TW201367B - - Google Patents

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201367 Λ 6 _ 五、發明説明（1 ) 本發明係Η於半等艚晶片之處理，特別是鼷於產生轚嫌 氣以其噴塗及腐蝕晶片。更特別是，本發明是有闞於藉電 子迴磁共振（electron cyclotron resonance, ECR)產生 霣離氣•及有鬮於藉真空處理諸如在晶片處理機如棋姐工 具内之軟性腐牲而對晶片作電離氣處理。 本發明之背景 在半等II晶片生產«程中，許多哦塗及腐胜處理通常都 使用電離氣在真空環埦內施行。各種生產電離氣之方法造 成在各種能階產生離子及《子而在罨_氣處理室內各有不 同程度之效率及各有不同程度之空間均匀性。 在以猫塗晶片之處理中，《離氣是指向發生嗔激之材料 的目檷上•俾從此目檷所激出之材料射出材料粒子而沉積 於晶片基質上。在濺牲中，《鐮氣是指向晶片基質上，在 該處離子從晶片射出表面上之材料。在腐蝕處理中，轚饑 氣可用Μ從基質選擇性的移除部分之硬曆材料，此係K自 «離氣而來之高能«子*擊·或可用Κ作輕微或“軟性” 腐蝕，僅從晶片移除薄的面靥而不損傷晶片表面，而將晶 片表面淸潔或綢整以供後鑛處理。软»Μ用較低能量之霣 離氣處理為佳。其他發生反應作用之處理諸如化學蒸氣沉 積（CVC， chemical vapor deposition)處理•可用電離氣 協助其他化學作用遇程。 在猫塗或厲窖之濺蝕處理中，轚濉氣一般係以從陰棰射 出之電子而局部產生，此係藉將在狼塗處理中之塗料目標 或欲姓之基質加Μ負電。用於濺塗處理之霣雛氣典型者都 -3 - 本紙法尺度边用中國W家诈準（CNS)甲Ί規怙（210 X 297公殳) (請先閱讀背而之注意事項4·填-¾本頁；一 裝. •I· 線. L01367 五、發明説明（2 ) 是相當高之能最，一般 Λ 6 η 6 經濟部屮央標準局A工消费合作社卬¾ 而該等 圍内。 5X 〇 在用 檷物表 畔1 ，Φ 為軟鈾 質，故 。结果 用較高 使用 內之氣 縦使磁 至10的 生電離 率之® 霣離 完成· 鼋離氣 ，通常 入通常 形室壁 電子共 用於厲害之猫蝕 此等霣離氣傾向 在400至500霣子伏特之範酾內； 者通常都在200至300 ®子伏特範 於迪中之低密度•離子化通常約為 霣離氣作 面上之分 離氣通常 通常不希 罨離氣宜 是，霣鐮 的密度產 某些方法 體，通常 控管加強 離子化作 氣則可產 離氣。 氣用ECR 再從該處 產生區之 是以FCC 為圓筒形 外側對該 振能在約 半導體 布必須 宜均勻 望從基 Κ低能 氣撺擊 生較快 產生霣 造成其 *電離 用。另 生15至 產生普 將電離 室内。 指定之 之真空 空腔施 875高 晶處理 符合若 等向晶 霣移除 攘擊基 基質之 的腐蝕 離氣， 中離子 氣之產 一方面 35¾子 過程中，霉 干所要之條 片之整個表 多量之材料 »，通常少 加熱效應相 率。 例如用高頻 在數百電子 生效率通常 ，使用例如 伏特及25% 離氣在晶片或目 件。例如在软》 面上。此外，因 ，否則會傷及基 於100電子伏特 當的低•允許使 率之射頻激勵室 伏特之電雕氣。 亦不到百分之5 霣子迴磁共振產 至35%離子化效 通係在逭離欲處理之表面某一位置 氣轉移至處理位置·通常是在鄰近 ECR產生之電離氣常常是用微波能 2. 54 GHz頻率產生。此微波能被引 腔內，並用永久磁賴或線圈環缤筒 加一磁埸。在2.54 GHz之頻率下， 斯之磁場內完成。

