TW201214812A - Piezoelectric ceramic sheet transducer and manufacturing method thereof - Google Patents

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TW201214812A
TW201214812A TW99132479A TW99132479A TW201214812A TW 201214812 A TW201214812 A TW 201214812A TW 99132479 A TW99132479 A TW 99132479A TW 99132479 A TW99132479 A TW 99132479A TW 201214812 A TW201214812 A TW 201214812A
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Wu-Song Zhuang
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Description

201214812 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種壓電陶瓷片裝置及其製作方法,特別 疋種壓電陶曼片振逢子及其製作方法。 【先前技術】 在習知技術中1電陶竟片振盈子(ρζτ 叫可 用於霧濕器,其可於水中產生超音波,推升出一水柱由 水柱與空氣界面喷出表面音波之瑞利波(一_ w請)液 =’並經由風扇吹人空氣輸送出霧滴至周圍環境,霧滴飄 浮在空中達到增加環培洚声夕 衣兄屋度之目地。液滴大小與超音波頻 率有關,頻率愈高、液滴目,丨备i 履凋則愈小,在相同之輸送液滴裝置 下則霧化量愈小。 有些習知霧濕器以超音波喑屮雜& , + 、a收噴出樂物小液滴,經由鼻子吸 肺中加以吸收,達到治療疾病(如氣喘病)之功效。有些 習知霧濕器以超音波噴出清潔劑液滴滲透分佈於碗碟上了 可用少量的水即可去除油沄,、去 '、 達到洗碗機省水之功能。有 些習知霧濕器則除了產主水滴外, 同卜同時經由尚壓尖端放電 使產生臭氧並隨水滴飄浮空中 〜于二甲,被人體吸收 抗氧化之養生功效。 兩 習知技術中設計霧 '县哭荖番 務...、印者重在如何以較小之輸入電能, 生較大之霧化水滴量,簡稱露旦 務化里(Mist amount),設計 重點著重在液滴輸送裝晋 询、我置電源與振盪線路設計,另一方 面則為避免喷霧水槽内水量 ^ 、無减少,造成振盪子無水下 仍進行超音波振盪,超音浊自t 匕®無水傳遞出,致使振廬子 149583.doc 201214812 聚能過熱’超過居禮溫度後失去功能,所以設計著重在儲 水液位債測及大水槽内之水如何自動進量控制至喷霧水槽 中,並使振逢子振動面與液位維持一定之距離或者需控 制振盪子與液位之傾斜角度、或加裝大液滴隔除導二 以達到較大或穩定之噴霧量等。
^近年來,輕薄短小可攜式霧濕器需求日增,以小電能喷 霧之裝置漸為發展趨勢,設計上採用壓電陶究片產生振動 擠塵:體經由具小孔洞之金屬片產生霧滴,其訴求大都為 霧濕器構造之設計,針對如何製作喷霧量大、壽命長之壓 電陶瓷片振盪子則少有文獻及專利探討。 以下列舉數篇關於霧濕器振盪子之先前技術文獻,並進 行簡單之說明。 先前技術文獻丨:高橋實,「超音波振動子」,岡琦清、 -瀨昇、五十嵐秀大野留治、山本博孝編「壓電陶瓷 之應用」’學獻社出版,PP.184〜191(1988)。 對製作霧濕子提出—些定性及理論之說明,未揭 示振盪子電極設計和膠黏製程等對霧化量之影響。 先别技術文獻2 :美國專利第4257989八號(TDK霧渴 器)。 ’’’、 揭不霧濕器之結構組合和振盪子之電極佈置,未說明振 盧子之相關製作方法及性能。 先則技術文獻3 :美國專利第5〇217〇1八號(丁1)1<:振盪子 架設裝置。 