TW201200975A

TW201200975A - Process and materials for making contained layers and devices made with same

Info

Publication number: TW201200975A
Application number: TW100120846A
Authority: TW
Inventors: Kyung-Ho Park; Nora Sabina Radu; Gary A Johansson; William J Delaney; Adam Fennimore; Daniel David Lecloux
Original assignee: Du Pont
Priority date: 2010-06-17
Filing date: 2011-06-15
Publication date: 2012-01-01
Also published as: WO2011159876A3; JP2013534026A; KR20130098984A; CN102934029B; EP2583139A2; CN102934029A; US20130087779A1; WO2011159876A2

Description

201200975 : 六、發明說明： , 本申請案根據35 U.S.C. § 119(e)主張於2010年6月17 曰申請之美國臨時申請案第61/355,617號的優先權，其以引用方式全文併入本文中。【發明所屬之技術領域】本揭露一般係關於一種製造電子裝置之方法。其進一步係關於由該方法製成之裝置。【先前技術】在許多不同種類的電子設備中，有使用有機活性材料的電子裝置。在此種裝置中，兩個電極之間夾置一有機活性層。電子裝置之一類型係有機發光二極體(OLED)。由於有機發光二極體的高功率變換效率及低加工處理成本’應用於顯示器有相當前景。尤其對於以電池供電、可攜式電子裝置，包括行動電話、個人數位助理(PDA)、手持式個人電腦（掌上電腦)及多樣化數位光碟^>VD)播放裝置，這種顯示器更具前景。此等應用要求顯示器能顯不高量資訊内容、具全彩及快速視訊比回應時間，以及低功率消耗。目前製造全彩有機發光二極體的研究為朝向具成本效益、高產量之彩色像素製造方法發展。對於用液體製程製造單色顯示器’已廣泛採用旋轉塗布方法（參見例如’ David Braun及Alan J. Heeger，物理應用期刊第 58期第1982頁（1991年））。然而，製造全彩顯示器需要對製造單色顯示器所使用的程序做出某些修改。例如， 201200975 為了製造具有全彩影像之顯示器

色、綠色或藍色之一。因將全素，需要修改目前的處理方法，墨水)散開及色彩混合。因將全彩像素分割成三個子像母一個顯示像素係分出顯示器三原色之紅三個子像以防止有色液體材料（即

於文獻中已記載用於提供墨水 containment)的數種方法。此係基# 率考量，這些結構相較於經沉積材料的濕厚度而古應^ 夠大。當發射墨水印在此等結構上時，會把結構:^ 濕，使得在該結構附近的厚度均勻度減用語「發射」及「發光」係可交錢用。因此^將该結構移到發射「像素」區外，使得於操作巾看不出非 $勻度。由於顯示器之空間有限（尤其是高解析度顯示态）’此會減少像素的可用發射區域。可實施的圍阻結構在沉積電荷注入層及電荷傳輸層之連續層時，常對於品質造成負面影響。結果，所有層必須以印刷為之。。此外，當存在有低表面張力材料的印刷區或氣相沉，區時，會造成表面張力不連續。此等低表面張力材料，通常必須在該像素區域中印刷或塗佈第一有機活性層之前，就先行塗敷◊通常，當塗佈連續的非發射層時，此等處理會影響品質，所以所有層必須以印刷為之。 201200975 兩種墨水圍阻技術之—纟井、通道)之四氟化碳仰4)電漿°處理先二堤結構(像素性層必須印刷在像素區域中。’。通吊’所有的活上述所有圍阻方法具有妨礙連續塗佈的缺點層或多層的連續塗佈實有其冑子法有其需求。關於形成電子裝置的改良方【發明内容】本發明提供一種用於在—第—層上形成一被包含第二層之方法，該方法包括：形成具有一第一表面能之該第一層；以-底塗材料處理該第—層以形成—底塗層；以圖案化方式用輻射曝露該底塗層，產生曝露區域和未曝露區域；顯影邊底塗層以有效地自該未曝露區域移除該底塗層，形成一具有底塗層圖案之第一層，其中該底塗層圖案具有一局於該第一表面能之第二表面能；以及於该第一層上進行液相沉積以在該底塗層圖案上形成該第二層；其中該底塗材料具有式〗或式j，：

7 201200975

(!') 其中：

Ar1與Ar2係相同或不同且為芳基； R1至R5於每次出現時係獨立為相同或不同，且係選自於由D、F、烷基、芳基、烷氧基、矽基及一可交聯基所組成之群組； R6於每次出現時係相同或不同，且係選自於由Η、 D及鹵素所組成之群組； a至e係獨立為0到4之一整數； f為1或2 ; g為0、1或2 ; h為1或2 ;以及 η為大於0的整數。本發明亦提供一種用於製造一有機電子裝置之方法，該有機電子裝置包括一電極，具有設於其上之一第一有機活性層及一第二有機活性層，該方法包括：在該電極上形成具有一第一表面能之第一有機活性層；以一底塗材料處理該第一有機活性層以形成一底塗層；以圖案化方式用輻射曝露該底塗層，產生曝露區域和未曝露區域； 201200975 顯影該底塗層以有效地自該未曝露區域移除該底塗層，形成一具有底塗層圖案之第一活性有機層\ 其中該底塗層圖案具有一高於該第一表面能之第二表面能；以及於該第一有機活性層上進行液相沉積以在該底塗層圖案上形成該第二有機活性層；其中5亥底塗材料具有式I或式I，：

0) (!') 开τ

Ar1與Ar2係相同或不同且為芳基； R1至R5於每次出現時係獨立為相同或不同，選自於由D、F、院基、芳基、院氧基石夕基及一可交聯基所組成之群組； R6於每次出現時係相同或抑，且係選自於由η、 D及iS素所組成之群組； a至e係獨立為〇到4之一整數； f為1或2 ; g為0、1或2 ; 201200975 h為1或2;以及 η為大於〇的整數。处從货有馮一有機電子裝 π且开匕秸一弟一有性層與-第二有機活性層位於―電極上，且包括化之底塗層介於該第-與第二有機活性層之間，其中該第二有機活性層僅存在㈣缝層所存在之區域中，且其中該底塗層包括-具有式！或式〗，之材料：

(I) 0') 其中：

Ar1與Ar2係相同或不同且為芳基； R至R5每次出現時係獨立相同或不同，且係選自於由D、烷基及矽基所組成之群組； R6為Η或D ; a至e係獨立為〇到4之一整數； f為1或2 ; g為0、1或2 ; h為1或2;以及 n為大於0的整數。 201200975 前述一般性描述及以下詳細描述僅為例示性及說明性的’且不限制如隨附申請專利範圍所定義之本發明。【實施方式】本發明提供一種用於在一第一層上形成一被包含第二層之方法，該方法包括：形成具有一第一表面能之該第一層；以一底塗材料處理該第一層以形成一底塗層；以圖案化方式用輻射曝露該底塗層，產生曝露區域和未曝露區域； ^ 顯影該底塗層以有效地自該未曝露區域移除該底塗層’形成—具有底塗層圖案之第—層，其中該底塗層圖案具有—㊣於該第—表面能之第二表面能；以及於忒第一層上進行液相沉積以在該底塗層圖案上形成該第二層；其中该底塗材料具有式I或式γ:

