TW201212064A - Permanent magnet and manufacturing method for permanent magnet - Google Patents

Description

201212064 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種永久磁石及永久磁石之製造方法。 【先前技術】 近年來，對於油電混合車或硬碟驅動器等中使用之U 磁石電動機而言，要求小型輕量化、高輸出化及高效率 化。而且，於上述永久磁石電動機實現小型輕量化、高輸 出化及高效率化時，對埋設於永久磁石電動機中之永久磁 石而言，要求薄膜化及磁特性之進一步提高。再者，作為 永久磁石’有鐵氧體磁石、Sm_c〇系磁石、Nd_Fe_B系磁 石、Sm2Fei7Nx系磁石#，尤其係殘留磁通密度較高之脉 Fe-B系磁石適於作為永久磁石電動機用之永久磁石。 於此’作為永久磁石之製造方法，通常係使用粉末燒結 法°於此’粉末燒結法係首先„材料進行粗粉碎，並利 用喷射磨機（乾式粉碎）製造已微粉碎之磁石粉末。其後， 將該磁石粉末放人模具…面自外部施加磁場，一面擠壓 成形為所需之形狀。繼而，將成形為所需形狀之固形狀之 磁石粉末以特定溫度（例如Nd_Fe_B系磁石為8〇〇t〜丨丨5〇〇C ) 進行燒結，藉此製造永久磁石。 b另方面，Nd-Fe-B等Nd系磁石存在耐熱溫度較低之問 題。因此，於將>^系磁石使用於永久磁石電動機之情形 時，若使該電動機連續驅動，則會導致磁石之保磁力或殘 留磁通密度逐漸下降。因此’於將Nd系磁石使用於永久磁 電動機之情形時，為提高Nd系磁石之耐熱性，添加磁各 155038.doc 201212064 :異性較…y(鏑)或Tbw’以進一步提高磁石之保磁 方面亦考慮不使用Dy或Tb而提高磁石之保磁力 之方法。例如，眾所周知對於永久磁石之磁特性而言，由 於磁石之磁特性係根據單磁疇微粒子理論而導出，故若使 燒結體之晶體粒徑變微小，則基本上會提高磁性能。於 此，為了使燒結體之晶體粒徑變微小，需要使燒結前之磁 石原料之粒㈣微小。然而，即便成形並燒結已微粉碎成 微小粒徑之磁石原才斗’燒結時亦會產生磁石粒子之晶粒成 長，故燒結後之燒結體之晶體粒徑變得大於燒結前，無法 實現微小之晶體粒徑。而且，若晶體粒徑變大，則粒内產 生之磁壁容易移動，故而保磁力顯著下降。 因此，作為抑制磁石粒子之晶粒成長之手段，考慮到將 抑制磁石粒子之晶粒成長之材料（以下，稱作晶粒成長抑 制劑）添加至燒結前之磁石原#的方法。根據該方法，例 如由具有#父燒結溫度更高之熔點之金屬化合物等晶粒成長 抑制劑覆蓋燒結前之磁石粒子之表面，藉此可抑制燒結時 之磁石粒子之晶粒成長。例如，於日本專利特開2004_ 250781號公報中，將磷作為晶粒成長抑制劑而添加至磁石 粉末。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]曰本專利第3298219號公報（第4頁、第5頁） [專利文獻2]日本專利特開2〇〇4 25〇781號公報（第 155038.doc 201212064 頁、圖2) 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 然而’如上述專利文獻2所示，若藉由預先使晶粒成長 抑制劑包含於磁石原料之鑄錠内而添加至磁石粉末，則晶 粒成長抑制劑係於燒結後擴散到磁石粒子内而不位於磁石 粒子之表面。其結果，無法充分抑制燒結時之晶粒成長， 又，亦成為磁石之殘留磁通密度下降之原因。又，即便藉 由抑制晶粒成長而可使燒結後之各磁石粒子變微小，若燒 結後之各磁石粒子成為緻密狀態，則認為各磁石粒子之間 傳播交換相互作用。其結果’存在於自外部施加磁場之情 形時’容易產生各磁石粒子之磁化反轉而使得保磁力下降 之問題。 又’亦考慮將晶粒成長抑制劑以分散至有機溶劑中之狀 態添加至Nd系磁石，藉此使晶粒成長抑制劑偏在配置於磁 石之晶界。然而，通常若將有機溶劑添加至磁石，則即便 藉由隨後進行真空乾燥等而使有機溶劑揮發，亦會使〇含 有物殘留於磁石内。於此，自先前眾所周知若c含有物殘 留於Nd系磁石中’則燒結時會對磁石造成不良影響。其原 因在於Nd與被之反應性非常咼，若燒結步驟中匚含有物殘 留到向溫為止，則會形成碳化物。其結果，存在因所形成 之碳化物而於燒結後之磁石之主相與晶界相之間產生空 隙’無法敏Φ地燒結磁石整體’使得磁性能顯著下降的問 題。又，即使於未產生空隙之情形時，亦存在因所形成之 155038.doc 201212064 碳化物而於燒結後之磁石之主相内析出aFe，使得磁石特 性大幅下降之問題。因此’考慮於對磁石進行燒結之前， 於氫氣環境下進行預燒處理’藉此使C含有物熱分解而燒 去所含之碳的技術。然而，存在藉由上述預燒處理而預燒 之Nd系磁石中生成活性度較高之NdH3而容易與氧結合之 問題。 本發明係為解決上述先前之問題點開發而成者，其目的 在於提供一種永久磁石及永久磁石之製造方法，可使有機 金屬化合物中所含之v、Mo、Zr、Ta、Ti、w*Nb有效偏 在配置於磁石之晶界，並且降低藉由預燒處理而活化之預 燒體之活性度，藉此防止隨後磁石粒子與氧結合，且不會 降低殘留磁通密度或保磁力。 [解決問題之技術手段] 為達成上述目的’本發明之永久磁石之特徵在於其係藉 由如下步驟製造而成：將磁石原料粉碎成磁石粉末；於上 述已粉碎之磁石粉末中添加由以下結構式式中， Μ係V、Mo、Zr、Ta、卩、琛或灿，r係含有烴之取代 基既可為直鍵亦可為支鍵，χ係任意之整數）所表示之有 機金屬化合物’藉此使上述有機金屬化合物附著於上述磁 ’末之粒子表面’將粒子表面上附著有上述有機金屬化 合物之上述磁石粉末於氫氣環境下進行預燒而獲得預燒 體’於真空氣體環境下加熱上述預燒體，藉此進行脫氮處 藉由將上述經脱氫處理之上述預㈣成形㈣成成形 體，以及對上述成形體進行燒結。 155038.doc 201212064 又，本發明之永久磁石之特徵在於，形成上述有機金屬 化合物之金屬係於燒結後偏在於上述永久磁石之晶界。 又’本發明之永久磁石之特徵在於，上述結構式M_ (〇R)x2R係烷基。 