TW201100511A - Adhesive agent composition, adhesive sheet, die cutting-die attach film and semiconductor device - Google Patents

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201100511 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於含有（甲基）丙稀酸系樹脂與環氧樹脂和 芳香族多胺，當半導體晶片接著於基板時，可減低孔洞的 發生之接著劑組成物，使用該接著劑組成物的接著用薄片 及切割•黏晶薄膜，以及使用該接著用薄片或該切窗（.黏 晶薄膜所得之半導體裝置。 0 【先前技術】 半導體裝置例如可藉由（i)在切割（切斷）步驟中 將形成.有1C線路的大直徑之矽晶圓切開成半導體晶片， (i i )藉由當作固晶材的硬化性液狀接著劑等將該晶片熱 壓黏在引線框，使該接著劑硬化而固定（安裝）該晶片， (iii )於電極間的線接合後，（iv )爲了提高處理性及防 護外部環境而進行密封來製造。作爲密封的形態，樹脂的 Q 轉移模製法由於量產性優異且廉價，故最一般地使用。 近年來，隨著半導體裝置的高機能化，對用於半導體 晶片搭載的支持基板（基材）亦要求高密度化、微細化。 於如此的狀況下，若使用液狀接著劑當作上述固晶材，則 在半導體晶片搭載時，接著劑由晶片端滲出而容易發生電 極的污染，而且由於接著劑層的厚度不均勻導致晶片的傾 斜，而容易發生線接合的不良情況。因此，爲了改善此等 缺點，希望接著劑的薄膜化。 另一方面，在基板上由於配線等的線路要素而導致凹 -5- 201100511 凸部存在，當於如此的基板上熱壓黏半導體晶片時，作爲 固晶材的接著薄膜，即固晶薄膜若無法完全塡埋凹部，則 該未塡埋的部分當作孔洞殘留，此在廻焊爐的加熱中膨脹 ，會破壞接著劑層而損害半導體裝置的可靠性。特別地， 近年來在對應於無鉛焊料的高溫（265 t )中，要求耐廻 焊性，防止孔洞的形成之重要性係升高。以下，將不殘留 孔洞而塡埋基板上的凹部之性能稱爲「埋入性能」。 爲了解決上述問題，考慮以在基板上存在的凹部中使 熔融的固晶薄膜進入塡埋的方式，用具有低熔融黏度的固 晶薄膜將半導體晶片熱壓黏在基板上，盡量做到不使形成 孔洞的方法。然而，於此方法中，無法完全不形成孔洞， 而且熱壓黏需要長時間、局壓力或其兩者，會對生產性造 成不良影響。再者，亦有固晶薄膜由晶片端大量滲出，而 污染電極的情況。 作爲用於解決上述問題的另一個方法，由於密封樹脂 的模塑係在高溫高壓下進行，故有在樹脂密封步驟中將殘 留的孔洞加熱、壓縮，於縮小孔洞的體積之狀態使更吸收 在固晶薄膜中’或照縮小孔洞的體積原樣將固晶薄膜加熱 硬化’而除掉孔洞的方法。此方法不需要特別的步驟，在 製造方面係有利。 還有，以往作爲用於固晶的上述接著劑，具體地有開 發出含有接著性優異的樹脂之丙烯酸系樹脂、環氧樹脂、 其硬化劑之酚樹脂及觸媒的低彈性模數材料（例如專利文 獻1〜3 )。然而’此等接著劑雖然接著性優異，但是由於 -6- 201100511 使用該接著劑的接著薄膜係硬化反應的進行快速，若採用 於在樹脂密封步驟中除掉孔洞的上述方法，則由於樹脂密 封步驟前的線接合步驟之加熱而薄膜熔融黏度的上升速度 變大’故在樹脂密封步驟中除掉孔洞係困難。即，熔融黏 度變大’結果無法充分減小孔洞的體積，而且無法在樹脂 中吸收孔洞。因此，以往的接著劑係難以充分塡埋基板上 的凹部’而要求埋入性能的改良。 Q 在切割薄膜的黏著劑層上層合有由含環氧樹脂的接著 劑所成的接著薄膜之切割.黏晶薄膜中，取決於環氧樹脂 及環氧樹脂的硬化劑之一方或兩方的選擇，該接著薄膜中 的此等成分會經時地轉移到切割薄膜。藉此，接著薄膜的 特性（接著性、埋入性能）係由切割•黏晶薄膜的製造後 開始經時變化，在長期保管該切割·黏晶薄膜後，使用於 半導體裝置之製造所得的半導體裝置係可靠性變差，在半 導體裝置的製程中確保切割•黏晶薄膜的保存安定性係困 〇 難。 又’由含環氧樹脂的接著劑所成的接著薄膜，取於環 氧樹脂，由於線接合步驟的加熱導致熔融黏度的上升速度 、彈性模數變大，故樹脂密封步驟中除掉孔洞會變困難。 先前技術文獻 專利文獻 [專利文獻1]特開平1 0- 1 63 3 9 1號公報 [專利文獻2]特開平1 1 - 1 2 545號公報 [專利文獻3 ]特開2 0 0 〇 - 1 5 4 3 6 1號公報 201100511 【發明內容】 發明所欲解決的問題 本發明之目的爲提供不僅接著性優異而且埋入性能優 異，用於半導體裝置的製造時給予可靠性高的半導體裝置 之接著劑組成物，使用該接著劑組成物之接著用薄片，使 用該接著劑組成物且特性安定性及拾取安定性優異之切割 •黏晶薄膜，以及使用該接著用薄片或該切割•黏晶薄膜 0 所得之半導體裝置。 解決問題的手段 因此，本發明者們對於含有（甲基）丙烯酸系樹脂及 環氧樹脂的接著劑組成物進行各種檢討，結果發現藉由下 述的接著劑組成物、接著用薄片、切割•黏晶薄膜及半導 體裝置來達成上述目的，而完成本發明。 即，本發明的第一點爲提供一種接著劑組成物，其含 υ 有： (A)重量平均分子量爲5〇,〇〇〇〜1，50〇,000，具有環 氧基及下述式（1)所示的構造單位之（甲基）丙烯酸系 樹脂， 化 I > N HCIC I 2 HC 4

