TW201029941A - Molten glass carrier facility element and glass production system - Google Patents

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TW201029941A TW098138612A TW98138612A TW201029941A TW 201029941 A TW201029941 A TW 201029941A TW 098138612 A TW098138612 A TW 098138612A TW 98138612 A TW98138612 A TW 98138612A TW 201029941 A TW201029941 A TW 201029941A
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Kazuo Hamashima
Nobuhiro Shinohara
Hironori Sato
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Asahi Glass Co Ltd
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Description

201029941 六、發明說明: 【^明戶斤屬名頁3 技術領域 本發明係有關一種可適用於如減壓脫泡裝置之玻璃製 造裝置的熔融玻璃搬送設備元件,以及包含該熔融玻璃搬 送設備元件之玻璃製造裝置。 【先前技術J 發明背景 在如減壓脫泡裝置之玻璃製造裝置中,熔融玻璃之導 管的構成材料被要求具耐熱性以及對熔融玻璃具優異耐蝕 性。作為滿足此要求之材料,目前係使用銘或銘合金(參照 專利文獻1)。在鉑或鉑合金製之熔融玻璃之導管周圍,係 以包圍該導管的方式配置有隔熱磚。 由於構成導管之鉑或鉑合金與配置在該導管周圍之隔 熱碑係具有不同的熱膨脹係數,因此,加熱時之熱膨脹量 的差,及冷卻時之收縮量的差會成為問題。 為了吸收此種加熱時之熱膨脹量的差、或是冷卻時之 收縮量的差,而於兩者間填充如可澆鑄之水泥般之不定形 陶竟材料,俾以在發生溫度變化時,兩者可稍微相對移動。 先行技術文獻 專利文獻 專利文獻1:日本特開第2002-87826號公報 t發明内容3 發明概要 3 201029941 發明欲解決之課題 、 然而,本案發明人發現到,依熔融玻璃之導管的配置 而定,光靠填充不定形陶瓷材料有時會有無法完全吸收加 熱時之熱膨脹量的差、或是冷卻時之收縮量的差的情況。 第1圖係顯示減壓脫泡裝置之一構成例的截面圖。在 第1圖所示之減壓脫泡裝置100中,減壓脫泡槽130係以 其長轴朝水平方向配向的方式而收納配置於減壓殼體120 内。減壓脫泡槽130—端之下面安裝有上昇管140,另一端 之下面則安裝有下降管150。在減壓殼體120内,減壓脫泡 槽130、上昇管140以及下降管150之周圍係配設有隔熱材 160。 上昇管140係經由導管170、180及190而與熔融玻璃 上游側之結構物(未圖示,例如玻璃溶解槽)相連接。下降管 150係經由導管200、220及240而與下游侧之結構物(未圖 示,例如浮浴之板玻璃成形裝置)相連接。若更具體說明, 則具有垂直方向之中心軸的上昇管140係經由在水平方向 上具有中心軸的導管170、在垂直方向上具有中心軸的導管 180以及在水平方向上具有中心轴的導管19〇而與上流侧 之結構物相連接。另一方面,在垂直方向上具有中心轴之 下降管150係經由在水平方向上具有中心軸之導管2〇〇、在 垂直方向上具有中心轴之導管220以及在水平方向上具有 中心軸之導管240而與下流側之結構物相連接。又,上昇 管 140、下降管 150、導管 17〇、180、190、200、220 及 240 係鉑或鉑合金製的管。 201029941 儘管未圖示,隔熱磚係以包圍前述鉑或鉑合金製管的 方式配置,且該鉑或鉑合金製管與隔熱碑之間係填充有不 定形陶竟材料。 如此之結構中,僅單獨有在垂直方向上具有中心轴之 管(140、150、180及220),或僅單獨有在水平方向上具有 中心軸之管(170、190、200及240)時,翻或翻合金製管與 隔熱磚在加熱時之熱膨脹量的差或冷卻時之收縮量的差係 A 可被填充於兩者間之不定形陶瓷材料所吸收。