TW201212067A - Permanent magnet and manufacturing method for permanent magnet - Google Patents

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201212067 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種永久磁石及永久磁石之製造方法。 【先前技術】 近年來，對於油電混合車或硬碟驅動器等中使用之永久 磁石電動機而言，要求小型輕量化、高輸出化及高效率化。 而且，於上述永久磁石電動機實現小型輕量化、高輸出化 及高效率化時，對埋設於永久磁石電動機中之永久磁石而 言，要求薄膜化及磁特性之進一步提高。再者，作為永久 磁石’有鐵氧體磁石、Sm-Co系磁石' Nd-Fe-B系磁石、 Sn^Fe丨7队系磁石等，尤其係殘留磁通密度較高之Nd_Fe_B 系磁石適於作為永久磁石電動機用之永久磁石。 於此，作為永久磁石之製造方法，通常係使用粉末燒結 法。於此，粉末燒結法係首先將原材料進行粗粉碎，並利 用噴射磨機（乾式粉碎）製造已微粉碎之磁石粉末。其後，將 5亥磁石粉末放入模具，一面自外部施加磁場，一面擠壓成 形為所需之形狀《繼而，將成形為所需形狀之固形狀之磁 石粉末以特定溫度（例如Nd_Fe_B系磁石為8〇〇。匚〜丨15〇(^ ) 進行燒結，藉此製造永久磁石。 又，Nd-Fe-B等Nd系磁石存在耐熱溫度較低之問題。因 此，於將Nd系磁石使用於永久磁石電動機之情形時，若使 邊電動機連續驅動，則會導致磁石之保磁力或殘留磁通密 度逐漸下降。因此，於將Nd*磁石使用於永久磁石電動機 之情形時，為提高Nd系磁石之耐熱性，添加磁各向異性較 155071.doc 201212067 高之Dy(鋼）或Tbw)，以進一步提高磁石之保磁力。 另方面，亦考慮不使用Dy或Tb而提高磁石之保磁力之 方法。例如，眾所周知對於永久磁石之磁特性而言，由於 磁石之磁特性係根據單磁_微粒子理論而導出，故若使燒 結體之晶體粒徑變微小’則基本上會提高磁性能。於此， 為了使燒結體之晶體粒徑變微小，需要使燒結前之磁石原 料之粒徑亦微小。然而，即便成形並燒結已微粉碎成微小 粒徑之磁石原料’燒結時亦會產生磁石粒子之晶粒成長， 故燒結後之燒結體之晶體粒徑變得大於燒結前，無法實現 微小之晶體粒徑。而且’若晶體粒徑變大，則粒内產生之 磁壁容易移動，故而保磁力顯著下降。 因此，作為抑制磁石粒子之晶粒成長之手段，考慮到將 抑制磁石粒子之晶粒成長之材料（以下，稱作晶粒成長抑制 劑)添加至燒結前之磁石原料的方法。根據該方法，例如由 具有較燒結溫度更高之熔點之金屬化合物等晶粒成長抑制 劑覆蓋燒結前之磁石粒子之表面，藉此可抑制燒結時之磁 石粒子之晶粒成長。例如，於日本專利特開2__25陳號 公報令，將磷作為晶粒成長抑制劑而添加至磁石粉末。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]曰本專利第3298219號公報（第4頁第5頁） [專利文獻2]日本專利特開2〇〇4_25〇781號公報（第ι〇〜ι2 頁、圖2) 【發明内容】 155071.doc •4- 201212067 [發明所欲解決之問題] 然而’如上述專利文獻2所示，若藉由預先使晶粒成長抑 制劑包含於磁石原料之鑄錠内而添加至磁石粉末，則晶粒 成長抑制劑係於燒結後擴散到磁石粒子内而不位於磁石粒 子之表面。其結果，無法充分抑制燒結時之晶粒成長，又， 亦成為磁石之殘留磁通密度下降之原因。又，即便藉由抑 制晶粒成長而可使燒結後之各磁石粒子變微小，若燒結後 之各磁石粒子成為緻密狀態，則認為各磁石粒子之間傳播 父換相互作用。其結果，存在於自外部施加磁場之情形時， 今易產生各磁石粒子之磁化反轉而使得保磁力下降之問 題。 又，亦考慮將晶粒成長抑制劑以分散至有機溶劑中之狀 態添加至Nd系磁石，藉此使晶粒成長抑制劑偏在配置於磁 石之晶界。然而，通常若將有機溶劑添加至磁石，則即便 藉由隨後進行真空乾燥等而使有機溶劑揮發，亦會使c含有 物殘留於磁石内。而且，因Nd與碳之反應性非常高，故而 若燒結步驟中C含有物殘留到高溫為止，則會形成碳化物。 其結果，存在因所形成之碳化物而於燒結後之磁石之主相 與晶界相之間產生空隙，無法緻密地燒結磁石整體，使得 磁性能顯著下降的問題。又，即便於未產生空隙之情形時， 亦存在因所形成之碳化物而於燒結後之磁石t主相内析出 aFe ’使得磁石特性大幅下降之問題。 進而’若將有機溶劑添加至磁石粉末，則晶粒成長抑制 劑（例如咼熔點金屬）以與有機溶劑中所含之氧結合之狀熊 155071.doc 201212067 存在。於此，因Nd與氧之反應性非常高，故而若存在氧， 則會於燒結步驟中Nd與氧結合而形成Nd氧化物。其結果， 存在磁特性下降之問題。又，存在因Nd與氧結合而使1^(1少 於基於化學計量組成（Nc^FeMB)之含量’於燒結後之磁石之 主相内析出aFe，使得磁石特性大幅下降之問題。尤其是， 於磁石原料不會相對計量組成更多地包含Nd之情形時，此 問題變得更嚴重。 於此，作為獲得經微細化之磁石粉末之方法，此外有11〇〇11 法（Hydrogenation Decomposition Desorption Recombination， 氫化-歧化-脫氫-再複合）’但hddr法中同樣存在於各晶體 粒子之間無法充分切斷交換相互作用之問題。 本發明係為解決上述先前之問題點開發而成者，其目的 在於提供一種永久磁石及永久磁石之製造方法，可抑制燒 結時之具有單磁疇粒徑之磁石粒子之晶粒咸長，並且可藉 由切斷燒結後之晶體粒子間之交換相互作用而阻礙各晶體 粒子之磁化反轉，從而提高磁性能，並且將添加有有機金 屬化合物之磁石粉末在燒結之前藉由電漿加熱進行預燒， 藉此可預先減少磁石粒子所含之氧量，其結果，可防止磁 石特性之下降。 [解決問題之技術手段] 為達成上述目的，本發明之永久磁石之特徵在於其係藉 由如下步驟製造而成：將磁石原料粉碎成磁石粉末；於上 述已粉碎之磁石粉末中添加由以下結構式M•⑴式中， W、Mo、Zr、Ta、Ti、w_b，R係含有烴之取代基， 155071.doc -6 - 201212067 既可為直鏈亦可為支鏈，χ係任意之整數）所表示之有機金 屬化合物’藉此使上述有機金屬化合物附著於上述磁石粉 末之粒子表面；將粒子表面上附著有上述有機金屬化合物 之上述磁石粉末藉由電漿加熱進行預燒而獲得預燒體；藉 由將上述預燒體成形而形成成形體；以及對上述成形體進 行燒結。 又，本發明之永久磁石之特徵在於其係藉由如下步驟製 造而成：將磁石原料粉碎成磁石粉末；於上述已粉碎之磁 石粉末中添加由以下結構式M-(〇R)x(式中，Μ係V、M〇、 Zr、Ta、Ti、W或Nb，R係含有烴之取代基，既可為直鏈亦 可為支鏈，χ係任意之整數）所表示之有機金屬化合物，藉 此使上述有機金屬化合物附著於上述磁石粉末之粒子表 面；藉由將粒子表面上附著有上述有機金屬化合物之上述 磁石粉末成形而形成成形體；將上述成形體藉由電漿加熱 進行預燒而獲得預燒體；以及對上述預燒體進行燒結。 又，本發明之永久磁石之特徵在於，於獲得上述預燒體 之步驟中，藉由高溫氫電漿加熱進行預燒。 又，本發明之永久磁石之特徵在於，於粉碎上述磁石粉 末之步驟中’將上述磁石原料粉碎成包含單磁_粒徑之磁 石粉末之磁石粉末。 者，所謂單磁疇粒徑’係指單磁疇粒子（包括熱消塌 態下於内部不存在磁壁而僅存在—個磁化方向之小區域 粒子）所具有之粒徑，例如設為〇 2叫―2叩之粒徑之 子0 155071.doc 201212067 又，本發明之永久磁石之特徵在於，上述結構式m (〇r)x 之R係烷基。 又，本發明之永久磁石之特徵在於，上述結構式m_(〇r)x 之R係碳數為2〜6之烷基中之任一者。 又，本發明之永久磁石之特徵在於，形成上述有機金屬 化合物之金屬係於燒結後偏在於上述永久磁石之晶界。 又，本發明之永久磁石之特徵在於，形成上述有機金屬 化合物之金屬係於燒結後在上述永久磁石之晶體粒子表面 形成厚度為1 nm〜200 nm之層。 又，本發明之永久磁石之製造方法之特徵在於包含如下 步驟：將磁石原料粉碎成磁石粉末；於上述已粉碎之磁石 粉末中添加由以下結構式M_(0R)x(式中，_ V、M〇、Zr、

Ta、Ti、W或Nb，R係含有烴之取代基，既可為直鏈亦可為 支鏈’ X係任意之整數）所表示之有@金屬化合物，藉此使 上述有機金屬化合物附著於上述磁石粉末之粒子表面；將 粒子表面上附著有上述有機金屬化合物之上述磁石粉末藉 由電漿加熱進行預燒而獲得預燒體；藉由將上述預燒心 形而形成成形體；以及對上述成形體進行燒結。 又’本發明之永久磁石之製造方法之特徵在於包含如下 步驟：將磁石原料粉碎成磁石粉末；於上述已粉碎之磁石 粉末中添加由以下結構式M_(〇R)x(式中，_ v、m〇、心、

Ta、h、W或Nb ’ R係含有烴之取代基，既可為直鍵亦可為 支鏈’ X係任意之整數）所表示之有機金屬化合物，藉此使 上述有機金屬化合物附著於上述磁石粉末之粒子表面；藉 155071.(|〇| 201212067 由將粒子表面上附著有上述有機金屬化合物之上述磁石粉 末成形而形成成形體；將上述成形體藉由電漿加熱進行預 燒而獲得預燒體；以及對上述預燒體進行燒結。 又，本發明之永久磁石之製造方法之特徵在於，於獲得 上述預燒體之步驟中，藉由高溫氫電漿加熱進行預燒。 又，本發明之永久磁石之製造方法之特徵在於，於粉碎 上述磁石粉末之步驟中，將上述磁石原料粉碎成包含單磁 疇粒徑之磁石粉末之磁石粉末。 又，本發明之永久磁石之製造方法之特徵在於，上述結 構式M-(〇R)x2R係烷基。 進而，本發明之永久磁石之製造方法之特徵在於，上述 結構式M-(OR)x2R係碳數為2〜6之烷基中之任一者。 [發明之效果] 根據具有上述構成之本發明之永久磁石，可使有機金屬 化合物中所含之v、M()、Zr、Ta、Ti、w^b#__ 磁石之晶界。其結果，可抑制燒結時之磁石粒子之晶粒成 長，並且可藉由切斷晶體粒子間之交換相互作用而阻礙各 晶體粒子之磁化反轉，從而提高磁性能。又，可使V、、 Zr、Ta、Ti、W或Nb之添加量少於先前，因此可抑制殘留 磁通密度之下降。又，由於將添加有有機金屬化合物之磁 石粕末在燒結之則藉由電漿加熱進行預燒，因此於進行燒 結之前可預先減少磁石粒子所含之氧量。其結果，抑制於 燒結後之磁石之主相内析AaFe，或者抑制氧化物之生成， 不會大幅度降低磁石特性。 155071.doc -9- 201212067 進而，由於對粉末狀之磁石粒子進行預燒，因此與對成 形後之磁石粒子進行預燒之情形相比，具有對於磁石粒子 整體而言可更容易進行金屬氧化物之還原之優點β即，可 更確實地減少磁石粒子所含之氧量。 又’根據本發明之永久磁石，可使有機金屬化合物中所 含之V、Μο、ΖΓ、Ta、Ti、W或Nb有效偏在於磁石之晶界。 其結果’可抑制燒結時之磁石粒子之晶粒成長，並且可藉 由切斷晶體粒子間之交換相互作用而阻礙各晶體粒子之磁 化反轉’從而提高磁性能。又，可使V、Mo、Zr、Ta、Ti、 W或Nb之添加量少於先前’因此可抑制殘留磁通密度之下 降。又’由於將添加有有機金屬化合物之磁石粉末之成形 體在燒結之前藉由電漿加熱進行預燒，因此於進行燒結之 前可預先減少磁石粒子所含之氧量^其結果，抑制於燒結 後之磁石之主相内析出aFe，或者抑制氧化物之生成，不會 大幅度降低磁石特性。 又，根據本發明之永久磁石，由於使用高溫氫電衆加熱 進行預燒，因此可生成較高濃度之氫自由基，即便於形= 有機金屬化合物之金屬作為穩定之氧化物存在於磁石粉末 中之情形時，亦可於低溫下使用氫自由基容易㈣向金屬 之還原或氧化數減少。 又’根據本發明之永久磁石’可抑制燒結時之具有單磁 鳴粒徑之磁石粒子之晶粒成長…藉由抑制晶粒成長， 可將燒結後之永久磁石之晶體粒設為單磁脅。其結果，可 飛躍性地提高永久磁石之磁性能。 15507 丨.doc -10- 201212067 又’根據本發明之永久磁石，由於使用含有烷基之有機 金屬化合物作為添加至磁石粉末之有機金屬化合物，因此 可容易進行有機金屬化合物之熱分解。其結果，例如在燒 結之前於氫氣環境下進行磁石粉末或成形體之預燒之情形 時’可更確實地減少磁石粉末或成形體中之碳量。藉此， 抑制於燒結後之磁石之主相内析出ape，可緻密地燒結磁石 整體，且可防止保磁力下降。 又’根據本發明之永久磁石，由於使用含有碳數為2〜6 之统基之有機金屬化合物作為添加至磁石粉末之有機金屬 化合物’因此可於低溫下進行有機金屬化合物之熱分解。 