TW201218329A - Barrier assembly with encapsulant and photovoltaic cell - Google Patents

Description

201218329 六、發明說明： 【先前技4軒】 新興太陽能技術，諸如有機光伏打裝置（〇rganic photovoltaic device ; 〇pv)及薄膜太陽能電池（如二硒化銅 銦鎵（indium gallium di-selenide; CIGS))，需要防止水蒸 氣影響且在戶外環境不需耐久（例如對紫外（uv)光）。通 常，已使用&璃作為所述太陽能裝置之封裝材料，因為玻 璃極好地阻隔水蒸氣，光學透明且對UV光穩定。然而， 玻璃較重，易碎，難以撓曲並難以處理。感興趣的是開發 透明可撓性封裝材料來替代玻璃，其將不會具有玻璃之缺 點，而卻具有類似於玻璃之阻隔性質及uv穩定性，且已 開發達成玻璃之阻隔性質的多種可撓性阻隔臈。 【發明内容】 ' 儘管封裝材料技術有所進展，但太陽能應用之阻隔及对 久性要求仍舊為一項挑戰，1需要進—步研究來給太陽能 市場帶來有效、可撓性封裝解決㈣。本發明提供例如適 用於封裝太陽能裝置之組合。本文所揭示之該“合一般 :有可撓性，可透射可見光及紅外光，且具有極佳阻隔性 質0 雖然據稱亂聚合物及其 ♦ ―彳丨，六，丨土胰局用於Ν恍性无伏打 -池之封裝系統的適用組件(例如美國 2003/0029493號中），作氟聚a 汗]茶第 氟聚。物膜之熱膨脹係數可能超過 rppm/K，而適用於光伏打電池之可撓性峨例如聚酿 亞胺膜或W)之熱膨脹係數可能小於3〜贼。氣聚 I57334.doc

S 201218329 合物膜與可撓性載體之間的該熱膨脹係數失配可在封裝可 撓性光伏打電池中產生熱應力。現已發現在特定熱層合條 件（例如150°C)下，在以熱固化封裝材料（例如乙稀_乙酸乙 烯酯）層合於低CTE可撓性基板上之氟聚合物上包括多層阻 隔膜之封裝系統產生可引起分層之熱應力。 可撓性光伏打電池（例如CIGS)具有相對高的構形（例如 高於例如有機電致發光裝置之構形）。薄膜CIGS電池通常 具有匯流帶（bussing ribbon)及互聯條（tabbing ribbon)，其 可例如位於電池表面上超過〇 · 15 mm處。此等高構形組件 可充當應力集中器’從而可能會加重由CTE失配引起之問 題。 本發明之阻隔組合適用於例如使耐候性上層與可撓性光 伏打模組之間因高溫層合後而可能引起之CTE失配的影響 最小化。 在一態樣中，本發明提供一種組合，其包括：封裝材料 層’第一聚合物膜基板’其具有第一表面、與該第一表面 對置之第二表面及第一熱膨脹係數，其中該第一聚合物膜 基板之第二表面安置於該封裝材料層上；阻隔膜，其安置 於第一聚合物膜之第一表面上；壓敏黏著劑層，其具有第 一表面及與該第一表面對置之第二表面，其中該壓敏黏著 劑之第一表面與第一聚合物膜基板對置地安置於阻隔膜 上，及第二聚合物膜基板，其安置於壓敏黏著劑層之第二 表面上，其中該第二聚合物膜基板具有第二熱膨脹係數， 且其中该第二熱膨脹係數高於該第一熱膨脹係數。該組合 157334.doc -4· 201218329 可透射可見光及紅外光。在一些實施例中，該封裝材料廣 位於光伏打電池上。 ，本中請案中’諸如「-」及「該」之術語不僅指單數 個貫體ifij且包括其中特定實例可用於說明的一般類別。 術π 」及「該」與術語「至少一」可互換使用。清單 前之片語「…中之至少一者」及「包含··中之至少一者」 係指該清單中之任一項及該清單中兩項或兩項以上之任何 組合。除非另外規定，否則所有數值範圍均包括其端點及 該等端點之間的非整數值。 【實施方式】 結合附圖考慮本發明之以下實施方式可更全面地理解本 發明。 本發明之阻隔組合可透射可見光及紅外光。如本文中所 使用，術語「可透射可見光及紅外光」可意謂沿法線軸量 測之對光譜之可見光及紅外光部分的平均透射率為至少約 75%(在一些實施例中至少約8〇%、85〇/。、9〇%、92%、 95%、97%或98%ρ在一些實施例令，可見光及紅外光透 射組合在400 nm至1400 nm之範圍内具有至少約75%(在一 些實施例中至少約80%、85%、90%、92%、95%、97%或 98%)之平均透射率。可見光及紅外光透射組合為不干擾例 如光伏打電池吸收可見光及紅外光之組合。在一些實施例 中 了見光及紅外光透射組合在適用於光伏打電池之光的 波長範圍内具有至少約75%(在一些實施例中至少約8〇%、 85%、90% ' 92%、95%、97。/。或98%)之平均透射率。第一

157334.doc ·5_ S 201218329 及第二聚合物膜基板、壓敏黏著劑層及阻隔膜可基於折射 率及厚度來選擇以增強可見光及紅外光之透射率。 本發明之阻隔組合通常具有可撓性。如本文中所使用， 術語「可撓性」係指能夠形成輥。在一些實施例中，術語 可挽性」係指能夠圍繞輕芯管曲，曲率半徑為至多7 6 公分（cm)(3吋），在一些實施例中至多6 4 cm(2 5吋）、5 cm(2吋）、3.8 cm(1.5吋）或2.5 cm(l吋）。在一些實施例中， 可撓性組合可圍繞至少〇.635 cm(1/4吋）、i 3 cm(1/2吋）或 1.9 cm(3/4吋）之曲率半徑彎曲。 本發明之阻隔組合一般不展現可能由多層結構中之熱應 力或收縮引起之分層或捲曲^本文中，使用2〇〇6年aweb 會議論文集（Ass。— of Industrial MetalUzers，c〇aters and Laminators, Applied Web Handling Conference Proceedings，2006) _ 提供之 R〇nald p Swans〇n 的 「Measurement of Web Curl」中所述之捲曲度測量儀量測 捲曲度。根據此方法，可以〇25 m-i曲率之解析度量測捲 曲度。在一些實施例中，本發明之阻隔組合展現捲曲度為 至多7、6、5、4或3 。根據固體力學，已知橫桿之曲率 與施加於其之彎曲力矩成正比。而又已知彎曲應力之量值 與彎曲力矩成正比。根據此等關係，可使用樣品之捲曲度 相對地比較殘餘應力。阻隔組合通常亦對在基板上固化之 通及用於光伏打以之其他普通封裳材料展現高剝離黏 著力。本文所才晏示之阻隔⑯合的性質通常甚至在高溫及高 濕度老化後仍得以維持。 157334.doc 201218329 本發明之組合的實施例在圖丨至4中說明。圖丨說明本發 明之一些實施例的組合。組合100包括阻隔膜12〇，其可描 述為具有兩個主要表面。在所說明之實施例中的下主要表 面上，阻隔膜12〇與第一聚合物膜基板14〇接觸。在所說明 之實施例中的上主要表面上，阻隔膜12〇與壓敏黏著劑層 110接觸，其使阻隔膜12〇黏著於第二聚合物膜基板13〇之 主要表面。 圖2說明本發明之一些實施例的另一組合2〇〇，其中阻隔 膜具有層228、226及224。在所說明之實施例中，第一聚 合物層224及第二聚合物層228由可見光透射無機阻隔層 226分隔，其與第一聚合物層224及第二聚合物層228緊密 接觸。在所說明之實施例中，第一聚合物層224與第一聚 合物膜基板240接觸，且第二聚合物層228與壓敏黏著劑層 210接觸’其使第二聚合物層228黏著於第二聚合物膜基板 230之主要表面。第二聚合物層228及無機阻隔層226可稱 為一合物。儘管圖2(及圖4)中僅展示一個二合物，但組合 200可在壓敏黏著劑層210與第一聚合物層224之間包括其 他二合物（例如1、2、3、5、10個或10個以上其他二合 物）。此外，在一些實施例中，另一無機阻隔層（未圖示）或 一半二合物可位於第二聚合物層228與壓敏黏著劑層210之 間。 在圖3中，組合300類似於圖1中所說明之組合1〇〇且包括 以壓敏黏著劑層310黏著於阻隔膜320之上表面的第二聚合 物膜基板33 0及與阻隔膜320之下主要表面接觸的第一聚合

S 157334.doc .7. 201218329 物膜基板340。在圖4中，組合400中之阻隔膜具有層428、 426及424且類似於圖2中所說明之組合200。在圖3及4中所 說明之實施例中，組合300及400包括光伏打電池360及 460(例如CIGS電池）。光伏打電池360及460之上表面分別 與使光伏打電池360及460連接於阻隔組合100及200之封裝 材料350及450接觸。光伏打電池360及460之下表面分別與 使光伏打電池360及460連接於背膜370及470之封裝材料 350及450接觸。 下文更詳細地描述適用於實施本發明之第一聚合物膜基 板140、240、340及440 ;第二聚合物膜基板130、230、 33 0及43 0 ;阻隔膜120及320 ;及壓敏黏著劑110、210、 3 10及410。在本文所揭示之組合的一些實施例中，本文所 揭示之壓敏黏著劑安置於阻隔組合上。在此等實施例中， 阻隔組合為組合之一部分且包含下文所述之聚合物膜基板 及阻隔膜。因此，以下描述係指可位於本發明之組合、適 用於實施本發明之阻隔組合或兩者中的聚合物膜基板及阻 隔膜。 第一聚合物膜基板 本發明之組合包含第一聚合物膜基板140、240、340、 440。在聚合物膜（例如第一及第二聚合物膜基板）之情形 下，術語「聚合物」應理解為包括有機均聚物及共聚物， 以及可例如藉由共擠壓或藉由反應（包括酯基轉移）由可混 溶掺合物形成之聚合物或共聚物。術語「聚合物」及「共 聚物」包括無規共聚物與後段共聚物。 157334.doc 201218329 可選擇例如CTE與待封裝裝置（例如可撓性光伏打裝置） 之CTE大約相同（例如在約10 ppm/K内）或低於該裝置之 CTE的第一聚合物膜基板。換言之，可選擇使第一聚合物 基板與待封裝裝置之間的CTE失配最小的第一聚合物基 板。在一些實施例中，第一聚合物膜基板之CTE在待封裝 裝置之20' 15、10或5 ppm/K内。在一些實施例中，可能 需要選擇具有低CTE之第一聚合物膜基板。舉例而言，在 一些實施例中，第一聚合物膜基板之CTE為至多50(在一些 實施例中，至多45、40、35或30) ppm/K。在一些實施例 中，第一聚合物膜基板之CTE在0.1至50 ppm/K、0.1至45 ppm/K、0· 1 至 40 ppm/K、0.1 至 35 ppm/K 或 0.1 至 30 ppm/K 之範圍内。當選擇第一聚合物膜基板時，在一些實施例 中，第一聚合物膜基板與第二聚合物膜基板（下文所述）之 間的 CTE差可為至少 40、50、60、70、80、90、100 或 110 ppm/K。在一些實施例中，第一聚合物膜基板與第二聚合 物膜基板之間的CTE差可為至多150、140或130 ppm/K。 舉例而言，第一聚合物膜基板與第二聚合物膜基板之間的 CTE失配範圍可為例如40至150 ppm/K、50至140 ppm/K或 80至130 ppm/K。基板之CTE可藉由熱機械分析來測定。 且許多基板之CTE可見於產品資料表或手冊中。 在一些實施例中，第一聚合物膜基板之模數（拉伸模數） 為至多5xl09 Pa。拉伸模數可例如藉由拉伸測試儀器來量 測，諸如以商標「INSTRON 5900」購自 Instron(Norwood, ΜΑ)之測試系統。在一些實施例中，第一聚合物膜基板之

S 157334.doc -9- 201218329 拉伸模數為至多4.5><109?丑、4><109?&、3.5父109?&或3\109 Pa。可選擇例如使得第一聚合物膜基板之拉伸模數高於第 二聚合物膜基板之拉伸模數的第一及第二聚合物膜基板。 此選擇可使尺寸穩定性最大，例如當第一聚合物膜基板與 第二聚合物膜基板之間存在至 少40 ppm/K之CTE失配時。 在一些實細•例中，第一聚合物膜基板之拉伸模數與第二聚 合物膜基板之杈伸模數的比率為至少2:1 (在一些實施例 中’至少3:1或4:1)。通常，PET之拉伸模數為約4xl〇9 Pa ’且ETFE之拉伸模數為約ixl〇9pa。 第一聚合物犋基板通常為上面可沈積阻隔膜（例如使用 下文所述之方法）之載體β在一些實施例中，第一聚合物 膜基板經熱穩定化（例如使用熱固化、張力下退火或其他 技術）以當載體不受限制時使在高達至少熱穩定溫度下的 收縮率最小。適合於第一聚合物膜基板之例示性材料包括 聚對苯二甲酸乙二酯（ρΕΤ)、聚萘二曱酸乙二酯（ρΕΝ)、聚 鍵鍵酬（PEEK)、聚芳醚酮（ρΑΕΚ)、聚芳醋（pAR)、聚醚醯 亞胺（PEI)、聚芳砜（PAS)、聚醚砜（PES)、聚醯胺醯亞胺 (PAI)及聚酿亞胺’其任一者可視情況經熱穩定化。據報導 此等材料之CTE在<1至約42 ppm/K之範圍内。適合之第一 聚合物膜基板購自各種來源。聚醯亞胺例如以商標 「KAPTON」（例如「KAPTON E」或「KAPTON H」購自 E.I· Dupont de Nemours & Co. (Wilmington, DE)；以商標 「APICAL AV」購自 Kanegafugi Chemical Industry Company ;以商標「UPILEX」靖自 UBE Industries，Ltd.。 157334.doc -10- 201218329 聚趟礙例如購自Sumitomo。聚醚醯亞胺例如以商標 「ULTEM」購自 General Electric Company。諸如pet之聚 酉旨例如講自 DuPont Teijin Films (Hopewell，VA)。 對於上述第一聚合物膜基板之任一實施例，第一聚合物 膜基板之上面沈積或以其他方式連接本文所揭示之阻隔膜 的主要表面可經處理以改良對阻隔膜之黏著力。適用表面 處理包括在適合之反應性或非反應性氛圍存在下放電（例 如電漿、輝光放電、電暈放電、介電阻隔放電或大氣壓放 電），化于預處理，或火焰預處理。各別促黏層亦可在第 一聚合物膜基板之主要表面與阻隔膜之間形成。促黏層可 為例如各別聚合物層或含金屬層，諸如金屬、金屬氧化 物、金屬氮化物或金屬氮氧化物之層。促黏層之厚度可為 數奈米（nm)(例如1或2 η τη λ c a ____λ

些貫施例中，第一 聚合物膜基板之厚度 157334.doc /又'ΛΙ、3兩過用的，此

•II- S 201218329 為至少 0.05、0.06、0.07、0.08、0.09、O.i、〇11、〇12或 〇_ 13 mm。在第二聚合物膜基板之Cte比第一聚合物膜基 板之CTEj^超過40 ppm/K的實施例中，第一聚合物膜基板 與第二聚合物膜基板之厚度比可經調整以使CTe失配之影 響最小。舉例而言，第一聚合物膜基板與第二聚合物膜基 板之厚度比可在5:2至10:2之範圍内（在一些實施例中，在 5:2至8:2或5:2至7:2之範圍内）。在一些實施例中，第一聚 合物膜基板與第二聚合物膜基板之厚度比為至少5:2、 6:2、7:2或8:2。如以下實例中所示，相對於第一聚合物膜 基板降低與第一聚合物膜基板相比具有較高CTE及較低硬 度之第一聚合物膜基板（例如實例中之ETFE層）的厚度可減 小組合之彎曲力矩。類似地，降低第一聚合物膜層（例如 實例中之PET層）之厚度可增加組合之應力。 第二聚合物膜基板 本發明之組合包含第二聚合物膜基板130、23〇、33〇、 430。第二聚合物膜基板一般具有可撓性且可透射可見光 及紅外光並包含有機膜形成聚合物^可形成第二聚合物膜 基板之適用材料包括聚醋、聚碳酸g旨、聚謎、聚醯亞胺、 聚烯烴、氟聚合物及其組合。 在本發明之組合用於例如封裝太陽能裝置的實施例中， 通常需要第二聚合物膜基板抗紫外（UV)光降解且具有耐候 性。由UV光（例如在280至400 nm之範圍内）引起之光氧化 降解可導致聚合物膜變色及光學及機械性質退化。本文所 述之第二聚合物膜基板可提供例如用於光伏打裝置之财 157334.doc -12· 201218329 久、耐候性外塗層。基板一般耐磨及抗衝擊且當光伏打裝 置曝露於戶外因素時可防止例如光伏打裝置降解。 各種穩定劑可添加至聚合物膜基板中以改良其uv光抗 性。該等穩定劑之實例包括紫外線吸收劑（UVA)(例如紅移 UV吸收劑）、受阻胺光穩定劑（HALS)或抗氧化劑中之至少 一者。下文更詳細地描述此等添加劑。在一些實施例中， 片語「抗紫外光降解」意謂第二聚合物膜基板包括至少一 種紫外線吸收劑或受阻胺光穩定劑。在一些實施例中，片 語「抗紫外光降解」意謂在至少300奈米至400奈米之波長 範圍内，第二聚合物膜基板至少反射或至少吸收跨越至少 30奈米範圍的至少50%入射紫外光。在此等實施例之一些 實施例中，第二聚合物膜基板不必定包括UVA或HALS。 第二聚合物膜基板之UV抗性可例如使用加速風化研究 來評估。一般使用類似於 ASTM G-155「Standard practice for exposing non-metallic materials in accelerated test devices that use laboratory light sources」中戶斤述之技術的 技術對膜進行加速風化研究。所述ASTM技術被視為戶外 耐久性之合理預測技術，亦即正確地將材料效能分級。一 種偵測物理特徵變化之機制為使用ASTM G155中所述之風 化循環及在反射模式下操作之D65光源。根據所述測試， 當將UV保護層塗覆於物品上時，在使用CIE L*a*b*空間 獲得之b*值增加5或5以下、4或4以下、3或3以下、或2或2 以下之前，在開始產生明顯破裂、剝離、分層或混濁之 前，該物品應在340 nm下經受至少18,700 kJ/m2之曝露