然而,在垂 〇 直方向上具有中心軸之管且在水平方向上具有中心軸之管 的接合部(上昇管140與導管170之接合部、下降管150與 導管200之接合部、導管170與導管180之接合部、導管 18〇與導管190之接合部、導管200與導管220之接合部以 及導管220與導管240之接合部)中,會有加熱時之熱膨脹 量的差、或冷卻時之收縮量的差無法被不定形之陶瓷材料 所吸收而在該接合部發生龜裂之虞。一旦在接合部產生龜 φ 裂’則會有因該龜裂所洩漏之熔融玻璃侵蝕配置於周圍之 隔熱磚的問題。也因此,會有因修復施工所導致之生產性 降低以及設備壽命縮短等的問題。 本發明為了解決上述習知技術的問題點,目的在於提 供—種熔融玻璃搬送設備元件及含有該熔融玻璃搬送設備 元件之玻璃製造裝置,該熔融玻璃搬送設備元件具有陶瓷 結構體,其可防止因在垂直方向上具有中心轴之導管與在 水平方向上具有中心轴之導管之接合部因加熱時之熱膨脹 或冷卻時之收縮而發生龜裂,且即使有熔融玻璃因某些原 5 201029941 因而洩漏的情況,亦難以被侵蝕。 用以解決課題之手段 提供一種熔融玻璃搬送設 本發明為了達成上述目的 備元件,包含: 熔融玻璃用導管結構體,俜 盥笛2道其描 有至少各1條第1導管 ,、第導5,該第1導管在垂直方向上具有中心軸而該第2 導管係與該第1導料通且財平方向上具有巾心軸,且 該第1導管及該第2導管係由麵或翻合金所構成;及 陶变結構體,係配置於前述第j導管及前述第 之周圍; 其特徵在於: 前述陶瓷結構體以相對於整體組成之質量%計係含有 75wt%以上之氧化鍅,且前述氧化锆中,立方晶氧化锆之 比例佔80wt%以上; 前述陶瓷結構體之平均開氣孔率為5~60% ; 前述陶瓷結構體於20~100(TC下之線膨脹係數為 8χ10-6〜12xl〇-Vc。 又,本發明提供一種玻璃製造裝置,其特徵在於包含 本發明之熔融玻璃搬送設備元件。 發明效果 在本發明之熔融玻璃搬送設備元件中,由於鉑或I白合 金製之熔融玻璃導管與配置在該導管周圍之陶瓷結構體的 線膨脹係數大約一致,因而加熱時之熱膨脹量或冷部時之 收縮量的差極小。因此,可防止在垂直方向上具有中心轴 201029941 •之導管與在水平方向上具有中心軸之導管之接合部因加熱 時之熱膨脹或冷卻時之收縮而發生龜裂。更且,即使是溶 融玻璃因某些原因而洩漏的情況下,本發明中之陶瓷結構 體亦難以被侵蝕。 又,以往,防止因加熱時之熱膨脹或冷卻時之收縮而 在導管接合部發生龜裂,以及防止熔融玻璃之洩漏所導致 之陶瓷結構體的侵儀,兩者是難以兼顧的。 然而,含有本發明之熔融玻璃搬送設備元件的坡璃製 \较置由於防止了因加熱時之熱膨脹或冷卻時之收縮而在 導營接合部發生龜裂產生,以及即使是熔融玻璃因某些原 匈而洩漏,陶瓷結構體亦難以被侵蝕,因而具優異可靠性, V長期且安定地製造玻璃。 $式簡單說明 第1圖係顯示減壓脫泡裝置之一構成例的截面圖。 ^ 第2圖係顯示本發明之熔融玻璃搬送設備元件之—構 戍例的截面圖。 第3圖係用於試驗例1之試驗體的截面圖。 第4圖係顯示第3及5圖上部之給電部6附近的立體 第5圖係用於比較例1之試驗體的截面圖。 第6圖係實施在試驗例2中之浸潰試驗的說明圖β t貧施方式】 木發明之實施型態 以下’參照圖面而就本發明進行說明。 7 201029941
220以及240 ,啊不枣發明之熔融玻璃搬送設備元件之一構 °又’第2圖係相當於第1圖中之導管200、 的部分擴大圖。 於第2圖所示之熔融玻璃搬送設備元件中,熔融玻璃 用導管結構體1 呈現:相對於在垂直方向上具有中心轴之 第導管(以下,稱為「垂直管」)ia,連通有在水平方向上 具有中心軸之2條第2導管(以下,稱為「水平管」)化及 另 1 b的結構。 本發明中之熔融玻璃搬送設備元件只要具有至少各1 條垂直管與連通於垂直管之水平管即可’而非限定於圖示 之態様。舉例而言,可為相對於1條垂直管連通1條水平 管者。再者,亦可為:相對於1條垂直管,1條水平管係連 通於其一端側,且該水平管之另一端侧更與另一條垂直管 相連通者(相當於第1圖中之導管150、200以及220之組 合的結構等);或者,此種結構更與1條以上之垂直管或水 平管或是其兩者相連通者(相當於第1圖中之導管150、 200、220以及240之組合的結構等)。 再者,本發明中之垂直管並非是嚴格要求其中心軸恰 在垂直方向上,其中心轴亦可是相對於垂直方向呈傾斜 者。有關水平管亦同,並非是嚴格要求其中心軸恰在水平 方向上,其中心軸亦可相對於水平方向呈某種程度傾斜 者。要言之,本發明中之垂直管以及水平管係意圖表示其 等之相對關係,在令其中_導管為垂直管時,與其成交又 關係之導管則為水平管者。 201029941 又’倘若考量前述陶瓷結構體之設置作業性,在垂直 管與水平管之接合部分中,該垂直管與該水平管所呈角度 宜在90±1〇。的範圍内。 在本發明中,由於第1導管與第2導管係用於作為熔 融玻璃之導管,因此要求其構成材料具耐熱性且對於熔融 玻璃具有優異耐蝕性。為此,第1導管與第2導管係由鉑 或是鉑合金(如鉑_金合金、鉑-铑合金及鉑_銥合金)所構成。