9 201200975 其中=

Ar1與Ar2 3 4係相同或不同且為芳基； R1至R5於每次出現時係獨立為相同或不同，且係選自於由D、F、烷基、芳基、烷氧基、矽基及一可交聯基所組成之群組； R6於每次出現時係相同或不同，且係選自於由Η、 D及鹵素所組成之群組； a至e係獨立為0到4之一整數； f為1或2 ; g為0、1或2 ; h為1或2 ;以及 η為大於0的整數。上述所描述的各種態樣與實施例僅為例示性且非限制性。在閱讀本說明書後，熟習此項技術者瞭解在不偏離本發明之範疇下，亦可能有其他態樣與實施例。根據下述之詳細說明與申請專利範圍，易使該等實施例中之一個或多個實施例的其他特徵及益處更加彰顯。以下之詳細說明首先描述術語的定義和闡明，接著為方法、底塗材料、有機電子裝置，最後則是實例。 12 1 術語的定義和闡明 2 在提出下述實施例之細節前，先定義或闡明一些術 3 語。 4 當術語「活性」係指一層或材料時，該術語「活性」 5 為指具有電子或電輻射性質的一層或材料。在一電子裝 6 置中，一活性材料為在電性上有助於該裝置的操作。活 201200975 J·生材料之實例包括，但不偈限於傳導、注入、傳輸或阻擋電荷之材料(其中該電荷可以是電子或電洞），或者發射輕射’或在接收輻射時呈現電子-電洞對之濃度變化的材料。非活性材料之實例包括但不侷限於平坦化材料、絕緣材料及環境隔絕材料。當術語「被包含(contained)」指一層時，其意指印刷時不會明顯延展超出該層所沉積的區域之外，儘管一般在’又有被包含的情況下，印刷傾向會超出該沉積區域。具「化學圍阻（Chemicai containment)」，為指該層被表面能效應所限制。具「物理圍阻（physieai eontammem)」，為指該層被實體障壁結構所限制。一層可被化學圍阻及物理圍阻之一組合所限制。術語「顯影(developing和development)」係於一好料曝露於ϋ射之區域和未曝露於輕射之區域間^物理差異，及移除該曝露區域或該未曝露區域。㈣ΓΓ電極」係意指經組裝，以在—電子組件内傳韵、一構件或結構。例如，一電極可為-陽極、一陰^體電容器電極、—陳電極等等。—電電曰曰體、-電容器、一電阻器、_電感器枯一電子組件、一電力一極體、告渐注分，或其任何組合。 f在；1二二」曰一有機化合物時’該術語「氟化」心在该化合物中鏈結至碳的—或多二匕」代。上述騎包括部分衫全。被氣取術語「層」可與「膜」交換使用欲區域之塗層。該術語不受尺寸限制。^ = 一所個裝置-樣大或與-特定功能區域、一整 u歹〗如，實際視覺顯 201200975 示）一樣小，或者與一單次像I_ 知沉積技術，包括氣相沉積、潘★’_、。可藉由任何習技術)及熱傳遞，形成層及膜。儿積(連續及不連續或可為-整體及未圖案化。—層可經高度圖案化’ 術語「液體組成物」係意指一質中而形成-溶液…材料已已溶解於液體介 -分散液或-材料已懸浮於液體八、Z介質中而形或液或-乳化液。絲）丨質中而形成一懸浮術語「液體介質」係意指—液體㈣，其包括，體、-液體之組合、-溶液、—分散液、: 無論存在一種或以上之溶劑，皆使用液體術語「有機電子裝置」係意指_包括—或多個有機 +導體層或半導體材料的裝置。一有機電子裝置包含，旦不限於：⑴將電能轉換為輕射能顯示器、二極趙雷射或“二子程序仙《之裝置（例如絲難、光導電，「、先敏電阻、光控開關、光電晶體、光電管、紅外線妒之^制料生㈣測㈤，（3)聽射能轉換為電 2裝置（例如光伏裝置或太陽能電池）與⑷包含一個了子組件（其包含一個或以上之有機半導體層）電晶體或二極體)’或上述⑴至⑷項之裝 ’包括任何形式的熱量、全部電磁波譜或次 '、叔子，不管此種輕射是否為射線、波或粒子的形式。 201200975 術語「表τ^ 體材料不會料具有-料低表^定表面能的液層。 ^tb，較如料具有低表面能之- 本文所使用之術語「在表-層、構件或結構係於另;^(嶋)」不-定代與之接觸。或許會有'、|、構件或結構，或 •ti有額外或中介之層。如本文中所用者苒:u冓存在或其任何其它變型均匕包含」、「包括」、「具有」古，句把^ =曰在/函盍非排他性的包括。舉例而 :包括一系列要素的製程、方法、製限^素，而是可包括未明確列出或該製程、方的明=置的其他要素。此外，除非有相反或」疋指包含性的「或」’而不是指排他 :或」。例如’可由下列之任一者滿足條件八或8: 成立（或存在）且B不成立（或不存在）、A不成立 (或不存在）且3成立（或存在）以及八和8兩者皆成立（或存在）。又，使用「一」或「一個」來描述本文所述的元件和組分。此舉僅僅是為了方便，以及對本發明的範圍提供一般性的意義。這種描述應被理解為包括一個或至少一個’並且該單數也同時包括複數，除非很明顯地另指他意。在本專利說明書中，除非以他種方式明白陳述或指出異於使用之背景，其中說明書標的物實施例以包含、包含、含有、具有、組成或構成或部分特性或要素陳述 15 201200975 或說明’除了明白陳述或說明，一或多種特性或要素可能會存於實施例中。本文所揭露之標的之另^實施例係描述為主要由某些特徵或元件所組成，其中並不存在會本質上改變該實施例之操作原理或的區別性特點的特徵或元件。本文所記载之標的之又一實施例係描述為由某些特徵或元件所組成，在此實施例或其非實質變化中，僅存在明確指出或描述的特徵或元件。對應於元素週期表中之行的族編號使用如c/?c ⑻/Types’第 81 版(2000-2001) 中記載之「新符號」慣用語。除非另加說明，否則在本文採用的所有技術以及科學名詞的含意，皆與熟習此項技術者所普遍認知者相同。儘管類似或同等於本文所述内容之方法或材料可用於本發明之實施例的實施或測試，但合適的方法與材料仍如下所述。除非引用特定段落，否則本文所述之所有公開文獻、專利申請案、專利以及其他參考文獻均以引用方式全文併入本文中。在發生矛盾的情況下，以本說明書為準’包括定義在内。此外，該等材料、方法及實例僅係說明性質，而沒有意欲做限制拘束。在本文未描述之範圍内，許多關於特定材料、加工行為(processing act)及電路的細節係習知的，且可在有機發光二極體顯示器、光偵測器、光伏打及半導性構件技術領域的教科書及其他來源中找到。 201200975 於本文所提供之方法中，係形成—第_層，於 -層上形成-底塗層，將該底塗層以1案曝露ς 射’將該底塗層㈣財效地自該未曝露區域移除塗層，以形成其上具有一圖案化底塗層之第一層。「有效地移除」係指該餘層係實質上完全由該未曝^ 區域中移除。亦可部分移除該曝露區域中之底塗層，以使剩餘之底塗層圖案比原始底塗層更薄。底塗層圖案具有一表面能，高於該第一層之表面能。藉由於第—層上底塗層圖案上所為之液相沉積，形成一第二層。一種測定該相對表面能之方式係為比較一已知液體在該第一有機層上之接觸角度與同一液體在該暴露顯影後底漆層（以下稱「顯影底漆層」）上之接觸角度。於本文中’術語「接觸角度」意指圖1所示之角度φ。對一小滴液體介質而言，角度Φ係由表面之平面與液滴之外緣至表面之線二者交錯而界定。另外，於塗布後，该液滴在該表面達一平衡位置後，方測量角度Φ，即「靜態接觸角」。該接觸角隨著表面能減小而增加。有數家製造商製造能夠測量接觸角的設備。在某些實施例中，該第一層與苯甲醚之接觸角度大於4(TC ;在某些實施例中，大於5〇。；在某些實施例中，大於60。；在某些實施例中，大於70。。在某些實施例中，5玄顯影底漆層與苯甲趟之接觸角度小於3〇。；在某些實施例中，小於20。；在某些實施例中，小於1〇。。在某些實施例中，一已知溶劑與該顯影底漆層之接觸角度至少較與該第一層之接觸角度小20。；在某些實施例中，一已知溶劑與該顯影底漆層之接觸角度至少較與該 201200975 第一層之接觸角度小30。；在某些實施例中，一劑與該顯影底漆層之接觸角度至少較與該第°= 觸角度小40。 5之接在一實施例中，該第一層係一沉積在一基板上之機層。該第-層可圖案化或未圖案化。在—實施例中，該第一層係在一電子裝置中的一有機活性層。在一例中，該第一層包括一氟化材料。 ^可藉由任何沉積技術（例如，氣相沉積技術、液相沉積技術及熱轉印(thermal transfer)技術）來形成該第一層。在一實施例中，藉由一液相沉積技術沉積該第一層，然後再加以乾燥。於此情形中，一第一材料係溶解或分散於一液體介質中。液相沉積法可為連續或非連續者。連續液相沉積技術包括但不侷限於，旋轉塗佈、滾軸塗佈、簾塗布、浸塗、狹縫模具式塗佈、喷塗及連^ 喷嘴塗佈。非連續液相沉積技術包括但不侷限於喷墨印刷、凹版印刷、柔性凸版印刷及網版印刷。在一實施例中’係以連續液相沉積技術沉積該第一層。可在室溫或升溫條件下進行乾燥步驟’只要該第一材料及任何底層材料未遭到破壞即可。接著以一底塗層處理該第一層。此意謂著，將底塗材料塗敷於s亥第一層上，且與該第一層直接接觸，以形成该底塗層。該底塗層包括一組成物，當其曝露於輻射時會反應而形成一種材料，此材料相較於未曝露之底塗，料更不易自下方的第一層移除》此變化必須足使曝露區域和未曝露區域間具物理差異，及產生顯影。在一實施例中’底塗材料係可聚合或可交聯。 201200975 在一實施例中’當曝露於輻射時，該底塗材料會與下方區域反應。此反應之確切機制取決於所使用的材料。在曝露於輻射之後，藉由一合適的顯影處理，有效地在未曝露區域中移除該底塗層。在某些實施例中，該底塗層僅會在未曝露區域中被移除。在某些實施例中，在曝露區域中移除部分該底塗層，只於該區域留下一較薄層。在某些實施例中，餘留在曝露區域中的底塗層厚度係小於50 A。在某些實施例中，餘留在曝露區域中的底塗層厚度主要係一單層的厚度。在某些實施例中，該底塗材料係氘化。術語「氘化」係意指至少一個Η已被D所取代。術語「氘化類似物j 係指其中一或多個可用氫已被氘取代之化合物或基團J 的結構類似物。在一氘化化合物或氘化類似物中，所存在的氘比天然豐度含量多出至少1〇〇倍。在某些實施例中，該底塗材料係至少10%氘化❶所謂的「％氘化的」或氘化」意謂氘核與質子加氘核之總和的比率，其 =百分比表示。在某些實施例中，該底漆材料至少扣％氘化；在某些實施例中，至少3〇%氘化；在某些實施j 中’至少40%乱化；在某些實施例中，至少5〇%氣化在某些實_巾’至少6G%1化；在某些實施例中，至 ^ 70%氣化；在某些實施例中，至少、8〇%氣化； =施例中，至少90%氣化；在某些實施例中，ι〇〇ϋ 氘化的底塗材料可較不易被電洞、電子、激組合所降解化有抑制該底塗層於裝置操作期間2 化之潛力’進而可改善裒置使用壽命。—般而言，該^ 201200975 善不需要犧牲其它裝置性f。另外，氛化化合物經常比非氛化類似物具有更高的空氣穩定性⑽滅咖e)。此可導致在製備及純化該材料，以及在使用該材料形成電子裝置的過程中具有更大的製程容差。可以任何已知的沉積方法塗敷該底塗層。在一實施例中，不需要將該底塗層添加—溶劑，層。在一實施例中，該底塗層係藉由氣相沉積i敷在一實施例中’該底塗層係藉由冷凝製程塗敷。若該底塗層储由來自蒸氣相的冷凝進行凝結期間該表面層溫度太高時，則該騎層會轉有機基板表面的孔洞或自由_卜該有機基板絲財㈣絲材狀中 :化溫度的溫度。可藉由任何已知的技術 =放在以流動液體或氣體冷卻的—表面上)來維持該塗數ΐΐΓΓ+’在執行冷凝步驟之前，將該底塗層夢由⑹一撐件，以形成—均句塗覆底塗層。此可心而如’液相沉積、氣相沉積及熱轉而達成。在一實施例中，該底漆層係經於該臨時支座娜底漆層所用液體:: 選擇取決於該底漆層本身之實際性f。在、作1材料係經旋轉塗佈沉積。經塗佈之臨時支稽件二 t加熱的熱源，以形成用於冷凝步驟的蒸氣。可利用連續處理或批次處理對該底塗層礼進。列如，在一批次處理中，一或多個裴置 ’、有該底塗層，然後同時曝露至—_源。在—連=處= 20 201200975 中^傳送帶或其它輸送震置上傳輸的裝置將會通過站I’於5玄站台’該等裳置係循序地塗佈底塗層，缺 ’於該料’該等裝置係循序地曝露於一辕射源。部分的處理過程可為連續㈣，而其它部分可為批次性。在實施例中’為自一第二液體組成物沉積該底塗層如上所述’液相沉積方法可為連續或不連續。在一實施例中，使用-連續液相沉積方法沉積該底塗液體組成物。用於沉賴底塗層錢㈣介，其轉係取決於該底塗材料本身的確切性質。於該底塗層形成後’將其曝露於輻射。如上所述，所用輕射之類縣決於絲塗層之誠度。該曝露係以圖案化方式為之。本文所使用之術語「圖案化方式 (Iatternwise)」代表僅會使一材料或層之被選擇部分曝露。可使用任何已知的成像技術進行圖案化方式曝露。在一實施例中，藉由透過一遮罩進行曝露而完成該圖案。在一實施例中，藉由將被選擇部份曝露於一光柵化雷射(rastered laser)，而完成該圖案。曝露的時間可從數秒至數分鐘，取決於所用之底塗層的特有化學性質。當使用雷射時，對於每一個個別區域，曝露時間更短，曝露時間取決於該雷射的功率。可於空氣中或在一惰性大氣環境中執行曝露步驟，其取決於材料之敏感度。在一實施例中，該輻射係選自於由紫外光輻射（1〇至390 nm)、可見輻射(390至770 nm)、紅外線輻射（77〇至106 nm)及其組合所組成之群組，包括同時處理及序列處理。在一實施例中，該輻射係選自於可見輕射及紫 21 201200975 外光韓射。在一實施例中，該輻射波長範圍為300至 450 nm。在一實施例中，該輻射係深紫外光(200至300 nm)。在另一實施例中，該紫外光輻射波長在300及400 nm之間。在另一實施例中’該輻射波長範圍在400至 450 nm。在一實施例中，該輻射係熱輻射。在一實施例中，該曝露於輻射的步驟為藉由加熱為之。加熱步驟的溫度及持續時間需能使該底塗層之至少一物理性質改隻’且不會破壞光發射區域之任何底層。在一實施例中，該加熱溫度低於25(TC。在一實施例中，該加熱溫度低於150°G。在以圖案化方式曝露該底塗層於輻射後，使該底^ 層顯影。可藉由任何已知技術達到完成顯影。此類技名已廣泛地使用在光阻及印刷技藝中。顯影技術之實例彳括但不侷限於’應用熱（蒸鑛）、包含使用液體介質之》理（清洗）、包含使用吸收性材料之處理（吸墨）、包含4 用-黏結輯料之處理及_者。顯影步驟可有效地; ^未曝露區域巾的紐層。之後底塗層只存在曝露以中。亦可部分移除曝祕域+的底塗層，但 ^的Η ’ Μ使曝露與未曝露區域之間可存在可濕性之吳。驟4致露該底塗層於輻射之該曝露$ 變。在此情、兄下、在溶劑中之溶解性或可分散性的2 處理i t ’可藉由一濕式顯影處理達到顯影。，域類二會溶解、分散或剝離_… 進仃清洗。在一實施例中，以圖案化方5 22 201200975 曝露於輕射的步驟，導致使用驟使該底塗層之未曝=二驟，產生使曝露:域中曝露該底塗層於輻射之該曝露步庫。域中之該底塗層揮發性產生改變的反理涉及了二埶至由—熱顯影處理達到顯影。該處華二且：二於揮發性較咖且低於熱聚合溫度的::4材:可加熱到高於昇華溫度度為係接近於或低於該揮ς溫：塗==溫以此方式㈣。 4射_，可能無法在一實施例中，曝露該底塗屌 :致該材料熔化、軟化或流動的:度改變驟可藉由-乾式顯f彡處理相㈣…乾式奶】况包括以一吸收性表面接觸該元件的-最外缘^處理部分。可於一升溫條件下^ …、要其不會進—步影響剩餘區域的性質^式驟產生留有底塗層的區域，及。曰未被覆蓋的區域。在某些實施之第- 及未覆蓋區域與-給定溶劑間之接觸角圖差1底塗層 2〇。，在某些實施财至少為、至少為為40。。在某些實施例中至少 ^著於該第—層上底塗材料上之該 =由，積塗敷該第二層。在一實施例〜層係一電子褒置中的-第二有機活性層。该第 ¢, 'tai 23 201200975 :以任何液相沉積技術塗敷該第二層…液體組成二，、第—材料’溶解或分散於—液體介質中，將該液塗敷在經顯影底塗廣之該圖案上以乾燥方式形 ^亥第二層。該液體組成具有—大於該第—層表面能的表面能，但是大致與_影底塗層之表面能相同或更小。因此’該雜組成會弄賴軸影底塗層，但在該底塗層已被移除之區域中，仍會為第-層所排拒。液體可散佈至經處理的第―層區域上，但其會去滋且被包含至經顯影底塗層之圖案。在某些實_中，係以上述之連續液相沉積技術塗佈該第二層。在本文所提供之-方法實_中，該第—層及該第二層係有機活㈣。該第—有機活性層係形成在一第一電極上’-底塗層係形成在該第一有機活性層上，曝露於輕射且顯影以形成經顯影底圖層圖案；及該第二有機 /舌f生層係形成在該第一有機活性層上的該經顯影底塗層上，使得δ亥第二有機活性層僅存在於該底塗層上，且具有與該底塗層相同的圖案。在一實施例中，該第一有機活性層係藉由一第一液體組成的液相沉積而形成，該第—賴組成包括第一有機活性材料及一第一液體介質。該液體組成係沉積在第一電極層上，然後乾燥以形成一層。在一實施例中，藉由一連續液相沉積方法形成該第一有機活性層。此種方法可有較高的產率及較低的設備成本。在一實施例中，該底塗層係藉由一第二液體組成物以液相沉積而形成，該第二液體組成物包括在一第二液體介質中的底塗材料。該第二液體介質可與該第一液體 24 201200975 介質相同或不同，只要其不會破壞該第一層即可。如上所述’液相沉積方法可為連續或不連續。在一實施例中’使用一連續液相沉積方法沉積該底塗液體組成物。在一實施例中，該第二有機活性層係藉由一第三液體組成物經液相沉積而形成，該第三液體組成物包括第二有機活性材料及一第三液體介質。該第三液體介質可與該第一液體介質及該第二液體介質相同或不同，只要其不會破壞該第一層或該經顯影底塗層即可。在某些實施例中’藉由印刷形成該第二有機活性層。在某些實施例中，一第三層係塗敷在該第二層上，使得該第三層只存在於該第二層上，且具有與該第二層相同的圖案。可藉由上述用於該第二層之任何方法塗敷 =第二層。在某些實施例中，係以液相沉積技術塗敷該 ^三層。在某些實施例中，該第三有機活性層係以印刷 =形成，域印刷法係選自於由嘴騎刷及連續式喷 %印刷所組成之群組。材料=些實施财，職塗材料係與該第二有機活性經顯影底塗層之厚度取決於該某些實施例中，該經顯 U途。在在某此a的厚度係小於100A。 #示2貫施例中，該厚度範中係5-30 Α。 -5〇 A ;在某些實施例底塗材料底塗材料具有式ί或式I，： 25 201200975

