201230672 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係與用以除去至少2條之電線上之公用模式雜 音的雜音去除濾波器相關。 【先前技術】 近年來，太陽能面板十分普及，被積極地應用於家庭 內及工廠內之消耗電力的補充及以售電爲目的之利用。此 時，因爲利用太陽能面板發電之電力爲直流，爲了將其轉 換成與商用電源相同電壓之交流電源爲目的，而設置被稱 爲電源調節器之變流器裝置。 然而，因爲變流器裝置係以斬波電路使直流形成斷續 ，創造擬正弦波來將直流變換成交流，隨著該斬波電路之 直流的斷續而發生激烈之諧波雜音。該高頻雜音，也會從 變流器裝置逆流至太陽能面板側，而以連結變流器裝置與 太陽能面板之間的電線作爲天線，將高電平之高頻雜音輻 射至空間。因此，藉由於變流器裝置之輸出入部裝設線路 濾波器來減輕高頻雜音，作爲防止不必要輻射之措施。 然而，一般而言，因爲係使用平行電線作爲電源線， 其傳輸模式係相當於高頻電路之平衡模式的正常模態（差 異模態）。此時，針對正常模態之雜音成份，藉由於平行 電線間插入電容，很容易即可壓抑雜音成份。然而，無法 壓抑相當於高頻電路之不平衡模式之公用模式的雜音成份 。此外’傳送太陽能面板所產生之直流電力的平行電線， -5- 201230672 並未考慮到高頻，也未考慮到公用模式。因此，發生公用 模式之雜音的話，即使配設線路濾波器，也在未充份衰減 下被放射至空間，而產生雜音干擾。是以，因爲公用模式 之雜音在無接地線之平行電線上傳播，亦即，以公用模式 而言，在不完全之線路上傳播，而處於容易發生不必要之 輻射的狀況。 於高頻電路進行相當於公用模式之不平衡傳輸時，利 用低通濾波器（LPF )可以減輕相對於通過頻率之諧波成 份。傳統之基本LPF電路如第16 ( a ) 、（ b )圖所示。第 16(a)圖所示之LPF電路係π型，電感L201係直列連接於 輸入端子IN與輸出端子OUT之間，電感L201之兩端與接地 線之間，分別並列連接著電容C201、C202。此外’第16 ( b)圖所示之LPF電路係T型，電感L202、L203係直列連接 於輸入端子IN與輸出端子OUT之間，電感L202、L203之連 接點與接地線之間則並列連接著電容C203。 如第16 ( a ) ( b )圖所示之LPF電路，可以當作線路 濾波器使用，利用第16 ( a )圖所示之π型之LPF電路的傳 統線路濾波器200之電路，如第17圖所示。第17圖所示之 線路濾波器200，於第1輸入端子IN 201與第1輸出端子 OUT201之間，直列連接著電感L2 10，電感L2 10之兩端與 接地線E之間，則分別並列連接著電容C2 1 0、C2 1 1。此外 ，於第2輸入端子IN202與第2輸出端子OUT202之間’則直 列連接著電感L 2 1 1 ’電感L 2 1 1之兩端與接地線E之間’分 別並列連接著電容C212、C213。 -6- 201230672 其次，利用第16 ( b )圖所示之T型之LPF電路的傳統 線路濾波器300之電路，如第18圖所示。第18圖所示之線 路濾波器300，於第1輸入端子IN 301與第1輸出端子 OUT30 1之間，直列連接著電感L3 1 0、L3 1 1，於電感L3 1 0 、L31 1之連接點與接地線E之間，則並列連接著電容C310 。此外，於第2輸入端子IN3 02與第2輸出端子OUT3 02之間 ，直列連接著電感L312、L313，而於電感L312、L313之 連接點與接地線E之間，則並列連接著電容C3 1 1。 