其結果’例如在燒結之前於氫氣環境下進行磁石粉末或成 形體之預燒之情形時，對於磁石粉末整體或成形體整體而 言可更容易進行有機金屬化合物之熱分解。即，藉由預燒 處理’可更確實地減少磁石粉末或成形體中之碳量。 又，根據本發明之永久磁石，由於作為高熔點金屬之v、 Mo、Zr、Ta、Ti、W或Nb在燒結後偏在於磁石之晶界，因 此偏在於晶界之v、M〇、Zr、Ta、Ti、墀或]^可抑制燒結 時之磁石粒子之晶粒成長，並且可藉由切斷燒結後之晶體 粒子間之交換相互作用而阻礙各磁石粒子之磁化反轉，從 而提高磁性能。 又，根據本發明之永久磁石，由於作為高熔點金屬之V、 Mo、Zi· ' Ta、Ti、W或Nb在燒結後於磁石之粒子表面形成 厚度為lnm〜200 nm之層’因此抑制燒結時之磁石粒子之晶 粒成長’並且可藉由切斷燒結後之晶體粒子間之交換相互 155071.doc •11· 201212067 作用而阻礙各晶體粒子之磁化反轉，從而提高磁性能。 又，根據本發明之永久磁石之製造方法，可製造使有機 金屬化合物中所含之V、Mo、Zr、Ta、τ. Λ1ρ w ia、Τι、W或Nb有效偏 在於磁石之晶界的永久磁石。其结果 、 /'、··〇果，於所製造之永久磁 石中，可抑制燒結時之磁石粒子之晶粒成長，並且可藉由 切斷燒結後之晶體粒子間之交換相互作用而阻礙各晶體粒 子之磁化反轉，從而提高磁性能。又，可使ν、m〇、zr、

Ta、Ti、W或Nb之添加量少於先前，因此可抑制殘留磁通 密度之下降。λ，由於將添加有有機金屬化合物之磁石粉 末在燒結之前藉由電漿加熱進行預燒，因此於進行燒結之 前可預先減少磁石粒子所含之氧量。其結果’抑制於燒結 後之磁石之主相内析出aFe，或者抑制氧化物之生成不會 大幅度降低磁石特性。 進而，由於對粉末狀之磁石粒子進行預燒，因此與對成 形後之磁石粒子進行預燒之情形相比，具有對於磁石粒子 整體而言可更容易進行金屬氧化物之還原之優點。即，可 更確實地減少磁石粒子所含之氧量。 又，根據本發明之永久磁石之製造方法，可製造使有機 金屬化合物中所含之V、Mo、Zr、Ta、Ti、W或Nb有效偏 在於磁石之晶界的永久磁石，其結果，於所製造之永久磁 石中，可抑制燒結時之磁石粒子之晶粒成長，並且可藉由 切斷燒結後之晶體粒子間之交換相互作用而阻礙各晶體粒 子之磁化反轉，從而提高磁性能。又，可使v、、Zr、 Ta、Τι、W或Nb之添加量少於先前，因此可抑制殘留磁通 155071.doc -12· 201212067 密度之下降。X，由於將添加有有機金屬化合物之磁石粉 末之成形體在燒結之前藉由電漿加熱進行預燒，因此於進 行燒結之前可預先減少磁石粒子所含之盆姓 制於燒結後之磁石之主相内析出aFe，或者抑制氧=之: 成，不會大幅度降低磁石特性。 又，根據本發明之永久磁石之製造方法，由於使用高溫 氫電衆加熱進行預燒’因此可生成較高濃度之氫自由基， 即便於形成有機金屬化合物之金屬作為穩定之氧化物存在 於磁石粉末中之情形時，亦可於低溫下使用氫自由基容易 進行向金屬之還原或氧化數減少。 又’根據本發明之永久磁石之製造方&，可抑制燒結時 之具有單磁疇粒徑之磁石粒子之晶粒成長。又，藉由抑制 晶粒成長，可將燒結後之永久磁石之晶體粒設為單磁峰。 其結果，可飛躍性地提高永久磁石之磁性能。 又，根據本發明之永久磁石之製造方法，由於使用含有 烷基之有機金屬化合物作為添加至磁石粉末之有機金屬化 合物，因此可容易進行有機金屬化合物之熱分解。其結果， 例如在燒結之前於氫氣環境下進行磁石粉末或成形體β之預 ，之情形時’可更確實地減少磁石粉末或成形體中之碳 曰藉此抑制於燒結後之磁石之主相内析出aFe，可緻密 地燒結磁石整體，且可防止保磁力下降。 進而，根據本發明之永久磁石之製造方法，由於使用含 炭數為2〜6之烷基之有機金屬化合物作為添加至磁石粉 末之有機金屬化合物’因此可於低溫下進行有機金屬化合 155071.(10, •13- 201212067 物之熱分解。其結果’例如在燒結之前於氫氣環境下進行 磁石粉末或成形體之預燒之情形時，對於磁石粉末整體或 成形體整體而言可更容易進行有機金屬化合物之熱分解。 即，藉由預燒處理’可更確實地減少磁石粉末或成形體中 之碳量。 【實施方式】 以下，關於本發明之永久磁石及永久磁石之製造方法經 具體化之實施形態’下面參照圖式而進行詳細說明。 [永久磁石之構成] 首先’對本發明之永久磁石1之構成進行說明。圖1係表 示本發明之永久磁石1之整體圖。再者，圖1所示之永久磁 石1具有圓柱形狀，但永久磁石1之形狀係根據成形時使用 之模腔之形狀而產生變化。 作為本發明之永久磁石卜例如使用Nd_Fe_B系磁石。又， 於形成永久磁石1之各晶體粒子之界面（晶界），偏在有用以 提南永久磁石1之保磁力之Nb(鈮）、V(釩）、Mo(鉬）、Zr(锆）、 Ta(组）、Ti(欽）或W(鎢^再者，將各成分之含量設為如下， 即 ’ Nd . 25〜37 wt0/〇，Nb、V、Mo、Zr、Ta、Ti、W之任一 者（以下稱作Nb等）：o.oi〜5 wt%，b : i〜2 wt%，Fe(電解鐵）： 60〜75 wt°/〇。又’為提高磁特性，亦可少量含有c〇、^、 A1、Si等其他元素。 具體而言’於本發明之永久磁石1中，如圖2所示於構成 永久磁石1之Nd晶體粒子1〇之晶體粒之表面部分（外殼），生 成由作為兩溶點金屬之Nb等取代Nd之一部分而成之層 155071.doc -14- 201212067 ιι(以下，稱作高熔點金屬層u)，藉此使灿等偏在於似晶 體粒子10之晶界。圖2係將構成永久磁石kNd晶體粒子1〇 放大表示之圖。再者，高熔點金屬㈣較佳為非磁性。 於此’於本發明中’ Nb等之取代係如下所述藉由於將已 粉碎之磁石粉末進行成形之前添加含有Nb#之有機金屬化 合物而進行。具體而言，於將添加有含有Nb等之有機金屬 化合物之磁石粉末進行燒結時，藉由濕式分散而均句附著 於Nd晶體粒子10之粒子表面之該有機金屬化合物中之灿 等，向Nd晶體粒子10之晶體成長區域擴散渗入而進行取 代’形成圖2所*之高炫點金屬_。再者，Nd晶體粒子⑺ 包含例如Nd2Fei4B金屬間化合物，高溶點金屬㈣包含例 如NbFeB金屬間化合物。 又’於本發日月> ’尤其是如下所述將由M-(〇R)x(式中， Μ係V、Mo、Zr、Ta、Ti、…細，r係含有烴之取代基， 既可為直鍵亦可為支鏈，x係任意之整數）所表示之含有Nb 等之有機金屬化合物（例如’乙醇銳、正丙醇铌、正丁醇銳、 正己醇銳等）添加至有機溶劑中，並於濕式狀態下混合於磁 石粉末。藉此，使含有灿等之有機金屬化合物分散至有機 溶劑中，從而可使含有灿等之有機金屬化合物均句附著於 Nd晶體粒子1〇之粒子表面。 於此，作為滿足上述叫0队（式中，Μ係V、Mo、Zr、

