TW201325713A - 製備氫鹵烷之催化性氟化製程 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一氟化製程，其包括使具有化學式RfCCl=CH2的氫鹵烯與HF在一含有氟化催化劑的反應區內反應生成一含具有化學式RfCFClCH3的氫鹵烷的產物混合物；前述氟化催化劑係選自由TaF5及TiF4所組成的群組；前述Rf是全氟烷基。
Description
本申請案係主張美國臨時申請案USSN 61/558,081及61/558,086為優先權案。該二美國臨時申請案係於西元2011年11月10日提出申請，且其內容係併入於本案說明書中做為參考文獻。
本發明基本上關於一用於製備氫鹵烷的催化性氟化製程。更明確地，本發明關於氫鹵烯和HF於使用TaF5或TiF4作為催化劑的氟化反應。
氫鹵烷，如HClFCs(氫氯氟碳化合物)，具有廣泛的應用，包括做為噴霧劑推進劑(aerosol propellant)、冷媒、清潔劑、供熱塑性及熱固性泡沫材料之膨脹劑、熱傳導介質、氣相介電質、滅火及抑火劑、動力循環工作流體、聚合介質、微粒去除流體、載劑流體、拋光研磨劑、及置換乾燥劑的使用。這類化合物也可做為HFOs(氫氟烯烴)的中間產物，其不僅對於平流臭氧層無害，對於全球增溫趨勢的影響也較低。
本發明提供一氟化製程，其包含使一具有化學式RfCCl=CH2的氫鹵烯與HF在一含有有效量之氟化催化劑及反應條件的反應區內反應生成一含具有化學式RfCFClCH3的氫鹵烷的產物混合物，且實質上不形成
RfCF2CH3；前述氟化催化劑係選自由TaF5及TiF4所組成的群組；其中Rf為全氟烷基。這些反應係於特定條件下進行，以促進RfCFClCH3的形成而最小化RfCF2CH3及RfCHClCH2F的生成。
後續一般性的描述及下述詳細的記載僅屬示範性質及解釋用途，而不應限制定義於所附申請專利範圍的發明。其他任一或數個實施態樣的特徵或優點將顯示於下述詳細的記載及申請專利範圍中
文中所用「包含(comprises,comprising)」、「包括(includes,including)」、「具有(has,having)」或其他該等詞彙的變化係欲表達一非排除式的包含形式。舉例來說，一包含表列元件的製程、方法、物品或裝置其並非必須限定於僅包含該等元件，而係可能包括其他未列出或非本質上屬於該製程、方法、物品、或裝置的元件。此外，除非文中有相反的闡釋，否則「或」係指一涵蓋式的或，而非排除式的或。舉例來說，描述為A或B的狀況係以下任何一種：A為是(或稱存在)且B為非(或稱不存在)、A為非(或稱不存在)且B為是(或稱存在)、及A及B兩者皆為是(或稱存在)。
並且，冠詞「一(a,an)」係用以描述所涵蓋的元件或要素。此敘述方式僅是為了簡潔，並有助於提供所請發明之範圍的一般性的樣貌。這樣的描述應解讀為包括一個或至少一個，並且該單數詞彙也應該包括其複數態樣除非文意顯非如此。
除非另有定義，否則所有文中所用技術或科學詞彙係與發明所屬領域中具有通常知識者所理解之基本意義相同。當在解釋上有所矛盾時，以本發明說明書中的定義為準。
雖然在實行或測試本發明之實施態樣時，可使用文中所描述之方法及材料的相似或均等物，合適的方法及材料以記載於後續段落。此外，該材料、方法及例子僅屬示範性質，並非意欲限制本發明。
當一含量、濃度或其他數值及參數時，係以一範圍、較佳範圍、或列出較佳之上限值及/或較佳的下限值描述時，其當理解為所揭露之任何上限值或較佳數值及下限值或較佳數值所組成的範圍，不論該些範圍是否被特定地描述。除非另有陳述，否則一記載之數值範圍係意欲包括該範圍的端點及所有涵蓋於該範圍中的整數及分數。
文中所述「去氯化氫化(dehydrochlorinating,dehydrochlorination,dehydrochlorinated)」係指一個將一分子中鄰近碳原子上的氫原子及氯原子去除的製程。
文中所述「烷基(alkyl)」，不論單獨陳述或描述於一化合物的命名中(如，全氟烷基)，包括環烷基或非環烷基、及直鏈烷基或分支烷基，如甲基、乙基、正丙基、異丙基、或其異構物。舉例來說，應包括：含1至6個碳原子的直鏈或分支烷基、及含3至6個碳原子之環且至多總共含10個碳原子的環狀烷基。
文中所述「全氟烷基」係指一烷基團，其中所有碳原子上的氫原子皆被氟原子取代。在本發明的許多實施
態樣中，前述全氟烷基係全氟化的C1-C6烷基團。全氟化的C1-C6烷基團的例子包括-CF3及-CF2CF3。
文中所述「對CF3CFClCH3的產物選擇率」係指在CF3CCl=CH2與HF的反應中所得之CF3CFClCH3的莫耳百分比，其係以所有所得之有機產物的總莫耳數為基礎。
文中所述「對CF3CF2CH3的產物選擇率」係指在CF3CCl=CH2與HF的反應中所得之CF3CF2CH3的莫耳百分比，其係以所有所得之有機產物的總莫耳數為基礎。
文中所述「對CF3CFClCH3的位置選擇性(regioselectivity)」係指在CF3CCl=CH2與HF的反應中所得之CF3CFClCH3的莫耳百分比，其係以所得之CF3CFClCH3及CF3CHClCFH2的總和莫耳數為基礎。
文中所述「實質上不形成RfCF2CH3」係指RfCF2CH3僅有實質上低的生成量，例如，相對於起始材料RfCCl=CH2，其生成量為少於約2 mole%。