其中：

Ar1與Ar2係相同或不同且為芳基； R1至R5於每次出現時係獨立為相同或不同，且係選自於由D、F、烷基、芳基、烷氧基、矽基及一可交聯基所組成之群組； R於每次出現時係相同或不同，且係選自於由Η、 D及函素所組成之群組； a至e係獨立為〇到4之一整數； f為1或2 ; g為〇、1或2 ; h為1或2;以及 η為大於〇的整數。該化合物可為一 η=1之小分子、一寡聚物或一聚合物。在某些實施例中，該化合物為Mn >20,000之聚合物’在某些實施例中’該化合物為Mn >5〇,〇〇〇之聚合物。在某些實施例中，具有式I或式Γ的化合物係經氘化。術語「氘化」係意指至少一個Η已被D所取代。 26 201200975 術浯「氘化類似物」係指其中一或多個可用氫已被氘取代之化合物或基團的結構類似物。在一氘化化合物或氘化類似物中，所存在的氘比天然豐度含量多出至少1〇〇倍。在某些實施例中，該化合物係至少1〇%氘化。所謂的/°氘化的」或「％氘化」意謂氘核與質子加氘核之總和的比率，其以百分比表示。在某些實施例中，該化合物為至少20%氘化；在某些實施例中’至少3〇%氘化；在某些實施例中，至少4〇%氘化；在某些實施例中，至少50%氘化；在某些實施例中，至少6〇%氘化；在某些實施例中，至少7〇0/〇氘化；在某些實施例中，至少 8〇/〇氘化，在某些實施例中，至少9〇0/。氘化；在某些實施例中，100%氘化。氘化材料較不易被電洞、電子、激子或其組合所降解。氘化作用在裝置運作期間有潛力抑制化合物降解，故其可改善裝置壽命。一般而言，該改善不需要犧牲其匕裝置性質。另外，氘化化合物經常比非氘化類似物具有更向的空氣穩定性(air tolerance)。此可導致在製備及純化該材料，以及在使用該材料形成電子裝置的過程中具有更大的製程容差。在某些實施例中，該式I或式Γ的化合物具有式ia:

