TW201044438A - A masking apparatus for an ion implanter - Google Patents

Description

201044438 六、發明說明： 【相關申請案的交叉參考】 本申請案主張2009年6月8曰申請之第61/185,028 號臨時專利申請案之優先權，所述臨時專利申請案以引用 方式併入本文。 【發明所屬之技術領域】 本揭露案是關於遮罩裝置（masking apparatus)，且更 特定而言是關於用於離子植入機（i〇n implanter)之遮罩裝 置。 【先前技術】 離子植入機產生離子且朝向供處理之目標而引導離 子。離子植入機可包含已知的射束線離子植入機（beamline ion implanter) ’其產生一明確界定之離子束。射束線離子 植入機包含離子源及用以自離子源提取明確界定之離子束 的提取電極總成(assembly)。此項技術中已知之一個或多個 射束線組件可控制及修改離子束以獲得具有所需特性之離 子束而被引導朝向目標之表面。離子束可藉由離子束移 動、目標移動或兩者之組合而分佈於目標之表面上。離子 植入機亦可包含已知之電漿摻雜離子植入機（plasma doping i〇n imPlanter)，其在處理腔室中產生電椠來自電 漿之離子在特定時間間隔期間被吸引朝向目標之表面。目 標亦定位於電漿摻雜離子植入機之處理腔室中。對於任一 類型之離子植人機’目標可包含（但不限於）半導體基板、 太陽電池、聚合物基板以及平板。 201044438 離子植入機亦可配備遮罩（mask)以提供對目俨之 定的處理。習知遮罩具有-個❹個孔口（apertur^且相 對於目標而設定大小以提供目標整體上之選定的處理。因 此’需要遮罩及無遮罩離子處理之應用需要目標之整體經 遮罩的一個處理以及目標之整體未遮罩的另一處理。習知 離子植入機及遮罩的-個缺點是在遮罩與無遮罩離子處理 之間使遮罩移動遠離目標所必需的時間。此額外時間不利 ❸地影響產量效能（throughput perf0rmance )。另一缺點是 罩與目標之對準。大多數遮罩應用需要遮罩與目標之精確 對準。又一缺點是難以用包含用以使遮罩與目標對準之相 關聯對準线_尺寸鮮祕整現存_子植入機。 因此，需要一種克服上述不足及缺點之經改良的遮罩 裝置、離子植入機以及方法。 【發明内容】 根據本揭露案之第一態樣，提供一種遮罩裝置。所述 遮罩裝置包含遮罩，其定位於目標之上游，所述遮罩相搿 ❹於所述目標而設定大小使得在第一時間間隔期間經由所迷 遮罩以選擇性離子處理來處理所述目標之第一半部且以未 由所述遮罩阻礙之毯覆式離子處理來處理所述目標之第二 半部。所述遮罩裝置亦包含定位機構，其用以改變所述遮 罩與所述目標的相對位置，使得在第二時間間隔期間以所 述選擇性離子處理來處理所述目標之所述第二半部且以所 述毯覆式植入來處理所述目標之所述第一半部。 根據本揭露案之另一態樣，提供一種離子植入機。所 201044438 述離子植人機包含：離子源；料，狀位於蚊位以供 離子處理之目標的上游，所述遮罩相對於所述目標而設定 大小使得在第一時間間隔期間經由所述遮罩以所述離子之 選擇性處理來處理所述目標之第—半部且以未由所述遮罩 阻礙之所述離子之毯覆式處理來處理所述目標之第二半 部；以及定位機構，其用以改變所述遮罩與所述目標的相 對位置，使得在第一時間間隔期間以所述選擇性離子處理 來處理所述目標之所述第二半紅以所述毯覆式植入來處 理所述目標之所述第一半部。 根據本揭露案之又—態樣，提供一種方法。