文中所述「實質上不形成RfCHClCH2F」係指RfCHClCH2F僅有實質上低的生成量，例如，相對於起始材料RfCCl=CH2，其生成量為少於約5 mole%。
本發明所揭露者為一氟化製程，其包含使一具有化學式RfCCl=CH2的氫鹵烯與HF在一含有氟化催化劑的反應區內反應，以生成一含具有化學式RfCFClCH3的氫鹵烷的產物混合物；前述氟化催化劑係選自由TaF5及TiF4所組成的群組；其中Rf為全氟烷基；其中前述氟化催化劑係存在一有效量以實質上形成RfCFClCH3，而實
質上不形成RfCF2CH3或RfCHClCH2F。該反應為一液相氟化製程。
在本發明的許多實施態樣中，所欲之產物，如化學式為RfCFClCH3的氫鹵烷，係自前述產物混合物中回收。
在本發明的許多實施態樣中，前述氫鹵烯起始材料為CF3CCl=CH2(即，Rf是CF3)且前述氫鹵烷產物為CF3CFClCH3。
在本發明的許多實施態樣中，前述氫鹵烯起始材料為CF3CF2CCl=CH2(即，Rf是CF3CF2)且前述氫鹵烷產物為CF3CF2CFClCH3。
在本發明的許多實施態樣中，前述氟化催化劑為TaF5。一般來說，當前述氟化製程係在TaF5存在下進行時，前述反應區內的溫度係自約90℃至約160℃。在本發明的許多實施態樣中，前述溫度係自約95℃至約160℃。在本發明的許多實施態樣中，前述溫度係自約95℃至約125℃。在其他額外的實施態樣中，前述反應的溫度範圍係於自約98℃至約114℃的範圍。
一般來說，當前述氟化製程係在TaF5存在下進行時，TaF5於反應中的使用量係具化學式RfCCl=CH2之氫鹵烯的含量的至少1 mole%。在本發明的許多實施態樣中，TaF5於反應中的使用量係具化學式RfCCl=CH2之氫鹵烯的含量的至少10 mole%。在本發明的許多實施態樣中，TaF5於反應中的使用量係具化學式RfCCl=CH2之氫鹵烯的含量的至少20 mole%。在本發明的許多實施態樣中，TaF5於反應中的使用量係基於具化學式RfCCl=CH2之氫鹵烯的含量的至多30 mole%。在許多例子中，TaF5
於反應中的使用量係具化學式RfCCl=CH2之氫鹵烯的含量的不超過20 mole%。因此，在本發明的實施態樣中，TaF5存在於反應中的存在量範圍係氫鹵烯的約1 mole%至約30 mole%。在另一實施態樣中，其範圍係氫鹵烯的約10 mole%至約20 mole%。因此，在本發明的另一個面向中，TaF5於反應中的使用量係氫鹵烯的約1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、或30 mole%。
在本發明的許多實施態樣中，前述氟化催化劑為TiF4。一般來說，當前述氟化製程係在TiF4存在下進行時，前述反應區內的溫度係自約90℃至約200℃。在本發明的許多實施態樣中，前述溫度係自約120℃至約180℃。在本發明的許多實施態樣中，前述溫度係自約140℃至約160℃。
一般來說，當前述氟化製程係在TiF4存在下進行時，TiF4於反應中的使用量係具化學式RfCCl=CH2之氫鹵烯的含量的至少1 mole%。在本發明的許多實施態樣中，TiF4於反應中的使用量係具化學式RfCCl=CH2之氫鹵烯的含量的至少10 mole%。在本發明的許多實施態樣中，TiF4於反應中的使用量係具化學式RfCCl=CH2之氫鹵烯的含量的至少35 mole%。在本發明的許多實施態樣中，TiF4於反應中的使用量係具化學式RfCCl=CH2之氫鹵烯的含量的不超過35 mole%。因此，在本發明的實施態樣中，TiF4於反應中的存在量範圍係氫鹵烯的約1 mol%至約35 mol%。在另一實施態樣中，TiF4的存在量係氫鹵烯的約10 mol%至約30 mol%。在本發明的另一個
面向中，TiF4的存在量係氫鹵烯的含量的1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、或35 mole%。
TaF5及TiF4可自市場上取得。它們亦可藉由在約25℃至180℃的溫度下使HF分別與TaCl5及TiCl4反應而製得。在本發明的許多實施態樣中，前述溫度係自25℃至130℃。在本發明的許多實施態樣中，TaCl5及TiCl4係在使用於氟化製程之前才配製。舉例來說，在預備使用於氟化製程的同一個反應器中，使TaCl5或TiCl4經過量之HF處理。於反應中生成的HCl係自反應器中排出，而生成之TaF5/HF或TiF4/HF混合物可使用於後續的氟化製程。
一般來說，本發明之氟化製程係於無水或實質上無水的環境下進行，所謂實質上無水意指將盡可能地排除反應區域中對反應而言不利的水分。
一般來說，本發明之氟化製程係於液相中進行。HF、氫鹵烯起始材料、及氫鹵烷產物亦可作為TaF5及TiF4催化劑的溶劑，而前述氟化製程可在不需額外溶劑的情況下進行。
在本發明的許多實施態樣中，前述氟化製程係在額外溶劑存在下進行。通常來說，前述額外溶劑係一惰性化學性化合物且不會與其他反應中的化合物或催化劑產生反應。如需使用前述額外溶劑，則前述額外溶劑需加熱至沸騰以使其與未轉換之起始材料(HF及RfCCl=CH2)及所欲之產物(RfCFClCH3)分離。在本發明
的許多實施態樣中，合適之惰性溶劑是全氟烷化的烷類。在本發明的許多實施態樣中，合適之惰性溶劑是低分子量的腈類，如乙腈及丙腈。在本發明的許多實施態樣中，前述額外溶劑為碸類，如環丁碸。