S 157334.doc •13· 201218329 量。 在一些實施例中，本文所揭示之第二聚合物膜基板包含 氟聚合物。氟聚合物通常抗UV降解，甚至在諸如UVA、 HALS之穩定劑及抗氧化劑不存在下。適用氟聚合物包括 乙烯-四氟乙烯共聚物（ETFE)、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物 (FEP)、四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物（THV)、聚 偏二氟乙稀（PVDF)、其摻合物，及此等氟聚合物與其他氟 聚合物之摻合物。 如上文所述，氟聚合物膜之CTE通常高於由烴聚合物製 成之膜。舉例而言，氟聚合物膜之CTE可為至少75、80、 90、100、110、120或 130 ppm/K。舉例而言，ETFE之 CTE 可在90至140ppm/K之範圍内。 包含氟聚合物之基板亦可包括非氟化材料。舉例而言， 可使用聚偏二氟乙烯與聚甲基丙烯酸甲酯之摻合物。適用 的可撓性、可見光及紅外光透射基板亦包括多層膜基板。 多層膜基板在不同層中可具有不同氟聚合物或可包括至少 一層氟聚合物及至少一層非II化聚合物。多層膜可包含數 層（例如至少2或3層）或可包含至少100層（例如在總共100至 2000層或2000層以上之範圍内）。不同多層膜基板中可選 用例如可反射300至400 nm波長範圍内之UV光之大部分（例 如至少30、40或50%)的不同聚合物，例如美國專利第 5,540,978號（Schrenk)中所述。該等摻合物及多層膜基板可 適用於提供CTE低於上述氟聚合物之抗UV基板。 包含氟聚合物之適用第二聚合物膜基板可市購，例如以 157334.doc -14· 201218329 商標「TEFZELETFE」及「TEDLAR」購自 E.I. duPontDe Nemours and Co. (Wilmington, DE)，以商標「DYNEON ETFE 」、「 DYNEON THV 」、「 DYNEON FEP 」及 「DYNEON PVDF」購自 Dyneon LLC (Oakdale，MN)，以 商標「NORTON ETFE」購自 St· Gobain Performance Plastics (Wayne，NJ)，以商標「CYTOPS」購自 Asahi Glass，及以商標「DENKA DX. FILM」購自 Denka Kagaku Kogyo KK (Tokyo, Japan) ° 報導除氟聚合物外之一些適用的第二聚合物膜基板在 UVA、HALS及抗氧化劑不存在下抗UV光降解。舉例而 言，報導特定間苯二酚間苯二甲酸酯/對苯二曱酸酯共聚 芳酯具有耐候性，例如美國專利第3,444，129號、第 3,460,961號、第3,492,261號及第3,503,779號中所述之材 料。含有包含衍生自1，3_苯二酚有機二羧酸酯之結構單元 之層的特定耐候性多層物品報導於國際專利申請公開案第 WO 2000/061664號中，且含有間苯二酚芳酯聚酯鏈成員之 特定聚合物報導於美國專利第507號中。形成一層且 與包含碳酸酯結構單元之另一聚合物分層的包含衍生自至 少一種1,3-苯二酚及至少一種芳族二羧酸之結構單元的嵌 段共聚碳酸酯報導於US 2004/0253428中。與例如聚醋相 比，含有聚碳酸酯之耐候性膜可具有相對高的CTE °含有 聚碳酸酯之第二聚合物膜基板的CTE可為例如約70 ppm/K。 在一些實施例中，適用於實施本發明之第二聚合物膜基

S 157334.doc •15· 201218329 板包3夕層光學膜。在—些實施例中，第二聚合物膜基板 包含具有第-及第二主要表面且包含紫外線反射光學層堆 疊之1外線反射乡層光學膜，其巾該紫外線反射光學層堆 疊包含第一光學層及第二光學層，其中該第一光學層之至 少一部分與該第2光學層之至少—部>緊密接觸且具有不 同折射率’且其中該多層光學膜在第_光學層第二光學 層或安置於紫外線反射多層光學膜之第一或第二主要表面 至^ 一者上之第二層中的至少一層中進一步包含紫外線吸 收劑。在一些貫施例中，多層光學膜包含至少複數個第一 及第二光學層，在至少300奈米至4〇〇奈米波長範圍内其 共同反射跨越至少30(在一些實施例中，至少35、4〇、 45、50、55、60、65、7〇、75、8〇、以、9〇、％ 或甚至至 少1〇〇)奈米波長範圍的至少5〇%(在一些實施例中，為至少 55%、6〇%、65%、鳩、75%、8〇%、⑽、9〇%、95%、 96%、97%或甚至至少98%)入射Uv光。在—些實施例中， 第一或第二光學層至少一者的一些層（在一些實施例中為 第一及/或第二層數的至少5〇%，在一些實施例中為第一或 第二層至少一者的全部）包含uv吸收劑。在一些實施例 中’多層光學膜包含第三光學層’其具有大致對置之第一 及第二主要表面且在至少3〇〇奈米至4〇〇奈米之波長範圍内 吸收跨越至少30(在一些實施例中，至少Μ、、Μ、 5〇、55、60、65、7〇、75、8〇、85、9〇、％或甚至至少 1〇〇)奈米波長範圍之至少50%(在一些實施例中，為至少 55%、60%、65%、7〇%、75%、8〇%、85%、慨或甚至至 157334.doc •16- 201218329 少95%)入射UV光。在一些實施例中，複數個第一及第二 光學層之主要表面接近（亦即不大於1 mm，在一些實施例 中不超過 0.75 mm、0.5 mm、0.4 mm、0.3 mm、0.25 mm、 0.2 mm、0,1 5 mm、0.1 mm 或甚至不大於 0.05 mm ;在一些 實施例中接觸）第三光學層之第一主要表面。可能存在或 可能不存在接近第三光學層第二表面的另一多層光學膜。 在任何上述實施例中，多層光學膜可包含含聚萘二曱酸乙 二酯之第四光學層。在一些實施例中，複數個第四光學層 在400奈米至2500奈米波長範圍内共同吸收跨越至少30、 35 ' 40 ' 45 ' 50 ' 75 ' 100 ' 150 、 200 、 250 、 300 、 350 、 400、450、500、600、700、800、900、1000 ' 1100、 1200、1300、1400、1500、1600、1700、1800、1900、 2000或甚至2100奈米波長範圍的至少50%(在一些實施例 中，為至少 55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、 90%或甚至至少95%)入射光。 對於本文所述之多層光學膜，多層光學膜之第一及第二 層（在一些實施例中，第一及第二光學層交替排列）之折射 率差值通常為至少0.04(在一些實施例中，為至少0.05、 0.06、0.07、0.08、0.09. 0_1、0.125、0.15、0.175、0.2、 0.225、0.25、0.275或甚至至少0.3) 〇在一些實施例中，第 一光學層具有雙折射性且包含雙折射聚合物。本文所述之 反射跨越指定波長範圍的至少50%入射UV光之多層光學膜 之層厚度概況（層厚度值）可調整為近似線性概況，其中第 一（最薄）光學層經調整為具有300 nm光之約1/4波光學厚度 157334.doc -17· 201218329 (物理厚度之指數倍）且直至調整為420 nm光之約1/4波厚光 學厚度的最厚層。相鄰光學層之間界面處不反射之光通常 穿過連續層且在下一界面處反射，穿過完整UV反射光學 層堆疊，或可被吸收層吸收。 特定層對之正反射率主要視個別層之光學厚度而定，其 中光學厚度被定義為該層之實際厚度乘以其折射率之乘 積°自光學層堆疊反射之光的強度與其層對數目及各層對 中光學層之折射率差值呈函數關係。比率nidi/(nidi+n2d2) (通常稱為「f比」）在指定波長下與特定層對之反射率相 關。在f比中，〜及〜為層對中第一及第二光學層在指定波 長下之各別折射率，且七及旬為層對中第一及第二光學層 之各別厚度。藉由合理地選擇折射率、光學層厚度及£ 比’可對第一級反射之強度實行某種程度之控制。 可利用方程式來調整光學層以反射以正入 射角入射的波長λ之光。在其他角度下，層對之光學厚度 視穿過組分光學層之距離（其大於層厚度）及光學層之三個 光軸中之至少兩者的折射率而定。光學層可各自為四分之 波長厚度或光學層可具有不同光學厚度，只要光學厚度 之總和為波長之一半（或其倍數）即可。具有超過兩個層對 之光學堆疊可包括具有不同光學厚度之光學層以提供在某 一波長範圍内之反射率。舉例而言，光學堆疊可包括經個 別地調整以達成具有特定波長之正入射光之最佳反射的層 對或可包括層對厚度之梯度以反射較大帶寬範圍内之光。 -種典型方法為使用所有或大部分四分之—波長膜堆疊。 157334.doc •18· 201218329 在此情況下，控制光譜需要控制膜堆疊 , ，〜π汗厌概況。 提供具有控制光譜之多層光學膜的所需技術包括如例如 美國專利第⑽㈣號⑽^等人^所述之使用轴桿加 熱器控制共擠壓聚合物層之層厚度 项禾'<C揭不内容以 ”用的方式併入本文中；在製備期間自諸如原子力顯微鏡 (AFM)、透射電子顯微鏡或掃描電子顯微鏡之層厚度量測 工具得到及時層厚度減反饋；產生所需層厚度概況之光 學模型化；及基於量測層概況與所需層概況之間的差異重 複軸桿調整。 ' /厚度概況控制之基本方法涉及基於目標層厚度概況與 量測層概況之差異來調絲桿區功率設定1整特定饋料 機構區中Μ厚度值所需的軸桿功率增加可首先根據使加 熱區：產生之層的所得厚度變化!奈米所需之熱輸入瓦特 數來校準。舉例而d，可使用24個軸桿區對^乃個層進行 光譜之精確控制。一經校準’則可計算出必需的功率調 整，>、要給出目標概況及量測概況即可。重複該程序直至 兩種概況達成一致。 用於製備反射性光學層（例如第一及第二光學層）的例示 f生材料包括聚合物及聚合物摻合物（例如聚酯、共聚酯、 、’至修飾之共聚酯及聚碳酸酯）。聚酯可例如由内酯之開環 加成聚合或由二羧酸（或其衍生物，諸如二酸齒化物或二 酉曰）與一醇縮合來製備。二羧酸或二羧酸衍生物分子可全 相同或可能存在兩種或兩種以上不同類型之分子。上述 If况亦適用於二醇單體分子。聚碳酸酯可例如由二醇與碳

C 157334.doc •19· 201218329 酸酯之反應來製備。 適用於形成聚酯之二羧酸分子的實例包括2,6_蔡二甲酸 及其異構體；對苯二甲酸；間苯二曱酸；鄰笨二甲酸壬 二酸；己二酸；癸二酸；降冰片烯二曱酸；二環辛燒二甲 酸；1，6-環己烷二曱酸及其異構體；第三丁基間苯二甲 酸、偏苯三酸、鈉磺化間苯二曱酸；4,4，-聯苯二甲酸及其 異構體。酸ifi化物及此等酸之低碳烷基酯（諸如甲醋戍乙 酯）亦可用作功能等效物。在此情形下，術語「低碳产 基」係指C1-C10直鏈或分支鏈炫基。適用於形成聚自旨之一 醇的實例包括乙二醇；丙二醇；i，4-丁二醇及其異構體； 1，6-己二酵；新戊二醇；聚乙二醇；二乙二醇；三環癸二 醇；1，4-環己烷二甲醇及其異構體；降冰片烷二醇；二環 辛烷二醇；三羥甲基丙烷；異戊四醇；丨，4_苯二甲醇及其 異構體；雙酚A ; 1，8-二羥基聯苯及其異構體；及丨，3-雙（2_ 羥基乙氧基）苯。 適用於反射層之例示性雙折射聚合物包括聚對苯二甲酸 乙一酯（PET)。當偏振平面平行於拉伸方向時，其對55〇 nm波長之偏振入射光的折射率自約157增加至高達約 1.69。增加分子定向可增加pEN之雙折射率。分子定向可 藉由拉伸材料至較大拉伸比且保持其他拉伸條件不變來增 加。PET共聚物（CoPET)，諸如美國專利第6 744,561號 (Condo等人）及美國專利第6 449 〇93號旧4^吐等人X該等 專利之揭不内容以引用的方式併入本文中）中所述之共聚 物，尤其適用於其相對低溫（通常小於25〇。〇加工能力，使 157334.doc

C •20- 201218329 其在共擠壓時與熱穩定性較小之第二聚合物更加相容。適 用作雙折射聚合物之其他半結晶聚酯包括聚2,6-對苯二甲 酸丁二酯（PBT)、聚對苯二甲酸乙二酯（PET)及其共聚物， 諸如美國專利第6,449,093 B2號（Hebrink等人）或美國專利 公開案第20060084780號（Hebrink等人）中所述之聚酯，該 . 等專利之揭示内容以引用的方式併入本文中。其他適用雙 折射聚合物包括間規聚苯乙烯（sPS);聚2,6-萘二甲酸乙二 酯（PEN);衍生自萘二曱酸、另一種二羧酸及二醇之共聚 酯（coPEN)(例如經由90當量萘二曱酸二甲酯、1〇當量對苯 二甲酸二曱酯及100當量乙二醇之共縮合衍生之聚酯，其 固有黏度（IV)為0.48 dL/g及折射率為約1.63);聚醚醯亞 胺；及聚酯/非聚酯組合；聚2,6-萘二甲酸丁二酯（PBN); 經修飾之聚烯烴彈性體，例如以ADMER(例如ADMER SE810)熱塑性彈性體購自 Mitsui Chemicals America，Inc. (Rye Brook，NY);及熱塑性聚胺基甲酸酯（TPU)(例如以 ELASTOLLAN TPUs購自 BASF Corp. (Florham Park，NJ)及 以 TECOFLEX或 STATRITE TPUs (例如 STATRITE X5091 或 STATRITE M809)購自 Lubrizol Corp. (Wickliffe, OH))。 此外，舉例而言，多層光學膜之第二聚合物（層）可由玻 ' 璃轉移溫度與第一層相容且折射率類似於雙折射聚合物之 各向同性折射率的各種聚合物製成。適用於光學膜及尤其 第二聚合物中之其他聚合物的實例包括乙烯基聚合物及由 諸如乙烯基萘、苯乙烯、順丁烯二酸酐、丙烯酸酯及曱基 丙烯酸酯之單體組成之共聚物。該等聚合物之實例包括聚

S 157334.doc • 21· 201218329 丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯，例如聚（曱基丙烯酸甲 酯）(PMMA)，及等規或間規聚苯乙烯。其他聚合物包括縮 聚物，諸如聚砜、聚醯胺、聚胺基曱酸酯、聚醯胺酸 (polyamic acid)及聚醯亞胺。另外，第二聚合物可由聚 酯、聚碳酸酯、氟聚合物及聚二曱基矽氧烷及其摻合物之 均聚物及共聚物形成。 用於光學層、尤其用於第二層之許多例示性聚合物可購 得且包括以下之均聚物：聚（曱基丙烯酸曱酯（PMMA)，諸 如以商標「CP71」及「CP80」講自 Ineos Acrylics, Inc. (Wilmington, DE)之材料；及聚（甲基丙烯酸乙酯） (ΡΕΜΑ)，其玻璃轉移溫度低於PMM A 〇其他適用聚合物包 括PMMA之共聚物（CoPMMA)，諸如由75 wt%甲基丙烯酸 曱酯（MMA)單體及25 wt%丙烯酸乙酯（EA)單體組成之 CoPMMA(以商標「PERSPEX CP63」購自 Ineos Acrylics， Inc.或以商標「ATOGLAS 510」購自 Arkema (Philadelphia, PA))，由MMA共聚單體單元及曱基丙烯酸正丁酯（nBMA) 共聚單體單元形成之CoPMMA，或PMMA與聚（偏二氟乙 烯）(PVDF)之摻合物。適合於光學層、尤其用於第二層之 其他聚合物包括聚烯烴共聚物，諸如以商標「ENGAGE 8200」購自 Dow Elastomers(Midland，MI)之聚（乙烯-共-辛 稀）(PE-PO)，以商標「Z9470」購自 Atofina Petrochemicals， Inc· (Houston，TX)之聚（丙烯-共-乙烯）(PPPE)，及無規聚 丙烯（aPP)與等規聚丙烯（iPP)之共聚物。多層光學膜亦可 在第二層中包括例如官能化聚烯烴’諸如線性低密度聚乙 157334.doc -22- 201218329 烯-g-順丁烯二酸酎（LLDPE-g-MA)，諸如以商標「BYNEL 4105」購自 E.I. duPont de Nemours & Co., Inc_之材料。 第三光學層（若存在）包含聚合物及UV吸收劑且可充當 UV保護層。通常，該聚合物為熱塑性聚合物。適合之聚 合物的實例包括聚酯（例如聚對苯二甲酸乙二酯）、氟聚合 . 物、丙烯酸系物（例如聚（曱基丙烯酸甲酯））、聚矽氧聚合 物（例如熱塑性聚矽氧聚合物）、苯乙烯類聚合物、聚烯 烴、烯烴共聚物（例如乙烯與降冰片烯之共聚物，以 「TOPAS COC」購自 Topas Advanced Polymers (Florence, KY))及其組合（例如聚（曱基丙烯酸甲酯）與聚偏二氟乙烯之 掺合物）。 用於第三層及/或第二層且存在於與至少一種雙折射聚 合物交替之層中的例示性聚合物組合物包括ΡΜΜΑ ; CoPMMA ;基於聚二曱基矽氧烷草醯胺之嵌段共聚物 (SPOX);氟聚合物，包括均聚物（諸如PVDF)及共聚物（諸 如衍生自四氟乙烯、六氟丙烯及偏二氟乙烯（THV)之共聚 物）；PVDF/PMMA之摻合物；丙烯酸酯共聚物；苯乙烯； 苯乙烯共聚物；聚矽氧共聚物；聚碳酸酯；聚碳酸酯共聚 物；聚碳酸酯摻合物；聚碳酸酯與苯乙烯順丁烯二酸酐之 • 摻合物；及環烯共聚物。 選擇用於形成多層光學膜之聚合物組合例如視將反射之 所需帶寬而定。雙折射聚合物與第二聚合物之間的較高折 射率差產生更大光功率，由此能夠實現反射性更大的帶 寬。或者，可使用其他層來提供更大光功率。雙折射層與 s 157334.doc •23· 201218329 第二聚合物層之較佳組合可包括例如以下：PET/THV、 PET/SPOX ' PEN/THV、PEN/SPOX、PEN/PMMA、 PET/CoPMMA 、 PEN/CoPMMA 、 CoPEN/PMMA 、 CoPEN/SPOX、sPS/SPOX、sPS/THV、CoPEN/THV、PET/ 氟彈性體、sPS/氟彈性體及CoPEN/氟彈性體。多層光學膜 之CTE通常為第一聚合物層、第二聚合物層及任何其他聚 合物層之加權平均值。在一些實施例中，當選擇多層光學 膜作為第二聚合物膜基板時，第一聚合物膜基板與第二聚 合物膜基板之間的CTE失配小於40 ppm/K。 在一些實施例中，用於製備反射UV光之光學層（例如第 一及第二光學層）的材料組合包括PMMA與THV及PET與 CoPMMA。用於製備吸收UV光之光學層（例如第三光學層） 的例示性材料包括PET、CoPMMA或PMMA與PVDF之摻合 物。 UV吸收層（例如UV保護層）有助於保護可見光/IR反射光 學層堆疊免受UV光造成之損傷/因吸收可穿過UV反射光學 層堆疊之UV光（較值任何UV光）而隨時間降解。一般而 言，UV吸收層可包括能夠長時間财受uv光之任何聚合組 合物（亦即聚合物加添加劑）。各種添加劑可視情況併入光 學層中以使其吸收UV。該等添加劑之實例包括UV吸收劑 (UVA)、HALS或抗氧化劑中之至少一者。典型UV吸收層 之厚度在13微米至38〇微米（〇.5密耳至15密耳）之範圍内’ 其UVA負載量為2-10重量％ ° UVA通常為能夠吸收或阻斷波長小於4〇〇 nm之電磁輻 157334.doc •24· 201218329 射、同時在大於400 nm之波長下保持實質上透明的化合 物。該等化合物可干涉光誘導降解之物理及化學過程。 UVA通常包括於UV吸收層中，其量足以吸收至少70%(在 一些實施例中，波長區域為180 nm至400 nm的至少80%或 大於90% UV光）。通常，希望UVA高度可溶於聚合物中， 高度吸收，光持久且在200°C至300°C之溫度範圍下對於擠 壓過程熱穩定以形成保護層。若UVA可藉由UV固化、γ射 線固化、e光束固化或熱固化方法與單體共聚合形成保護 塗層，則其亦可為高度適合的。 紅移UVA(RUVA)通常在長波UV區中具有增強之光譜覆 蓋，從而使其能夠阻斷可引起聚酯變黃之高波長UV光。 最有效RUVA之一為苯并三唑化合物、5-三氟曱基-2-(2-羥 基-3-α-異丙苯基-5-第三辛基苯基）-2H-苯并三唑（以商標 「CGL-0139」由 Ciba Specialty Chemicals Corporation (Tarryton，NY)出售）。其他例示性苯并三》坐包括2-(2-經基-3，5-二-α-異丙苯基苯基）-2H-苯并三唑、5-氯-2-(2-羥基-3-第三丁基-5-甲基苯基）-2H-苯并三唑、5-氯-2-(2-羥基-3,5-二·第三丁基苯基）-2H-苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二-第三戊 基苯基）-2H-笨并三唑、2-(2-羥基-3-ot-異丙苯基-5-第三辛 基苯基）-2H-苯并三唑、2-(3-第三丁基-2-羥基-5-曱基苯 基）-5-氯-2H-苯并三唑。其他例示性RUVA包括2(-4,6二苯 基-l-3,5-三嗪-2-基）-5-己氧基-苯酚。其他例示性UV吸收 劑包括以商標「TINUVIN 1577」、「TINUVIN 900」及 「TINUVIN 777」購自 Ciba Specialty Chemicals s 157334.doc -25- 201218329