第17圖所示之線路濾波器200或第18圖所示之線路濾 波器3 00，係連接於平行電線等，然而，平行電線時’因 爲不存在公用模式所必要之明確接地線，而存在著介由與 大地之間的雜散電容等之不明確接地線。所以，線路濾波 器2 00、3 00時，並列連接之電容的接地E爲不完全之狀態 ，而爲無法發揮本來之電氣機能的狀態。所以，針對公用 模式之雜音成份，線路濾波器200或線路濾波器300之電容 ，無法期待其諧波雜音的衰減效果。所以，即使於連接太 陽能面板與變流器裝置之平行電線，連接線路濾波器200 或線路濾波器300，也無法去除變流器裝置所發出之諧波 雜音’於接近住宅之主要係利用短波波段來進行通信之業 餘無線台、AM ·短波· FM波段之無線電廣播波等，經常 會發生電波干擾的案例。 因此，以往就有人提出：將只使用抗流線圏之第1 9圖 所示之線路濾波器400應用於用以抑制公用模式電流之線 路濾波器。第1 9圖所示之線路濾波器4 0 0 ’係連接於數據 201230672 機410，並插入傳送通信訊號之電力線。於該電力線之前 端，配設有插頭413，將插頭413插入屋內之插座。線路濾 波器400，係直列連接於第1抗流線圈4 1 1及第2抗流線圈 412之構成，配設於數據機410側之第1抗流線圈41 1之阻抗 高於第2抗流線圈4 1 2之阻抗。所以，第1抗流線圈4 1 1之捲 數多於第2抗流線圈41 2之捲數。 [專利文獻1]日本特開2006-166015號公報 【發明內容】 第1 9圖所示之傳統之只使用抗流線圈之線路濾波器 40 0時，配設於電力線側之抗流線圈41 2的阻抗較低，係爲 了降低與電力線之阻抗未匹配所導致的不良影響。然而， 即使數據機410之阻抗已有規定，但電力線之阻抗並無規 定，電力線之阻抗，因爲電力線之配線狀況而有很大的差 異。是以，因爲設置線路濾波器400之各場所，電力線之 阻抗不同係十分一般的現象，即使將線路濾波器400插入 電力線，有時仍有無法去除電力線之阻抗影響所導致之高 頻雜音的問題。 此外，因爲太陽能面板及變流器裝置之阻抗也未規定 ，即使將第19圖所示之傳統線路濾波器400配設於連接太 陽能面板及變流器裝置之平行電線或變流器裝置之輸出部 ，仍有因爲上述理由而無法有效去除高頻雜音之問題。 因此，本發明之目的，係在提供可有效去除高頻雜音 之雜音去除濾波器。 -8- 201230672 本發明之主要特徵，係於Mn-Zn系之環狀核心捲繞著 導體線之至少1個之第1抗流線圈、及於Ni-Zn系之環狀核 心捲繞著導體線之至少1個之第2抗流線圈之直列連接電路 ’連接於輸入端子及輸出端子之間，成對之前述輸入端子 及前述輸出端子至少爲2對。 依據本發明，因爲以直列連接：於Mn-Zn系之環狀核 心捲繞著導體線之第1抗流線圈、及於Ni-Zn系之環狀核心 捲繞著導體線之第2抗流線圈；來構成雜音去除濾波器， 於從低通至高通之寬頻帶，可以得到安定之較大的衰減量 【實施方式】 至實現本發明之雜音去除濾波器的經過，如第〗圖至 第7圖所示。