前述氟化反應中使用之HF對化學式RfCCl=CH2之氫鹵烯的莫耳比，一般而言係約1：1至約100：1。在本發明的許多實施態樣中，前述莫耳比係約1：1至約20：1。在本發明的許多實施態樣中，前述莫耳比係約1：1至約10：1。在本發明的許多實施態樣中，前述莫耳比係約1：1至約5：1。在本發明的許多實施態樣中，前述莫耳比係約1：1至約2：1。
一般而言，本發明之前述氟化製程係在自生壓力(autogenous pressure)下進行。在本發明的許多實施態樣中，前述氟化製程所採用之壓力係約100 psig至約800 psig。在本發明的許多實施態樣中，前述氟化製程所採用之壓力係約100 psig至約550 psig。在本發明的許多實施態樣中，前述氟化製程所採用之壓力係約100 psig至約270 psig。
本發明之氟化製程可在分批反應器、連續式反應器、或任何所屬領域習知之該等反應器之組合中進行。在本發明的許多實施態樣中，HF及前述氟化催化劑係在與化學式RfCCl=CH2之氫鹵烯接觸或反應之前預先混合。本發明的許多實施態樣中，化學式RfCCl=CH2之氫鹵烯係導入一含有HF及前述氟化催化劑之混合物的反應區。本發明的許多實施態樣中，化學式RfCCl=CH2之氫鹵烯係與HF一同導入一含有HF及前述氟化催化劑之混合物的反應區。本發明的許多實施態樣中，HF
及前述氟化催化劑之混合物係一同導入一含有化學式RfCCl=CH2之氫鹵烯的反應區。本發明的許多實施態樣中，在與HF及化學式RfCCl=CH2之氫鹵烯接觸前，前述氟化催化劑係溶於一額外的溶劑。
在本發明的許多實施態樣中，本發明製程係在僅有一個前面所述之催化劑存在下進行。在本發明的另一個面向中，前述反應係在含兩個前面所述之催化劑的混合物的存在下進行，只要前述催化劑的總莫耳比例如文中所述地仍落在氯化鉭的莫耳比例中。在本發明的一個實施態樣中，本發明製程係在缺乏速率增強劑(rate enhancing reagent)的情況下進行；該速率增強劑例如美國專利公開第2009/0018377號中所記載者，如1,1,2-三氯-1-氟乙烷或三氯乙烯。在本發明的另一個面向中，可存在該速率增強劑。
當Rf是CF3時，經由實驗得知，本發明之氟化製程提供高的CF3CCl=CH2起始材料轉換率。在本發明的許多實施態樣中，在前述氟化製程中前述CF3CCl=CH2的轉換率係至少85%。在本發明的許多實施態樣中，在前述氟化製程中前述CF3CCl=CH2的轉換率係至少90%。
當Rf是CF3時，經由實驗得知，本發明之氟化製程以高選擇率生成CF3CFClCH3產物。在本發明的許多實施態樣中，前述對CF3CFClCH3的產物選擇率係至少90 mole%。在本發明的許多實施態樣中，前述對CF3CFClCH3的產物選擇率係至少95 mole%。在本發明的許多實施態樣中，前述對CF3CFClCH3的產物選擇率係至少98 mole%。CF3CFClCH3可進一步經HF氟化而生成CF3CF2CH3。
所欲之具有化學式RfCFClCH3的氫鹵烷產物可藉由已知技術回收。在氟化反應結束後，前述反應可經水驟冷(quench)。形成之強酸性水相層可藉由一緩衝溶液，如磷酸緩衝液(phosphates)來中和。將有機相層分離、乾燥並蒸餾以回收所欲之氫鹵烷產物。在本發明的許多實施態樣中，回收之具有化學式RfCFClCH3的氫鹵烷產物至少具有95 mole%的純度。在本發明的許多實施態樣中，回收之具有化學式RfCFClCH3的氫鹵烷產物至少具有98 mole%的純度。
前述氟化反應區的流出物(effluent)係一產物混合物，其一般而言包含未反應的起始材料(RfCCl=CH2及HF)、前述催化劑、所欲之具有化學式RfCFClCH3的氫鹵烷產物、及一些副產物。前述副產物可能包括未氟化之化合物RfCCl2CH3及過度氟化之化合物RfCF2CH3。根據實驗結果驚訝地發現，以前面所述之方式進行的前述氟化製程將CF3CF2CH3副產物的生成控制在少量的程度。當Rf是CF3時，根據實驗結果，如前面所述之前述氟化製程之反應的位置選擇性非常的高。CF3CCl=CH2及HF之間的氟化反應可能生成CF3CFClCH3異構物及CF3CHClCH2F。據觀察，以前面所述之方式進行的前述氟化製程，相較於生成CF3CHClCH2F，實質上生成較多的CF3CFClCH3。在本發明的許多實施態樣中，對CF3CFClCH3的位置選擇性是至少95 mole%。在本發明的許多實施態樣中，對CF3CFClCH3的位置選擇性是至少98 mole%。
在本發明的許多實施態樣中，對CF3CF2CH3的產物選擇率是不大於2 mole%。在本發明的許多實施態樣
中，對CF3CF2CH3的產物選擇率是不大於1 mole%。換言之，在前面所述的條件下，本發明製程(如果有的話)僅產出少量的經HF氟化RfCCl=CH2之末端碳原子的產物、及/或氟原子取代RfCCl=CH2結構中非末端碳原子上的氯離子的產物。前面所提到的條件，如催化劑對RfCCl=CH2的莫耳比例及反應溫度，使得該反應合適於製備四氟丙烯(包括2,3,3,3-四氟丙烯；HFO-1234yf)的製程。
在本發明的一個實施態樣中，本發明之前述氟化製程係一製備四氟丙烯(包括2,3,3,3-四氟丙烯；HFO-1234yf)的製程的中間製程。