戊 環 二 有 具 B 脂 樹 氧 環 之 造 構 架 骨 烯 8 及 201100511 (C)具有二苯基颯骨架構造之芳香族多胺。 本發明的第二點爲提供一種接著用薄片’其具備基材 與設於該基材上的由上述接著齊彳組成物所成的接著齊彳® ° 再者，由該接著劑組成物所成的接著劑層’即使在自基材 剝離後的狀態下’也在室溫保持薄膜形狀’符合所謂的接 著薄膜。 本發明的第三點爲提供一種切割•黏晶薄膜’其具備 Q :具有基材與設於其上的黏著劑層之切割薄膜’與設於該 切割薄膜的黏著劑層上之上述接著劑組成物所成的接著劑 層。 本發明的第四點爲提供一種半導體裝置，其係使用上 述接著用薄片或上述切割·黏晶薄膜所製造。 發明的效果 本發明的接著劑組成物，由於可抑制線接合步驟的加 〇 熱所致的熔融黏度之上升，具有在樹脂密封步驟中能使孔 洞充分消失之熔融黏度，可容易且充分地除掉孔洞，故具 有優異的埋入性能。又，使該接著劑組成物加熱硬化成層 狀而得之硬化物，即接著劑硬化物層，係對於各種基材具 有高的接著力，同時爲低彈性模數且耐熱性優異。再者， 本發明的切割.黏晶薄膜，由於即使在長期保管後，特性 安定性、拾取安定性也優異，在半導體裝置的製程中長期 維持安定的特性，可合適地使用。因此，本發明的接著劑 組成物及使用該接著劑組成物的接著用薄片和切割·黏晶 -9 - 201100511 薄膜係適用於製造可靠性高的半導體裝置。 【實施方式】 實施發明的形態 以下詳細說明本發明。再者，於本說明書中’ 「重量 平均分子量」係指以凝膠滲透層析術（GPC )所測定的聚 苯乙烯換算之重量平均分子量。 本發明的接著劑組成物含有上述（A )〜（C )成分’ 由於在室溫保持形狀，故例如可形成薄膜（film )狀薄膜 ，另一方面，藉由加熱成爲可塑狀態，再者藉由長時間保 持該狀態而發揮優異的埋入性能。該組成物的硬化物係對 於基材具有高的接著性，同時爲低彈性模數且具有優異的 耐熱性。 於切割薄膜的黏著劑層上層合有由本發明的接著劑組 成物所成的接著劑層之切割•黏晶薄膜，係即使在長期保 管後，也可抑制成分由該接著劑層往切割薄膜轉移，由於 特性安定性 '拾取安定性優異，故在半導體裝置的製程中 可長期維持安定的特性。 [接著劑組成物的成分] < (A )(甲基）丙烯酸系樹脂> (A)成分係重量平均分子量爲50,000〜1,5〇〇,〇〇〇, 具有環氧基及從下述式（1): -10- 201100511 【化2】

CN (1) 所示之丙烯腈而來的構造單位之（甲基）丙烯酸系樹 脂。本說明書中的（甲基）丙烯酸系樹脂係指含有從丙烯 酸、丙稀酸衍生物、甲基丙燒酸及甲基丙烧酸衍生物所成

_ 的（甲基）丙烯酸系單體而來的構造單位之聚合物。（A 0 )成分係可以單獨一種使用，也可組合二種以上來使用。 當組合二種以上來使用時，（A)成分可爲具有環氧基的 (甲基）丙烯酸系樹脂與不具有環氧基的（甲基）丙烯酸 系樹脂之混合物。 作爲（A)成分，例如可舉出上述（甲基）丙烯酸系 單體的均聚物或共聚物或是該（甲基）丙烯酸系單體與其 它單體的共聚物，重量平均分子量爲50,000〜1，500,000， 具有環氧基及上述式（1)所75的構造單位之聚合物。於 (甲基）丙烯酸系單體與其它單體的共聚物中，從其它單 體而來的構造單位之含量，在（A)成分的全部構造單位 中’較佳爲〇〜5 0莫耳。/。，更佳爲0〜3 0莫耳％。於（甲 基）丙烯酸系單體與其它單體的共聚物中，此等單體可各 自以單獨一種使用，也可組合二種以上來使用。 作爲上述丙烯酸衍生物，例如可舉出丙烯酸甲酯、丙 烯酸乙酯、丙烯酸丁酯等的丙烯酸烷酯；二甲基丙烯醯胺 等的丙烯醯胺；丙烯酸縮水甘油酯等之含環氧基的丙烯酸 酯；丙烯腈。 -11 - 201100511 作爲上述甲基丙烯酸衍生物’例如可舉出甲基丙烯酸 甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丁酯等之甲基丙烯酸 烷酯；二甲基甲基丙烯醯胺等之甲基丙烯醯胺；甲基丙烯 酸縮水甘油酯等之含環氧基的甲基丙烯酸酯。 作爲上述其它單體，例如可舉出苯乙烯、丁二烯、烯 丙基衍生物（烯丙醇、醋酸烯丙酯等）。 基於所得之接著劑硬化物層的接著性之點，（A )成 分具有環氧基。此環氧基係與（B)及（C)成分反應。環 氧基例如可藉由使用含環氧基的單體當作（A)成分之原 料所用的單體之一部分來合成（A)成分，而導入（A) 成分中。作爲含環氧基的單體，例如可舉出含環氧基的丙 烯酸衍生物、含環氧基的甲基丙烯酸衍生物，更具體地可 舉出丙烯酸縮水甘油酯等之含環氧基的丙烯酸酯、甲基丙 烯酸縮水甘油酯等之含環氧基的甲基丙烯酸酯。 (A)成分中的環氧基之含量，就每100克（A)成 分而言，較佳爲0.002〜0.1莫耳，更佳爲0.005〜〇.〇5莫 耳。該含量若爲0.002〜0.1莫耳的範圍內，則可容易得到 具有充分埋入性能的組成物及具有充分接著力的接著劑硬 化物層。 上述式（1 )所示的構造單位，例如可藉由使用丙烯 腈當作（A)成分之原料所用的單體之一部分來合成（a )成分’而導入（A)成分中。於（a)成分中，來自丙 烯腈的構造單位之含量（使共聚合的全部單體中之丙烯腈 的比例）較佳爲5〜5 0質量％，特佳爲1 〇〜4 〇質量。/〇。 -12- 201100511 (A)成分的重量平均分子量通常爲 50,000〜 1,500,000 »較佳爲 1 00,000〜1,000,000。上述分子量若未 達50,000，則所得之接著劑硬化物層的接著性及強度會降 低。上述分子量若超過1，500,000，則所得之組成物係黏 度過高而操作性會變差。 又，（A)成分的（甲基）丙烯酸系樹脂之由熱機械 分析（TMA )所測定的玻璃轉移點（Tg )較佳爲-4〇°C〜 Q l〇〇t：，更佳爲-10 〜70 °C。 < (B)環氧樹脂> (B)成分係具有二環戊二烯骨架構造之環氧樹脂， 較佳爲1分子中具有至少2個環氧基者。（B)成分可爲 單獨1種，也可組合2種以上來使用。 本說明書中的「二環戊二烯骨架構造」係指下述式所 示的構造： 【化3】

