TW201220968A - Multilayer wiring board - Google Patents

Description

201220968 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明相關於將精細配線型樣形成在二相鄰樹脂絕緣 層之間的多層配線板。 【先前技術】 近年，已針對尺寸縮減及電子裝備的效能改善要求在 配線板上實現電子組件的高密度載置。將重大改善放在具 有多層結構之配線板的採用上，以實現電子組件的高密度 載置。此種多層配線板的一範例係具有核心基材以及增層 之所謂的增層配線板，該核心基材具有通孔等，其中將導 電層及樹脂絕緣層共同交替地層壓在該核心基材的一側或 雙側上。在該多層配線板中，通常藉由半添加處理將導電 層形成有精細配線型樣。如日本特許公開專利公報第 2000- 1 8 8460號所揭示的，已知該半添加處理爲以下的一 系列步驟：在樹脂絕緣層中形成接頭導體孔、將無電金屬 鍍層、電鍍阻抗、及電解金屬鍍層連續地施用至樹脂絕緣 層、移除電鍍阻抗、然後，蝕刻該無電金屬鍍層的非必要 部分。 【發明內容】 在上述的習知多層配線板中，在移除非必要之電鍍阻 抗時，藉由樹脂絕緣層之粗糙化表面的定錨效果將金屬鍍 層黏著至樹脂絕緣層。因此僅將所產生之該金屬鍍層的配 -5- £： 201220968 線型樣載置在樹脂絕緣層上。另外，將具有，例如，2 0 # m或以下（1 0 // m或以下爲佳）的線寬之更精細配線型 樣形成在增層中的需求成長。此導致配線型樣的高-對-寬 尺寸比增加且配線型樣與樹脂絕緣層的接觸面積減少，使 得配線型樣在結構上變得不穩定。該多層配線板在可靠性 上退化，且由於配線型樣及樹脂絕緣層之間的黏著性不足 ，造成不能將配線型樣保持成與樹脂絕緣層接觸並跌向樹 脂絕緣層或逐漸與其分離。 此外，在習知的多層配線板中，配線型樣的粗糙度通 過樹脂絕緣層而起伏。若使金屬鍍層的厚度變得更小以避 免此種型樣粗糙度，該接頭導體孔可能不能以金屬鍍層充 份地塡充。因此比金屬鍍層的厚度減少，給予該接頭導體 之適當形成更高的優先度，將金屬鍍層施用至給定厚度。 結果，配線型樣的厚度增加，並導致配線板之最外側表面 的粗糙度及樹脂絕緣層之厚度變化增加。 因此本發明的目的係提供具有形成於其中之精細配線 型樣的多層配線板，該精細配線型樣可得到對跌倒及分離 的高抗性並與樹脂絕緣層良好地接觸》 根據本發明之實施樣態，提供一種多層配線板，包含 :形成有二相對主表面的板體，並包括第一樹脂絕緣層、 層壓至該第一樹脂絕緣層的第二樹脂絕緣層、以及以該配 線型樣的第一表面緊接於該第一樹脂絕緣層且該配線型樣 之第二表面緊接於該第二樹脂絕緣層的方式配置在該第一 及該第二樹脂絕緣層之間的配線型樣，該佈線型樣在該板 -6- 201220968 體的平面區域上延伸並嵌入在該第一及第二樹脂絕緣層中 〇 本發明之其他目的及特性也將從下列描述而變得可理 解。 【實施方式】 本發明將藉由下列實施例於下文詳細地描述’其中相 似部分及部位係以相似參考數字表示’以避免其之重複解 釋。 第一實施例 將參考圖1至10於下文解釋根據本發明之第—實施 例的多層配線板K1。 如圖1所示，將多層配線板K1設計成增層多層配線 板，其中將二增層BU1及BU2置於核心基材1的二側上 。在下文中，術語「內部」係指較接近核心基材1之側； 且術語「外部」係指與內側相對之側。簡單地說，此等術 語係用於描述該等圖式中之位置關係的目的，且不視爲將 本發明限制在特定定向上。 更具體地說，多層配線板K1具有形成有二相對主表 面32a及33a並包括核心基材1、樹脂絕緣層12及13、 導電層4及5、增層BU1及BU2、阻焊劑32及33、以及 焊塊38的板體20 » 將核心基材1形成爲具有二主表面2及3的板形。 201220968 將樹脂絕緣層1 2及1 3分別配置在核心基材1的主基 材2及3上。 將導電層4配置在樹脂絕緣層12之內部表面及核心 基材1的主表面2之間，而將導電層5配置在樹脂絕緣層 13之內部表面及核心基材1的主表面3之間。 將增層BU1及BU2分別配置在樹脂絕緣層12及13 的外部表面上。增層BU1具有將樹脂絕緣層16及30以 及導電層10、28、及34彼此交替地層壓的層壓結構。