又，本發明之永久磁石之特徵在於，上述結構式M_ (〇R)x之R係碳數為2〜6之烷基中之任一者。 又，本發明之永久磁石之特徵在於，燒結後所殘存之碳 量為0.15 wt。/❶以下。 又本發明之永久磁石之特徵在於，對上述成形體進行 預燒之步驟係於200t〜90(TC之溫度範圍内將上述成形體 保持特定時間。 又’本發明之永久磁石之特徵在於’進行上述脫氫處理 之步驟係於真空氣體環境下以2〇〇t〜600t之溫度範圍將 上述磁石粉末保持特定時間。 又’本發明之永久磁石之製造方法之特徵在於包含如下 步驟：將磁石原料粉碎成磁石粉末；於上述已粉碎之磁石 粉末中添加由以下結構式M_(0R)x(式中，Μ係v、M〇、 Zr、Ta、Ti、W或Nb，R係烷基，既可為直鏈亦可為支 鏈，X係任意之整數）所表示之有機金屬化合物，藉此使上 述有機金屬化合物附著於上述磁石粉末之粒子表面；將粒 子表面上附著有上述有機金屬化合物之上述磁石粉末於氫 氣環境下進行預燒而獲得預燒體；於減壓氣體環境下加熱 上述預燒體’藉此進行脫氫處理；藉由將上述經脫氫處理 之上述預燒體成形而形成成形體；以及對上述成形體進行 155038.doc

I 201212064 燒結。 又，本發明之永久磁石之製造方法之特徵在於，上述結 構式M-(OR)x2R係烷基。 又，本發明之永久磁石之製造方法之特徵在於，上述結 構式M-(OR)x2R係碳數為2〜6之烷基中之任一者。 又，本發明之永久磁石之製造方法之特徵在於，對上述 磁石粉末進行預燒之步驟係於200t:〜9〇〇。〇之溫度範圍内 將上述磁石粉末保持特定時間。 進而’本發明之永久磁石之製造方法之特徵在於，進行 上述脫氫處理之步驟係於真空氣體環境下以2〇〇t〜6〇〇。〇 之溫度範圍將上述磁石粉末保持特定時間。 [發明之效果] 根據具有上述構成之本發明之永久磁石’可使有機金屬 化合物中所含之V、Mo、Zr、Ta、Ti、W4Nb有效偏在於 磁石之晶界。其結果’可抑制燒結時之磁石粒子之晶粒成 長’並且可藉由切斷磁石粒子間之交換相互作用而阻礙各 磁石粒子之磁化反轉’從而提高磁性能。又，可使V、 Mo、Zr、Ta、Ti、W或Nb之添加量少於先前，因此可抑制 殘留磁通密度之下降。又，於預燒處理後進行脫氫處理， 藉此可降低藉由預燒處理而活化之預燒體之活性度。藉 此’防止隨後磁石粒子與氧結合，且不會降低殘留磁通密 度或保磁力。 又’根據本發明之永久磁石，作為高熔點金屬之V、 Mo ' Zr、Ta、Ti、W或Nb在燒結後係偏在於磁石之晶界， 155038.doc 201212064 因此偏在於晶界之V、Mo、Zr、Ta、Ti、W或Nb可抑制燒 結時之磁石粒子之晶粒成長，並且藉由切斷燒結後之磁石 粒子間之交換相互作用而阻礙各磁石粒子之磁化反轉，從 而提高磁性能》 又，根據本發明之永久磁石，由於使用含有烷基之有機 金屬化合物作為添加至磁石粉末之有機金屬化合物，因此 於氫氣環境下將磁石粉末進行預燒時，可容易進行有機金 屬化合物之熱分解。其結果，可更確實地減少預燒體中之 碳量。 又，根據本發明之永久磁石，由於使用含有碳數為2〜6 之烷基之有機金屬化合物作為添加至磁石粉末之有機金屬 化合物，因此於氫氣環境下將磁石粉末進行預燒時，可於 低溫下進行有機金屬化合物之熱分解。其結果，對於磁石 粉末整體而言可更容易進行有機金屬化合物之熱分解。 即’藉由預燒處理，可更確實地減少預燒體中之碳量。 又，根據本發明之永久磁石，由於燒結後所殘存之碳量 為0.15 wt%以下，因此於磁石之主相與晶界相之間不會產 生空隙，又，可設為緻密地燒結磁石整體之狀態，且可防 止殘留磁通密度下降。又，於燒結後之磁石之主相内不會 析出很多aFe ’不會大幅度降低磁石特性。 又，根據本發明之永久磁石，由於將成形體進行預燒之 步驟係藉由於200。〇〜90(rc之溫度範圍内將成形體保持特 定時間而進行，因此可使有機金屬化合物確實地進行熱分 解而燒去必要量以上之所含碳。 155038.doc 201212064 又，根據本發明之永久磁石，由於進行脫氫處理之步驟 係藉由於200。(：〜600°C之溫度範圍内將磁石粉末保持特定 時間而進行，因此即便於進行氫中預燒處理之Nd系磁石中 生成活性度較高2NdH3之情形時，亦不殘留地而可過渡到 活性度較低之NdH2 » 又，根據本發明之永久磁石之製造方法，可製造使有機 金屬化合物中所含之v'Mo、Zr、Ta、Ti、w_b有效偏 在於磁石之晶界的永久磁石。其結果，於所製造之永久磁 石中，可抑制燒結時之磁石粒子之晶粒成長，並且可藉由 切斷磁石粒子間之交換相互作用而阻礙各磁石粒子之磁化 反轉，從而提高磁性能。又，可使v、M〇、zr、Ta、Ti、 w或Nb之添加量少於先前，因此可抑制殘留磁通密度之下 降。又，於預燒處理後進行脫氣處理，藉此可降低藉由預 燒處理而活化之預燒體之活性度。藉此，防止隨後磁石粒 子與氧結合，且不會降低殘留磁通密度或保磁力。 又’根據本發明之永久磁石之製造方法，由於使用含有 =基之有機金屬化合物作為添加至磁石粉末之有機金屬化 口物’因此於氫氣環境下將磁石粉末進行預燒時，可容易

Si:機金屬化合物之熱分解。其結果，可更確實地減少 預燒體中之碳量。 m 永久磁石之製造方法，由於使用含有 IS 基之有機金屬化合物作為添加至磁石粉末 =機金屬化合物’因此於氫氣環境下將磁石粉末進行預 以，可於璧下進行有機金屬化合物之熱分解。其結 155038.doc 201212064 果，對於磁石粉末整體而言可更容易進行有機金屬化合物 …、刀解。即，藉由預燒處理，可更確實地減少預燒體t 之碳量。 又，根據本發明之永久磁石之製造方法，由於將成形體 進仃預燒之步驟係藉由於200〇C〜900eC之溫度範圍内將成 形體保持特定時間而進#，因&可使有機金屬&合物確實 地進行熱分解而燒去必要量以上之所含碳。 進而，根據本發明之永久磁石之製造方法，由於進行脫 氫處理之步驟係藉由於2〇〇°C〜600°C之溫度範圍内將磁石 籾末保持特定時間而進行，因此即便於進行氫中預燒處理 之Nd系磁石中生成活性度較高之NdH3之情形時，亦不殘 留地而可過渡到活性度較低2NdH2。 【實施方式】 以下，關於本發明之永久磁石及永久磁石之製造方法經 具體化之貫施形態’下面參照圖式而進行詳細說明。 [永久磁石之構成] 首先，對本發明之永久磁石1之構成進行說明。圖丨係表 示本發明之永久磁石1之整體圖。再者，圖1所示之永久磁 石1具有圓柱形狀，但永久磁石丨之形狀係隨著成形時使用 之模腔之形狀而變化。 作為本發明之永久磁石1 ’例如使用Nd-Fe-B系磁石。 又’於形成永久磁石1之各晶體粒子之界面（晶界）’偏在有 用以提咼永久磁石1之保磁力之;Mb(銳）、V(飢）、Mo(鉬）、 Zr(錯）、Ta(|S )、Ti(鈦）或W(鶴再者，將各成分之含量 155038.doc -11 · 201212064 設為如下，即，Nd:25~37 wt%，Nb、V、Mo、Zr、Ta、 Ti、W之任一者（以下稱作Nb等）：o.oi〜5 wt%，B:1〜2 wt°/〇，Fe(電解鐵）：60-75 wt°/〇。又，為提高磁特性，亦可 少量含有Co、Cu、A卜Si等其他元素》 具體而言’於本發明之永久磁石1中，如圖2所示於構成 永久磁石1之Nd晶體粒子1 〇之晶體粒之表面部分（外殼）， 生成由作為高熔點金屬之Nb等取代Nd之一部分而成之層 11(以下，稱作高熔點金屬層u)，藉此使]^5等偏在於 體粒子1 0之晶界。圖2係將構成永久磁石i之Nd晶體粒子1 〇 放大表示之圖。再者，高熔點金屬層u較佳為非磁性。 於此，於本發明中，Nb等之取代係如下所述藉由於將已 粉碎之磁石粉末進行成形之前添加含有]^1)等之有機金屬化 合物而進行《具體而言，於將添加有含有Nb等之有機金屬 化合物之磁石粉末進行燒結時，藉由濕式分散而均勻附著 於Nd晶體粒子1〇之粒子表面之該有機金屬化合物十之 等，向Nd晶體粒子1〇之晶體成長區域擴散滲入而進行取 代，形成圖2所示之高熔點金屬層u。再者，體粒子 10包含例如Nc^Fe^B金屬間化合物，高熔點金屬層丨丨包含 例如NbFeB金屬間化合物。 又於本發明中，尤其是如下所述將由M_(〇R)x(式中， Μ係V、Mo、Zr、Ta、丁卜…或·，r係含有烴之取代 基’既可為直鍵亦可為支鏈，χ係任意之整數）所表示之含 有等之有機金屬化合物（例如，乙醇銳、正丙醇銳、正 丁醇銳、JL己醇銳等）添加至有機溶劑中，並於濕式狀態 155038.doc •12· 201212064 下混合於磁石粉末。藉此，使含有Nb等之有機金屬化合物 分散至有機溶劑中’從而可使含有Nb等之有機金屬化合物 均勻附著於Nd晶體粒子1〇之粒子表面。 於此，作為滿足上述M_(〇R)x(式中，v、M〇、Zr、 Ta Τι、W或Nb，R係含有烴之取代基，既可為直鏈亦可 為支鏈，X係任意之整數）之結構式之有機金屬化合物，有 金屬醇鹽。金屬醇鹽係由通式M(〇R)n(M :金屬元素，r : 有機土 η.金屬或半金屬之價數）所表示。又，作為形成 金屬醇鹽之金屬或半金屬，可列舉W、Mo、V、Nb、Ta、 Tl、&、卜、Fe、Co、犯 ' Cu、Zn、Cd、A卜 Ga、In、 Sb、Y、鑭系等。其中，於本發明中，尤其係宜使用 问溶點金屬。進而，如下所述根據防止燒結時之與磁石之 主相之相互擴散之目的，於高熔點金屬中，尤其宜使用 V、Mo、Zr、Ta、Ti、w或 Nb。 子於醇之種類，並無特別限定，例如可列舉曱醇 -乙醇鹽、丙醇鹽、異丙醇鹽、丁醇鹽、碳數為*以上 ^鹽等。其中，於本發明中，如下所述根據利用低溫分 抑制殘碳之目的，而使用低分子量者。又，由於碳數為 之甲醇鹽容易分解且難以操作，因此尤其宜使用R中所含 ^碳數為2〜6之醇鹽即乙醇鹽、f醇鹽、異丙醇鹽、丙醇 二丁：鹽等。即，於本發明卜尤其是作為添加至磁石 中，Μ係V機tf屬化合物’較理想的是使用*M-(〇R)X(式 為直鏈才可為Γ ^hΉ、MNb ’ R係燒基，既可 ‘·.、鏈亦了為支鏈’X係任意之整數）所表示之有機金屬化 155038.doc •13· 201212064 合物，更佳為使用由M-(OR)x(式中，μ係V、Mo、Zr、 Ta、Ti、W或Nb，R係碳數為2〜6之烷基之任一者，既可為 直鏈亦可為支鏈，X係任意之整數）所表示之有機金屬化合 物。 又’若於適當之煅燒條件下煅燒藉由壓粉成形所成形之 成形體，則可防止Nb等擴散滲透（固溶化）至Nd晶體粒子1〇 内。藉此’於本發明中，即便添加Nb等，亦可使Nb等在 燒結後僅偏在於晶界。其結果，晶體粒整體（即，作為燒 結磁石整體）成為核心之NchFe^B金屬間化合物相佔較高 之體積比例之狀態。藉此，可抑制該磁石之殘留磁通密度 (將外部磁場之強度設為〇時之磁通密度）之下降。 又，通常，若燒結後之各Nd晶體粒子1〇成為緻密狀態， 則為各Nd晶體粒子1 〇之間傳播交換相互作用。其結果， 於自外部施加磁場之情形時，容易產生各晶體粒子之磁化 反轉，即便假設可將燒結後之晶體粒子分別設為單磁_結 構，保磁力亦下降。然而，於本發明中，藉由塗佈於Nd晶 體粒子10之表面之非磁性之高熔點金屬層U，切斷Nd晶體 粒子10間之交換相互作用，即便於自外部施加磁場之情形 時’亦可阻礙各晶體粒子之磁化反轉。 又，塗佈於Nd晶體粒子10之表面之高熔點金屬層u係亦 作為於永久磁石〗之燒結時抑制Nd晶體粒子1〇之平均粒徑 增大之所謂晶粒成長的手段發揮作用。以下，對藉由高熔 點金屬層11抑制永久磁石丨之晶粒成長之機構，使用圖3進 行說明。圖3係表示強磁體之磁疇結構之模式圖。 155038.doc 201212064 通常，因殘留於晶體與另-晶體間之非連續之邊界面即 晶界具有過剩能量，故而於高溫下引起欲降低能量之晶界 移動。因此，若於高溫（例如Nd_Fe_B系磁石為8〇〇。〇〜 ⑴〇°〇下進行磁石原料之燒結，則產生㈣、之磁石粒子進 行收縮而消失且剩餘之磁石粒子之平均粒徑增大之所謂晶 粒成長。 於此，於本發明中，藉由添加由m_(〇r)x(式中，Μ係 ν、Mo、Zr、Ta、Ti、_Nb，R係含有烴之取代基既 可為直鏈亦可為支鏈，x係任意之整數）所表示之有機金屬 化合物，從而如圖3所示使作為高熔點金屬之Nb等偏在於 磁：粒子之界面。而且’藉由該經偏在之高熔點金屬，阻 礙高溫時產生之晶界之移動，可抑制晶粒成長。 又較理想的疋將Nd晶體粒子1 〇之粒徑d設為〇.2 μπι 1.2 μηι、較佳設為〇 3㈣左右。又，若高溶點金屬層 11之厚度d為2 nm左右，則可抑制燒結時之則磁石粒子之 晶粒成長，又，可切斷^^1晶體粒子1〇間之交換相互作用。 