揭示振盪子之電極佈置,未說明振盪子之相關一製作方 149583.doc 201214812 法及性能,以符合架設裝置而獲得最大霧化量。 先則技術文獻4 :美國專利第4976259號(醫用超音波吸 療器)。 揭不一吸療斋,其使用相同電極佈置之振盪子,但未說 明如何獲得大霧化量。 先則技術文獻5 :美國專利第57571 〇4號(振盪子與線路 最佳匹配法)。 揭不振盪子與線路最佳匹配法,其說明相同電極佈置 或改t電極佈置之㈣子’可匹配最佳振盈線路獲得最大 振動仁未5兒明振盪子電極直徑與陶片直徑配比可獲得最 大振動(霧化量)。 口此冑必要提供一創冑且具進步性的壓電陶曼片振盈 子及其製作方法,以解決上述問題。 【發明内容】 本發明提供—種壓電陶瓷片振盪子,包括:一壓電陶瓷 基材及:電極單元。該壓電陶瓷基材具有相對之一第一表 面^第—表面’其機械品質因子队)係大於14⑼。該電 極單=具有_第_電極及—第二電極,該第—電極設置於 :第:表面,㈣一電極具有—第一直徑,該第二電極覆 盖該第二表面且延伸覆蓋至該第一表面周緣之部分表面, 該第二電極之覆蓋該第二表面之部分具有一第二直徑該 第直^與6亥第二直輕之配比係為0.498至0.502。 、本發明另提供一種壓電陶瓷片振盪子之製作方法,包括 、V驟(a)提供-壓電陶究基材,該壓電陶免基材具有 149583.doc 201214812 相對之一第一表面及一第二表面’其機械品質因子(Qm)係 大於1 400 ;及沙)形成一電極單元於該壓電陶瓷基材,該電 極單元具有一第一電極及一第二電極,該第一電極設置於 „玄第一表面,該第一電極具有一第一直徑,該第二電極覆 盍該第二表面且延伸覆蓋至該第一表面周緣之部分表面, α亥第一電極之覆蓋該第二表面之部分具有一第二直徑該 第直么與遠弟二直徑之配比係為〇 ·498至〇. 5 02。
由選用局機械品質因子Qm之壓電陶瓷材料(Qm>M〇〇)、 設計壓電陶瓷材料之相對二側之第—電極直徑及第二電極 直徑之配比在適當範圍,及控制設置箔片之結合材料之厚 度在適當範圍下’可製作出霧化量大、使用壽命長之壓電 陶曼片振盤子。 【實施方式】 圖1顯示本發明塵電陶曼片振盈子之剖面圖圖2顯示本 發明壓電陶曼片振盛子之俯視圖。配合參考圖丨及2,在本 實她例中’该壓電陶瓷片振盪子係為霧濕器用之壓電陶瓷 片振盪子,但不以此應用為❿。該壓電陶究片振盪子!包 括:-壓電陶莞基材"、一電極單元12、_落片"及_结 合材料14。該壓電陶竞基材丨】具有相對之一第一表面η! 及一第二表面m,該壓電陶究基材11之機械品質因子 (Qm)係大於1400。 —電極1 2 2,該 一電極121具有 二表面112且延 該電極單元12具有一第一電極12丨及一第 第一電極121設置於該第一表面lu,該第 -第-直徑〇Dl。該第二電極122覆蓋該第 I49583.doc -6 - 201214812 伸覆蓋至該第—表面ill周緣之部分表面,該第二電極122 之覆蓋該第二表面H2之部分具有一第二直徑OD2。在本 實施例中,該第一電極121及該第二電極122係為銀電極。 s亥第一直徑0D1與該第二直徑〇D2之配比係為〇的8至 0.502 〇 °亥vl片1 3設置於該壓電陶瓷基材丨丨之一側且相對該第二 表面11 2。在本實施例中,該箔片1 3係為金屬材質。較佳 地,該箔片13係為不銹鋼(例如304、316不銹鋼)箔片或鈦 金屬治片’該箔片13之厚度較佳係為2〇至3〇微米。在本實 她例中,s玄結合材料丨4係為環氧樹脂,其設置於該第二電 極122與該箔片13之間。較佳地,該結合材料“之厚度係 小於12微米。 可理解的是,本發明之壓電陶瓷片振盪子1可不具有一 鎘片及一結合材料’其同樣可以作動且產生振盪功效。 圖3顯示本發明壓電陶瓷片振盪子之製作方法流程圖。 配合參考圖1至3,首先,參考步驟S31,提供一壓電陶瓷 基材11,該壓電陶瓷基材丨丨具有相對之一第一表面1丨丨及 一第二表面112 ’其機械品質因子(Qm)係大於1400。 