第1圖，係未具備電容之雜音去除濾波器的構 成電路圖，第2圖，係第1圖所示之雜音去除濾波器之利用 Mn-Zn (錳•鋅）系之相對磁導率y s爲約5 000之環狀核心 時之衰減量的頻率特性圖，第3圖，係第1圖所示之雜音去 除濾波器之利用Mn-Zn系之相對磁導率β s爲約5 000之環狀 核心時之衰減量之其他的頻率特性圖’第4圖’係第1圖所 示之雜音去除濾波器之利用Mn-Zn系之相對磁導率// s爲約 2500之環狀核心時之衰減量的頻率特性圖’第5圖’係第1 圖所示之雜音去除濾波器之利用Mn_Zn系之相對磁導率# s 爲約2500之環狀核心時之衰減量之其他的頻率特性圖，第 6圖，係第1圖所示之雜音去除濾波器之利用Ni-Zn (鎳· -9- 201230672 鋅）系之相對磁導率# s爲約8 00之環狀核心時之衰減量的 頻率特性圖，第7圖，係第1圖所示之雜音去除濾波器之利 用Ni-Zn系之相對磁導率"s爲約800之環狀核心時之衰減 量之其他的頻率特性圖。 第1圖所示之構成之雜音去除濾波器1〇〇，係利用2條 平行電線及電力線等之電線時的雜音去除濾波器。雜音去 除濾波器100，係由：連接於第1輸入端子IN 1及第1輸出端 子OUT1之間的第1抗流線圈CH1 ;及連接於第2輸入端子 IN2及第2輸出端子OUT2之間的第2抗流線圈CH2 ;所構成 。第1抗流線圈CH 1及第2抗流線圈CH2 ’係藉由將電線捲 繞於環狀核心來構成。該電線可以爲單線或絞線。本說明 書之環狀核心，係指將Mn-Zn系或Ni-Zn系等之複合肥粒鐵 以高溫燒結成環狀之核心。 於以Mn-Zn系作爲該環狀核心之內徑爲約40亳米、相 對磁導率A s爲約5000之環狀核心，捲繞24圈電線來構成 第1抗流線圈CH1及第2抗流線圈CH2 »由該第1抗流線圈 CH1及第2抗流線圈CH2所構成之雜音去除濾波器1〇〇之至 1MHz爲止之衰減量的頻率特性如第2圖所示，改變尺度之 至1 0 0 Μ Η z爲止之衰減量的頻率特性則如第3圖所示。參照 第2圖的話，0.3MHz周邊約39dB之衰減量的峰値’代表至 1 Μ Η z爲止有良好之衰減特性。此外’參照第3圖的話’隨 著頻率之增高，衰減量降低’約40MHz之衰減量降低至約 14dB。而且，40MHz以上之頻率時’衰減量逐漸增加’約 90MHz時，雖然有峰値但只得到約22化之衰減量。是以’ -10- 201230672 利用Mn-Zn系之相對磁導率μ s爲約5000之環狀核心的雜音 去除濾波器100，低通之衰減特性雖然優良’高通部於 40MHz附近則只能得到約14dB之衰減量，可以得知高通之 衰減特性較差。 其次，於以Μη-Zn系作爲環狀核心之內徑爲約3 1亳米 '相對磁導率μ s爲約2500之環狀核心’捲繞22圈電線來 構成第1抗流線圈CH1及第2抗流線圈CH2。由該第1抗流線 圈CH1及第2抗流線圈CH2所構成之雜音去除濾波器1〇〇之 至1MHz爲止之衰減量的頻率特性如第4圖所示，改變尺度 之至100MHz爲止之衰減量的頻率特性則如第5圖所示。參 照第4圖的話，0.8MHz周邊約48dB之衰減量之峰値，代表 至1 MHz爲止有良好之衰減特性。此外，參照第5圖的話， 隨著頻率之增高，衰減量降低，約35MHz之衰減量降至約 17dB，約70MHz時，衰減量也降至約16dB。而且，70MHz 以上之頻率時，衰減量逐漸增加，約100MHz時，雖然有 峰値但只得到約21dB之衰減量。是以，利用Μη-Ζη系之相 對磁導率// s爲約25 00之環狀核心的雜音去除濾波器100, 低通之衰減特性雖然優良，高通部於70MHz附近則只能得 到約16dB之衰減量，可以得知高通之衰減特性較差。 其次，於以Ni-Zn系作爲環狀核心之內徑爲約27亳米 、相對磁導率// s爲約800之環狀核心，捲繞18圈電線來構 成第1抗流線圈CH1及第2抗流線圈CH2。由該第1抗流線圈 CH1及第2抗流線圈CH2所構成之雜音去除濾波器1〇〇之至 1MHz爲止之衰減量的頻率特性如第6圖所示，改變尺度之 -11 - 201230672 至100 MHz爲止之衰減量之頻率特性如第7圖所示。