構成第1導管與第2導管之鉑或鉑合金宜為使如
Al2〇3、Zr〇2、或ία之金屬氧化物粒子分散在鉑或鉑合 金中而構成之強化鉑。相對於鉑合金(1〇〇質量%),此等金 屬氧化物粒子之含有量為Q〜G 5質量%,且以q Μ 量%為佳。 . 刀、散於鉑或鉑合金之金屬氧化物粒子 :礙位移或結晶粒成長之效果’機械強度因此提 :料:二Γ方面,與—般之翻或鈾合金相較,強化始 ==低,在垂直管與水平管之接合部中,與配 熱時之熱膨脹量的差或冷卻時之 部容易產生龜裂。為此t伸縮來吸收,因而於該接合 一乎不二:::=r合金與前述陶 生熱膨脹差的切發明。‘、,、膨脹或冷輕之收縮而產 有陶=;:二’第1導管1'與第2導管1b的周圍配置 本發明中之陶究結構體2以相對於整體組成之質量% 9 201029941 §十係含有75wt%以上之氧化錯,且,在氧化錯中,立方晶 · 氧化錯之比例佔80wt%以上。換言之,本發明係使用立方 晶氧化鍅(為完全安定化之氧化鍅)作為主體,來作為配置於 第1導管與第2導管周圍之隔熱碑。 藉由使立方晶氧化鍅作為主體,在第1導管及第2導 管與配置在其等周圍之陶瓷結構體中,加熱時之熱膨脹量 或冷卻時之收縮量會變得約略相等。其結果,加熱時之熱 膨脹量或冷卻時之收縮量的差變得極小,可防止垂直管與 水平管之接合部因加熱時之熱膨脹或冷卻時之收縮而發生 ® 龜裂。 如以下所示,為完全安定化之氧化鍅的立方晶氧化鍅 於20~10〇〇c下具有與構成該導管之鉑或鉑合金極相近之 線膨脹係數,故而可防止在前述接合部發生龜裂。 銘及銘合金之線膨脹係數:9.5χ1〇-6Λ:〜11Χ1〇-6/1、 立方晶氧化锆之線膨脹係數:8.5xl〇-6/t:~1〇5xl〇-Vc。 又如立方晶氧化錯般之氧化錯對於耐熱性、溶融玻 璃之雜性、以及對於腐錄氣體之雜料甚為優異, 〇 故適於作為配置在第1導管與第2導管(紐融玻璃之導管) 周圍的隔熱碑。 為了達到上述效果,陶瓷結構體於20~1〇〇(rc下之線 膨脹係數為 8xlG.6~12xlG-6A:,且宜為 9xlG·6〜11χ1〇-6/ C ’ 更宜為 9.5x1〇-6~i〇.5x1(TVc。 然而’麵或鉑合金之線膨脹係數會因組成而或多或少 有所差異,宜因應第1導管與第2導管所使之鉑或鉑合金 10 201029941 佳 的線膨脹係數來選擇料結構趙之線膨脹絲。具體而 言姻結構體於20400(^下之線膨脹係數宜為構成第^ 導管與第2導管之合金於2(M⑻叱下之線膨服係 數的删以内,且以鳩以内為更佳,且以偷x内又更
❹ 為了達成上述之線膨脹係數,陶竞結構體所含之氧化 錯需為75㈣以上,且須使立方晶氧化錯於其中所伯之比 例在獅%以上。陶究結構體所含之氡化錯中,立方曰氧 化錯之比例宜佔85wt%以上,且更宜為9〇_以上。日日 f發明之喊結構體2含有安㈣,該安定化劑係為 了使乳化結成為立方晶氧化錯(安定化之氧化錯)以作為氧 化結除外之殘餘部份而添加者。再者,殘餘部份可包含不 可避免之不純物等。此外,只要不影響本發明,於本發明 之陶究結構體2中,可含有氧化錯與安定劑以外之並他成 分合計至8她左右。作為上述其他成分,舉例而言,可列 舉如為提高燒結性而添加之ΜΑ或Mg〇,且可含有此等 成分至合計5wt%左右。 _作為钱劑,係有氧化紀、氧化飾、氧化鎮、氧化約、 氧化铒等,但由對於㈣玻璃具優異耐紐優異、容易取 得及於高溫下長時間亦保持安定等理由來看,宜為氧化纪 與氧化飾。 含有選自氧化釔與氧化鈽所構成群組中之至少一者作 為安定劑時,兩者之總含有率宜為6wt%以上,且更宜為 8wt%以上,尤宜為1〇wt%以上。 11 201029941 然而,倘若安定劑之添加量過多,將有難以燒結及原 料費提高等問題。為此,兩者之總含有率宜為25wt%以下, 且更宜為20wt%以下。 陶瓷結構體中之氧化锆含量雖因安定劑之添加量而有 所差異,但為使線膨脹係數在預定範圍内而為75wt%以 上,且宜為80wt%以上,更宜為85wt%以上。另一方面, 由於兼顧到安定劑之添加量,陶瓷結構體中之氧化锆含有 量之上限為94wt%左右。 本發明之陶瓷結構體的平均開氣孔率為5~60%。雖然 本發明之陶瓷結構體對於熔融玻璃具有優異之耐蝕性,倘 若平均開氣孔率超過60%,對於熔融玻璃之耐蝕性將降 低。