Corporation之UV吸收劑。另一例示性UV吸收劑以聚醋母 料形式以商標「TA07-07 MB」賭自Sukano Polymers Corporation(Dunkin SC)。另一例示性UV吸收劑以聚碳酸 醋母料形式以商標「TA28-09 MB」講自Sukano Polymers Corporation。另外，UV吸收劑可與受阻胺光穩定劑 (HALS)及抗氧化劑組合使用。例示性HALS包括以商標 「CHIMASSORB 944」及「TINUVIN 123」購自 Ciba Specialty Chemicals Corporation之HALS。例示性抗氧化劑 包括以商標「IRGAFOS 126」、「IRGANOX 1010」及 「ULTRANOX 626」獲得之抗氧化劑，其亦購自Ciba Specialty Chemicals Corporation 〇 UV保護層之所需厚度通常視如藉由貝爾定律（Beers Law)所計算之特定波長下之光學密度目標而定。在一些實 施例中，UV保護層之光學密度在380 nm下大於3.5、3.8或 4;在390 nm下大於1.7;及在400 nm下大於0.5。一般技術 者認識到，光學密度通常應在膜之延長使用期限内保持相 當恆定以提供所欲保護功能。 可選擇可達成所需保護功能（諸如UV保護）的UV保護層 及任何視情況存在之添加劑。一般技術者認識到，存在多 種達成UV保護層之所述目標的方法。舉例而言，可將極 易溶於特定聚合物中之添加劑添加至組合物中。添加劑在 聚合物中之持久性尤為重要。添加劑應不會降解或自聚合 物中遷移出。另外，可改變層厚度以達成所需保護效果。 舉例而言，較厚的UV保護層能夠實現與較低濃度之UV吸 157334.doc -26- 201218329 收劑相同的UV吸收量，且由於UV吸收劑遷移之驅動力較 小而將提供較大UV吸收劑持久性。 關於可適用作第二聚合物膜基板（例如UV鏡）之多層光學 膜的其他詳情，參見例如國際專利申請公開案第WO 2010/078105號（1161)1^111^等人）及10 2011/06283 6號（1^131^1^ 等人），其揭示内容以引用的方式併入本文中。 對於上述第二聚合物膜基板之任一實施例，第二聚合物 膜基板（例如氟聚合物）之主要表面可經處理以改良對PSA 之黏著力。適用表面處理包括在適合之反應性或非反應性 氛圍（例如電漿、輝光放電、電暈放電、介電阻隔放電或 大氣壓放電）存在下放電；化學預處理（例如使用鹼溶液及/ 或液氨）；火焰預處理；或電子束處理。亦可在第二聚合 物膜基板之主要表面與PSA之間形成另外的促黏層。在一 些實施例中，第二聚合物膜基板可為氟聚合物，其已塗有 PSA且隨後經電子束照射以在基板與壓敏黏著劑之間形成 化學鍵；參見例如美國專利第6,878,400號（Yamanaka等 人）。表面經處理之一些適用第二聚合物膜基板例如可以 商標「NORTON ETFE」購自 St. Gobain Performance Plastics 。 在一些實施例中，第二聚合物膜基板之厚度為約0.01 mm至約1 mm，在一些實施例中為約0.05 mm至約0.25 mm 或0.0 5 mm至0.15 mm。此等範圍外之厚度亦可為適用的， 此視應用而定。在第二聚合物膜基板之CTE比第一聚合物 膜基板之CTE高超過40 ppm/K的實施例中，可使第二聚合

S 157334.doc -27- 201218329 物膜基板t厚度最小以使較高CTE之作用最小。舉例而 言，第二聚合物膜基板之厚度可為至多。2、請、〇 16、 0.14、0.13 或 0.12 mm。 雖然適用於實施本發明之第二聚合物膜基板具有極佳戶 外穩定性，但在本文所揭示之組合中需要阻隔膜來使水蒸 氣之滲透降低至允許其用於長期戶外應用（諸如光伏打建 築一體化（BIPV))之程度。 阻隔膜 適用於實施本發明之阻隔膜12〇、32〇可選自各種構造。 術語「阻隔膜」係指對氧氣或水中之至少一者提供阻隔之 膜。阻隔膜通常經選擇以使得其按應用所需具有指定程度 之氧氣及水穿透率。在一些實施例中，阻隔膜之水蒸氣穿 透率（WVTR)在38。(：及100%相對濕度下小於每天約〇 〇〇5 g/m2 ;在一些實施例中，在38t及1〇〇%相對濕度下小於每 天約0.0005 g/m2 ;及在一些實施例中，在38〇c及1〇〇%相 對濕度下小於每天約0.000〇5 g/m2 ^在一些實施例中，可 撓性阻隔膜之WVTR在50。(：及100%相對濕度下小於每天約 0.05、0.005、〇·〇〇〇5 或 0.00005 g/m2，或在 85它及1〇〇% 相 對濕度下甚至小於每天約〇 〇〇5、〇 〇〇〇5、〇 〇〇〇〇5 g/m2。 在一些實施例中，阻隔膜之氧氣穿透率在23。(：及90%相對 濕度下小於每天約〇 005 g/m2;在一些實施例中在m 及9〇%相對濕度下小於每天約0.0005 g/m2 ;及在一些實施 例中’在23。(：及90%相對濕度下小於每天約0.00005 g/m2。 例示性適用阻隔膜包括藉由原子層沈積、熱蒸發、濺鍍 157334.doc -28- 201218329 及化學氣相沈積製備之無機膜。適用阻隔膜通常具有可撓 性且為透明的。 在一些實施例中’適帛阻隔膜包含無機/有機多層（例如 228、226、224及428、426、424)。包含無機/有機多層之 可撓性超阻隔膜描述於例如美國專利第7,〇i8,7i3號 (Padiyath等人）中。該等可撓性超阻隔膜可具有安置於聚 合物膜基板240上之第一聚合物層224,其塗飾有由至少一 個第二聚合物層228分隔之兩個或兩個以上無機阻隔層 226。在一些實施例中，阻隔膜包含一個插入安置於聚合 物膜基板240上之第一聚合物層224與第二聚合物層228之 間的無機阻隔層226。 第一聚合物層224及第二聚合物層228可獨立地藉由塗覆 一層單體或寡聚物及使該層交聯以當場形成聚合物來形 成’例如藉由閃蒸及氣相沈積輻射可交聯單體，隨後進行 交聯’例如使用電子束設備、UV光源、放電設備或其他 適合之裝置進行交聯。第一聚合物層224塗覆於例如第一 聚合物膜基板240上’且第二聚合物層通常塗覆於無機阻 隔層上。適用於形成第一及第二聚合物層之材料及方法可 獨立地選擇為相同或不同。適用於閃蒸及氣相沈積隨後當 場交聯之技術可見於例如以下文獻中：美國專利第號 4,696,719 號（Bisch〇ff)、第 4,722,515 號（Ham)、第 4,842,893 號（Yializis等人）、第 4 954,371號（Yializis)、第 5,018,048號 (Shaw 等人）、第 5,〇32,461(Shaw 等人）、第 5,097,800 號 (Shaw 等人）、第 5，125，138 號（Shaw 等人）、第 5,440,446 號

S 157334.doc •29- 201218329 (Shaw等人）、第 5,547,908號（Furuzawa等人）、第 6,045,864 號（Lyons等人）、第 6,231,939 號（Shaw 等人）及第 6,214,422 號（Yializis);公開PCT申請案第 WO 00/26973 號（Delta V Technologies, Ine.) ; D. G. Shaw 及 M. G. Langlois，「A New Vapor Deposition Process for Coating Paper and Polymer Webs」，6th International Vacuum Coating Conference (1992) ; D. G. Shaw及 M. G. Langlois, 「A New

High Speed Process for Vapor Depositing Acrylate Thin Films: An Update」，Society of Vacuum Coaters 36th Annual Technical Conference Proceedings (1993) ; D. G. Shaw及 M. G. Langlois, 「Use of Vapor Deposited Acrylate Coatings to Improve the Barrier Properties of Metallized Film」，Society of Vacuum Coaters 37th Annual Technical Conference Proceedings (1994) ； D. G. Shaw, M. Roehrig, M. G. Langlois及 C. Sheehan， 「Use of Evaporated Acrylate Coatings to Smooth the Surface of Polyester and Polypropylene Film Substrates」，RadTech (1996) ; J. Affinito, P, Martin，M. Gross，C. Coronado及E. Greenwell， 「Vacuum deposited polymer/metal multilayer films for optical application」，Thin Solid Films 270，43-48 (1995); 及 J.D. Affinito，Μ. E. Gross, C. A. Coronado，G. L. Graff， E. N. Greenwell 及 P. M. Martin, 「Polymer-Oxide Transparent Barrier Layers」，Society of Vacuum Coaters 39th Annual Technical Conference Proceedings (1996)。在 157334.doc -30- 201218329 以單程真空塗佈操 一些實施例中，聚合物層及無機阻隔層 作依序沈積而不中斷塗佈過程。 第一聚合物層224之塗佑纷态-p v — 文佈效率可例如藉由冷卻聚合物膜 基板240來改良。類似技術亦可用於对& # 又υ力J用於改良第二聚合物層228 之塗佈效率。適用於形成第—及/或第二聚合物層之單體 或寡聚物亦可使用諸如滚塗（例如凹版印刷式滾塗）或喷塗 (例如靜電喷塗）之習知塗佈方法涂蓿 墙 冲乃忐塗覆。第—及/第二聚合物 層亦可藉由塗覆含有募聚物或聚合物於溶劑中之—層，接 著使用習知技術（例如加埶戎直处击々s , …次具空中之至少一者）移除該溶 劑來形成。亦可使用電聚聚合。 可揮發丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯單體適用於形成第一及 第一斌口物層在一些實施例中，使用可揮發丙烯酸酯。 可揮發丙烯酸S旨及甲基丙⑽g旨單體之分子量可在每莫耳 約150公克至約600公克之範圍内，或在—些實施例中為每 莫耳約20G公克至約_公克。在—些實施例中可揮發丙 烯酸醋及甲基丙稀酸赌單體之分子量與每個分子中（甲基） 丙烯酸醋官能基之數目的比率值係在每個(甲基)丙烯酸： 基每莫耳約150 g至約60〇 §之範圍内，在一些實施例中為 每個（曱基）丙烯酸酯基每莫耳約2〇〇 g至約4〇〇 可使用 較高分子量範圍或比率之氟化丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯， 例如約400至約3000分子量或每個（曱基）丙烯酸酯基每莫耳 約400 g至約3000 g。適用的例示性可揮發丙烯酸酯及甲基 丙烯酸酯包括己二醇二丙烯酸酯、丙烯酸乙氧基乙酯、丙 烯酸苯氧基乙酯、（單）丙烯酸氰基乙酯、丙烯酸異冰片

S 157334.doc -31- 201218329 酉曰、甲基丙烯酸異冰片酯、丙烯酸十八烷酯、丙烯酸異癸 酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸P羧乙酯、丙烯酸四氫糠酯、 丙烯酸二腈酯、丙烯酸五氟苯基酯、丙烯酸硝基苯基酯、 丙烯酸2-苯氧基乙酯、曱基丙烯酸苯氧基乙酯、（曱基） 丙烯酸2,2,2-二氟曱酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇 二丙烯酸酯、三乙二醇二甲基丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯 酸自曰、四乙二醇二丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、丙氧 基化新戊二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、四乙二 醇二丙烯酸酯、雙酚A環氧化物二丙烯酸酯、Lb己二醇 二曱基丙烯酸酯、三羥曱基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化三 羥曱基丙烷三丙烯酸酯、丙氧基化三羥曱基丙烷三丙烯酸 酉曰參（2_經基乙基）異二聚氰酸醋三丙稀酸g旨、異戊四醇 二丙烯酸酯、丙烯酸苯基硫乙酯、丙烯酸萘氧基乙酯、環 狀二丙烯酸酯（例如Cytec Industries Inc.之EB-130及以 SR8：33S購自Sartomer Co.之三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯）、 Cytec Industries Inc.之環氧丙烯酸酯RDX8〇〇95、以上甲基 丙烯酸酯之丙烯酸酯、以上丙烯酸酯之曱基丙烯酸酯及其 混合物。 適用於形成第一及第二聚合物層之單體購自各種商業來 源且包括丙烯酸胺基甲酸醋（例如以商標「CN-968」及 「CN-983」購自 Sartomer Co，（Exton，PA)、丙烯酸異冰片 酯（例如以商標「SR-506」購自Sartomer Co.)、二異戊四醇 五丙烯酸酯（例如以商標「SR-399」購自SartomerCo.)'環 氧丙烯酸酯與苯乙烯之摻合物（例如以商標「CN-120S80」 157334.doc -32- 201218329 購自Sartomer Co.)、二-三羥曱基丙炫•四丙稀酸醋（例如以 商標「SR-355」購自Sartomer Co.)、二乙二醇二丙烯酸酯 (例如以商標「SR-230」購自 Sartomer Co·)、1，3-丁 二酵二 丙烯酸酯（例如以商標「SR-212」購自Sartomer Co.)、五丙 稀酸酯（例如以商標「SR-9041」購自Sartomer Co.)、異戊 四醇四丙烤酸酯（例如以商標「SR-295」購自Sartomer Co.)、異戊四醇三丙烯酸酯（例如以商標「SR-444」購自 Sartomer Co.)、乙氧基化（3)三經曱基丙烧三丙烤酸醋（例 如以商標「SR-454」購自Sartomer Co.)、乙氧基化（3)三經 甲基丙烷三丙烯酸酯（例如以商標「SR-454HP」購自 Sartomer Co.)、烷氧基化三官能丙烯酸酯（例如以商標 「SR-9008」購自Sartomer Co·)、二丙二醇二丙稀酸自旨（例 如以商標「SR-508」購自Sartomer Co.)、新戊二醇二丙婦 酸酯（例如以商標「SR-247」購自Sartomer Co.)、6氧基化 (4)雙酚a二曱基丙烯酸酯（例如以商標「CD-450」購自 Sartomer Co.)、環己坑二曱醇二丙稀酸酯（例如以商標 「CD-406」購自Sartomer Co·)、曱基丙稀酸異冰片醋（例 如以商標「SR-423」購自Sartomer Co·)、環狀二丙稀酸酯 (例如以商標「IRR-214」購自 UCB Chemical(Smyrna, GA)) 及異三聚氰酸酯三丙烯酸參（2-羥基乙基）酯（例如以商標 「SR-368」購自 Sartomer Co.)。 適用於形成第一及/或第二聚合物層之其他單體包括乙 烯基醚、乙烯基伸萘基、丙烯腈及其混合物。 第一聚合物層224之所需化學組成及厚度將部分視聚合