’及由上述式所示的構造中去除一部分或全部的氫原 子後所剩餘的構造。於後者的構造中，所去除的氫原子之 數目及位置係沒有限制。其中，較佳爲上述式所示的構造 〇 一般地，於在切割薄膜的黏著劑層上層合有由含有低 分子量體（主要爲1分子中具有2個環氧基的化合物）之 -13- 201100511 含有率尚的環氧樹脂之接著劑組成物所成的接著劑層之切 割.黏晶薄膜中’接著劑層中的環氧樹脂係容易轉移到切 割薄膜中。結果在該接著劑層中，組成物的成分平衡係崩 潰’樹脂彼此的交聯密度降低，該接著劑層的接著性會經 時降低。又’使用長期保管後的該接著劑層所得之半導體 裝置會可靠性變差。具體地，於使用雙酚A型環氧樹脂、 雙酚F型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂等之 在分子內具有結晶性較高的骨架之環氧樹脂時，上述現象 係容易發生。此時，由接著劑層轉移到切割薄膜中者係前 述環氧樹脂的低分子量體。將於在切割薄膜的黏著劑層上 層合有由含有上述在分子內具有結晶性較高的骨架之環氧 樹脂的接著劑組成物所成的接著劑層之切割·黏晶薄膜， 從製造起在25°C、50%RH靜置1個月時，由前述接著劑 層轉移到前述切割薄膜的該接著劑層中之成分的量，係達 到靜置前的切割•黏晶薄膜之接著劑層中的全部成分之3 0 質量％以上。因此，靜置後即便使前述接著劑層硬化，交 聯密度也降低而不宜。又，隨著環氧樹脂的轉移，切割薄 膜與接著劑層的黏著力係經時上升，個片化的晶片之取出 (拾取）變困難，故不宜。 另一方面，作爲環氧樹脂，使用二環戊二烯型環氧樹 脂、甲酚-酚醛清漆型環氧樹脂、苯酚-酚醛清漆型環氧樹 脂、賽若克（xyi〇k )型環氧樹脂等之具有結晶性較低的 骨架之環氧樹脂時具有以下的優點。即，將於在切割薄膜 的黏著劑層上層合有由含有如此的環氧樹脂之接著劑組成 _ 14 - 201100511 物所成的接著劑層之切割•黏晶薄膜，從製造起在2 5 °C、 5 0%RH靜置1個月時，由前述接著劑層轉移到前述切割薄 膜的該接著劑層中之成分的量，係可抑制在未達靜置前的 切割•黏晶薄膜之接著劑層中的全部成分之3 0質量％，可 抑制該接著劑層的接著性之經時降低。再者，即便使用長 期保管後的該接著劑層，也可得到具有優異的可靠性之半 導體裝置。 Q 因此，由含有（B)成分的具有二環戊二烯骨架構造 之環氧樹脂的接著劑組成物所成的接著用薄片’係長期安 定性優異，具有高的接著性，而且使用該接著用薄片所得 之半導體裝置係具有優異的可靠性。因此’該接著用薄片 係可適用於半導體裝置的製程中之切割•黏晶薄膜。 (B)成分只要具有二環戊二烯骨架構造’則沒有特 別的限定。於採用本發明的接著劑組成物當作接著用薄片 時，尤其當所黏貼的矽晶圓爲薄時，爲了防止裂紋的發生 〇 及翹曲，爲了可在更低溫及更低壓來壓黏上述接著用薄片 ，較佳爲（B )成分在室溫係固體狀，以環球法（JIS-K 7 234 )所測定的軟化溫度係l〇〇°C以下。存在於如此（B) 成分的環氧樹脂中之低分子量體的量若過多，則所得到的 接著用薄片難以展現膠黏性’而且所得到的切割·黏晶薄 膜在切割後的晶片之取出（拾取）係容易。 作爲（B )成分，較佳可例示下述構造式（2 )所示的 環氧樹脂： -15- 201100511 【化4】

CH—CH2 (式中，η係0以上之數）。 上述構造式（2)中，η係0以上之數，較佳 之數，更佳爲〇〜5之數。此環氧樹脂係1分子 少2個環氧基之化合物。上述構造式（2 )所示 脂可爲單獨1種，也可組合2種以上來使用。 將上述構造式（2)所示的環氧樹脂用於本 著劑組成物中，採用該接著劑組成物於切割•黏 ，由接著劑層到切割薄膜的成分移行量變更少， 線接合步驟的加熱，也更有效地抑制接著劑層的 、彈性模數之上升，埋入性能變更良好。 (Β )成分的配合量，相對於1 00質量份的i 而言，較佳爲5〜300質量份，更佳爲10〜200 上述配合量若爲5〜3 00質量份的範圍內，則可 具有充分埋入性能的接著劑組成物，所得到的接 物層係接著性優異，可抑制彈性模數的上升，容 有充分的柔軟性者。 < (C )芳香族多胺> (C)成分的具有二苯基碾骨架構造之芳香 係具有一本基楓骨架構造，且具有直接連結於方 -16- 爲0〜10 中具有至 的環氧樹 發明的接 晶薄膜時 即使經過 熔融黏度 :A)成分 質量份。 容易得到 著劑硬化 易成爲具 族多胺， 香環的至 201100511 少2個胺基之化合物，具有當作環氧樹脂用硬化劑及觸媒 的機能者。（C)成分的芳香族多胺，係在二苯基颯骨架 構造中具有苯環，亦可更具有其它芳香環。當（C)成分 中的芳香環僅爲二苯基颯骨架構造中的苯環時，至少2個 胺基係直接連結於該苯環，當（C)成分中的芳香環係二 苯基颯骨架構造中的苯環與該苯環以外的芳香環時，則直 接連結於該苯環及該苯環以外的芳香環之任一方或兩方。 ¢) (C)成分的芳香族多胺，由於具有超過1 7(TC的熔點 ，在線接合步驟的加熱下之反應性小，故於含有（C)成 分的組成物中，硬化反應係緩慢地進行。因此，於該組成 物中，可有效地抑制加熱硬化所致的熔融黏度之上升。又 ，將含有（C )成分的芳香族多胺之組成物加熱硬化所得 之硬化物，係耐熱性優異。因此，含有（C)成分的芳香 族多胺之本發明組成物，與以往者比較下’係改善埋入性 能，而且容易成爲硬化後的耐熱性優異者。（C )成分係 Q 可爲單獨1種，也可組合2種以上來使用。 本說明書中的「二苯基颯骨架構造」係指由二苯基颯 中去除一部分或全部的氫原子後所剩餘的構造，所去除的 氫原子之數目及位置係沒有限制。其中較佳爲下述構造式 所示的二苯基砸骨架構造： 【化5】

