TW201215230A - Light emitting element driving circuit - Google Patents

Description

201215230 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種發光元件之驅動電路，特別是指藉 由一微處理器或機械方式調整該可變電阻之阻值，直接以 類比方式調整該等發光元件的輸入電流進而控制該等發光 元件之亮度，以達成調光之目的者。

【先前技術】 習知之發光元件調光技術，係利用一脈衝寬度調變 (Pulse Width Modulation，PWM)控制器，將類比訊號轉換 為數位脈衝’控制發光元件開和關的時間比例，將開和關 的時間比例劃分為若干等級’發光元件就會顯示出相應數 量的明亮灰階色彩。因此只需要提供寬、窄不同的數位式 脈衝，即可簡單的改變輸出電流，從而調節發光元件之亮 度0 —但使用PWM調光方式有其缺點，主要在於pwM調光 谷易導致白光發光元件的驅動電路產生人耳聽得見的雜 訊’因為PWM調光時，PWM信號的頻率正好落在2〇〇Hz =〇kHz之間，恰好是人耳聽得見的頻率範圍。而當歷 j =低時，發光元件驅動電路停止工作，輸出電容通過 光元件和下端的電阻進行放電。因此#使用pwM :先：，輪出電容不可避免的產生很大的漣波(Rippie)。此 外’使用PWM進行責任週期控制時，較小的責任週期其 3 201215230 效率相對較低。 此外，市面上高功率的發光元件照明產品普遍無法實 施調光功能、無法調節亮度以適應各種不同的環境，加上 製造商所生產的發光元件本身亮度可能不均勻等等問題， 使得發光元件在照明燈具之應用上不盡理想。 故本發明之發明人有鑑於習知發光元件調光技術之缺 失，乃亟思發明一種發光元件之驅動電路，藉由一微處理 器或機械方式調整該可變電阻之阻值，直接以類比方式調 ® 整發光元件的輸入電流進而控制亮度，以達成調光之目 的，並可規避CK(Philips Color Kinetics)公司專利如 US-6,016,038 及 US-6，150,774 等的限制。 【發明内容】 本發明之目的係提供一種發光元件之驅動電路，其包 括一整流單元、一第一驅動電晶體、一第一定電流單元、 • 一第一電壓控制單元以及一第一發光元件。 該第一整流單元之兩端分別與第一電源輸入端以及第 二電源輸入端電性連接，該第一整流單元的兩輸出端則分 別與該第一驅動電晶體之第一汲極以及該第一發光元件一 端電性連接，其係接收一外部電源所提供之一交流電源， 並整流該交流電源為一直流電源； 該第一驅動電晶體係包含一第一閘極、一第一源極及 一第一汲極，該第一汲極連接該整流單元，該第一源極係 201215230 根據該第一閘極與該第一 電流； 源極間的電壓差對應輸出 一驅動 孩第 早㈣'連接於該第—祕與該第一閑極 間，右對其施加順向偏壓，在額 #邱疋％壓範圍内，可以得到 一額疋大小的電流； 第一偏壓控制元件與 該第一電壓控制單元，係包含 一第一可變電阻，該第-可變電阻具有—第—端點與一第

該第-端點連接該第—源極，該第—偏壓控制元 連接於該第-閘極與該第二端點間，並根據該驅動電流 〜經該第-可變電阻所產生之電壓差控制該第—閘極與該 第一源極之電壓差。其中： 該第一偏壓控制凡件可以為一齊納二極體％槪 Diode)，該齊納二極體具有一陽極與一陰極，該陽極連接 該第二端點，該陰極連接該第一閘極。 該第一偏壓控制元件可以較佳地為一 N型金氧半場效 •電晶體（NM0SFET)，該N型金氧半場效電晶體之汲極連接該 第一閘極，該N型金氧半場效電晶體之閘極連接該第一端 點’該N型金氧半場效電晶體之源極連接該第二端點。 