S 157334.doc -33- 201218329 物膜基板240之性質及表面構形而定。第-及/或第二聚合 物層之厚度通常紋以提供光滑、無缺陷表面，無機阻隔 層226可隨後塗覆於該表面上。舉例而言，第-聚合物層 之厚度可為數奈米(例如2或3㈣至約5微米或5微米以 上。第二聚合物層之厚度亦可在此範圍内且在—些實施例 中可比第一聚合物層薄。 無機阻隔層226可由各種材料形成。適用材料包括金 屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬氮氧化 物、金屬棚氧化物及其組合。例示性金屬氧化物包括石夕氧 化物（諸如一氧化矽）、鋁氧化物（諸如氧化鋁卜鈦氧化物 (諸如二氧化鈦）、錮氧化物、錫氧化物、氧化銦錫（ιτ〇)、 氧化鈕、氧化錯、氧化鈮及其組合。其他例示性材料包括 碳化硼、碳化鎢、碳化矽' 氮化鋁、氮化矽、氮化硼、氮 氧化鋁、氮氧化矽、氮氧化硼、硼氧化鍅、硼氧化鈦及其 組合。在一些實施例中，無機阻隔層包含ΙΤ〇、氧化矽或 氧化鋁中之至少一者β在一些實施例中，在對各元素組分 之相對比例的適當選擇下，ΐΤθ可為導電的。無機阻隔層 可例如使用膜金屬化技術中所用之技術來形成，諸如濺鍍 (例如陰極或平面磁控濺鍍、雙重Ac平面磁控濺鍍或雙重 AC可旋轉磁控濺鍍）、蒸發（例如電阻性或電子束蒸發及電 阻性或電子束蒸發之能量增強類似方法，包括離子束及電 漿輔助沈積）、化學氣相沈積、電漿增強化學氣相沈積及 電鑛。在一些實施例中’無機阻隔層使用濺鍍（例如反應 性激鍍）來形成。當無機層藉由高能量沈積技術（諸如濺鑛） 157334.doc 201218329 來形成時’與較低能量技術（諸如習知氣相沈積方法）相 比’可觀察到增強阻隔性質。在不受理論束缚之情況下’ 咸信增強性質係歸因於以更高動能到達基板之冷凝物質， 導致空隙率因壓縮而降低。 各無機阻隔層之所需化學組成及厚度將部分視下層之性 - 質及表面構形以及阻隔膜所需之光學性質而定。無機阻隔 層通常足夠厚以能夠連續，且足夠薄以確保本文所揭示之 阻隔膜及組合將具有所需可見光透射及可撓性程度。各無 機阻隔層之物理厚度（與光學厚度相反）可為例如約3 nm至 約150 nm(在一些實施例中，約4 nm至約？5 nm)。無機阻 隔層沿法線軸量測之對光譜之可見光部分的平均透射率通 常為至少約75%(在一些實施例中為至少約8〇%、85%、 90%、92%、95%、97%或98%)。在一些實施例中無機阻 隔層在400 11„1至1400 nm之範圍内的平均透射率為至少約 75%(在一些實施例中為至少約80。/〇、85%、90%、92〇/。、 95%、97%或98%)適用無機阻隔層通常為不干擾可見光 或紅外光之吸收（例如被光伏打電池吸收）的無機阻隔層。 必要時，可存在其他無機阻隔層及聚合物層。在存在一 個以上無機阻隔層之實施例中，無機阻隔層不必相同或具 有相同厚度。當存在一個以上無機阻隔層時，無機阻隔層 可分別稱為「第-無機阻隔潛」及「第二無機阻隔層」。 八他聚合物層」可存在於其他無機阻隔層之間。舉例而 °阻隔膜可具有右干交替的無機阻隔層及聚合物詹。無 機阻隔層之各單元與聚合物膚的組合稱為二合物，且阻隔

157334.doc -35· S 201218329 膜可包括許多二合物。在二合物之間亦可視情況包括各 類型之層。 表面處理或黏結層可塗覆於聚合物層或無機阻隔層中之 任一者之間，例如改良平滑度或黏著力。適用表面處理包 括在適合之反應性或非反應性氛圍存在下放電（例如= 漿、輝光放電、電暈放電 '介電阻隔放電或大氣壓放 電）；化學預處理；或火焰預處理。例示性適用黏結層包 括各別聚合物層或含金屬層，諸如金屬、金屬氧化物 '金 屬氮化物或金屬氮氧化物層。該黏結層之厚度可為數奈米 (nm)(例如i或2 nm)至約5〇 或50 nm以上。 在—些實施例中，阻隔膜中之聚合物層（例如上層）之一 可由共沈積矽烷（例如胺基矽烷或環狀氮雜矽烷）及輻射可 固化單體（例如以上所列之任一丙烯酸酯）形成。共沈積包 括共瘵發及蒸發矽烷與單體之混合物。環狀氮雜矽烷為環 狀化合物，其中至少一個環成員為氮且至少一個環成員為 矽，且其中該環含有至少一個氮矽鍵。在一些實施例中， 環狀氮雜矽烷由以下通式表示：

〇si；0R

N OR R， ^在其他實施例中，環狀氮雜矽烷由以下通式

.R./ Lor 。在任一此等實施例中，各R獨立地為具 有至多12、6、4、3或2個碳原子之烷基且R·為氫、烷基或 烯基’其中烷基及烯基各具有至多12、6、4、3或2個碳原 157334.doc •36· 201218329 子且視情況經胺基取代。例 f AA N T A 1 - ^ '、性％狀氮雜矽烷包括2,2-二 f氧基-N_丁基·石夕 N-(2-^ dr ^ 戍烷 2-甲基-2-f 氧基- N(2胺基乙基)小氮雜—雜環戊 (2_胺基乙基^卜氮雜_2_矽 一氧基-Ν- 其^氣桃ο Α 雜展戊烷、2,2_二f基-Ν-烯丙 基-1-氮雜-2-矽雜環戊烷、2 2 _田#甘 ，—甲乳基-N-甲基-1-翁雜9 矽雜環戊烷' 2,2-二乙氧基丨胃μ 氮雜 ^氣雜-2-石夕雜環戊炫、2,2-二 甲氧基-1，6-二氮雜_2_矽雜環辛 一 肀烷及Ν_甲基-1-氮雜-2,2,4- 二曱基石夕雜環戊烧。當環狀 ^ 狀虱雜矽烷存在羥基（例如矽烷 醇）時，其自氧化物表面至妓缩人 王，、縮合之預聚物快速反應形成

Si-0-Si(石夕氧燒）鍵，同時分子 ^ 町刀于另一末端之氮部分變成反應 性胺，其在聚合期間可與預聚物化合物鍵結。具有通式 Z2N-L-SiYxY’3〆胺基石夕烧具有能夠與金屬氧化物表面形 成矽氧烷鍵之矽烷基及能夠與可聚合化合物（例如丙烯酸 酯）反應之胺基，其中各Z獨立地為氫或具有至多12個碳原 子之烷基，L為具有至多12個碳原子之伸烷基，γ為可水 解基團（例如具有至多12個碳原子之烷氧基或齒素），且γ， 為非可水解基團（例如具有至多12個碳原子之烷基）。例示 性胺基矽烷包括（例如3-胺基丙基三甲氧基矽烷；3_胺基丙 基三乙氧基矽烷；3-(2-胺基乙基）胺基丙基三甲氧基矽 烷；N-(2-胺基乙基）-3-胺基丙基曱基二甲氧基矽烷、雙（γ-三乙氧基矽烷基丙基）胺；Ν-(2-胺基乙基）·3-胺基丙基三丁 氧基矽烷；6-(胺基己基胺基丙基）三甲氧基矽烷；4-胺基 丁基三甲氧基矽烷；4-胺基丁基三乙氧基矽烷；3-胺基丙 基參（曱氧基乙氧基乙氧基）矽烷；3-胺基丙基曱基二乙氧

S 157334.doc •37· 201218329 基石夕烧；3-(N-曱基胺基）丙基三曱氡基石夕院；n_(2-胺基乙 基）-3-胺基丙基甲基二曱氧基石夕烧；n_(2-胺基乙基）-3-胺 基丙基曱基二乙氧基石夕烧；N-(2-胺基乙基）_3_胺基丙基三 曱氧基石夕烧；N-(2-胺基乙基）-3-胺基丙基三乙氧基石夕烧； 3 -胺基丙基甲基二已氧基石夕燒；3 -胺基丙基甲基二甲氧基 矽烷；3-胺基丙基二甲基甲氧基矽烷；及3_胺基丙基二甲 基乙氧基石夕烧）。因此，在一些實施例中，阻隔膜包含與 一或多個有機層共有化學鍵（例如矽氧烷鍵）之無機層。舉 例而言，衍生自金屬氧化物之羥基可與胺基矽烷或環狀氮 雜矽烷上之矽烷基反應。存在於多製程真空室中之水蒸氣 的量例如可經控制以促進形成足夠高表面濃度之該等羥基 以使得鍵結位點增多。舉例而言，在監測殘餘氣體及使用 水蒸氣源之情況下，在真空室中水蒸氣之量可經控制以確 保適當產生羥基（例如Si-OH) » 藉由添加矽烷，塗層之剝離強度得到極大改良且在曝露 於南熱及濕度條件後剝離強度黏著力得到保留。另外，添 加矽烷可消除對黏結層之需要，此極大地簡化了塗佈方法 及阻隔塗層堆疊構造。所得阻隔塗層保留高阻隔性質及光 學透射效能。關於含有環狀氮雜矽烷之阻隔膜的其他詳 情’參見例如同在申請中之申請案，2〇1〇年7月2日申請之 美國第12/829525號，其揭示内容以全文引用的方式併入 本文中。 在—些實施例中，適用阻隔膜包含電漿沈積聚合物層 (例如類鑽層），諸如美國專利申請公開案第2007-0020451 157334.doc -38 - 201218329 （diyath等人）中所揭不之聚合物層。舉例而言，阻隔 膜可藉由將第-聚合物層塗飾於聚合物膜基板上且將電浆 沈積聚口物層塗飾於該第一聚合物層上來製備。第一聚合 曰可如第$合物層之任—以上實施例中所述。電藥沈 積聚合物層可為例如類鑽碳層或_玻璃H —層相對 於基板或阻隔膜之其他元件的位置之術語「塗飾」係指該 基板或其他％件上’但不鄰接基板或其他元 件。術語「類鑽玻璃」（DLG)係指實質上或完全非晶形玻 璃，包括碳及矽，且視情況包括—或多種選自包括氫、 氮、氧、氟、硫、鈦及銅之群的其他組分。在特定實施例 中可存在其他元素。非晶形類鑽玻璃膜可含有原子簇以賦 予其短程有序性，但基本上缺乏中程及長程有序性，其導 致會不利地散射波長為180 11„1至8〇〇 nm之輻射的微小或巨 大結晶度。術語「類鑽碳」（DLC)係指包含約5〇至9〇原子 %奴及約1 0至50原子％氫之非晶形膜或塗層，其中公克原 子密度介於約0.20公克原子/立方公分與約〇 28公克原子/立 方公分之間’且由約50%至約90%四面體鍵構成。 在一些實施例中，阻隔膜可具有由塗飾於聚合物膜基板 上之父替的DLG或DLC層及聚合物層（例如如上文所述之第 一及第二聚合物層）組成之多個層。包括聚合物層與1)匕〇 或DLC層之組合的各單元稱為二合物，且該組合可包括許 多二合物。在二合物之間亦可視情況包括各種類型之層。 在阻隔膜中添加更多層可增加其對氧氣、水或其他污染物 之不透性且亦可有助於覆蓋或封裝各層中之缺陷。 •39- 157334.doc s 201218329 在些實她例中’以不含氫計’類鑽玻璃包含至少3〇% 碳、大量矽（通常至少25%)及不超過45%氧。量相當高之 矽與大量氧及大量碳之獨特組合使得此等膜高度透明及可 撓性較高。類鑽玻璃薄膜可具有各種光透射性質。視組成 而疋’薄膜在各種頻率下可具有增加之透射性質。然而， 在一些實施例中’薄膜（當約1微米厚時）在約250 nm至約 800 nm之實貝上所有波長（例如4〇〇 nm至約800 nm)下可透 射至少70%輻射。i微米厚膜之7〇%透射率對應於在4〇() nm 與800 nm之間的可見波長範圍内消光係數（k)小於〇 〇2。 在製造類錯玻璃膜時，各種其他組分可併入以改變及增 強類鑽玻璃膜賦予基板之性質（例如阻隔及表面性質）。其 他組为可包括氫、氮、氟'硫、鈦或銅中之一或多者。其 他額外組分亦可為有益的。添加氫可促進四面體鍵之形 成。添加氟可增強類鑽玻璃膜之阻隔及表面性質，包括分 散於不相容基質中之能力。氟源包括諸如四氟化碳 (CF4)、六氟化硫（SF6)、c2f6、c3f8及c4Fi()之化合物。添 加氮可用於增強抗氧化性及增加導電性。氮源包括氮氣 (N2)、氨（NH3)及肼（N^6)。添加硫可增強黏著力。添加鈦 易於增強黏著力及擴散與阻隔性質。 DLC膜可使用各種添加劑。除出於上述關於類鑽玻璃之 原因可添加之氮或氟外’可添加氧及矽。向DLC塗層中添 加石夕及氧易於改良塗層之光學透明度及熱穩定性。氧源包 括氧氣（〇2)、水蒸氣、乙醇及過氧化氫。石夕源較佳包括梦 烧，諸如SiH4、Si2H6&六甲基二石夕氧燒。 157334.doc • 40- 201218329 上述DLG或DLC膜之添加劑可併入類鑽基質中或連接於 表面原子層。若添加劑併入類鑽基質中，則其會干擾密度 及/或結構，但所得材料基本上為具有類鑽碳特徵（例如化 學惰性、硬度及阻隔性質）之緻密填充網狀物。若添加劑 濃度過大（例如相對於碳濃度大於50原子％)，則密度將受 影響且將失去類鑽碳網狀物之有益性質。若添加劑連接於 表面原子層，則其將僅改變表面結構及性質。類鑽碳網狀 物之整體性質將得到保留。 諸如類鑽玻璃及類鑽碳之電漿沈積聚合物可藉由在低溫 下使用氣相前驅單體由電漿合成。前驅分子由存在於電漿 中之高能電子分解以形成自由基物質。此等自由基物質在 基板表面反應且使得聚合物薄膜生長。由於在氣相與基板 中之反應過程的非特異性，故所得聚合物膜通常高度交聯 且具非晶形性質。關於電漿沈積聚合物之其他資訊，參見 例如 H. Yasuda, 「Plasma Polymerization,」 Academic Press Inc·, New York (1985) ; R. d'Agostino (編）， 「Plasma Deposition, Treatment & Etching of Polymers，」 Academic Press，New York (1990);及 H. Biederman及 Y. Osada, 「Plasma Polymerization Processes,」 Elsever, New York (1992)。 通常，本文所述之電漿沈積聚合物層由於存在烴及含碳 官能基（諸如 CH3、CH2、CH、Si-C、Si-CH3、A1_C、Si-O-CH3等）而具有有機性質。電漿沈積聚合物層之無機組分實 質上低於化學計量且實質上富含碳。舉例而言，在含矽膜

S 157334.doc -41 - 201218329 中，氧與矽之比率通常低於1.8(二氧化矽之比率為2 〇)， 更通常低於1.5(對於DLG而言）’且碳含量為至少約1〇%。 在一些實施例中，碳含量為至少約20%或250/〇。 如例如美國專利申請公開案第2008-0196664號（David等 人）中所述’經由使用聚碎氧油及視情況存在之碎燒源形 成電漿的離子增強電聚化學氣相沈積（PECVD)形成之非晶 形類鑽膜亦可適用於阻隔膜。術語「聚矽氧」、「聚梦氧 油」或「矽氧烧」可互換使用且係指具有結構單元R2Si〇 之寡聚且較高分子量分子，其中R係獨立地選自氫、（Cl_ c8)烧基、（c5-c18)芳基、（C6-C26)芳基烧基或（CVC26)烷基 芳基。此等分子亦可稱為聚有機矽氧烷且包括交替矽及氧 原子之鏈（-O-Si-O-Si-O-)，其中自由價之矽原子通常連接 於R基團，但亦可連接（交聯）於第二鏈之氧原子及矽原 子，從而形成擴大的網狀物（高分子量在—些實施例 中，諸如汽化聚矽氧油之矽氧烷源引入的量應使得由所得 電漿形成的塗層具有可撓性且具有高光學透射率。舉例而 言，任何其他適用製程氣體（諸如氧氣、氮氣及/或氨氣）可 與石夕氧烧及視情況存在之我—起使用以有助於維持電聚 並改變非晶形類鑽膜層之性質。 口在些實施例中，兩種或兩種以上不同電浆沈積聚合物 可組合使用。舉例而言，藉由改變或脈衝製程氣體所形成 之不同電衆沈積聚合物層形成用於沈積聚合物層之電聚。 實例中，可形成第一非晶形類鑽膜之第一層，接著 可在該第層上形成第二非晶形類鑽膜之第二層，其中該 157334.doc -42- 201218329 第層之組·成與該第二層不同。在一些實施例中，第一非 晶形類鑽膜層由聚矽氧油電漿形成，接著第二非晶形類鑽 膜層由聚矽氧油及矽烷電漿形成。在其他實施例中，形成 具有交替組成之兩個或兩個以上非晶形類鑽膜層以形成非 晶形類鑽膜。 諸如類鑽玻璃及類鑽碳之電漿沈積聚合物可具任何適用 厚度。在一些實施例中，電聚沈積聚合物之厚度可為至少 500埃或至少ι，〇00埃。在一些實施例中，電漿沈積聚合物 之厚度可在1，〇〇〇至50,000埃、1，000至25 000埃或1〇〇〇至 10,000埃之範圍内。 用於製備適用阻隔膜12〇(諸如富碳膜、含矽膜或其組 合）之其他電漿沈積方法揭示於例如美國專利第6,348 237 號（Kohler等人）中。富碳膜可含有至少5〇原子％碳且通常 約70-95原子％碳、0.卜2〇原子％氮、0.1-15原子％氧及〇卜 4〇原子％氫。該等富碳膜可分類為「非晶形」、「氫化非晶 形」、「石墨」、「丨·碳」或「類鑽」，此視其物理及化學性質 而定。含矽膜通常為聚合物膜且在隨機組成中含有矽、 碳、氫、氧及氮。 富碳膜及含矽膜可藉助於與汽化有機材料（其在周圍溫 度及壓力下通常為液體）之電漿相互作用來形成。該汽化 有機材料通常能夠在小於約丨托”儿Pa)之真空中冷凝。在 真空中（例如在習知真空室中），以如上文所述用於電聚聚 合物沈積之帶負電電極將蒸氣導向聚合物膜基板。使電聚 (例如如美國專利第5,464,667號（K〇hler等人）中所述之氛氣