所述方法 包含：將遮罩定位於目標之上游的—距離處；在第一時間 間，期間經由所述鮮以轉⑽子處理來處理所述目標 之第一半部且以未由所述遮罩阻礙之毯覆式離子處理來處 理所述目;^之第一半部；改變所述遮罩與所述目標的相對 位置；以及在第二時卿隔細⑽述選擇性離子處理來 處理所述目標之所述第二半部且以所述毯覆式離子處理來 處理所述目標之所述第一半部。 現將參考如附圖中繪示之例示性實施例更詳細描述 本揭露案。雖然下文參考例示性實施例來描述本揭露案， ，瞭解本揭露案不限於此。理解本文教示之熟習此項 f ί者將4識到屬於如本文描述之本減案之範嘴内且本 j路案可針對其具錢著效用的額外的實施方案、修改及 實施例以及其它使用領域。 201044438

_/TW~T 【實施方式】 為更好地理解本揭露案，利用附圖作為參考，其中相 同元件以相同標號來表示。 圖1是與本揭露案之實施例一致的具有遮罩裝置120 之射束線離子植入機1〇〇的方塊圖。射束線植入機1〇〇可 包含離子源102、射束線組件1〇4、用以支撐目標1〇8之平 台（platen) 11〇、控制器112以及使用者介面系統ι14。 0 離子源1〇2可為間接加熱陰極（indirectly heated cathode， IHC)源或熟習此項技術者已知之任何其它類型的源，用 以自輸入進料氣體（input feed gas)產生電漿。提取電極 總成（未說明）經偏置以自離子源1〇2之孔口提取離子成 為明確界定之離子束1〇9。此項技術中已知之不同射束線 組件104可在離子束1〇9朝向目標1〇8之前表面行進時控 制及修改離子束109。離子束1〇9可為點射束（spotbeam) 或帶射束（ribbon beam)，且離子束1〇9可藉由離子束移 動、目標移動或兩者之組合而分佈於目標108之前表面上。 〇 控制器U2可為或可包含通用計算機或通用計算機網 路，其可經程式化以執行所需輸入/輸出功能。控制器112 亦包含通信設備、資料儲存設備以及軟體。使用者介面系 統114可包含諸如觸控螢幕、鍵盤、使用者指向(p〇inting) 設備、顯示器、印表機等設備以允許使用者輸入命令及/ 或資料，及/或經由控制器來監視射束線離子植入機10()。 控制器112可接收來自使用者介面系統114及/或射束線離 子植入機100之一個或多個組件或感測器的信號。控制器 201044438 112可回應於此而控制射束線離子植入機100之組件。 遮罩裝置120包含定位於目標1〇8之上游的遮罩 106。遮罩106及目標108可定位於射束線離子植入機之處 理腔至中。一個或多個真空泵（vacuum pump)及排氣閥 (exhaust valve)可在處理腔室内建立真空條件，就像熟習 此項技術者已知者一樣。遮罩1〇6可包含阻擋部分1〇7， 其阻擋離子束109之離子撞擊目標則之前表面。阻擔部 分107可界定-個或多個孔口 1〇9，孔口 1〇9允許來自離 子束刚之離子之部分穿過其中。有利地，遮罩1〇6相對 於目標1G8 *設定大小使得在第—時間間隔_經由遮軍 以選擇性離子處理來處理目標1〇8之第一半部ι〇Μ，且以 未由遮罩106阻礙之毯覆式（blanket)離子處理來處理目 標之第二半部腿。由此，鮮⑽及其它料實施例在 =可稱為‘半遮罩（halfmask) ”。遮罩裝置12〇亦可 包含定位機構118，用以改變遮罩⑽與目標⑽之 位置以使得在f二_ _顧簡擇性處理來處理 之第二半部娜且以毯覆式植人來處理第—半部⑽玨。