當（C)成分具有二苯基碾骨架構造中的苯環與該苯 環以外的芳香環時，該苯環以外的芳香環可爲芳香族烴環 -17- 201100511 ，也可爲芳香族雜環。作爲芳香族烴環，例如可舉出苯環 、萘環、蒽環等。作爲芳香族雜環，例如可舉出吡啶環、 喹啉環、異喹啉環等。 作爲（C)成分的具體例，可舉出4，4’-二胺基二苯基 颯、3,3'-二胺基二苯基楓、雙（4_ (4-胺基苯氧基）苯基 )颯、雙（4- ( 3-胺基苯氧基）苯基）颯等。於此等之中 ，工業上可較宜使用4,4，-二胺基二苯基楓、3,3’-二胺基 二苯基碾。此等芳香族多胺係作爲環氧樹脂硬化劑所眾所 周知者，可使用市售品。 (C)成分的配合量，相對於本發明組成物中的全部 環氧基而言，較佳爲使（C)成分中的胺基之莫耳比成爲 0.6〜1.4之量，更佳爲使成爲0.8〜1.2之量。若在本發明 的組成物中配合上述莫耳比爲0.6〜1.4之量的（C)成分 ’則由於該組成物充分進行交聯，故所得之硬化物係硬化 特性容易變良好，有效地提高接著性及耐焊料廻焊性。又 ’由於（C)成分難以在該硬化物中當作未反應物殘留， 而不易浪費，故容易謀求省資源化，爲經濟的。 於本發明的組成物中’除了（ B )成分的環氧樹脂以 外’當作含有環氧基的成分，亦可配合（A)成分與含有 環氧基的其它成分’故本發明組成物中的全部環氧基係意 味（B)成分中的環氧基、（A)成分中的環氧基、與含有 環氧基的其它他成分中之環氧基的合計。相對於本發明組 成物中的全部環氧基而言’ （B)成分中的環氧基與（a) 成分中的環氧基之合g十的莫耳比較佳爲0.5〜1.0，更佳爲 -18- 201100511 0.7〜1.0。又’相對於本發明組成物中的全部環氧基而言 ’ （Β)成分中的環氧基之莫耳比較佳爲〇.5〜1.0，更佳 爲〇·6〜0.9。此處’當本發明組成物中除了（β)成分及 (Α)成分以外’不含有具環氧基的成分時，（C)成分的 配合量，相對於（Β)成分中的環氧基與（a)成分中的環 氧基之合計而言’較佳爲使（C)成分中的胺基之莫耳比 成爲0.6〜1.4之量，更佳成爲〇.8〜12之量。 〇 <其它成分> 於本發明的接著劑組成物中，除了上述（Α)〜（C) 成分，在不損害該組成物的特性之範圍內，亦可配合其它 成分。作爲其它成分，例如可舉出（Β)成分以外的環氧 樹脂；（C )成分以外的環氧樹脂用硬化劑及觸媒；塡充 劑；接著助劑；顏料、染料等的著色劑；提高潤濕劑；抗 氧化劑；熱安定劑；溶劑等。