在本實施例中’步驟S3 1包括:步驟S3 11,將壓電陶瓷 材料配方粉煆燒後細磨調漿,並噴霧造粒形成壓電陶瓷材 料顆粒;步驟S3 12,壓胚成型該等壓電陶瓷材料顆粒;步 驟S3 13,燒結壓胚後之壓電陶瓷材料;及步驟S3丨4,平行 研磨(lapping)燒結後之壓電陶瓷材料,以形成該壓電陶瓷 基材11。 149583.doc 201214812 參考步驟S 3 2,形成一雷代DD - , a 风電極早兀12於該壓電陶瓷基材 11。在本實施例中,步驟S32包# :塗佈—電極基材於該 壓電陶I·基材u之表面,該電極基材設置於該第—表面 ⑴,且言玄電極基材覆蓋該第4面112且延伸冑蓋至該第 一表面ill周緣之部分表面;燒付該電極基材,以形成該 電極單兀1 2。其中,塗佈之電極基材之厚度較佳為 0.01〜0.002 mm。亦即,該電極單元12具有一第一電極121 及一第二電極〗22 ,該第一電極121設置於該第一表面 111,該第一電極12 1具有一第一直徑〇D丨。該第二電極 122覆盍該第二表面^2且延伸覆蓋至該第一表面ιη周緣 之部分表面’該第二電極122之覆蓋該第二表面n2之部分 具有一第一直徑OD1。較佳地,該第一直徑與該第二直徑 之配比係為0.498至0.502。 在本實施例中,在該電極單元】2形成之後,另包括一極 化該壓電陶瓷基材11之步驟S33。在本實施例中,其係以 高壓電極化該壓電陶瓷基材〗丨。並且,在極化該壓電陶瓷 基材11後’另包括一清洗該壓電陶瓷基材之步驟S34。 參考步驟S35,設置一箔片13於該壓電陶瓷基材11之一 側且相對該第二表面丨丨2。在本實施例中,該箔片〗3係為 金屬材質(金屬箔),且係透過一結合材料14設置於該第二 電極122與該箔片13之間。 在超音波霧濕器之應用中,本發明之壓電陶瓷片振盪子 1係進行焊接導線或將壓電陶瓷振盪子1接觸導電環’再套 入防水橡膠套或特殊設計之塑膠座殼中,即可製作完成具 149583.doc 201214812 子1之霧濕器。最後電陶究㈣子1 廢電陶=估可用固定之振盈線路及輸入電能加以評估。 壓電陶瓷片振盪子材料之選擇 壓電陶瓷片振盪子1 如市面上h 、.,由厚度方向之振動產生超音波, Η # ^使用之塵電陶曼片振盈子1之頻率fr約在
Hz之間,改變壓 ,§ ^ L電陶丈基材11之厚度即可改變振動 般慣用之頻率分別有…4、28MHz til基材"厚度則需逐漸遞減。霧濕器内壓電陶 Λ ' ;子1置於水底’其振幅《(Vibration amplhude声外 :如、壓電應㈣數d33(pi__es㈣η。咖Μ) 水中之機械品質因子_ty⑹ 關,以下列公式表示為: ζ = ά:^·Ε· Qt ⑴ 之機械品質因子Ql代表壓電陶瓷片振盪子】之振 日命’部份動能被壓電陶竟基材㈣熱能消耗掉之大小, 姿、=i陶t基材11材料之機械品質因子Qm有目。壓電陶
土才11之機械品質因子Qm愈大,振動時熱能消耗愈少。 同理,Q I I 剧入電说以熱能方式消耗愈少、振幅相對 二二外,壓電陶竟之特性通常是壓電應變係數d33愈大 汝仑;' 八機械。σ質因子Qm愈小。隨著新的壓電陶瓷材料例 — 呵W壓電陶瓷材料之開發,其應用於霧濕器是 靶產生較大之霧化量則未知。 义係”'、頁不3種壓電陶竟片振盈子(比較例PZT-1、PZT-2 和PZT-3,其中p y 甲PZT-3係為本發明之一發明例)之壓電特性 149583.doc 201214812 比較結果,以及製成1.65 MHz超音波振盪子經輸入24買和 28 W電能驅動下之霧化量比較結果。結果顯示,高Qm值之 壓電陶瓷片振盪子(發明例PZT-3,Qm大於1400)可明顯獲 得較大之霧化量’而d33較高之壓電陶瓷片振盪子(比較例 P Z T-1及P Z T- 2)所得霧化量較少。 表一