不 勺人力在^施例中，遮罩1〇6可固定，且定位機構⑽可 =^轉平台’所述旋轉平台經組態以支撐目標⑽，且 在遮罩106保持@定於輯平自之_部分時在第一— 時間間隔之間使目標108旋轉18〇。。在另—實施财，^ 標108可保持於固定位置，且定位機構118可包含 撐及旋轉遮罩繼的保持機構。保持機 遮罩之-個或多個扣件，以及用以在目標了二 =固定 201044438 置中寺在第一與弟二時間間隔之間使遮罩旋轉180。的 致動器。定位機構118可由控制器112控制且可向控制器 112提供定位資料。 參看圖2，說明一種亦可包含與本揭露案之實施例一 =的遮罩裝置12G之電㈣雜離子植入機綱的方塊圖。 遮罩裝置120可包含類似組件且類似於針對 述者而操作。舉例而言，遮罩裝置12〇包含定位二 Ο Ο 之士游的半遮單1G6,及用以改變遮罩與目標之相對位置 的定位機構118。在一實施例中，定位機構可為平台， 其經組態以支撐目標且在遮罩1 〇 6保持於固定位置中時旋 轉。 電漿摻雜離子植入機200在圖2中說明為獨立系統， 但替代地可為包含其它處理裝置之群集1具（dUster to〇l) 的一部分。電漿摻雜離子植入機2〇〇亦可包含處理腔室 2〇2、氣體源288、真空泵280、電漿源206、偏置源290、 平台210、控制器212以及使用者介面系統214。氣體源 288將氣體提供至處理腔室202之封閉體積205。真空栗 280經由排氣口（exhaustport) 276而排空該處理腔室2〇2 以在處理腔室202内產生高真空條件。真空泵28〇可包含 渦輪泵（turbo pump)及/或機械泵。排氣閥278控制經由 排氣口 276之排氣傳導(conductance) 〇 電衆源206經組態以在處理腔室202中產生電漿 240。電衆源206可為热習此項技術者已知之任何電漿源， 諸如電感性耦合電漿（inductively coupled plasma，ICP) 201044438 源、電谷性麵合電聚（CapaCjtivelyc〇uple(Jplasma，CCp) 源、微波（MW)源、輝光放電（gi〇w_discharge，gd)源、 螺旋子源（helicon source)或其組合。 偏置(bias)源290將偏置信號提供至平台21〇及由其支 撐之目標108。偏置源290取決於電漿源206之類型而可 為用以供應DC偏置信號之DC電源或用以供應rf偏置信 號tRF電源。在—實施例中’ DC偏置信號為脈衝Dc偏 置t號，其具有ON& OFF時段以在ON時段期間使離子 203自電漿240加速至目標1〇8。控制此脈衝Dc偏置信號 之=作週期及振幅可影響離子2〇3之劑量及能量。電漿掺 雜哀置亦可包含具有與針對圖1所詳細描述之結構類似之 結構的控制器212及使用者介面系統214。為使說明更清 楚，控制器212描述為僅與偏置源29〇、定位機構118以 及，用者η面系統214通信。然而，控制器212可接收輸 仏號且將輸出控制仏號提供至電漿摻雜離子植入機 1其它組件。在-些實例t，控制器212可接收來自使用 ”統214及/或植入機之一個或多個其它組件的 〜入L號’且回應於此而控制諸如控制遮罩1〇6盥 之相對定位之定位機構118等組件。 ” 參見圖3及圖4，說明與本揭露案之實施例一致之遮 置300。遮罩裝置3〇〇在圖3中以橫戴面圖來說明， =4中以在離子3〇4之行進方向上向下游觀看的平面 二Ό月’其中目標細以假想線繪示。大體而言，遮罩 又置300包含定位於目標3〇8之上游的遮罩概。遮罩裝 201044438 _»τντιριι. 置300可為圖1之射束線離子植入機及/或圖2之電漿摻雜 離子植入機的子系統。 