但是’若冑溶點金屬層U之厚度仏大，則不表現磁性之 非磁!·生成分之含有率增加，因此會使殘留磁通密度下降。 再者，作為使高熔點金屬偏在於體粒子1〇之晶界之 構成，亦可設為如圖4所示使包含高熔點金屬之粒12散佈 於Nd sa體粒子丨〇之晶界之構成。即便係圖*所示之構成， 亦可獲得相同之效果（晶粒成長抑制、交換相互作用之切 斷）再者，使向熔點金屬如何偏在於Nd晶體粒子1 〇之晶 界係可藉由例如SEM(Scanning E】ectr〇n Micr〇sc〇pe，掃描 155038.doc • 15· 201212064 式電子顯微鏡）或 TEM(Transmission Electron Microscope， 穿透式電子顯微鏡）或三維原子探針法（3D Atom Probe method)而確認。 又，高熔點金屬層11並非必須為僅由Nb化合物、V化合 物、Mo化合物、Zr化合物、Ta化合物、Ti化合物或W化合 物（以下，稱作Nb等化合物）構成之層，亦可為包含Nb等化 合物與Nd化合物之混合體之層。於該情形時，添加Nd化 合物，藉此形成包含Nb等化合物與Nd化合物之混合體之 層。其結果，可促進Nd磁石粉末之燒結時之液相燒結。再 者，作為需添加之Nd化合物，較理想的是NdH2、乙酸鈦 水合物、乙醯丙酮鈦（III)三水合物、2-乙基己酸鈥（III)、 六氟乙醯丙酮鈥（III)二水合物、異丙醇鈦、磷酸鈦（ΙΙΙ)η水 合物、三氟乙醯丙酮鈦、三氟曱烷磺酸鈦等。 [永久磁石之製造方法1] 其次，對本發明之永久磁石1之第1製造方法，使用圖5 進行說明。圖5係表示本發明之永久磁石1之第1製造方法 中之製造步驟之說明圖。 首先，製造包含特定分率之Nd-Fe-B(例如Nd:32.7 wt0/。，Fe(電解鐵）：65.96 wt%，B:1.34 wt%)之鑄錠。其 後，藉由搗碎機或粉碎機等而將鑄錠粗粉碎成200 μιη左右 之大小。或者，溶解鑄敍·，利用薄片連鑄法（Strip Casting Method)製作薄片，利用氫壓碎法進行粗粉化。 接著，於⑷氧含量實質上為0%之包含氮氣體、Ar氣 體、He氣體等惰性氣體之氣體環境中，或者（b)氧含量為 155038.doc -16- 201212064 〇._卜0.5%之包含氮氣體、Ar氣體、心氣體等惰性氣體 之氣體環境中，將已粗粉碎之磁石粉末利用喷射磨機41進 行微粉碎，設為具有特定尺寸以下（例如，〇」μβι〜5 〇 之平均粒祖之微粉末。再者，所謂氧濃度實質上為〇%， 並不限定於氧濃度完全為0。/。之情形，亦可表示含有於微 粉之表面上極少量地形成氧化覆膜之程度之量的氧。

另一方面，製作利用喷射磨機41進行微粉碎之微粉末中 需添加之有機金屬化合物溶液。於此，於有機金屬化合物 /谷液中預先添加含有Nb等之有機金屬化合物並使其溶解。 再者，作為需溶解之有機金屬化合物，較理想的是使用相 當於 M-(〇R)x(式中 ’ Μ係 V、Mo、Zr、Ta、Ti、W或 Nb，R 係碳數為2〜6之烷基之任一者，既可為直鏈亦可為支鏈，χ 係任意之整數）之有機金屬化合物（例如，乙醇鈮、正丙醇 鈮、正丁醇鈮、正己醇鈮等）。又，對於需溶解之含有Nb 荨之有機金屬化合物之1，並無特別限制，但較佳將Nb等 相對燒結後之磁石之含量設為〇_〇〇1 wt%〜1() wt%、較佳為 〇·〇1 wt°/。〜5 Wt%之量。 接著，向利用噴射磨機41分級之微粉末添加上述有機金 屬化合物溶液。藉此，生成磁石原料之微粉末與有機金屬 化合物溶液混合而成之漿料42。再者，有機金屬化合物溶 液之添加係於包含氮氣體、Ar氣體、He氣體等惰性氣體之 氣體環境下進行。 其後，將所生成之漿料42於成形之前藉由真空乾燥等事 刚進行乾燥’取出已乾燥之磁石粉末43。其後，藉由成形 155038.doc •17· 201212064 裝置50而將已乾燥之磁石粉末塵粉成形為特定形狀。再 者’ ^粉成形時，存在將上述已乾操之微粉末填充至模 腔之乾式法、以及利用溶劑等製成榮料狀後填充至模腔之 濕式法，於本發明中，例示使用乾式法之情形。又，亦可 使有機金屬化合物溶液於成形後之煅燒階段揮發。 如圖5所示，成形裝置5G包括圓筒狀之鑄模Η、相對於 鑄模51沿上下方向滑動之下衝頭52、以及相對於相同之禱 模51沿上下方向滑動之上衝頭53，由該等包圍之空間構成 模腔5 4。 又’於成形裝置5G中，將-對磁場產生線圈55、％配置 於模腔54之上下位置，對填充至模腔54之磁石粉末“施加 磁力線。將需施加之磁場設為例如j MA/m ^ 繼而，於進荇壓粉成形時，首先將已乾燥之磁石粉末43 填充至模腔54。其後，驅動下衝頭52及上衝頭53，對填充 至模腔54之磁石粉末43沿箭頭61方向施加壓力而使其成 形。又’於加壓之同時’對填充至模腔54之磁石粉末43’ 藉由磁場產生線圈55、56沿與加壓方向平行之箭頭62方向 施加脈衝磁場《藉此，沿所需之方向定向磁場。再者，定 向磁場之方向係必須考慮對由磁石粉末43成形之永久磁石 1要求之磁場方向而決定。 又’於使用濕式法之情形時’亦可一面對模腔54施加磁 場’ 一面注入漿料’於注入途中或注入結束後，施加較最 初磁場更強之磁場而進行濕式成形。又，亦可以使施加方 向垂直於加壓方向之方式，配置磁場產生線圈55、56。 155038.doc • 18 · 201212064 其次，於氫氣環境下以200°C〜90(TC、更佳為以4〇〇<5(> 900t (例如6〇〇°C)將藉由壓粉成形所成形之成形體7ι保持 數小時（例如5小時），藉此進行氫中預燒處理。將預燒中之 氫供給量設為5 L/min。於該氫中預燒處理中，進行使有 機金屬化合物熱分解而減少預燒體中之碳量之所謂脫碳 (decarbonizing)。又，氫中預燒處理係於使預燒體中之碳 量為0.1 5 wt%以下、更佳為〇· 1 wt%以下之條件下進行。藉 此’藉由隨後之燒結處理而可緻密地燒結永久磁石i整 體，不會降低殘留磁通密度或保磁力。 於此，存在藉由上述氫中預燒處理進行預燒之成形體71 中存在NdH3而容易與氧結合之問題，但於第1製造方法 中，成形體71係於氫預燒後不與外部氣體相接觸地移至下 述煅燒，故而不需要脫氳步驟。