該第一偏壓控制元件更可以較佳地為一 N型金氧半場 效電晶體（NM0SFET) ’該N型金氧半場效電晶體之汲極連接 該第一閘極，該N型金氧半場效電晶體之閘極連接該第一 端點’該N型金氧半場效電晶體之源極連接該第二端點， 此外更包含一第一電容與一第二電容，該第一電容連接於 該第一定電流單元之兩端點間，該第二電容連接於該第— 201215230 閘極與該第二端點間； 出端Ξ第發7^件係連接於該第二端點與該第二整流輸 其中該第-可變電阻之電阻值被調整 變該驅動電流之電流值。此方法直接以類比方式二 -發光兀件的輸人電流進而控制該第—發光元件之=度， 以達成調光之目的。 又 本發明同時可藉由將三組各自包含—驅動電晶體、一定 電流單元、-電難制單元以及—發光元件所形成的電路 與-整流單元並聯’並藉由調整各可變電阻之電阻值以達 最佳之調光目的。其中該等發光元件係分別為紅光發光元 件、綠光發光元件及藍光發光元件。 ^ 【實施方式】 為充分暸解本發明之目的、特徵及功效，茲藉由下述 φ具體之實施例，並配合所附之圖式，對本發明作一詳細說 明，說明如後： 請參考圖1，其係為本發明之一基本電路實施例示意 圖。圖中，該交流電源⑽具有一第―電源輸出端⑽以及 -第二電源輸出端（14)’兩者皆以輪出電源，當該交流 電源（10)輸出正半週期波形時，電流係自該第一電源輸出 端（12)輸出；當該交流電源（10)輸出負半週期波形時，電流 則由該第二電源輸出端（14)輸出。整流單元(2〇)主要目的在 於整流交流電，如圖1所示，該整流單元(2〇)具有一第一 201215230 整流輸出端(22)以及一第二整流輸出端（24),係分別與該第 一電源輸出端（12)及該第二電源輸出端（14)電性連接。 一第一驅動電晶體（40) ’係包含一第一閘極（42)、一 第一源極（46)及一第一汲極（44)，該第一驅動電晶體汲極 (44)連接該第一整流輸出端(22)，該第一源極（46)係根據該 第一閘極（42)與該第一源極（46)間的電壓差對應輸出一驅 動電流； φ 一第一疋電流單元(30)，係連接於該第一汲極（44)與該 第一閘極（42)間，其特性在於若接收到順向偏壓，在一額 定電壓内，可以輸出一額定大小的電流，因此只要在合乎 規格内的電壓，都能夠得到相同的電流。因此即使該交流 電源（10)發生10%的壓變’輸出電流也不會因為壓變而產 生變化，達到輸出穩定電流的效果。該第一定電流單元（3〇) 係為一可變電阻或電阻值可調整之一偏壓回授電阻，或一 定電流二極體（Current Regulative Diode)。其中該可變電阻 • 或該偏壓回授電阻係藉由一微處理器（圖中未示）調整電阻 值’或藉由機械方式調整電阻值。 一第一電壓控制單元（50)，係包含一第一偏壓控制元 件（502)與一第一可變電阻（5〇8)，該第一可變電阻（5〇8) 具有一第一端點（504)與一第二端點（506)，該第一端點 (504)連接該第一源極（46)，該第一偏壓控制元件（5〇2)連 接於該第一閘極（42)與該第二端點（506)間，並根據該驅動 電流流經該第一可變電阻（5 0 8 )所產生之電壓差控制該第 一閘極（42)與該第一源極（46)之電壓差；以及 201215230 一第一發光兀件（510)，係連接於該第二端點（5〇6)與 該第二整流輸出端（24)間； 其中，該第一可變電阻（508)之電阻值被調整時，係對應改 變該驅動電流之電流值而藉此控制該第一發光元件(51〇) 之壳度，以達成調光之目的。該第一發光元件(51〇)係為有 機發光二極體、發光二極體或電致發光元件且數量可為一 個或多個。 春 咕參考圖2，其係為本發明之第—實施例示意圖。圖 中，该第一定電流單元（30)兩端係與該第一閘極（42)以及 該第一汲極（44)電性連接。並以一齊納二極體（Zener Diode)(512)作為該第一偏壓控制元件（5〇2)，該齊納二極 體（512)具有一陽極與一陰極，該陽極連接該第二端點 (506) ’該陰極連接該第一閘極（42)。該第一發光元件（510) 兩端係與該第二端點（506)以及該第二整流輸出端（24)電 性連接。 