ο ο 遮罩306可由石墨或另一材料製造，其具有充分阻擋 離子304之阻擋部分307。遮罩3〇6為了清楚而描述為具 有四個孔口 322、324、326、328。在一實例中，遮罩306 可取決於孔口之間的中心至中心間距（xl)及每一孔口之 寬度（Χ2)而具有更多孔口。在一實施例中，遮罩3〇6可 具有約2至3毫米（mm)之中心至中心間距（χι)且每 一孔口可為具有約1〇〇至35〇微米（μπ1)之寬度（χ2)及 約300毫米之長度的細長狹槽（sl〇t)。 目才示308可為一個或多個工件（workpiece )’其包含 (但不限於）半導體基板、太陽電池、聚合物基板以及平板。 目標308可包含四個單獨的太陽電池，其在圖4中標記為 A B、C、D且以2乘2矩陣而經組態。其它目標可包含 ^乘3矩陣配置之6個太陽電池。其它組合亦是可能的。 =位於遮罩306之下游的目標3G8在圖4中以假想線來說 定位Ht!·，ί罩3〇6是相對於目標3〇8 *定位機構118 Β、朗轉性㈣來自太陽電池C及 D之離子304令的一此雜名 _ ^ . .二離子，且同時達成對未由遮罩阻礙

=太IW電池Α及Β執行毯覆式植人。料3G 過孔口 322、324、隹野離子穿 ” 326 328且否則將阻擋離子。宕伤她姐 隨後藉由使—者相對 子立機構 =標之相對位置，如圖4之右邊部分^ : 一實例中’此可藉由將遮罩氣维持於固定位= 201044438 -^-rv-rjLpui 308如箭頭440所示旋轉18〇。而達成。旋轉目標3〇8的〜 個益處在於定位機構可為旋轉平台。某些現存平台為具備 此能力之旋轉平台或稱“roplat” 。因此，對現存r〇plat之 修改最少(minimal)。 一旦遮罩306及目標重新定位，則現在可在第二時間 間隔期間對太陽電池A及B執行選擇性植入，而對太陽電 池C及D執行毯覆式植入。由此，每一太陽電池a至d 在連續時間週期期間接受毯覆式及選擇性植入兩者，且淨 結果在於每一太陽電池AiD具有由毯覆式植入形成之輕 度摻雜區以及由遮罩3〇6之孔口 322、324、326、328界定 之較重度摻雜區。無論毯覆式植入首先執行（太陽電池A 及B)或最後執行（太陽電池c及D)，淨結果均相同。 此對於許多應用是有益的，包含當太陽電池用作選擇性發 射極太陽電池時。此外，目標3〇8及遮罩3〇6可定位於圖 1之射束線植入機之處理腔室及/或圖2之電漿摻雜植入機 之處理腔室202中，且在第一與第二時間間隔之間相對於 彼此重新定位而不破壞所建立的真空條件。 參見圖5，說明可由與圖4之遮罩306 —致之遮罩所 形成之選擇性發射極太陽電池5〇〇的橫截面圖，其具有輕 度摻雜區530及較重度摻雜區57〇。輕度摻雜區53〇可由 毯覆式植入而形成，而較重度摻雜區57〇可例如經由遮罩 306之孔口 322、324、326、328，由選擇性植入而形成。 置於鈾侧觸點526下方之重度摻雜區570改良前側觸點 526與太陽電池之間的傳導性。因此，太陽電池之效率亦 12 201044438 得以改良。 在選擇性發射極太％電池500之操作中，光子5〇1經 由頂部表面505而進入太陽電池500。光子5〇1穿過抗反 射塗層510，抗反射塗層510經設計以最大化穿透太陽電 池500之光子之數目且最小化反射離開之光子之數目。輕 度掺雜區530可為n型區以形成p型基極54〇與輕度摻雜 η型區530之間的ρ-η接面52〇。熟習此項技術者將認識到 〇 Ρ型與η型區可顛倒。具有充足能量之光子能夠自其原子 釋放電子，從而允許電子可流過太陽電池及前側觸點似 以產生電。 