另一方面,倘若平均開氣孔率未滿5%,陶瓷結構體之 财熱衝擊性將降低。再者,由於熱容量會增加,#或翻合 金製之第1導管la及第2導管lb與陶瓷結構體2之間, 容易在加熱時之熱膨脹或冷卻時之收縮的時間點產生不一 致,而有垂直管之第1導管la與水平管之第2導管lb的 接合部會有發生龜裂的疑慮。此外,加熱或冷卻所需時間 亦變長。 本發明之陶瓷結構體的平均開氣孔率宜為25〜60%, 更宜為30〜50%,特宜為35~45%。 然而,一旦提高平均氣孔率,陶瓷結構體内部會產生 源自導管之熱難以傳導的部位,而妨礙部分陶瓷結構體之 熱膨脹,並造成導管之一部分負擔的情況。因此,在不造 成導管負擔之情況,或進一步提高耐蝕性的情況下,陶瓷 201029941 • 結構體之平均開氣孔率宜為5〜35%,更宜為8~30%,特宜 為 10~25%。 陶瓷結構體之平均開氣孔率可藉由利用阿基米得法或 水銀孔隙計(Porosimeter)之測定方式來求得。 本發明之陶究結構體可因應部位而具#不同的開氣孔 率。舉例而言,藉由使面對第j導管與第2導管之部位比 其他部位之職孔率為低,可提高對於熔融玻璃之耐健。 在第2射,第1導管la及第2導管lb與陶莞結構 Φ 體2之間設有間隙3。 >上所述,在本發明巾,加_之_脹量或冷卻時 之收縮量’在第1導管1a及第2導管化與配置在其等周 園之陶兗結構體2上約略相等。然而,由於構成第ι導管 U與第2導管11?之翻或麵合金與構成喊結構體2之氧化 錄的熱傳導性不同,依加熱條件或冷卻條件而定,在加熱 時之熱膨脹或冷卻時之收縮的時間點上,兩者之間會發生' 不-致的情況’而在垂直管之第i導管u與水平管之第2 ’導管lb的接合部會有發生龜裂的疑慮。 藉由在第1導管U及第2導管lb與陶曼結構體2之 間設置間隙3,可吸收兩者在加_之_脹、或冷卻時之 收縮的時間點之間的不—致,進而防止接合部發生龜裂。 又,在本發明中,由於加熱時之熱膨腸量或冷卻時之 收縮量,在第1導管1a及第2導管lb與配置在其等周圍 之陶€結構體2上約略相等,因而不需於間隙3填充不定 13 201029941 在以第1導管la與第2導管lb之最大徑為r(mm)時, 間隙3之寬度d宜為0.5mm以上' 0·02χ r (mm)以下。間隙 3之寬度d未滿〇.5mm時,會有無法充分吸收加熱時之熱 膨脹或冷卻時之收縮之時間點不一致的疑慮。另一方面, 在間隙3之寬度d大於0.02xr(mm)時,會有膨脹後兩者之 間殘留過大間隙,而使第1導管la與第2導管lb因通過 内部之熔融玻璃而變形等問題。 又,前述最大徑r宜為60mm以上。其理由在於,最 大徑r為60mm以上時,該導管之剛性變得難以確保,而 可發揮本發明之效果(防止在接合部之龜裂的產生),甚為理 想的緣故。 又,雖然前述最大徑r係因應該等導管所使用之部位 而有所不同,但在第1圖所示之上昇管14〇、下降管15〇 以及連接於此等之導管170、180、190、200、220或240 之情況下’ 一般為120~400mm。 間隙3之寬度d(mm)更宜為l~3mm,尤宜為 1.5~2.5mm。 由於立方晶氧化鍅為高價的材料,由成本面來看,配 置在第1導管與第2導管周圍之陶瓷結構體以止於所需之 最小限度為佳。具體而言,宜配置前述陶瓷結構體(以下, 亦有稱為「第1陶瓷結構體」的情況)後,於其外侧配置一 般之隔熱碑作為第2陶瓷結構體。在此情況下,作為第2 陶瓷結構體,可使用主體係選自於由鋁、鎂、鍅及矽所構 成群組中之至少一種的隔熱磚。 201029941 用作第2陶瓷結構體之隔熱碑的具體例, ^ 化石夕/氧化銘質隔熱碑、氧化錯質隔熱磚及°彳舉如氧 _ 錢質隔執確 等。市售品則可列舉有sp_15(曰之丸 … LBK3000(Is〇lite工業社製)等。 ”社製)及
在第1陶竟結構體之外侧配置第2陶究結構 1陶兗結構體之厚度宜為15贿以上,若第i陶奸構體 之厚度未滿15職,第i喊結構體在加熱時之熱膨:量或 冷卻時之收縮量會被第2陶瓷結構體所妨礙,因而在第^ 導管及第2導管她置在其之陶£結構體之間,加熱 時之熱膨脹量或冷卻時之收縮量的差會變大,而容易在第\ 導管與第2導管之接合部發生龜裂。 另一方面,在以第1導管la與第2導管比之最大徑 為r(mm)時,由成本面、施工容易度等理由來看第工陶 瓷結構體之厚度宜為0.3xr(mm)以下。 第1陶瓷結構體之厚度更宜為15~120mm,且尤宜為 30~80mm。 本發明之玻璃製造裝置係使用本發明之炼融玻璃搬送 設備元件作為熔融玻璃之流路的至少一部份。