在前述反應的第一個步驟中，前述氯氫碳原子與HF在氟化反應條件及催化劑的存在下生成CF3CCl=CH2(HCFC 1233xf)。此處提供了三個可選擇的反應，其中每一個係以不同的起始材料進行。在一個反應中，使用1,1,2,3-四氯丙烯為起始材料；在第二個反應中，使用2,3,3,3-四氯丙烯為起始材料；在第三個反應中，使用1,1,1,2,3-五氯丙烷為起始材料。在第三個可行的反應中，不僅1,1,1,2,3-五氯丙烷被氟化，該反應物也經去氯化氫化以生成2-氯-3,3,3-三氟丙烯(HCFO-1233xf)。前述反應的第二個步驟是使HCFO-1233xf在催化劑的存在下進行氟化以生成2-氯-1,1,1,2-四氟丙烷(HCFC_244bb)。第三個反應步驟係使HCFC 244bb進行去氯化氫化以產出2,3,3,3-四氟丙烯(HCFO-1234yf)。
在前述製程的第二個步驟中，前述2-氯-3,3,3-三氟丙烯(1233xf)經氫氟化以形成3-氯-1,1,1,2-四氟丙烷(244bb)，其接著被去氯化氫化而形成冷媒2,3,3,3-四氟
丙烯(HFO-1234yf)。本發明製程的其中一個效果是使1,1,1,2,2-五氟丙烷(245cb)的生成最小化，因為245cb的生成會干擾且使得形成2,3,3,3-四氟丙烯(HFO-1234yf)的去氯化氫反應更難進行。如果存在太多催化劑，在前述製程的第二個步驟的反應中，會使HCFO-1233xf完全氟化而生成1,1,1,2,2-五氟丙烷(245cb)。如果存在太多RfCCl=CH2，則部分的RfCCl=CH2將不會被氟化。然而，藉由將反應維持在前面所述的反應條件，本發明製程使得1,1,1,2,2-五氟丙烷(245cb)及CF3CHClCH2F(1,1,1,3-四氟-2-氯丙烷)的生成最小化，並使得所欲之產物CF3CClFCH3的生成最大化。
因此，本發明的另一個面向是製備四氟丙烯，其包括2,3,3,3-四氟丙烯(HFO-1234yf)。
根據一個實施態樣，本發明包括一製備2,3,3,3-四氟丙基-1-烯的製程，其使用根據化學式I的起始材料：CX2=CCl-CH2X (化學式I)
CX3-CCl=CH2 (化學式II)
CX3-CHCl-CH2X (化學式III)
其中，X係獨立選自F、Cl、Br、及I；其限制條件是至少一個X非氟。在某些實施態樣中，化學式I的化合物含有至少一個氯、多數的X是氯、或所有X皆為氯。在某些實施態樣中，化學式I的化合物包括1,1,2,3-四氯丙烯(1230xa)。
前述方法基本上包括至少三個反應步驟。在第一個步驟中，化學式I的起始組合物(如1,1,2,3-四氯丙烯)
與無水HF在一第一氣相反應器中反應生成一2-氯-3,3,3-三氟丙烯(1233xf)和HCl的混合物。在特定實施態樣中，前述反應係在氣相且於一氣相催化劑存在下發生，例如但不限於：一氟化之氧化鉻。視前述催化劑的狀態，前述催化劑在使用前可經(或可不經)無水之氟化氫(HF；氟化氫氣體)活化。
雖然氟化之氧化鉻係經揭露作為一氣相催化劑，但本發明並不限定於這個實施態樣。任何領域中已知的氟化催化劑皆可使用於此製程中。合適的催化劑包括，但不限於：鉻、鋁、鉑、鎂、鎳及鐵的氧化物、氫氧化物、鹵化物、氧鹵化物、其無機鹽、其混合物、及前述任一種可選擇性地經氟化。在一個實施態樣中，前述催化劑是氧化鉻，例如Cr2O3。亦可使用助觸媒(Co-catalyst)。適合合併使用於第一氟化步驟的催化劑不限定地包括Cr2O3、FeCl3/C、Cr2O3/Al2O3、Cr2O3/AlF3、Cr2O3/carbon、CoCl2/Cr2O3/Al2O3、NiCl2/Cr2O3/Al2O3、CoCl2/AlF3、NiCl2/AlF3及其混合物。在一個實施態樣中，前述氧化鉻係與一助觸媒一起存在於氟化反應中。美國專利第5,155,082號揭露氧化鉻/氧化鋁的觸媒，其內容係合併於此做為參考文獻。美國專利第3,258,500號亦揭露鉻催化劑，其內容係合併於此做為參考文獻。在另一個實施態樣中，氧化鉻(III)如晶狀氧化鉻或無水氧化鉻係用以作為催化劑，而在本發明的另一個面向中，此氟化步驟所用之催化劑係一無水氧化鉻。一個如前所述之用於第一氟化步驟的氧化鉻催化劑為活化之氧化鉻凝膠催化劑，其係如美國專利第3,258,500號所示者。氧化鉻(Cr2O3)是市場上可取得的材料，其可以多種不同的
微粒大小購得。
根據本發明，第一氟化反應可在一般大氣壓力下進行。在另一實施態樣中，該反應可在小於或大於一般大氣壓力下進行。舉例來說，在一個實施態樣中，該製程可在約0 psig至約200 psig下進行，在另一個實施態樣中，在約0 psig至約200 psig，及在另一個實施態樣中，在約5 psig至約100 psig。
前述第一氟化反應係在有助於1233xf之轉換的條件下進行。在一實施態樣中，前述製程的溫度可自約150℃至約400℃；在另一實施態樣中，自約180℃至約400℃。在另一實施態樣中，前述溫度可自約180℃至約400℃；在另一實施態樣中，自約200℃至約300℃。
當化學式I之化合物為1,1,2,3,-四氯丙烯(HFO-1230xa)時，HF對1230xa於反應之第一步驟的莫耳比例為約1：1至約50：1，並且，在某些實施態樣中，自約10：1至約20：1。HF及HCFO-1230xa的反應係在自約150℃至約400℃的溫度(在某些實施態樣中，自約180℃至約300℃)及約0 psig至約200 psig的壓力(在某些實施態樣中，自約5 psig至約100 psig)下進行。前述1230xa與催化劑的接觸時間可自約1秒鐘至約60秒鐘，然而長於或短於前列時間亦可採用。