壓電應變係數機電编合機械品質_^bt(c.c./min) d33(1012m/V)係數 kp(%.)因子 Qm 24W 28W 比較例1, PZT-1 450 65 500 2.9 厶O W 4.9 比較例2, PZT-2 380 62 1400 3.5 5.8 發明例 PZT-3 280 6] 2000 4.1 6.6 在表1中,比較例PZT-1之壓電特性d33〜45〇、Qm〜50(), 且表1顯示當Qm值大於1400時,165 ]^}^壓電陶瓷片振盪 子於輸入28W之電能驅動下可得約35〇c c /小時之霧化量, 已能符合市場上對霧濕器產生高霧化量之最低需求。要強 凋的疋,使用Qm>2〇〇〇之壓電陶瓷片製作壓電陶瓷片振盪 子所組合之霧濕裔,其霧化量優於市場上之其他霧濕裝置 (例如:日本TDK或Fukoku公司製之超音波振盪子)。高(^〇1 之壓電陶瓷片振盪子置入水中,雖然有水之冷卻帶走熱量 之影響,壓電陶究片振盡子之品質因子匕仍充份反應材料
Qm本質特性,使得對壓電陶瓷片振盪子之振幅仍有決定性 之影響。 麼電陶瓷片振盪子之電極設計 在本發明中,應用於霧濕器之壓電陶瓷片振盪子1之電 I49583.doc 201214812 極單元1 2佈置,係於壓電陶 u充丞材II之苐一表面n】塗佈 一中心圓銀電極(第-電極121),其直徑為⑽,另於壓電 竟基材11之第—表面】i 2全部表面、塵電陶曼基材】1之 側面及第一表面1 1 1周绫八 , 邙刀表面塗佈一背面銀電極(第 一電極122)’該銀電極之遘甚兮牮_ * t覆蓋6玄第一表面112之部分具有 一第二直徑OD2。 八
以直徑為2G_之壓電陶究基材]1為例,該第-表面⑴ 之中二圓銀電極直徑⑽約2咖,且由該第二表面112延 伸至該第一表面lu之部分電極提供導電環輪入電能。霧 濕器用壓電陶Η振盪子冰用厚度方向之振動,而厚度 振動限制在中心圓銀電極下,壓電陶究片振盪子丨之背面 (位於該第二表面112之側)接觸水為輸出超音波之端面。然 而’要祝明的是’中心圓銀電極之面積(也是壓電陶瓷基 材1〗内電偶極經外加高電壓極化使之排列整齊之區域)才 疋超音波可輸出之涵蓋範圍,所以超音波單位面積輸出之 能量及輸出強度與中心圓銀電極之面積有關。 雖然壓電陶瓷片振盪子1使用厚度振動之模態輸出超音 波’然而其平面振動模態之振動亦同時存在,此平面振動 因為壓電陶瓷片振盪子丨之背面銀電極面積和中心圓銀電 極面積之差異,使得振動連界條件改變,同時改變壓電陶 瓷片振盪子1之機電耦合係數,使得電能轉換為機械能之 比例改變。 表2係顯示比較2種振動頻率(1.65 MHz和2.4 MHz)下, 表1中之PZT-3壓電陶瓷片振盪子中心圓銀電極之直徑〇Dl 149583.doc 201214812 和背面銀電極之直徑OD2配比對霧化量之影響。其中, 1.65 MHz和2.4 MHz壓電陶瓷片振盪子分別輸入24 W和 12W電能驅動 O 表二 振塗子 陶片厚 OD1 OD2 霧化量 應用頻率 ΐ (mm) (mm) (mm) (c.c./min) 1.65MHz 1.23-1.25 12.9 20 3.39 1 (' 65MHz 务明例) 1.23-1.25 13.1 20 4.13 1.65MHz 1.23-1.25 13.3 20 3.85 2.4MHz 0.84-0.86 10.05 20 2.68 •4MHz 蚤明例) 0.84 〜0_86 10 20 2.94 2.4MHz 0.84-0.86 9.97 20 2.73 2.4MHz 0.84-0.86 9.95 20 2.57 2.4MHz 0.84 〜0.86 9.93 20 2.29