27 201200975

其中R1至R6、Ar1、Ar2、a-h以及η係如上述式I 中所定義。在某些式I或式Γ的實施例中，Ar1及Ar2為不具有稠合環之芳基。在某些實施例中，Ar1與Ar2具有式a

其中= R7在每次出現時係相同或不同且係選自於由D、烷基、烷氧基、矽氧烷及矽基所組成之群組； i在每次出現時係相同或不同，且為0-4之一整數； j為0至5之一整數；以及 m為1至5之一整數。在某些實施例中，Ar1與Ar2具有式b

其中： R7在每次出現時係相同或不同且係選自於由D、烷基、烷氧基、矽氧烷及矽基所組成之群組； i在每次出現時係相同或不同，且為0-4之一整數； 28 201200975 j為0-5之一整數；以及 m為1至5之一整數。在某些式a與b之實施例中，i與j之至少一者非為零。在某些實施例中，m = 1 -3。在某些實施例中，Ar1與Ar2係選自於由苯基、聯苯、聯三苯、其氘化衍生物及其衍生物所組成之群組，該等衍生物具有一個或多個選自於由烷基、烷氧基、矽基及一具有一交聯基之取代基所組成之群組之取代基。在某些實施例中，R1至R5為D或Cmo烷基。在某些實施例中，該烷基係經氘化。在某些實施例中，a = e = 0。在某些實施例中，a = e = 4且R1與R5為D。在某些實施例中，b>0且至少一個R2為烷基。在某些實施例中，該烷基係經氘化。在某些實施例中，b = 4、一個R2為烷基且其他為D。在某些實施例中，c>0且至少一個R3為烷基。在某些實施例中，該烷基係經氘化。在某些實施例中，c = 4、一個R3為烷基且其他為D。在某些實施例中，c = 4、兩個R3為烧基且兩個R3為D。在某些實施例中，d>0且至少一個R4為烷基。在某些實施例中，該烷基係經氘化。在某些實施例中，d = 4、一個R4為烷基且其他為D。在某些實施例中，f=h = 2。在某些實施例中，g = 1。在某些實施例中，該具有式I或式Γ之化合物具有高三重態能量。術語「三重態能量(triplet energy)」係指 29 201200975 :材料的最低激發三重態，以eV為單位。三重態能量係以正數記述且代表三重態相對於絲（通常為單重態）之能量。發光有機金屬材料從具有混合單重態與三重態特性的激態發射，且於本文中稱為「魏」。當有機金屬構光㈣制於發光層時，具有低三錢能量之材料的存在會導致>2.G eV能量之嶙光發射的淬滅。這會造成效率降低。淬滅可在材料於電致發光層時發生，例如主體材料，或在材料於裝置的其他層時發生。在某些實施例中，具有式I或式Γ之材料具有大於2丨eV的二重態能階；在某些實施例中，大於2.2 eV ;在某些實施例中’大於2.45 eV，在某些實施例中，大於2.6 eV。該三重態能量可事先推算，或者可使用脈衝輻射分解 (pulse radiolysis)或低溫發光光譜分析（i〇w temperature luminescence spectroscopy)測量。具有式I或式Γ之化合物的某些非限制性實例包括下列化合物Α至ΕΕ。