前述製程的第二步驟係如前所述之，2-氯-3,3,3-三氟丙烯(HCFO-1233xf)的氫氟化反應以形成2-氯-1,1,1,2-四氟丙烷(HCFC-244bb)。
本發明製程的第三步驟係RfCFClCH3(例如2-氯-1,1,1,2-四氟丙烷(HCFC-244bb))的去氯化氫化。具有
化學式RfCFClCH3的前述氫鹵烷產物可經去氯化氫化而產出一包含化學式RfCF=CH2之氫氟烯的產物混合物。一般來說，在前述氟化製程中產出之具有化學式RfCFClCH3的氫鹵烷是首先於前述產物混合物中回收並進行去氯化氫化。
在本發明的許多實施態樣中，前述去氯化氫化製程係藉由使RfCFClCH3熱解(pyrolyzing)而生成RfCF=CH2來進行。文中所述「熱解(pyrolyzing；pyrolysis)」係指不使用催化劑而藉助加熱而產生的化學變化。進行熱解的反應器可為任何形狀，但較佳地是採用直立圓管或螺旋圓管中的一種。熱源是自管體的外面供應，而化學反應則在管體內發生。值得注意的是，反應器中氣體於其中的流動係經部分阻礙以產生逆混合的效果，即，擾流(turbulence)，藉此促進氣體的混合及好的熱傳導。這類部分阻礙可簡易地藉由於反應器內部放置填充物來產生，如填充其橫截面或使用穿孔之折流板。該反應器中的填充物可以是粒狀物或纖維狀物，較佳地係配置於匣筒裝置中以便於裝設和移除；且其具有一開放式結構，如拉西環(Raschig Rings)或其他具有高自由體積(high free volume)的填充物，以避免焦炭的累積、使壓力降(pressure drop)的程度最小化，並允許空氣的自由流動。在本發明的許多實施態樣中，RfCFClCH3係於約400℃至約700℃的溫度下熱解以生成一包含RfCF=CH2的產物混合物。熱解製程亦揭露於美國專利公開號第2010-0105967號，其係合併於本說明書做為參考文獻。
在本發明的許多實施態樣中，前述去氯化氫製程係
在一催化劑的存在下進行。合適使用於去氯化氫化的催化劑包括碳、金屬(包括元素金屬、金屬氧化物、金屬鹵化物、及/或其他金屬鹽類)、氧化鋁、氟化氧化鋁、氟化鋁、氟氯化鋁、氧化鋁承載之金屬、氟化鋁或氟氯化鋁承載之金屬、氟化鋁承載之氟化鎂、氟化氧化鋁承載之金屬、碳承載之氧化鋁、碳承載之氟化鋁或氟氯化鋁、碳承載之氟化氧化鋁、碳承載之金屬、及金屬、氟化鋁或氟氯化鋁及石墨的混合物。適用載於催化劑上的金屬(可選擇地承載於氧化鋁、氟化鋁、氟氯化鋁、氟化氧化鋁、或碳)包括鉻、鐵及鑭。一般來說，當使用以承載於一基質，前述催化劑所含之所有金屬的總含量係自約0.1至20重量百分比；並且本發明的實施態樣中，係自約0.1至10重量百分比。在本發明的許多實施態樣中，用於去氯化氫化的催化劑包括碳、氧化鋁、及氟化氧化鋁。在本發明的許多實施態樣中，碳包括經酸洗的碳、活性碳、及三維碳材基質。該催化性去氯化氫製程亦揭露於美國專利公告第7,943,015號，其係合併於本說明書以做為參考文獻。
在本發明的許多實施態樣中，前述去氯化氫製程係藉由使RfCFClCH3與一鹼性水溶液反應生成一包含RfCF=CH2的反應混合物來進行。文中所述鹼性水溶液係指一液體，其根本上係一pH值大於7的水溶液；前述液體可以是一溶液、分散液、乳化液、懸浮液、或其類似物。在本發明的許多實施態樣中，前述鹼性水溶液具有8或更高的pH值。在本發明的許多實施態樣中，前述鹼性水溶液具有10或更高的pH值。在本發明的許多實施態樣中，使用一無機鹼來製備前述鹼性水溶液。
前述無機鹼可選自由下列物質所組成之群組：鹼金屬、鹼土金屬及其組合之氫氧化物、氧化物、碳酸鹽、及磷酸鹽。在許多實施態樣中，該無機鹼係氫氧化納、氫氧化鉀、或其組合。在本發明的許多實施態樣中，前述鹼性水溶液係一四級氫氧化銨之水溶液；該四級氫氧化銨的化學式為NR4OH，其中每一個R係獨立為氫、一C1-C16烷基、芳基、或經取代之烷基；其限制條件是非所有的R為氫。合適使用於本發明之NR4OH化合物的例子為n-氫氧化四丁銨、n-氫氧化四丙銨、氫氧化四乙銨、氫氧化四甲銨、苯甲基氫氧化三甲銨、十六基氫氧化三甲銨、及氫氧化膽鹼。可選擇地，RfCFClCH3會與前述鹼性水溶液在有機溶劑的存在下反應。在本發明的許多實施態樣中，前述有機溶劑係選自由下列物質所組成之群組：甲苯及其衍生物、醇類、鹵化烷類及鹵化芳類、腈化烷類及腈化芳類、烷基、烷氧基及芳基醚、醚、醯胺、酮、亞碸、磷酸酯、及其混合物。可選擇地，RfCFClCH3會與前述鹼性水溶液在一相轉移催化劑的存在下反應。文中所述相轉移催化劑欲指一可促進離子化合物自一水相或一固態形式轉移至有機相中的物質。該相轉移催化劑有助於水溶性成分與非水溶性成分之間的反應。在本發明的許多實施態樣中，前述相轉移催化劑係選自冠醚、鎓鹽、穴醚、聚烯烴、甘醇、其混合物、及其衍生物。前述相轉移催化劑可為離子性或中性。
本發明之實施態樣所示之製程所用的前述反應器、填充物、蒸餾塔、及其相連之進料管線、流出物管線、及其相連之元件可以抗腐蝕之材料來製造。一般而言抗腐蝕的材料包括TeflonTM材料及玻璃。一般使用之
製造材料尚包括不鏽鋼(特別是沃斯田鐵系者)、習知的高鎳合金(如MonelTM鎳銅合金、HastelloyTM鎳基合金、InconelTM鎳鉻合金)、及包銅鋼。
在第三步驟之1234yf生成中，前述244bb係經導入至一第二氣相反應器(去氯化氫反應器)以進行去氯化氫化而生成所欲之2,3,3,3-四氟丙基-1-烯(1234yf)產物。