參照第 6圖的話，衰減量逐漸增加，然而，1 MHz周邊只能得到約 2 3dB之衰減量，至1MHz爲止衰減特性較差。此外，參照 第7圖的話，隨著頻率之增高，衰減量增加，約35MHz周 邊之衰減量增加至約46d。此時，於約7MHz至約55MHz之 寬頻帶，可以得到40dB以上之衰減量。而且，60MHz以上 之頻率時，衰減量逐漸降低，約95MHz時，只能得到約 12dB之衰減量。是以，使用Ni-Zn系之相對磁導率ys爲約 800之環狀核心的雜音去除濾波器100，高通之衰減特性雖 然優良，但低通部只能得到約20dB前後之衰減量，可以得 知低通之衰減特性較差。 如以上所示，發現Mn-Zn系之環狀核心及Ni-Zn系之環 狀核心，其衰減量之頻率特性不同，因而本發明之第1實 施例之雜音去除濾波器1的構成電路圖，如第8圖所示。 第8圖所示之第1實施例之雜音去除濾波器1，係利用2 條平行電線及電力線等之電線時的雜音去除濾波器。第1 實施例之雜音去除濾波器1，係將直列連接之；由將電線 捲繞於低通之衰減特性優良之Mn-Zn系環狀核心所構成之 第1抗流線圈CH 1 -1 ;及由將電線捲繞於高通之衰減特性優 良之Ni-Zn系環狀核心所構成之第2抗流線圈CH1-2 ;連接 於第1輸入端子IN1及第1輸出端子OUT1之間。此外，將直 列連接之：由將電線捲繞於低通之衰減特性優良之Mn-Zn 系環狀核心所構成之第3抗流線圈CH 1 -3 ;及由將電線捲繞 於高通之衰減特性優良之Ni-Zn系環狀核心所構成之第4抗 -12- 201230672 流線圈CHI-4;連接於第2輸入端子IN2及第2輸出端子 OUT2之間。捲繞於第1抗流線圈CH1-1至第4抗流線圈CiU-4之電線，可以爲單線，也可以爲絞線。該第1抗流線圈 CH 1-1至第4抗流線圈CH 1-4，係被收容於屏蔽外殼1〇內。 針對上述所說明之第1實施例之雜音去除濾波器1之使 用方法的一例進行說明的話，如下所示，將第1台雜音去 除濾波器1之第1輸入端子IN 1及第2輸入端子IN2，例如， 連接於變流器裝置之輸出側，而於該雜音去除濾波器1之 第1輸出端子OUT 1及第2輸出端子OUT2，分別連接2條平行 電線及電力線等之電線。此外，將第2台雜音去除濾波器1 之第1輸出端子OUT1及第2輸出端子OUT2，例如，連接於 變流器裝置之輸入側，而於該雜音去除濾波器1之第1輸入 端子IN1及第2輸入端子IN2，分別連接2條連結於太陽能面 板之平行電線等之電線。是以，藉由於發生雜音之變流器 裝置之輸入側及輸出側，分別連接著雜音去除濾波器1， 而極力防止變流器裝置所發生之高頻雜音，由連接於太陽 能面板之電線或連接於變流器裝置之電力線放射出來。 此處，針對第1實施例之雜音去除濾波器1之具體構成 的一例進行說明。使用於第1抗流線圈CH 1 -1及第3抗流線 圈CH 1-3之Mn-Zn系環狀核心，係內徑爲約31亳米’相對 磁導率/zs爲約2500，捲繞著22圈電線來構成第1抗流線圈 CH 1 -1及第3抗流線圈CH 1 -3。此外，使用於第2抗流線圈 CH1-2及第4抗流線圏CH1-4之Ni-Zn系環狀核心，內徑爲約 27亳米，相對磁導率爲約800’捲繞著18圈電線來構成 -13- 201230672 第2抗流線圈CHI-2及第4抗流線圈CHI-4。 由如上述構成之第1抗流線圈CH1-1至第4抗流線圈 CH1-4所構成之第1實施例之雜音去除濾波器1之至1MHz爲 止之衰減量的頻率特性’如第10圖所示’改變尺度之至 10 0MHz爲止之衰減量的頻率特性則如第1 1圖所示。