圖6說明圖5之選擇性發射極太陽電池5〇〇之俯視 其繪示了女置於重度摻雜區57〇上方之前側觸點526。 母一前侧觸點526之中心至中心間距（χι)可為約2至3 毫米（mm)，且每一觸點526之寬度（χ2)可為約1〇〇至 350/an。遮罩306可具有經間隔以促進重度摻雜區57〇之 所需間距（XI)的孔口。另外，遮罩3〇6之孔口可具有約 〇 150_35()微米之寬度以提供重度摻雜區570之所需寬度。 參見圖7及圖8，說明旋轉平台遮罩裝置7〇〇之橫截 面圖以及當在離子之行進方向上向下游觀看之方向上觀 時旋轉平台遮罩裝置700之平面圖。在此實施例中，圖3 中大體說明之定位機構118為旋轉平台71〇，其經組態以 圍繞旋轉轴711旋轉以在第一與第二時間間隔之間使目標 旋轉180。目標708可為類似於針對圖4而詳細描述的2 乘2太陽電池矩陣。遮罩7〇6可包含組態為細長狹槽的多 13 201044438 個孔口。遮罩706亦可固定至靜態遮罩支撐臂7〇4，靜態 遮罩支撐臂704又亦附著至旋轉平台71〇之緊固部分。 圖8為在離子之行進方向上向下游觀看之圖7之旋轉 平台遮罩裝置700的視圖，其較清楚地說明遮罩7〇6及定 位於由旋轉平台710支撐之遮罩7〇6下游之配置為2乘2 太陽電池矩陣的目標708。遮罩7〇6及支撐目標7〇8之旋 轉平台710以與針對圖4詳細描述者一致的方式來操作而 對目標708摻雜。亦即，旋轉平台71〇可如圖8中說明來 定位該目標708，使得經引導之離子可在第一時間間隔期 間經由遮罩706之孔口以選擇性植入來處理太陽電池c及 D且對目標708之包含太陽電池入及]8的另一半執行毯覆 式植入。旋轉平台710可隨後使目標7〇8在原位(比以如) 旋轉180。，使得太陽電池c及D隨後暴毅毯覆式植入 而太陽電池A及B經由遮罩706而暴露於選擇性植入。淨

結果為輕度摻雜區及較重度摻雜區，其在諸如選擇性發射 極太陽電池等若干應用中有用。 X 遮罩706可在支撐件及鍵控特徵（keyed feature)上 浮動，且在旋轉於〇。及180。時對準於平台71〇。鍵控特徵 可將遮罩706直接耦合且對準於平台71〇上之參考特徵: 以此方式，可達成遮罩706與目標6〇8之準確、可靠^ 間有效的對準。 牙 因此，提供一種遮罩裝置及具有所述遮罩裝置之離子 植入機。具有遮罩裝置之離子植入機能夠為目標提供兩步 (step)鏈接式(chained)離子處理序列。在第一時間間隔期間 14 201044438

目標之第一半部經由遮罩而接受選擇性離子處理，而另一 半部接受毯覆式植入。隨後改變遮罩與目標之相對位置， 於是，現在以選擇性及毯覆式植入來處理目標之相反的半 部。因此’用於執行鏈接式植入之處理時間減少，從而改 良了離子植人機之產量效能。另外，促進了遮罩與目標之 精確對準’從而帶來正在目標±形成之設備的更佳設備效 能。 Ο

本揭露案在範疇上不受本文描述之特定實施例限 制。事實上’除本文描述之外，本揭露案之其它各種實施 例及對本揭露案之修改將由熟f此項技術者自前述描述及 附圖:月瞭。因此，此些其它實施例及修改仍屬於本揭露 案之範如。此外’軸本文已針對特定目的而在特定環 土兄中=特疋實施方案的上下文中描述本揭露案，但熟習此 項技術者將認制’其有祕不限於此且本揭露案可有益 地出於諸多目的而在諸多環境中實施。因此，下文陳述= :請專利範Μ在如本文描述之本揭職之完整廣度 神方面來闡釋。 【圖式簡單說明】 〜圖1是根據本揭露案之實施例的具有可相對於彼此而 疋位之遮f與目標之射束線離子植人機的方塊圖。 