φ 該第一定電流單元(30)可為一偏壓回授電阻或一定電 流二極體（Current Regulative Diode)。當其内部阻值甚大 時，該第一閘極(42)完全沒有電流通過，電流完全流經該 第一汲極(44)以及該第一源極(46)，此時藉由機械方式調整 該第一可變電阻（508)之阻值，抑或是使用一微處理器 (MCU)控制其阻值，可控制電路中電流之大小，達到調整 該等發光元件之發光效率和調整光度之目的；相反地，去 其内部阻值甚小時’電流會大量流經該第一閘極(42>，二 此處由於使用一齊納二極體(Zener Diode)(512)做為穩厂 201215230 件’因此電流大小會自動地被調整，以維持發光元件之發 光效率’同樣地’藉由改變該第一可變電阻(508)之阻值可 達成調光之目的。 該第一發光元件（510)在使用上常常會有過熱的問 題’當溫度升南時’該第一發光元件(51〇)之導通電壓（vf) 會隨之下降，造成該第一發光元件(51〇)兩端之跨壓降低， 也代表該第一發光元件（510)前端電路之跨壓以及電流都 會升南’而本發明之第一實施例可以調整電流大小，解決 電流過大的問題。 請參考圖3，其係為本發明之第二實施例示意圖。圖 中，該第一定電流單元（30)兩端係與該第一閘極（42)以及 該第一汲極（44)電性連接。一 N型金氧半場效電晶體 (NM0SFET)(514)作為該第一偏壓控制元件，該n型金氧半 場效電晶體（514)之汲極連接該第一閘極（42)，該N型金氧 半場效電晶體（514)之閘極連接該第一端點（5〇4)，該N型 鲁金氧半場效電晶體（514)之源極連接該第二端點（5〇6)。該 第一發光元件（510)兩端係與該第二端點（5〇6)以及該第二 整流輸出端（24)電性連接。 該第一定電流單元(30)可為一偏壓回授電阻或一定電 流二極體（Current Regulative Di〇de)。當其内部阻值甚大 時，該第一閘極(42)完全沒有電流通過，電流完全流經該 第一汲極(44)以及該第一源極(46)，此時藉由機械方式調整 該第一可變電阻(508)之阻值，抑或是使用微處理s(MCU) 控制其阻值，可控制電流之大小，可維持該第一發光元件 201215230 • . (510)之發光效率和調整光度，相反地，當其内部阻值甚小 時’電流會大量流經該第一閘極(42) ’而造成流經該第一 可變電阻(508)之電流變小，此時可藉由改變該第一可變電 阻(508)值之大小來控制N型金氧半場效電晶體（gw)之閘 極電壓（閘極電壓必須大於臨界電壓（Vt)時電晶體才能導 通）’藉由控制該N型金氧半場效電晶體（514)之導通與否 來调整電流大小，以維持該第一發光元件(51〇)之發光效率 ^ 和調整光度。同時該第一發光元件(510)在使用上常常會有 過熱的問題’本實施例也可以透過調整電流大小而解決。 請參考圖4 ’其係為本發明之第三實施例示意圖。圖 中，該第一定電流單元（30)兩端係與該第一閘極（42)以及 該第一没極（44)電性連接。一 N型金氧半場效電晶體 (NM0SFET)(514)作為該第一偏壓控制元件，該n型金氧半 場效電晶體（514)之汲極連接該第一閘極（42)，該N型金氧 半場效電晶體（514)之閘極連接該第一端點（5〇4)，該N型 • 金氧半場效電晶體（514)之源極連接該第二端點（5〇6)。更 包含一第一電容(516)與一第二電容(518)，該第一電容(516) 連接於該第一定電流單元(30)之兩端點間，該第二電容(518) 連接於該第一閘極(42)與該第二端點（506)間。該第一發光 元件（510)兩端係與該第二端點（5〇6)以及該第二整流輸出 端（24)電性連接。 