增 層BU2也具有將樹脂絕緣層1 7及3 1以及導電層1 1、29 、及35彼此交替地層壓的層壓結構。 須注意，當導電層 4、5、10、11、28、29、34、以 及35各者形成有預定配線型樣時，爲了說明的目的，將 導電層4及5稱爲「最內部配線型樣」：將導電層10、 11、28、以及29稱爲「內部配線型樣」；並將導電層34 及35稱爲「外部配線型樣」。 將接頭導體孔12a形成爲通過樹脂絕緣層12:並針 對內部配線型樣10及最內部配線型樣4之間的導電，將 接頭導體14塡入接頭導體孔12a中。將接頭導體孔18形 成爲通過樹脂絕緣層1 6 ;並針對內部配線型樣1 0及2 8 之間的導電’將接頭導體26塡入接頭導體孔18中。 將接頭導體孔13a形成爲通過樹脂絕緣層13;並針 對內部配線型樣11及最內部配線型樣5之間的導電，將 接頭導體15塡入接頭導體孔13a中。將接頭導體孔19形 成在樹脂絕緣層17中；並針對內部配線型樣11及29之 -8- 201220968 間的導電，將接頭導體27塡入接頭導體孔19中。 將阻焊劑32配置在增層BU1的外部表面上，以 形成在樹脂絕緣層30上的全體外部配線型樣34。在 部配線型樣34之給定區域（亦即，地表34a)對應 置將開口 3 6形成在阻焊劑3 2中，使得地表3 4a經由 36在配線板K1的主表面32a曝露。將焊塊38形成 表3 4a上，以針對與電子組件的焊接，諸如ic晶片 圖示），從配線板K1的主表面32a向外凸出。 將阻焊劑3 3配置在增層B U 2的外部表面上，以 形成在樹脂絕緣層31上的全體外部配線型樣35。在 部配線型樣3 5之給定區域（亦即，地表3 5 a )對應 置將開口 37形成在阻焊劑33中，使得地表35a經由 電性連接至印刷配線板，諸如主機板，之開口 37在 板K1的第二主表面33a曝露。 另外，如圖1所示，配線板K1 (板體20 )具有 通過核心基材1及樹脂絕緣層1 2及1 3而形成的通孔 沈積在通孔6之內圓周表面上的圓柱通孔導體7、以 充在通孔導體7之圓柱空心部中的樹脂塡充劑9的通 構，以容許經由通孔導體7在增層BU1及BU2的導 之間導電。通孔導體7具有在樹脂絕緣層1 2及1 3之 面上延伸的導電部8» 如圖1及2所示，第一實施例之多層配線板K1 徵爲：將內部配線型樣2 8夾於二相鄰樹脂絕緣層I 3 0之間，並嵌入在此等二相鄰樹脂絕緣層1 6之3 0 覆蓋 與外 的位 開口 在地 (未 覆蓋 與外 的位 用於 配線 包括 6、 及塡 孔結 電部 外表 的特 6及 二者 -9- 201220968 中；以及將內部配線型樣29夾於二相鄰樹脂絕緣層 3 1之間，並嵌入在此等二相鄰樹脂絕緣層1 7及3 1 中。在第一實施例中，將內部配線型樣28及29各者 爲具有20 或更小之最大寬度的精細配線型樣爲 且更具體地說，15#m或更小的線寬及15#m或更 線距。 內部配線型樣28在配線板Κ1 (板體20)之平 向上延伸，並具有緊接於樹脂絕緣層16之外表面的 面44以及緊接於樹脂絕緣層30之內表面的外表面 將作爲內部導電部的凸脊46形成在內部配線型樣28 表面44的中心。在第一實施例中，內部配線型樣28 脊46在沿著內部配線型樣28之配線方向的寬度上係 均勻的。另一方面，使溝槽51沿著內部配線型樣28 線方向凹陷在樹脂絕緣層16的外表面中。將內部配 樣2 8嵌入在二相鄰樹脂絕緣層1 6及3 0二者之間， 有安裝在樹脂絕緣層16的溝槽51中之內部配線型才 的凸脊46以及完全以樹脂絕緣層30覆蓋之內部配線 28的剩餘導電部45。 相似地，內部配線型樣29在配線板Κ1 (板體 之平面方向上延伸，並具有緊接於樹脂絕緣層17之 面的內表面44以及緊接於樹脂絕緣層31之內表面的 面43。將作爲內部導電部的凸脊46形成在內部配線 29之內表面44的中心。內部配線型樣29的凸脊46 著內部配線型樣29之配線方向的寬度上也係實質均 17及 二者 形成 佳， 小之 面方 內表 43 ° 之內 的凸 實質 之配 線型 其具 i 28 型樣 20 ) 外表 外表 型樣 在沿 勻的 -10- 201220968 。另外，使溝槽51沿著內部配線型樣29之配線方向凹 在樹脂絕緣層17的外表面中。將內部配線型樣29嵌入 二相鄰樹脂絕緣層17及31二者之間’其具有安裝在樹 絕緣層17的溝槽51中之內部配線型樣29的凸脊46以 完全以樹脂絕緣層3 1覆蓋之內部配線型樣29的剩餘導 部45。 