於煅燒中，脫去成形體中 之氫。 接著，進行將藉由氫中預燒處理進行預燒之成形體71進 行燒結之燒結處理。再者，作為成形體71之燒結方法，除 一般之真空燒結以外，亦可利用將成形體71加壓之狀態下 進行燒結之加壓燒結等。例如，於利用真空燒結進行燒結 之情形時，以特定之升溫速度升溫至8〇(rc~1〇8(rc左右為 止，並保持2小時左右。此期間成為真空煅燒，但真空度 較佳設為1〇·4 T〇rr以下。其後進行冷卻，並再次以600〇C〜 l〇〇〇t：進行熱處理2小時。繼而，燒結之結果，製造永久 磁石1。 另一方面，作為加壓燒結，例如有熱壓燒結、熱均壓 155038.doc -19- 201212064 (HIP ’ Hot Isostatic Pressing)燒結、超高壓合成燒結氣 體加壓燒結、放電等離子（SPS，Spark p〗asma Sintedng^ 結等。其中，為抑制燒結時之磁石粒子之晶粒成長並且抑 制燒結後之磁石中產生之翹曲，較佳為利用沿單轴方向加 壓之單軸加壓燒結且藉由通電燒結進行燒結之SPS燒結。 再者，於利用SPS燒結進行燒結之情形時，較佳為將加壓 值设為30 MPa，於數Pa以下之真空氣體環境下以1〇£>c/min 上升至940°C為止，其後保持5分鐘。其後進行冷卻，並再 次以600。(：〜1000。(：進行熱處理2小時。繼而，燒結之結 果，製造永久磁石1。 [永久磁石之製造方法2] 其次，對本發明之永久磁石1之其他製造方法即第2製造 方法，使用圖6進行說明。圖6係表示本發明之永久磁石j 之第2製造方法中之製造步驟之說明圖。 再者’直至生成漿料42為止之步驟係與使用圖5既已說 明之第1製造方法中之製造步驟相同，因此省略說明。 首先’將所生成之漿料42於成形之前藉由真空乾燥等事 刖進行乾燥’取出已乾燥之磁石粉末43。其後，於氫氣環 境下以200°C〜900°C、更佳為以400。〇900。(〕（例如600。(：）將 已乾燥之磁石粉末43保持數小時（例如5小時），藉此進行氫 中預燒處理。將預燒中之氫供給量設為5 L/min。於該氫 中預燒處理中，進行使殘存之有機金屬化合物熱分解而減 少預燒體中之碳量之所謂脫碳。又，氫中預燒處理係於使 預燒體中之碳量為0.15 wt%以下、更佳為0.1 wt%以下之條 I55038.doc 201212064 件下進行。藉此，藉由隨後之燒結處理而可緻密地燒結永 久磁石1整體，不會降低殘留磁通密度或保磁力。 其次’於真空氣體環境下以20(rc〜60(rc、更佳為以 400 C〜600 C 1〜3小時保持藉由氫中預燒處理進行預燒之粉 末狀之預燒體82，藉此進行脫氫處理。再者，作為真空 度’較佳為設為〇 _ 1 Torr以下。 於此，存在於藉由上述氫中預燒處理進行預燒之預燒體 82中存在NdH3而容易與氧結合之問題。 圖7係將進行氫中預燒處理之Nd磁石粉末及未進行氫中 預燒處理之Nd磁石粉末分別暴露於氧濃度7 ppm及氧濃度 66 ppm之氣體環境時，表示相對於暴露時間之磁石粉末内 之氧量的圖。如圖7所示，若將進行氫中預燒處理之磁石 粉末放置於高氧濃度66 ppm之氣體環境，則以約1000 sec 域石粉末内之氧量自0.4%上升至〇·8%為止。又，即便放置 於低氧濃度7 ppm之氣體環境’亦以約5〇〇〇 sec磁石粉末内 之氧量自0.4%相同地上升至0.8%為止。繼而，若Nd磁石 粒子與氧結合，則成為殘留磁通密度或保磁力下降之原 因。 因此’於上述脫氫處理中’將藉由氫中預燒處理所生成 之預燒體82中之NdHs(活性度大）階段性地變成NdH3(活性 度大）一>NdH2(活性度小），藉此降低藉由氫中預燒處理而活 化之預燒體82之活性度。藉此，即便於將藉由氫中預燒處 理進行預燒之預燒體82於隨後移動到大氣中之情形時，亦 可防止Nd磁石粒子與氧結合，且不會降低殘留磁通密度或 155038.doc •21 - 201212064 保磁力。 其後’藉由成形裝置50而將進行脫氫處理之粉末狀之預 燒體82壓粉成形為特定形狀。由於成形裝置5〇之詳細情況 與使用圖5既已說明之第丨製造方法中之製造步驟相同，因 此省略說明。 其後’進行將已成形之預燒體82進行燒結之燒結處理。 再者，燒結處理係與上述第1製造方法相同地，藉由真空 燒結或加壓燒結等進行。由於燒結條件之詳細内容與既已 說明之第1製造方法中之製造步驟相同，因此省略說明。 繼而’燒結之結果，製造永久磁石1。 再者，於上述第2製造方法中’由於對粉末狀之磁石粒 子進行氫中預燒處理’因此與對成形後之磁石粒子進行氫 中預燒處理之上述第1製造方法相比，具有對於磁石粒子 整體而言可更容易進行有機金屬化合物之熱分解之優點。 即，與上述第1製造方法相比，可更確實地減少預燒體中 之碳量。 另一方面’於第1製造方法中，成形體71係於氫預燒後 不與外部氣體相接觸地移至煅燒，故而不需要脫氫步驟。 因此’與上述第2製造方法相比，可使製造步驟簡單化。 其中’於上述第2製造方法中，亦於氫預燒後不與外部氣 體相接觸地進行煅燒之情形時，不需要脫氫步驟。 [實施例] 以下’對本發明之實施例，一面與比較例進行比較，一 面進行說明。 155038.doc -22- 201212064 (實施例1) 實施例1之鈥磁石粉末之合金組成係較基於化學計量組 成之分率（Nd:26.7 wt。/。’ Fe(電解鐵）：72.3 wt%，B:1 〇 wt%)相比更提高Nd之比率’例如以wt%計設為Nd/Fe/B = 32.7/65.96/1.34。又’於已粉碎之鈦磁石粉末中，添加乙 醇鈮5 wt%作為有機金屬化合物。又，預燒處理係藉由於 氫氣環境下以600°C將成形前之磁石粉末保持5小時而進 行。繼而’將預燒中之氫供給量設為5 L/min。又，已成 形之預燒體之燒結係藉由SPS燒結而進行。再者，將其他 步驟設為與上述[永久磁石之製造方法2]相同之步驟。 (實施例2) 將需添加之有機金屬化合物設為正丙醇鈮。其他條件係 與實施例1相同。 ” (實施例3) 與實施例1相同。 (實施例4) :需添加之有機金屬化合物設為正丁醇鈮。其他條件係 。其他條件係 將需添加之有機金屬化合物設為正己醇銳 與實施例1相同。 (實施例5) 代替 SPC ..