Ta、Ti、W_b，R係含有烴之取代基，既可為直鍵亦可為 支鏈X係任意之整數）之結構式之有機金屬化合物，有金 屬醇鹽。金屬醇鹽係由通式M(〇R)n(M:金屬元素，r:有 155071.doc •15- 201212067 機基’ η:金屬或半金屬之價數）所表示。&，作 屬醇鹽之金屬或半金屬’可列舉w、m〇、mr :r、;r、Fe、c。、 Y、lanthanide等。其t，於本發明 點4 M .括 中尤其係且使用高熔 ^金屬H如下所述根據防止燒結時之與磁石之 之相互擴散之目的，於高溶點金屬中，尤其宜使用v、Mo、 Zr、Ta、Ti、w或 Nb。 又，對於醇鹽之種類，並無特別㈣，例如可列舉甲醇 鹽、乙醇鹽、丙醇鹽、異丙醇鹽、丁醇鹽、碳數為4以上之 醇鹽等。其中，於本發明中，如下所述根據利用低溫分解 抑制殘碳之㈣’而使用低分子量者。又，由於碳數為1 之甲醇風今易分解且難以操作，因此尤其宜使用尺中所含之 碳數為2〜6之醇鹽即乙醇鹽、甲醇鹽、異丙醇鹽、丙醇鹽、 丁醇鹽等。即，於本發明_，尤其是作為添加至磁石粉末 之有機金屬化合物，較理想的是使用由M-(〇R)x(式中，M 係^厘〇、心、丁^、冒或训，尺係烷基，既可為直鏈亦 可為支鍵，X係任意之整數）所表示之有機金屬化合物，更 佳為使用由M_(0R)X(式中，Μ係V、Mo、Zr、Ta、Ti、w或 Nb ’ R係碳數為2〜6之烷基中之任一者’既可為直鏈亦可為 支鏈，X係任意之整數）所表示之有機金屬化合物。 又，若於適當之煅燒條件下煅燒藉由壓粉成形所成形之 成形體，則可防止Nb等擴散滲透（固溶化）至Nd晶體粒子1〇 内。藉此，於本發明中，即便添加]^15等，亦可使^^等在燒 結後僅偏在於晶界。其結果，晶體粒整體（即，作為燒結磁 155071.doc 201212067 石整體）成為核心之Nd2Fei4B金屬間化合物相伯較高之體 積比例之狀態。#此，可抑制該磁石之殘留磁通密度（將外 部磁場之強度設為〇時之磁通密度）之下降。 又，通f ’若燒結後之SNd晶體粒子U)成為敏密狀態， 則認為各Nd晶體粒子10之間傳播交換相互作用。其結果， 力自外部施加磁場之情形時，容易產生各晶體粒子之磁化 反轉，即便假设可將燒結後之晶體粒子分別設為單磁疇結 構保磁力亦下降。然而，於本發明中，藉由塗佈於Nd晶 體粒子1 〇之表面之非磁性之高熔點金屬層11，切斷Nd晶體 粒子10間之交換相互作用，即便於自外部施加磁場之情形 時，亦可阻礙各晶體粒子之磁化反轉。 又，塗佈於Nd晶體粒子1 〇之表面之高熔點金屬層丨丨係亦 作為於永久磁石丨之燒結時抑制Nd晶體粒子1〇之平均粒徑 增大之所謂晶粒成長的手段發揮作用。以下，對藉由高熔 點金屬層11抑制永久磁石1之晶粒成長之機構，使用圖3進 行說明。圖3係表示強磁體之磁疇結構之模式圖。 通常，因殘留於晶體與另一晶體間之非連續之邊界面即 晶界具有過剩能量，故而於高溫下引起欲降低能量之晶界 • 移動。因此’若於高溫（例如Nd-Fe-B系磁石為800。(：〜1150。〇 • 下進行磁石原料之燒結’則產生較小之磁石粒子進行收縮 而消失且剩餘之磁石粒子之平均粒徑增大之所謂晶粒成 長。 於此’於本發明中，藉由添加由M-(OR)x(式中，Μ係V、 Mo、Zr、Ta、Ti、W或Nb，R係含有烴之取代基，既可為 15507l.doc • 17· 201212067 直键亦可為支鏈，X係任意之整數）所表示之有機金屬化合 物’從而如圖3所示使作為高熔點金屬之Nb等偏在於磁石粒 '子之界面。而且，藉由該經偏在之高炫點金屬，阻礙高溫 時產生之晶界之移動，可抑制晶粒成長。 進而，若將有機金屬化合物添加至磁石粉末，則Nb等以 與有機金屬化合物中所含之氧結合之狀態（例如Nb〇、 Nb203、Nb02、Nb205等）存在。於此，因Nd與氧之反應性 非常高，故而若存在氧，則會於燒結步驟中Nd與氧結合而 形成Nd氧化物。其結果，存在磁特性下降之問題。又，亦 存在因Nd與氧結合而使Nd少於基於化學計量組成 (Nd2FeMB)之含量’於燒結後之磁石之主相内析出aFe，使 得磁石特性大幅下降之問題。尤其是，於磁石原料不會相 對計量組成更多地包含Nd之情形時，此問題變得更嚴重。 然而’藉由進行利用下述電漿加熱之預燒處理，可使以與 氧結合之狀態存在之Nb等還原至金屬Nb等或者還原至Nb〇 等較少氧化數之氧化物（即，氧化數之減少），從而可減少 氧。其結果，可防止燒結時Nd與氧結合，亦可抑制aFe之析 出》 又’較理想的是將Nd晶體粒子1〇之粒徑d設為〇 2 gm〜1 2 μιη、較佳設為〇·3 μηι左右。又，將高熔點金屬層u之厚度d 設為111111~20〇11111、較佳設為211111〜5〇11111。藉此，可抑制燒 結時之Nd磁石粒子之晶粒成長，又，可切斷燒結後之晶 體粒子10間之交換相互作用。再者，若高熔點金屬層丨丨之 厚度d太大’則不表現磁性之非磁性成分之含有率增加，因 155071.doc •18· 201212067 此會使殘留磁通密度下降。 而且，若將Nd晶體粒子10之粒徑D設為0.2 μιη〜1.2 μηι、 較佳設為0.3 μιη左右，則可將其晶體粒設為單磁疇。其結 果，可飛躍性地提高永久磁石1之磁性能。 再者，作為使高熔點金屬偏在於Nd晶體粒子10之晶界之 構成，亦可設為如圖4所示使包含高熔點金屬之粒12散佈於 Nd晶體粒子1 0之晶界之構成。即便係圖4所示之構成，亦可 獲得相同之效果（晶粒成長抑制、交換相互作用之切斷）。再 者，使高熔點金屬如何偏在於Nd晶體粒子10之晶界係可藉 由例如SEM(Scanning Electron Microscope，掃描式電子顯 微鏡）或 TEM(Transmission Electron Microscope，穿透式電 子顯微鏡）或三維原子探針法（3D Atom Probe method)而確 認。 