TW201210810A - Resin composition to use for the formation of the resin layer constituting a metal base substrate, metal base substrate and manufacturing method of the metal base substrate - Google Patents
Resin composition to use for the formation of the resin layer constituting a metal base substrate, metal base substrate and manufacturing method of the metal base substrate Download PDFInfo
- Publication number
- TW201210810A TW201210810A TW100121560A TW100121560A TW201210810A TW 201210810 A TW201210810 A TW 201210810A TW 100121560 A TW100121560 A TW 100121560A TW 100121560 A TW100121560 A TW 100121560A TW 201210810 A TW201210810 A TW 201210810A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- metal
- resin
- resin composition
- coupling agent
- resin layer
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 166
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 166
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 91
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 11
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 claims abstract description 25
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 47
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 36
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 28
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 28
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 abstract 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 51
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 44
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 14
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 11
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 9
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 9
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- -1 Oxidation Chemical compound 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 5
- NIIPNAJXERMYOG-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trimethylhydrazine Chemical compound CNN(C)C NIIPNAJXERMYOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IUVCFHHAEHNCFT-INIZCTEOSA-N 2-[(1s)-1-[4-amino-3-(3-fluoro-4-propan-2-yloxyphenyl)pyrazolo[3,4-d]pyrimidin-1-yl]ethyl]-6-fluoro-3-(3-fluorophenyl)chromen-4-one Chemical compound C1=C(F)C(OC(C)C)=CC=C1C(C1=C(N)N=CN=C11)=NN1[C@@H](C)C1=C(C=2C=C(F)C=CC=2)C(=O)C2=CC(F)=CC=C2O1 IUVCFHHAEHNCFT-INIZCTEOSA-N 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 3
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MFAWEYJGIGIYFH-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(trimethoxymethyl)dodecoxymethyl]oxirane Chemical compound C(C1CO1)OCCCC(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC MFAWEYJGIGIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 238000009775 high-speed stirring Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 2
- BGJSXRVXTHVRSN-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trioxane Chemical compound C1OCOCO1 BGJSXRVXTHVRSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMSVBNQVZVQSND-UHFFFAOYSA-N 1,5-bis(sulfanyl)pentan-3-one Chemical compound SCCC(=O)CCS IMSVBNQVZVQSND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYSXYAURTRCDJU-UHFFFAOYSA-N 1-(1-hydroxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCC(O)OC(O)CC QYSXYAURTRCDJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MILSYCKGLDDVLM-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpropan-2-ylbenzene Chemical group C=1C=CC=CC=1C(C)(C)C1=CC=CC=C1 MILSYCKGLDDVLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000255777 Lepidoptera Species 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930182764 Polyoxin Natural products 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QAAXRTPGRLVPFH-UHFFFAOYSA-N [Bi].