前述催化劑可為金屬鹵化物、鹵化金屬氧化物、中性(或稱零氧化態)金屬或金屬合金、或塊狀或乘載型態之活性碳(activated carbon in bulk or supported form.Metal halide)。金屬鹵化物或金屬氧化物催化可包括但不限於：單價-、二價、及三價金屬鹵化物、氧化物、及其混合物/組合物，且更佳地為單價及二價金屬鹵化物及其混合物/組合物。組成金屬包括但不限於Cr3+、Fe3+、Mg2+、Ca2+、Ni2+、Zn2+、Pd2+、Li+、Na+、K+、及Cs+。組成鹵素包括但不限於F-、Cl-、Br-、及I-。合適使用之單價或二價金屬鹵化物的例子包括但不限於：LiF、NaF、KF、CsF、MgF2、CaF2、LiCl、NaCl、KCl、及CsCl。鹵化處理可包括任何先前技術中習知的方法，特別是使用HF、F2、HCl、Cl2、HBr、Br2、HI、及I2作為鹵化來源者。
當使用中性(即，零價)金屬、金屬合金、及其混合物，合適使用的金屬包括但不限於Pd、Pt、Rh、Fe、Co、Ni、Cu、Mo、Cr、Mn、及前列金屬以合金或混合物型態之組合。前述催化劑可經承載或未經承載。合適使用之金屬合金包括但不限於SS 316、Monel 400、Inconel 825、Inconel 600、及Inconel 625。
較佳地，但非限制使用的催化劑包括活性碳、不鏽鋼(例如，SS 316)、沃斯田鐵系鎳基合金(例如，Inconel 625)、鎳、經氟化10%之CsCl/MgO、及10%之CsCl/MgF2。前述反應之溫度較佳地是約300-550℃，且前述反應之壓力可界於約0-150 psig。前述反應器的流出物可導入一鹼洗滌器(caustic scrubber)或一蒸餾塔以排除副產物HCl而製成一不含酸之有機產物。前述有機產物可選擇地再經一個或任何領域中習知之純化技術的組合而進一步的純化。
前面已描述了許多面向和實施態樣，但皆僅用於示範性地陳述，而非用於限制本發明。在參酌本發明之說明書後，熟悉領域中之技術者可理解在不違背本發明的範疇下，可存在其他可能之面向及實施態樣。
實施例
本文中所述概念將以後續實施例進一步地描述，但該些實施例並不應限制描述於申請專利範圍之本發明的範圍。
實施例一論證在TaF5催化劑之存在下進行的CF3CCl=CH2的氟化反應具有一高CF3CCl=CH2轉換率且生成具有高產物選擇率及位置選擇性的CF3CClFCH3。
在無水條件下，將30 grams(0.084 moles)的TaCl5加入1 L HastelloyTM反應器。該反應器接著經抽氣並導入160 grams的無水HF。然後，將該反應器加熱至120℃並持續於自生壓力下攪拌1.5個小時。接著，將該反應器冷卻至低於5℃，並藉由緩慢地使該反應器通氣至一鹼洗滌器以將HCl氣體排除。最後便可於該反應器中獲得一TaF5/HF混合物。
本實施例之氟化反應係以批次(batch mode)來進行。將上述所得TaF5/HF混合物攪拌並加熱至120℃，並在四分鐘內加入100 grams(0.766 moles)的1233xf。在所有1233xf皆加入後，將前述反應器維持在自生壓力及120℃下五個小時。五個小時之後，將該反應器冷卻至室溫並加入300 ml的水。自該反應器將有機物蒸發並收集於以乾冰冷卻的氣缸中。以GC/MS分析前述氣缸中的內含物。結果顯示1233xf的轉換率為93.3%。產物
分布係如下表一中所列。
實施例二也論證在TaF5催化劑之存在下進行的CF3CCl=CH2的氟化反應具有一高CF3CCl=CH2轉換率且生成具有高產物選擇率及位置選擇性的CF3CClFCH3。
除了添加28 grams TaCl5以製備TaF5之外，其他程序係參照實施例一中所述。在加入所有的1233xf之後，將氣相樣本以3分鐘的時間區間分別自前述反應器中取出並以GC/MS分析。「3分鐘」、「6分鐘」、「9分鐘」、及「12分鐘」的產物分布係分別如下表二中所列。
在總共2小時的反應時間後，將該反應器冷卻至室溫並加入300 ml的水。將該反應器加熱至60℃，而自該反應器將有機物蒸發並收集於以乾冰冷卻的氣缸中。同樣以GC/MS分析前述氣缸中的內含物。結果顯示如下表二中所列之「產物；120分鐘」。
實施例三論證在TiF4催化劑之存在下進行的CF3CCl=CH2的氟化反應具有一高CF3CCl=CH2轉換率且生成具有高產物選擇率及位置選擇性的CF3CClFCH3。
在無水條件下，將36.23 grams(0.19 moles)的TiF4加入1 L HastelloyTM反應器。該反應器接著經抽氣並導入160 grams的無水HF。然後，將該反應器加熱至120℃並持續於自生壓力下攪拌1.5個小時。接著，將該反應器冷卻至低於5℃，並藉由緩慢地使該反應器通氣至一鹼洗滌器以將HCl氣體排除。最後便可於該反應器中獲得一TiF4/HF混合物。
本實施例之氟化反應係以批次來進行。將上述所得TiF4/HF混合物攪拌並加熱至150℃，並在四分鐘內加
入100 grams(0.766 moles)的1233xf。在所有1233xf皆加入後，將前述反應器維持在自生壓力及150℃下，並將氣相樣本以60分鐘的時間區間分別自前述反應器中取出並以GC/MS分析。「60分鐘」、「120分鐘」、「180分鐘」、及「240分鐘」的產物分布係分別如下表三中所列。