因此可能將內部配線型樣28、29保持成不僅與外 相鄰樹脂絕緣層30、31接觸，也確實地與內部相鄰配 型樣16、17接觸，使得甚至在內部配線型樣28、29甚 精細時，可防止其跌倒及分離並對內部相鄰樹脂絕緣 16、17及外部相鄰樹脂絕緣層30、31二者顯示充份的 著性。因此，多層配線板K1有高可靠性及良率。 在第一實施例中，以如上文所提及的垂直於內部配 型樣28、29之配線方向（延伸方向）的內部配線型樣 、29之橫剖面區域係實質均勻的此種方式，沿著內部 線型樣28、29的配線方向形成內部配線型樣28、29的 脊46及樹脂絕緣層1 6、17之溝槽51。因此可能沿著 部配線型樣28、29的配線方向將內部配線型樣28、29 電阻設定成固定。 此外’當將內部配線型樣28、29的凸脊46嵌入在 部相鄰樹脂絕緣層16、17的溝槽51中時，表面粗糙度 不可能發生在外部相鄰樹脂絕緣層30、31上。因此可 減少外部相鄰樹脂絕緣層3 0、3 1的厚度變異且因此可 改善配線板K1之iC_晶片載置區域的平坦性。 陷 在 脂 及 電 部 線 爲 層 黏 線 28 配 凸 內 的 內 較 能 能 -11 - 201220968 內部配線型樣28、29的高度比率hll:hl2並無特別 限制，其中h 1 1係嵌入在樹脂絕緣層3 0、31中的內部配 線型樣28、29之外導電部45的高度；且hl2係嵌入在樹 脂絕緣層1 6、1 7中的內部配線型樣28、29之內導電部（ 凸脊46 )的高度。內部配線型樣28、29的高度比率 hi 1 :hl2在1 :9至8:2的範圍中爲佳。當高度比率hi :h2 在上述較佳範圍中時，可更確實地將內部配線型樣28、 29保持成與相鄰樹脂絕緣層16、17及30、31接觸。特 別係高度hl2爲5/zm或更大爲佳。在第一實施例中，內 部配線型樣28、29具有約15/im之高度hll及約5仁m 的高度hl2,使得內部配線型樣28、29的高度比率在上 述較佳範圍中（hll:hl2=15:5)。 溝槽51的深度（凸脊46的高度h 12 )小於樹脂絕緣 層16、17之厚度T1爲佳。若溝槽51的深度大於或等於 樹脂絕緣層16、17的厚度T1，內部配線型樣28、29的 凸脊46穿透樹脂絕緣層16、17並可能變成與相鄰內部配 線型樣10、Π接觸。在此情形中，當經由接頭導體26、 27容許在配線型樣28、29及配線型樣10、1 1之間導電 的同時，配線型樣28及29必需在避開配線型樣1 0及1 1 的位置形成，以針對樹脂絕緣層1 6、1 7在配線型樣2 8及 1 〇之間以及配線型樣29及1 1之間提供適當的絕緣。此 導致配線配置及板設計的彈性退化。此外，難以針對配線 型樣28、29的形成（凸脊46)，將金屬鍍層等施用至深 狹溝槽51»在第一實施例中，樹脂絕緣層16、17具有約 -12- 201220968 30μηι的厚度T1，其大於內部配線型樣28、29之內部導 電部（凸脊46)的高度hl2，或等效地，溝槽51的深度 ，使得內部配線型樣28、29的凸脊46不穿透樹脂絕緣層 16、17且不變成與內部配線型樣10、11接觸》 在將接頭導體26、27形成在內部相鄰樹脂絕緣層16 、1 7中的情形中，溝槽51的深度小於接頭導體孔1 8、19 的深度爲佳（接頭導體26、27的高度）。 內部配線型樣28、29的最大寬度比率W1:W2也沒有 特別限制，其中W1係嵌入在樹脂絕緣層3 0、3 1中的內 部配線型樣28、29之外導電部45的最大寬度；且W2係 嵌入在樹脂絕緣層16、17中的內部配線型樣28、29之凸 內導電部（凸脊46)的最大寬度。內部配線型樣28、29 的最大寬度比率W1:W2在1:1至9:1的範圍中爲佳。當 最大寬度比率W1:W2在上述較佳範圍中時，可更確實地 將內部配線型樣28、29保持成與內部相鄰樹脂絕緣層16 、17接觸。在第一實施例中，內部配線型樣28、29具有 約15vm的最大寬度W1及約10/zm之最大寬度W2，使 得內部配線型樣28、29的最大寬度比率在上述較佳範圍 中（W1 :W2=15:10 )。 再者，當從垂直於內部配線型樣28、29之配線方向 的橫剖面觀看時’內部配線型樣28、29之內導電部（凸 脊46 )的漸縮比並無特別限制。