參照 第10圖的話，至約〇·8ΜΗζ爲止，衰減量逐漸增加，於 0.8MHz周邊，有約44dB之衰減量的峰値，表示至1MHz爲 止有良好之衰減特性。此外，參照第1 1圖的話，於2.3MHz 附近，衰減量雖然降低至約35dB’然而，其以上之頻率時 ，衰減量增力□，約35MHz周邊，衰減量增加至約58dB。此 時，從約4MHz至75MHz之寬頻帶可以得到40dB以上之衰 減量。並且，80MHz以上之頻率時，衰減量逐漸降低，約 95MHz時，降低至約25dB之衰減量。是以，本發明之第1 實施例之雜音去除濾波器1，不但低通之衰減特性優良， 同時，高通之衰減特性也十分優良，於約0.5 MHz〜約 9 0 MHz之寬頻帶可以得到安定而大之衰減量。此外，不論 公用模式或正常模態之雜音，全部模態之高頻雜音皆可去 除。 其次，本發明之第2實施例之雜音去除濾波器2的構成 電路圖，如第9圖所示。 第9圖所示之第2實施例之雜音去除濾波器2，係使用 包含平行電線及電力線等之接地線在內之3條電線時的雜 音去除濾波器。第2實施例之雜音去除濾波器2，以去除接 地線上之高頻雜音爲目的，於第1實施例之雜音去除濾波 -14- 201230672 器1，附加了 ：將由將電線捲繞於Mn_Zn系環狀核心所構成 之第5抗流線圈CH2-1、及由將電線捲繞於Ni-Zn系環狀核 心所構成之第6抗流線圏CH2-2直列連接於連接至接地線之 第3輸入端子IN3及第3輸出端子OUT3之間的構成；其他構 成，係與第1實施例之雜音去除濾波器1相同。捲繞於第1 抗流線圈CH1-1至第6抗流線圈CH2-2之電線，可以爲單線 ，也可以爲絞線。該第1抗流線圈CH 1 -1至第6抗流線圈 CH2-2，係被收容於屏蔽外殼20內。 針對上述所說明之第2實施例之雜音去除濾波器2之使 用方法的一例進行說明的話，如下所示，將第1台雜音去 除濾波器2之第1輸入端子IN1及第2輸入端子IN2，例如， 連接於變流器裝置之輸出側，而且，將第3輸入端子IN3連 接於變流器裝置之接地線，於該雜音去除濾波器2之第1輸 出端子OUT 1及第2輸出端子OUT2，分別連接平行電線及電 力線等之2條電線，同時，將接地線連接於第3輸出端子 OUT3。此外，將第2台之雜音去除濾波器2之第1輸出端子 OUT1及第2輸出端子OUT2，例如，係連接於變流器裝置之 輸入側，而且，將第3輸出端子OUT3連接至變流器裝置之 接地線，於該雜音去除濾波器2之第1輸入端子IN 1及第2輸 入端子IN2，分別連接著連接於太陽能面板之平行電線等 之2條電線，同時，第3輸入端子IN3則連接著接地線。是 以，藉由於發生雜音之變流器裝置之輸入側及輸出側分別 連接雜音去除濾波器2’而極力防止變流器裝置所發生之 高頻雜音，由連接於太陽能面板之電線或連接於變流器裝 -15- 201230672 置之電力線放射出來。此外，只有2條連接太陽能面板及 變流器裝置之電線而無接地線時，將第1實施例之雜音去 除濾波器1連接於變流器裝置之輸入側，再以2條電線連接 太陽能面板即可。 此處，針對第2實施例之雜音去除濾波器2之具體構成 的一例進行說明。使用於第1抗流線圈CH 1 -1、第3抗流線 圈CH1-3、及第5抗流線圈CH2-1之Mn-Zn系環狀核心，係 內徑爲約31亳米，相對磁導率# s爲約2500，捲繞著22圈 電線來構成第1抗流線圈CH1-1、第3抗流線圈CH1-3、及 第5抗流線圈CH2-1。