之燒 (比較例1 ；) 不進行氫中預 、、加之有機金屬化合物設為乙醇銳， 155038.doc -23- 201212064 燒處理而進行燒結。其他條件係與實施例1相同。 (比較例2) 將需添加之有機金屬化合物設為六氟乙醯丙酮錯。其他 條件係與實施例1相同。 (比較例3) 於He氣體環境下進行預燒處理而非氫氣環境。又，代替 SPS燒結’藉由真空燒結進行已成形之·預燒體之燒結。其 他條件係與實施例i相同。 (比較例4) 於真空氣體環境下進行預燒處理而非氫氣環境。又，代 替SPS燒結’藉由真空燒結進行已成形之預燒體之燒結。 其他條件係與實施例1相同。 (貫施例與比較例之殘碳量之比較討論） 圖8係分別表示實施例1〜4及比較例1、2之永久磁石之永 久磁石中之殘存碳量[wt%]之圖。 如圖8所示，可知實施例ι〜4係與比較例1、2相比可大幅 度減少殘存於磁石粒子中之碳量。尤其是，於實施例卜4 中’可將殘存於磁石粒子中之碳量設為〇15 wt%以下，進 而，於實施例2〜4中，可將殘存於磁石粒子中之碳量設為 0.1 wt%以下。 又若將貫施例1與比較例1進行比較，則可知儘管添加 相同之有機金屬化合物，但進行氩中預燒處理之情形係與 未進行氫中預燒處理之情形相比，可大幅度減少磁石粒子 中之碳量。即，可知能夠進行藉由氫中預燒處理而使有機 155038.doc •24· 201212064 金屬化合物熱分解，從而減少預燒體令之碳量的所謂脫 石厌。作為其結果，可防止磁石整體之緻密燒結或保磁力之 下降。 又’若將實施例1〜4與比較例2進行比較，則可知於添加 由 m-(or)x(式中，_v、M〇、Zr、Ta、Ti、貿或灿，r係 3有k之取代基，既可為直鏈亦可為支鍵，x係任意之整 數）所表不之有機金屬化合物之情形時，較添加其他有機 金屬化合物之情形相比，可大幅度減少磁石粒子中之碳 量。即，可知藉由將需添加之有機金屬化合物設為由M_ (OR)x(式中，Μ係 V、Mo、Zr、Ta、Ti、W 或 Nb，R係含有 烴之取代基，既可為直鏈亦可為支鏈，χ係任意之整數）所 表示之有機金屬化合物，可於氫中預燒處理中容易進行脫 碳。作為其結果，可防止磁石整體之緻密燒結或保磁力之 下降。又’尤其是作為需添加之有機金屬化合物，若使用 含有烷基之有機金屬化合物、更佳為含有碳數為2〜6之烷 基之有機金屬化合物，則於氫氣環境下預燒磁石粉末時， 可於低溫下進行有機金屬化合物之熱分解。藉此，對於磁 石粒子整體而言可更容易進行有機金屬化合物之熱分解。 (實施例之永久磁石令之藉由又]^八(11<叮]^(：1>〇入仙1>^61<，又 射線微量分析儀）之表面分析結果討論） 對實施例1〜4之永久磁石，利用xma進行表面分析。圖9 係表示貫施例1之永久磁石之燒結後之SEM照片及晶界相 之元素分析結果之圖。圖1 〇係表示實施例2之永久磁石之 燒結後之SEM照片及晶界相之元素分析結果之圖。圖丨丨係 I55038.doc -25· 201212064 實施例2之永久磁石之燒結後之SEM照片及以與SEM照片 相同之視野測繪Nb元素之分佈狀態之圖。圖12係表示實施 例3之永久磁石之燒結後之SEM照片及晶界相之元素分析 結果之圖。圖13係實施例3之永久磁石之燒結後之SEM照 片及以與SEM照片相同之視野測繪Nb元素之分佈狀態之 圖。圖14係表示實施例4之永久磁石之燒結後之SEM照片 及晶界相之元素分析結果之圖。圖15係實施例4之永久磁 石之燒結後之SEM照片及以與SEM照片相同之視野測繪Nb 元素之分佈狀態之圖。 如圖9、圖1〇、圖π、圖14所示，於實施例j〜4之各永久 磁石中，自晶界相檢測出Nb。即，可知實施例1〜4之永久 磁石中，於晶界相中，由Nb取代Nd之一部分之NbFe系金 屬間化合物之相生成於主相粒子之表面。 又，於圖11之測繪圖中，白色部分表示Nb元素之分佈。 若參照圖11之SEM照片與測繪圖，則測繪圖之白色部分 (即，Nb元素）偏在分佈於主相之周圍附近。即，可知實施 例2之永久磁石中，Nb並未自晶界相擴散到主相，而是1^1? 偏在於磁石之晶界。另一方面，於圖13之測繪圖中，白色 部分表不NbTC素之分佈。若參照圖13之SEM照片與測繪 圖，則測繪圖之白色部分（即，Nb元素）偏在分佈於主相之 周圍附近。即，可知貫施例3之永久磁石中，Nb並未自晶 界相擴散到主相，而是Nb偏在於磁石之晶界。進而，於圖 15之測繪圖中’白色部分表示Nb元素之分佈。若參照圖15 之SEM照片與測繪圓’則測繪圖之白色部分（即，Nb元素） 155038.doc ' 26 - 201212064 偏在分佈於主相之周圍附近。即，可知實施例4之永久磁 石中，Nb並未自晶界相擴散到主相，而是Nb偏在於磁石 之晶界。 根據上述結果’可知實施例i〜4中，Nb並未自晶界相擴 散到主相，又，可使Nb偏在於磁石之晶界。而且，於燒結 時Nb並不固溶於主相，因此藉由固相燒結而可抑制晶粒成 長。 (實施例與比較例之SEM照片之比較討論） 圖16係表示比較例}之永久磁石之燒結後之SEM照片之 圖。圖17係表示比較例2之永久磁石之燒結後之SEM照片 之圖。 又’若將實施例1〜4與比較例1、2之各SEM照片進行比 較’則於殘留碳量為固定量以下（例如〇 2 wt〇/〇以下）之實施 例1〜4或比較例1中，基本上由鈥磁石之主相（Nd2Fe“B)9i 及看作白色斑點狀之晶界相92形成燒結後之永久磁石。 又’雖然少量’但亦形成有aFe相。與此相對，於較實施 例1〜4或比較例i相比殘留碳量更多之比較例2中，除主相 91或晶界相92以外，形成有複數個看作黑色帶狀之aFe相 93。於此，aFe係由於燒結時殘留之碳化物所產生者。 即’因Nd與C之反應性非常高’故而如比較例2般，若燒 結步驟中有機金屬化合物中之c含有物於高溫前仍殘留， 則形成碳化物。