內部配線型樣28、29之 內導電部（凸脊46)的漸縮比在80%或更高的範圍中爲 佳。本文的術語「漸縮比」係指藉由將內部配線型樣28 -13- 201220968 、29之內導電部（凸脊46 )的橫剖面之二平行側之較短 者除以內部配線型樣28、29之內導電部（凸脊46)的橫 剖面之二平行側的較長者，然後乘以1 00所得到的値。若 漸縮比低於80%，可能難以維持內部配線型樣28、29與 內部樹脂絕緣層16、17的充份接觸。在第一實施例中， 將凸脊46的漸縮比設定成約85%。 將內部配線型樣28、29形成於其上之樹脂絕緣層1 6 、17的外表面粗糙化而非平滑化爲佳。也將內部配線型 樣28、29的凸脊46安裝於其中之溝槽51的內表面粗糙 化而非平滑化爲佳。可能藉由此種粗糙化表面的定錨效應 更確實地維持內部配線型樣2 8、2 9與樹脂絕緣層1 6、17 的充份接觸。可將樹脂絕緣層16、17的外表面及溝槽51 之內表面的表面粗糙度Ra設定成，例如，l#m或更大， 1至3/zm爲佳。另外，將溝槽51的深度設定成大於樹脂 絕緣層16、17的外表面及溝槽51之內表面的表面粗糙度 Ra爲佳。 在本文中，核心基材1的材料並無特別限制。核心基 材1主要係由雙馬來醯亞胺-三畊樹脂（BT樹脂）組成。 樹脂絕緣層1 2、1 3、1 6、1 7、3 0、以及3 1可用，例 如，熱固性樹脂形成。熱固性樹脂的合適範例係環氧樹脂 (EP樹脂）、聚醯亞胺樹脂（PI樹脂）、雙馬來醯亞胺-三哄樹脂（BT樹脂）、酚樹脂、二甲苯樹脂、聚酯樹脂 、以及矽氧樹脂。EP樹脂、PI樹脂、以及BT樹脂在彼 等中係較佳的。EP樹脂係所謂的雙酚（BP )型、酚酚醛 -14- 201220968 清漆（PN)型、或甲酚酚醛清漆（CN)型係適當的。樹 脂絕緣層 1 2、1 3、1 6、1 7、3 0、3 1的樹脂材料主要係由 BP型環氧樹脂組成特佳。雙酚A( BPA)型及雙酚F ( BPF )型的環氧樹脂在各種BP型環氧樹脂中係最佳的。 樹脂絕緣層1 2、1 3、1 6、1 7、3 0、以及3 1之任何相鄰二 者的樹脂可係相同類型的或可係彼此不同的類型。樹脂絕 緣層1 2、1 3、1 6、1 7、3 0、3 1的樹脂材料可能視需要包 含無機塡充劑或有機塡充劑。在第一實施例中，不僅將所 謂的累積材料用於樹脂絕緣層16、17、30、及31的形成 ，也用於樹脂絕緣層1 2及1 3的形成。可將無機塡充劑散 佈在熱固性環氧樹脂中的絕緣膜適當地使用爲該累積材料 〇 導電層4及5可從任何導電配線材料形成，諸如金屬 箔。如將於稍後提及的，在第一實施例中導電層4及5各 者係從銅箔形成。 另一方面，配線型樣10、11、28、29、34、及35各 者可用鍍層的形式。鍍層並無特別限制。鍍層的合適範例 係銅鍍層、鎳鑛層、金鍍層、銀鍍層、鋁鍍層、鋅鍍層、 鈷鍍層、以及鈦鍍層。 有鑑於導電性、成本效能、以及工作能力，根據本發 明之嵌入在二相鄰樹脂絕緣層16、17及30、31二者中的 內部配線型樣28、29係銅鍍層爲佳。內部配線型樣28、 29各者具有如圖1及2所示之將電解銅鍍層42層壓在無 電銅鍍層41上的層壓結構特佳。 -15- 201220968 可藉由下列程序製造第一實施例之上述結構的多層配 線板κ 1。 將具有黏著於其之二主表面的銅箔之雙馬來醯亞胺-三哄樹脂（BT樹脂）基材製備爲核心基材1。該銅箔係 藉由任何已知技術型樣化，諸如，減除處理，從而將配線 型樣4及5形成在核心基材1的主表面2及3上。將無機 塡充劑散佈於熱固性環氧樹脂（EP樹脂）中的各熱固性 絕緣樹脂膜作爲樹脂絕緣層1 2及1 3施用在核心基材1的 主表面2及3上，以覆蓋配線型樣4及5。其次將接頭導 體孔12a及13a形成爲通過樹脂絕緣層12及13。也將通 孔6形成爲通過核心基材1及樹脂絕緣層1 2及1 3。之後 ，連續地施用無電銅鍍層及電解銅鍍層，以將通孔導體7 形成在通孔6中並將接頭導體14、15形成在接頭導體孔 12a及13a中。將樹脂塡充膏9塡入通孔導體7的中空部 中。另外將電解銅鍍層施用至通孔導體7及接頭導體14 及15的銅鍍層。此時，以銅鍍層10a及11a覆蓋樹脂塡 充劑9的二終端面。 隨後，藉由已知減除處理將二層壓銅鍍層各者蝕刻爲 預定型樣，從而形成如圖3所示之增層BU1及BU2的內 部配線型樣1 0及1 1。 