G • ( Β)成分以外的環氧樹脂 於本發明組成物中，具有二環戊二烯骨架構造以外的 骨架構造之環氧樹脂亦可與（Β )成分的環氧樹脂組合使 用。（Β )成分以外的如此環氧樹脂係眾所周知，可使用 市售品。作爲（Β )成分以外的環氧樹脂，例如可舉出雙 酚F型環氧樹脂；雙酚Α型環氧樹脂；苯酚-酚醛清漆' 甲酚-酚醛清漆等的酚醛清漆型酚樹脂與環氧氯丙烷縮合 而得之酚醛清漆型環氧樹脂；含有萘環的環氧樹脂；聯苯 -19 - 201100511 型環氧樹脂；苯酚芳烷基型環氧樹脂；聯苯基芳烷基 氧樹脂等。較佳爲酚醛清漆型環氧樹脂。相對於1〇0 份的（B )成分而言，（B )成分以外的環氧樹脂之配 爲0〜50質量份’較佳爲〇〜20質量份。該配合量若 50質量份’則會損害所得之接著劑組成物的埋入性能 • ( C)成分以外的環氧樹脂用硬化劑及觸媒 作爲（C )成分以外的環氧樹脂用硬化劑及觸媒 如可舉出環氧樹脂用硬化劑或當作觸媒的公知之酚系 物。（C )成分以外的環氧樹脂用硬化劑及觸媒之量 妨礙（C)成分的芳香族多胺之效果的程度。 •塡充劑 於本發明組成物中亦可配合塡充劑。塡充劑係沒 別的限制，可使用眾所周知者。塡充劑係可單獨1種 ，也可組合2種以上來使用。塡充劑的配合量，相對 A)〜（C)成分的合計1〇〇質量份而言，較佳爲〇 -質量份，更佳爲〇〜500質量份。 作爲塡充劑，例如可舉出矽石粒子、氧化鋁、氧 、碳黑、銀粒子等的其它導電性粒子等之無機系塡充 有機系塡充劑。於此等之中，較佳爲矽石粒子。以下 細說明矽石粒子。 矽石粒子係適度地增加由本發明的接著劑組成物 的接著劑層之熔融黏度，抑制樹脂密封步驟中的晶片 型環 質量 合量 超過 ，例 化合 係不 有特 使用 於（ - 900 化鈦 劑； 更詳 所成 流動 -20- 201100511 ，降低所得之接著劑硬化物層的吸濕率及線膨脹率。矽石 粒子係沒有特別的限制，可使用眾所周知者。從所得之組 成物的流動性之點來看，矽石粒子較佳爲經有機烷氧基矽 烷、有機氯矽烷、有機矽氮烷、低分子量矽氧烷等的有機 矽化合物等所表面處理者。矽石粒子可單獨1種使用，也 可組合2種以上來使用。 矽石粒子的平均粒徑較佳爲1〇μπι以下，更佳爲5μιη 0 以下。該平均粒徑若爲1 〇 μχη以下’則本發明接著用薄片 容易維持表面的平滑性。又，矽石粒子的最大粒徑較佳爲 20μηι以下。再者，於本說明書中，「平均粒徑」係指相 當於藉由使用雷射光繞射法的粒度分布測定裝置所求得的 累積分布之50%的體積基準之平均粒徑。又，「最大粒徑 」係指以上述求得平均粒徑時所測定的累積分布中之粒徑 的最大値。 作爲矽石粒子，例如可舉出火成矽石、沈降性矽石等 〇 的補強性矽石、石英等之結晶性矽石。具體地，可例示日 本 AEROSIL 公司製的 Aerosil R972、R974、R976 ;(股 )ADMATECHS 公司製的 SE-2050、SC-2050、SE-1 050、 SO-E1、SO-C1、SO-E2、SO-C2、SO-E3、SO-C3、SO-E5 、SO-C5 ;信越化學工業公司製的 Musil 120A、Musil 1 30A 等。 矽石粒子的配合量較佳係一邊將塡充劑全體的配合量 調整在上述的範圍內，一邊使成爲組成物總質量的5〜80 質量％，特佳成爲10〜60質量％。上述配合量若爲5〜80 -21 - 201100511 質量％的範圍，則所得之接著劑硬化物層有效地降低吸濕 率及線膨脹率，而且容易抑制彈性模數的上升。 •接著助劑 於本發明的組成物中，爲了提高接著性，亦可添加接 著助劑。接著助劑可爲單獨1種，也可組合2種以上來使 用。作爲接著助劑，例如可使用含矽的偶合劑（矽烷偶合 劑）。作爲接著助劑之例，可例示含環氧基的矽烷偶合劑 、含巯基的矽烷偶合劑、含胺基的矽烷偶合劑、含（甲基 )丙烯醯基的矽烷偶合劑等，商品名可舉出信越化學工業 公司製的 KBM-403、KBM-402、KBM-803 ' KBM-802、 KBM-903、KBM-902、KB Μ - 5 0 3、KB Μ 5 1 0 3 或 X -1 2-4 1 4 或此等的部分水解物等。 •溶劑 於本發明的組成物中，從各成分的混合容易性、所得 之組成物的塗佈容易性等的觀點來看，亦可添加溶劑。溶 劑可爲單獨1種，也可組合2種以上來使用。作爲溶劑， 例如可舉出甲基乙基酮、甲苯、醋酸乙酯、環己酮' Ν -甲 基吡咯烷酮（ΝΜΡ )等的非質子性極性溶劑。 [接著劑組成物的調製] 本發明的接著劑組成物係可藉由慣用的混合手段在室 溫混合上述（A )〜（C )成分及依所欲的其它成分來調製 -22- 201100511 [接著劑組成物的用途] 本發明的接著劑組成物例如可使用於接著 。此等被附體係沒有特別的限定，作爲一方纪 如可舉出矽晶片、玻璃、陶瓷等，作爲另一戈 例如可舉出BT基板等的樹脂基板；由金、| Q 所成的引線框基板；矽基板。 例如，將本發明的接著劑組成物以適當β 溶劑中，塗佈在一方的被附體上，使乾燥後， 接著劑組成物的該被附體表面上壓黏另一方纪 該接著劑組成物加熱硬化，可接著此等2個扬 之例係與上述同樣。乾燥較佳爲室溫〜200t 〜150°C進行1分鐘〜1小時，特佳爲3〜10 f 佳爲在 0.01〜lOMPa，尤其在 0.05〜2MPa & Q 加熱硬化較佳爲在1〇〇〜200 °c，尤其在120〜 進行3 0分鐘〜8小時，特佳爲1〜7小時。 又，本發明的接著劑組成物係可用於接毫 形的狀態之2個被附體。例如，亦可使用具；p 該基材上的由本發明的接著劑組成物所成的g 著用薄片，來接著前述2個被附體。更具體; 由該接著用薄片剝離該接著劑層，將該接著齊 在2個被附體間，壓黏及加熱硬化，亦可接毫 體。壓黏及加熱硬化的條件係與上述同樣。 2個被附體 被附體，例 的被附體， :、銅、鎳等 濃度溶解在 在塗佈有該 被附體，將 :附體。溶劑 ，尤其在 80 鐘。壓黏較 壓力進行。 1 8 0 °C的溫度 以薄膜狀成 基材與設於 著劑層之接 ，藉由例如 層以層狀夾 該2個被附 -23- 201100511 前述接著用薄片係可藉由將本發明的接著劑組成物與 前述同樣地以適當的濃度溶解在溶劑中，於基材上塗佈及 使乾燥’形成接著劑層而得。溶劑之例及乾燥的條件係與 上述同樣。接著劑層的膜厚係沒有特別的限制，可按照目 的來選擇’較佳爲10〜ΙΟΟμιη，特佳爲15〜5〇μιη。前述 基材通常爲薄膜狀，例如可使用聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜 、聚酯薄膜、聚醯胺薄膜、聚醯亞胺薄膜、聚醯胺醯亞胺 薄膜、聚醚醯亞胺薄膜、聚四氟乙烯薄膜、紙、金屬箔等 的基材、或表面經脫模處理的前述基材。前述基材的厚度 較佳爲10〜ΙΟΟμπι，更佳爲25〜50μιη。 於半導體裝置製造的領域中，由接著劑組成物所成的 接著劑層（接著薄膜），係可當作將矽晶片接著於基板上 的所謂固晶薄膜來使用。使用該接著薄膜將矽晶片固接於 基板後，經過線接合步驟及密封步驟來製造半導體裝置時 ，於固晶後未埋入的部分中，使該接著薄膜硬化而得之接 著劑硬化物層與基板之間的接著力係由於線接合步驟的加 熱而降低。上述未埋入的部分係在線接合步驟之後，藉由 密封步驟而埋入。