當該第一可變電阻(5〇8)之阻值甚大時，電流近乎完全 流經該第一定電流單元（30)，此時該第一驅動電晶體(4〇) 不導通，而該N型金氧半場效電晶體(514)導通，此時藉由 10 201215230 機械方式調整該第一定電流單元(30)内之阻值，抑成是使 用微處理器（MCU)控制其阻值，可控制流經該N型金氧半 場效電晶體（514)電流之大小，即可維持該第一發光元件 (510)之發光效率和調整光度；相反地，當該第一可變電阻 (508)之阻值甚小時’電流近乎完全流經該第一驅動電晶體 (40)，此時該N型金氧半場效電晶體(514)不導通，但同樣 可藉由機械方式調整該第一定電流單元（3〇)内之阻值，抑 • 或是使用微處理器（MCU)控制其阻值，使該N型金氧半場 效電晶體(514)導通並同時控制流經該第一驅動電晶體(4〇) 電流之大小，維持該第一發光元件(51〇)之發光效率和調整 光度，反之亦然。此外該第一可變電阻(5〇8)與該第一定電 流單元(30)内部阻值間具有互相牽制與影響之作用，透過 改變該第一可變電阻（508)與該第一定電流單元（3〇)之阻 值，該第一發光元件(510)可得到不同的輸出電流。同時該 •第一發光元件(510)在使用上常常會有過熱的問題，本實施 例也可以透過調整電流大小而解決。 請參考圖5 ’其係為本發明之另一基本電路實施例示意 圖。圖中前半部電路之實施方式與前述圖i本發明之一基 本電路實施例相同，在此便不再贅述。而此處電路之不同 處在於包含： 一第二驅動電晶體（7〇),係包含一第二閘極（72)、一 第二源極（76)及一第二汲極（74)，該第二汲極（74)連接該 η 201215230 整流單元（20) ’該第二源極（76)係根據該第二閘極（72)與 s亥第一源極（76)間的電壓差對應輸出一第二驅動電流； 一第二定電流單元（60)，係連接於該第二汲極（74)與 該第二閘極（72)間； 一第二電壓控制單元（80)，係包含一第二偏壓控制元 件（802)與一第二可變電阻（808)，該第二可變電阻（808) 具有一第三端點（804)與一第四端點（8〇6)，該第三端點 φ (804)連接該第二源極（76)，該第二偏壓控制元件（802)連 接於該第二閘極（72)與該第四端點（8〇6)間，並根據該第二 驅動電流流經該第二可變電阻（8〇8)所產生之電壓差控制 該第二閘極（72)與第二源極（76)之電壓差；以及 一第二發光元件（810)，係連接於該第四端點（806)與 該第二整流輸出端（24)間；該第二發光元件(810)係為有機 發光二極體、發光二極體或電致發光元件且數量可為一個 或多個。 • 其中，該第二可變電阻（808)之電阻值被調整時，係對應改 變該第二驅動電流之電流值。 睛參考圖6,其係為本發明之再一基本電路實施例示意 圖。圖中前半部電路之實施方式與前述圖5本發明之另一 基本電路實施例相同，在此便不再贅述。而此處電路之不 同處在於包含； 一第二驅動電晶體（100)，係包含一第三閘極（1〇〇2)、 一第三源極（1006)及一第三汲極（1004)，該第三汲極（1〇〇4) 連接該整流單元（20)，該第三源極（1006)係根據該第三閘 12 201215230 極（1002)與該第三源極（1006)間的電壓差對應輸出一第三 驅動電流； 一第三定電流單元（90)，係連接於該第三汲極（1004) 與該第三閘極（1002)間； 一第三電壓控制單元（110)，係包含一第三偏壓控制元 件（1102)與一第三可變電阻（11〇8)，該第三可變電阻（1108) 具有一第五端點（1104)與一第六端點（1106)，該第五端點 (1104)連接該第三源極（ι〇06)，該第三偏壓控制元件（11 〇2) 鲁連接於該第三閘極（1002)與該第六端點（1106)間，並根據 該第三驅動電流流經該第三可變電阻（1108)所產生之電壓 差控制該第三閘極（1002)與第三源極（1006)之電壓差；以 及 一第三發光元件（1110)，係連接於該第六端點（1106) 與該第二整流輸出端（24)間；該第三發光元件（1110)係為有 機發光二極體、發光二極體或電致發光元件且數量可為一 φ 個或多個。同時該第一發光元件(510)、該第二發光元件(810) 及該第二發光元件（1110)係分別為紅光發光元件、綠光發光 元件及藍光發光元件。 