組合而成者，其係對自喷嘴流下之軟 磁性合金的流體噴射高壓氣體之後，進行水冷，而使軟磁 性合金凝固•粉末化之方法。 本發明中，因能減小孔隙度，故而較好的是使用由氣體 霧化法或者氣體喷霧水霧化法製造之軟磁性合金粉末。 再者，扁平粉之粒徑越大，則當填充率相同時磁性薄片 之μ1越大，而另一方面，高密度填充越難或磁性薄片表面 越粗’故而，上述軟磁性合金粉末之5〇%粒徑〇5〇較好的是 50〜1〇〇 μιη左右。 上述扁平狀軟磁性材料可藉由如下方法製造，該方法中 包括.熱處理步驟，將上述軟磁性合金粉末置於惰性環境 中以800〜1200°C進行熱處理，而獲得熱處理粉末；以及， 139628.doc 201007781 於存在有機溶劑之條件下 對該方法進行說明。 使熱處理粉 扁平化處理步驟， 末扁平化。以下， (熱處理步驟） 作為使軟磁性合金粉末^化之前的預處理將由各種 霧化法所餅之軟錄合金粉末，置於導人有氬氣等惰性 風體之惰性環境中’以既定之溫度進行熱處理，而獲得孰 處理粉末。 … 熱處理溫度係_〜UOOt，較好的是9〇〇〜11〇代。藉 :於該溫度範圍進行熱處理，可増大軟磁性合金粉末之結 明粒L。再者，若處理溫度超過12⑻。C，則軟磁性合金粉 末會劇烈凝集或者燒結’故而，會導致鳥平化處理變得困 難0 作為熱處理_，較好的是1G分鐘〜5小時左右，更好的 是1 3小時。當熱處理時間小於1〇分鐘時結晶粒徑不夠 大；而即便超過5小時，結晶粒徑也不會變得更大，故而 生產性下降。 …、處理粕末之孔隙度，較好的是〇 15 m3/Mg以下，更好 的疋0.10 m/Mg以下，進而更好的是〇〇7 m3/Mg以下。而 且存在如下傾向：孔隙度越小’則扁平化處理之後的軟 磁丨生材料之50°/。粒徑越大，磁性薄片之μ，越大。熱處理粉 末之孔隙度，可藉由汞細孔計測定。 此處，圖1係使用汞細孔計對藉由各種霧化法所製成之

Fe Si-Al系合金粉末進行測定所得之測定結果的圖表。根 據圖1可知’軟磁性合金粉末之孔隙度依賴於霧化法，按 139628.doc 201007781 照氣趙霧化法<氣體噴霧水霧化法〈水霧化法之順序，孔隙 度變大。再者，軟磁性合金粉末之孔隙度因熱處理溫度而 產生之變化較小。 熱處理粉末之平均結晶粒徑，較好的是6叫以上，更好 的是8 μχη以上，進而更好的是以上。當平均結晶粒徑 小於6 _時，#在扁平狀軟磁性材料之5〇%粒徑變小、磁 . 性薄片^，變小之傾向。再者，平均結晶粒徑係藉由將軟 • 师合金粉末或者熱處理粉末填人樹脂中而進行鏡面加工 之後進行钱刻，且利用掃描型顯微鏡（sem)拍攝照片，進 行圖像解析而求出之值。 (扁平化處理步驟） 進而，使上述熱處理粉末扁平化。 作為扁平化方法’並無特職制，可例如使用粉碎機、 球磨機、振磨機等而實施H與球磨機及振磨機相 , 因能以短時間對原料粉末進行混合•粉碎，故而較好 -· 的是使用粉碎機。而且，扁平化處理較好的是使用有機溶 劑進行濕式處理。 作為上述有機溶劑，可使用例如：甲苯、己烷、丙_、 曱醇以及碳數為2〜4之一元醇。碳數為2〜4之一元醇中包 括：乙醇、1-丙醇、2_丙醇、！·丁醇、2_丁醇、異丁醇、 第三丁醇。 有機溶劑之添加f，相對於1〇〇質量份熱處理粉末而 =，較好的是200〜2000質量份，更好的是5〇〇〜1〇〇〇質量 份。當有機溶劑之添加量小於質量份時，存在扁平粉 139628.doc 201007781 之粒徑變小之傾向，若超過2〇 長而導致生產性下降。 ，職理時間會增 加有機溶劑而使用較脆的軟磁性合金 ♦=::良率製造出粒經較大、經充分扁平化之扁平 :::良::得粒徑較大且經充分扁平化之扁平粉= 本發明“吏用銘石夕鐵粉時，亦可獲得能充分扁平化、且 能較好地適用於雜訊抑制磁性薄片t的平均粒徑為50 μπι以上之扁平狀軟磁性材料。 為了增大扁平粉之粒徑’亦可同時使用有機溶劑及扁平 化助劑。作為扁平化助劑’可較好地使用例如硬脂酸等脂 肪酸作為扁平化助劑之添加量，相對於⑽質量份之熱 處理粉末而言’較好的是0.1〜5質量份，更好的是0.5〜2質、 量份。即便扁平化助劑之添加量超過5質量份，扁平粉之 粒技亦不會更上，而且，有機溶劑難以回收利用，教處理 爐之汚染變得更嚴重。而且，作為有機溶劑，當使用碳數 為2〜4之一元醇類時，即便不添加扁平化助劑，亦可獲得 粒徑較大之扁平粉。 再者，較好的於扁平化處理之1，將所得之扁平狀 軟磁性材料置㈣性環境巾進行減理。藉此，保磁力取 減】磁险薄片之μ'增大。此時之熱處理溫度係 700〜90(TC，處理時間係1〇分鐘〜3小時左右。 以上述方法製作之扁平狀軟磁性材料中，縱橫比卜粒徑/ 厚度）較好的是20以上，更好的是2〇〜1〇〇，進而更好的是 139628.doc 10- 201007781 30〜50。當縱橫比小於2〇時，去磁場增大，當將該扁平狀 軟磁性材料製成磁性薄片時視在磁導率下降；當縱橫比超 過100時，存在填充率（=扁平狀軟磁性材料之體積/磁性薄 片之體積）下降、磁導率下降之傾向。 上述扁平狀軟磁性材料之50%粒徑Dm，較好的是5〇 以上，更好的是55 μιη以上，進而更好的是6〇 μιη以上。當 Dso小於50 μΐηΒ，存在難以獲得保持力1]^較小之扁平粉、 且實部磁導率μ，減小之傾向。再者，若Dm變得過大，則不 容易與黏合樹脂混合，從而難以製作磁性薄片，故而， Dso之上限為100 μιη左右。再者，本說明書中之，係藉 由使用乾式分散單元之雷射繞射法，且使用日本雷射股份 有限公司製造之「HEL〇S SYSTEM」而測定出的值。 扁平狀軟磁性材料之保磁力Hc，較好的是1〇〇 A/m以 下，更好的是80 A/m以下。若He超過1〇〇 A/m，則存在磁 性薄片之μ’減小之傾向。Hc可由市售之H，定儀而測定。 扁平狀軟磁性材料之體密度BD，較好的是〇2〇〜〇6〇 Mg/m ’更好的是0·25〜〇 5〇 Mg/m3。當肋小於〇 叫化3 時，當製成磁性薄片時，存在填充率下降之傾向；當超過 0·60 Mg/m時，因扁平化不夠充分，故而去磁場增大視 在磁導率下降。BD可使用以JIS K-5101為基準之方法且利 用體積比重測定器而測定。 扁平狀軟磁性材料之比表面積SSA，較好的是丨5 以下，更好的是1.0 m2/g以下。若SSA超過丨5 m2/g，則存 在必需大量的黏合樹脂、磁性材料之填充率下降之傾向。 139628.doc 201007781 本說明書中之SSA ’係使用Mountech Co. Ltd.製造之全自 動比表面積儀「Macsorb model-1201」而測定出之值。 本發明之扁平狀軟磁性材料中，Ds()、He、以及BD滿足 上述式（1)中所表示之條件，且以D5〇/(HcxBD)計算出之值 為1.5bm/Am_VMgm_3)上，較好的是2.〇以上，更好的是3 〇 以上。 此處，圖2係表示扁平狀軟磁性材料之D5g/(HcxBD)與磁 性薄片之μ·間的關係之圖表。一般而言，雜訊抑制用磁性 薄片係利用產生雜訊之屏段之磁性材料的複合磁導率之虛 部u"而吸收雜訊，低屏之卜，越大則以"之最大值越大。因 此，可根據μ’之值的大小來判斷雜訊抑制磁性薄片之性 能。μ’之值較大的磁性薄片，可藉由以高密度填充保磁力 較】、且50/〇粒徑較大之扁平粉而獲得。而且，當磁性薄片 之爲平粉之填充率固^時’扁平粉之以D5G/(HexBD)所表 示的值越大，則μ•越大，且雜訊抑制效果更優良。