在總共5小時的反應時間後，將該反應器冷卻至室溫並加入300 ml的水。將該反應器加熱至60℃，而自該反應器將有機物蒸發並收集於以乾冰冷卻的氣缸中。同樣以GC/MS分析前述氣缸中的內含物。結果顯示如下表二中所列之「產物；300分鐘」。
在一加侖之裝載有一固態PTFE攪拌裝置(solid PTFE agitator)的HastelloyTM C高壓釜中填充TaCl5(500 gm)及HF(908 gm)。將前述反應器的溫度於兩
小時內升到100℃以將TaCl5轉換成TaF5。反應中產生的HCl係於製備過程中經通氣排除。製程中最大的壓力為140 psig。最後便可於該反應器中獲得一TaF5/HF混合物。
本實驗中的氟化反應係連續式進行。
在反應過程中，將上述所得之TaF5/HF混合物的溫度維持在自98℃至103℃。將含有99.2 mole%之1233xf、0.2 mole%之244bb、及0.6 mole%之未知成分的起始材料混合物以平均速率0.56 lb/hr導入該反應器，同時，也將HF以平均速率0.33 lb/hr導入其中。該反應器的壓力係維持在130至140 psig。週期性地將樣本自流出物中取出，並以GC/MS分析之。最初，約生成3.1 mole%的245cb。於反應開始後約100個小時之後，樣本分析結果顯示在該氟化反應中生成少於0.6 mole%的245cb。於反應開始後約200個小時之後，一樣本分析結果顯示在該氟化反應中僅有生成0.8 mole%的245cb。該反應器流出物的樣本分析顯示1233xf的轉換率在初期約為95 mole%，然後待反應的160個小時之後，逐漸地下降至92 mole%。在這個時間點之後，1233xf的轉換率下降的速度會加快，直到243個小時之後整個反應因不再導入1233xf而停止。1233xf的轉換率在243個小時之後約為77 mole%。在反應進行中，對CF3CFClCH3的產物選擇率係自98.0 mole%變動為99.9 mole%。對CF3CFClCH3的產物選擇率在反應近結束時
為99.9 mole%。
在一加侖之裝載有一固態PTFE攪拌裝置的HastelloyTM C高壓釜中填充TaCl5(500 gm)及HF(928 gm)。將前述反應器的溫度於兩小時內升到100℃以將TaCl5轉換成TaF5。反應中產生的HCl係於製備過程中經通氣排除。製程中最大的壓力為140 psig。最後便可於該反應器中獲得一TaF5/HF混合物。
本實驗中的氟化反應係連續式進行。
在第一次反應過程中，將上述所得之TaF5/HF混合物的溫度維持在自98℃至114℃。將含有18.2 mole%之1233xf、80 mole%之244bb、及1.6 mole%之245cb的起始材料混合物以平均速率0.57 lb/hr導入該反應器，同時，也將HF以平均速率0.07 lb/hr導入其中。該反應器的壓力係維持在130至200 psig。週期性地將樣本自流出物中取出，並以GC/MS分析之。在反應初期，有大量的245cb生成。在反應開始50個小時之後，樣本分析顯示在該氟化反應中生成少於0.5 mole%的245cb。於反應開始後約100個小時之後，一樣本分析結果顯示在該氟化反應中僅有生成0.05 mole%的245cb。該樣本分析顯示該流出物中含有3.0 mole%至5.0 mole%
的1233xf，且顯示244bb是反應過程中的主要產物。該第1次反應係持續了181個小時。在反應進行中，對CF3CFClCH3的產物選擇率係自92.0 mole%變動為99.9 mole%。對CF3CFClCH3的產物選擇率在反應近結束時為99.9 mole%。
在第二次反應過程中，將純度為99 mole%的1233xf起始材料以0.575 lb/hr的速度導入該反應器，同時，也將HF以0.375 lb/hr的速度導入其中。該反應器的溫度係維持在98℃至102℃，而壓力係維持在125至145 psig。在第2次反應中，245cb的生成量自0.5 mole%下降至少於100 ppm，且未反應之1233xf的量自5 mole%增加至20 mole%。該第二次反應係持續了30個小時。在反應進行中，對CF3CFClCH3的產物選擇率係自98.4 mole%變動為99.9 mole%。對CF3CFClCH3的產物選擇率在該反應開始時為98.4 mole%。對CF3CFClCH3的產物選擇率在反應近結束時為99.9 mole%。
需注意的是，並非所有記載於前述之一般性敘述或實施例中的步驟都是必須的。部分特定的步驟可能不是必需的，且可於前述的製程中額外進行一個或多個步驟。此外，前面所列之步驟的次序並非其必須採行之次序。
在本說明書之前述內容中，本發明之概念係以參照特定實施態樣的方式來描述。然後，所屬領域中具有通常知識者當可理解在不違背如後續申請專利範圍之本發明的範疇的前提下，可進行多樣的修飾與變化。據此，本說明書應視為一示範性而非限制性的教示，並且，所有該等修飾應視為涵蓋於本發明的範疇中。
實益、其他優點、及解決問題的方法已藉由參照特定實施態樣的方式描述。然而，實益、其他優點、解決問題的方法、及其他任何產生實益、優點、解決方法或使其更為顯著的特徵並不應該解釋為任一或所有請求項之關鍵性的、必須的、或不可或缺的特徵。
為了使敘述上更為明確，可理解某些特徵係描敘於內容中所載之分別的實施態樣中，或亦可以結合單一實施態樣的方式來呈現。反過來說，為了能簡潔地記載，某些特徵係描述於文中所載的單一實施態樣，或亦可分別地或以描述於任一次組合的方式來呈現。