作為本發明 之玻璃製造裝置的一例’可列舉如使用本發明之熔融玻璃 搬送設備元件之減壓脫泡裝置作為溶融玻璃之流路的至少 一部份。在第1圖所示之減壓脫泡裝置為本發明之玻璃製 造裝置的情況下,則包含本發明之熔融玻璃搬送設備元件 來作為上昇管140、導管170、180及190所構成之組合的 至少一部份,或是作為下降管150、導管200、220及240 15 201029941 所構成之組合的至少一部份,或者是作為上述兩者。 本發明之玻璃製造裝置只要使用本發明之熔融玻璃搬 送設備元件作為熔融玻璃之流路的至少一部份即可,而未 特別限定,亦可為包含上流侧之玻璃溶解槽或下流侧之板 玻璃成形裝置(例如浮浴)者。 實施例 以下,將藉本發明之實施例作更進一步詳細說明,但 本發明並非偈限於該等實施例作解釋。 (試驗例1) 第3圖係試驗例1所用試驗體之截面圖。在試驗例1 中,將陶瓷結構體2配置於強化鉑製之中空管lc周圍,且 在該陶瓷結構體2周圍配置有第2陶瓷結構體4的狀態下 通電加熱該中空管lc,藉此評估該中空管lc有無發生變形 或破裂發生。 作為中空管lc,使用於外徑60mm、長度300mm、厚 度0.5mm之強化鉑(鉑-铑合金(鉑90質量%、铑10質量%) 中分散有Zr02粒子0.16質量%者。使用於20~l〇〇〇°C下之 線膨脹係數為10.3xl(T6/°C)製之中空管。在中空管lc之― 端起算200mm之位置上,藉由TIG(tungsten inert gas ;鹤 惰性氣體)熔接以固定寬度15mm、厚度1.2mm之凸緣5。 再者,如第4圖所示,在中空管lc之上端則熔接有通電加 熱用之給電部6。 雖第4圖中未顯示,但中空管lc之下端亦熔接有通電 加熱用之給電部6 »又,凸緣5以及給電部6為強化鉑(銘_ 201029941 10質量%)中分散有ZK)2粒子0.16 铑合金(鉑90質量%、錯 質量%者)。 + d 結制2仙氧化錯製 成. '氧化錯中,於氧化錯與氧聽之總量,添加有 87 /%之氧化紀作為安定劑;氧化狀含有率為 —在氧化財,立方晶氧化錯所佔比例為9細% ; 二’陶是結構體2為内徑X外徑X長度=61_50_<
=:之中空圓筒形(將朝縱方向切割成二之半圓筒形狀 1予=裝施4),其於之線雜雜為Μ X 。又’就陶瓷結構體2之平均氣孔率而言,已針對 約8%與約40%之2種推耔4毯 構體2之職有^:^^巾”^喊結 再者’如第3圖所示,雖然陶統構體2呈現被2個 給電部6挾持之狀態,但陶竞結構艘2之下端側係與給電 部6呈機械式固定(未圖示)。 在陶究結構體2之外側,配置有市售之氧化石夕/氧化鋁 質隔熱碑(S!M5(日之丸窯業社製))作為第2喊結構體心 以金屬製之框材繫緊第2喊結構體4周圍所成之物 作為試驗體。 -邊藉由配置在凸緣5附近之熱電對(未圖示)控制溫 度,同時實施溫錢環試驗(使將電部6來通電加熱中: 管1c,以及將該中空管lc予以冷卻,反覆進行兩者)、、。又二 以昇溫速度200°C/小時進行加熱後,在14〇〇<t下保持3 時,其後,自然放冷至200。〇為止,如此反覆進行2〇次^ 17 201029941 又’在溫度循環試驗過程中,中空管le與陶找構體2在 轴方向的膨脹與㈣除了已與給電部6作機械式固定之下 端側及設有凸緣5之部位外,均呈可自由脹縮的情況。 在/凰度擴環試驗後,將試驗體予以解體並確認中空管 lc之狀n,在±述2種平均氣孔率之喊結構體的情況 下s未確為到中空f lc之變形或破裂。然而,在平均氣 孔率約娜之喊結構體中,於凸緣5之錢部正下方之 #伤係可見圓弧狀敵紋。再者配置在中空管&周圍之
上述2種平均氣孔率之喊結構體的情況,外觀幾乎都未 有變化a此,倘若平均氣孔率為5〜3外,則自導管至陶 竞結構體内部之熱傳導變得特別容易,因而可防止對導管 造成負擔。 (比較例1)
第5圖係比較例丨中所使用之試驗體的截面圖。比較 例1所使用之試驗體中,係在中空管lc周圍設置約3〇賴 之間隙3來配置試驗例丨_作為第2喊結構體$使用之 市售氧化碎/氧化紹質隔熱碑(sp_15(日之丸窯業社製)),以 取代在中空管lc周圍配置陶瓷結構體2的方式,接著,於 該間隙3中填充以水混合攪拌中空粒子之鋁灰泥所成之物 至無間隙’而形成不㈣之陶竟材料之層,除此之外,以 與試驗例1相同之順序實施溫度循環試驗。 在溫度循環試驗後,於將試徐體予以解艘並碟削 管k之狀態’結果,在中空管以接有凸緣5的部名 生微細的破裂。此外,配置在中空管11圍之紹灰泥為 18 201029941 如同固化後破裂般,分裂成數個碎片。 (試驗例2) 使用與試驗例i之陶究結構體2相同的材料, 均氣孔率為8%與33%與54%之3種試驗樣品(形狀= 形(直徑20mm、高度90mm))。如第6 ® _ 5 0圖所不,將此試驗 品1〇實施浸潰試驗,即’在大氣中浸潰於已裝入銘 2〇内之熔融玻璃3_酸玻璃)中。此時,祕玻