[Cu] Chemical compound [Bi].[Cu] QAAXRTPGRLVPFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- CMBZEFASPGWDEN-UHFFFAOYSA-N argon;hydrate Chemical compound O.[Ar] CMBZEFASPGWDEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000010296 bead milling Methods 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- FNAQSUUGMSOBHW-UHFFFAOYSA-H calcium citrate Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O FNAQSUUGMSOBHW-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000001354 calcium citrate Substances 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- ARSRKIQSWHMOJO-UHFFFAOYSA-N cyclohexane cyclohexanone Chemical compound C1CCCCC1.C1(CCCCC1)=O.C1(CCCCC1)=O ARSRKIQSWHMOJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005202 decontamination Methods 0.000 description 1
- 230000003588 decontaminative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- DXVWRJRZCMCNEU-UHFFFAOYSA-N dimercaptoamine Chemical compound SNS DXVWRJRZCMCNEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- WABAEEDHTRIFPM-UHFFFAOYSA-N hydroxy-sulfanyl-sulfanylidene-$l^{4}-sulfane Chemical compound SS(S)=O WABAEEDHTRIFPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 201000001881 impotence Diseases 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000004816 latex Substances 0.000 description 1
- 229920000126 latex Polymers 0.000 description 1
- 150000002632 lipids Chemical class 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004337 magnesium citrate Substances 0.000 description 1
- 229960005336 magnesium citrate Drugs 0.000 description 1
- 235000002538 magnesium citrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006902 nitrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001281 polyalkylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- YEBIHIICWDDQOL-YBHNRIQQSA-N polyoxin Polymers O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](C(C=O)N)O[C@H]1N1C(=O)NC(=O)C(C(O)=O)=C1 YEBIHIICWDDQOL-YBHNRIQQSA-N 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 description 1
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
- 235000013337 tricalcium citrate Nutrition 0.000 description 1
- PLSARIKBYIPYPF-UHFFFAOYSA-H trimagnesium dicitrate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O PLSARIKBYIPYPF-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L71/00—Compositions of polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L71/08—Polyethers derived from hydroxy compounds or from their metallic derivatives
- C08L71/10—Polyethers derived from hydroxy compounds or from their metallic derivatives from phenols
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/20—Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
- B32B27/26—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives using curing agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/38—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising epoxy resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L71/00—Compositions of polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
- H05K1/056—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an organic insulating layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
- B32B2264/10—Inorganic particles
- B32B2264/102—Oxide or hydroxide