S 157334.doc •43· 201218329 電聚或富碳電漿）及至少一種汽化有機材料在形成膜 相互作用。該電漿為能夠活化汽化有機材料之物質 及汽化有機材料可在基板表面上或在接觸基板表面之前相 互作用。總之，汽化有機材料與電聚之相互作用提供反應 性形式之有機材料（例如聚石夕氧失去甲基）以能夠在形成膜 時由於例如聚合及/或交聯而使材料緻密化。顯然，該等 膜之製備無需溶劑。 乂 所:成之膜可為均-多組分膜（例如由多種起始材料產 生之單層塗層）、均-單組分膜及/或多層膜（例如交替的富 碳材料層與聚矽氧材料層p舉例而言，在來自第一來源 之-個液流中使用富碳電漿及在來自第二來源之另一液流 中使用汽化高分子量有機液體（諸如二甲基石夕氧烧油），單 程沈積程序可產生膜之多層構造（例如富碳材料層、至少 部分聚合之二甲基矽氧烷層及碳/二甲基矽氧烷複合物之 中間或界面層）。系統配置之變更可控制視需要形成均一 多組分膜或性質及組成逐漸或急劇變化之分層膜。含一種 材料之均一塗層亦可由運載氣體電漿（諸如氬氣）及汽化高 分子量有機液體（諸如二f基矽氧烷油）形成。 其他適用阻隔膜120包含具有梯度組成阻隔塗層之膜， 諸如美國專利第7,015,640號（Schaepkens等人）中所述之 膜。具有梯度組成阻隔塗層之膜可藉由使反應物質之反應 或重組產物沈積於聚合物膜基板13〇上來製備。改變相對 供應率或改變反應物質之身分可產生在厚度上具有梯度組 成之塗層。適合之塗佈組合物為有機、無機或陶瓷材料。 157334.doc -44· 201218329 此等材料通常為反應電漿物質之反應或重組產物且沈積於 基板表面上。有機塗層材料通常包含碳、氫、氧及視情況 存在之其他微量元素，諸如硫、氮、矽等，此視反應物之 類型而定。在塗層中產生有機組合物之適合反應物為具有 至多15個碳原子之直鏈或分支鏈烧煙、烯烴、快烴、醇、 醛、醚、環氧烷、芳族等。無機及陶瓷塗佈材料通常包含 以下元素之氧化物、氮化物、碳化物、硼化物或其組合： 第IIA族、第IIIA族、第IVA族、第VA族、第VIA族、第 VIIA族、第IB族及第IIB族之元素；第IIIB族、第IVB族及 第VB族之金屬；及稀土金屬。舉例而言，碳化矽可藉由 重組由矽烷（SiH4)及有機材料（諸如曱烷或二甲苯）產生之 電漿而沈積於基板上。碳氧化矽可自由矽烷、甲烷及氧氣 或矽烷及環氧丙烷產生之電漿沈積。碳氧化矽亦可自由諸 如四乙氧基矽烷（TEOS)、六曱基二矽氧烷（HMDSO)、六 曱基二矽氮烷（HMDSN)或八曱基環四矽氧烷（D4)之有機矽 前驅體產生之電漿沈積。氮化矽可自由矽烷及氨產生之電 漿沈積。氰氧化鋁可自由酒石酸鋁與氨之混合物產生之電 漿沈積。可選擇反應物之其他組合以獲得所需塗佈組合 物。特定反應物之選擇在熟習此項技術者之技能範圍内。 塗層之梯度組成可藉由在沈積反應產物形成塗層期間改變 饋入反應室中之反應物的組成或藉由使用重疊沈積區（例 如腹板法）來獲得。塗層可藉由許多沈積技術之一來形 成，諸如電漿增強化學氣相沈積（PECVD)、射頻電漿增強 化學氣相沈積（RFPECVD)、膨脹熱電漿化學氣相沈積

S 157334.doc -45- 201218329 (ETPCVD)、濺鍍（包括反應性濺鍍）、電子迴旋共振電漿增 強化學氣相沈積（ECRPECVD)、感應耦合電漿增強化學氣 相沈積（ICPECVD)或其組合。塗層厚度通常在約1〇 nm至 約10000 nm之範圍内，在一些實施例中約1〇 nm至約1000 nm，且在一些實施例中約10 nm系約200 nm。 阻隔膜沿法線軸量測之對光譜之可見光部分的平均透射 率可為至少約75%(在一些實施例中為至少約80%、85%、 90%、92%、95%、97%或98%)。在一些實施例中，阻隔膜 在400 nm至1400 nm之範圍内具有至少約75%(在一些實施 例中至少約 80%、85%、90%、92%、95%、97% 或 98%)之 平均透射率。 其他適合之阻隔膜包括層合於聚合物膜上之可撓性薄玻 璃及沈積於聚合物膜上之玻璃。 壓敏黏著劑 一般技術者熟知PSA具有包括以下之性質：（1)持久性強 黏性、（2)僅需指壓之黏著性、（3)足以保持於黏附體上之 能力及（4)足以可自黏附體乾淨移除之黏結強度。已發現較 好地起PSA作用之材料為經設計及調配以展現必需黏彈性 質從而使得黏性、剝離黏著力及剪切保持力得到所需平衡 之聚合物。 一種適用於鑑別壓敏黏著劑之方法為達奎準則 (Dahlquist criterion)^此準則將麼敏黏著劑定義為1秒螺變 柔量大於1χ1〇_6平方公分/達因之黏著劑，如「Handbook of Pressure Sensitive Adhesive Technology」，Donatas 157334.doc -46- 201218329

Satas (編），第 2版，第 172 頁，Van Nostrand Reinhold，New York, NY，1989中所述，該文獻以引用的方式併入本文 中。或者，因為大致上模數為蠕變柔量之倒數，所以壓敏 黏著劑可定義為儲存模數小於約1X 106達因/平方公分之黏 • 著劑。 . 適用於實施本發明之PS A通常不會流動且具有足夠阻隔 性質以減緩或最小化氧氣及水分經由黏著膠合線之滲入。 又，本文所揭示之PSA—般可透射可見光及紅外光以使得 其不會干擾可見光之吸收（例如被光伏打電池吸收）。PSA 沿法線轴量測之對光譜之可見光部分的平均透射率可為至 少約75%(在一些實施例中為至少約80%、85%、90%、 92%、95%、97% 或 98%)。在一些實施例中，PS A 在 400 nm 至1400 nm之範圍内具有至少約75%(在一些實施例中至少 約 80%、85%、90%、92%、95%、97% 或 98%)之平均透射 率。例示性P S A包括丙婦酸醋、聚石夕氧、聚異丁稀、展素 及其組合。一些適用市售PSA包括UV可固化PSA，諸如以 商標「ARclear 90453」及「ARclear 90537」購自 Adhesive Research, Inc. (Glen Rock，PA)之 PSA ;及丙稀酸系光學透 明PSA，例如以商標「OPTICALLY CLEAR LAMINATING ADHESIVE 8171」、「OPTICALLY CLEAR LAMINATING ADHESIVE 8172」及「OPTICALLY CLEAR LAMINATING ADHESIVE 8172P」購自 3M Company(St. Paul，MN)。 在一些實施例中，適用於實施本發明之PSA的模數（拉伸 模數）為至多50,000 psi(3.4xl08 Pa)。拉伸模數可例如藉由

S 157334.doc • 47· 201218329 拉伸測试儀器來量測，諸如以商標「INSTRON 5900」購 自Instron(Norwo〇d，MA)之測試系統。在一些實施例中， PSA之拉伸模數為至多 40,000、30,000、20,000 或 10,000 psi(2.8xl〇8 pa、2.ΐχΐ〇8 Pa、1 4xl〇8 pa或 6 9xl〇8 pa)。 在一些實施例中，適用於實施本發明之PSA為丙烯酸系 PSA。如本文中所使用’術語「丙烯酸系物」或「丙烯酸 醋」包括具有至少一個丙烯酸系或曱基丙烯酸系基團之化 合物。適用丙烯酸系pSA可例如藉由合併至少兩種不同單 體（第一及第二單體）來製備。適合之例示性第一單體包括 丙烯酸2-甲基丁酯' 丙烯酸2_乙基己酯、丙稀酸異辛酯、 丙烯酸月桂酯、丙烯酸正癸酯、丙烯酸4_甲基_2_戊酮-戊 醋、丙烯酸異戊酯、丙烯酸第二丁酯及丙烯酸異壬酯。適 合之例示性第一單體包括（甲基）丙烯酸（例如丙浠酸、甲基 丙烯酸、衣康酸、順丁烯二酸及反丁烯二酸）、（甲基）丙烯 醯胺（例如丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺、N-乙基丙烯醯胺、 N-羥基乙基丙烯醯胺、N-辛基丙烯醯胺、N-第三丁基丙稀 醯胺、N，N-二甲基丙烯醯胺、N，N_二乙基丙烯醯胺及N—乙 基-N-二羥基乙基丙烯醯胺）、（甲基）丙烯酸酯（例如丙烯酸 2-羥基乙酯或甲基丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸環己醋、丙 烯酸第三丁酯或丙烯酸異冰片酯）、N-乙烯基吡咯啶酮、 N-乙烯基己内醯胺、α-烯烴、乙烯基醚、烯丙醚、苯乙烤 類單體或順丁烯二酸酯。 丙烯酸系PSA亦可藉由調配物中包括交聯劑來製備。例 示性交聯劑包括可共聚合多官能性烯系不飽和單體（例如 157334.doc •48- 201218329 1，6-己二醇二丙烯酸酯、三羥曱基丙烷三丙烯酸酯、異戊 四醇四丙烯酸酯及丨，2_乙二醇二丙烯酸酯）；烯系不飽和化 合物’其在激發態下能夠提取氫（例如丙烯酸化二笨甲 嗣’諸如美國專利第4,737,559號（Kellen等人）中所述；對 丙稀酿氧基-二苯曱酮，其購自Sart〇mer Company(Exton， PA);美國專利第5,073,611號（Rehmer等人）中所述之單 體’包括對-N-(曱基丙烯醯基_4_氧雜伸戊基）_胺甲醯氧基 二苯甲_、N-(苯甲醯基-對伸苯基）_Νι_(甲基丙烯醯氧基亞 曱基）-碳化二亞胺及對丙烯醯氧基-二苯甲酮）；基本上不 含稀煙不飽和性且能夠與羧酸基（例如上述第二單體中）反 應之非離子性交聯劑（例如丨，4_雙（伸乙基亞胺基羰基胺基） 苯；4,4-雙（伸乙基亞胺基羰基胺基）二苯基甲烷；丨，8_雙 (伸乙基亞胺基羰基胺基）辛烷；二異氰酸丨，4_伸甲苯酯； 一異氛酸1，6-伸己酯、Ν，Ν·_雙-伸丙基異鄰笨二曱醯 胺、二環氧化物、二酸酐、雙（醯胺）及雙（醯亞胺））；及基 本上不含烯烴不飽和性、與第一及第二單體不可共聚合且 在激發態下能夠提取氫之非離子性交聯劑（例如2,4_雙（三 氯甲基）-6-(4·甲氧基）苯基）_s_三嗪；2,4_雙（三氣甲基）_6_ (3,4-一曱氧基）苯基）三嗪；μ雙（三氯曱基）_6_(3,4,5_ 一曱氧基）笨基）-s-三嗪；2,4-雙（三氯曱基）_6_(2,4_二曱氧 基）苯基）-s-二嗪，如美國專利第4,33〇,59〇號（Vesley)中所 述之2,4·雙（三氣甲基）_6_(3_曱氧基）苯基）_s_三嗪 ;2,4-雙 (-氣曱基）-6·萘次甲基-s•三嗪及如美國專利第4,329,384號 (Mey)中所述之2,4-雙（三氯甲基）冬(4_甲氧基）蔡次甲基_

S 157334.doc -49- 201218329 S-三°秦）。 通常，第一單體之用量以100份共聚物之總重量計為80-100重量份（pbw)，且第二單體之用量以100份共聚物之總 重量計為0-20 pbw。交聯劑之用量以單體組合重量計可為 0.005重量％至2重量％，例如約0.01重量％至約0.5重量％或 約0.05重量％至0.15重量％。 適用於實施本發明之丙烯酸系PSA可例如藉由無溶劑、 本體、自由基聚合方法（例如使用加熱、電子束輻射或紫 外線輻射）製備。該等聚合通常由聚合引發劑（例如光引發 劑或熱引發劑）促進。適合之例示性光引發劑包括安息香 醚，諸如安息香曱醚及安息香異丙醚；經取代之安息香 醚，諸如大菌香偶姻曱醚；經取代之苯乙酮，諸如2,2-二 曱氧基-2-苯基苯乙酮；及經取代之α-酮醇，諸如2-曱基-2-羥基苯丙酮。市售光引發劑之實例包括IRGACURE 65 1及 DAROCUR 1173 ，兩者皆購自 Ciba-Geigy Corp. (Hawthorne, NY);及 LUCERIN ΤΡΟ ，購自 BASF (Parsippany, NJ)。適合之熱引發劑的實例包括（但不限於） 過氧化物，諸如過氧化二苯甲醯、過氧化二月桂基、甲基 乙基酮過氧化物、氫過氧化異丙苯、過氧二碳酸二環己酯 以及2,2-偶氮-雙（異丁腈）及過苯曱酸第三丁酯。市售熱引 發劑之實例包括VAZO 64，購自ACROS Organics (Pittsburgh, PA);及 LUCIDQL 70，靖自 Elf Atochem North America (Philadelphia，PA)。聚合引發劑之用量有效促進 單體聚合（例如以100份總單體含量計，0.1重量份至約5.0 •50· 157334.doc Ο Γ 201218329 重量份或0.2重量份至約！·〇重量份）。 若使用光交聯劑，則經塗佈之黏著劑可曝露於波長為約 250 nm至約4〇〇 nm之紫外線輻射。在此波長範圍内，黏著 wi父聯所需之輕射能為約1 00毫焦耳/平方公分至約i，5〇〇毫 焦耳/平方公分，或更尤其約200毫焦耳/平方公分至約800 爱焦耳/平方公分。 適用無/谷劑聚合方法揭示於美國專利第4,379,201號 (Heilmann等人）中。起初，第一單體與第二單體之混合物 可藉由在惰性環境下使混合物曝露於11¥輻射足以形成可 塗佈基劑漿狀物之時間而與—部分光引發劑聚合，且隨後 添加交聯劑及剩餘光引發劑。接著可將含有交聯劑之此最 終漿狀物（例如在2rc下其布絡克菲爾德黏度（Br〇〇kfield iscosity)可為約1〇〇厘泊至約6〇〇〇厘泊如使用4號口v軸 以60轉/分鐘量測）塗佈於第二聚合物膜基板上。一旦將漿 狀物塗佈於第二聚合物膜基板上，則可在惰性環境（例如 I氣、二氧化碳、氣氣及氬氣’其不包括氧氣）下進行進 -步聚合及交聯。充分惰性氛圍可藉由用⑽輻射或e光束 可透過之聚合物膜(諸如經聚矽氧處理之ρΕτ膜)覆蓋光活 性黎狀物層及在空氣中照射穿過該膜來達成。 在-些實施例中，適用於實施本發明之psA包含聚異丁 烯。聚異丁烯在主鏈或側鏈中可具有聚異丁烯骨架。適用 聚異丁烯可例如藉由在路易酸催化劑- catalyst)(例如氯化_4化硼）存在下使異丁料獨或 與正丁烯、異戊二烯或丁二烯之組合聚合來製備。 157334.doc -51-

S 201218329 適用聚異丁烯材料購自若干個製造商。均聚物例如以商 標「OPPANOL」及「GLISSOPAL」（例如 OPPANOL B15、 B30、B50、B100、B150及 B200及 GLISSOPAL 1000、1300 及 2300)購自 BASF Corp.(Florham Park，NJ);以商標 「SDG」、「JHY」及「EFROLEN」購自 United Chemical Products (UCP)(St. Petersburg, Russia)。聚異丁烯共聚物 可藉由在少量（例如至多30、25、20、15、10或5重量％)另 一單體（例如苯乙烯、異戊二烯、丁烯或丁二烯）存在下使 異丁烯聚合來製備。適合之例示性異丁烯/異戊二烯共聚 物以商標「EXXON BUTYL」（例如 EXXON BUTYL 065、 068 及 268)講自 Exxon Mobil Corp.(Irving, TX.);以商標 「BK-1675N」購自UCP及以商標「LANXESS」（例如 LANXESS BUTYL 301、LANXESS BUTYL 101-3 及 LANXESS BUTYL 402)購自 Sarnia(Ontario, Canada)。適合 之例示性異丁烯/苯乙烯嵌段共聚物以商標「SIBSTAR」 購自Kaneka (Osaka, Japan)。適合之其他例示性聚異丁稀 樹脂例如以商標「VISTANEX」購自Exxon Chemical Co.、 以商標「HYCAR」購自 Goodrich Corp· (Charlotte，NC)及 以商標「JSR BUTYL」購自 Japan Butyl Co.，Ltd. (Kanto, Japan) ° 適用於實施本發明之聚異丁烯可具有各種分子量及各種 黏度。多種不同分子量及黏度之聚異丁烯可購得。 在包含聚異丁烯之PSA的一些實施例中，PSA進一步包 含氫化烴增黏劑（在一些實施例中為聚（環烯））。在一些此 157334.doc -52- 201218329 等實施例中，以PSA组合物之總重量計，約5重量％至9〇重 量％氫化烴增黏劑（在一些實施例 %至95重量％聚異丁烯摻合。適 中為聚（環烯）)與約10重量 用聚異丁烯PSA包括包含 氣化t ( %稀）及聚異丁烯樹脂之點 著劑組合物，諸如國際 專利申請公開案第WO 200胸？281號（Fujita等人）中所揭 示之組合物。 氫化」烴增黏劑組分可包括部分氫化樹脂(例如具有 任何氫化率）70全氫化樹脂或其組合。在一些實施例 中，氫化烴增黏劑為完全氫化，其可降低psA之透濕性且 改良與聚異丁_脂之相容性。氫化烴增㈣通常為氫化 環月s紅樹知、虱化^•族樹脂或其組合。舉例而言，一些增 黏性樹脂為藉由使熱分解石油精所產生之C9餾份共聚合所 獲得之氫化C9型石油樹脂、藉由使熱分解石油精所產生之 C5餾份共聚合所獲得之氫化C5型石油樹脂、或藉由使熱 分解石油精所產生之C5餾份與⑺餾份之組合共聚合所獲 得之氫化C5/C9型石油樹脂。C9餾份可包括例如茚、乙烯 基-曱苯、α-甲基苯乙烯、曱基苯乙烯或其組合。（^餾 份可包括例如戊烷、異戊二烯、哌啶、1，3_戊二烯或其組 合。在一些實施例中，氫化烴增黏劑為氫化聚（環烯）聚合 物。在一些實施例中，氫化聚（環烯）為氫化聚（二環戊二 烯）’其可向PS Α提供優點（例如低透濕性及透明度）。增黏 性樹脂通常為非晶形且重量平均分子量不大於5〇〇〇公克/ 莫耳。 一些適合之氫化烴增黏劑以商標「ARKON」（例如