又，高熔點金屬層11並非必須為僅由Nb化合物、V化合 物、Mo化合物、Zr化合物、Ta化合物、Ti化合物或W化合 物（以下，稱作Nb等化合物）構成之層，亦可為包含Nb等化 合物與Nd化合物之混合體之層。於該情形時，添加Nd化合 物，藉此形成包含Nb等化合物與Nd化合物之混合體之層。 其結果，可促進Nd磁石粉末之燒結時之液相燒結。再者， 作為需添加之Nd化合物，較理想的是NdH2、乙酸鈥水合 物、乙醯丙酮鈦（III)三水合物、2-乙基己酸鈦（III)、六氟乙 醯丙酮鈥（III)二水合物、異丙醇鈦、磷酸鈥（ΙΙΙ)η水合物、 三氟乙醯丙酮鈦、三氟甲烷磺酸鈦等。 [永久磁石之製造方法1] 155071.doc -19· 201212067 其次’對本發明之永久磁石1之第1製造方法，使用圖5 進行說明。圖5係表示本發明之永久磁石1之第1製造方法中 之製造步驟之說明圓。 首先’製造包含特定分率iNd_Fe_B(例如Nd : 32·7 wt0/〇， Fe(電解鐵）：65.96 wt% ’ B : 1.34 wt°/。)之鑄錠。其後，藉 由捣碎機或粉碎機等而將鑄錠粗粉碎成2〇〇 μιη左右之大 小。或者，溶解鑄錠，利用薄片連鑄法（Strip Casting Meth〇d) 製作薄片’利用氫壓碎法進行粗粉化。 接著’於（a)氧含量實質上為〇%之包含氮氣體、Ar氣體、 He氣體等惰性氣體之氣體環境中，或者（b)氧含量為 〇_〇001〜0.5%之包含氮氣體、Ar氣體、He氣體等惰性氣體之 氣體環境中，將已粗粉碎之磁石粉末利用喷射磨機41進行 微叙碎’设為具有特定尺寸以下（例如0.1 μιη〜5.0 μηι)、更 佳為單磁疇粒徑（例如0.2 μηι〜1.2 μπι)之平均粒徑之微粉 末。再者，所謂氧濃度實質上為〇%，並不限定於氧濃度完 全為0/。之情形，亦可表示含有於微粉之表面上極少量地形 成氧化覆膜之程度之量的氧。又’所謂具有單磁疇粒徑之 平句粒L之祕粉末，亦可為單磁嘴粒徑之磁石粒子成為主 成刀’亦可包含除單磁粒徑以外之磁石粒子。

另方面，製作利用喷射磨機41進行微粉碎之微粉末中 需添加之有機金屬化合物溶液。於此，於有機金屬化合物 命液中預先添加含有Nb等之有機金屬化合物並使其溶解。 再者作為需溶解之有機金屬化合物，較理想的是使用相 备於M (〇R)x(式中 ’ Μ係 V、M。、Zr、Ta、Ti、W或 Nb，R 155071.doc -20- 201212067 係碳數為2〜6之院基中之任—者，既可為直鏈亦可為支鍵， X係任意之整數）之有機金屬化合物（例如，乙料、正丙醇 銳、正丁醇銳、正己醇銳等）。又，對於需溶解之含有Nb 等之有機金屬化合物之量，並無特別限制，但如上所述較 佳將Nb等相對燒結後之磁石之含量設為〇〇〇1糾％〜1〇 wt%、較佳為0.01 wt%〜5 wt%之量。 接著，向利用喷射磨機41分級之微粉末添加上述有機金 屬化σ物*液。藉此’生成磁石原料之微粉末與有機金屬 化合物溶液混合而成之漿料42。再者，有機金屬化合物溶 液之添加係於包含氮氣體、Ar氣體、He氣體等惰性氣體之 乳體環境下進行。 其後將所生成之漿料42於成形之前藉由真空乾燥等事 刖進行乾燥，取出已乾燥之磁石粉末43。其後，對已乾燥 之磁石粉末43，藉由使用高溫氫電漿之電漿加熱進行預燒 處理。具體而言，將磁石粉末43投入到「2 45 GHz之高頻 微波」電漿加熱裝置内’藉由對氫氣與惰性氣體（例如^氣 體）之混合氣體施加電壓而激發電漿，對磁石粉末43照射所 產生之高溫氫電漿，藉此進行預燒處理。再者，將需供給 之氣體流量設為氫流量1 L/min〜10 L/min、氬流量1 L/min〜5 L/min ’將激發電漿時之輸出電力設為1 kW〜1〇让…，電漿 之照射時間以1秒〜6〇秒進行。 於藉由上述電漿加熱之預燒處理中，可進行將以與氧結 合之狀態存在之Nb等之金屬氧化物（例如NbO、Nb203、 Nb〇2、Nb2〇5等）還原至金屬Nb等之處理或者還原至NbO等 155071.doc •21 - 201212067 較少氧化數之氧化物（即，氧化數之減少）之處理，從而可預 先減少磁石粉末中所含之氧。其結果，於進行燒結之前對 磁石粉末中所含之Nb氧化物等進行還原，藉此可預先減少 磁石粉末中所含之氧。藉此，於隨後之燒結步驟中，不會 因Nd與氧結合而形成Nd氧化物，χ，可防止⑽之析出。 進而，尤其是藉由高溫氫電漿加熱之預燒中，可生成氫自 由基，可於低溫下使用氫自由基容易進行向金.Nb等之還 原或氧化數減少。又，於使用高溫氫電漿之情形時，與使 用低溫氫電漿之情形相比，可提高氫自由基之濃度。因此， 亦可對生成自由能量較低且穩定之金屬氧化物（例如Nb2〇5 等）適宜地進行還原。 以下，使用圖6,對藉由電漿加熱之預燒處理之優勢進行 更詳細說明。 通常為了將生成自由能量較低且穩定之金屬氧化物（例 如Nb2〇5等）還原至金屬為止，需要（1)Ca還原、熔鹽電 解、（3)雷射還原等強有力之還原手法。然而，若使用此類 強有力之還原方法，則因進行還原之對象物之溫度變得非 常向，故而若對如本發明般之]^4磁石粒子進行還原則有 導致Nd磁石粒子溶融之虞。 於此，如上所述藉由咼溫氫電漿加熱之預燒中，可生成 較高濃度之氫自由基。而且，於利用氫自由基之還原中， 如圖6所示溫度越低，表示越強之還原性。因此，Nb2〇5等 生成自由能量較低之金屬氧化物亦可以與上述之還 原手法相比更低溫度進行還原。再者，可進行低溫還原係 155071.doc -22- 201212067 亦可根據預燒後之Nd磁石粒子未進行熔融之情況進行判 斷。 又，亦可設為除藉由上述電漿等之預燒處理以外，進而 藉由於氫氣環境下以20(TC〜900。(：、更佳為以4〇〇它〜9〇〇t:(例 如600t )保持數小時（例如5小時）而進行預燒處理（氫令預 燒處理）的構成。進行該氫巾預燒處理之時序既可於進行藉 由上述電漿加熱之預燒處理之前，亦可於進行後。進而， 亦可對成形前之磁石粉末進行，亦可對成形後之磁石粉末 進行。於該氫中預燒處理中，進行使有機金屬化合物熱分 解而減少預燒體中之碳量之所謂脫碳（decarb〇nizing)。又， 氫中預燒處理係於使預燒體中之碳量為〇15 wt%以下、更 佳為(Mwt%以下之條件τ進行。