溫度為Μ50Χ:,試驗樣品1〇之浸潰時間為觸*時。^ 持時間結束後,將試驗樣品10取出並ό _ 、” 目‘、、、放冷。其後,將 試驗樣品以縱向切斷並確認截面之肤能 β t。無蝓疋任一試驗 樣品,玻璃皆未侵人至㈣,而確保了耐紐性,並維持 初期之形狀。然而,在平均氣孔率為54%之試驗樣品中,、 3«侵入外周部之-部份’ _部㈣曼表面可見剝離。因 此’平均氣孔率為5~35%時,耐餘性特別提高。 (比較例2) 使試驗例1中作為第2陶瓷結構體4使用之市售氧化 石夕/氧化銘f隔熱碍(叫5(日之丸黧業社製))亦以同様之順 序浸潰於熔融玻璃内。隔熱磚係因侵蝕而完全崩壞,而無 法觀察截面狀態。 (應用例1) 在第1圖所示之減壓脫泡裝置中,將上昇管14〇、導 管170、180及190所構成之組合、以及下降管15〇及導管 200、220、240所構成之組合作為本發明之熔融玻璃搬送設 備元件而構成之。 19 201029941 在強化鉑製(使0.16質量%iZr〇2粒子分散於鉑—铑合 金(鉑90質量%、铑1〇質量%)者。於20〜1000¾下之線膨 脹係數為10.3χ10·6Λ:。)之上昇管14〇、下降管150、導管 170、180、190、200、220及240(截面形狀:圓形、外徑: 180mm)周圍,將以立方晶氧化锆作為主體之第i陶瓷結構 體(相對於整體組成,氧化锆含有比例為88wt%,且在氧化 锆中’立方晶氧化锆所佔比例為95wt%,更含有12wt%之 氧化釔作為安定劑,平均開氣孔率為12%或35%,於 20~1000°C下之線膨脹係數為9.8xlO_6/°C,厚度為45mm) 與管之間隔開1.5mm之間隙來配置。 在第1陶瓷結構體之外侧,配置作為第2陶瓷結構體 之氧化矽/氧化鋁質隔熱磚。 在第1圖所示之減壓脫泡裝置之上流側配置熔解槽, 並在下流側配置浮浴,以製造板玻璃。每一垂直管與水平 管之接合部均未發生龜裂,而可安定地製造玻璃。 產業上之可利用性 含有本發明之熔融玻璃搬送設備元件的玻璃製造裝置 具有可防止導管接合部因加熱時之熱膨脹或冷卻時之收縮 而發生龜裂’此外’即使發生熔融玻璃洩漏的狀況,陶瓷 結構體難以被侵蝕,可靠度甚優異,而可長期且安定地製 造玻璃等優點,因此在產業上極為有用。 又,於此援引已於2008年12月11日提申之日本專利 申請案第2008-315710號之說明書、申請專利範圍、圖式 以及摘要之全部内容’並納入作為本發明說明書之揭示内 201029941 一 容。 r:圖式簡單說明3 第1圖係顯示減壓脫泡裝置之一構成例的截面圖。 第2圖係顯示本發明之熔融玻璃搬送設備元件之一構 成例的截面圖。 第3圖係用於試驗例1之試驗體的截面圖。 第4圖係顯示第3及5圖上部之給電部6附近的立體 圖。 m ¥ 第5圖係用於比較例1之試驗體的截面圖。 . 第6圖係實施在試驗例2中之浸潰試驗的說明圖。 【主要元件符號說明】 1 熔融玻璃搬送設備元件 120 減壓殼體 la 第1導管(垂直管) 130 減壓脫泡槽 lb 第2導管(水平管) 140 上昇管 lc 中空管 150 下降管 2 陶瓷結構體 160 隔熱材 3 間隙 170 導管 4 第2陶瓷結構體 180 導管 5 凸緣 190 導管 6 給電部 200 導管 10 試驗樣品 220 導管 20 坩鍋 240 導管 30 炼融玻璃 d 寬度 100 減壓脫泡裝置 21

Claims (1)

  1. 201029941 七、申請專利範圍: 1. 一種熔融玻璃搬送設備元件,包含 熔融玻璃用導管結構體,係具 與第2導管,該第1導管在垂直方向至少各1條第1導管 2導管係與該導管連通且於水平具有^轴而該第 糾管及該第2導管係由:合上: 陶兗結構體’係配置於前述第 之周圍; 其特徵在於: 1導管及前述第2導管
    前述陶究結構體以相對於整體粗成 含有7—上之氧傾,且前述氧化財立 化錯之比例佔80wt%以上; 10 -6 前述陶竟結構體之平均開氣孔率為5〜6〇%; 前述喊結構㈣2㈣啊下之_脹係數桃 〜12xlO_6/〇C。 •如申請專利範圍第1項之溶融破蹲搬送設備元件,复中 前述陶竟結構體於20.CTC下之線膨脹係數為構成前 述第1導管及前述第2導管之始或麵合金於2(M咖。〇下 之線膨脹係數的±15%以内。 3.如申請專利範圍第丨或2項之熔融玻璃搬送設備元件,其 中前述陶瓷結構體含有選自於由氧化纪及氧化鈽所構 成群組中之至少1種以作為安定劑,且其以總含有率計 係 6〜25wt%。