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
- B32B2307/202—Conductive
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/70—Other properties
- B32B2307/732—Dimensional properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2650/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule
- C08G2650/28—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule characterised by the polymer type
- C08G2650/56—Polyhydroxyethers, e.g. phenoxy resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
- C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/20—Oxides; Hydroxides
- C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/54—Silicon-containing compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
- H05K2201/0203—Fillers and particles
- H05K2201/0206—Materials
- H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
- H05K2201/0203—Fillers and particles
- H05K2201/0206—Materials
- H05K2201/0239—Coupling agent for particles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Description
201210810 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於對於構成金屬系基板之樹脂層的形成而使 用之樹脂組成物、金屬系基板、及金屬系基板之製造方法。 【先前技術】 近年來,對於裝配高發熱性電子零件的電路基板,要求熱 放散性。其中,在電路基板方面,係使用金屬板上形成絕緣 層及金屬箔的金屬系基板。經由蝕刻此金屬箔,則可取得形 成導體電路的電路基板。 另一方面,關於車輛用電子機器,期望其小型化,省空間 化並且於引擎室内設置的電子機器。引擎室内為溫度高、溫 度變化大等之過苛環境,又,必須有放熱面積大的基板。對 於此種用途,注目於放熱性更為優異的金屬系基板。 作為此種技術,記載於專利文獻1〜3。專利文獻1及2中, 記載使用含有丙烯酸系樹脂的樹脂層。又,專利文獻3中, 記載使用含有聚矽氧樹脂的樹脂層。 [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1:日本專利特開平9-8426號公報 專利文獻2:曰本專利特開平10-242606號公報 專利文獻3 :曰本專利特開2005-281509號公報 【發明内容】 100121560 4 201210810 (發明所欲解決之問題) 本發明者檢討之結果,發現在上述先前技術之金屬系基板 . 中,金屬板與樹脂層之密合性、加熱周期性及絕緣電阻性的 平衡上有改善的餘地。 (解決問題之手段) 本發明係含有下列者。 [1] 一種樹脂組成物,係在具備金屬板、金屬箔、及上述金屬 板與上述金屬箔之間配置之樹脂層的金屬系基板中形成上 、 述樹脂層而使用的樹脂組成物’其含有 s (A)重量平均分子量為4.0χ1〇4〜4·9χ1()4之雙酚A型苯氧基 樹脂、和 (B) 無機填充劑、和 (C) 矽烷偶合劑, 相對於上述樹脂組成物合計量100質量%之上述(C)矽烷 偶合劑含量定為c質量%, 相對於上述樹脂組成物合計量100質量%之上述(B)無機 填充劑含量定為b質量%時,滿足 5xl(T2<c-(bxl/l〇〇)<ll 〇 mi [2] 如[1]令記载之樹脂組成物,其中,上述金屬板為鋁板。 [3] 100121560 5 201210810 如[1]或[2]中記載之樹脂組成物,其中,上述無機填充劑 為氫氧化鋁或氧化鋁。 [4] 如[1]至[3]中任一項記載之樹脂組成物,其中,上述苯氧 基樹脂之含量,相對於上述樹脂組成物合計值100質量%為 10重量%以上且40重量%以下。 [5] 如[1]至[4]中任一項記載之樹脂組成物,其中,進一步含 有環氧樹脂。 [6] 如[5]中記載之樹脂組成物,其中,上述環氧樹脂為(D)雙 酚A型環氧樹脂。 [7] 一種金屬系基板,其係具備金屬板、金屬箔、及上述金屬 板與上述金屬箔之間配置的樹脂層, 上述樹脂層為[1]至[6]中任一項記載之樹脂組成物。 [8] 如[7]中記載之金屬系基板,其中,以121°C、濕度100%、 96小時條件之PCT處理後之絕緣電阻值/PCT處理前之絕緣 電阻值為1(Γ3以上且10·1以下。 [9] 一種金屬系基板之製造方法,其係具有 100121560 6 201210810 準備未經矽烷偶合劑表面處理之金屬板的步驟、和 在上述未經石夕烧偶合劑表面處理之金屬板的至少—面上 • 形成樹脂層的步驟、和 ' 在上述樹脂層上形成金屬箔的步驟, 上述樹脂層含有 (A) 重量平均分子量為4.0X1 〇4〜4·9χ104之雙紛a型笨氧美 樹脂、和 (B) 無機填充劑、和 (C) 矽烷偶合劑, • 相對於上述樹脂組成物之合計量100質量%之上述(c)石夕 s 烷偶合劑含量定為c質量%, 相對於上述樹脂組成物之合計量1〇〇質量%之上述阳)無 機填充劑含量定為b質量%時,滿足 5xl〇-2<C-(bxl/100)<U。 [10] 如[9]中s己載之金屬糸基板之製造方法,其中,上述(b)無 機填充劑為含有平均粒徑〇5〇為3μιη以上且5μιη以下的單 分散氧化紹。 • (發明效果) • 若根據本發明,則實現金屬板與樹脂層之密合性、熱循環 性、及絕緣電阻性之平衡優異的金屬系基板。 衣 【實施方式】 100121560 7 201210810 說明關於本發明之樹脂組成物。 本發明之樹脂組成物’係在具備金屬板、金屬箔、及該等 金屬板與金屬箔之間配置之樹脂層之金屬系基板中形成該 樹脂層而使用的樹脂組成物。此種樹脂組成物’係含有(A) 重量平均分子量為4.〇xl〇4〜4.9xl04之雙酚a型笨氧基樹 脂、(B)無機填充劑、及(C)發院偶合劑,且,滿足 5xlcr2<c-(bxi/i〇〇)<ii 而特定。 以下,詳述。 所謂(A)重量平均分子量為4.0χ104〜4_9xl〇4之雙盼a型苯 氧基樹脂(以下,單稱為「(A)苯氧基樹脂」)係在(a)苯氧基 樹脂構造中具有二苯基丙烷構造的化合物,若重量平均分子 量為4·〇χ1〇4〜4·9χ1〇4則無特別限定。 經由樹脂層含有(A)苯氧基樹脂,不僅提高樹脂層與金屬 板的密合性’且在加壓時,改善流動性,可無空隙等而成形。 又,經由分子量為4·〇χ1〇4〜49xl04,則取得下列效果。第i, 可低彈性率化,若使用於金屬系基板則應力緩和性亦優異。 例如,利用使用本發明樹脂組成物之金屬系基板,製造安裝 電子零件等之半導體裝置時,該半導體裝置即使在急劇的加 熱/冷卻環境下,亦可抑㈣子零件與金屬系基板接合之焊 料焊接部、或其附近,發生裂痕等不良。 、又’經由將(A)笨氧基樹脂的重量平均分子量作力4侧4 以上’射充錢彈性率化之料,使肖於半導體裝置時, !〇〇121560 201210810 在急劇的加熱/冷卻下,難在㈣_部、或其㈣發生裂 痕。如此可提高金屬系基板的熱循環特性。又,經由將(A) 苯氧基樹脂之重量平均分子量作成Ο,4以下,則可抑制 因黏度上升而加壓時流動性惡化、發生㈣等,可提高金屬 糸基板的」絕緣可靠性。