然後如圖4所示地，藉由將與上文相同的絕緣膜層壓 在樹脂絕緣層12及配線型樣10上，形成增層BU1的樹 脂絕緣層1 6。也藉由將相同的絕緣膜層壓在樹脂絕緣層 1 3及配線型樣1 1上，形成增層BU2的樹脂絕緣層1 7。 -16- 201220968 層 緣待 絕在 脂， 樹射 在照 成射 形雷 9 由 8 I 示 孔所 豊 5 SB 導圖 頭如 接’ 將時 射同 照。 射中 1?m 7 II 由及 藉1 形成配線型樣28及29的給定位置將溝槽51形成在樹脂 絕緣層16及17中。當接頭導體孔18及19與溝槽51的 深度不同時，此雷射照射處理係藉由調整雷射輸出、照射 數、照射時間等而實施。 其次實施除污處理，以從接頭導體孔18及19以及溝 槽51的內表面移除污漬。另外’將樹脂絕緣層16及17 的外表面、接頭導體孔18及19之內表面、以及溝槽51 的內表面粗糙化至，例如，2//m的表面粗糙度Ra。 如圖6所示，在施加電鍍觸媒之後，藉由已知無電銅 鍍處理在樹脂絕緣層16、17的外表面、接頭導體孔18及 19以及溝槽51之內表面上將無電銅鍍層41施加至具有 ，例如，約〇.5#m的厚度。 將厚度約25 μπι之光敏/絕緣乾膜黏著至無電銅鍍層 41的全體表面，曝露並顯影，從而形成在給定位置具有 開口 49a的電鍍阻抗49，以不與接頭導體孔18及19以 及溝槽51重疊，如圖7所示。 藉由已知電解銅鍍處理在無電銅鍍層41之經由開口 49a曝露的部分上將電解銅鍍層42施用至具有約，例如 ，：15至20 的厚度。在藉由使用專用去除劑移除電鍍 阻抗49之後，使用預定蝕刻劑蝕刻無電銅鍍層4 1的曝露 部分。使用此方式，如圖8及9所示，形成增層BU1及 BU2之內部配線型樣28及29以及接頭導體26及27。 -17- 201220968 另外，藉由層壓與上文相同之絕緣膜將增層BU1之 樹脂絕緣層30形成在樹脂絕緣層1 6及內部配線型樣28 上，如圖10所示，從而將內部配線型樣28夾於並嵌入在 二相鄰樹脂絕緣層1 6及30之間。藉由層壓相同的絕緣膜 將增層BU2之樹脂絕緣層3 1相似地形成在樹脂絕緣層1 7 及內部配線型樣29上，從而將內部配線型樣29夾於並嵌 入在二相鄰樹脂絕緣層1 7及3 1之間。 藉由半添加處理形成外配線型樣34及35。然後施加 厚度約25 m的阻焊劑32、33。將鎳-金鍍層施加至通過 開口 36曝露在阻焊劑32之外表面32a的地表34a，隨後 將焊塊38接合至電鍍地表34a。也將鎳-金鍍層施加至通 過開口 37曝露在阻焊劑33之外表面33a的地表35a。以 此方式，完成多層配線板K1。 作爲在絕緣層中切出溝槽、將銅鍍材料塡充入該溝槽 中'從而形成配線型樣之技術的有已爲人所習知之所謂的 凹槽塡充處理。（例如，參閱日本特許公開專利申請案案 號第11-8 7276號。）然而，當凹槽塡充處理必需將從絕 緣層凸出之銅鍍材料的全體部分移除而保持溝槽中之銅鍍 材料的剩餘部分時，難以實施此凹槽塡充處理。若以低處 理精確性實施該處理，引發諸如，配線破裂及短路的問題 〇 在第一實施例中，相反地，如上文所提及的，在將配 線層28、29之內導電部（凸脊46)形成在樹脂絕緣層16 ' 17的溝槽51中時，不需要鍍層移除處理。因此可相對 -18- 201220968 輕易地製造具有高良率的多層配線板κι且沒有配線破裂 及短路的風險。 第二實施例 第二實施例在結構上與第一實施例相似，除了增層 BU1具有不同型式的內部配線型樣28Α，如圖11所示。 第二實施例的內部配線型樣28Α滿足hll<hl2的關係； 然而第一實施例的內部配線型樣28滿足hi l>hl2的關係 。可能藉由滿足第二實施例的此種尺寸關係以得到與第一 實施例相同的效果。 如同第一實施例中的情形，甚至在第二實施例中，內 部配線型樣28A的高度比率hll:hl2在1:9至8:2之較佳 範圍中係可取的。另外，也可能以與內部配線型樣28A 相同的方式修改內部配線型樣29以滿足hi l<hl 2的關係 第三實施例 第三實施例在結構上與第一實施例相似，除了增層 BU1具有形成有二凸脊46的內部配線型樣28B外，如圖 1 2所示。在第三實施例中，二凸脊46係沿著內部配線型 樣2 8 B的配線方向形成在內部配線型樣2 8 B之內表面44 的二側上；然而在第一實施例中，將單一凸脊46形成在 內部配線型樣28、29之內表面44的中央上。