化合物A

30 201200975

化合物B

31 201200975

化合物D

化合物E

化合物F

32 201200975

化合物G

化合物Η

33 201200975 化合物i

化合物J

34 201200975 化合物κ

化合物L

35 201200975 化合物Μ

化合物Ν

36 201200975 化合物ο

化合物ρ

Br

化合物Q

37 201200975

化合物R

化合物S

38 201200975 化合物u C8H17

化合物W

39 201200975 化合物x

化合物γ

40 201200975 化合物z

化合物AA

41 201200975

化合物BB

化合物CC

42 201200975

化合物DD

化合物EE

使用任何可產生C-C或C-N鍵之技術來製造該等新穎化合物。已熟知各種不同的此類技術，如Suzuki、 Yamamoto、Stille及Pd或Ni催化的C-N偶合。沉化之化合物可利用氘化之前驅物材料以類似方式進行製備，抑或是更一般而言，可利用氛化之溶劑（例如d6-苯）在路易士酸Η/D交換催化劑（例如三氯化鋁或二氣乙基鋁）存在下處理非氘化之化合物而進行製備。於實例中說明示範性製備過程。 43 201200975 麵處理猶純合物可與「臈」交換q «例·。口層一該術語不受尺寸㈣评^ 與一特疋功能區域（例如，實或者與-單次像素一二=;:)-樣小，或傳遞，布、凹 __(it續及不連續技術)及熱二二及臈。連續沉積技術包括但不限於旋轉塗/'I =、簾式塗布、浸潰塗布、狹縫模具式塗布 = 連續喷嘴塗布。不連續的沉積技術包括但不限於嘴墨印刷、凹版印刷及網版印刷。 4.有機電子裝置、進步針對5亥方法於一電子裝置中的應用，說明該方法，但是其並未侷限在此類應用中。一 ^ 2係一電子裝置例子，一有機發光二極體(OLED) 顯示器包括至少兩個有機活性層，設於兩個電接觸層之間。5亥電子裝置1〇〇包括一或多個層12〇及13〇，有助於電洞自陽極層110注入至發射層14〇。—般而言，當存在兩個層時，陽極旁邊的層120稱作電洞注入層，有時候稱作緩衝層。在發射層旁邊的層 130係稱作電洞傳輸層。一選擇性電子傳輸層15〇係位在發射層14〇及陰極層160之間°該等有機層120至150個別地及統稱為 6亥裝置之有機活性層。取決於裝置100的應用，該發射層140可為一由外施電壓啟動的發光層（例如，在一發光二極體中或發光電化學電池中），或為一在具有或不具有一外施偏壓下，可對輻射能量回應及產生信號之材 44 201200975 法及功能模L ί 中)在：二置:系統、驅動方層。此圖中未表示出該底塗同二=:::，由至少三個不形成不同顏色之區诗。赤本藉由P刷個別的有色區域而以具有3或者，其可藉由形成一整體層及成。已於:如】發射材料摻雜該層之不同區域達號中所描述之方^公開美國專利申請案第2004·0094768 置中實施例巾’本文所述之新方法可使用於該裝一牿=一對連續有機層，其中該第二層係被包含在極，、二二?在於其\造一有機電子裝置(包括-電有機活性層;之;=之一第—一^ 性層在該電極上形成具有一第-表面能之第一有機活塗層以&塗材料處理該第一有機活性層以形成一底以圖案化方式用輻射曝露該底塗層，產生曝露區域和未曝露區域； - 顯影誠塗層以自該未曝露區域雜減塗層，形成—具有底塗層圖案之第一活性有機層，其中該底塗層圖案具有：高於該第-表面能之第二表面能；以及於該第一有機活性層上的該底塗層圖案上進行液相沉積以形成該第二有機活❹/ 其中該底㈣料具有上紅式U式r。 45 201200975 在該新方法之一實施例中，該第二有機活性層係發射層140,該第一有機活性層係裝置層，並在形成層“ο 之前進行塗敷。在許多情況下，該裝置係從陽極層開始建構。當存在電洞傳輸層130時，會於塗敷發射層14〇之剛’先將該底塗層塗敷至層130並顯影。當不存在層 130時，該底塗層會塗敷至層12〇。在該裝置係先以陰極開始建構的情況下，於塗敷發射層140之前，該底塗層會先塗敷至電子傳輸層150。牡琢祈万法之電洞注入層120，及該第二有機活性層係電洞傳輸層 13〇。在裝置係先從陽極層開始建構的實施例中，於塗敷該電洞傳輸層1301前，該底塗層會先塗敷至電洞注 ^層120並顯影。在一實施例中，該電洞注入層包括一氟化材料。在-實施例中’該電洞注人層包括一推雜氣化酸聚合物的導電聚合物。在一實施例中，該電洞注入層主要係由-摻雜氟化酸聚合物的導絲合物組成。在施财，該底塗層主要係由電洞傳輸材料組成。施例中、玄底塗層主要係由與該電洞傳輸層相同的電洞傳輸材料組成。所製用任一種已知可用於該層之材料所製成。该裝置可包括一去擔樓件或基板可鄰胁娜極/ *板(未*幻’該支常見的情形，該支揮;=U。或該陰極層，最件可為撓性朗性、有機t = ·極層11G。該支撐使用玻璃或挽性有機==件。-般而言，可一電極，對於注入電洞而ί域件。該陽極層110係 ° ’该陽極層110比該陰極層 46 201200975 L60率。該陽極可包括含有金屬、混合金屬、合、’ 氧化物或混合氧化物的材料。合適的材料包第 2=元素(即，Be、Mg、Ca、Sr、Ba)ft 弟11族疋素、第4族中的元素、第5族中的元素、第6 族中的7G素及第8族至第1G族的過渡層U0係透光層，則可使用第12族、* 13族及第_4 氧化物，如氧化銦錫。本文所使用之術語 /1^口」係指具有兩或多個不同陽離子的物’其係選自第2族元素或第12族、第13族或第14 族元素。用於陽極層UG之材料的非限制性特定實例，包括但不侷限於，氧化銦錫_)、氧化_、氧化鋅金i銅及錄。該陽極亦可包括一有機材料聚苯胺、聚噻吩或聚吡咯。可藉由化學氣相沉積法或物理氣相沉積法或旋模法形成該陽_ 11G。化學氣相沉積可如下列方式行：電漿增強化學氣相沉積(PEC VD)或金屬有機化學相沉積(MOCVD)。物理氣如冗積可包括所有形式的喷锻’包括離子束细、電子束(e_beam)蒸鑛及電阻蒸錢。特定形式的物理氣相沉積包括射頻(RF)磁控_及感應搞合電漿物理氣相沉積(驗-PVD)。上述該等沉積技術在半導體製造技藝領域中已廣為人知。通韦’ δ玄陽極層110於一微影光刻（lithographic)操作期間進行圖案化。該圖案可根據需求改變。可藉由，例如’在第-撓性複合障壁結構上塗敷第—電接觸層材料之刖先行積-H案化光罩或光_模式，於圖案内形成該等層。或者係，料層可塗敷成—整體層（亦稱 47 201200975 為毯式沉積），隨後使闕如—㈣化光阻層及濕式化學或乾式化独難術進行_化。亦可錢本技藝中已廣為人知的其它圖案化方法。當該等電子裝置係設置在-陣列中時，該陽極層11G—般係形成在實質平行的條狀物(strip)中，該等平行條狀物具有在實質上相同方向中延伸的長度。電洞注入層120係用以促進電洞注入發射層並平面化該陽極表面以防止裝置短路。電洞注入材料可為聚合物、寡聚物或小分子，其形式可為溶液、分散液、懸浮液、乳化液、膠體混合物或其他組成物。該電洞注入層可用聚合性材料，如聚苯胺(PANI) 或聚伸乙二氧噻吩(PEDOT)加以形成，該等聚合性材料經常摻雜以質子酸。該等質子酸可以是如聚苯乙烯磺酸 (poly(styrenesulfonic acid))、聚（2·丙烯醯胺-2-甲基-1-丙續酸）(poly(2-acrylamido-2-methyl-l-propanesulfonic aci(〇)及類似者。該電洞注入層120可包括電荷傳輸化合物及類似者，如銅醜青（copper phthalocyanine)與四嗔富瓦烯-四氰基苯醌二甲烷 (tetrathiafulvalene-tetracyanoquinodimethane ， TTF-TCNQ)。在一實施例中，該電洞注入層120係含有一導電聚合物及一膠體形成聚合酸構成之分散液製成。已於例如在已公開之美國專利申請案第 2004/0102577 號、第 2004/0127637 號、第 2005/0205860 號和已公開之PCT申請案W0 2009/018009中描述此種材料。 48 201200975 可藉由任何沉積技術塗敷該電洞注入層120。如上所述，在一實施例中，藉由一溶液沉積方法塗敷該電洞注入層。在一實施例中，藉由一連續溶液沉積方法塗敷該電洞注入層。層130包括電洞傳輸材料。舉例而言，γ Wang已在 Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology，第四版’第18卷’第837至860頁，1996年中概述用於電洞傳輸層之電洞傳輸材料之實例。電洞傳輸小分子及聚合物兩者皆可使用。通常使用之電洞傳輸分子包括但不限於：4,4，，4"-參（队>^二苯基_胺基）_三苯基胺 (TDATA) ; Μ，，4"-參(N-3-曱基苯基_N_苯基胺基)_三笨基胺（MTDATA) ; N，N’-二苯基-N，N'-雙（3-甲基苯基)-[1，Γ-聯苯]-4,4’-二胺(TPD) ; 4,4'-雙(η卡嗤_9·基)聯苯 (CBP); 1，3-雙（味嗤-9-基）苯(mCP); l，l-雙[(二_4_ 甲苯基胺基)苯基]環己烧(TAPC);N,N，-雙(4_甲基苯A)_N，NL 雙（4-乙基苯基）·[1,1’·(3,3，-二曱基）聯苯]_4,4，_ ^胺 (ETPD);肆-(3-甲基苯基)->^，>^，-2,5-伸苯基二胺 (PDA) ; α-苯基-4-Ν,Ν-二苯基胺基苯乙稀(tps);對_(二乙基胺基)苯甲醛二苯基腙(DEH);三苯基胺(ΤΡΑ);雙 [4-(Ν，Ν-二乙基胺基)·2·甲基苯基]…甲基苯基）甲燒 (ΜΡΜΡ) ; 1-苯基_3_[對-(二乙基胺基）苯乙烯基]_5•[對 -(二乙基胺基)苯基]吡唑啉(PPR或DEASP) ; 1，2-反-雙 (9Η-咔唑-9-基)環丁烷(DCZB) ; Ν，Ν，Ν，，Ν，·肆(4·甲基·笨基)-(1,Γ-聯苯)·4,4’·二胺(ΤΤΒ) ; Ν，Ν，-雙(萘基= 雙-(苯基）聯苯胺(α·ΝΡΒ);以及紫質化合物（諸如麵耿菁）。一般常用的電洞傳輸聚合物包括但不限於，聚乙 49 201200975 烯咔唑、（苯曱基）聚矽烷、聚（二氧噻吩）、聚苯胺及聚吡咯。藉由將上述那些的電洞傳輸分子摻雜至像聚苯乙烯及聚碳酸酯之聚合物中，亦可能獲得電洞傳輸聚合物。在某些實施例中，該電洞傳輸層包括一電洞傳輸聚合物。在某些實施例中，該電洞傳輸層係實質上由一電洞傳輸聚合物所組成。在某些實施例中，該電洞傳輸聚合物係一二苯乙烯基芳基(distyrylaryl)化合物。在某些實施例中，芳基基團具有兩或多個芳族稠環。在某些實施例中，该芳基基團係一多并苯(acene)。本文所使用之術語「多并苯」係指烴基的母成分含有兩或多個廖位苯稠環(ortho-fused benzene ring)出現在一直鏈線形配置中。在某些實施例中，該電洞傳輸聚合物係一芳胺聚合物。在某些實施例中’其為苐和芳胺單體的一共聚合物。在某些實施例中，該聚合物具有可交聯的基團。在某些實施例中，可藉由一加熱處理及/或曝露於紫外光或可見輻射達成交聯作用。可交聯基團之實例包括但不限於乙烯基、丙烯酸酯、全氟乙烯基醚、苯并4-環丁烷、矽氧烷及曱基酯類。可交聯聚合物在溶液製= OLEDs的製備上有優點。