Claims (28)
- 一種製程，其包含：使一具有化學式RfCCl=CH2的氫鹵烯與HF在一含有氟化催化劑的反應區內反應生成一含具有化學式RfCFClCH3的氫鹵烷的產物混合物；前述氟化催化劑係選自由TaF5及TiF4所組成的群組；其中Rf為全氟烷基；其中前述氟化催化劑係存在一有效量以實質上形成RfCFClCH3，而實質上不形成RfCF2CH3或RfCHClCH2F。
- 如申請專利範圍第1項所述之製程，其進一步包含自前述產物混合物中回收前述具有化學式RfCFClCH3的氫鹵烷。
- 如申請專利範圍第1項所述之製程，其中Rf為CF3。
- 如申請專利範圍第3項所述之製程，其中對CF3CFClCH3的產物選擇率為至少90 mole%。
- 如申請專利範圍第3項所述之製程，其中前述產物混合物進一步包含CF3CF2CH3，且其中對CF3CF2CH3的產物選擇率為不大於2 mole%。
- 如申請專利範圍第1項所述之製程，其中前述氟化催化劑為TaF5。
- 如申請專利範圍第6項所述之製程，其中前述反應區的溫度係自約90℃至約160℃。
- 如申請專利範圍第6項所述之製程，其中前述反應區的溫度係自約95℃至約160℃。
- 如申請專利範圍第6項所述之製程，其中前述反應區的溫度係自約95℃至約125℃。
- 如申請專利範圍第6項所述之製程，其中前述反應區的溫度範圍係自約98℃至約114℃。
- 如申請專利範圍第6項所述之製程，其中前述TaF5的存在量範圍係前述氫鹵烯的含量的約1 mole%至約30 mole%。
- 如申請專利範圍第6項所述之製程，其中前述TaF5的存在量範圍係前述氫鹵烯的含量的約10 mole%至約20 mole%。
- 如申請專利範圍第1項所述之製程，其中前述氟化催化劑為TiF4。
- 如申請專利範圍第13項所述之製程，其中前述反應區的溫度係自約90℃至約200℃。
- 如申請專利範圍第14項所述之製程，其中前述反應區的溫度係自約120℃至約180℃。
- 如申請專利範圍第14項所述之製程，其中前述反應區的溫度係自約140℃至約160℃。
- 如申請專利範圍第13項所述之製程，其中前述TiF4的存在量範圍係前述氫鹵烯的含量的約1 mole%至約30 mole%。
- 如申請專利範圍第13項所述之製程，其中前述TiF4的存在量範圍係前述氫鹵烯的含量的約10 mole%至約30 mole%。
- 如申請專利範圍第2項所述之製程，其進一步包含使回收之具有化學式RfCFClCH3的氫鹵烷進行去氯化氫化以生成一包含具有化學式RfCF=CH2之氫氟烯的產物混合 物。
- 如申請專利範圍第19項所述之製程，其中Rf為CF3。
- 一種用以製備CF3CFClCH3的液相氟化製程，其包含：供給HF及一有機進料混合物至一含有TaF5及HF的反應區；其中前述有機進料混合物包含約18.2 mole%的CF3CCl=CH2、約80 mole%的CF3CFClCH3、及約1.6 mole%的CF3CF2CH3；及使來自前述有機進料混合物的CF3CCl=CH2與HF在前述反應區內反應而生得額外之CF3CFClCH3；其中，前述反應區內的溫度係自約98℃至約114℃，且前述反應區內的壓力係自約130 psig至約200 psig。
- 一種用以製備CF3CFClCH3的液相氟化製程，其包含：供給HF及CF3CCl=CH2至一含有TaF5及HF的反應區；及使CF3CCl=CH2與HF在前述反應區內反應而生得CF3CFClCH3；其中，前述反應區內的溫度係自約98℃至約103℃，且前述反應區內的壓力係自約125 psig至約145 psig。
- 一種製備2,3,3,3-四氟丙基-1-烯的製程，其包含：a.提供一起始組合物，其包含至少一個具有選自結構式I、II、及III之結構的化合物：CX2=CCl-CH2X 結構式I CX3-CCl=CH2結構式II CX3-CHCl-CH2X 結構式III 其中，X係獨立選自F、Cl、Br、及I，其限制條件為至少一個X不是氟；b.使前述起始組合物與一第一氟化劑接觸以生成一第一中間產物組合物；前述中間產物組合物包含2-氯-3,3,3-三氟丙烯及一第一含氯副產物；c.在氟化催化劑的存在下使前述第一中間產物組合物與一第二氟化劑接觸，以生成一含2-氯-1,1,1,2-四氟丙烷的產物且實質上未形成1,1,1,2,2-五氟丙烷或1,1,1,3-四氟-2-氯丙烷；其中前述氟化催化劑係選自由TaF5及TiF4所組成的群組；及d.使2-氯-1,1,1,2-四氟丙烷進行去氯化氫化以生成一反應產物，其包含2,3,3,3-四氟丙基-1-烯。
- 如申請專利範圍第23項所述之製程，其中對CF3CF2CH3的產物選擇率不大於2 mole%。
- 如申請專利範圍第23項所述之製程，其中前述氟化催化劑為TaF5。
- 如申請專利範圍第25項所述之製程，其中前述TaF5的存在量範圍係前述2-氯-3,3,3-三氟丙烯的含量的約1 mole%至約30 mole%；且前述溫度係自約90℃至約160℃。
- 如申請專利範圍第23項所述之製程，其中前述氟化催化劑為TiF4。
- 如申請專利範圍第27項所述之製程，其中前述TiF4的存在量範圍係前述2-氯-3,3,3-三氟丙烯的含量的約1 mole%至約30 mole%；且前述溫度範圍係自約90℃至 約200℃。
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