此外，使用於第2抗流線圈CH1-2、 第4抗流線圈CH1-4、及第6抗流線圈CH2-2之Ni-Zn系環狀 核心，係內徑爲約27亳米，相對磁導率# s爲約800，捲繞 著18圈電線來構成第2抗流線圈CH1-2、第4抗流線圈CH1-4、及第6抗流·線圈CH2-2。 如上所述之構成之本發明之第2實施例的雜音去除濾 波器2，因爲不但低通之衰減特性優良，高通之衰減特性 也十分優良，與第1實施例之雜音去除濾波器1相同，於約 0.5MHz〜約90MHz之寬頻帶，可以得到安定而大之衰減量 。此外，不論公用模式或正常模態之雜音，全部模態之高 頻雜音皆可去除。 其次，本發明之第3實施例之雜音去除濾波器3的構成 電路圖，如第12圖所示。 第1 2圖所示之第3實施例之雜音去除濾波器3，係使用 2條平行電線及電力線等之電線時的雜音去除濾波器。第3 -16- 201230672 實施例之雜音去除濾波器3，係於第1實施例之雜音去除濾 波器1，附加了 ：於第1抗流線圈CH 1 -1之前，直列連接低 通之衰減特性優良之相對磁導率不同於第1抗流線圈CH1-1 之由將電線捲繞於Μη-Ζη系環狀核心所構成的第5抗流線圈 CH3-1 ；及於第3抗流線圏CH 1 -3之前，直列連接低通之衰 減特性優良之相對磁導率不同於第3抗流線圈CH1-3之由將 電線捲繞於Μη-Ζη系環狀核心所構成之第6抗流線圈CH3-2 的構成；其他構成，則與第1實施例之雜音去除濾波器1相 同。此外，捲繞於第1抗流線圈CH 1-1至第6抗流線圈CH3-2之電線，可以爲單線，也可以爲絞線。該第1抗流線圈 CH1-1至第6抗流線圈CH3-2，係被收容於屏蔽外殻30內。 上述說明之第3實施例之雜音去除濾波器3的使用方法 ，與上述第1實施例之雜音去除濾波器1相同。省略其詳細 說明，然而，藉由於發生雜音之變流器裝置之輸入側及輸 出側分別連接雜音去除濾波器3，可以極力防止變流器裝 置所發生之高頻雜音，由連接於太陽能面板之電線及連接 於變流器裝置之電力線放射出來。 此處，針對第3實施例之雜音去除濾波器3之具體構成 的一例進行說明。使用於第1抗流線圏CH1-1及第3抗流線 圈CH 1-3之Μη-Ζη系環狀核心，係內徑爲約31亳米’相對 磁導率V s爲約2 5 0 0，捲繞著2 2圈電線來構成第1抗流線圈 CH 1 -1及第3抗流線圈CH 1 -3。此外，使用於第2抗流線圈 CH1-2及第4抗流線圈CH1-4之Ni-Zn系環狀核心’係內徑爲 約27亳米，相對磁導率爲約800，捲繞著18圈電線來構 -17- 201230672 成第2抗流線圈CHI-2及第4抗流線圈CHI-4。此外’使用 於第5抗流線圏CH3-1及第6抗流線圈CH3-2之Mn-Zn系環狀 核心，係內徑爲約4 0亳米’相對磁導率# s爲約5 0 0 0 ’捲 繞著2 4圈電線來構成第5抗流線圈C Η 3 -1及第ό抗流線圈 CH3-2。 由如上述構成之第1抗流線圈CH 1-1至第6抗流線圈CH 3-2所構成之第3實施例之雜音去除濾波器3之至1MHz爲止 之衰減量的頻率特性，如第14圖所示，改變尺度之至 1 0 0MHz爲止之衰減量的頻率特性則如第1 5圖所示。參照 第14圖的話，至約0.2MHz爲止，衰減量急速增加，於 0.2MHz周邊，可以得到約40dB之衰減量。此外，隨著頻 率之增高，衰減量增加，於0.8MHz周邊，有約51dB之衰 減量的峰値，表示至1MHz爲止有良好之衰減特性。此外 ，參照第14圖的話，於2.3MHz附近，衰減量雖然降低至約 42dB，然而，其以上之頻率時，衰減量增加，約30MHz周 邊，衰減量增加至約7 OdB。