應用可溶性聚合材料於形成一可在沉積之後轉變成不可溶薄膜之層，可使製造^多層溶液處理之有機發光二極體裝置時，免於出現層溶ς 的問籲。 ^哪 50 201200975 可交聯之聚合物的實例可見於如已公開之美國專利申請案第2005-0184287號與已公開之PCT申請案 WO 2005/052027。在某些實施例中，該電洞傳輸層包括一聚合物，其係 9,9-二烧基苐（9,9_dialkylfluorene)和三笨胺 (triphenylamine)的一共聚合物。在某些實施例中，電洞傳輸層係實質上由一聚合物所組成，且其係9,9-二燒基荞及三苯胺之共聚物。在某些實施例中，該聚合物係 9,9-二烧基蕹（9,9-dialkylfluorene)和 4,4’-二（二笨胺）聯苯(4,4’-bis(diphenylamino)biphenyl)的一共聚合物。在某些實施例中，該聚合物係9,9-二烷基第和TPB的一共聚合物。在某些實施例中，該聚合物係9,9-二烧基第和 NPB的一共聚合物。在某些實施例中，該共聚合物係從一第三共聚單體製成，該第三共聚單體係選自於（乙稀苯基)二苯胺及9,9-二苯乙烯基第或9,9-雙（乙烯节基) 苐。在某些實施例中，該電洞傳輸層包括一材料，包含三芳胺，具有銜接在一非平面組態中的共軛部分 (conjugated moieties)。此種材料可為單體或聚合的。例如已公開PCT申請案第W0 2009/067419號中已記載此種材料的實例。在某些實施例中，該電洞傳輸層係摻雜有p型摻雜劑（p-dopant) ’如四氰基苯醌二甲烷 (tetrafluorotetracyanoquinodimethane)和茈 _3,4,9,10-四叛 -3,4,9,10- 二肝 (perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic-3,4,9，10-dianhydride)。 51 201200975 在某些實施例中，電洞傳輸層包括一具有上述式j 或式r之材料。在某些實施例中，電洞傳輸層係實質上由具有式I或式Γ之材料所組成。可藉由任何沉積技術塗敷該電洞傳輸層130〇如上所述，在一實施例中，藉由一溶液沉積方法塗敷該電洞傳輸層。在一實施例中，藉由一連續溶液沉積方法塗敷該電洞傳輸層。取決於裝置的應用，該發射層14〇可為一由外施電壓啟動的發光層（例如，在一發光二極體中或發光電化學電池中），或為一在具有或不具有一外施偏壓下，對輻射能量有回應及產生信號之材料層（例如，在一光偵測器中）。在一實施例中，發射材料為一有機電致發光 ("EL")材料。任何有機電致發光材料皆可使用在該等裝置中，該等有機電致發光材料包括但不侷限於，小型分子有機螢光化合物、螢光與磷光金屬錯合物、共軛聚合物和它們的混合物。螢光化合物之實例包括但不侷限於【+快】（chrysenes)、祐(pyrenes)、花(perylenes)、紅螢烯（rubrenes)、香豆素（coumarins)、蒽（anthracenes)、。塞二嗤(thiadiazoles)、上述物質之衍生物及上述物質之混合物。金屬錯合物之實例包括但不限於金屬螯合咢辛類（oxinoid)化合物’例如參（8_經基啥琳配位基）銘 (tris(8-hydroxyquinolato)aluminum，Alq3)、環金屬化銀與鉑電致發光化合物，例如銥與苯基吼啶、苯基喹啉或苯基嘧啶配位基之錯合物，例如petrov et al.之美國第 6,670,645專利與已公開之PCT第WO 03/063555及WO 2004/016710號申請案所揭露者，以及有機金屬錯合 52 201200975 物，例如於已公開之PCT第WO 03/008424、wo 03/091688及WO 03/040257號申請案所述者及其混合物。在某些情況中’該小分子螢光或有機金屬材料係沉積作為主材料中之摻雜劑，以改良加工與/或電子特性。共軛聚合物之實例包括但不限於聚（苯伸乙烯Xpoly(phenylenevinylenes))、聚蕹（p〇lyfluorenes)、聚 (螺聯葬)(poly(spirobifluorenes))、聚噻吩 (polythiophenes)、聚（對伸苯)(poly(p-phenylenes))、上述物質之共聚物及上述物質之混合物。可藉由任何沉積技術塗敷該發射層140。如上所述’在一實施例中，藉由一溶液沉積方法塗敷該發射層。在一實施例中，藉由一連續溶液沉積方法塗敷該發射層。選擇層150可用以促進電子傳輸，亦可當作一緩衝層或侷限層（confinement layer) ’以防止層介面之激子淬滅。較佳而言，此層提昇電子移動率及減少激子淬滅。可用於該選擇性層150的電子傳輸材料之實例，包括金屬螯合咢辛類(oxinoid)化合物，其包括金屬喹啉衍生物，例如參(8_羥基喹啉配位基)鋁(A1Q)、雙(2-甲基-8-喹啉配位基)(對苯基苯酚配位基)紹(BAlq)、四_(8_經基喧啦配位基）給（HfQ)以及四-(8-羥基噎琳配位基）鍅 (ZrQ);以及唑化合物如2- (4-聯苯基基)-5-(4-三級丁基苯基）-1，3,4-【口 +咢】二唑（2-(4-biphenylyl)-5-(4-t-butylphenyl)-l,3,4-oxadiazole, I^D)、3-(4-聯苯基基）·4-苯基-5-(4-三級丁基苯基）-1，2,4-三嗤（TAZ)與1,3,5-三（苯基_2_苯并咪唑）苯 53 201200975 (ΤΡΒΙ);啥【口 +咢】^(quinoxaline)衍生物如 2,3-雙(4-氟苯基)喹【口 +咢】啉；啡啉諸如4,7-二苯基-1，1〇_啡啉〇3PA)及 2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-啡啉(DDPA);及其混合物。在某些實施例中，該電子傳輸層進一步包括一 η型摻雜劑。η型摻雜劑材料為已知技術。該η型捧雜劑包括但不限於第1與2族之金屬；第1與2族之金屬鹽’例如LiF、CsF與CsKO3 ;第1與2族之金屬有機化合物’例如Li喹啉(Li quinolate);與分子n型換雜劑，例如無色染料、金屬錯合物例如W/hpp、其中 1^口=1，3,4,6,7,8-六氫-2^嘧啶并_[1，2-&]-嘧啶與鈷莘、四噻稠四苯、雙(伸乙二硫)四噻富瓦烯、雜環自由基或二自由基’以及雜環自由基或二自由基之二聚物、寡聚物、聚合物、雙螺化合物與多環。電子傳輸層150通常係由化學或物理氣相沉積法形成。 ---------------蚵於庄入電子或負電荷載子特別有效的電極。該陰極可以是任何具有比該陽極低之功函數的金屬或非金屬。用於陰極的材料可選自第^ 金屬（例如Li、Cs)、第2族（驗土)金屬、第12族金括稀土元素及鑭族元素)及崎、。可使用_、鋼、詞、鋇、彭及鎮以及其組合之材料。含u有機金屬化合物、 LiF、Li2〇、含Cs有機金屬化合物、CsF、Cs2〇及οκά 也可在陰極層沉積之前崎崎以降低操作可稱作電子注入層。 f ，陰極層⑽通常係藉由—化學錄理氣相沉積法形成。 201200975 在某些實施例中，有機電子裝置中可存在額外層。應理解各功能性層可由多於一層所構成。一實施例中，不同層具有以下厚度範圍：陽極11〇, 100至5000 A ’在一實施例中為⑽至人；電洞注入層120,50至2500 A’在一實施例中為2〇〇至woo人；電洞傳輸層130 ’ 50至2500 A，在一實施例中為200 至1000 A ·，發射層140，10至2〇〇〇 A，在一實施例中為100至1000 A，電子傳輸層bo，5〇至2〇〇〇 A，在一實施例中為100至1000 A;陰極16〇,2〇〇至1〇〇〇〇 A，在-實施例中為3GGs 5GGG A。當存在—電子注入層時，則沉積材料量通常在i至1〇〇 A之範圍β，在一實施例中為1至Η) Α之範圍。各層厚度的理想比例會取決於實際使用材料之性質。牡^ _中，所提供者為一有機電子裝置，其 I括-第-有機活性層與—第二有機活性層位於一電 1上’且包括一圖案化之底塗層介於該第-與第二有機 ==域其中中該第，活性層僅存在於該底塗層 °°域中'其中該底塗層包括-具有上述式】二!?:：;，在某些實施例中’底塗層係實質上由-ς式&式I之材料所組成。在某些實施例中，第一導電聚合物及一氟化酸聚合物。在某某些實施例中料純__材料°在合物之導電機活性層包括一摻雜氣化酸聚輪__ 第二有機活性層主由電洞傳 55 201200975 在某些實施例中，提供—種用於製造— 置之方法，該有機電子裝置包括—陽極，於該=子裝有一電洞注入層及—電洞傳輪層，該方法包ς:上具 2陽極上形電洞注人層，該電批入一鼠化材料且具有一第一表面能； 3匕括直接在該電洞注入層上形成一底塗層；以圖案化方式用輻射曝露該底塗層，產和未曝露區域；蟢區域顯_錄層以纽地自該祕露 J層’以於該電洞注入層上形成一經顯影底塗 :能::底塗層具有-高於該第-表面能之;二表 -‘：層塗層之經顯影圖案上進行液相沉積以形成其中該底塗層包括上述具有式〗或式〖,之材料。上述内容顯示於圖3中。梦罟？ΛΛ目在一美虹Y褒置200具有—陽極210, j基板(未I會出）上。電洞注入層22〇設於該經顯影底塗層顯示為225 上。能小於該底塗層225 ^pt 入層220的表面於呼启涂爲b 表面月匕。虽電洞傳輸層230沉積於"亥底塗層及該電洞注層々貝入層料料難電洞注上。 ⑽m僅切在該底塗層之該圖案在某些實施例中，該電洞注聚合物的導電聚合物層乃括摻雜亂化酸主要係由氣化酸聚合二中’該電洞注入層例中，兮雷導電聚&物組成。在某些實施 °層主要係卜軸a化酸聚合物及無 56 201200975 機奈米粒子導電聚合物組成。在某些實施例中，該等無機奈米粒子係選自於由氧化矽、氧化鈦、氧化錯、三氧化鉬、氧化釩、氧化鋁、氧化鋅、氧化釤、氧化釔、氧化鉋、氧化銅(II)、氧化錫(IV)、氧化銻及它們的組合所組成之群組。已於例如在已公開之美國專利申請案第 2004/0102577 號、第 2004/0127637 號、第 2005/0205860 號和已公開之PCT申請案W0 2009/0丨8009中描述此種材料。在某些實施例中，底塗層係實質上由具有式〗或式 I’之材料所組成。在某些實施例中，該電洞傳輸層係選自於由三芳胺、咔唑、它們的聚合類似物及它們的組合所組成之群，。在某些實關巾，該電洞傳輸層係選自於由聚合三 ^胺、具有銜接在-非平面組態中的共扼部分的聚合三方胺及g和三芳胺的共聚合物所組成之群组。在某些實施例中，該方法進—步包括藉由於該電洞 :輸層上為液相沉積’形成―發射層。在某些實施例層包括-電致發光摻雜劑及—或多種主體材开二在某些實施例中，該發射層係藉由一液相沉積技術 =成’該液相沉積技術選自於由噴墨印刷及連續式喷嘴 P刷所組成之群組。實例此處所贿的概純以下列實例進—步說明之，該寺實例不限射請專祕财所财本發明之範嘴。 201200975 額外材料包括： HIJ_1，其係一導電聚合物和一氟化聚合續酸的分散物水溶液。已於例如在已公開之美國專利申請案 2004/0102577、2004/0127637、2005/0205860 和已公開之PCT申請案WO 2009/018009中描述此種材料。 PM-1