如此可提高金屬系基板的絕緣特性。 ㈧苯氧基樹脂之含量為_組成物全體的丨㈣重量% 為(' T」^、要無特別明示,則表示包含上限值和下 限值)。經由⑷苯氧基樹脂之含量作成1〇重量%以上,則可 充分取得雜率下降的效果,使祕金心基板時的應力緩 和性優異,即使受到急劇的加熱/冷卻亦可抑制焊料或其附 近毛生裂痕。經由將⑷苯氧基樹脂的含量作成重量%以 下,則可抑制加壓時的流動性惡化、發生空隙等,可提高金 屬系基板的絕緣可靠性。 另^所謂樹脂組成物全體,例如,使用溶劑等之清漆情 況’意指除了溶劑的固形’且液狀環氧、偶合劑等之液狀成 分包含於樹脂組成物。 ⑻無機填充劑並無特職定’可列舉例如,氫氧化铭、 氫氧化鎂、碳酸辦、碳酸鎮、石夕酸辦、氧化詞、氧化鎂、氧 曰曰 化紹、氮化!呂、職銘晶鬚、氮化蝴、結晶性二氧化石夕、非 旦性二氧化矽、碳化矽等。 .其中,氧化紹、氮化銘、氣化侧、結晶性二氧化石夕、非晶 性二氧切由高熱傳導㈣觀點而言為佳。再佳為氧化^ 100121560 201210810 使用氧化狀情況’除了編轉性,加上耐触、絕緣性 方面為佳。又,結晶性二氧切麵紐二氧切就離子性 雜質少方面為佳。可製造絕緣可靠性優異的金屬系基板。 結晶性二氧化Μ非晶性二氧切,在壓力蒸煮器試驗 (Pres眶Cooker Test)等之水蒸氣環境氣體下絕緣性高,且 金屬、鋁線、鋁板等之腐蝕少方面為適當。 另-方面,由難燃性的觀點而言,以氫氧化紹、氣氧化鎮 為佳。 ' 更且,在調整熔融黏度和賦予觸變性之目的中,以氫氧化 鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、 氧化鎂、氧化鋁、結晶性二氧化矽、非晶性二氧化矽為佳。 (B) 無機填充劑之含量並無特別限^,以樹脂組成物全體 之40〜70重量%為佳。經由將(B)無機填充劑的含量作成牝 重量%以上,則可減低熱電阻,取得充分的放熱性。另一方 面,經由將(B)無機填充劑的含量作成7〇重量%以下,則可 抑制加壓時之流動性惡化,發生空隙等。 (C) 碎院偶合劑之含量滿足下述式為佳。即, 5xl〇-2<c-(bxl/l〇〇)<ll。 上述中,c(質量%)表示相對於樹脂組成物之合計量1〇〇 質置%之(〇矽烷偶合劑的含量,1)(質量%)表示相對於樹脂 組成物之合計量100質量%之(3)無機填充劑的含量。 上述式中[c-(bx 1/100)],係表示未附著至無機填充劑表 100121560 10 201210810 面,在樹脂組成物中存在之(c)石夕烧偶合劑(即,樹脂組成物 中之游離的(c)矽烷偶合劑)的含量。 ’以下,說明此點。 • m)㈣偶合劑’於分子内兼具與有機材料及無機 材料結合的官能基。介隔著此(c)雜偶合劑,無機材料與 有機材料結合。 ' (C)石夕烧偶合劑’於本技術領域中,被㈣於將⑼無機填 充劑與樹脂組成物接黏,變成對(B)無機填充劑的表面進行 處理。因此,(C)魏偶合劑的處理量((c)魏偶合劑相對於 ‘樹脂組成物全體的含量),根據⑻無機填充劑的含量而決 定。 通常’(C)石夕烧偶合劑之處理量,相對於(B)無機填充劑之 合計量100質量%,已知為〇 質量%左右。 因此上述式中之(bxl/1〇〇)係表示⑹石夕烧偶合劑相對於 (:)無機填充劑的一般處理量。其次,由(c)矽烷偶合劑之全 S C ’減去(C)石夕烧偶合劑之處理量㈣胸广如上述,可 估計樹脂組成物中游離的(C)魏偶合劑含量[c-(bxl/100)]。 ⑽樹脂喊物中游離的(c)魏偶合#j,不會附著至⑻ '無機填充财面,存在於樹驗成物巾。此種(〇魏偶合 劑作用至無機材料的金屬板,可提高樹脂層與金屬板的密合 性。 於本發明巾’經由將樹脂組成物巾游離的(C)魏偶合劑 100121560 201210810 含置作成特定的範圍,則可實現金屬板與樹脂層之密合性、 及加熱周期特性之平衡。即,作為樹脂組成物中游離之(c) 矽烷偶合劑含量,下限值較佳為5χ1(Γ2質量%以上,更佳為 1X10為量%以上,再佳為5x1ο·1質量%以上,上限量並無特 】阳疋例如,較佳為11質量%以下,更佳為10質量%以下, 再佳為9質量%以下。 經由將樹脂組成物中游離之(C)矽烷偶合劑含量作成下限 值以上,則可充分引導出由(Β)無機填充劑所得之效果的同 時,提高金屬板與樹脂層的密合性,並且可提高金屬系基板 的絕緣性特性。 又,經由將樹脂組成物中游離之(c)矽烷偶合劑含量作成 上限值以下,則可使矽烷偶合劑水解,且抑制焊料耐熱性降 低。 於以往,例如,[C-(bxl/100)]為〇以下,係(c)石夕烧偶合劑 之處理量相對於(B)無機填充劑之合計量1〇〇質量%為丄質 量%左右之情況,若換言之,表示❹(〇魏偶合劑之一 般處理量的情況。使用此種樹脂組成物之金屬系基板,在改 善金屬板與樹脂層之密合性上,有相當之餘地。 相對地’於本發明’ [c-(bx1/1〇〇)]>〇 〇5。藉此,提高金屬 板與樹脂層的密合性’可提高金屬系基板的絕緣性特性。 樹脂組成物,可使用環氧樹脂作為改質劑。經由添加環氧 樹脂,則可改善樹脂組成物的耐濕性、耐熱性,特別為吸濕 100121560 201210810 後的耐熱性。環氧樹脂若於!分子中具有2個以上 環氧樹脂,則無特別限定,可列舉例如,雙酚A系錐基的 ..系、聯苯'系、/酸清漆系、多官能苯紛系、萘系Γ月旨^ 及醇系等之¥氧丙醚、環氧丙胺系及環氧丙§旨系等式系 1種或混合2種以上。 11使用 其中’由耐熱f生、耐〉紐、金屬接黏性及加壓成开 動性方面而言’以雙紛A環氧樹脂為佳,特別以常、、之流 狀的雙鹼A環氧樹脂為佳。當/敬下液 吊/皿下液狀的雙酚Α學羞 除了加麈成形時的流動性特兄丨丨应田 '"乳樹脂’ 诗别優異,加上與雙酚 . 基樹脂的相溶性優異,樹脂如型本氧 、、'且成物不會引起相分離黧 , 熱性優異。 荨,故耐 本發明之樹脂組成物,亦1 劑。作為硬化劑,並無特別;;Γ步含有環氧樹脂的硬化 胺化合物及祕化合物等。&列舉例如,酸無水物、 本發明之樹脂組成物,#你 祜要,亦可使用硬化促進劑。硬 化促進劑,並無特別限定,$ 列舉例如,咪唑類及其衍生物、 三級胺類及四級銨鹽等。 本發明之樹脂組成物,另L、 視需要’可任意併用公知的孰 • 可塑性樹脂、彈性體、難蚴澈, 货用U㈣ _ 域 ’及填錢、色素、紫外線吸收 劑4。 其次,說明關於附有樹脂之金屬羯。 使用上述樹脂組成物之糾 ' 有樹脂之金屬箔,可經由在金屬 100121560 201210810 箔上形成由樹脂組成物所構成之樹脂層而得。 首先,將形成樹脂層之本發明的樹脂組成物,於丙酮、曱 基乙基酮、甲基異丁基酮、曱苯、醋酸乙酯、環己烷、庚烷、 環己烷環己酮、四氫呋喃、二曱基曱醯胺、二甲基乙醯胺、 二曱基亞砜、乙二醇、赛珞蘇系、卡必醇系、茴香醚等之有 機溶劑中,使用超音波分散方式、高壓衝突式分散方式、高 速迴轉分散方式、珠粒磨方式、高速剪切分散方式、及自轉 公轉式分散方式等之各種混合機予以溶解、混合、攪拌製作 樹脂清漆。 樹脂清漆中之樹脂組成物含量,並無特別限定,以45〜85 重量%為佳,特別以55〜75重量%為佳。 其次將樹脂清漆,使用各種塗佈裝置,於金屬箔上塗佈 後,將其乾燥。又,以喷霧裝置對金屬箔喷霧塗佈樹脂清漆 後,將其乾燥。根據該等方法則可製作附有樹脂之金屬箔。 塗佈裝置,並無特別限定,例如,可使用輥塗敷器、棒塗 敷器、刀塗敷器、凹版塗敷器、模具塗敷器、刮刀塗敷器及 幕式塗敷器等。其中,亦以使用模具塗敷器、刀塗敷器、及 刮刀塗敷器的方法為佳。藉此,可有效率製造具有均勻之絕 緣層厚度之附有樹脂的金屬箔。 樹脂層的厚度為50μιη〜250/mi之範圍為佳。經由將樹脂 層之厚度作成50μηι以上,則可使金屬系基板所用之例如銘 板等之金屬板與樹脂層之熱膨脹率差所發生的熱應力,以絕 100121560 14 201210810 緣接黏層予以充分緩和。 對此種金屬系基板表面裝配半導體元件、電阻零件等产 況’可抑制構件間的應變變大,且可取得充分的熱衝擊可^ 性。又’經由將樹脂層的厚度作成25〇Mm,則可使金屬= 板之表面裝配部分中的應變量變少,取得良好之熱衝擊= 性之同時,可減低熱電阻並取得充分的放熱性。 罪 金屬箱,並無特別限定,可列舉例如銅及鋼 口亚 紹系合金、銀及銀系合金、金及金系合金、辞及鋅系合金、 鎳及鎳系合金、錫及㈣合金、鐵及鐵系合金等之金屬箱。 其中,就經由蝕刻金屬可使用作為導體電路方面而古,白 以銅羯為佳。又,由低熱膨脹之觀點而言,以鐵·錄合$ 另外’上述金屬箔的製造方法可為電解法或軋製法之任 種。又,即使於金㈣上進行鍍Ni、㈣i_Au、禪料鑛= 金屬鍍敷亦無妨,由與絕緣接黏層之接黏性方面而言= 至導體電路之絕緣接黏層侧的表面以㈣和錢 先粗化處理為再更佳。 專予以i 上述金屬箱之厚度,並無特別限定’以〇5灿 以下為佳,更且以_以上且7_卩二上- 佳為9μιη以上且u ’佳’ i