超過30MHz的話，衰減量緩慢 下降，然而，至100MHz爲止，可以得到約49dB以上之衰 減量。所以，於約0.2MHz至約100MHz之寬頻帶，可以得 到4 OdB以上之衰減量。是以，本發明之第3實施例之雜音 去除濾波器3，不但低通之衰減特性優良，同時，高通之 衰減特性也十分優良，於約0.2MHz〜約100MHz之寬頻帶 可以得到安定而大之衰減量。此外，不論公用模式或正常 模態之雜音，全部模態之高頻雜音皆可去除。 其次’本發明之第4實施例之雜音去除濾波器4的構成 •18- 201230672 電路圖，如第1 3圖所示。 第13圖所示之第4實施例之雜音去除濾波器4，係使用 包含平行電線及電力線等之接地線在內之3條電線時的雜 音去除濾波器。第4實施例之雜音去除濾波器4，係於第2 實施例之雜音去除濾波器2，附加了 ：於第1抗流線圈CH 1 -1之前，直列連接低通之衰減特性優良之相對磁導率不同 於第1抗流線圈CH1-1之由將電線捲繞於Mn-Zn系環狀核心 所構成的第7抗流線圈CH3-1 ;於第3抗流線圈CH1-3之前 ，直列連接低通之衰減特性優良之相對磁導率不同於第3 抗流線圈CH 1-3之由將電線捲繞於Mn-Zn系環狀核心所構 成之第8抗流線圈CH3-2;及於第5抗流線圈CH2-1之前， 直列連接低通之衰減特性優良之相對磁導率不同於第5抗 流線圈CH2-1之由將電線捲繞於Mn-Zn系環狀核心所構成 之第9抗流線圈CH3-3的構成；其他構成，則與第2實施例 之雜音去除濾波器2相同。此外，捲繞於第1抗流線圈CH1· 1至第9抗流線圈CH3-3之電線，可以爲單線，亦可以爲絞 線。該第1抗流線圖CH1-1至第9抗流線圈CH3-3，係被收 容於屏蔽外殼40內。 上述說明之第4實施例之雜音去除濾波器4的使用方法 ，與上述第2實施例之雜音去除濾波器2相同。省略其詳細 說明，然而，藉由於發生雜音之變流器裝置之輸入側及輸 出側分別連接雜音去除濾波器4，可以極力防止變流器裝 置所發生之高頻雜音，由連接於太陽能面板之電線及連接 於變流器裝置之電力線放射出來。此外，只有2條連接太 -19- 201230672 陽能面板及變流器裝置之電線而無接地線時，將第3實施 例之雜音去除濾波器3連接於變流器裝置之輸入側，再以2 條電線連接太陽能面板即可。 此處，針對第4實施例之雜音去除濾波器4之具體構成 的一例進行說明。使用於第1抗流線圈CH 1 -1、第3抗流線 圏CH1-3、及第5抗流線圈CH2-1之Mn-Zn系環狀核心，係 內徑爲約31亳米，相對磁導率爲約2500，捲繞著22圈 電線來構成第1抗流線圈CH 1 -1、第3抗流線圈CH 1 -3、及 第5抗流線圈CH2-1。此外，使用於第2抗流線圈CH卜2、 第4抗流線圈CH1-4、及第6抗流線圈CH2-2之Ni-Zn系環狀 核心，係內徑爲約2 7亳米，相對磁導率// s爲約8 0 0，捲繞 著18圈電線來構成第2抗流線圈CH1-2、第4抗流線圈CH1-4、及第6抗流線圏CH2-2。此外，使用於第7抗流線圈 CH3-1、第8抗流線圈CH3-2、及第9抗流線圈CH3-3之Mn-Zn系環狀核心，係內徑爲約40亳米，相對磁導率v s爲約 5 00 0，捲繞著24圈電線來構成第7抗流線圈CH3-1、第8抗 流線圈CH3-2、及第9抗流線圈CH3-3。 如上所述之構成之本發明之第4實施例的雜音去除濾 波器4，因爲不但低通之衰減特性優良，高通之衰減特性 也十分優良，與第3實施例之雜音去除濾波器3相同，於約 0.2MHz〜約100MHz之寬頻帶，可以得到安定而大之衰減 量。