合成實例本實例說明化合物R之合成。

29 58 201200975 於一設有攪拌棒及冷凝器之250 mL雙頸圓底瓶内，使 1，4-二溴-2,5-二己基苯(8.05毫莫耳，3.255 g)、硼酸酯 26(17.7 毫莫耳，7.545 g)、Na2C03 (40.3 mmoles, 4.268 旦)及八叫1^336 (0.500 §)懸浮在甲苯(10011^)中。將該反應混合物除氣並加入Pd(PPh3)4 (0.403毫莫耳，0.465 g)，接著加入除氣過的水(50 mL)。將反應加熱至90°C 兩天。所得之反應混合物以乙酸乙酯（150 mL)稀釋，以乙酸乙酯(3 X 100 mL)萃洗。以鹽水(2 X 100 mL)萃洗有機層、以硫酸鎂乾燥、過濾並濃縮之。藉由使用DCM : 己烷為1:3之矽膠管柱層析法純化以產出白色粉末(56%， 3.8 g)° ln NMR (500 MHz, CD2C12) δ = 7.45 (d, J = 8.5Hz, 4H), 7.33-7.31 (m, 5H), 7.26-7.19 (m, 5H), 6.65 (s, 2H), 2.71-2.63 (m5 9H0, 1.54 (s, 18H), 1.31-1.20 (m, 14H), 1.15 (t，J = 7.49, 7H), 0.83 (t，J = 6.85Hz, 6H)。將化合物27 (4.54毫莫耳，3.800 g)加至200mL的圓底瓶並使其溶於二氣甲烷(90 mL)中。將三氟乙酸(45.4毫莫耳’ 5.175 g)逐滴加入該溶液中。一天後，以旋轉蒸發法將二氣甲烷移除並將所得之灰色粉末溶於乙醚 (100 mL)中，加入碳酸氫鈉（1〇〇 mL)以中和TFA，將各層分離並依序以水(2 X 1〇〇 mL)及鹽水(2 X 100 mL)萃洗有機層。以硫酸鎮乾燥並濃縮產出一灰白色的粉末 (100%, 2.891 g)° ]H NMR (500 MHz, CD2C12) δ = 7.28 (m, 2H), 7.23-7.18 (m, 6H), 7.16 (d, J = 8.47Hz, 4H), 6.76 (d, J = 8.37Hz, 4H), 3.77 (s, 4H), 2.71-2.63 (m, 6H), 1.3-1.19 59 201200975 (m, 16H), 1.15 (t, J = 7.5Hz, 8H), 0.83 (t, J = 6.86Hz, 6H)。在一 250 mL的圓底瓶中，加入二胺28(4.539毫莫耳，2.891 g)、溴聯苯(9.123毫莫耳，2.127 g)及甲苯(65 mL)。接著加入 pd2(dba)3 (0_227 毫莫耳，0.208 g)及 ΡιΒιι3 (0.454 毫莫耳，0.092 g)。在加入鹼（NaC^Bu (9·078 毫莫耳’ 0.845 g))之前’將該反應混合物攪拌5分鐘。三天後，以甲苯（100mL)稀釋所得之反應混合物，通過一矽土及矽藻土墊過濾，依序以甲苯(3 X 1〇〇 mL)及乙酸乙酯(2 X 1〇〇 mL)萃洗，並濃縮成一褐色固體。使用乙酸乙酯：己烷為1:6的沖提液，以矽膠管柱層析法純化以產出一白色粉末(55%，2.367 g)。4 NMR (；500 MHz， CD2C12) δ = 7.61 (d, J = 7.24Hz, 4H), 7.57 (d, J = 8.51Hz, 4H), 7.43 (t, J = 7.6Hz, 4H), 7.34-7.28 (m, 12H), 5.99 (s, 2H)，2.73 (q，J = Hz，4H)，2.66 (t，J = 7.7Hz，6H)， 1.33-1.17 (m, 20H)，0.84 (t, J = 7·2Ηζ, 6H)。於一設有冷凝器及攪拌棒之10〇 mLj的雙頸圓底瓶内，使化合物29(2.515亳莫耳，2 367 g)及丨_溴_4_碘苯 (3.772 毫莫耳 ’ 1.067 g)、pd2(dba)3 (0126 毫莫耳，0115 g)及U-雙(二苯基膦基)二茂鐵(0 251毫莫耳，0.139 g) 懸浮在甲苯(100 mL)中。攪拌該混合物，將三級丁醇鈉 (2_766毫莫耳，0.266 g)加入。在9〇〇c下加熱該反應混合物直到反應完成。將所得之反應混合物以曱苯(5〇 mL) 稀釋’通過一矽土及矽藻土墊進行過濾，以曱苯(2 χ 2〇〇 mL)萃洗並濃縮成褐色固體。以使用1:2的二氣曱烷：己烷的矽膠管柱層析法進行純化，以Me〇H萃洗產物沖 201200975

提部分，經過濾以獲得白色粉末(23%，0.715 g)。NMR (500 MHz，CD2C12) δ = 7.61 (d，J = 6·95Ηζ，4H)，7.56 (d， J = 8.73Hz, 4H), 7.46-7.4 (m, 8H), 7.34-7.29 (m, l〇H), 7.24-7.18 (m, 12H), 7.08 (d, J = 8.89Hz, 4H), 2.74 (q, j = 7.5Hz, 4H)，2.65 (t J= 8·12Ηζ, 6H), 1.32-1.18 (m，22H)， 0.83 (t, J = 6.88Hz, 6H)。將化合物30 (0.626 g ’ 0.50毫莫耳)加至一閃爍槪，且溶解於16 mL的甲苯中。將雙（1,5-環辛二烯)錄(〇) (0.278 g，1.010毫莫耳)倒入一乾淨、乾的50 mL Schlenk §式管。將 2,2’-二°比咬(0.158 g，1.010 mmol)及 1,5-環辛二烯(0_109，1.010 mmol)稱重並置入一閃爍瓶，且使其溶於4 mL的N，N’-二甲基甲醯胺中。將該溶液加入 Schlenk試管中。該Schlenk試管係插入一鋁塊 (aluminum block)中，加熱該鋁塊並於一熱板/攪拌器上在一會造成内溫60 C的設定點擾拌。將催化劑系統維持在60°C共30分鐘，然後將溫度提高至7(rc>將甲苯中的單體溶液加至該Schlenk試管中並密封該試管。將該聚合反應混合物在70。(：下攪拌18小時。18小時之後，將Schlenk試管自鋁塊移除並使其冷卻至室溫。自手套箱移除該試管，並將内容物倒入一濃鹽酸(c〇nc HC1)/曱醇(Me〇H)溶液(1·5% v/v濃鹽酸）中。攪拌兩小，後’以真空職法收集該聚合物並在高真空狀態下乾燥之。經連續析出將聚合物由甲苯純化至HCl/MeOH v/:濃鹽酸）、Me〇H、甲苯(CM〇s等級)及乙酸乙酯。獲得一白色、纖維狀的聚合物(0.27 g，產率47%)。以GPC(THF移動彳目，聚苯乙稀標準品)測定該聚合物之 61 201200975 分子量：Mw=140,399 ; Mn=47,682 » NMR分析證實化合物R之結構。以一類似的方法可製備其他的二溴化合物。可利用與刖述者類似之方式由二溴化合物製備其他聚合物。某些其他聚合物之分子量如表1所示。分子量係以GPC (THF移動相，聚苯乙烯標準品）法量測。表1.聚合物分子量化合物 Μη Mw S '~~ 152,561 270,588 T 145,262 386,212 DD ~~~ 59,391 1,058,617 EE 196,812 515,643 實例1-4 此等實例說明不同的底塗材料及因此所生接觸角變化，其中該底塗層係藉由液相沉積形成，且藉由液體之處理顯影。藉由旋轉塗布HIJ-1或HIJ-2的水性分散液至一玻璃基板上至50 nm的厚度’用以製備附體試樣(test coupon)。於乾燥此層後’將底塗材料之甲苯溶液旋轉塗布至乾燥的HIJ層上以形成底塗層。於乾燥後，以一圖案將該底塗層曝露於輻射。曝露係於248 nm下進行’劑量為100 mJ/cm2。暴露後，以2000 rpm旋轉並喷灑苯甲醚60秒使該底漆層顯影，之後旋轉乾燥3〇秒。表2說明该等材料及最終結果的總結。 62 201200975 表2.附體試樣結果實例第一層底塗層與笨甲酸甲酯的接觸角曝露未曝露 1 HIJ-1 化合物S 13° 32° 2 HIJ-1 化合物T <5° 43° 3 HIJ-1 化合物DD <5° 34° 4 HIJ-1 化合物EE <5° 29°

實例5至8及對照實例A 此等實例說明利用液相沉積法將底塗層形成於一電子裝置中’其中發射層係以氣相沉積法形成。該裝置在一玻璃基板上具有下列結構：陽極=銦錫氧化物(ITO) : 50nm 電洞注入層=HIJ-1 (50 nm) 底漆層··實例5 =化合物S (20 nm) 實例6 =化合物T (20 nm) 實例7 =化合物DD (20 nm) 實例8 =化合物EE (20 nm) 對照實例A=無電洞傳輸層=PM-1 (20nm) 發射層=13:1的主體材料1 :摻雜劑1 (40 nm)，其中主體材料1係二芳基蔥(diarylanthracene)化合物而摻雜劑1係二（二芳基胺基）【#+快】 (bis(diarylamino)chrysene)化合物電子傳輸層= ET1 ’其係一金屬喹啉衍生物（i〇nm) 陰極=CsF/Al (0.7/100 nm) C； to· 63 201200975 藉由溶液加工處理及熱蒸鍍技術之結合製造〇LED裝置。使用來自薄膜裝置公司（Thin Film Device，