如此地經樹脂密封的半導體裝置，爲了 具有可靠性，在該接著劑硬化物層與基板之間，即使有接 著力降低的部分，也必須保持全體的充分接著力。因此’ 所需要的接著力’當在2 60 °C測定時’通常爲至少IMP a。 因此，於線接合步驟的加熱條件下將於矽晶片與基板之組 合等之2個被附體間以層狀所夾持的接著薄膜加熱後’於 半導體密封樹脂的密封步驟之加熱/加壓條件下熱壓黏’ -24- 201100511 更使加熱硬化而成爲層狀的硬化物（接著劑硬化物層）後 ，在260°C測定該2個被附體間的剪切接著力時，該剪切 接著力通常爲至少1 Μ P a。線接合步驟的加熱條件係有各 種，一般爲在170°C 30分鐘以上。又，上述半導體密封樹 脂之密封步驟的加熱/加壓條件，通常爲在160〜180°C/5 〜1 0 Μ P a歷1 0〜1 5 0秒。加熱硬化的條件係如前述。 本發明的接著劑組成物係可使用於本發明的切割·黏 〇 晶薄膜。即，本發明的切割•黏晶薄膜係具備：具有基材 與設於其上的黏著劑層之切割薄膜，與設於該切割薄膜的 黏著劑層上之由本發明的接著劑組成物所成的接著劑層之 切割•黏晶薄膜。 本發明的切割·黏晶薄膜所使用的切割薄膜，較佳爲 由當作基礎的薄膜狀基材與黏著劑層的至少2層所成者。 前述基材只要是一般切割薄膜中所用者’則沒有特別 的限制。作爲該基材，例如可使用（I )聚乙烯、聚丙烯 〇 、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、 乙烯-丙烯酸乙基共聚物、離子鍵聚合物等的α·烯烴之均 聚物或共聚物、（II)聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、 聚甲基丙烯酸甲酯等的工程塑膠、（III)聚胺甲酸酯、苯 乙烯-乙烯-丁烯系共聚物、苯乙烯-乙烯-戊烯系共聚物等 的熱塑性彈性體等之合成樹脂等。 前述基材的厚度較佳爲60〜20Mm。該基材的厚度若 爲6 0〜2 0 0 μ m的範圍內，則有抑制由接著劑層到切割薄膜 的環氧樹脂之轉移量之傾向，故容易維持接著劑層的特性 -25- 201100511 ，而且於切割薄膜上安裝晶圓的作業係容易，再者可有效 地防止由於切割時的切削熱而使該基材熔黏在夾頭台上。 黏著劑層亦可設置在前述基材的至少一面上。形成前 述黏著劑層的黏著劑，只要是可將使用本發明的切割•黏 晶薄膜來切割晶圓而個片化的晶片，保持該晶片的背面附 著有接著薄膜的樣態，由切割薄膜來良好地拾取，則沒有 特別的限定，可使用通常作爲切割膠帶所使用的感壓型黏 著劑、紫外線（UV )硬化型黏著劑。更具體地，作爲黏 0 著劑，例如可舉出橡膠系、丙烯酸系、胺甲酸乙酯系或聚 矽氧系的感壓型黏著劑等。較佳爲使用丙烯酸系黏著劑、 胺甲酸酯系黏著劑、聚矽氧系黏著劑。黏著劑層的厚度較 佳爲1〜50μπι，更佳爲5〜ΙΟμιη。黏著劑層較佳爲在切割 步驟中不發生晶片飛散的程度內與基材的黏著性強，與接 著劑層之間的180度剝離力較佳爲〇.〇1〜〇.7N/20mm，更 佳爲 〇· 1 〜0.4N/20mm。 本發明的切割·黏晶薄膜例如可藉由在切割薄膜的黏 著劑層上層合本發明的接著用薄片中之接著劑層而製造。 又，亦可藉由將本發明的接著劑組成物以與前述同樣的適 當濃度溶解在溶劑中，塗佈在切割薄膜的黏著劑層上及使 乾燥，形成接著劑層而獲得。溶劑之例、乾燥的條件及接 著劑層的膜厚係與上述同樣。 於本發明的切割·黏晶薄膜中，較佳爲抑制前述接著 劑層中的成分由該接著劑層到前述切割薄膜的轉移，更佳 爲於將該切割.黏晶薄膜從製造起在2 5 t：、5 0 % R Η靜置1 / -26- 201100511 個月時，由前述接著劑層轉移到前述切割薄膜的該接著劑 層中之成分的量係被抑制在未達靜置前的切割•黏晶薄膜 之接著劑層中的全部成分之3 0質量。/。。由前述接著劑層到 前述切割薄膜的成分之轉移量尤佳爲未達1 5質量％，更佳 爲1 〇質量％以下。前述轉移量係可藉由適宜地選擇（B ) 成分的種類、配合量等來調整。 可依照常用方法，使用本發明的接著用薄片或本發明 的切割·黏晶薄膜來製造半導體裝置。如此所得之半導體 裝置係具有優異的可靠性。 又，本發明的接著劑組成物係不僅可用於半導體裝置 等的電子零件之製造，也可用於含有接著步驟的各種製品 之製造，例如LED零件、感測器、液晶零件等之製造。 〔實施例〕 以下，藉由實施例及比較例來進一步說明本發明，惟 〇 本發明不受此等實施例所限定。 [接著劑組成物的調製] 將下述（A)〜（C)成分及其它成分以表1所不的配 合量（質量份）投入自轉.公轉方式的混合機（（股） THINKY公司製）中，再者以此等成分的合計濃度成爲20 質量％的方式，添加甲基乙基酮、甲苯或環己酮，進行混 合，而調製接著劑組成物。 -27- 201100511 (A)成分的（甲基）丙烯酸系樹脂 .SG-P3LC改43:具有環氧基，更且具有上述式〇 )所示之來自丙烯腈的構造單位之（甲基）丙烯酸系樹脂 (NAGASE CHEMTEX公司製），含有〇.〇27莫耳克 的環氧基，Tg = 8°C，重量平均分子量=85萬 (A) 成分以外的（甲基）丙烯酸系樹脂 .SG-708-6:具有羧基’更且具有上述式（1：)所示 之來自丙烯腈的構造單位的（甲基）丙嫌酸系樹脂（ NAGASE CHEMTEX公司製），含有〇·159莫耳/100克的 羧基，Tg = 4°C，重量平均分子量=80萬 (B) 成分的環氧樹脂 • HP 7200 :二環戊二烯型環氧樹脂（大日本油墨公司 製）’上述構造式（2)所示的環氧樹脂（η二I·6) (Β)成分以外的環氧樹脂 .EOCN-1020:甲酚_酚醛清漆型環氧樹脂（日本化藥 公司製） .RE-SIOS :雙酚Α型環氧樹脂（日本環氧樹脂公司 製） (C)成分的芳香族多胺 .4,4’-DDS : 4,4’-二胺基二苯基颯（和歌山精化公司 201100511 製） .3,3’-DDS : 3,3’_二胺基二苯基颯（小西化學公司製 ) (C)成分以外的芳香族多胺 • DDM: 4,4、二胺基二苯基甲烷（和歌山精化公司製 )’不具有二苯基颯骨架構造的芳香族多胺 〇 (其它成分）填充劑 •矽石粒子：SC-2050 ( ADMATECHS公司製），球 狀砂石’平均粒徑0.5 μ m (其它成分）接著助劑 .偶合劑· Χ-12-·414(信越化學工業公司製），疏基 系矽烷偶合劑 〇 [接著用薄片的製作] 接著，將接著劑組成物塗佈在經氟系聚矽氧離型劑塗 覆的厚度50 μπι之PET薄膜上，於110 °C加熱乾燥10分鐘 ，以製作具備厚度約25μπι的接著劑層之接著用薄片。 [切割·黏晶薄膜的製作] 再者，將上述所製作的接著用薄片與下述的任一切割 薄膜，以該接著用薄片的接著劑層與該切割薄膜的黏著劑 -29 - 201100511 層接觸的方式，在室溫使貼合，以製作切割·黏晶薄嗅。 切割薄膜 .感壓型切割薄膜：SD 8 5T A (電氣化學工業公旬製 )，厚度 8 5 μιη • UV硬化型切割薄膜：UHP-110M3 (電氣化學：C業 公司製），厚度1 ιομπι [試驗] 對於所得之接著用薄片及切割•黏晶薄膜’進行下述 試驗。表1中顯示結果。 (1 )初期的接著性