故而，當D5〇/(HCXBD)小於】5時，存在磁性薄片之^，越 小則雜訊抑制效果越不充分之傾向。 <雜訊抑制用磁性薄片 '薄片可使用上述扁平狀軟磁性材料而製作。磁七 片之製作方法並無特別限制’以下表示其一例。 :述磁性薄片，可藉由將扁平狀軟磁性材料與黏合相 =，且利用加壓成形•擠出成形而形成為片狀之^ 聚作。而且，亦可拉 ^ 下方法製作，即，使扁平狀彰 性材料及黏合樹脂分散於有機溶财W料= 139628.doc -12- 201007781 刀成形法將上述漿料以既定之厚度成膜於支持基材上，乾 燥後’藉由砑光輥而進行壓延而形成為片狀。 磁性薄片之厚度係〇 〇5〜2 mm左右。雜訊抑制效果係與 磁陡薄片之厚度成比例，故而，若磁性薄片之厚度小於 〇.〇5 mm，則難以獲得充分之效果。另一方面若磁性薄 片之厚度超過2 mm，則難以收容至電子機器之框體内部之 ' 狹小空間内。 -眷 磁性薄片之扁平狀軟磁性材料的填充率，較好的是 3〇〜60體積％，更好的是4〇〜5〇體積％。當填充率小於“體 積％時，雜訊抑制效果不充分；當超過6〇質量％時，則軟 磁性材料之間無法藉由黏合樹脂而牢固地結合，從而導致 磁性薄片強度下降。 t黏合樹脂係用於使扁平狀軟磁性材料結合之絕緣性樹 月曰。扁平狀軟磁性材料之表面之一部分或者全部，塗佈有 ' 黏口樹脂。作為黏合樹脂’可列舉例如：聚醋系樹脂、聚 .· &烯樹月曰、聚氣乙烯系樹脂、聚乙烯丁醛樹脂、聚胺基曱 $醋樹脂、纖維素系樹脂、ABS樹脂、猜-丁二㈣橡膠、 本乙烯-丁二烯系橡膠、環氧樹脂、酚樹脂、醯胺系樹 脂。 黏合樹脂之添加量，相對於1〇〇質量份之扁平狀軟磁性 材料而言，較好的是10〜40質量份’更好的是15〜25質量 份。 ' 再者，磁性薄片中，除了扁平狀軟磁性材料以及黏合樹 脂之外，亦可根據需要而含有塑化劑、固化劑、分散劑、 139628.doc -13- 201007781 穩定劑、偶合劑、稀釋劑等。 而且，當欲將磁性薄片塗佈或成形為 藉由施加定向磁場或者對其機械地定向可 高之磁性薄片。 或方向性較 為了獲得充分高的雜訊抑制 ㈣好的是_上，更好的是片 以上述方式製作之磁性薄片，具有較高的磁 有用地用作雜訊抑制用磁性薄片。 可極 以上’係對於本發明之較好的實施形態進行了伯 本發明並不限於上述内容。 但 [實施例] 但本發明並 以下，基於實施例對本發明進行具體說明 不限於該些實施例。 (實施例1 ~6以及比較例1〜6) 如表1所示，準備由各種霧化法製作之Fe-Si-A1(S卜8〜u 質量f〜7質量％)系合金粉末（銘石夕鐵粉粉末），於Μ 環境中以700〜UOOt處理2小時，從而獲得熱處理粉末。 對於熱處理粉末之孔隙度，係使用汞細孔計（π Instruments公司製造，商品名「〜咖化❹如 _〇型」）進行測定。軟磁性合金粉末之平均結晶粒 徑，如上所述，係藉由對SEM照片進行圖像解析而求得。 繼而，對於未經熱處理之粉末或者熱處理粉末，添加質 量比為5·7倍之曱苯以及1質量。/。之作為扁平化助劑之硬脂 酸’使用粉碎機進行扁平化處理，從而獲得扁平粉。再 139628.doc •14- 201007781 者’調整扁平化時間’以使體密度BD約為〇·4 Mg/m3。扁 平粉之體密度’係基於HS K-5 101，使用體積比重測定器 (測定試料=30 ml)而測定。而且，扁平粉之粒度分布係使 用雷射法（曰本雷射股份有限公司製造，商品名r halos SYSTEM」）而測定。繼而’將上述扁平粉置於^環境中以 800C進行2小時熱處理。