其中’該第三可變電阻（1108)之電阻值被調整時，係對 應改變該第三驅動電流之電流值。 因此，可藉由分別調整第一、第二以及第三可變電阻 (508、808、1108)的電阻值’來控制流經該第一第二及第三發 光元件（510、810、1110)的驅動電流值大小，以組合出不 13 201215230 同波長或不同色溫的光線。 值知注思的疋’前述所提及的定電流單元（30、60、90) 為電阻值可調整之偏聲回授電阻時，可藉由MCU調整或由 使用者以機械方式Μ電阻值，以調整各發光元件⑽、 810、1110)的亮度。 此外’驅動電机會對可變電阻（508、808、1108)的電阻 值變化U敏⑤％對於偏壓回授電阻的電阻值變化較不 敏感。例如’當可變電阻(508、808、1108)電阻值產生了 500歐姆㈣化時’會讓驅動電流產生1Q毫安培的變 但偏壓回授電阻的電阻值產生了 _歐姆的變化時，僅舍 讓驅動電流產生2〜3毫安培的變化。因此，使用者可將: 而 變電阻（5〇8、8〇8、U〇8)視為粗調（major)光源的元件β 將偏壓回授電阻視為微調(mi·)光源的元件。 以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限定 • 本發明之申請專利範圍；凡其它未脫離本發明所揭示之精 神下完成之等效改變或修飾，均應包含在下述之申請專利 範圍内。 【圖式簡單說明】 圖1係本發明之一基本電路實施例示意圖； 圖2係本發明之第一實施例示意圖； 圖3係本發明之第二實施例示意圖； 圖4係本發明之第三實施例示意圖； 201215230 圖5係本發明之另一基本電路實施例示意圖； 圖6係本發明之再一基本電路實施例示意圖； 【主要元件符號說明】

Vf 導通電壓 Vt 臨界電壓 10 父流電源 12 第一電源輸出端 14 第二電源輸出端 20 整流單元 22 第一整流輸出端 24 第二整流輸出端 30 第一定電流單元 40 第一驅動電晶體 42 第一閘極 44 第一汲·極 46 第一源極 50 第一電壓控制單元 502 第一偏壓控制元件 504 第一端點 506 第—端點 508 第一可變電阻 510 第一發光元件 512 齊納二極體(Zener Diode) 15 201215230 514 N型金氧半場效電晶體(MOSFET) 516 第一電容 518 第二電容 60 第二定電流單元 70 第二驅動電晶體 72 第二閘極 74 第二汲極 76 第二源極 80 第二電壓控制單元 802 第二偏壓控制元件 804 第三端點 806 第四端點 808 第二可變電阻 810 第二發光元件 90 第三定電流單元 100 第三驅動電晶體 1002 第三閘極 1004 第三汲極 1006 第三源極 110 第三電壓控制單元 1102 第三偏壓控制元件 1104 第五端點 1106 第六端點 1108 第三可變電阻 1110 第三發光元件 16

Claims (1)

1. 201215230 七、申請專利範圍： 1. 一種發光元件之驅動電路，係包括： 一整流單元，係接收一外部電源所提供之一交流電 源，並整流該交流電源為一直流電源； 一第一驅動電晶體，係包含一第一閘極、一第一源極及 一第一汲極，該第一汲極連接該整流單元，該第一源極係根 據該第一閘極與該第一源極間的電壓差對應輸出一驅動電 流； ® 一第一定電流單元，係連接於該第一汲極與該第一閘極 間； 一第一電壓控制單元，係包令—第一偏壓控制元件與一 第一可變電阻，該第一可變電阻具有一第一端點與一第二端 點，該第一端點連接該第一源極，該第一偏壓控制元件連接 於該第一閘極與該第二端點間，並根據該驅動電流流經該第 一可變電阻所產生之電壓差控制該第一閘極與該第一源極 Φ 之電壓差；以及 一第一發光元件，係連接於該第二端點與該整流單元 間； 其中，該第一可變電阻之電阻值被調整時，係對應改變該 驅動電流之電流值。 2. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件之驅動電路，其 中，該第一定電流單元係為電阻值可調整之一偏壓回授 電阻，或一定電流二極體（Current Regulative Diode)。 3. 如申請專利範圍第2項所述之發光元件之驅動電路，其 17 201215230 中，該第一可變電阻或該偏壓回授電阻係藉由一微處理 器調整電阻值，或藉由機械方式調整電阻值。 4. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件之驅動電路，其 中，該第一偏壓控制元件係為一齊納二極體（Zener Diode)，該齊納二極體具有一陽極與一陰極，該陽極連 接該第二端點，該陰極連接該第一閘極。 5. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件之驅動電路，其 中，該第一偏壓控制元件係為一 N型金氧半場效電晶體 (NM0SFET)，該N型金氧半場效電晶體之汲極連接該驅動 電晶體之該第一閘極，該N型金氧半場效電晶體之閘極 連接該第一端點，該N型金氧半場效電晶體之源極連接 該第二端點。 6. 如申請專利範圍第5項所述之發光元件之驅動電路，更 包含一第一電容與一第二電容，該第一電容連接於該第 一定電流單元之兩端點間，該第二電容連接於該第一閘 極與該第二端點間。 7. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件之驅動電路，更 包含： 一第二驅動電晶體，係包含一第二閘極、一第二源極 及一第二汲極，該第二汲極連接該整流單元，該第二源極 係根據該第二閘極與該第二源極間的電壓差對應輸出一第 二驅動電流； 18 201215230 一第二定電流單元，係連接於該第二汲極與該第二閘 極間； 一第二電壓控制單元，係包含一第二偏壓控制元件與 一第二可變電阻，該第二可變電阻具有一第三端點與一第 四端點，該第三端點連接該第二源極，該第二偏壓控制元 件連接於該第二閘極與該第四端點間，並根據該第二驅動 電流流經該第二可變電阻所產生之電壓差控制該第二閘極 與該第二源極之電壓差；以及 • 一第二發光元件，係連接於該第四端點與該整流單元 間； 其中，該第二可變電阻之電阻值被調整時，係對應改變該 第二驅動電流之電流值。 8.如申請專利範圍第7項所述之發光元件之驅動電路，更 包含： 一第三驅動電晶體，係包含一第三閘極、一第三源極 φ 及一第三汲極，該第三汲極連接該整流單元，該第三源極 係根據該第三閘極與該第三源極間的電壓差對應輸出一第 三驅動電流； 一第三定電流單元，係連接於該第三汲極與該第三閘 極間； 一第三電壓控制單元，係包含一第三偏壓控制元件與 一第三可變電阻，該第三可變電阻具有一第五端點與一第 六端點，該第五端點連接該第三源極，該第三偏壓控制元 件連接於該第三閘極與該第六端點間，並根據該第三驅動 19 201215230 電流流經該第三可變電阻所產生之電壓差控制該第三閘極 與該第三源極之電壓差；以及 一第三發光元件，係連接於該第六端點與該整流單元 間； 其中，該第三可變電阻之電阻值被調整時，係對應改變該 第三驅動電流之電流值。 9. 如申請專利範圍第8項所述之發光元件之驅動電路，其 中，該第一發光元件、該第二發光元件及該第三發光元 ^ 件係分別為紅光發光元件、綠光發光元件及藍光發光元 件。 10. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件之驅動電路，其 中，該發光元件係為有機發光二極體、發光二極體或電 致發光元件。 11. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件之驅動電路，其 中該發光元件之數量可為一個或多個。