在第三實施 例中，使二溝槽5 1對應於內部配線型樣的個別凸脊 201220968 46凹陷在內部相鄰樹脂絕緣層16的外表面中。當將內部 配線型樣28B嵌入在具有分別安裝在溝槽51中之凸脊46 的二相鄰樹脂絕緣層16及30二者中時，可能在第三實施 例中得到與第一實施例相同的效果。也可能以與內部配線 型樣28B相同的方式修改內部配線型樣29，以具有二凸 脊46。在此情形中，不消說使二溝槽51對應於內部配線 型樣29的個別凸脊46凹陷在內部相鄰樹脂絕緣層1 7的 外表面中。 第四實施例 第四實施例在結構上與第一實施例相似，除了增層 BU1具有形成有不同形式之凸脊46的內部配線型樣28C ’如圖13所示。內部配線型樣28C的凸脊46包括在對應 於內部配線型樣28C之彎曲區域的位置中形成的窄化區域 46c。雖然該配線型樣的彎曲區域在寬度上較大，亦即， 在橫剖面上比配線型樣的直線區域更大，此種橫剖面的增 加變成藉由窄化區域46c補償。因此，可將內部配線型樣 28C的電阻設定成固定的。取代形成窄化區域46c，或者 可能使在對應於配線型樣之1|曲區域的位置中之凸脊46 的區域在高度上小於凸脊46的任何其他區域，使得可將 內部配線型樣28C的電阻設定成固定的。因此在第四實施 例中可能得到與第一實施例相同的效果。也可能以與內部 配線型樣28C相同的方式修改內部配線型樣29，使得內 部配線型樣29的凸脊46包括在對應於內部配線型樣29 -20- 201220968 之彎曲區域的位置中形成的窄化區域46c。 第五實施例 第五實施例在結構上與第一實施例相似，除 BU1具有形成有複數個分離凸起54的內部配線型 ，如圖14所示。在第五實施例中，將凸起54形成 配線型樣28D的內表面上並在內部配線型樣28D 方向上對準；然而在第一實施例中，將單一連續脊 部46形成在內部配線型樣28的內表面上。在第五 中，使複數個凹陷53對應於內部配線型樣28D的 起54形成在內部相鄰樹脂絕緣層16的外表面中 53及凸起54的形成並無特別限制。當將內部配 2 8D嵌入在具有分別安裝在凹陷53中之凸起54的 樹脂絕緣層16及30二者中時，可能在第五實施例 與第一實施例相同的效果。 本文之第五實施例的可取之處係：凹陷53的 於樹脂絕緣層16的厚度T1;不僅將樹脂絕緣層 表面，也將凹陷53的內表面粗糙化而非平滑化， 到lgm或更大的粗糙度Ra，1至3μπι爲佳；並 第一實施例相同的原因，將凹陷53的深度設定成 脂絕緣層16的外表面及凹陷53之內表面的表面 Ra。另外，也可能以與內部配線型樣28D相同的 改內部配線型樣29以具有複數個凸起54。在此情 不消說使複數個凹障53對應於內部配線型樣29的 了增層 樣2 8D 在內部 的配線 形凸起 實施例 個別凸 。凹陷 線型樣 二相鄰 中得到 深度小 6的外 例如， 針對與 大於樹 粗糙度 方式修 形中， 個別凸 -21 - 201220968 起54形成在內部相鄰樹脂絕緣層17的外表面中。 第六實施例 第六實施例在結構上與第一實施例相似，除了增層 BU1具有包括配置在該銅鍍層（電解銅鍍層42)及外部 相鄰樹脂絕緣層30之間的金屬層之內部配線型樣28E， 如圖15至17所示。在第六實施例中，如圖15至17所示 ，雖然該金屬層可僅形成在銅鍍層42的外表面上，該金 屬層不僅形成在該外表面上也形成在銅鍍層42之側表面 上爲佳，以覆蓋銅鍍層42之通過樹脂絕緣層16曝露的全 體部分。該金屬層可係與銅不同之一種金屬、或二或多種 金屬。較佳地，該金屬層以具有比銅之擴散入樹脂絕緣層 3〇的速度更低之速度的金屬材料形成。可能藉由形成此 種金屬層以限制銅從內部配線型樣28E擴散入樹脂絕緣層 3 〇 ’並防止在內部配線型樣2 8 E中及內部配線型樣2 8 E 及其他導電構件之間的短路。 更具體地說，在第六實施例中，該金屬層係錫層61 爲佳。形成錫層61在限制銅從內部配線型樣28E擴散入 樹脂絕緣層3 0，並防止在內部配線型樣2 8 E中及內部配 線型樣28E及其他導電構件之間的短路上係特別有效的。 錫層61可藉由任何技術形成，諸如，錫鍍層（無電錫鍍 層、電解錫鍍層）或錫濺鍍。錫層61的厚度並無特別限 制。可將錫層61的厚度設定爲，例如〇」至〇.5 v m。 在此情形中，內部配線型樣28E具有藉由使用矽烷偶 -22- 201220968 合劑處理錫層61之外表面而形成，且因此配置在錫層61 及樹脂絕緣層30之間的矽烷耦合層62更佳。