S 157334.doc -53- 201218329 ARKON P 或 ARKON Μ)購自 Arakawa Chemical Industries Co., Ltd.(Osaka, Japan);以商標「ESCOREZ」購自 Exxon Chemical.；以商標「REGALREZ」（例如 REGALREZ 1085、1094、1126、1139、3102 及 6108)購自 Eastman (Kingsport，TN);以商標「WINGTACK」（例如 WINGTACK 95 及 RWT-7850)樹脂購自 Cray Valley(Exton, PA);以商標 「PICCOTAC」（例如 PICCOTAC 6095-E、8090-E、8095、 8595、9095 及 9105)購自 Eastman ;以商標「CLEARON」 以級別 P、M 及 K 購自 Yasuhara Chemical(Hiroshima, Japan);以商標「FORAL AX」及「FORAL 105」購自 Hercules Inc. (Wilmington，DE);以商標「PENCEL A」、 「ESTERGUM H」、「SUPER ESTER A」 及 「PINECRYSTAL」購自 Arakawa Chemical Industries Co.， Ltd. (Osaka, Japan);以商標「EASTOTAC H」購自 Eastman ;及以商標「IMARV」 講自 Idemitsu Petrochemical Co. (Tokyo，Japan) o 適用於實施本發明之PSA(包括上述PSA之任一實施例） 視情況包含uv吸收劑（UVA)、受阻胺光穩定劑或抗氧化劑 中之至少一者。適用UVA之實例包括以上結合多層膜基板 所述之UVA(例如以商標「TINUVIN 328」、「TINUVIN 326」、「TINUVIN 783」、「TINUVIN 770」、「TINUVIN 479」、「TINUVIN 928」及「TINUVIN 1577」購自 Ciba Specialty Chemicals Corporation 之 UVA)。當使用 UVA 時， 以壓敏黏著劑組合物之總重量計，其用量可為约0.01重量 157334.doc • 54- 201218329 %至3重量％。適用抗氧化劑之實例包括基於受阻酚之化合 物及基於磷酸酯之化合物及以上結合多層膜基板所述之抗 氧化劑（例如以商標「IRGANOX 1010」、「IRGANOX 1076」及「IRGAFOS 126」購自 Ciba Specialty Chemicals Corporation之抗氧化劑及丁基化羥基曱苯（BHT))。當使用 抗氧化劑時，以壓敏黏著劑組合物之總重量計，其用量可 為約0.01重量％至2重量％。適用穩定劑之實例包括基於酚 之穩定劑、基於受阻胺之穩定劑（例如包括以上結合多層 膜基板所述之穩定劑及以商標「CHIMASSORB」（諸如 「CHIMASSORB 2020」）購自BASF之穩定劑）、基於咪唑 之穩定劑、基於二硫胺基曱酸酯之穩定劑、基於磷之穩定 劑及基於硫酯之穩定劑。當使用該等化合物時，以壓敏黏 著劑組合物之總重量計，其用量可為約0.01重量％至3重量 %。 在一些實施例中，本文所揭示之P S A層的厚度為至少 0.005 mm(在一些實施例中，為至少0.01、0.02、0.03、 0_04或0.05 mm)。在一些實施例中，PS A層之厚度為至多 約0.2 mm(在一些實施例中，為至多0.15、0.1或0.075 mm)。舉例而言，PSA層之厚度可在0.005 mm至0.2 mm、 0.005 mm至 0.1 mm或 0.01 mm至 0· 1 mm之範圍内。 一旦PSA層已塗覆於第二聚合物膜基板上，則所曝露之 主要表面可暫時由離型襯墊保護，隨後塗覆於本文所揭示 之阻隔膜上。適用離型襯墊之實例包括塗有例如聚矽氧之 牛皮紙；聚丙烯膜；氟聚合物膜，諸如以商標

S 157334.doc •55- 201218329 TEFLON I贐白p τ」 竹曰 n. du Pont de Nemours and Co.之膜； 及塗有例如聚發氧或碳氟化合物之聚醋及其他聚合物膜。 在不希望受理論束缚之情況下，咸信本發明之阻隔組合 中的PS A層用以保護阻隔組合免受可由高CTE第二聚合物 膜基板（例如氟聚合物）引起之熱應力。此外，甚至在第一 聚口物膜基板與第二聚合物膜基板之間的失配相對低 (例如小於40 ppm/K)之實施例中，pSA層充當使第二聚合 物膜基板連接於沈積於第—聚合物膜基板（例如—為至多 50 ppm/K)上之阻隔膜的適宜構件。當psA層含有uvA、 HALS或抗氧化針之至少—者時，其可進—步向阻隔膜 知:供保護以防被UV光降解。 其他視情況存在之特點 本發明之組合可視情況含有乾燥劑。在一些實施例中， 本發明之組合基本上不含乾㈣。「基本上不含乾燥劑」 意謂乾燥劑可存在’但其量不足以有效地乾燥光伏打模 組。基本上不含乾燥劑之組合包括組合中未併入乾燥劑之 組合。 各種功能層纟塗層可視情況添加至本文所揭示之組合中 以改變或改良其物理或化學性質。例示性適用層或塗：包 括可見光及紅外光透射導電層或電極（例如由氧化鋼錫形 成）；抗靜電塗層或膜；阻燃劑；耐磨或硬塗層材料，·光 學塗層；防霧材料，·抗反射塗層；抗塗污塗層；偏光塗 層；防污材料；稜鏡膜；其他黏著劑(例如麼敏黏著劑或 熱熔性黏著劑），·促進黏著於相鄰層之底塗劑，·其他州呆 157334.doc •56· 201218329 阻隔組合以黏著性親形式使用時使用之低黏著 合物膜基板之表面上。併入阻隔膜中或可塗覆於聚 可併入本文所揭示之組合中 甲的其他視情況存在之特點包 括圖形及間隔結構。舉例而言， σ 本文所揭示之組合可經處 理而具有墨水或其他印刷標 ^ 丨刷铩°己，诸如用於顯示產品識別、 定向或比對資訊、廣告或品牌資 叶貝Α 裝飾或其他貧訊。該 等墨水或印刷標記可使用此項技射已知之技術提供（例 如網版印刷、噴墨印刷、熱轉移印刷、活版印刷、平版印 刷、彈性凸版印刷、點刻印刷及雷射印刷）。間隔結構可 例如包括於黏著劑中以維持特定膠合線厚度。 本發明之組合宜使用各種技術組裝。舉例而言，壓敏黏 著劑層可為位於離型襯墊上或兩個離型襯墊之間的轉移 PSA。在移除離型襯墊後，可使用轉移黏著劑使第二聚合 物膜基板與沈積於第一聚合物膜基板上之阻隔膜層合。在 另一實例中，PSA可塗佈於第二聚合物膜基板及/或沈積於 第一聚合物膜基板上之阻隔膜上，隨後使第一與第二聚合 物膜基板層合在一起。在另一實例中，無溶劑黏著劑調配 物例如可塗佈於第二聚合物膜基板與沈積於第一聚合物膜 基板上之阻隔膜之間。隨後，調配物可藉由如上文所述之 加熱或輻射來固化以提供本發明之組合。 本發明之組合適用於例如封裝太陽能裝置。在一些實施 例中，組合安置於光伏打電池上、其上方或其周圍。因 此’本發明提供一種包含將本文所揭示之組合塗覆於光伏

S 157334.doc •57- 201218329 打電池之前表面上的方法。適合之太陽能電池包括已用各 具有使太陽能轉化為電力之獨特吸收光譜的各種材料開發 之太陽能電池。各類型之半導體材料將具有特徵性帶隙 能，使其在特定波長之光下最有效地吸收光，或更確切而 言，吸收跨越太陽光譜之一部分的電磁輻射。用於製備太 陽能電池及其太陽光吸收帶邊緣波長之材料的實例包括： 結晶矽單接面（約400 nm至約1150 nm)、非晶形矽單接面 (約300 nm至約720 nm)、帶狀矽（約350 nm至約1150 nm)、 CIS(硒化銅銦）（約400 nm至約1300 nm)、CIGS(二硒化銅銦 鎵）（約 350 nm 至約 1100 nm)、CdTe(約 400 nm 至約 895 nm)、GaA多接面（約350 nm至約1750 nm)。此等半導體材 料吸收帶邊緣左側之較短波長通常介於300 nm與400 nm之 間。熟習此項技術者暸解，正在開發用於自身具有獨特較 長波長吸收帶邊緣之更有效太陽能電池的新材料。在一些 實施例中，本文所揭示之組合安置於CIGS電池上、其上方 或其周圍。在本發明之阻隔組合的一些實施例中，施用組 合之太陽能裝置（例如光伏打電池）包含可撓性膜基板。 阻隔組合亦可適用於例如顯示器，諸如電泳、電鉻及 OLED顯示器。 本發明之實施例及優點進一步由以下非限制性實例來說 明，但此等實例中所述之特定材料及其量以及其他條件及 詳情不應解釋為過度地限制本發明。 實例 材料 157334.doc -58 - 201218329 90% Si/10% A1 乾材係獲自 Academy Precision Materials Inc. (Albuquerque，NM) o 99.999% Si|a材係獲自 Academy Precision Materials Inc. (Albuquerque，NM)。 8172P :「3M光學透明黏著劑8172P」，購自3M Company (St· Paul，MN)。 ETFE :表面經處理（C處理）之乙烯-四氟乙烯膜，以商品 名稱「NORTON® ETFE」購自 St. Gobain Performance Plastics(Wayne，NJ) 0 ADCO PVA :封裝材料，以商品名稱「HELIOBOND PVA 100 EVA」購自 ADCO Products, Inc. (Michigan Center，MI)。

Etimex 496.10 :封裝材料，以商品名稱「VISTASOLAR® 496.10」購自 Etimex(Dietenheim，Germany)。 「JURASOL TL」：封裝材料，購自 jura-plast GmbH (Reichenschwand Germany) 〇

Madico TAPE :背板膜，以商標「TAPE」購自Madico (Woburn, ΜΑ) ° N-正丁基-氮雜-2,2-二曱氧基矽雜環戊烷係獲自Gelest， Inc. (Morrisville，PA)。 PSA-A:根據PCT公開案 WO 2007087281(Fujita等人）之 實例4製備的壓敏黏著劑（PS A)，除了橡膠/增黏劑比率為 75/25而非60/40及橡膠使用2份B80比1份B50。 PVDF膜：聚偏二氟乙烯膜，以商標（ROWLAR Film

S 157334.doc -59- 201218329 FEO-MG-OOO C)獲自 Rowland Technologies(Wallingford CT)。實例使用0.05 mm(0.002吋）厚的膜。 「SR-833S」：三環癸烷二曱醇二丙烯酸酯，得自 Sartomer USA, LLC(Exton，PA)。 「SCOTCHCAL 3640 GPS」：耐候性覆膜型黏著膜，購 自 3M Company(St. Paul, MN)。 不鏽鋼厚薄規：一卷不鏽鋼量規，以商標「Starrett 666-1厚薄規」購得。實例使用25微米（0.001吋）厚的量 規。 鑛錫銅箔：購自Ulbrich(North Haven CT)。實例使用 0.035mm厚 χ 12 mm寬 X 128 mm長的條帶。 UV-PET : UV聚對苯二甲酸乙二酯膜，以名稱「XST-6578」購自 DuPont Teijin Films(Hopewell VA)。 T型剝離測試方法 將具有阻隔塗層之膜切成20 cm(8吋）x30.5 cm(12吋）之 矩形部分。接著將此等部分置於含有底部背板（Madico TAPE)、相鄰於該背板之封裝材料層及位於封裝材料層上 之阻隔膜的層合構造中，其中阻隔塗層朝向封裝材料。在 150°C及1〇5 Pa(l個大氣壓）壓力下使構造層合12分鐘。沿 20 cm長的邊緣將兩片約25 mm寬x20 cm長之塑膠材料置 於阻隔膜與黏著劑層之間以形成未黏合邊緣。接著將所得 層合物切成25 mm寬xl52 mm長之條帶，以使一端含有25 mm未黏合末端，將該等未黏合末端置於測試機器之夾持 型夾具中。根據ASTM D1876-08「黏著劑抗剝離性之標準 157334.doc -60- 201218329 測試方法（Standard Test Method for Peel Resistance of Adhesives)(T型剝離測試）」將膜之兩個未黏合末端置於張 力測試機中。使用12.7 mm之灸距且使用254 mm/min( 10叶/ 分鐘）之剝離速度。除非另外規定，否則根據ASTM D1876-08完成T型剝離測試。量測三個樣品之平均剝離力 且求平均值以產生結果。 捲曲度測試方法 如 2006 年 AWEB 會議論文集（Association of Industrial Metallizers, Coaters and Laminators, Applied Web Handling Conference Proceedings, 2006)中提供之 Ronald P. Swanson 的「Measurement of Web Curl」中所述進行捲曲度量測。 將一對約3 cm長的插腳插入垂直安置之I呂板中來構建捲曲 度測量儀。該等插腳水平安置且間隔約56 mm。使用已知 直徑之圓柱體校準捲曲度測量儀。圓柱體之曲率為圓柱體 半徑之倒數。將各圓柱體置於插腳上以使得圓柱體由插腳 支撐。在鋁板上描繪各圓柱體之外徑以提供已知恆定曲率 之線。如下測試約10 cm長及1.3 cm寬之樣品：將該等樣 品帶置於插腳上及藉由觀察樣品末端如何與鋁板上所繪之 恆定曲率線對準來測定曲率。捲曲度依據樣品帶之曲率測 定。捲曲度測量儀能夠精確地量測捲曲度達0.25 πΓ1之解 析度。 將另一對水平安置之約3 cm長的插腳以約84 mm之間距 插入鋁板中。以與使用第一對插腳量測10 cm長之樣品的 曲率相同之方式，使用此等插腳量測15 cm長之樣品的曲

S 157334.doc -61 - 201218329 率。 製備實例1-ETFE(0.13 mm)/阻隔層 用氮氣電漿處理乙烯-四氟乙烯（ETFE)載體膜，接著分 別用丙烯酸酯、氧化矽鋁（SiAlOx)、次氧化矽（SiOx)、第 二丙烯酸酯及第二SiAlOx層之阻隔層覆蓋。在類似於美國 專利第5,440,446號（81^评等人）及第7,018,713號（？&以7&^1， 等人）中所述之塗佈機的真空塗佈機上製備阻隔組合之實 例。個別層形成如下： (層1-光滑聚合物層）將一卷300公尺長的表面經處理（經C 處理）之0.127 mm厚χ3 56 mm寬ETFE膜以C處理面朝「上」 及未經C處理面與塗佈滾筒接觸之形式裝入卷軸式真空加 工室中。抽吸真空室將室壓降至2χ10_5托。腹板速度設定 為3.7公尺/分鐘，同時維持膜之背面與冷卻至-10°C之塗佈 滚筒接觸。在ETFE膜之背面與滾筒接觸的情況下，用藉 由在0.05 kW功率存在下在磁增強陰極上流過100標準立方 公分/分鐘（seem)氮氣所形成之氮氣電漿（以商標「ENI DCG-100」獲自 ENI Products(Rochester, NY))處理正面膜 表面。在氮氣電漿處理後立即用三環癸烷二曱醇二丙烯酸 酯「SR-833S」塗佈膜。在塗佈之前，使該二丙烯酸酯脫 氣至20毫托（2.7 Pa)之壓力，且經由以60 kHz頻率操作之 超音波霧化器（Sono-Tek Corporation, Milton, NY)以 1.0 mL/min之流速抽吸入維持於260°C之加熱汽化室中。所得 單體蒸汽流冷凝於膜表面上且使用以9.0 kV及3.0 mA操作 之複絲電子搶進行電子束曝露後聚合形成725 nm丙烯酸酯 157334.doc -62- 201218329 層。 (層2-無機層）在丙烯酸酯沈積後且在膜仍與滾筒》接觸之 情況下，立即將SiAlOx層濺鍍沈積於60公尺長的經電漿處 理且塗有丙烯酸酯之ETFE膜表面上。使用兩個交流電 - (AC)電源供應器（以商標 「PE-II」獲自Advanced

Energy(Fort Collins，CO))控制兩對陰極，其中每一陰極容 納兩種靶材◎各陰極對含有兩種90% Si/10% A1靶材。在 濺鍍沈積期間，使用來自各電源供應器之電壓信號作為比 例-積分-微分控制迴路（proportional-integral-differential control loop)之輸入以維持禁止之氧氣流至各陰極對。AC 電源供應器各使用3500瓦功率及含有950 seem氬氣與70 seem氧氣之總氣體混合物，在3.4毫托（0.45 Pa)之錢鍍壓力 下濺鍍90% Si/10% A1靶材。由此得到沈積於丙烯酸酯塗 層上之30 nm厚的SiAlOx層。 (層3-無機層）在SiAlOx沈積後且在膜仍與滚筒接觸之情 況下，立即使用99.999% Si靶材將次氧化矽（SiOx，其中 x<2)黏結層濺鍍沈積於同一 60公尺長的塗有SiAlOx及丙烯 酸酯之ETFE膜表面上。使用1000瓦脈衝DC功率（獲自 Advanced Energy)，在90 kHz頻率、4.4微秒反向時間及設 • 定為10% DC電壓之反向電壓下，使用含有10 seem氧氣之 氣體混合物，在2毫托（0.27 Pa)之濺鍍壓力下濺鍍SiOx， 以在SiAlOx層上提供5 nm厚的SiOx層。 (層4-保護性聚合物層）在SiOx層沈積後且在膜仍與滾筒 接觸之情況下，立即使用與第一丙烯酸酯層相同之條件，

S 157334.doc -63- 201218329 在同一 60公尺長的腹板上塗佈及交聯第二丙烯酸酯，但除 了以下：使用以9 kV及0.41 mA操作之複絲固化搶進行電 子束交聯。由此得到72 5 nm丙烯酸酯層。 (層5-無機層）在腹板以3.7公尺/分鐘單獨通過卷轴式真空 加工室時，使用與上述相同之條件將第二SiAlOx濺鍍沈積 於同一 60公尺長的腹板上。由此得到沈積於第二丙烯酸酯 層上之30 nm厚的SiAlOx層。 所得堆疊展現以〇°入射角量測之平均光譜透射率 Tvis = 91.1%(藉由對400 nm與1400 nm之間的透射率百分數 求平均值所測定）。根據ASTM F-1249，在50°C及100%相 對濕度（RH)下，使用以商標「MOCON PERMATRAN-W」 型號700獲自 MOCON，Inc. (Minneapolis，MN)之水蒸氣穿 透率（WVTR)測試器量測水蒸氣穿透率。結果為每天0.007 g/m2。接著將層合物置於85°C及85% RH之環境室中持續 1 000小時之時段。老化後之平均透射率經測定為91.0%且 \¥乂10\經測定為每天0.018邑/1112。結果概括於表1中。 製備實例2-PET(0.13 mm)/阻隔層 首先在進入的腹板之黏著底漆表面上用氮氣電漿單程處 理UV穩定化聚對苯二甲酸乙二酯（上述UV-PET)載體膜。 接著在沈積室中使UV-PET膜重新定向以在後續通過中沈 積於進入的腹板之未上底漆表面上。用氮氣電漿處理UV-PET之未上底漆表面，接著分別用丙烯酸酯、SiAlOx、 SiOx、第二丙烯酸酯及第二SiAlOx層之阻隔層覆蓋。個別 電漿及層形成如下： 157334.doc -64· 201218329 (電漿WUV-PET之上底漆表面i進行電聚處理）將一捲 450 m長的0.127 mm厚x356 „1111寬1^_1>]^膜裝入卷軸式真 空加工室中，纟中黏著底漆（對於基於溶劑之材料）之表面 朝「上」及未上底漆面與塗佈滾筒接觸。抽吸真空室將室 壓降至2X10-5托。腹板速度維持於3 7公尺/分鐘，同時維 持膜之背面與冷卻至_1(TC之塗佈滾筒接觸。在1；^1^丁膜 之背面與滾筒接觸之情況下，以類似於製備實例丨中之層） 的方式，用藉由在0.02 kW功率#在下在磁增強陰極上流 過1〇〇 seem氮氣所形成之氮氣電漿處理35〇 m長的正面（黏 著底漆）膜表面。 (層1-光滑聚合物層）接著將真空加工室氣體排至大氣中 且使350 m長的經電漿處理之uv_pET膜重新定向以使得 UV-PET之未上底漆面朝「上」且uv_pET之黏著底漆且經 電漿處理的面與塗佈滾筒接觸。再次抽吸真空室將室壓降 至2xl〇-5托。腹板速度維持於3.7公尺/分鐘，同時維持膜 之背面與冷卻至-lot：之塗佈滚筒接觸。膜之背 面與滚筒接觸之情況下，以類似於製備實例丨中之層丨的方 式，用氮氣電漿處理350 m長的未上底漆膜表面且用三環 癸烷二甲醇二丙烯酸酯塗佈。 (層2-無機層）在丙烯酸酯沈積後且在膜仍與滾筒接觸之 情況下’以類似於前一實例中之層2的方式，立即將 SiAlOx層賤鍍沈積於1〇〇公尺長的經電漿處理且塗有丙烯 酸酯之UV-PET膜表面上，但除了以下；總氣體混合物含 有950 seem氬氣及65 seem氧氣，濺鍍壓力為3.5毫托（047