    22 201029941 • 4.如申請專利範圍第1至3項中任一項之熔融玻璃搬送設 備元件,其中構成前述第1導管及前述第2導管之鉑或鉑 合金為金屬氧化物已分散於鉑或鉑合金之強化始。 5.如申請專利範圍第1至4項中任一項之熔融玻璃搬送設 備兀件,其於令前述第1導管及前述第2導管之最大徑為 r(mm)(但’ r260mm)時,係於前述第1導管及前述第2 導管與前述陶瓷結構體之間設有〇 5mm以上、〇 〇2χ φ r(mm)以下之間隙。 6·如申叫專利範圍第1至5項中任一項之溶融玻璃搬送設 . 備元件,其於令前述第1導管及前述第2導管之最大徑為 r(mm)(但’ Γ $ 60mm)時,前述陶瓷結構體之厚度為丨5皿^ • 以上、〇.3xr(mm)以下。 • 7·如申請專利範圍第6項之熔融玻璃搬送設備元件,其中 前述陶瓷結構體之外側配設有第2陶瓷結構體,該第2 陶瓷結構體係以選自氧化鋁、氧化鎂、錯石及二氧化矽 〇 所構成群組中之至少1種作為主體。 8. -種玻璃製造裝置,其特徵在於:包含如中請專利範圍 第1至7項中任一項之熔融玻璃搬送設備元件。 23
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI564260B (zh) * 2012-11-12 2017-01-01 Asahi Glass Co Ltd A method of manufacturing a molten glass conveying apparatus, a glass manufacturing apparatus including a glass member for a molten glass conveyance apparatus, and a method for manufacturing a glass article
TWI845491B (zh) * 2017-12-01 2024-06-21 美商康寧公司 用於製造玻璃的設備及方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010047897B4 (de) * 2010-10-11 2016-03-03 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Reduzierte Abdampfverluste bei Pt-Bauteilen im Hochtemperatureinsatz: Geschütztes Rohr, Verfahren zur Verringerung der Abdampfrate und Verwendung von Manschetten
DE102010048297B4 (de) * 2010-10-14 2016-07-21 Schott Ag Vorrichtung zum Läutern einer anorganischen nichtmetallischen Schmelze und Verfahren zur Herstellung eines Glases und/oder einer Glaskeramik
KR101922277B1 (ko) 2011-07-21 2018-11-26 에이지씨 가부시키가이샤 용융 유리 반송 설비 요소 및 용융 유리 반송 설비 요소의 제조 방법, 및 유리 제조 장치
JP5840998B2 (ja) * 2012-03-30 2016-01-06 AvanStrate株式会社 ガラス板の製造方法およびガラス板製造装置
JP5731438B2 (ja) * 2012-04-06 2015-06-10 AvanStrate株式会社 ガラス板の製造方法および製造装置
JP7154483B2 (ja) * 2017-09-04 2022-10-18 日本電気硝子株式会社 ガラス物品の製造方法及び製造装置
KR102527835B1 (ko) * 2017-11-21 2023-05-03 에이지씨 가부시키가이샤 용융 유리 반송 장치, 유리 제조 장치 및 유리 제조 방법
CN112384480B (zh) * 2018-08-30 2023-04-04 日本电气硝子株式会社 玻璃物品的制造装置及制造方法