Mm以下為佳。經由將金屬箔 成下限值以上,則^^ ㈣冶之厚度, Γ抑制針孔發生,將金屬箔蝕刻作士、播 電路之情況,可迴游 成導彳 100121560 避電路圖案成形時發生鍍敷偏差、電路丨 201210810 線、银刻液和去污液等藥液渗人等之虞。又,經由將金屬羯 之厚度作成上限值以下,則可縮小金屬箔之厚度偏差,並且 可抑制金屬箱粗化面之表面粗度偏差。 又,作為金屬箱,亦可使用附有載體箱之極薄金屬箱。所 謂附有載㈣之極薄金射g,係可_之載㈣與極薄金屬 箱貼合的金屬&使用附有載職之極薄金職可在絕緣層 的兩面形成極薄金賴層’例如,以半加成法形成電路之情 況,未進行無電解鍍敷,將極薄金屬箱以直接給電層型式進 行電解職’形成電路後,可將極薄㈣予以快速钮刻。經 由使用附有載mi之㈣金Μ,即使厚度1()_以下的極 溥金屬猪’亦可防止例如加壓步驟之極薄金屬箱的操作性降 低、和極薄銅箔的裂開和切開。 其次,說明金屬系基板。 本發明之金屬系基板,具備金屬板、金屬羯、及該等金屬 板與金屬仏_置賴脂層’且該樹脂層以上述之樹脂組 成物所構成者。 此種金屬系基板,例如,亦 力 了以 121 C、濕度 100%、96 小時條件下之PCT處理 絕緣電阻值/P C τ處理前的絕緣 電阻值為1〇-3以上且10-1以 榀目士, 下加以特定。如上述因樹脂組成 „ 务月之金屬系基板為絕緣特性 優異。 並無特別限定,例如 本發明之金屬系基板之製造方法 100121560 201210810 於金屬板之單面或兩面將上述附有樹月旨之金屬㈣樹脂面 以接觸般積層加㈣等將其加壓•加熱硬化形成樹脂 層則可取得金屬系基板。金屬系基括 于丞板’红由姓刻金屬箱,形 成電路,可使用作為電路基板。 作成多層之情況,在上述金屬系基板形成㈣H — 積層附柳旨之金務並同上独刻形成電路,則可轉 多層的金屬系基板。另外’亦可在最外層形成焊料光阻,瘦 由曝光•顯像則使可裂配半導體元件和電子零用 電極部露出。 用 上述金屬板之厚度,並無特別限定, 又乂厚度0.5〜5.〇mm 為佳。係因熱放散性優異,且經濟的。 作為製作金屬系基板之另外方法,可 J舉在金屬板塗佈 述樹脂清漆,其後,積層金屬箔並且加熱•力β ^ 由上述同樣蝕刻形成電路供使用亦可。 的方法經 另外,亦可在上述中對金屬板塗佈上 π上述樹脂清漆 硬化後,以無電解鍍敷、及電解鍍數 食便树月曰 炎行電路形成。 又,作為本貫施形態之金屬系基板之 & -¾¾. 0+ ? 準備未經矽烷偶合劑表面處理之金屬板牛 力、°』具有 烷偶合劑表面處理之金屬板的至少〜乂驟、和在未經矽 驟、和在該樹脂層上形成金屬猪的步豫〗成樹脂層的步 述之樹脂組成物。 脂層,可使用上 如此,本發明因為充分確保樹脂級 100121560 勿中游離之(C)矽烷 17 201210810 偶合劑的含量,並且進一步併用高分子的(A)苯氧基樹脂, 可省略對金屬板以矽烷偶合劑處理的步驟,故可圖謀步驟的 簡略化。 又,本實施形態之金屬系基板之製造方法中,(B)無機填 充劑,使用含有平均粒徑D5G為3/rni以上且5/mi以下之單 分散氧化銘的樹脂組成物為佳。藉此,於製品間,可抑制樹 脂組成物中游離之(C)矽烷偶合劑的含量偏差,且抑制製品 間的特性偏差。 由上述,若根據本發明,則可實現與金屬系基板之密合 性、加熱周期性優異之具有充分絕緣電阻的金屬系基板。 又,本發明之樹脂組成物,因為與金屬板的密合性優異, 故在長期絕緣可靠性試驗中,顯示良好的絕緣電阻,具有絕 緣可靠性。 加上,本發明之樹脂組成物含有無機填充劑,可繼續良好 維持以往之熱放散性優異方面、耐電壓等之電性絕緣性優異 方面等,並且可改善應力緩和性。 本發明之樹脂組成物、附有樹脂之金屬箔、及金屬系基 板,亦可使用於汽車之引擎室等嚴苛環境化所用的基板,於 產業上非常有用。 <實施例> 以下,根據實施例及比較例詳細說明本發明,但本發明並 不限定於此。 100121560 18 201210810 <實施例A> 實施例及比較例中所用之原材料如下。 (1) 雙酚A型苯氧基樹脂(三菱化學製、1255、重量平均 • 分子量4.8xl04) (2) 雙酚A型苯氧基樹脂(新日鐵化學製、γρ_55υ、重量 平均分子量4.2χ1〇4) (3) 雙酚A型環氧樹脂(DIC製、850S、環氧當量190) (4) 雙酚A型環氧樹脂(三菱化學製、1〇〇1、環氧當量475) (5) 二氣二胺(Degusa 製) . (6)苯酚酚醛清漆樹脂(DIC製、TD-2010、羥基當量105) - (7) 2_苯基咪唑(四國化成製、2PZ) (8) T環氧丙氧基丙基三曱氧基矽烷(信越Silicone製、 KBM-403) (9) 氩氧化銘(昭和電工製、HP-360) (10) 氧化铭(電氣化學工業製、AS-50) (11) 硼化氮(電氣化學工業製、SPG-3) (12) 雙酚A型笨氧基樹脂(新曰鐵化學製、YD_〇2〇H、重 量平均分子量l.〇xl〇4) • (13)雙酚A型笨氧基樹脂(新日鐵化學製、YP-50、重量平 • 均分子量5.〇xl〇4) (14)聚石夕氧樹脂(Momentive Performance 製 ΧΕ 14-Α0425 (A)、聚烷基烯基矽氧烷) 100121560 19 201210810 (15)聚石夕氧樹脂(Momentive Performance 製 XE 14-A0425 (B)、聚烧基氫矽氧烷) (實施例A1) (1) 樹脂清漆之調製 將雙盼A型苯氧基樹脂(三菱化學製、1255、重量平均分 子量4·8χ104)22.0重量%、雙酚a型環氧樹脂(DIC製、850S、 環氧當量190)1〇.〇重量%、雙酚a型環氧樹脂(三菱化學製、 1001、環氧當量475)15.0重量份、2-苯基咪唑(四國化成製 2PZ)1.0重量份、作為矽烷偶合劑之γ•環氧丙氧基丙基三甲 氧基矽烷(信越Silicone製ΚΒΜ-403)2.0重量份、氫氧化鋁 (昭和電工製、ΗΡ-360、粒徑3.0μηι)50.0重量份溶解•混合 於環己嗣’並使用高速攪拌裝置攪拌,取得樹脂組成物以固 形分基準為70重量%的清漆。 (2) 附有樹脂之金屬箔之製作 使用厚度7〇μιη之銅n (古河Circuit F〇u製、GTSMp)作為 金屬羯’並以刮刀塗敷器對銅羯.的粗化面塗佈樹脂清漆,並 以100°C加熱乾燥3分鐘、150〇Cm熱乾燥3分鐘,取得樹 脂厚100/mi之附有樹脂之銅箔。 (3) 金屬系基板之製作 將上述附有樹脂之銅箔與作為金屬板之2ιηιη厚的鋁板貼 合,並以真空加壓機,以加壓壓力3〇kg/cm2且8〇。〇3〇分鐘、 200 C90分鐘之條件下,加壓取得金㈣基板。 100121560 20 201210810 (實施例A2〜All、及比較例A1〜A6) 除了根據表1、及表2記載之配合表調製樹脂清漆以外, 同實施例A1調製樹脂清漆,製作附有樹脂之銅箔、金屬系 基板。 又,關於根據各實施例及比較例所得之金屬系基板,進行 下列之各評估。評估結果示於表1、及表2。 