配合參考表1及表2,以PZT-3之壓電陶瓷基材製作背面 銀電極之直徑OD2為20 mm、頻率分別為1.65 MHz和2.4 MHz之壓電陶瓷片振盪子,其厚度t分別為1.23〜1.25 mm和 0.84〜0.86 mm,改變中心圓銀電極之直徑OD 1分別為 ].29〜1.33 mm和 10.93〜11.05 mm,分別輸入24W和 12W之 電能比較評估霧化量之差異。 表2顯示,不論1.65 MHz和24 MHz之壓電陶瓷片振盪 子,欲獲得最大霧化量,其中心圓銀電極之直徑OD〗與背 面銀電極直徑OD2有一最佳化之配比(OD1/OD2)值,隨著 直徑配比(OD1/OD2)值之改變,霧化量急劇變化。所以霧 濕器欲獲得最大霧化量需嚴格控制中心圓銀電極之直徑 OD1與背面銀電極OD2之直徑配比(OD1/OD2)。 149583.doc 12 201214812 圖4顯示2.4 MHz之壓電陶瓷片振盪子產生之霧化量與直 徑配比(OD1/OD2)之對應關係。在輸入12W之電能下欲獲 知大於2.5c.c./分鐘之霧化量,則(〇D1/〇D2)之配比較佳係 控制在0.498〜0.502之範圍。 壓電陶瓷片振盡子貼黏金屬箔之黏膠厚度最佳化 壓電陶瓷片振盪子1應用在霧濕器中時,壓電陶瓷片振 盪子1之背面直接接觸水或清潔劑液體等,如果是背面銀 電極直接接職體,則容易輕,影響㈣陶U振盈子 1之壽命,所以較佳會貼黏抗腐蝕性能較佳之金屬箔(箔片 13),該金屬箔包括304、316不銹鋼羯片或鈦金屬羯片 等’其厚度約為20〜3〇 μηΊ ’以金屬落直接面對液體,防触 性能增加,壓電陶:是片振仏之使用壽命得以延長。 要注意的是’貼黏金屬羯片會使用黏膠(結合材料14), 使用膠黏性能較佳之環氣榭护瞰, 、 衣乳树知膠(ep〇xy),環氣樹脂膠以氫 鍵鍵結二金屬面(背面銀電極和金屬 厚度需適當控制,才不會因黏膠過厚吸收振動能量黏= 超音波強度而影響霧化量;但黏膠過薄可能膠黏強度過 弱’金屬猪片易剝離’影響壓電陶瓷片振盪子之使用壽 命。 表3顯示表1中之PZT-3壓電陶竞片振i子以M2〇0、
M250、M420三種網目(M (Sh)之,.周版印刷環氧樹脂膠後, 貼黏厚度3 〇 μΐΏ之金Μ笔y 1 η λ 〇 屬7白片以100、2〇〇 Kg之施力於適當 之溫度下黏著後,再和击丨丨、,田洚β蔽丄 栓制恤度及壓力使環氧樹脂膠硬化 後,觀察分析黏膠厚度、評估霧化量。 149583.doc 13 201214812 表三 刷膠網目 施力(Kg) 膠厚t (μτη) 霧化量 (c.c./min) 200Mesh 250Mesh 420Mesh (發明例) 100 200 100 200 100 200 15 14 13.4 12 11 10 1.65 1.81 2.22 2.55 2.98 3.11 以 M200、M250、M420三種網 θ + λπϊι ^ / 一樘網目之網版印刷黏膠,網目 孔徑依序漸細小,所塗覆之轉量可依序遞減,控制貼黏 時之施力,可使黏膠厚度獲得控制。以河2〇〇、M25〇、 M420三種網目印塗黏膠之壓電陶究片振盪子,分別施力 1〇〇、200 Kg下黏著’並以相同條件進行硬化處理使黏 膠厚度控至在H)〜I5 _之範圍。使用孔徑愈細之⑽_ 目,其黏膠塗覆量愈少、介於金屬羯片和背面銀電極間之 «厚度愈薄’不同黏膠厚度之壓電陶£片振i子 務化量結果如表3所示。 人:考圖5,其顯示壓電陶:是片振盥子之霧化量與黏膠屮 5材料)厚度之關係。圖5顯示,黏膠厚度愈薄、霧化旦: 大’黏膠厚度<12 μηι之壓電陶瓷片振盪子之霧化 ⑽./分鐘。黏膠厚度約1〇 _之壓電陶兗片振盈子,: 評估其膠結強度大於3kg,且經長期(>1〇〇〇小 病 之喷霧壽命测試合格。 )連, '上由選用高機械品質因子Qm之壓電陶 設計壓電陶編u之相對二側之第_ = 149583.doc 201214812 121直徑及第二電極122直徑之配比(〇d丨/〇D2)在適當範圍 (OD1/〇D2 = 〇.498〜0.502),及控制設置箔片13之結合材料 14之厚度在適當範圍(< 12 μπι)下,可製作出霧化量大、使 用壽命長之壓電陶瓷片振盪子1。 