在第六實施 例中’將矽烷耦合層62形成爲以其覆蓋全體錫層61。在 本文中’矽烷偶合劑已知係由有機物質及.矽所形成的化合 物’且在其分子中具有二或多種不同的官能反應基。可將 乙烯基基、環氧樹脂型、胺型等的矽烷偶合劑適當地使用 爲該矽烷偶合劑。矽烷偶合劑可取決於樹脂絕緣層的類型 及特性而視情況選擇。通常，難以在樹脂絕緣層（有機材 料）及錫層（無機材料）之間得到強固的接合。然而，藉 由形成矽烷偶合劑62，由於矽烷偶合劑之成份及樹脂絕 緣層30的成份之間的化學鍵，可經由矽烷偶合劑62將錫 層61相對穩固地接合至樹脂絕緣層30。因此可能增加內 部配線型樣28E及樹脂絕緣層30之間的黏著性，並更有 效率地防止內部配線型樣28E的分離。 除了矽烷耦合處理以外，有作爲增加內部配線型樣 28E及樹脂絕緣層30之間的黏著性之技術的已知表面粗 糙化處理。然而該表面粗糙化處理導致配線型樣28E的表 面粗糙度增加，並導致配線型樣28E的電特徵退化。 另一方面，矽烷耦合處理具有配線型樣28E的表面粗 糙度不變成由矽烷耦合處理增加的優點，使得可能限制配 線型樣28E之電阻的變化並改善配線型樣28E之電特徵 〇 在第六實施例中，增層BU1也具有設置有錫層61及 矽烷耦合層62的接頭導體2 6E。 -23- 201220968 內部配線型樣28E可用下列步驟形成。 如同第一實施例，在無電銅銨層處理、電解銅鍍層處 理、以及電鍍阻抗移除處理之後，蝕刻無電銅鍍層41。 使用此方式，無電銅鍍層41及電解銅鍍層42在圖8所示 的狀態中。如圖15所示，其次藉由使用錫電鍍槽之已知 無電錫鍍層處理，將錫層61形成在內部配線型樣28E的 銅鍍層42及接頭導體26之銅鍍層42的全體曝露表面上 。錫層61可能視需要受用於平滑化的熱處理。在錫層61 具有大於預定厚度等級之厚度的情形中，可能藉由使用硝 酸的清洗移除錫層61的過多部分。隨後，如圖16所示， 藉由施用砂院偶合劑（例如，Shin-etsu Chemical Co.， Ltd.的產品）將矽烷耦合層62形成在錫層61的全體表面 上。如圖1 7所示，然後藉由如上述地層壓絕緣膜將樹脂 絕緣層3 0形成在樹脂絕緣層1 6及內部配線型樣2 8 E上。 可能以與內部配線型樣28E相同的方式，將內部配線 型樣29 (或內部配線型樣29及接頭導體27各者）修改 成具有錫層61及矽烷耦合層62。 日本專利申請案編號第201 0-074799號（於2010年 3月29日申請）及第2011-010926號（於2011年1月21 曰申請）之教示全文以提及之方式倂入本文中。 雖然已參考上述之第一及第二實施例描述本發明，本 發明並未受限於此等具體模範實施例。根據上述教示，熟 悉本發明之人士將想到上述實施例的各種修改及變化。 只要配線板K1具有配置於二相鄰樹脂絕緣層之間的 -24- 201220968 至少一配線型樣，配線板K1的結構、配線板K1中的樹 脂絕緣層之數量以及導電配線層（配線型樣）的數量並無 特別限制。另外，不必然將二增層BU1及BU2設置在核 心基材1的二側上。或許可能僅將單一增層設置在核心基 材1的任一側上。 雖然在上述實施例中配線板Κ1設有核心基材1，或 者可將本發明具現爲不具有核心基材1之所謂的無核心配 線板。 雖然在上述實施例中樹脂絕緣層12、13、16、17、 3 〇、以及3 1係由相同種類的樹脂形成，樹脂絕緣層1 2、 1 3、1 6、1 7、3 0、以及31之任何相鄰二者或者可能以不 同種類的樹脂形成。 在上述實施例中，僅將其最大型樣寬度爲2 0μιη或更 小之精細內部配線型樣28、29、28Α、28Β、28C、28D、 28Ε嵌入在二相鄰樹脂絕緣層16、17及30、31二者中》 或者，本發明可能以也將其最大型樣寬度不小於20 // m 之內部配線型樣嵌入在該等二相鄰樹脂絕緣層二者中的此 種方式具現。 本發明的範圍關於下文之申請專利範圍而界定。 【圖式簡單說明】 圖1係根據本發明的第一實施例之多層配線板的槪要 剖面圖。 圖2係顯示根據本發明之第一實施例的多層配線板中 -25- 201220968 之配線型樣的配置之放大剖面圖。 圖3至10係製造根據本發明之第一實施例的多層配 線板之方法的槪要剖面圖。 