熱處理後之扁平粉之保磁力^^係 使用He測定儀（Tohoku Steel Co·，Ltd製造，商品名 「K-HC1000」）而測定。 將所得之扁平粉100質量份、黏合樹脂（聚乙烯丁醛）17 質量份、塑化劑（鄰苯二甲酸二乙酯）2質量分以及稀釋劑 (甲苯、二甲苯、1·丙醇以及 S〇lmix(Japan Alch〇h〇1 Trading CO.，LTD製造，商品名）混合溶劑）15〇質量份，而 製作漿料。將上述漿料塗佈於ΡΕτ膜上，穿過使同極相對 向之磁場中，藉此，進行磁場定向，從而形成磁性薄片 層。乾燥之後，自PET膜上剝除磁性薄片層，重疊6枚，以 90 C、77 Mpa進行1小時熱壓，以此製作磁性薄片。 (磁性薄片之評價） 使用外徑為18 mm、内徑為1〇 mm之金屬模具，將磁性 薄片衝壓成環形形狀，使用阻抗分析儀（AgU⑽

Techn〇1〇gies公司製造，商品名「E4991A」），評價磁特 性。 表1中，表示原料、扁平粉以及磁性薄片之特性（磁性薄 片之μ'係當磁性材料之填充率為40 ν〇1°/。時之換算值）。 139628.doc 201007781 [表i] 原料特性 熱處理粉之特性 扁平粉之特性 磁性薄片 特性 霧化方法 〇50 熱處理 溫度 孔陈度 平均結 晶粒徑 縱橫 〇50 BD He Dso/ (HcxBD) SSA Μ* 1MHz μπι r m3/Mg μηι 比 μπι Mg/m3 A/ m μιη/AmV Mgm'3 m2/g (40 vol%) 實施例1 800 0.117 6.6 29 57 039 91 1.6 0.89 136 實施例2 氣《嚏霧 水霧化 900 0.104 9.5 31 62 0.40 87 1.8 0·87 152 實施例3 83 1000 0.110 10.2 34 66 0.40 70 2.4 0.74 151 實施例4 1100 0.131 13.6 32 65 0.41 84 Ϊ.9 0.75 152 實施例S 1200 0.116 15.3 32 65 0.41 93 1.7 0.95 144 實施例6 氯霧化 59 1000 0.061 93 35 69 039 72 2.5 0.65 187 比較倒1 水霧化 55 無 0.199 3.7 14 29 0.42 231 0.30 1J7 83 比較例2 1000 0.192 5.0 16 30 037 239 0J4 135 84 比較例3 氣tt喷霧 水霧化 無 0.102 3.9 22 46 0.42 115 0.95 1.01 124 比較例4 83 700 0.100 3.4 23 45 0.39 111 1.0 1.05 120 比較例5 1300 .** .** **因己燒結故無法使用 - 比較例6 氣tt霧化 59 無 0.065 5.4 22 39 035 124 0.90 1.58 126 實施例1〜6中，對藉由氣體霧化法或者氣體喷霧水霧化 法而製作之鋁矽鐵粉粉末，以800〜1,200°C進行熱處理， 藉此，可獲得D5q為50 μηι以上之扁平粉，D5〇/(HcxBD)之 值達到1.5以上。可確認，使用此類扁平粉所製作之磁性 薄片的μ·係130以上、磁導率充分高。另一方面，比較例 1〜4以及6中，所得之扁平粉之D50小於50 μηι， D50/(HcxBD)之值亦小於1.5，磁性薄片之μ，小於130。而 且，比較例5中，係以1300°C進行熱處理，故而導致燒 結，從而無法進行扁平化處理。 (實施例7〜11以及比較例7〜11) 如表2所示，準備由各種霧化法所製作之Fe-Si-Al (Si=8〜11質量％，Al=5~7質量％)系合金，於Ar環境中以 -16- 139628.doc 201007781 700〜1100°c進行2小時處理，從而獲得熱處理粉末。繼 而，對於未經熱處理或者熱處理粉末，添加質量比為5.7 倍之2 -丙醇，且不使用扁平化助劑，而藉由粉碎機進行扁 平化處理，從而獲得扁平粉。再者，調整扁平化時間，以 使BD達到0.2〜0.3 Mg/m3。以下，實施與實施例1相同之處 理以及評價。 • [表 2] 原料特性 熱處理粉之特性 扁平粉之特性 磁性薄片 特性 霧化方法 Use 熱處理 溫度 孔陈度 平均 結晶 粒径 縱橫比 〇50 BD He Ds〇/ (HcxBD) SSA μ'ΙΜΗζ (40 vol%) μπι r m3/Mg μπι μπι Mg/m3 A/m μιη/Απι'1/ Mgm*3 m2/g 實施例7 氣*嘖霧 水霧化 83 1000 0.110 10.2 31 53 0J2 72 23 0.79 133 實施例8 氣馥霧化 59 800 0.062 6.4 33 50 0.26 70 2.7 0.90 150 實施例9 900 0.069 7.7 37 53 0.25 61 3*5 0.82 176 實施例10 1000 0.061 93 40 58 0.25 61 3.8 0.76 187 實施例11 1100 0.066 12.5 47 65 0.23 60 4.7 0.82 201 比較例7 水霧化 55 無 0.199 3.7 19 30 0.29 215 0.48 1.38 74 比較例8 1000 0.192 5.0 20 32 0.28 196 0.58 1.24 79 比較例9 氣邇喷霧 水霧化 83 無 0.102 3.9 24 39 0.29 107 0.95 110 比較例10 氣《霧化 59 無 0.065 5.4 23 34 0.25 95 1.4 0.97 114 比較例11 700 0.064 5.6 22 32 0.25 97 1.3 1.01 120 實施例7〜11中，可獲得D50為50 μηι以上、D50/(HcxBD) 之值為1.5以上的扁平粉，藉由使用上述扁平粉，可獲得 磁導率充分高（μ’為130以上）之磁性薄片。另一方面，比較 例7〜11中，不僅扁平粉之D50小於50 μιη，而且 D5〇/(HcxBD)之值亦小於1.5，從而以此製作之磁性薄片的 μ'為120以下。 •17· 139628.doc 201007781 (實施例I2〜15以及比較例I2〜16) 如表3所示，準備由氣體喷霧水霧化法製作之Fe-Si-Al(Si = 8〜11質量％，Al=5〜7質量％)系合金，於Ar環境中以 1000°C進行2小時處理，從而獲得熱處理粉末。繼而，對 於熱處理粉末，添加質量比為5.7倍之表3中所示之扁平化 處理溶劑，不使用助劑，藉由粉碎機來進行扁平化處理， 從而獲得扁平粉。再者，調整扁平化時間，以使BD達到 0.2~0.3 Mg/m3。以下，實施與實施例1相同之處理以及評 價。 [表3] 原料特 性 熱處理粉之特性 扁平粉之特性 磁性薄片 特性 热處理 溫度 孔陈度 平均結 晶粒徑 扁平化 溶倒 縱橫 比 D*i〇 BD He D»/ (HcxBD) SSA Μ* 1 MHz (40 vol%) μπι °C m3/Mg μπι μπι Mg/m3 A/m μιη/ΑπΓ1/ Mgm'3 mVg 實施例12 乙酵 36 54 0.26 88 2.4 0.88 130 實施例13 83 1-丙酵 39 59 0.26 76 3.0 0.90 140 實施例14 1-丁酵 41 57 0.23 94 2.6 1.26 152 實施例15 異丁酵 35 55 0.28 77 2.6 0.97 147 比較例12 己烷 26 39 0.26 135 n 0.97 108 比較例13 甲苯 24 37 0.27 115 1.2 0.94 118 比較例14 83 1000 0.X1O 10.2 丙酮 27 41 0.26 124 13 1.04 119 比較例15 水 10 17 0.33 419 0.12 11.95 48 比較例16 甲酵 29 42 0.25 131 1.3 3.24 no 根據實施例7、12〜15，當使用碳數為2〜4之一元醇類來 作為扁平化處理溶劑時，即便不使用扁平化助劑，扁平粉 之D5〇亦能達到50 μπι以上、D5〇/(HcxBD)之值亦能達到1.5 以上，藉此，能獲得磁導率充分高（μ'為130以上）之磁性薄 片。另一方面，於使用除此以外之扁平化處理溶劑的比較 •18- 139628.doc 201007781 例12〜16中，扁平粉之D5〇小於5〇 μιη’ d5〇/(Hcxbd)之值亦 小於l.5，故而磁性薄片之μ，小於13〇。 (實施例16、17以及比較例17、1 8) 如表4所示，準備由水霧化法製作之μ〇鎳鐵合金 (Ni=79、Μο=4質量％)合金粉末，於&環境中以9〇(^進行 1小時處理，從而獲得熱處理粉末。繼而，對於熱處理粉 * 纟’添加質量比為5·7倍之，苯，不使用扁平化助劑，‘ 'φ 由粉碎機來進行扁平化處理，從而獲得扁平粉。以下，實 施與實施例1相同之處理以及評價。 [表4] 肩 平粉之特性 磁性薄片特性 縱橫比 1^50 BD He Ds〇/(HcxBD) SSA μκη mg/m3 A/m Mm/AmVmgm·3 m2/g (40 vol%) 實施例 43 83 0.49 83 2.0 0.5$ 140 資施例17 60 98 0.38 82 3.1 0,49 165 比較例17 12 32 0.75 112 0.38 1.18 88 比較例18 30 65 0.59 100 1.1 0.96 106 根據實施例16以及實施例17，可確認，當使用鎳鐵合金 進行扁平化時，藉由使之值滿足丨5，亦可獲 得磁導率充分高的磁性薄片。 【圖式簡單說明】 圖1係使用汞細孔計對藉由各種霧化法所製成iFe_Si_Ai 系合金粉末進行測定所得之測定結果的圖表。 圖2係表示扁平狀軟磁性材料之D5〇/(HcxBD)舆磁性薄片 之μ之間的關係的圖表。 139628.doc -19-

Claims (1)

1. 201007781 七、申請專利範圍： 1· 種扁平狀軟磁性材料’其係使用於磁性薄片者，且其 之5〇%粒徑〇5〇(叩）、保磁力Hc(A/m)以及體密度 BD(Mg/m3)滿足下述式: Ds〇/(HcxBD)^ 1.5 (1)。 2. 如凊求項1之扁平狀軟磁性材料，其中縱橫比為20以 上’上述D5〇為50 μηι以上。 3. 如印求項1之扁平狀軟磁性材料，其中含有Fe_Si_M系合 金0 4. 一種扁平狀軟磁性材料之製造方法，其係請求項id中 任一項所述之扁平狀軟磁性材料之製造方法，其包括： 熱處理步驟，將由霧化法而製成之軟磁性合金粉末， =青性環境令以—c進行熱處理，而獲 理 粉末；以及 .· 處處理步驟，於存在錢溶叙條件τ使上述熱 處理粉末扁平化。 5.如请求項4之扁平狀軟磁性材料之製造方法 熱處理粉末之孔隙度為0.15 mVM 从 述 為6从爪以上。 +均結晶粒徑 139628.doc