100121560 21 ο 11 2 1Χ20 【Ιι 實施例A 2 23.0 I § 15.0 ρ 50.0 1.57 無異常 無異常 6.70E+11 6.80E+09 00 實施例ΑΙΟ 23.0 § 15.0 ρ 50.0 2.00 無異常 無異常 4.22E+11 3.31E+09 實施例A9 I 23.0 § 15.0 ο 50.0 2.00 |無異常 無異常 2.50E+11 1.50E+09 Γ Η 實施例A8j 20.0 ρ ρ 70.0 8 1.42 |無異常| 無異常 3.41E+11 3.47ΕΉ» 〇\ 實施例A7 I 40.0 P ρ 50.0 1.82 |無異常| 無異常 2.44E+11 3.30E+09 00 汝 實施例A6 ρ Π 16.9 in α; π 50.0 |無異常| 無異常 6.70E+11 9.50E-+09 00 實施例A5 22.0 (N 00 (Ν vd rn 50.0 |無異常| |無異常| 1.27E+11 9.20ΕΉ)9 00 實施例A4 | 22.0 10.0 14.7 ρ Π 50.0 1.60 I無異常 |無異常 8.81E+11 | 3.50Ε·Η)9 00 本 實施例A3 I 12.0 ρ 10.0 50.0 9.50 1.66 |無異常| 無異常1 4.47E+1I 6.60Ε-Κ)9 00 實施例A2 22.0 § 〇 Ο o 50.0 3.50 |無異常| 無異常 4.37E+11 3.30Ε-+Ό9 00 實施例Al 22.0 10.0 15.0 ρ 50.0 1.50 § 無異常 無異常 8.80E+I1 5.70Ε+09 00 ⑴雙酚A型笨氧細脂 (2)雙酚Α型笨氧基樹脂 (3)雙酚Λ型環氧樹脂 (4)雙酚A型環氧樹脂 (5)二仏胺 ⑹細祕清綳脂 (7)2-苯基-米唑 ⑻丫-環氧丙氧基丙基三甲氡基妙炫 (9)氫氧化銘 (10)氧化铭 (11卿化氮 [c-(bxl/100)](wt%) (1)剝離強度(KN/m) (2)焊料耐维前處理) (PCT處理4小時) (3)絕緣電阻測定(ΩΧ無前處理) (PCT處理96小時) (4)熱傳導伽/mK) ⑶加熱周期試驗 ττ s--001 201210810 k< 1比較例Α6 1 23.5 23.5— 〇 Η 50.0 1.50 1.48 無異常 無異常 6.36E+11 2.88E+07 00 产η 比車交例A5 46.0 20.0 30.0 2.00 1.55 無異常 無異常 7.53E+11 2.23Ε-+Ό9 iir 比車交例A4 18.0 29.0 ί 〇 〇 (Ν 50.0 〇 1.34 無異常 無異常 4.48E+11 5.10Ε-+Ό9 〇〇 不良 比較例A3 22.0 10.0 〇 Ρ 丨 50.0 〇 1.69 無異常 無異常 8.53E+11 3.70Ε4Ό7 00 比較例A2 22.0 10.0 〇 50.0 1.50 1.43 無異常 無異常 4.22E+11 4.17E+09 〇〇 不良 比較例A1 17.0 12.0 ρ 12.0 50.0 11.50 1.71 無異常 有膨脹 4.27E+11 3.30Ε-+Ό9 〇〇 (1)雙酚Λ型苯氧基樹脂 (12)雙酚Α型苯氧基樹脂 (13)雙酚A型笨氧基接丨脂 (14)矽烷倾脂 (15)矽烷氧樹脂 (3)雙酚Α型環氧樹脂 (4)雙酚A型環氧樹脂 ⑺2-苯基咪唑 ⑻7 -環氧丙氧基丙基三曱氧基石夕烷 (9)氫氧化铭 [c-(bxl/100)](wt%) ⑴剝離強度(KN/m) (2)焊料耐熱(無前處理) (PCT處理4小時) ⑶絕緣電阻測定(Ω)(無前處理) (PCT處理96小時) (4)熱傳導率(w/mK) (5)加熱周期試驗 ® ·4° t $ lr>09512001^ 201210810 <實施例B> 實施例及比較例中所用之原材料如下。 (1) 又酚A型笨氧基樹脂(三菱化學製、1255、重量平均 分子量4.8xl〇4) (2) 又紛A型笨氧基樹脂(新曰鐵化學製、Yp_55U、重量 平均分子量4.2X104) (3) 雙酚A型環氧樹脂(DIC製、85〇s、環氧當量19〇) (4) 雙酚F型環氧樹脂(DIC製、83〇S、環氧當量170) (5) — 氛二胺(Degusa 製) (6) 2_苯基咪唑(四國化成製、2PZ) ⑺7·%氧丙氧基丙基三甲氧基石浅(信越训…㈣製、 KBM-403) (8) 氧化紹(日本輕金屬冑、LS-210、平均粒徑3.6μηι) (9) 又盼Α型本氧基樹脂(新日鐵化學製、yd_〇2〇h、重 量平均分子量1.0x1 〇4) (1〇)雙酚A型笨氧基樹脂(新日鐵化學製、γρ_5〇、重量平 均分子量5.0x1 〇4) (實施例Β1) (1)樹脂清漆之調製 將雙盼Α型苯氧基樹脂(三菱化學製、1255、重量平均分 子量4测4)6.7重量%、雙紛A型環氧樹脂_製、⑽、 環氧當量190)8.4重量%、二氰二胺㈣咖製)g 4重量%、 100121560 24 201210810 2-笨基咪唑(四國化成製2ΡΖ)0·1重量%、作為矽烷偶合劑之 γ-環氧丙氧基丙基三曱氧基矽烷(信越silicone製 KBM-403)1.0重量%、氧化鋁(日本輕金屬製、LS-210B、粒 徑3.6μιη)83.4重量%溶解•混合於環己酮,並使用高速攪拌 裝置授拌,取得樹脂組成物以固形分基準為70重量%的清 漆。 (2) 附有樹脂之金屬箔之製作 使用厚度70μιη之銅羯(古河Circuit Foil製、GTSMP)作為 金屬箔’並以刮刀塗敷器對銅箔的粗化面塗佈樹脂清漆,並 以100°C加熱乾燥3分鐘、150¾加熱乾燥3分鐘,取得樹 脂厚1 ΟΟμπι之附有樹脂之銅猪。 (3) 金屬系基板之製作 將上述附有樹脂之銅箔與作為金屬板之2mm厚的紹板貼 合’並以真空加壓機,以加壓壓力3〇kg/cm2且8〇°C3〇分鐘、 200°C 90分鐘之條件下’加壓取得金屬系基板。 (實施例B2〜B6、及比較例B1〜B6) 除了根據表3、及表4記載之配合表調製樹脂清漆以外, 同實施例1調製樹脂清漆,製作附有樹脂之銅箔、金屬系基 板。 又,關於根據各實施例及比較例所得之金屬系基板,進行 下列之各評估。評估結果示於表3、及表4。 100121560 25 201210810 【ε<】 實施例Β6 00 G) 83.4 0.07 00 oo 無異常 無異常 4.70Ε+11 I 8.11Ε+09 | 00 (Ν & 實施例Β5 od Ο) 83.4 0.07 1 2.09 |無異常1 無異常 3.24Ε+11 7.63Ε409 00 oi 實施例Β4 〇6 On 83.4 0.07 無異常| 無異常 I 3.33Ε+11 4.43Ε+09 00 CN 實施例Β3 1 Ο) 户·» 83.4 1.07 1 2.13 1 無異常| 1無異常| 5.31Ε+11 4.60Ε-+09 00 <N 實施例Β2 〇 83.4 0.57 Η m」 |無異常| 4.55Ε+11 5.50Ε+09 00 (N |實施例Β1 | 〇 p 83.4 1 017 1 1 2.03 1 L—ϋΙ |無異常| 3.30Ε+11 8.80Ε· 00 CN (1)雙酚Λ型苯氧基樹脂 (2)雙酚Λ型苯氧基樹脂 ⑶雙酚Λ型環氧樹脂 (4)雙酚A型環氧樹脂 (5)二氰二胺 ⑹2-笨基咪唑 ⑺r -環氧丙氧基丙基三甲氧基石夕烷 ⑻氧化鋁 [c—(bxl/100)](wt%) (1)剝離強度(KN/m) (2)焊料耐熱(無前處理) (PCT處理4小時) (3)絕緣電阻測定(Ω)(無前處理) (PCT處理96小時) (4)熱傳導率(W/mK) (5)加熱周期試驗 93 G9--001 201210810 【寸< 比較例B6 1 On Τ—1 *—Η 12.5 83.4 11.67 0.88 有膨脹 有膨脹 3.23E+11 2.23Ε4Ό9 00 Η jsal in CQ 1 〇6 Ο oq 83.4 0.00 I 2.01 無異常 有膨脹 4.24E+11 8.98E-+09 00 <Ν 比較例B4 in Ο ρ 83.4 0.17 (N 無異常 無異常 3.24E+11 7.54E+09 OO Η 不良 比較例B3 S ^ Η Ο ρ 83.4 丨 0.17 1 1.89 無異常 無異常 3.98E+11 3.70E-K)7 oo CN 比較例B2 s C5 ρ 83.4 1 0.17 | L—_—2.13_J 無異常 無異常 4.65E+11 4.33E+09 00 Η 不良 比較例B1 o oo Ο 83.4 -0.33 1.97 無異常 有膨脹 3.23E+11 9.88E刊 9 00 Η (1)雙酚A型苯氧基樹脂 (9)雙酚A型笨氧基尉脂 (10)雙酚A型苯氧基樹脂 (3)雙酚Λ型環氧樹脂 (4)雙酚Λ型環氧樹脂 ⑶二氰二胺 (6)2-苯基咪唑 ⑺7 -環氧丙氧基丙基三曱氧基石夕烷 (8)氧化銘 [c—(bxl/100)](wt%) (1)剝離強度(KN/m) (2)焊料耐熱(無前處理) (PCT處理4小時) (3)絕緣電阻測定(Ω)(無前處理) (PCT處理96小時) (4)熱傳導率(w/mK) (5)加熱周期試驗 起"Φ a 09^moop^ 201210810 (評估方法) 關於上述之各評估’評財法示於下。 (1) 剝離強度 由上述實施例、及比較例所得之金屬系基板製作100mmx 20mm的4驗片’敎坑中金屬系基板與樹脂層的剝離強 度。 另外,剝離強度之測定,係根據JIS c 6481進行。 (2) 焊料财熱性 將所付之金屬糸基板以研磨機锯切成5〇mmx50mm後,以 I虫刻製作僅殘留1/4銅箔的試料,並根據了1!5〇 6481評估。 評估’係在無前處理之情況、和無前處理之情況、與121。匚、 100%、(PCT處理)進行4小時後之情況中,於288°C之焊料 槽中浸潰30秒鐘後調查外觀有無異常。 評估基準:無異常 :有膨脹(全體具有腫脹之場所) (3) 絕緣電阻測定 使用絕緣電阻測定器,測定上述金屬系基板之樹脂層的絕 緣電阻值。 於室溫中對銅箔與鋁板間外加交流電壓,進行測定。以無 前處理測定之情況,及以121°C、100%、(PCT處理)進行96 小時後測定之情況進行2種評估。 (4) 熱傳導率 100121560 28 201210810 以水中取代法測定所得之金屬系基板的密度,又,以 DSC(測定示差掃描熱量)測定比熱,更且,以雷射閃光法測 定熱擴散率。 其次,由下式算出熱傳導率。 熱傳導率(W/m · K)=密度(kg/m3)x比熱(kJ/kg · K)x熱擴 散率(m2/S)xl000 (5)加熱周期試驗 將所得之金屬系佈線基板,以-40°C7分鐘〜+125°C7分鐘 為1周期進行5000次加熱周期試驗後,以顯微鏡觀察焊料 部分有無裂痕。焊料部分發生之裂痕為10%以上者判定為不 良,發生焊料裂痕未滿10%者判定為良好。 評估基準:良好 :不良(裂痕發生率10%以上) 實施例A1〜All及B1〜B6所得之金屬系基板,係金屬板 與樹脂層之密合性、加熱周期特性及絕緣特性之平衡良好的 結果。 本申請係以2010年6月22日申請之日本申請特願 2010-141169號作為基礎主張優先權,並將其全部揭示於此 併入0 100121560 29
Claims (1)
- 201210810 七、申請專利範圍·· 1. 一種樹脂組成物,係在具備金屬板、金屬落、及上述金 屬板與上述金屬箱之間所配置之樹脂層的金屬系基板中形 成上述樹脂層而使用的樹脂組成物,其含有· (A) 重量平均分子量為4Gx1()4〜49x1()4之雙盼a型苯氧基 樹脂; (B) 無機填充劑;以及 (C) 矽烷偶合劑; 相對於上述樹脂組成物合計量1〇〇質量%之上述⑹石夕烧 偶合劑含量定為c質量%, 相對於上述樹脂組成物合計量1〇〇質量%之上述⑻無機 填充劑含量定為b質量%時,滿足 SxlO^-Cbxl/ioox 卜 2. 如申請專利範圍第1頂始 匕固弟丨項之树脂組成物,其中,上述金屬 板為銘板。 3. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物,其中’上述無機 填充劑為虱氧化叙或氧化|呂。 4士.如匕申請補範圍第1項之樹脂組成物,其中,上述苯氧 土树月曰έ昼才目對於上述樹脂組成物合計值·質量%為 10重量%以上且4〇重量%以下。 ‘ 5·如申請專利範圍第1項之樹脂組成物,其中,進一步含 有環氧樹脂。 100121560 30 201210810 6. 如申凊專㈣圍第5項之細旨組成物,其中,上述環氧 樹脂為(D)雙酚a型環氧樹脂。 7. —種金屬系基板,其係具備金屬板、金屬箔、及上述金 屬板與上述金屬落之間所配置的樹脂層, 上述樹脂層為申請專利範圍第1至6項中任一項之樹脂組 成物。 8. 如申請專利範圍第7項之金屬系基板,其中,以121〇c、 濕度100%、96小時條件之PCT處理後之絕緣電阻值/PCT 處理前之絕緣電阻值,為1〇-3以上且忉·1以下。 • 9.一種金屬系基板之製造方法,其係具有: - 準備未經矽烷偶合劑表面處理之金屬板的步驟; 在未經矽烷偶合劑表面處理之金屬板的至少一面上形成 樹脂層的步驟;以及 在上述樹脂層上形成金屬箔的步驟; 上述樹脂層係含有: (A) 重量平均分子量為4 〇xl〇4〜4 9xl〇4之雙酚A型笨氧基 樹脂; (B) 無機填充劑;以及 二 (C)矽烷偶合劑; • 相對於上述樹脂組成物之合計量100質量%之上述(C)矽 烧偶合劑含量定為c質量%, 相對於上述樹脂組成物之合計量丨〇〇質量%之上述(B)無 100121560 201210810 機填充劑含量定為b質量%時,滿足 5xUT2<c-(bxl/100)<ll。 10.如申請專利範圍第9項之金屬系基板之製造方法,其 中, 上述(B)無機填充劑含有平均粒徑D5Q為3μηι以上且5/rni 以下的單分散氧化鋁。 100121560 32 201210810 四、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:無 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: 無 五、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式: 無 100121560 3
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010141169 | 2010-06-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201210810A true TW201210810A (en) | 2012-03-16 |
Family
ID=45371109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW100121560A TW201210810A (en) | 2010-06-22 | 2011-06-21 | Resin composition to use for the formation of the resin layer constituting a metal base substrate, metal base substrate and manufacturing method of the metal base substrate |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5821845B2 (zh) |
| KR (1) | KR20130088762A (zh) |
| CN (1) | CN102947390B (zh) |
| MY (1) | MY160986A (zh) |
| TW (1) | TW201210810A (zh) |
| WO (1) | WO2011161902A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101996113B1 (ko) | 2012-03-30 | 2019-07-03 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 수지 조성물, 프리프레그 및 적층판 |
| JP6451867B2 (ja) * | 2015-11-20 | 2019-01-16 | 住友ベークライト株式会社 | 金属ベース基板、回路基板および発熱体搭載基板 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100235082B1 (ko) * | 1995-04-04 | 1999-12-15 | 우찌가사끼 이사오 | 접착제, 접착 필름 및 접착제-부착 금속박 |