藉此，藉由隨後之燒結處 理而可緻密地燒結永久磁石i整體，不會降低殘留磁通密度 或保磁力。又’於進行氫中預燒處理之情形時，為降低藉 由氫中預燒處理而活化之預燒體之活性度，亦可於 理後藉由於真空氣體環境下以2〇〇t： 〜6〇〇β(：、更佳為以 400 C〜600 C將預燒體保持卜3小時而進行脫氫處理。其 中，於氫⑽後不與外部氣體相接觸地進行炮燒之情形 時’不需要脫氫步驟。 其次’藉由成形裝置5G而將藉㈣用電漿加熱之預燒處 理所預燒之粉末狀之預燒體65壓粉絲為特定形狀。 如圖5所示，成形裝置5〇包括圓筒狀之鱗模5ι、相對於鱗 模⑽上下方向㈣之下衝頭52、以及相對於相同之禱模 51沿上下方向滑動之上衝頭53 ’由該等包圍之空間構成模 155071.doc -23· 201212067 腔54。 又，於成形裝置50中’將一對磁場產生線圈55、56配置 於模腔54之上下位置’對填充至模腔54之預燒體65施加磁 力線。將需施加之磁場設為例如1 〇 k〇e。 繼而’於進行壓粉成形時，首先將預燒體65填充至模腔 54。 其後’驅動下衝頭52及上衝頭53，對填充至模腔54之 預燒體65沿箭頭61方向施加壓力而使其成形。又，於加壓 之同時，對填充至模腔54之預燒體65,藉由磁場產生線圈 55、 56沿與加壓方向平行之箭頭62方向施加脈衝磁場。藉 此’沿所需之方向定向磁場。再者，定向磁場之方向係必 須考慮對由預燒體65成形之永久磁石丨要求之磁場方向而 決定。 其後，進行將所成形之預燒體65進行燒結之燒結處理。 再者，作為成形體之燒結方法，除一般之真空燒結以外， 亦可利用將成形體加壓之狀態下進行燒結之加壓燒結等。 例如，於利用真空燒結進行燒結之情形時，以特定之升溫 速度升溫至800t〜1080。(：左右為止，並保持2小時左右❶此 期間成為真空煅燒，但真空度較佳設為1〇-4T〇rr以下。其後 進行冷卻，並再次以6〇(rc〜1〇〇(rc進行熱處理2小時。繼 而’燒結之結果，製造永久磁石i。 另一方面，作為加壓燒結，例如有熱壓燒結、熱均壓 (HIP ’ Hot Isostatic Pressing)燒結、放電電漿（sps，化地 PlasmaSintering)燒結等。其中，為抑制燒結時之磁石粒子 之晶粒成長並且抑制燒結後之磁石中產生之翹曲，較佳為 15507 丨,d〇c -24- 201212067 利用沿單軸方向加壓之單軸加壓燒結且藉由通電燒結進行 燒結之SPS燒結。再者，於利用SPS燒結進行燒結之情形 時，較佳為將加壓值設為30 MPa，於數pa以下之真空氣體 環境下以10°C/min上升至940°C為止，其後保持5分鐘。其 後進行冷卻，並再次以600°C〜l〇〇〇°C進行熱處理2小時。繼 而，燒結之結果，製造永久磁石1。 [永久磁石之製造方法2] 其次，對本發明之永久磁石1之其他製造方法即第2製造 方法，使用圖7進行說明。圖7係表示本發明之永久磁石i 之第2製造方法中之製造步驟之說明圖。 再者，直至生成漿料42為止之步驟係與使用圖5既已說明 之第1製造方法中之製造步驟相同，因此省略說明。 首先，將所生成之漿料42於成形之前藉由真空乾燥等事 前進行乾燥，取出已乾燥之磁石粉末43。其後，藉由成形 裝置50而將已乾燥之磁石粉末壓粉成形為特定形狀。再 者，於壓粉成形時，存在將上述已乾燥之微粉末填充至模 腔之乾式法、以及利用溶劑等製成漿料狀後填充至模腔之 濕式法，於本發明中，例示使用乾式法之情形。又，亦可 使有機金屬化合物溶液於成形後之煅燒階段揮發。再者， 由於成形裝置50之詳細情況與使用圖5既已說明之第1製造 方法中之製造步驟相同，因此省略說明。又，於使用濕式 ，之隋办時亦可_面對模腔施加磁場，一面注入漿料， ;入途中或/主入結束後，施加較最初磁場更強之磁場而 進行濕式成开”又，亦可以使施加方向垂直於加壓方向之 15507l.doc •25- 201212067 方式，配置磁場產生線圈55、56。 其次，對藉由壓粉成形所成形之成形體71，藉由使用高 溫氫電漿之電漿加熱進行預燒處理。具體而言，將成形體 71投入到電毁加熱裝置内，#由對氫氣與惰性氣體（例如Ar 氣體）之混合氣體施加電壓而激發電漿，對成形體71照射所 產生之高溫氫電漿，藉此進行預燒處理。再者，將需供給 之氣體流量設為氫流量i L/min〜1〇L/min、氬流量1 L/min〜5 L/min，將激發電漿時之輸出電力設為1 kw〜10 kW，電漿 之照射時間以1秒〜60秒進行。 其後進行將藉由電漿加熱而預燒之成形體71進行燒結 之燒結處理。再者，燒結處理係與上述第丨製造方法相同 地，藉由真空燒結或加壓燒結等進行。由於燒結條件之詳 細内谷與既已說明之第丨製造方法中之製造步驟相同，因此 省略說明。繼而，燒結之結果，製造永久磁石i。 再者，於上述第1製造方法中，由於對粉末狀之磁石粒子 進行預燒處理，因此與對成形後之磁石粒子進行預燒處理 之上述第2製造方法相比，具有對於磁石粒子整體而言可更 容易進行金屬氧化物之還原之優點，即，與上述第2製造方 法相比，可更確實地減少預燒體中之氧量。 [實施例] 以下，對本發明之實施例，一面與比較例進行比較，一 面進行說明。 (實施例） 實施例之鈥磁石粉末之合金組成係較基於化學計量組成 155071.doc • 26· 201212067 之分率（Nd ·· 26.7 wt%，Fe(電解鐵）：72.3 wt%，B : 1.0 wt%) 相比更提高Nd之比率，例如以wt°/〇計設為 Nd/Fe/B=32.7/65.96/1.34。又，於已粉碎之鈦磁石粉末中， 添加正丙醇鈮5 wt%作為有機金屬化合物。又，藉由電漿加 熱之預燒處理係使用高溫氫電漿，將氣體流量設為氫流量3 L/min、氬流量3 L/min，將激發電聚時之輸出電力設為3 kW，電漿之照射時間以60秒進行。又，已成形之預燒體之 燒結係藉由SPS燒結而進行。再者，將其他步驟設為與上述 [永久磁石之製造方法1 ]相同之步驟。 (比較例） 將需添加之有機金屬化合物設為正丙醇鈮，不進行藉由 電漿加熱之預燒處理而進行燒結。其他條件係與實施例相 同。 (基於藉由電漿加熱之預燒處理之有無的實施例與比較 例之比較討論） 對實施例與比較例之永久磁石，分別利用X射線光電子分 光裝置（ECSA，Electron Spectroscopy for Chemical Analysis) 進行分析。