S 157334.doc -65- 201218329

Pa)。由此得到沈積於丙烯酸酯塗層上之30 nm厚的SiAlOx 層β (層3-無機層）在SiAlOx沈積後且在膜仍與滚筒接觸之情 況下’以類似於製備實例1中之層3的方式，立即將次氧化 矽（Si〇x，其中x<2)黏結層濺鍍沈積於同一 100公尺長的塗 有SiAlOx及丙烯酸酯之UV-PET膜表面上。 (層4-保護性聚合物層）在SiOx層沈積後且在膜仍與滾筒 接觸之情況下，以類似於製備實例1中之層4的方式’立即 在同一100公尺長的腹板上塗佈及交聯第二丙烯酸酯。 (層5-無機層）在腹板以3.7公尺/分鐘單獨通過卷轴式真空 加工室時，使用與上述相同之條件將第二SiAlOx濺鍍沈積 於同一100公尺長的腹板上。由此得到沈積於第二丙烯酸 酉旨層上之30 nm厚的SiAlOx層。 所得堆疊展現以0。入射角量測之平均光譜透射率 Tvis=9〇.〇%(藉由對400 nm與1400 nm之間的透射率T百分 數求平均值所測定）。根據ASTM F-1249，在50°C及1〇〇。/〇 相對濕度（RH)下，使用以商標「MOCON PERMATRAN-W」型號 700獲自 MOCON，Inc. (Minneapolis, MN)之 WVTR 測試器量測水蒸氣穿透率。結果低於系統之每天0.005 g/m2偵測極限。接著將層合物置於85°C及85% RH之環境 室中持續1000小時之時段。老化後之平均透射率經測定為 89.6%且\\^1^經測定為每天0.013§/1112。結果概括於表1 中〇 製備實例3-PET(0.13 mm)/含矽烷之阻隔層 157334.doc -66 - 201218329 首先在進入的腹板之黏著底漆表面或背面上用氮氣電漿 單程處理uv穩定化聚對苯二曱酸乙二酯（上述uv_pET)載 體膜。接著在沈積室中使UV-PET膜重新定向以在後續通 過中沈積於進入的腹板之未上底漆表面或正面上。用氮氣 電漿處理UV-PET之正面，接著分別用丙烯酸酯、 SiAlOx、含有矽烷偶合劑之第二丙烯酸酯及第二SiA1〇x層 之阻隔層覆蓋。個別電漿及層形成如下： (電漿1-在UV-PET之上底漆表面上進行電漿處理）如製備 實例2之電漿1描述中所述，將一捲45〇 m長的〇127 厚 x356 mm寬UV-PET膜裝入卷轴式真空加工室中且進行氮氣 電漿處理。 (層1-光滑聚合物層）接著將真空加工室氣體排至大氣中 且使350 m長的經電漿處理UV-PET膜重新定向以使得^^乂一 PET之未上底漆面朝「上」且UV_PET之黏著底漆且經電漿 處理的面與塗佈滾筒接觸。再次抽吸真空室將室壓降至 2xl〇·5托。腹板速度維持於3.7公尺/分鐘，同時維持膜之 为面與冷卻至-10°C之塗佈滚筒接觸。在UV-PET膜之背面 與滚筒接觸之情況下，以類似於製備實例1中之層1的方 式’用氮氣電漿處理350 m長的未上底漆膜表面且用三環 癸烷二曱醇二丙烯酸酯塗佈。 (層2 -無機層）在丙婦酸酯沈積後且在模仍與滾筒接觸之 情況下’以類似於製備實例丨中之層2的方式，立即將 SiAlOx層濺鍍沈積於1〇〇公尺長的經電漿處理且塗有丙稀 酸酯之UV-PET膜表面上。

157334.doc -67- S 201218329 (層3-保護性聚合物層）在SiAlOx層沈積後且在膜仍與滾 筒接觸之情況下’以類似於製儀實例1中之層4的方式，立 即在同一 100公尺長的腹板上塗佈及交聯第二丙稀酸酯， 但除了以下；將偶合劑N-正丁基氮雜-2,2-二甲氧基矽雜環 戊烷（以「CYCLIC AZA SILANE 1932.4」賭自 Gelest (Morrisville, PA))以3質量％添加至經脫氣之SR-833S中， 隨後經霧化器泵送。所得單體混合物形成蒸汽流，其冷凝 於膜表面上且在以9.0 kV及0.45 mA操作之複絲電子搶進 行電子束曝露後聚合形成725 nm丙婦酸酯層。 (層4-無機層）在腹板以3.7公尺/分鐘單獨通過卷軸式真空 加工室時’使用與製備實例1中之層5相同的條件，將第二 SiAlOx濺鍍沈積於同一 1〇〇公尺長的腹板上。由此得到沈 積於第二丙烯酸酯層上之30 nm厚的SiAlOx層。 所得堆疊展現以0°入射角量測之平均光譜透射率 Tvis = 91.1%(藉由對400 nm與1400 nm之間的透射率T百分 數求平均值所測定）。根據ASTM F-1249，在50°C及100% 相對濕度（RH)下，使用以商標「MOCON PERMATRAN-W」型號 700獲自 MOCON，Inc. (Minneapolis，MN)之 WVTR 測試器量測水蒸氣穿透率》結果低於系統之每天0.005 g/m2偵測極限。接著將層合物置於85°C及85% RH之環境 室中持續1000小時之時段。老化後之平均透射率經測定為 89.7%且WVRT經測定為每天0.186 g/m2。結果概括於表1 中〇 實例 1-ETFE(0.13 mm)/「8172P」/ 阻隔層/PET(0.13 mm) 157334.doc -68- 201218329 在類似於GBC Pro-Tech Orca II(購自 GBC Pro-Tech(De Forest，WI))之卷轴式、橡膠與鋼輥式層合機上製備層合阻 隔組合之實例。層合結構形成如下。 將來自製備實例2之阻隔膜以經塗佈之堆疊面朝「上」 及未經塗佈之堆疊面朝空轉面的形式裝入卷轴式層合機 中。將一捲300公尺雙面離型襯墊5〇微米丙烯酸系壓敏黏 著劑（「3M OPTICALLY CLEAR ADHESIVE 8172P」）裝入 同一層合機中，其中將「上」側襯墊剝離且重繞於辅助重 繞機上。經由橡膠與鋼軋親系統使兩個膜接觸。使用彈簧 閘控制各膜之張力以使得所得層合物為平坦的。控制層合 壓力之氣缸致動器設定為26χ1〇5 ρ&(38 psi)。在兩個膜之 正個層&過程中腹板速度維持於4.6 m/min( 15叹/分鐘）。橡 膠輥與鋼輥皆保持在室溫下。將由製備實例2之膜、黏著 劑及離型襯墊組成之所得層合構造與丙烯酸系壓敏黏著劑 一起重繞於卷輥之「外側」。 移出輸出的層合構造輥且以離型襯墊朝「上」及製備實 例2之膜的未塗佈面朝空轉輪之形式裝入層合機中。剝離 殘餘離型襯墊以暴露黏著劑且重繞於辅助重繞機上。將一 捲300么尺長的125微米雙面經C處理之ETFE裝入同一層合 機中’左由橡膠與鋼軋辕系統使兩個膜接觸。使用彈簧閘 控制各膜之張力以使得所得層合物為平坦的。控制層合壓 力之氣缸致動器設定為2.6xl〇5 pa(38 psi)。在兩個膜之整 個層合過程中，腹板速度維持於4.6m/min(l5呎/分鐘）。橡 皮親與鋼糙皆保持在室溫下。所得層合構造由製備實例

S 157334.doc •69- 201218329 2、8172P黏著劑及雙面經c處理之ETFE組成。 所得堆疊展現以〇°入射角量測之平均光譜透射率 Tvis=90.0%(藉由對400 nm與1400 nm之間的透射率T百分 數求平均值所測定）。根據ASTM F-1249 ’在50°C及100% 相對濕度（RH)下’使用以商標「MOCON PERMATRAN-W」型號 700獲自 MOCON，Inc. (Minneapolis, MN)之 WVTR 測試器量測水蒸氣穿透率。結果低於系統之每天0.005 g/m2偵測極限。接著將層合物置於85°C及85% RH之環境 室中持續1000小時之時段。老化後之平均透射率經測定為 89.6%且WVRT經測定為每天0.007 g/m2。結果概括於表1 中。 實例2 ETFE(0.13 mm)/「8172P」/含矽烷之阻隔層/PET (0.13 mm) 如實例1製備層合阻隔組合，除了使用製備實例3之阻隔 膜替代製備實例2之阻隔膜。所得層合構造由製備實例3、 8172P黏著劑及雙面經C處理之ETFE組成。 所得堆疊展現以0°入射角量測之平均光譜透射率 Tvis = 90.0%(藉由對400 nm與1400 nm之間的透射率T百分 數求平均值所測定）。根據ASTM F-1249，在5(TC及100% 相對濕度（RH)下，使用以商標「MOCON PERMATRAN-W」型號 700獲自 MOCON，Inc· (Minneapolis，MN)之 WVTR 測試器量測水蒸氣穿透率。結果低於系統之每天0.005 g/m2偵測極限。接著將層合物置於85°c及85% RH之環境 室中持續1000小時之時段。老化後之平均透射率經測定為 157334.doc -70- 201218329 89.6%且WVRT低於系統之每天0.005 g/m2偵測極限。結果 概括於表1中。 表1.

%T 1000小時 85/85 %Τ 初始WVTR(公克/ 平方公尺/天） 1000 小時 85/85 WVTR (公克/平方公尺/天） 製備實例1 91.1 91.0 0.007 0.018 製備實例2 90.0 89.6 BDL 0.013 製備實例3 90.1 89.7 BDL 0.186 實例1 90.0 89.6 BDL 0.007 實例2 90.0 89.6 BDL BDL BDL=低於偵測極限 比例實例1 :不鏽鋼（25微米）/封裝材料「ADCO PVA」 (0.46 mm)/ETFE(0.13 mm)層合物。 包含以下三個層之1.3 cm(0.5忖）><10 cm(4叫·）層合物按以 下順序堆疊： (層 1)將 1.3 cm(0.5 吋）xl〇 Cm(4吋）、25微米（0.001 吋）厚 的不鏽鋼條帶（以商品名稱「Starrett 666-1」厚薄規購得） 置於 30.5 cm(12 叫*)x46 cm(18 对）x〇_51 cm(0.2 叫·）玻璃板 上。 (層 2)將一層 1.3 cm(0_5叶）xl0 cmO*1寸）、0.46 mm(0.018 吋）厚的封裝材料「ADCO PVA」直接置於層1上。 (層 3)將 1.3 cm(0.5叫')><10 cm(4叶）、0.13 mm(0.005对）厚 的乙烯-四氟乙烯（ETFE)直接置於層2上。 接著將 30.5 cm(12 吋）x46 cm(18 吋）x〇.51 cm(0.2 吋）玻璃 板置於上述三層堆疊上。該玻璃板重1.5 kg(3.4 lbs)。接著 將玻璃板之間的三層堆疊置於150°C烘箱中10分鐘。在烘

C 157334.doc -71 - 201218329 箱中，封裝材料「ADCO PVA」熔化且在冷卻後凝固並黏 合ETFE層及不鏽鋼層。持續10分鐘後，將試樣自烘箱取 出且冷卻至室溫。接著用一把剪刀修剪流過ETFE及不鏽 鋼層邊緣之過量封裝材料「ADCO PVA」。接著如「捲曲 度測試方法」中所述，量測經修剪樣品之捲曲度作為高溫 層合過程後殘餘之殘餘應力量的指示。對於比例實例1層 合物，應注意試樣之曲率為9 πΓ1。捲曲度結果展示於表2 中〇 實例 3-含阻隔層之 PET(0.13 mm)/PSA(51 微米）/ETFE (0.13 mm)層合物。 使用51微米（0.002吋）厚的PSA-A層將如製備實例3中所 述之含阻隔層之1.3 cm(0.5忖）xl0 cm(4对）、0_13 mm(0.005吋）厚的UV穩定化聚對苯二曱酸乙二酯（UV-PET) 手動層合於 1.3 cm(0.5 叶）xl0 cm(4叶）、0.13 mm(0.005吁） 厚的乙烯-四氟乙烯（ETFE)層上。此層合藉由首先將PET層 以塗有阻隔層之面朝上之形式置於工作台上來進行。接著 自PSA之一面移除一個襯墊且將PSA以剛暴露之PSA面與 塗有阻隔層之PET面接觸的形式置於PET層上。自PSA剝離 殘留於PSA上之第二襯墊且將一片0.13 mm(0.005吋）厚的 ETFE膜置於PSA之第二面上。將橡膠手推輥在 PET/PSA/ETFE層合物上來回滚動以促進堆疊之黏著。 為了測試PET/PSA/ETFE層合物，藉由使用1.3 cm(0_5 吋）寬的平行刀片割刀製備1.3 cm(0.5吋）xl0 cm(4吋）層合 物條帶。將1.3 cm(0.5吋）xl0 cm(4吋）、25微米（0.001吋）厚 157334.doc -72- 201218329 的不鏽鋼厚薄規條帶置於3〇 5 cm(12<)x46 cm(184)x〇 51 cm(0.2 叶）玻璃板上。將一層 ι·3 em(0.5 叶）x10 cm(4 叫·）、 0.46 mm(0.018吋）厚的封裝材料「adCO PVA」直接置於 不鏽鋼條帶上。接著將丨3 cm(〇 ;^f)xl〇 cm(4吋）層合物以 層合物之PET面與封裝材料「ADC〇 pVA」層接觸之形式 置於封裝材料「ADCO PVA」層上。最後將30.5 em(i2 吋）χ46 cm(18吋）χ〇.51 cm(〇.2吋）玻璃板置於上述五層層合 物上。頂部玻璃板重15 kg(3 4 lbs)。接著將玻璃板之間的 五層層合物於150C洪箱中置放1〇分鐘。在洪箱中，封裝 材料「ADCO PVA」熔化且在冷卻時凝固，從而黏合頂部 二層層合物及不鏽鋼層。持續1〇分鐘後，將試樣自烘箱取 出且冷卻至室溫。接著用一把剪刀修剪流過頂部三層層合 物邊緣之過量封裝材料「ADCO PVA」。接著如「捲曲度 測試方法」中所述’量測經修剪樣品之捲曲度作為由高溫 層合過程引起之殘餘應力量的指示。記錄試樣之曲率為3 m_1。捲曲度結果展示於表2中。 實例4-含阻隔層之PET(0.13 mm)/PSA(51微米）/ETFE(51微 米）層合物 如實例3製備層合物’但使用51微米厚的ETFE層。如實 例3製備連接於不鏽鋼背板之層合物條帶且如「捲曲度測 試方法」中所述，量測捲曲度作為由高溫層合過程引起之 殘餘應力量的指示。記錄試樣之曲率為2.5 m-i。捲曲度於 果展示於表2中。 實例S-含阻隔層之PET(51微米）/pSA(51微米）/Etfe(〇.i3 157334.doc -73· 201218329 mm)廣合物 如實例3製備層合物，但使用如製備實例3中所述之51微 米PET阻隔層。如實例1製備連接於不鏽鋼背板之層合物條 帶且如「捲曲度測試方法」中所述，量測捲曲度作為由高 溫層合過程引起之殘餘應力量的指示。記錄試樣之曲率為 6.5 ηΓ1。捲曲度結果展示於表2中。 表2. 不鑛鋼 (微米） ADCO PVA (微米） PET (微米） PSA (微米） 阻隔 ETFE (微米） 捲曲度 (m-1) 比例實例1 25 460 無 無 否 130 9.0 實例3 25 460 130 51 是 130 3.0 實例4 25 460 130 51 是 51 2.5 實例5 25 460 51 51 是 130 6.5 實例6-ETFE(51微米）/「8172Ρ」/含矽烷之阻隔層/PET (0.13 mm) 如實例2製備層合阻隔組合，除了 ETFE層為51微米厚。 所得堆疊展現以〇°入射角量測之平均光譜透射率 Tvis=90.8%(藉由對400 nm與1400 nm之間的透射率T百分 數求平均值所測定）。透射率數據展示於表3中。 實例7-「SCOTCHCAL 3640 GPS」/含石夕烧之阻隔層/PET (0.13 mm) 在室溫周圍條件下如下組裝152 mmx 152 mm層合物：藉 由首先移除保護性紙質離型襯墊，接著使黏著劑接觸製備 實例3之阻隔面，使用手壓及氈製塗刷器層合一片152 mmx 152 mm膜「SCOTCHCAL 3 640 GPS」。使用手壓及氈 製塗刷器層合該等層。所得堆疊展現以〇°入射角量測之平 157334.doc -74- 201218329 均光譜透射率Tvis=89.1%(藉由對400 11111與14〇〇 nm之間的 透射率τ百分數求平均值所測定）。透射率數據展示於表3 中。 實例8-PVDF(0.〇5 mm)/「8172P」/含石夕烧之阻隔層/pET ' (0.13 mm) - 在室溫周圍條件下如下組裝152 mmxl52 mm層合物：藉 由首先移除一個透明保護性離型襯墊，接著使黏著劑接觸 製備實例3之阻隔面，使用手壓及氈製塗刷器層合一片含 有兩個保5蔓性離型襯墊之152 mmX丨52 「8l72p」黏著 劑。使用手動壓力及氈製塗刷器層合該等層。接著自 8172P」黏著劑移除第二透明保護性離型襯墊以使得現 在PVDF膜與「8172p」黏著劑接觸且使用手壓及氈製塗刷 器層合於組合上。所得堆疊展現以〇。入射角量測之平均光 谱透射率Tvis=9l.6〇/〇(藉由對4〇〇 11111與14〇〇 nm之間的透射 率T百分數求平均值所測定）。透射率數據展示於表3中。 實例 9-PVDF(0.05 mm)/PSA-A/含矽烷之阻隔層 /PET(0.13 mm) 如實例8製備層合阻隔組合，除了用PSA-A黏著劑替代 8172P」黏者劑。所得堆疊展現以〇。入射角量測之平均 光透射率Tvis=91.〇%(藉由對4〇〇 nm與1400 nm之間的透 射率T百分數求平均值所測定）。透射率數據展示於表3 中。