JP7115156B2 (ja) * 2018-09-03 2022-08-09 日本電気硝子株式会社 ガラス物品の製造方法
JP7159972B2 (ja) * 2019-05-22 2022-10-25 Agc株式会社 溶融ガラス搬送装置、ガラス製造装置及びガラス製造方法
JP7314761B2 (ja) * 2019-10-15 2023-07-26 Agc株式会社 溶融ガラスの搬送装置、ガラス物品の製造設備、およびガラス物品の製造方法
CN117871594A (zh) * 2022-12-14 2024-04-12 生态环境部华南环境科学研究所(生态环境部生态环境应急研究所) 一种用于检测分析废铝灰样品砖的检测分析装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63210063A (ja) * 1987-02-25 1988-08-31 株式会社日立製作所 ジルコニア酸素センサ素子
JPH08301620A (ja) * 1995-05-08 1996-11-19 Canon Inc ガラスを溶融するための容器の保護部材及び保護装置
DE19803327C2 (de) * 1998-01-29 1999-12-09 Schott Glas Verfahren zur Herstellung von keramischen hochtemperaturbeständigen Werkstoffen mit einem einstellbaren thermischen Ausdehnungskoeffizienten und deren Verwendung
US6286337B1 (en) 2000-06-29 2001-09-11 Corning Incorporated Tubing system for reduced pressure finer
EP1743873B1 (en) * 2004-04-07 2012-09-26 Asahi Glass Company, Limited Apparatus and method for manufacturing plate glass
JP4548020B2 (ja) * 2004-07-06 2010-09-22 株式会社デンソー ジルコニア構造体およびその製造方法
WO2007000844A1 (ja) * 2005-06-28 2007-01-04 Asahi Glass Company, Limited 減圧脱泡装置の上昇管または下降管のバックアップ構造
KR100922088B1 (ko) * 2005-07-26 2009-10-16 아사히 가라스 가부시키가이샤 백금 또는 백금 합금제 중공관의 백업 구조
JP5076443B2 (ja) * 2006-10-24 2012-11-21 日本電気硝子株式会社 ガラスリボンの製造装置及びその製造方法
JP4932580B2 (ja) * 2007-04-23 2012-05-16 株式会社オハラ 光学素子の製造装置および光学素子の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI564260B (zh) * 2012-11-12 2017-01-01 Asahi Glass Co Ltd A method of manufacturing a molten glass conveying apparatus, a glass manufacturing apparatus including a glass member for a molten glass conveyance apparatus, and a method for manufacturing a glass article
TWI845491B (zh) * 2017-12-01 2024-06-21 美商康寧公司 用於製造玻璃的設備及方法

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KR101641746B1 (ko) 2016-07-21
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KR20110102290A (ko) 2011-09-16

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