InC)之圖案化氧化銦錫(ΙΤΟ)塗布玻璃基板。此等氧化銦錫基板係基於塗布有氧化錮錫之Caning 1737玻璃，其具有30歐姆/平方的薄片電阻及80%的光透射率。在含水清冰劑溶液中超音波式地清潔該圖案化之ιτ〇基 =並以_水加財洗。隨後，在賴巾超音波式地清潔該圖案化之汀〇’以異丙醇加以沖洗之，然後在氛氣流中乾燥。上就在要製造該裝置前，以紫外光臭氧(UVozone)處理該已清潔之圖案化的IT〇基板1〇分鐘。於冷卻之後，隨即在該ΙΤΟ表面上旋轉塗布之水性分散液，然後再加熱以移除溶劑。於冷卻之後，藉由旋轉塗布的甲苯溶液至該電酿人層上形成該底塗層。該底塗層係在248nm處成影像方式曝露，其劑量為i〇〇mJ/cm2。於曝露之後，藉由浸泡在甲苯中並攪拌，再以曱苯》、洗，使該底塗層顯影。以氮氣乾燥該經顯影的層。對戈對照組A而言，沒有底塗層存在。接著以一電洞傳輸^ 料之溶液旋轉塗布該等基板，然後再加熱以移除溶劑於冷卻之後，遮罩該等基板，並將其放入一真空室中然後，使用熱蒸鍍來沉積發射層材料，接著為電子傳轉層，然後為一 CsF層。接著在真空中更換遮罩，並藉i 熱蒸鍍沉積一 A1層。使該真空室排氣，及使用—破玉蓋、乾燥劑(dessicant)及UV可固化環氧化物封裝該: 裝置。 64 201200975 /藉由量測下列數據來描述有機發光二極體樣本之特^ (1)電流-電壓(Ι-V)曲、線，（2)電致發光輕射強度對電壓’及(3)電致發光光譜對電壓。以上所有三個測量皆於相同時間執行，並由-電腦控制。#由把LED之電致發光輕射強度除以該裝置運轉所需之電流而決定該裝置在某—特定電壓處的電流效率。其單位為Cd/A。將該電流效率乘以pi⑻’再除以操作電壓率。其單位為lm/W。表3說明所得之裝置資料。實例底塗 CIE 電壓層 (x，y) (V) 比較例無 0.136, 4.9 A 0.126 Ex. 5 化合物 0.136, 5.3 S 0.125 Ex. 6 化合物 0.136, T 0.132 Ex. 7 化合物 0.136, 5.3 DD 0.128 Ex. 8 化合物 0.136, 5.7 EE 0.126 EQE 5.7 5.5 5.4 表3.裝置性能壽命測試電流密度 124 132 134 壽命測試發光強度原始 Τ50 預測~ 壽命期 Τ50 6393 826 19354 6193 426 9459 6357 705 16347 6279 197 4477 Γό177 94 2078 —" CE PE. 6.0 3.8 5.7 3.4 3.] 5.6 所有數據皆以麵尼特為條件；CiE(x，y)為xAy顏色座標根據C.I.E.色度（國際照明協會，1931年” ce = 電流效率’單位Cd/A;EQE=外部量子效率，單位 PE =功2,率，單位lm/w ;壽命測試電流密度，單位 mA/cm2 ;壽命測試照明=發光性，以尼特為單位；原始 T50係-裝置達到初始發光強度一半時的時間（以小時 65 201200975 計），該初始發光強度係於壽命測試發光強度時所& 定。預測T50係於1⑼〇尼特時的預測壽命期（以小^ 計），其使用一加速因子U。次序應留意的是，並非上文一般性描述或實例中所述之動作都是必要的，特定動作之一部分可能並非必要的，並且除了所描述之動作外，可進一步執行一或多個其他動作。此外，所列動作之次序不必然是執行該等步驟之牡上述說明中，已描述關於特定實施例之概念。然而’本領域普通肋人貞應理解在不麟 L圍所因範圍的情況下，可心性:二f書與圖式視為說明性而非限制中。&，且‘意輯所有賴修改涵括於本翻之範嘴前文已描述關題解决方案。然而以及任何可使這些的特徵解讀為是饪或必要特徵。於特定實施例之效益、其他優點及問 ^不可將效益、優點、問題解決方案放益、優點或問題解決方案更為突顯可或所有專利巾請範圍之關鍵、必需應當理解為了清楚内容中的某些特徵，亦，說月起見，本文所述之各實施例別加以提供。相反地、y以組合之方式於單獨實施例中同一實施例中，其亦起見’本文所述許多特徵於中。此外，當提及、r、可分難供或提供於任何次組合所有及每—個數值’的數值時，其係包括該範圍内的 66 201200975 【圖式簡單說明】以增進對本文中所呈現實施例說明於隨附圖式中之概念的理解。圖1包括一接觸角之圖式。圖2包括一有機電子裝置之說明。置之部分之圖3包括具有-底塗層之有機電子叢熟習此項技術者應瞭解，圖單及清楚之目的而說明，且不_ 式中之物件係為達成定按比例繪製。例如

在該等圖式中，某些物件的尺寸相對於其他物件可能有所放大，以有助於對實施例的暸解。【主要元件符號說明】 100. ..電子裝置 110.. .陽極層 120. ..電洞注入層 130. ..電洞傳輸層 140. .·發射層 150. ••電子傳輸層 160. ..陰極層 200. ..裝置 210. 陽極 220. ••電洞注入層 225. ••底塗層 230. .·電洞傳輸層 67

Claims

201200975 七、申請專利範圍： 1. 一種用於在一第一層上形成一被包含第二層之方法，該方法包括：形成具有一第一表面能之該第一層；以一底塗材料處理該第一層以形成一底塗層；以圖案化方式用輻射曝露該底塗層，產生曝露區域和未曝露區域；顯影該底塗層以有效地自該未曝露區域移除該底塗層，形成一具有底塗層圖案之第一層，其中該底塗層圖案具有一高於該第一表面能之第二表面能；以及於該第一層上的該底塗層圖案上進行液相沉積以形成該第二層；其中該底塗材料具有式I或式I，：

其中： Arl與Ar2係相同或不同且為芳基； 201200975 於每次出現時係獨立為相同或自於由D、F、烷基、芳基、係選交聯基所組成之群組； 4基1基及-可 R6於每次出現時係相同或不同，且係選及鹵素所組成之群組；、 D 及至e係獨立為〇到4 一整數； f為1或2 ; g為〇、1或2 ; h為1或2;以及 n為大於0之一整數。 2·如睛求項1所述之方法進行。其中顯影係藉由以一液體處理而 3·如請求項1所述之方法之芳基。其中ν及Af2為不具有铜合環 4.如請求項1所述之方法 ’其中Ar1及Ar2具有式a

其中： 201200975 R6在每次出現時係相同或不同，且係選自於由D、烷基、烷氧基、矽氧烷及矽基所組成之群組； f每次出現時為相同或不同，且係0至4之一整數； g為0至5之一整數；以及 m為1至5之一整數。 5.如請求項1所述之方法’其中Ar1及Ar2係選自於由苯基、聯苯、聯三本、其氛化衍生物及其衍生物所組成之群組，該等衍生物具有一個或多個選自於由烷基、烷氧基、矽基及一具有一交聯基之取代基所組成之群組之取代基。 6_如請求項1所述之方法’其中R1至R5係選自於由D及 CMG烷基所組成之群組。 7. 如請求項1所述之方法’其中a==e = 0。 8. 如請求項1戶斤述之方法，其中a = e = 4且R1及R5為D。 9. 如請求項1所述之方法，其中b>0且至少一個R2為烷基。 10. 如請求項1所述之方法，其中c > 0且至少一個R3為烷基。 1L如請求項i所述之方法’其中d > 0且至少一個R4為烷基0 70 201200975 12 - 有機!子裝置之方法，該電子裝置包括一當'電極#有設於其上的之—第-有機活性層及弟一有機活性層，該方法包括： πω· a在5亥電極上形成具有一第一表面能之第一有機活性層；以一底塗材料處理該第一有機活性層以形成一底塗層；以圖案化方式用輻射曝露該底塗層，產生曝露區域和未曝露區域；顯影該底塗層以有效地自該未曝露區域移除該底塗層，形成一具有底塗層圖案之第一活性有機層，其中該底塗層圖案具有一高於該第一表面能之第二表面能；以及於該第一有機活性層上之該底塗層圖案上進行液相沉積以形成該第二有機活性層；其中該底塗材料具有式1或式I’ ：

其中： 71 201200975 Ar1與Ar2係相同或不同且為芳基； R1至R5於每次出現時係獨立為相同或不同，且係選自於由D、F、烷基、芳基、烷氧基、矽基及一可交聯基所組成之群組； R6於每次出現時係相同或不同，且係選自於由Η、 D及鹵素所組成之群組； a至e係獨立為0到4之一整數； f為1或2 ; g為0、1或2 ; h為1或2 ;以及 η為大於0的一整數。 13. 如請求項12所述之方法，其中該第一活性層為一電洞傳輸層，以及該第二活性層為一發射層。 14. 如請求項12項所述之方法，其中該第一活性層為一電洞注入層，以及該第二活性層為一電洞傳輸層。 15. 如請求項14項所述之方法，其中該電洞注入層包括一導電聚合物及一氟化酸聚合物。 16. 如請求項14項所述之方法，其中該電洞注入層實質上係由摻雜氟化酸聚合物及無機奈米粒子之導電聚合物所組成。 72 201200975 17.如請求項14項所述之方法，爭6 藉由液相沉積形成-發射層括於該電洞傳輸層上’ 18· 一種有機電子裝置，其包括H機活有機活性層位於一電極上，且進一步包括一二：：塗層，，於料-與第二有機活性層之間，其巾機活性層僅存在於該底塗層所存在之區域中，且其^ 底塗層包括一具有式I或式I，之材料：、^

R6 Ο)

-R6 Ο.) 其中： Ar1與Ar2係相同或不同且為芳基； R1至R5於每次出現時係獨立為相同或不同，且係選自於由D、F、烷基、芳基、烷氧基、矽基及一可交聯基所組成之群組； R6於每次出現時係相同或不同，且係選自於由Η、 D及鹵素所組成之群組； a至e係獨立為〇到4之一整數； f為1或2 ; 73 201200975 g為0、1或2 ; h為1或2 ;以及 η為大於0之一整數。 74