圖Π係根據本發明之第二實施例的多層配線板之實 體部分的放大剖面圖。 圖12係根據本發明之第三實施例的多層配線板之實 體部分的放大剖面圖。 圖1 3係根據本發明之第四實施例的多層配線板之實 體部分的放大平面圖。 圖1 4係根據本發明之第五實施例的多層配線板之實 體部分的放大平面圖。 圖15至17係製造根據本發明之第六實施例的多層配 線板之方法的槪要剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 :核心基材 2、3、32a:主表面 4' 5、10、11、28、29、34、35:導電層 6 :通孔 7 :通孔導體 8 :導電部 9 :樹脂塡充劑 10a、1 1 a :銅鍍層 12、13、16、17、30、31:樹脂絕緣層 -26- 201220968 12a' 13a、18、19:接頭導體孔 14、 15、 26、 26E、 27:接頭導體 20 :板體 28A、28B、28C、28D、28E ：配線型樣 3 2、3 3 :阻焊劑 34a、 35a ：地表 36、 37、 49a:開口 3 8 :焊塊 41 :無電銅鍍層 4 2 :電解銅鍍層 33a、43 :外表面 44 :內表面 45 :剩餘導電部 46 :凸脊 4 6 c :窄化區域 49 :電鍍阻抗 51 :溝槽 5 3 :凹陷 54 :分離凸起 61 :錫層 62 :矽烷耦合層 B U 1、B U 2 :增層 hi 1、hl2 :高度 K1 :多層配線板 -27- 201220968 τι :厚度 W1、W2 :最大寬度 -28-

Claims (1)

1. 201220968 七、申請專利範圍： 1. 一種多層配線板，包含形成有二相對主 體’並包括第一樹脂絕緣層、層壓至該第一樹脂 第二樹脂絕緣層、以及以該配線型樣（pattern ) 面緊接於該第一樹脂絕緣層且該配線型樣之第二 於該第二樹脂絕緣層的方式配置在該第一及該第 緣層之間的配線型樣，該佈線型樣在該板體的平 延伸並嵌入在該第一及第二樹脂絕緣層中。 2. 如申請專利範圍第1項之多層配線板， 線型樣具有1:9至8:2的高度比率hll:hl2，其 嵌入在該第一樹脂絕緣層中的該配線型樣之第一 高度；且hl2係嵌入在該第二樹脂絕緣層中的該 之第二導電部的高度。 3 ·如申請專利範圍第1項之多層配線板， 線型樣具有1:1至9:1的寬度比率W1:W2，其中 入在該第一樹脂絕緣層中的該配線型樣之第一導 大寬度；且W2係嵌入在該第二樹脂絕緣層中的 樣之第二導電部的最大寬度。 4.如申請專利範圍第1項之多層配線板， 在該第二樹脂絕緣層中的該配線型樣之導電部從 配線型樣的配線方向上取得之橫剖面的漸縮比ί) 或以上的範圍中。 5 .如申請專利範圍第1項之多層配線板， 二樹脂絕緣層具有沿著該配線型樣之配線方向形 表面的板 絕緣層的 的第一表 表面緊接 二樹脂絕 面方向上 其中該配 ΐ hll 係 導電部的 配線型樣 其中該配 W1係嵌 電部的最 該配線型 其中嵌入 垂直於該 5 在 80% 其中該第 成在其緊 -29- 201220968 接於該配線型樣的該第二表面之表面中的溝槽；且其中該 配線型樣具有形成在其該第二表面上並嵌入在該第二樹脂 絕緣層之該溝槽中的凸脊。 6. 如申請專利範圍第5項之多層配線板，其中該第 二樹脂絕緣層具有形成在其緊接於該配線型樣的該第二表 面之表面中的複數個凹陷；且其中該配線型樣具有形成在 其該第二表面上並分別嵌入在該第二樹脂絕緣層之該等凹 陷中的複數個凸起。 7. 如申請專利範圍第1項之多層配線板，其中該配 線型樣係具有20 或以下之最大線寬的精細配線型樣 〇 8. 如申請專利範圍第5項之多層配線板，其中該溝 槽的深度小於該第二樹脂絕緣層的厚度。 9. 如申請專利範圍第6項之多層配線板，其中該等 凹陷的深度小於該第二樹脂絕緣層的厚度。 1 0·如申請專利範圍第5項之多層配線板，其中該溝 槽形成有粗糙化內表面。 11·如申請專利範圍第6項之多層配線板，其中該等 凹陷各者形成有粗縫化內表面。 1 2.如申請專利範圍第丨項之多層配線板，其中該配 線型樣具有銅鍍層及形成在該銅鍍層及該第一樹脂絕緣層 之間的錫層。 13.如申請專利範圍第12項之多層配線板，其中該 配線型樣具有形成在該錫層及該第一樹脂絕緣層之間的矽 -30- 201220968 烷耦合層。 -31