S 157334.doc •75- 201218329 表3· 實例 %T 6 908 7 89.1 8 91.6 — 9 91.0 實例10-各種層合物之τ型剝離測試 構建各種層合物樣品用於Τ型剝離測試。樣品a製備如 下.製備178 mm寬xl78 mm長層合物（具有用於夾持於測 試機之夾具中的25 mm未黏合末端）用於τ剝離測試，其包 含按以下順序堆疊之以下各層： (層1)以100微米乙烯乙酸乙烯酯（EVA)層朝上之形式定 向 178 mmxl78 mm太陽能背板膜（Madico TAPE)。 (層2)在移除離型襯墊後將178 111111寬><152 長的Etimex 4 9 6 · 1 〇樣品置於層1上〇 (層3)以阻隔表面面向Etimex 496 1〇層之形式置放製備 實例1之178 mmxl78 mm阻隔膜樣品以使得其直接在層1上 對準並完全覆蓋層2。接著將此等層置於Spire 35〇真空層 合機（購自 Spire Corp〇ration(Bedford，MA))中。接著在 150C下在1個大氣壓（lxl05 Pa)之壓力下使層合物固化12 分鐘。接著將所得層合物切成25 mm寬XI52 mm長的條帶 以使得一端含有25 mm未黏合膜，其係置於測試機之失持 型失具中。將膜之兩個未黏合末端置於張力測試機中，接 著如「T型剝離測試方法」中所述完成τ型剝離測試。平均 峰值剝離力經測定為3.2 N/cm(1.8 lbf/in)。 如對於樣品A所述構建樣品b，除了使用製備實例2之阻 157334.doc -76· 201218329 隔層替代製備實例1之阻隔層。接芏l「 释者如「T型剝離測試方 法」中所述完成Τ型剝離測試。卓仏丨欠^ * J ^ 千均峰值剝離力經測定為 5.3 N/cm(3.0 lbf/in)。 C ’除了使用製備實例3之阻 。接著如「T型剝離測試方 如對於樣品A所述構建樣品 隔層替代製備實例1之阻隔層 法」中所述完成T型剝離測試。平均♦值剝離力經測定為 21.2 N/cm(12_l lbf/in)。結果概括於表4 申。 如對於樣品A所述構建樣品D，除了使用實例】之阻隔層 替代製備實m之阻隔層。接著如「τ型㈣賴方法」中 所述完成τ㈣離測試。平均峰值剝離力經測定為75 3 N/cm(43.0 lbf/in)。 如對於樣品A所述構建樣品E，除了使用實例2之阻隔層 替代製備實例1之阻隔層。接著如「T型剝離測試方法」中 斤述π成T剝離測言式。平均峰值剝離力經測定為6“ N/cm(37.9 lbf/in)。 剝離測試之結果概括於表4中。 表4.

針對T型剝離測試及捲曲度測試構建各種層合物樣品。 如實例1 〇之樣品八構建樣品G，除了使用「JURASOL 丁L 157334.doc

S •77- 201218329 封装材料替代Etimex 496.10。藉由使用「JURASOL TL」 封裝材料將實例1、2、7、8及9之阻隔膜類似地分別層合 於Madico TAPE上來製備樣品H_l 〇 如「T型剝離測試方法」中所述完成τ型剝離測試且如 捲曲度測試方法」中所述對丨3 mm寬X1 〇〇 mm長的條帶 完成捲曲度量測。結果概括於表5中。 表5 · 被品 剝離力(N/cm) 捲曲度(ηΓ1) G 0.4 7.9 Η 17.7 1.6 I 18.6 1.6 J 29.9 1.6 Κ 16.3 1.6 L 36.8 1.6 實例12-阻隔、捲曲及分層性質 樣品Μ製備如下：將一層封裝材料「ADCO PVA」塗覆 於15 cmxl5 cm(6吋χ6吋）玻璃基板上。將第一個〇 〇35 厚的128 mm長X約12 mm寬的鍍錫銅箔條帶以條帶之長度 方向沿玻璃基板之對角線的形式置於封裝材料「ADC〇 PVA」上。將尺寸類似於第一條帶之第二不鏽鋼條帶塗覆 於封裝材料「ADCO PVA」層上之第一條帶上且沿另一對 角線方向定向。接著將第二封裝材料「ADC〇 pvA」層塗 覆於不鏽鋼條帶上且將0.13 mm厚的pET層塗覆於第二封 裝材料層上。接著在150。(：下在丨個大氣壓（1χ1〇5 pa)之壓 力下使層合物固化12分鐘。接著根據IEC 61215濕冷凍測 „式（10· 12)，對樣品進行丨2個濕冷凍循環且未觀察到分層。 根據「捲曲度測試方法」量測捲曲度且測得為〇 4爪“。 157334.doc •78· 201218329 藉由將一層封裝材料「ADCO PVA」塗覆於15 cmxl5 cm(6叫·χ6叫·）玻璃基板上，接著將114 mm><114 mm濕度指 示劑卡（以商標「HUMITECTOR Maximum Humidity Indicator P/N MXC-56789」獲自 Sud-Chemie Performance Packaging(Colton, CA)塗覆於該封裝材料「ADCO PVA」 上來製備第二層合物。將第二封裝材料「ADCO PVA」層 置於該濕度指示劑卡上且將0.13 mm厚的PET層塗覆於該 第二封裝材料層上。接著在150°C下在1個大氣壓（1 xlO5 Pa)之壓力下使層合物固化12分鐘。將所得層合物置於 85°C及85% RH之環境室中持續1〇〇小時之時段β在85。(：及 85% RH曝露100小時後，目測檢查濕度指示劑卡且80%指 示劑已溶解晶體。此表示濕度指示劑感測器曝露於80% RH持續24小時。 樣品Ν製備如下：如對於樣品Μ所述構建含鍍錫銅箔條 帶及含濕度感測器條帶之層合物，除了用PET層替代0.13 mm厚的ETFE層。對含鍵錫鋼箔條帶之層合物進行12個濕 冷凍循環且未觀察到分層。根據「捲曲度測試方法」量測 捲曲度且測得為0.4 m_1。如對於樣品Μ所述進行濕度測試 且此表示濕度指示劑感測器曝露於至少80% RH持續24小 時。 樣品0製備如下：如對於樣品Μ所述構建含鍍錫銅箔條 帶及含濕度感測器條帶之層合物，除了用製備實例1之阻 隔膜替代PET層，其中阻隔膜之阻隔面朝向封裝材料 「ADCO PVA」層。對含鍍錫銅箔條帶之層合物進行12個

S 157334.doc -79· 201218329 濕冷凍循環且在所有邊緣周圍均觀察到分層。根據「捲曲 度測試方法」量測捲曲度且測得為0.4 m·1。如對於樣品M 所述進行濕度測試且此表示濕度指示劑感測器曝露於至少 50% RH持續24小時》 樣印P製備如下·如對於樣品賴述構建切錫銅領條 帶及含濕度感測器條帶之層合物，除了用實例6之阻隔膜 替代PET層，其中阻隔膜之阻隔面朝向封裝材料「ADCO PVA」層1含鍍錫㈣條帶之層合物進行η個濕冷來循 環且f觀察到分層。根據「捲曲度測試方法」量測捲曲度 且測仔為L4 如對於樣品崎述進行濕度測試且此表 示减指示劑感測器«於至少5 0 % R Η持續2 4小時。 木Qm下·如對於#諸所述構建含 帶及含濕度感測器條帶之層合物，除了用15公分小公分 二^:心…叫幻不鏽鋼厚薄規材料替代玻璃 二：:落條帶之層合物進行12個濕冷康循環且未 根據「捲曲度測試方法」量測捲曲度且測得 '·、， &對於樣品M所述進行濕度測試且此表示# 指示劑感測器曝露於至少娜RH持續24小時。濕度 樣品R製備如 罄及入退声；=¾ 子於樣品Q所述構建含鍍錫銅箔條 =、: =條帶之層合物，除了用。.一T_ y }含鍍錫鋼箔條帶之層合物進行12個濕冷凍 循％且Μ察到分層。根據「捲曲度測試方法」量測捲曲 度且測得為2.0 m-i。々忒」里利椿曲 .^ ^ ^ , t _ 對於樣品Μ所述進行濕度測試且此 不“又^劑感測器曝露於至少8〇%Rh持續Μ小時。 157334.doc

• 80 - 201218329 樣品s製襟如下：如對於樣品q所 帶及含濕度感測器條帶之層合物，除二錫銅㈣ 隔膜替細τ層，其中阻隔膜之 貫例1之阻 「ADCO PVA ja ^面朝向封裝材料 」曰。對含鍍錫銅箔條帶之層合物進 濕^東循環且在鐘錫銅箱條帶周圍觀察到分層。根據「捲 .J“式方法」量測捲曲度且測得為2〇心 Μ所述進㈣㈣試且此 對於樣印 少鄕RH持續24小時。濕度^不劑感測器曝露於至 =^製備如下：如對於樣品Q所述構建含鑛錫銅落條 =濕度感測器條帶之層合物，除了用實例6之阻隔膜 替代咖層，其中阻隔膜之阻隔面朝向封袭材料「厦〇 隱」層。對含锻錫㈣條帶之層合物進行i2個濕冷康循 環且未觀察到分層。根據「捲曲度測試方法」量測捲曲度 且測得為0.4 m.1。如對於樣品M所述進行濕度測試且此表 示濕度指示劑感測器曝露於至少5〇%RH持續Μ小時。 樣品Μ-T之數據概括於表6中。 表6. 樣品 100小時85/85濕皮蒼 示劑 冢^度(m·1) 12個濕冷凍循環(是/否

預示性實例

S 157334.doc -81- 201218329 可使用UV反射性多層光學膜替代上述ETFE膜作為基 板。可如上文所述使用氮氣電漿表面處理。當使用UV反 射性多層光學膜時，預期上述黏著及阻隔性質將為類似 的。可製備具有以下之多層光學膜：聚對苯二曱酸乙二酯 (PET)(以商標「EASTAPAK 7452」獲自 Eastman Chemical(Kingsport，TN))之第一光學層；及75重量％甲基 丙烯酸甲酯與25重量％丙烯酸乙酯之共聚物（coPMMA)(以 商標「PERSPEX CP63」獲自 Ineos Acrylics，Inc. (Memphis, TN))的第二光學層。PET及coPMMA可經由多層 聚合物熔體歧管共擠壓以形成224個光學層之堆疊。此UV 反射器之層厚度概況（層厚度值）可調整為近似線性概況， 其中第一（最薄）光學層經調整為具有300 nm光之約％波光 學厚度（物理厚度之指數倍）且直至可調整為400 nm光之約 %波厚光學厚度的最厚層。該等膜之層厚度概況可使用美 國專利第6,783,349號（Neavin等人）（該案之揭示内容以引用 的方式併入本文中）中所揭示之軸桿設備、結合可使用原 子力顯微技術獲得之層概況資訊來調整以提供改良之光譜 特徵。20 wt%之UV吸收劑母料（例如「Sukano TA07-07 MB」）可擠壓混配至第一光學層（PET)與第二光學層 (coPMMA)中。 除此等光學層外，PET之非光學保護膜層（各為260微米 厚）可共擠壓於光學堆疊之任一側。20 wt%之UV吸收劑母 料（例如「Sukano TA07-07 MB」）可混配至此等PET保護膜 層中。此多層共擠壓熔體流可以每分鐘5.4公尺澆鑄於冷 157334.doc -82- 201218329 輥上，產生約500微米（2〇密耳）厚的多層澆鑄腹板。接著可 在95 C下預加熱多層澆鑄腹板約1〇秒且以3·5χ3 7之拉伸比 雙轴定向。可進一步在225t：下加熱定向多層膜1〇秒以増 加PET層之結晶度。 本文所提及之所有專利及公開案均以全文引用的方式併 入本文中。熟習此項技術者可在不脫離本發明之範缚及精 神的情況下對本發明作出各種修改及變化，且應瞭解本發 明不受本文所述之說明性實施例之過度限制。 【圖式簡單說明】 圖1使用示意性側視圖說明本發明之一些實施例的組 合； 圖2說明本發明之組合之實施例的示意性侧視圖，其中 阻隔膜具有多個層； 圖3說明本發明之組合之另一實施例的示意性侧視圖， 其中該組合包括光伏打模組；及 圖4說明本發明之組合之實施例的示意性侧視圖，其中 阻隔膜具有多個層且其中該組合包括光伏打模組。 【主要元件符號說明】 100 組合 110 壓敏黏著劑層 120 阻隔膜 130 第二聚合物膜基板 140 第一聚合物膜基板 200 組合 157334.doc 201218329 210 壓敏黏著劑層 224 第一聚合物層 226 可見光透射無機阻 228 第二聚合物層 230 第二聚合物膜基板 240 第一聚合物膜基板 300 組合 310 壓敏黏著劑層 320 阻隔膜 330 第二聚合物膜基板 340 第一聚合物膜基板 350 封裝材料 360 光伏打電池 370 背膜 400 組合 410 壓敏黏著劑 424 層 426 層 428 層 430 第二聚合物膜基板 440 第一聚合物膜基板 450 封裝材料 460 光伏打電池 470 背膜 157334.doc -84-

Claims (1)

1. 201218329 七、申請專利範圍： 1 · 一種組合，其包含： 封裝材料層； 第一聚合物膜基板，其具有第一表面、與該第一表 面對置之第二表面及第一熱膨脹係數，其中該第一聚 5物膜基板之該第二表面係安置於該封裝材料層上； 阻隔膜’其安置於該第一聚合物膜之該第一表面 上； 壓敏黏著劑層’其具有第一表面及與該第一表面對 置之第二表面，其中該壓敏黏著劑之該第一表面係與 該第一聚合物膜基板對置地安置於該阻隔膜上；及 第二聚合物膜基板’其安置於該壓敏黏著劑層之該 第二表面上’其中該第二聚合物膜基板具有第二熱膨 服係數’且其中該第二熱膨脹係數係高於該第一熱膨 脹係數； 其t該組合可透射可見光及紅外光。 2_如請求項1之組合，其中該封裝材料層係位於光伏打電 池上。 3_如請求項2之組合，其中該光伏打電池為（：1(}8電池。 4. 如請求項1之組合，其中該封裝材料層包含乙烯乙酸乙 烯酯。 5. 如請求項1至4中任一項之組合，其中該第一聚合物膜基 板之該熱膨脹係數為至多50 ppm/K(百萬分率/克耳文 (parts per million per Kelvin))。 157334.doc s 201218329 6. 7. 8. 9. 10 11 12, 13. 14. 15. 16. 如清求項1至4中任一項之組合，其中該第二熱膨脹係數 比該第—熱膨脹係數高至少4〇 ppm/K。 如請求項6之組合，其中該第二熱膨脹係數比該第一熱 膨脹係數高至少80 ppm/K。 如請求項1至4中任-項之組合，其中該第二聚合物膜基 板為多層光學膜。 如請求項8之組合，在至少300奈米至4〇〇奈米波長範圍 内該第一聚合物膜基板至少反射或至少吸收跨越至少 30奈米範圍的至少50%入射紫外光。 .如請求項1至4中任一項之組合’其中該第一聚合物膜與 該第二聚合物膜之厚度比為至少5:2。 •如請求項1至4中任一項之έ且合，盆巾兮知八 __ 峭乙、，且〇具中該組合之捲曲度為 其中該第一聚合物膜基 如請求項1至4中任一項之組合 板之厚度為至少0.5毫米。 如請求項!至4中任一項之組合，其中該廢敏黏著劑層之 拉伸模數為至多3.4><1〇8帕斯卡（？&3(^1)。 如請求項!至4中任一項之組合’其中㈣敏黏著 婦酸醋、聚⑦氧、聚異丁婦或尿素壓敏黏著劑中之至小 一者0 ) :請求们4之組合，其中該慶敏黏著劑為内稀酸醋或聚 異丁稀壓敏黏著劑中之至少一者。 Α 如請求項1至4中任一瑁夕相入 ^ 一 合其中該壓敏黏著劑進— 乂 〇含uv穩定劑、受阻胺光穩定劑及抗氧化劑或熱穩定 157334.doc 201218329 劑中之至少一者。 如《月求項1至4中任—項之組合，其中該壓敏黏著劑層之 厚度為至少0.05毫米。 18 ·如5青求項1 $ 4中/τ .人 ,., 喟主4中任—項之組合，其中該第二聚合物膜基 板包含說聚合物。 19·如请求項18之組合，其中該第二聚合物膜基板包含乙婦_ 四氟乙烯共聚物、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、四氟乙 烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物或聚偏二氟乙烯中之至 少一者。 20. 如明求項1至4中任—項之組合’其中該阻隔膜至少包含 由無機阻隔層分隔之第一及第二聚合物層。 21. 如清求項20之組合，其中該無機阻隔層為氧化層，其與 該第一聚合物層或該第二聚合物層中之至少一者共有矽 氧烧鍵。 22. 如請求項20之組合，其中該第一聚合物層或該第二聚合 物層中之至少一者包含共沈積之矽烷及丙蝉酸酯單體。 23. 如請求項1至4中任一項之組合，其中該阻隔膜具有以下 至少一者：在23°C及90%相對濕度下小於每天〇 〇〇5 g/m2 之氧氣穿透率或在50°C及100%相對濕度下小於每天 0.005 g/m2之水蒸氣穿透率。 24. 如請求項1至4中任一項之組合，其中該第一聚合物膜基 板包含聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚醚 醚酮、聚芳醚酮、聚芳酯、聚醚醯亞胺、聚芳砜、聚醚 石風、聚酿胺醯亞胺或聚酿亞胺中之至少一者，其中任一 157334.doc -3 - s 201218329 者可視情況經熱穩定化。 25 26. 27. 28. 29. 30. .如請求項24之組合，其中該第一聚合物膜基板包含聚對 苯二甲酸乙二酯。 如請求項1至4中任一項之組合，其中該第一聚合物膜基 板之拉伸模數為至少2xl〇9帕斯卡。 如咕求項1至4中任一項之組合，其中該第一聚合物膜基 板之拉伸模數與該第二聚合物膜基板之拉伸模數的比率 為至少2:1。 如β求項1至4中任一項之組合，其中該第二聚合物膜基 板包含乙烯-四氟乙烯共聚物。 如明求項1至4中任一項之組合’其中該第二聚合物膜基 板包含聚偏二氟乙烯。 如請求項1至4中任一項之組合’其中該第二聚合物膜基 板包含聚偏二氟乙烯及聚（甲基丙烯酸甲酯 157334.doc