圖8係表示對實施例與比較例之永久磁石，以200 eV〜215 eV之結合能量之範圍内檢測之光譜之圖。又，圖9 係表示圖8所示之光譜之波形解析之結果之圖。 如圖8所示，實施例之永久磁石與比較例之永久磁石分別 具有不同之光譜形狀。於此，關於各光譜，若根據標準樣 本之光譜算出光譜之混合比例，且算出Nb、NbO、Nb203、 Nb02、Nb205之比例，則成為圖9所示之結果。如圖9所示， 155071.doc -27- 201212067 於實施例之永久磁石中，Nb之比例為81 °/。，作為Nb氧化物 之NbO之比例成為19%。另一方面，於比較例之永久磁石 中’ Nb之比例大致為0%，作為Nb氧化物之灿2〇5之比例大 致成為100%。 即’可知藉由電漿加熱進行預燒處理之實施例之永久磁 石中’可將以與氧結合之狀態存在之Nb氧化物（Nb〇、 Nb203、Nb02、Nb205)之大部分還原至金屬Nb。又，即便 於無法還原至金屬Nb之情形時，亦可還原至Nb〇等較少氧 化數之氧化物（即，氧化數之減少），從而可預先減少磁石粉 末中所含之氧。其結果，於實施例之永久磁石中，於進行 燒結之前對磁石粉末中所含之Nb氧化物等進行還原，藉此 可預先減少磁石粉末中所含之氧。藉此，於隨後之燒結步 驟中’不會因Nd與氧結合而形成Nd氧化物。因此，於實施 例之永久磁石中，不會因金屬氧化物使得磁石特性下降， 亦可防止aFe之析出。即，可實現具有較高品質之永久磁石。 另一方面，於比較例之永久磁石中殘存有大量Nb氧化 物，故而會於燒結步驟中Nd與氧結合而形成1^(1氧化物。 又，會析出很多aFe。其結果，使得磁特性下降。 如上說明般，於本實施形態之永久磁石丨及永久磁石1之 製造方法中’向敛磁石之微粉末加入添加有由M_(〇r)(式 中’ Μ係V、Mo、Zr、Ta、Ti、W或Nb，R係含有烴之取代 基，既可為直鍵亦可為支鏈’ X係任意之整數）所表示之有 機金屬化合物之有機金屬化合物溶液，從而使有機金屬化 合物均勻地附著於鉉磁石之粒子表面。其後，對磁石於末 155071.doc • 28 · 201212067 進行藉由電漿加熱之預燒處理。其後，於成形之後進行真 空燒結或加壓燒結，藉此製造永久磁石1 ^藉此，即便*Nb 等之添加量少於先前，亦可使所添加之Nb等有效偏在於磁 石之晶界。其結果，可抑制燒結時之磁石粒子之晶粒成長， 並且可藉由切斷燒結後之晶體粒子間之交換相互作用而阻 礙各晶體粒子之磁化反轉，從而提高磁性能。又，與添加 其他有機金屬化合物之情形相比，可容易進行脫碳，不存 在由於燒結後之磁石内所含之碳而使保磁力下降之虞， 又’可緻密地燒結磁石整體。 進而，由於作為高熔點金屬之>^等在燒結後偏在於磁石 之晶界，因此偏在於晶界之Nb等抑制燒結時之磁石粒子之 曰a粒成長，並且燒結後可藉由切斷晶體粒子間之交換相互 作用而阻礙各晶體粒子之磁化反轉，從而提高磁性能。又， 由於Nb等之添加量少於先前，因此可抑制殘留磁通密度之 下降。 於偏在於磁石之晶界2Nb等係於燒結後在 粒子表面形成厚度為i nm〜2〇〇 nm、較佳為2 nm〜5〇⑽之 層，因此抑制燒結時之磁石粒子之晶粒成長，並且可藉由 ㈣燒結後之晶體粒子間之交換相互作用而阻礙各晶體粒 子之磁化反轉，從而提高磁性能。 、又，若將磁石原㈣碎成包含單磁#粒徑之磁石粉末之 、:末則可抑制燒結時之具有單磁_粒徑之磁石粒子 :晶粒成長。X，藉由抑制晶粒成長，可將燒結後之永久 石之晶體粒設為單磁，。其結果，可飛躍性地提高永久 15507l.doc -29- 201212067 磁石1之磁性能。 又將添加有有機金屬化合物之磁石粉末或成形體在燒 結之前藉由電聚加熱進行預燒，藉此可進行將於預燒之前 以與氧結合之狀態存在之Nb等還原至金屬Nb等之處理或 者還原至NbO等較少氧化數之氧化物(即，氧化數之減少) 之處理。因此’即便於添加有有機金屬化合物之情形時， 亦可防止磁石粒子所含之氧量增加1此抑制於燒結後 之磁石之主相内析出心’或者抑制氧化物之生成，不會大 幅度降低磁石特性。 於藉由電漿加熱之預燒處理中，由於以輸出電力1 kw〜1 〇 kW、氫流量！ L/min〜1〇 L/min、氬流量 i L/min〜5 [/_、 照射時間1秒〜6〇秒進行，因此於適當之條件下使用高溫氣 電漿加熱進行磁石粉末或成形體之預燒，藉此可更確實地 減v磁石粒子所含之氧量。進而，由於使用高溫氫電聚加 熱進行預燒，因此可生成較高濃度之氫自由基，即便於形 成有機金屬化合物之金屬作為穩定之氧化物存在於磁石粉 末中之情形時’亦可於低溫下使用氫自由基容易進行向金 屬之還原或氧化數減少。 又尤其疋第1製造方法令，由於對粉末狀之磁石粒子進 行預燒因此與對成形後之磁石粒子進行預燒之情淨相 比，具有對於磁石粒子整體而言可更容易進行金屬氧化物 之還原之優點。即，與上述第2製造方法相比，可更確實地 減少預燒體中之氧量。 又’尤其是作為需添加之有機金屬化合物，若使用含有 155071.doc -30- 201212067 烷基之有機金屬化合物、更佳為含有碳數為2〜6之烷基之有 機金屬化合物’則於氫氣環境下預燒磁石粉末或成形體 時，可於低溫下進行有機金屬化合物之熱分解。藉此，對 於磁石粉末整體或成形體整體而言可更容易進行有機金屬 化合物之熱分解。其結果，抑制於燒結後之磁石之主相内 析出aFe，可緻密地燒結磁石整體，且可防止保磁力下降。 再者，當然本發明並不限定於上述實施例，於不脫離本 發明之主曰之她圍内可進行各種改良、變形。 又，磁石粉末之粉碎條件、混練條件、預燒條件、脫氫 條件、燒結條件等並不限定於上述實施例所揭示之條件。 又，於上述實施例中，作為添加至磁石粉末之含有1^^等 之有機金屬化合物，使用正丙醇鈮，但若係由m_(〇r)〆式 中，Μ係V、M。、Zr、Ta、Ti、W或Nb，R係含有烴之取代 基，既可為直鏈亦可為支鏈，χ係任意之整數）所表示之有 機金屬化合物，則亦可為其他有機金屬化合物。例如，亦 可使用含有碳數為7以上之烷基之有機金屬化合物或包含 除烷基以外之含有烴之取代基之有機金屬化合物。 