將厚度450μιη的矽晶圓切割成2mmx2mm的晶片，於 如此所切割的晶圓之背面，以接著劑層接觸的方式，在 loot熱壓黏接著用薄片。其次，將接著用薄片切成與晶 片同樣的形狀，取得接著用薄片所附著的矽晶片。由此矽 晶片剝離p ET薄膜’而得到附接著劑層的矽晶片。接著’ 於塗佈硬化有光阻劑AUS308 ((股）太陽油墨公司製） 的lOmmxlOmm之B T基板或矽基板上，載置所得之附接 著劑層的矽晶片，以使接著劑層所附著的面接觸’在 17(TC、0.1 MPa的條件下熱壓黏2秒而使固定。將如此固 定有矽晶片的基板，在1 7 5 °C加熱6小時而使接著劑層硬 化，以製作試驗片（接著試驗片）。使用此接著試驗片’

-30- 201100511 藉由黏合力試驗機（DAGE公司製，4000PXY) ’測定在 2 6 0 °C的接著劑硬化物層與基板之間的剪切接著力。 (2 )濕熱後的接著性 將上述（1 )的接著試驗片在85°C/60%RH的條件下保 持1 6 8小時，接著通過2 6 0 °C的廻焊爐3次後，與上述（1 )同樣地測定在2 6 0 °C的剪切接著力。 〇 (3 )埋入性能 於直徑8吋、厚度75μιη的矽晶圓之一面上，以接著 劑層接觸的方式，在7(TC熱壓黏接著用薄片。於由經熱壓 黏的接著用薄片剝離PET薄膜後所得之附接著劑層的晶圓 之接著劑層面上，黏貼感壓切割薄膜，以使該感壓切割薄 膜的黏著劑層接觸。將此矽晶圓在下述切割條件下，切割 成9mm見方的矽晶片。接著，將如此所得之9mm見方的 〇 矽晶片，以背面附有接著劑層著，由前述感壓切割薄膜的 黏著劑層來剝離。藉由NEC機械公司製的固晶裝置（ BESTEM-D02-Type B)，將此矽晶片配置在形成有5〜 15μιη寬的條紋狀線路圖型之50minx50mmx厚度250μιη的 樹脂基板（塗佈硬化有光阻劑AU S 3 0 8的Β Τ基板）上， 以使接著劑層接觸，在1 3 0。(：、〇. 1 MP a的條件下熱壓黏1 秒。若以圖1 (顯示埋入性能試驗中矽晶片的配置之圖） 爲基礎來具體說明此點，則1邊9mm的正方形之矽晶片1 ，以3mm的間隔，4行4列地配置16個在1邊50mm的 -31 - 201100511 正方形之樹脂基板2上，最外側所配置的矽晶片1與樹脂 基板2的外緣之間隔爲2_5mm。將如此地熱壓黏有矽晶片 的樹脂基板，在相當於線接合步驟的加熱溫度之17〇°c加 熱120分鐘後，由樹脂基板上，以600 μιη的厚度，藉由模 塑材KMC2500LM1B (信越化學工業公司製）來進行樹脂 密封（1 75°C，密封壓力6.9MPa，90秒），在1 75t將該模 塑材加熱硬化4小時。以超音波影像測定裝置來觀察如此 所得之半導體封裝內部，調查有無孔洞。 藉由超音波影像測定裝置的觀察，當在半導體封裝內 部看不到孔洞時，則評價埋入性能爲充分。另一方面，藉 由超音波影像測定裝置的觀察，當在半導體封裝內部看到 孔洞時，則評價埋入性能爲不充分。表1中的「〇」表示 埋入性能充分，「X」表示埋入性能不充分。 (4 )封裝的可靠性 割開上述（3 )經樹脂密封的矽晶片，將所得之封裝 合計16個在85 °C/6 0%RH的條件下保持168小時，接著通 過最高達到溫度260 °C的焊料廻焊爐3次後，藉由超音波 影像測定裝置來觀察在矽晶片與基板之間有無剝離。表1 中的「〇」表示在16個封裝中皆沒有看到剝離、「X」表 示即使1 6個封裝中的1個也看到剝離。 (5)切割.黏晶薄膜的環氧樹脂之轉移量 將上述所製作的切割·黏晶薄膜在25 °C /50%RH的恒 -32- 201100511 溫恒濕室中保管1個月後，分離該切割•黏晶薄膜中的接 著用薄片與切割薄膜，對由使該接著用薄片中的接著劑層 溶解在T H F中而得之溶液，以G P C來測定該接著劑層中 所殘留的環氧樹脂之含量。由接著用薄片到切割薄膜的環 氧樹脂之轉移量（質量％ )係藉由式：（Ε〇-Ει ) /Ε〇χ100 來求得（惟，Ε ο係初期的接著劑層中之環氧樹脂的含量（ 質量份），Ε,係保管後的接著劑層中所殘留的環氧樹脂之 Q 含量（質量份））。再者，GPC係使用HLC8220 GPC ( TOSO公司製）來進行，使用THF當作洗提液。 (6 )保管後的切割•黏晶薄膜之黏著力 將上述所製作的切割·黏晶薄膜在25°C/50%RH的恒 溫恒濕室中保管1個月後，根據JIS Z 023 7來測定該切割 •黏晶薄膜中的接著用薄片與切割薄膜之間的黏著力。 Q ( 7 )保管後的切割*黏晶薄膜之拾取性 將上述所製作的切割•黏晶薄膜在25°C/50%RH的恒 溫恒濕室中保管1個月後’由此切割·黏晶薄膜剝下PET 薄膜，於所露出的接著劑層上安裝直徑8吋、厚度7 5 μιη 的矽晶圓，在下述條件下進行切割，而成爲lOmmxlOmm 的矽晶片。使用NEC機械公司製的固晶裝置（BESTEM-D02-Type B )，由切割薄膜拾取100個如此所切割的矽晶 片。表1中「〇」表示可安定地拾取全部的矽晶片，「X 」表示無法拾取的砂晶片也有1個。 -33- 201100511 切割條件： 切割裝置：DAD-341 (DISCO公司製） 切斷方式：單切 心軸旋轉數：40000rpm 切割刀片：NBC-ZH 104F27HEEE( DISCO 公司製） 進給速度：50mm/sec 【表1】 實施例 比較例 1 2 3 4 1 2 3 4 (甲基)丙烯酸 (A)成分 SG-P3LC 改 43 595 59.5 59.5 59.5 59.5 59.5 59.5 系樹脂 (A)成分以外 SG-708-6 595 (B)成分 HP7200 19.1 19.1 14.1 19.1 20.1 19.1 環氧樹脂 TO成分以外 EOCN-1020 5.0 19.5 RE-310S 19.1 (C戚分 4,4，-DDS 6.4 3.2 芳香族多胺 3,3-DDS 6.4 6.4 3.2 6.0 6.4 6.4 (C戚分以外 DDM 5.4 其它 SC-2050 14 14 14 14 14 14 14 14 X-12414 1 1 1 1 1 1 1 1 Si基板 初期 3.4 3.9 3.8 3.5 3.3 1.8 3.3 1.3 接著性(MPa) 濕熱後 4.1 4.3 4.3 4.1 3.3 2.9 3.1 1.7 BT基板 初期 5.0 5.9 5.0 5.0 4.5 33 4.3 3.4 濕熱後 5.1 5.8 5.1 5.1 4.4 4.3 5.4 4.1 埋入性能 170°C、12吩鐘加熱後 〇 〇 〇 〇 X X X X 封裝可靠性 170°C、120分鐘加熱後 〇 〇 〇 〇 X X X X 黏著力(N/20mm) SD 85TA 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.6 1.8 1.2 鏡玫鲁(暂嗇忍、 SD 85TA 10 10 7 10 10 3 33 10 UHP-110M3 11 11 8 11 11 5 35 11 拾取性 SD 85TA 〇 〇 〇 〇 〇 〇 X 〇 UHP-110M3 〇 〇 〇 〇 〇 〇 X 〇 -34- 201100511 於本發明的組成物（實施例1〜4 )中，使用當作（甲 基）丙烯酸系樹脂的（A)成分，使用當作環氧樹脂的（B )成分’使用當作芳香族多胺的（C)成分。相對於此， 於比較例1的組成物中，使用當作芳香族多胺的（C )成 分以外’於比較例2及3的組成物中，使用當作環氧樹脂 的（B)成分以外，於比較例4的組成物中，除了使用當 作（甲基）丙嫌酸系樹脂的（A)成分以外。如表1中所 0 示地’與比較例1〜4的組成物相比，本發明的組成物係 埋入性能優異，而且與由比較例1〜4的組成物所得之接 著劑硬化物層相比，由本發明的組成物所得之接著劑硬化 物層係吸濕下的封裝可靠性高。再者，與由使用雙酚A型 環氧樹脂當作環氧樹脂之比較例3的組成物所成的接著劑 層相比，由本發明的組成物所成的接著劑層係環氧樹脂對 切割薄膜的轉移量少，對於切割薄膜的黏著力小，拾取性 安定。