〜圖2是根據本揭露案之實施例的具有可相對於彼此而 又位之遮，與目標之電漿摻雜離子植人機的方塊圖。 圖3是與本揭露案之實施例一致的遮罩裝置之橫截面 15 201044438 i4b41pit 圖4是在離子之行進方向上向下游觀看時的圖3之遮 罩之視圖，其中目標以假想線繪示。 圖5具有選擇性發射極設計之太陽電池之橫截面圖。 圖6是圖5之太陽電池之平面圖。 圖7是包含遮罩固定至旋轉平台之旋轉平台遮罩裝置 的橫截面圖。 圖8是在離子之行進方向上向下游觀看時的圖7之裝 置之視圖。 【主要元件符號說明】 100 :射束線離子植入機 102 :離子源 104 :射束線組件 106 :遮罩 107 :阻擋部分 108 :目標 108a :第一半部 108b :第二半部 109 :離子束 112 :控制器 114 :使用者介面系統 118 :定位機構 120 :遮罩裝置 200 :電漿摻雜離子植入機 202 :處理腔室 16 201044438

203 ： 離子 205 ： 封閉體積 206 ： 電漿源 210 ： 平台 212 ： 控制器 214 ： 使用者介面系統 240 ： 電漿 276 ： 排氣口 278 ： 排氣閥 280 : 真空泵 288 ： 氣體源 290 ： 偏置源 300 ： 遮罩裝置 304 ： 離子 306 ： 遮罩 307 ： 阻擋部分 308 ： 目標 322 ： 孔口 324 ： 孔口 326 ： 孔口 328 ： 孔口 440 ： 箭頭 500 ： 選擇性發射極太陽電池 501 ： 光子 17 201044438 ipn 505 :頂部表面 510 :抗反射塗層 520 : p-n 接面 526 :前侧觸點 530 :輕度摻雜區 540 : p型基極 570 :較重度摻雜區 700 :旋轉平台遮罩裝置 704 :靜態遮罩支撐臂 706 :遮罩 708 :目標 710 :旋轉平台 711 :旋轉轴 A、B、C、D :太陽電池 XI :中心至中心間距 X2 :寬度

Claims (1)

1. 201044438 七、申請專利範圍： 1. 一種遮罩裝置，包括·· 遮罩，其定位於目標之上游，所述遮罩相對於所述目 軚而设定大小使得在第一時間間隔期間經由所述遮罩 ^ 生離子處理來處理所述目標之第—半部且以未由所述遮 罩阻礙之毯覆式離子處理來處理所述目標之第二半部；以 及 〇 定，機構，其用以改變所述遮罩與所述目標的相對位 置’使得在第二時間間隔期間以所述選擇性離子處理來處 理所述目標之所述第二半部且以所述毯覆式植入來處理所 述目標之所述第一半部。 2. 如申請專利範圍第1項所述之遮罩裝置，其中所述 遮罩具有界定多個孔口之阻擋部分，所述阻擋部分經組態 以阻擋離子且所述多個孔口經組態以傳遞離子以用於所述 選擇性離子處理。 3. 如申請專利範圍第2項所述之遮罩裝1，其中所述 夕個孔口包括以小於3宅米之相等的中心至中心間距而間 隔之多個細長狹槽，且其中所述多個細長狹槽中之每一者 具有一長度及一寬度，所述寬度小於或等於350微米。 4. 如申請專利範圍第1項所述之遮罩裝置，其中所述 定位機構包括用以支樓所述目標之旋轉平台，所述旋轉平 台經組態以在所述遮罩保持於固定位置中時在所述第一與 第二時間間隔之間使所述目標旋轉180。。 