其結果，由於所形成之碳化物而於燒結後 之磁石之主相内析出aFe，大幅度降低磁石特性。 另一方面，於實施例1〜4中，如上所述使用適當之有機 155038.doc 27· 201212064 金屬化合物，且進行氫中預燒處理，藉此可使有機金屬化 合物熱分解而預先燒去（減少碳量）所含之碳。尤其是，將 預燒時之溫度設為20(TC〜900t、更佳為設為400。(：〜 900 C，藉此可燒去必要量以上之所含碳，可將燒結後殘 存於磁石内之碳量設為〇15 wt%以下、更佳為設為〇」评⑼ 以下。繼而，於殘存於磁石内之碳量為〇15 wt% &下之實 施例1〜4中，於燒结步驟中幾乎不會形成有碳让物，不存 在如比較例2般形成複數個aFe相93之虞。其結果，如圖9〜 圖15所示，可藉由燒結處理緻密地燒結永久磁石1整體。 又，於燒結後之磁石之主相内不會析出很多aFe，不會大 幅度降低磁石特性。進而，亦可僅使有助於提高保磁力之

Nb等選擇性地偏在於主相晶界。再者’於本發明中，根據 如此藉由低溫分解抑制殘碳之觀點而言，作為添加之有機 金屬化合物’較佳使用低分子量者(例如，含有碳數為Μ 之烧基者）。 (基於氫中預燒處理之條件之實施例與比較例之比較討論 圖18係表示對實施例5及比較例3、4之永久磁石，: 預燒溫度之條件而製造之複數個永久磁石中之碳量 之圖。再者’圖18中表示將預燒中之氫及氦之供給量設 1 L/min並保持3小時之結果。 如圖18所示，可知與仏氣體環境或真空氣體環境下進 預燒之情形相比’於氫氣環境下進行預燒之情形時，可 大幅度減少磁石粒子中之碳量。又，根據圖18，可知若 於氫氣環境下預燒磁石粉末時之職溫度設為高溫，則 155038.doc • 28 · 201212064 更大幅度減少碳量，尤其是藉由設為400。(：~900。(：而可將 碳量設為0.15 wt%以下。 再者，於上述實施例1〜5及比較例1〜4中，使用[永久磁 石之製造方法2]之步驟中製造之永久磁石，但於使用[永久 磁石之製造方法1]之步驟中製造之永久磁石之情形時，亦 可獲得相同之結果。 如上說明般，於本實施形態之永久磁石1及永久磁石1之 製造方法中，於已粉碎之鈦磁石之微粉末加入添加有由M-(〇R)x(式中，Μ係 V、Mo、Zr、Ta、Ti、W 或 Nb，R係含有 烴之取代基，既可為直鏈亦可為支鏈，x係任意之整數）所 表示之有機金屬化合物之有機金屬化合物溶液，從而使有 機金屬化合物均勻地附者於敍磁石之粒子表面。其後，於 氫氣環境下以200°C~900t：將已壓粉成形之成形體保持數 小時’藉此進行氫中預燒處理。其後，藉由進行真.空燒結 或加麼燒結而製造永久磁石丨。藉此，即便使Nb等之添加 量少於先前’亦可使所添加之Nb等有效偏在於磁石之晶 界°其結果，可抑制燒結時之磁石粒子之晶粒成長，並且 燒結後切斷晶體粒子間之交換相互作用’藉此阻礙各晶體 粒子之磁化反轉，可提高磁性能。又，與添加其他有機金 屬化合物之情形相比，可容易進行脫碳，不存在由於燒結 後之磁石内所含之碳而使保磁力下降之虞，又，可緻密地 燒結磁石整體。 進而，由於作為高熔點金屬之Nb等在燒結後偏在於磁石 之晶界，因此偏在於晶界2Nb等抑制燒結時之磁石粒子之 155038.doc -29- 201212064 晶粒成長’並且燒結後切斷晶體粒子間之交換相互作用， 藉此阻礙各晶體粒子之磁化反轉，可提高磁性能。又，由 於Nb等之添加量少於先前，因此可抑制殘留磁通密度之下 降。 又’將添加有有機金屬化合物之磁石在燒結之前於氫氣 ¥ i兄下進行預燒，藉此使有機金屬化合物熱分解而可預先 燒去（減少碳量）磁石粒子中所含之碳，於燒結步驟中幾乎 不會形成有碳化物。其結果，於燒結後之磁石之主相與晶 界相之間不會產生空隙，又，可緻密地燒結磁石整體，且 可防止保磁力下降。又，於燒結後之磁石之主相内不會析 出很多aFe，不會大幅度降低磁石特性。 又，尤其是作為添加之有機金屬化合物，若使用含有烷 基之有機金屬化合物、更佳為含有碳數為2〜6之烷基之有 機金屬化合物’則於氫氣環境下預燒磁石粉末或成形體 時，可於低溫下進行有機金屬化合物之熱分解。藉此，對 於磁石粉末整體或成形體整體而言可更容易進行有機金屬 化合物之熱分解。 進而，將磁石㉟末或成形冑進行預燒之步驟係藉由於尤 佳為2崎〜9啊、更佳為·t：〜之溫度範圍内將成 形體保持特定時間而進行，因此可燒去必要量以上之磁石 粒子t之所含碳。 其結果’燒結後殘存於磁石之碳量成為Q.i5以％以下 更佳為成為〇. 1 以下 間不會產生空隙，又， ，因此於磁石之主相與晶界相之 可设為敏社、地燒結磁石整體之狀 155038.doc 201212064 態’且可防止殘留磁通密度下降。又，於燒結後之磁石之 主相内不會析出很多aFe ’不會大幅度降低磁石特性。 又’尤其是第2製造方法中，由於對粉末狀之磁石粒子 進行預燒’因此與對成形後之磁石粒子進行預燒之情形相 比’對於磁石粒子整體而言可更容易進行有機金屬化合物 之熱分解。即，可更確實地減少預燒體令之碳量。又，於 預燒處理後進行脫氫處理，藉此可降低藉由預燒處理而活 化之預燒體之活性度。藉此，防止隨後磁石粒子與氧結 合’且不會降低殘留磁通密度或保磁力。 又，由於進行脫氫處理之步驟係藉由於2〇(rc〜6〇〇t：之 溫度範圍内將磁石粉末保持特定時間而進行，因此即便於 進行氫中預燒處理之Nd系磁石中生成活性度較高之NdH3 之情形時，亦不殘留地而可過渡到活性度較低之NdH2。 再者，當然本發明並不限定於上述實施例，於不脫離本 發明之主旨之範圍内可進行各種改良、變形。 又，磁石粉末之粉碎條件、混煉條件、預燒條件、脫氫 條件、燒結條件等並不限定於上述實施例所揭#之條件。 