G 產業上的利用可能性 本發明的接著劑組成物係埋入性能優異，由該接著劑 組成物所得之接著劑硬化物層係接著性優異，同時爲低彈 性模數且耐熱性優異。再者，本發明的切割•黏晶薄膜， 即使長期保管後，特性安定性、拾取安定性也優異。因此 ，本發明的接著劑組成物以及使用該接著劑組成物的接著 用薄片和切割·黏晶薄膜，係適用於製造可靠性高的半導 體裝置。 -35- 201100511 【圖式簡單說明】 圖1係顯示埋入性能試驗中的矽晶片之配置的圖。 【主要元件符號說明】 1 :矽晶片 2 :樹脂基板 fl

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Claims (1)

1. 201100511 七、申請專利範圍： 1. 一種接著劑組成物，其特徵係含有（A)重量平均 分子量爲50,000〜1，500,000，具有環氧基及下述式（1) 所示的構造單位之（甲基）丙烯酸系樹脂， 【化1】 CN (1) (B) 具有二環戊二烯骨架構造之環氧樹脂，及 (C) 具有二苯基颯骨架構造之芳香族多胺。 2. 如申請專利範圍第1項之接著劑組成物，其中（B )成分係下述構造式（2)所示的環氧樹脂 【化2】

   (2) (式中，η係0以上之數）。 3.如申請專利範圍第1或2項之接著劑組成物’其 中（C)成分中的二苯基砸骨架構造係下述構造式所示的 二苯基楓骨架構造： 【化3】

   -37- 201100511 4 ·如申請專利範圍第1〜3項中任一項之接著劑組成 物，其係成形爲薄膜狀。 5. 一種接著用薄片，其具備基材與設於該基材上的 由申請專利範圍第1〜3項中任一項之接著劑組成物所成 的接著劑層。 6. 一種切割·黏晶薄膜，其具備：具有基材與設於 其上的黏著劑層之切割薄膜，與設於該切割薄膜的黏著劑 層上之由申請專利範圍第1〜3項中任一項之接著劑組成 物所成的接著劑層。 7. 如申請專利範圍第6項之切割.黏晶薄膜，其中 抑制前述接著劑層中的成分由該接著劑層轉移到前述切割 薄膜。 8 ·如申請專利範圍第6或7項之切割·黏晶薄膜， 其中於將該切割·黏晶薄膜從製造起於25°C、5〇%RH靜 置1個月時，由前述接著劑層轉移到前述切割薄膜的該接 著劑層中之成分的量係被抑制在未達靜置前的切割•黏晶 薄膜之接著劑層中的全部成分之30質量。/。。 9. 一種半導體裝置，其係使用申請專利範圍第5項 之接著用薄片或申請專利範圍第6〜8項中任一項之切割 •黏晶薄膜所製造。

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