3 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之永久磁石之整體圖； 圖2係將本發明之永久磁石之晶界附近放大 圖； 、之槟式 圖3係表示強磁體之磁疇結構之模式圖； 圖4係將本發明之永久磁石之晶界附近放大表示 HI ： '、模式 155071.doc •31· 201212067 圖5係表示本發明之永久磁石之第1製造方法中之製造步 驟之說明圖； 圖6係說明使用高溫氫電漿加熱之預燒處理之優勢之圖； 圖7係表示本發明之永久磁石之第2製造方法中之製造步 驟之說明圖； 圖8係表示對實施例與比較例之永久磁石以2〇〇 eV〜2i5 eV之結合能量之範圍内檢測之光譜之圖；及 圖9係表示圖8所示之光譜之 【主要元件符號說明】 1 永久磁石 10 Nd晶體粒子 11 南溶點金屬層 12 高熔點金屬粒 41 喷射磨機 42 漿料 43 磁石粉末 50 成形裝置 51 鑄模 52 下衝頭 53 上衝頭 54 模腔 55 > 56 磁場產生線圈 61、 62 箭頭 65 預燒體 波形解析之結果之圖。 I55071.doc -32- 201212067 71 D d 成形體 粒徑 厚度 155071.doc -33

Claims (1)

1. 201212067 七、申請專利範圍： 1. 一種永久磁石，其特徵在於其係藉由如下步驟製造而成： 將磁石原料粉碎成磁石粉末； 於上述已粉碎之磁石粉末中添加由以下結構式 m-(or)x (式中’ Μ係V、Mo、Zr、Ta、Ti、W或Nb，R係含有烴 之取代基，既可為直鏈亦可為支鏈，χ係任意之整數） 所表示之有機金屬化合物，藉此使上述有機金屬化合 物附著於上述磁石粉末之粒子表面； 將粒子表面上附著有上述有機金屬化合物之上述磁石 粉末藉由電漿加熱進行預燒而獲得預燒體； 藉由將上述預燒體成形而形成成形體；以及 對上述成形體進行燒結。 2. 如請求項1之永久磁石，其中於獲得上述預燒體之步驟 中’藉由高溫氫電漿加熱進行預燒。 3. 如請求項1之永久磁石，其中於粉碎上述磁石粉末之步驟 中，將上述磁石原料粉碎成包含單磁嘴粒徑之磁石粉末 之磁石粉末® 4. 如請求項1至3中任一項之永久磁石，其中上述結構式中 之R係烷基。 5. 如請求項4之永久磁石，其中上述結構式中之尺係碳數為 2〜6之烷基中之任一者。 6. 如請求項1至3中任一項之永久磁石，其中形成上述有機 金屬化合物之金屬係於燒結後偏在於上述永久磁石之曰 I55071.doc 201212067 界。 7. 如請求項6之永久磁石，其中形成上述有機金屬化合物之 金屬係於燒結後在上述永久磁石之晶體粒子表面形成厚 度為1 nm〜200 nm之層。 8. 一種永久磁石，其特徵在於其係藉由如下步驟製造而成·· 將磁石原料粉碎成磁名粉末； 於上述已粉碎之磁石粉末中添加由以下結構式 M-(〇R)x (式中，Μ係V、Mo、zr、Ta、Ti、W或Nb，R係含有烴 之取代基，既可為直鏈亦可為支鏈，χ係任意之整數） 所表不之有機金屬化合物，藉此使上述有機金屬化合 物附著於上述磁石粉末之粒子表面； 藉由將粒子表面上附著有上述有機金屬化合物之上述 磁石粉末成形而形成成形體； 將上述成形體藉由電漿加熱進行預燒而獲得預燒體； 以及 對上述預燒體進行燒結。 9. 如明求項8之永久磁石，其中於獲得上述預燒體之步驟 中’藉由鬲溫氫電漿加熱進行預燒。 10. 如明求項8之永久磁石，其中於粉碎上述磁石粉末之步驟 中將上述磁石原料粉碎成包含單磁鳴粒徑之磁石粉末 之磁石粉末。 11. 如請求項8至10中任一項之永久磁石，其中上述結構式中 之R係烷基。 155071.doc 201212067 12. 如請求則之永久磁石，其中上述結構式中之汉係碳數為 2〜6之院基中之任一者。 13. 如請求項8至1G中任-項之永久磁石，其中形成上述有機 • 金屬化合物之金屬係於燒結後偏在於上述永久磁石之晶 界。 ' 14.如請求項13之永久磁石，其中形成上述有機金屬化合物 之金屬係於燒結後在上述永久磁石之晶體粒子表面形成 厚度為1 nm〜200 nm之層。 15. —種永久磁石之製造方法，其特徵在於包含如下步驟： 將磁石原料粉碎成磁石粉末； 於上述已粉碎之磁石粉末中添加由以下結構式 m-(or)x (式中’ Μ係V、Mo、Zr、Ta、Ti、w或Nb，R係含有烴 之取代基，既可為直鏈亦可為支鏈，x係任意之整數） 所表不之有機金屬化合物，藉此使上述有機金屬化合 物附著於上述磁石粉末之粒子表面； 將粒子表面上附著有上述有機金屬化合物之上述磁石 粉末藉由電漿加熱進行預燒而獲得預燒體； • 藉由將上述預燒體成形而形成成形體；以及 . 對上述成形體進行燒結。 16. 如請求項15之永久磁石之製造方法，其中於獲得上述預 燒體之步驟中，藉由高溫氫電漿加熱進行預燒。 17. 如請求項15之永久磁石之製造方法，其中於粉碎上述磁 石粉末之步驟中，將上述磁石原料粉碎成包含單磁疇粒 155071.doc 201212067 徑之磁石粉末之磁石粉末。 18. 如請求項15至17中任一項之永久磁石之製造方法，其中 上述結構式中之R係烷基。 19. 如請求項18之永久磁石之製造方法，其中上述結構式中 之R係碳數為2〜6之烷基中之任一者。 20. —種永久磁石之製造方法，其特徵在於包含如下步驟： 將磁石原料粉碎成磁石粉末； 於上述已粉碎之磁石粉末中添加由以下結構式 m-(or)x (式中，Μ係V、Mo、Zr、Ta、Ti、w或Nb，R係含有烴 之取代基，既可為直鏈亦可為支鏈，χ係任意之整數） 所表示之有機金屬化合物，藉此使上述有機金屬化合 物附著於上述磁石粉末之粒子表面； 藉由將粒子表面上附著有上述有機金屬化合物之上述 磁石粉末成形而形成成形體； 將上述成形體藉由電漿加熱進行預燒而獲得預燒體； 以及 對上述預燒體進行燒結。 21. 如請求項20之永久磁石之製造方法，其中於獲得上述預 燒體之步驟中，藉由高溫氫電漿加熱進行預燒。 22. 如請求項20之永久磁石之製造方法，其中於粉碎上述磁 石粉末之步驟中，將上述磁石原料粉碎成包含單磁疇粒 徑之磁石粉末之磁石粉末。 23. 如請求項20至22中任一項之永久磁石之製造方法，其中 155071.doc •4· 201212067 上述結構式中之R係烷基。 24.如請求項23之永久磁石之製造方法，其中上述結構式中 之R係碳數為2〜6之烷基中之任一者。 155071.doc