上述貫施例僅為說明本發明之原理及其功效,並非限制 _ 本發明’因此習於此技術之人士對上述實施例進行修改及 麦化仍不脫本發明之精神。本發明之權利範圍應如後述之 申請專利範圍所列。 _ 【圖式簡單說明】 圖1顯示本發明壓電陶瓷片振盪子之剖面圖; 圖2顯示本發明壓電陶瓷片振盪子之俯視圖; 圖3顯示本發明壓電陶瓷片振盪子之製作方法流程圖; 圖4顯示2.4 MHz之壓電陶瓷片振盪子產生之霧化量與直 徑配比(OD1/OD2)之對應關係;及 圖5顯示本發明壓電陶瓷片振盪子之霧化量與黏膠厚度 之關係。 • 【主要元件符號說明】 1 本發明之壓電陶瓷片振盪子 11 壓電陶瓷基材 12 電極單元 13 箔片 14 結合材料 111 第一表面 112 第二表面 149583.doc 201214812 12] 第 一電極 122 第 二電極
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Claims (1)

  1. 201214812 七、申請專利範圍: 1. 一種壓電陶瓷片振盪子,包括: 一壓電陶瓷基材,具有相對之一第一表面及一第二表 面,其機械品質因子(Qm)係大於1400 ;及 一電極單元,具有一第一電極及一第二電極,該第一 電極設置於該第一表面,該第一電極具有一第一直徑, " 該第二電極覆蓋該第二表面且延伸覆蓋至該第一表面周 緣之部分表面,該第二電極之覆蓋該第二表面之部分具 I 有一第二直徑,該第一直徑與該第二直徑之配比係為 0.498至 0.502 ° 2. 如請求項1之壓電陶瓷片振盪子,其中該第一電極及該 第二電極係為銀電極。 3. 如請求項1之壓電陶瓷片振盪子,另包括一箔片,設置 於該壓電陶瓷基材之一側且相對該第二表面。 4. 如請求項3之壓電陶瓷片振盪子,其中該箔片係為金屬 材質。 φ 5.如請求項4之壓電陶瓷片振盪子,其中該箔片係為不銹 鋼箔片或鈦金屬箔片。 6. 如請求項3之壓電陶瓷片振盪子,其中該箔片之厚度係 為20至30微米。 7. 如請求項3之壓電陶瓷片振盪子,另包括一結合材料, 設置於該第二電#與該箔片之間。 8. 如請求項6之壓電陶瓷片振盪子,其中該結合材料之厚 度係小於12微米。 149583.doc 201214812 9· 一種壓電陶瓷片振盪子之製作方法’包括以下步驟: U)提供一壓電陶瓷基材,該壓電陶瓷基材具有相對之 一第一表面及一第二表面,其機械品質因子係 大於1400 ;及 • (b)形成一電極單元於該壓電陶瓷基材,該電極單元具 有一第一電極及一第二電極,該第一電極設置於該 第-表面’該第一電極具有—第—直徑該第二電 極覆蓋該第二表面且延伸覆蓋至該第一纟面周緣之 • 部分表面,該第二電極之覆蓋該第二表面之部分具 有一第二直徑,該第一直徑與該第二直徑之配比係 為 0.498至 0.502。 10.
    如請求項9之方法,其中步驟⑷另包括以下步驟: ()將壓電陶£ ^才料g己方粉粮燒後細磨調I,並喷霧造 粒形成壓電陶瓷材料顆粒; (a2)壓胚成型該等壓電陶瓷材料顆粒; (a3)燒結壓胚後之壓電陶瓷材料;及 以形成該壓電陶 (a4)平行研磨燒結後之壓電陶瓷材料, 究基材。 U·如請求項9之方法’其中步驟(b)另包括以下步驟: (bl)塗佈-電極基材於該壓電陶竟基材之表面,該電極 基材設置於該第—表面,且該電極基材覆蓋該第二 且延伸覆蓋至该第—表面周緣之部分表面;及 ⑽燒付該電極基材,以形成該電極單元。 1 2 _如請求項1 j.. ',其中在步驟(b2)之後,另包括一極 I49583.doc 201214812 化該壓電陶究基材之步驟。 13.如請求項9之方法,其中另包括一設置一 該箔片設置於該壓電陶瓷基材之一側且 面。 1 4.如請求項1 3之方法,其中另包括一設置一 第二電極與該箔片間之步驟。 箔片之步驟, 相對該第二表 結合材料於該
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