此外，不論公用模式或正常模態之雜音，全部模態之 高頻雜音皆可去除。 以上說明之本發明的雜音去除濾波器，將電線捲繞 -20- 201230672 Μη·Ζη系環狀核心時，因爲Mn-Zn系之肥粒鐵的電阻率爲 較小之10〜數百Ω. cm，故採用於捲繞於Μη-Zn系環狀核 心之電線實施絕緣覆蓋之構造的電線。此外，雖然Ni-Zn 系之肥粒鐵的電阻率爲極高之1〇5Ω · cm以上，然而，爲了 防止捲繞電線彼此短路，捲繞於Ni-Zn系環狀核心之電線 ，也以採用實施絕緣覆蓋之構造的電線爲佳。 此外，上述之說明中，係採用環狀之環狀核心，然而 ，本發明並未受限於此，也可使用剖面形狀爲橢圓形或矩 形之環狀核心。此外，上述說明之環狀核心的形狀、尺寸 、及電線之捲數只是一例，本發明亦可以爲其他環狀核心 之形狀、尺寸、及電線捲數。此外，直列連接於輸出入端 子之間的抗流線圈之數亦可以爲4以上。此時’於高通’ 至少直列連接一個可得到優良衰減量之抗流線圈’而於低 通，也至少直列連接一個可得到優良衰減量之抗流線圈。 此外，藉由將平行電線捲繞於第1、2之輸出入端子共 用之環狀核心，可以成爲只去除公用模式雜音之公用模式 濾波器。 【圖式簡單說明】 第1圖係實現本發明之雜音去除濾波器之經過之未具 備電容之雜音去除濾波器的構成電路圖。 第2圖係第1圖所示之雜音去除濾波器之利用Mn-Zn系 之環狀核心時之衰減量的頻率特性圖。 第3圖係第1圖所示之雜音去除濾波器之利用Mn_Zr^^ -21 - 201230672 之環狀核心時之衰減量之其他的頻率特性圖。 第4圖係第1圖所示之雜音去除濾波器之利用Mn-Zn系 之其他之相對磁導率之環狀核心時之衰減量的頻率特性圖 〇 第5圖係第1圖所示之雜音去除濾波器之利用Mn-Zn系 之其他之相對磁導率之環狀核心時之衰減量之其他的頻率 特性圖。 第6圖係第1圖所示之雜音去除濾波器之利用Ni-Zn系 之環狀核心時之衰減量的頻率特性圖。 第7圖係第1圖所示之雜音去除濾波器之利用Ni-Zn系 之環狀核心時之衰減量之其他的頻率特性圖。 第8圖係本發明之第1實施例之雜音去除濾波器的構成 電路圖。 第9圖係本發明之第2實施例之雜音去除濾波器的構成 電路圖。 第10圖係本發明之第1實施例之雜音去除濾波器之衰 減量的頻率特性圖。 第11圖係本發明之第1實施例之雜音去除濾波器之衰 減量之其他的頻率特性圖。 第12圖係本發明之第3實施例之雜音去除濾波器的構 成電路圖。 第13圖係本發明之第4實施例之雜音去除濾波器的構 成電路圖。 第14圖係本發明之第3實施例之雜音去除濾波器之衰 -22- 201230672 減量的頻率特性圖。 第15圖係本發明之第3實施例之雜音去除濾波器之衰 減量之其他的頻率特性圖。 第16圖係傳統之基本LPF電路的構成電路圖。 第17圖係使用π型之LPF電路之傳統線路濾波器的構成 電路圖。 第18圖係使用Τ型之LPF電路之傳統線路瀘波器的構成 電路圖。 第19圖係只使用抗流線圈之傳統線路濾波器的構成電 路圖。 【主要元件符號說明】 1 :雜音去除濾波器 2 :雜音去除濾波器 3 :雜音去除濾波器 4 :雜音去除濾波器 1 〇 :屏蔽外殼 20 :屏蔽外殼 3 0 :屏蔽外殻 40 :屏蔽外殻 100 :雜音去除濾波器 200 :線路濾波器 300 :線路濾波器 400 :線路濾波器 -23- 201230672 410 :數據機 4 1 1 :第1抗流線圈 4 1 2 :第2抗流線圈 4 1 3 :插頭 -24-