| JP4890063B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2012-03-07 | 新日鐵化学株式会社 | 樹脂組成物、並びにこの樹脂組成物を用いて得たワニス、フィルム状接着剤及びフィルム状接着剤付き銅箔 |
| CN101437914B (zh) * | 2006-05-09 | 2012-12-12 | 日立化成工业株式会社 | 粘接片、使用其的电路构件的连接结构及半导体器件 |
| JP2009231249A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Sekisui Chem Co Ltd | 絶縁シート及び積層構造体 |
| WO2009031536A1 (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-12 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | 絶縁シート及び積層構造体 |
-
2011
- 2011-06-15 KR KR1020127034091A patent/KR20130088762A/ko not_active Withdrawn
- 2011-06-15 WO PCT/JP2011/003402 patent/WO2011161902A1/ja not_active Ceased
- 2011-06-15 JP JP2012521296A patent/JP5821845B2/ja active Active
- 2011-06-15 MY MYPI2012004695A patent/MY160986A/en unknown
- 2011-06-15 CN CN201180030483.4A patent/CN102947390B/zh active Active
- 2011-06-21 TW TW100121560A patent/TW201210810A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MY160986A (en) | 2017-03-31 |
| JPWO2011161902A1 (ja) | 2013-08-19 |
| KR20130088762A (ko) | 2013-08-08 |
| CN102947390B (zh) | 2018-06-22 |
| CN102947390A (zh) | 2013-02-27 |
| JP5821845B2 (ja) | 2015-11-24 |
| WO2011161902A1 (ja) | 2011-12-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI616334B (zh) | 樹脂組成物、以及使用該樹脂組成物而成之樹脂薄片、預浸體、積層板、金屬基板、印刷線路板及功率半導體裝置 | |
| JP5738274B2 (ja) | 耐熱用接着剤 | |
| JP5761639B2 (ja) | 接着剤樹脂組成物、その硬化物、及び接着剤フィルム | |
| JP5870934B2 (ja) | 金属ベース回路基板の製造方法 | |
| TWI458777B (zh) | 樹脂組成物,附有樹脂之金屬箔,附有基材之絕緣片材及多層印刷佈線板 | |
| TW201240825A (en) | Multilayer resin sheet, resin sheet laminate, cured multilayer resin sheet and method of producing the same, multilayer resin sheet having metal foil, and semiconductor device | |
| TW201109359A (en) | Resin composition, resin sheet, prepreg, metal-clad laminate, printed wiring board and semiconductor device | |
| TW201004500A (en) | Resin sheet having copper layer, multilayer printed board, process for manufacturing multilayer printed board, and semiconductor device | |
| TW201335260A (zh) | 樹脂硬化物與半硬化樹脂膜及其製造方法、樹脂組合物 | |
| TW200404088A (en) | Resin composition with excellent dielectric characteristics, process for producing resin composition, varnish prepared from the same, process for producing the same, prepreg made with these, and metal-clad laminate | |
| TW201008987A (en) | Prepreg comprising thin layer quartz glass cloth, and wiring plate using the same | |
| TW201311789A (zh) | 樹脂組成物,樹脂薄片,樹脂薄片硬化物,附樹脂之金屬箔及散熱構件 | |
| JPWO2019111978A1 (ja) | 窒化物系セラミックス樹脂複合体 | |
| TW201245295A (en) | Resin composition sheet, resin composition sheet with metallic foil attached, metal base printed wiring board material, metal base printed wiring board, and LED optical source member | |
| TW201629116A (zh) | 環氧樹脂組成物、樹脂薄片、預浸體、積層板、環氧樹脂組成物的製造方法、及硬化物 | |
| JP2008297429A (ja) | 接着剤組成物、接着剤シートおよび接着剤つき銅箔 | |
| JP5888584B2 (ja) | 樹脂組成物、樹脂シート、プリプレグシート、樹脂硬化物シート、構造体、および動力用又は光源用半導体デバイス | |
| JPWO2012039324A1 (ja) | 熱伝導性樹脂組成物、樹脂シート、樹脂付金属箔、樹脂シート硬化物及び放熱部材 | |
| JP2021091783A (ja) | 組成物、硬化物、多層シート、放熱部品、並びに電子部品 | |
| JP6487829B2 (ja) | 熱伝導性熱硬化型接着剤組成物及び熱伝導性熱硬化型接着シート | |
| TW201210810A (en) | Resin composition to use for the formation of the resin layer constituting a metal base substrate, metal base substrate and manufacturing method of the metal base substrate | |
| JP2019112633A (ja) | 熱硬化性樹脂充填材、その硬化物および多層プリント配線板 | |
| JP2025103021A (ja) | 樹脂組成物層の製造方法、該製造方法で得られた樹脂組成物層及び該樹脂組成物層を含む複合成形体 | |
| JP2021091784A (ja) | 硬化物、多層シート、放熱部品、並びに電子部品 | |
| JP2012025914A (ja) | 樹脂組成物、樹脂付き金属箔、及び金属ベース基板 |