5. —種離子植入機，其包括： 19 201044438 離子源； 遮罩，其定位於經定位以供所述離子處理之目標的上 游，所述遮罩相對於所述目標而設定大小使得在第一時間 間隔期間經由所述遮罩以所述離子之選擇性處理來處理所 述目標之第一半部且以未由所述遮罩阻礙之所述離子之毯 覆式處理來處理所述目標之第二半部；以及 定位機構，其用以改變所述遮罩與所述目標的相對位 置，使得在第二時間間隔期間以所述選擇性離子處理來處 理所述目標之所述第二半部且以所述毯覆式植人來處理所 述目標之所述第一半部。 6.如申請專利範圍第5項所述之離子植入機，其中所 述遮罩具有界定多個孔π之阻擔部分，所述喊部經植 態以阻擋所述離子且所述多個孔口經組態以傳遞所述離子 以用於所述選擇性離子處理。 7·如申請專利範圍第6項所述之離子植入機，其中所 述多個孔口包括以小於3毫米之相等的中心至中心間距而 間隔之多個細長狹槽，且其中所述多個細長狹槽中之每— 者具有一長度及一寬度，所述寬度小於或等於35〇 8. 如申請專利範圍第5項所述之離子植入機，其;^所 述定位機構包括用以支樓所述目標之旋轉平台，所述旋 平台經組態以在所述遮罩保持於固定位置中時在所述第— 與第一時間間隔之間使所述目標旋轉丨8〇。。 ， 9. 如申請專利範圍帛5項所述之離子植入機，其 述離子源經組態以產生所述離子之離子束，且其中所述遮 20 201044438 罩及所述目標定位於處理腔室中，且其中所述目標在所述 第一時間間隔、所述第二時間間隔以及所述第一與第二時 間間隔之間的時間期間在真空條件下保持於所述處理腔室 中。 Ο Ο 10.如申請專利範圍第5項所述之離子植入機，其中 所述離子源包括經組態以在處理腔室中產生電漿之電漿 源，所述電漿包括所述離子，且其中所述遮罩及所述目標 亦定位於所述處理腔室中，且其中所述目標在所述第一時 間間隔、所述第二時間間隔以及所述第一與第二時間間隔 之間的時間期間在真空條件下保持於所述處理腔室中。 11·如申請專利範圍第5項所述之離子植入機，其中 所述目標包括以2乘2矩陣而經組態之四個太陽電池。 12. —種方法，其包括： 將遮罩定位於目標之上游的一距離處； 在第一時間間隔期間經由所述遮罩以選擇性離子處 理來處理所述目標之第一半部且以未由所述遮罩阻礙之毯 覆式離子處理來處理所述目標之第二半部； 改變所述遮罩與所述目標的相對位置；以及 在第二時間間隔期間以所述選擇性離子處理來處理 所述目標之所述第二半部且以所述毯覆式離子處理來處理 所述目標之所述第一半部。 13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中改變所 述遮罩與所述目標的所述相對位置包括了在所述遮罩保持 於固定位置中時使所述目標旋轉180。。 ”、 21 201044438 3464 Ιρίί 標包括選禮Γ請專利範圍第12項所述之方法，其中所述目 包括將所絲發射細太陽電池’且所述選擇性離子處理 長部八中^'伟雜至所述選擇性發射極石夕太陽電池之細 形成具有一長度及-寬度之重度摻雜區，所述 重度摻雜區以相奪;的Φ 所述u s距而間隔，且其中用於 祕r, 射極太陽電池之前側觸點定位於所述重度摻 雜區上方。 15·、如申請專利範圍第14項所述之方法，其中所述寬 度小於或等於350微米，且所述相等的中心至中心間距小 於或等於3毫米。 16.如申咐專利範圍第12項所述之方法，其中所述目 標在真空條件下定倾處賴室巾，且所述目標在所述第 一時間間隔、所述第二時間間隔以及所述第一與第二時間 間隔之間的時間期間在所述真空條件下保持於舰處理腔 室中。 Π.如申請專利範圍第12項所述之方法，其中所述目 標包括以2乘2矩陣而經組態之四個太陽電池，所述第一 半部具有所述四個太陽電池中之兩者，且所述第二半部具 有所述四個太陽電池中之其餘兩者。 22