又，於上述實施例1〜5中，作為添加至磁石粉末之含有 灿等之有機金屬化合物’使用乙醇鈮、正丙醇鈮' 正丁醇 鈮、正己醇鈮，但若係由M_(0R)x(式中，MSV、m〇、 zm、^Nb，R係含有烴之取代基，既可為直鍵 亦可為支鏈，X係任意之整數）所表示之有機金屬化合物， 則亦可為其他有機金屬化合物。例如，亦可使用含有碳數 為7以上之烷基之有機金屬化合物或包含除烷基以外之含 155038.doc -31· 201212064 有烴之取代基之有機金屬化合物。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之永久磁石之整體圖； 圖2係將本發明之永久磁石之晶界附近放大表示之模气 圖； 圖3係表示強磁體之磁疇結構之模式圖； 圖4係將本發明之永久磁石之晶界附近放大表示之模式 圖； 圖5係表示本發明之永久磁石之第1製造方法中之製造步 驟之說明圖； 圖6係表示本發明之永久磁石之第2製造方法中之製造步 驟之說明圖； 圖7係表示進行氩中預燒處理之情形與未進行之情形時 之氧量變化之圖； 圖8係表示實施例及比較例i、2之永久磁石之永久磁 石中之殘存碳量之圖； 圖9係表示實施例丨之永久磁石之燒結後之SEM照片及晶 界相之元素分析結果之圖； 圖10係表不實施例2之永久磁石之燒結後之sem照片及 晶界相之元素分析結果之圖； 圖11係實施例2之永久磁石之燒結後之SEM照片及以與 SEM照片相同之視野測繪1^1?元素之分佈狀態之圖； 圖12係表不實施例3之永久磁石之燒結後之SEM照片及 晶界相之元素分析結果之圖； 155038.doc 32· 201212064 圖13係實施例3之永久磁石之燒結後之SEM照片及以與 SEM照片相同之視野測繪Nb元素之分佈狀態之圖； 圖14係表示實施例4之永久磁石之燒結後之SEM照片及 晶界相之元素分析結果之圖； 圖15係實施例4之永久磁石之燒結後之SEM照片及以與 SEM照片相同之視野測繪Nb元素之分佈狀態之圖； 圖16係表示比較例1之永久磁石之燒結後之SEM照片之 圖， 圖1 7係表示比較例2之永久磁石之燒結後之SEM照片之 圖；及 圖1 8係表示對實施例5及比較例3、4之永久磁石，變更 預燒溫度之條件而製造之複數個永久磁石中之碳量之圖。 【主要元件符號說明】 1 永久磁石 10 Nd晶體粒子 11 南炼點金屬層 12 南溶點金屬粒 41 喷射磨機 42 漿料 43 磁石粉末 50 成形裝置 51 鑄模 52 下衝頭 53 上衝頭 155038.doc *33- 201212064 54 模腔 55 ' 56 磁場產生線圈 61、 62 箭頭 71 成形體 82 預燒體 91 主相 92 晶界相 93 aFe相 D 粒徑 d 厚度 155038.doc · 34 ·

Claims (1)

1. 201212064 七、申請專利範圍： 種永久磁石，其特徵在於其係藉由如下步驟製造而 成： 將磁石原料粉碎成磁石粉末； 於上述已叙碎之磁石粉末中添加由以下結構式 m-(or)x (式中’ M係V、M0、Zr、Ta、Ti、W或Nb，R係含有烴 之取代基，既可為直鏈亦可為支鍵，χ係任意之整數） 所表示之有機金屬化合物，藉此使上述有機金屬化合 物附著於上述磁石粉末之粒子表面； 將粒子表面上附著有上述有機金屬化合物之上述磁石 粉末於氫氣環境下進行預燒而獲得預燒體； 於真空氣體環境下加熱上述預燒體，藉此進行脫氫處 理； 藉由將上述經脫氫處理之上述預燒體成形而形成成形 體；以及 對上述成形體進行燒結。 2. 如請求項1之永久磁石，其中形成上述有機金屬化合物 之金屬係於燒結後偏在於上述永久磁石之晶界。 3. 如請求項1之永久磁石，其中上述結構式中之厌係烷基。 4. 如請求項3之永久磁石，其中上述結構式中之尺係碳數為 2〜6之烷基中之任一者。 5. 如請求項1之永久磁石，其中燒結後所殘存之碳量為〇15 wt%以下。 155038.doc 201212064 6.如請求項！至5中任一項之永久磁石，其中對上述磁石粉 末進行預燒之步驟係於2〇〇t〜9〇〇t：之溫度範圍内將上述 磁石粉末保持特定時間。 7·如凊求項1至5中任一項之永久磁石，其中進行上述脫氫 處理之步驟係於真空氣體環境下以2〇〇t〜6〇〇c>c之溫度範 圍將上述磁石粉末保持特定時間。 8. 如4求項6之永久磁石，其中進行上述脫氫處理之步驟 係於真空氣體環境下以200°C〜6〇〇°C之溫度範圍將上述磁 石粉末保持特定時間。 9. 一種永久磁石之製造方法，其特徵在於包含如下步驟： 將磁石原料粉碎成磁石粉末； 於上述已粉碎之磁石粉末中添加由以下結構式 M-(〇R)x (式中，Μ係V、Mo、Zr、Ta、Ti、W或Nb，R係含有烴 之取代基，既可為直鏈亦可為支鏈，χ係任意之整數） 所表示之有機金屬化合物，藉此使上述有機金屬化合 物附者於上述磁石粉末之粒子表面； 將粒子表面上附著有上述有機金屬化合物之上述磁石 粉末於氫氣環境下進行預燒而獲得預燒體； 於減壓氣體環境下加熱上述預燒體，藉此進行脫氫處 理； 藉由將上述經脫氫處理之上述預燒體成形而形成成形 體；以及 對上述成形體進行燒結。 155038.doc •2- 201212064 i〇.如請求項9之永久磁石之製造方法，其中上述結構式 之R係烷基。 Χ Η.如請求項10之永久磁石之製造方法，其t上述結構式中 之R係碳數為2〜6之烷基中之任一者。 12. 如請求項9至11中任一項之永久磁石之製造方法，其中 對上述磁石粉末進行預燒之步驟係於2〇〇〇c〜9〇〇t>c之溫度 範圍内將上述磁石粉末保持特定時間。 13. 如請求項9至11中任一項之永久磁石之製造方法，其中 進行上述脫氫處理之步驟係於真空氣體環境下以 200°C〜600t之溫度範圍將上述磁石粉末保持特定時間。 H.如請求項12之永久磁石之製造方法，纟中進行上述脫氮 處理之步驟係於真空氣體環境下以200。(：〜600。(：之溫度範 圍將上述磁石粉末保持特定時間。 155038.doc