Tk 先 m 背 而 之 注 意 亊 項 再 *食一N 4 裝 ΤΓ 線 Λ 6 Π 6 201367 五、發明説明（3) (請先閲讀背而之注意事項再填脔本頁). 在許多ECR霄離氣產生器内，磁埸係由園期圃筒形空腔 壁外側之霣磁線圜或霣磁螵管窳生•而於空腔内產生一磁 場，其磁力嫌在空腔内軸向伸展•鱅出空腔之兩斓并國鏞 空腔外側上之姨姐。在空腔内•如此產生之磁場通常對稱 於空腔之中心或_嫌*並繞空腔之粬繚產生相似之對稱電 雕氣。 其他形狀之磁場更易於用永久磁鐵園嫌空腔外侧產生。 此等磁場之例子乃是絮尖式磁場，其磁場嫌伸遇空腔之側 壁。此等絮尖式磁場傾向對稱於通IS或含有空腔_嫌之一 或多儸平面•並與室壁相交》 經濟部屮央標準；：工消设合作杜印1Ϊ 以有徑向定位之磁極軸繚環鐃園简形空腔四周·其每一 磁嫌均為闻樣之磁捶定位•於是則產生單絮尖式磁场。在 此種單絮尖式磁場中•磁力線從靠近磁嫌磁棰中心之園筒 形壁沿環繞該園简室鑒之圖围發散出來•在含有此圃圈及 平分B简軸嫌之平面上形成對稱之兩個磁埸部份。從此平 面•磁場之磁力繚軸向伸出室之兩嬙並回到該室外侧磁嫌 之相反磁極*其較強之共振支持力蠊靠近該平面及空腔之 袖嫌•而在此平湎之相反兩側產生一對相鄰的共振區，® 離氣乃產生於其中。電«氣之形狀一般是由形成在各發散 之磁場線間之磁尖所界定。 用類似定位之磁嫌但極性方位交替變換，則產生多絮尖 式磁場•其中磁力線沿靠近磁極之圆简壁縱向線從交替而 類似定向之各磁極出來•在徑向平面内之磁圈朝向相鄰而 定向相反之磁嫌，並沿靠近此等相邮磁撤之磁極縱向線重 -5- 木紙張尺度边用中困8家你準（CNS) 規格（210 X 297公釐） 201367 Λ 6 Π 6 經濟部屮央梂準而CX工消仲作社印如 五、發明説明（4) 返壁中。此等磁埸沿空腔之粬線易於微弱•並產生界限明 顧之《離氣，對稱於該等平面及集中於各平面間之楔形區 Ο 以永久磁級之造型廠生此等磁«固然籣單、緊濟，其所 產生之磁埸及在其中所產生之《鐮氣分佈則複雜而有許多 不均句現象。 在迪合用於《離氣產生器之各種磁嫌造型中，各個霣子 迴磁共振®，及因而《離氣發生最豐富之地區，並不是在 共振腔內完全均匀分佈。此主#由於磁鐡之製造及安裝及 空腔之構造在精密性方面之實際限制·以及室内之氣»涑 動及分佈不均勻之故。因而，往昔之技藝樂已使用各種方 法對付不均匀之《鐮氣分佈*以求在進行處理之處理室空 間内產生有用之電»氣分佈。各種往昔之努力均朝向控制 «離氣之流動、及在《離氣產生區與處理所在二者間空間 内之電離氣分佈。此等努力在許多方面造成不必要複雜、 费用昂貴、及成效不大滿意。特別是在群姐工具形態中， 其每一處理室均是棋姐式者，複雑與雅積遇大是其缺貼。 職是之故*需有一種方法及装置來更有效及均勻地生產 晶片處理之罨離氣，特別是供此種用途之精巧而簡單的電 離氣產生器。 發明槪述 本發明之一個主要目的為在半導驩晶片之處理過程中提 供均匀霣離氣之產生。更特別之目的提供高效率之電鐮氣 生產，用於半導體晶片之哦塗及铒蝕處理，特別是低能電 -6- 本紙张尺度边用中a a家诈準（CNS)規格（210x297公犮） (請先閲讀背而之注意事項洱瑱·"本頁) 裝- 線- Λ 6 Π 6 201367 五、發明説明（5) 離氣之應用諸如軟蝕。 本發明之一個特別目的是提供一精巧及籣單之電鐮氣處 理棋姐•特別是供晶片《理族群工具用之软»棋姐。再另 一目的乃是提供半導«晶片處理用途之《子迺磁共振，或 ECR •之霣離氣康生器，產生均勻之電離氣、小巧而又無 複雜之结構。 按照本發明之原理，是用電子迴磁共振提供產生高度均 匀®離氣之方法和裝置。按照本發明，《子迺磁共振是形 成在一空腔内並引入微波能。此電離產生場及所產生之電 離氣然後乃使之鱅空腔之粬線旋轉。 按照本發明之一較佳具體實例•所提供之電子埋磁共振 產生器有一位於轚離氣處理裝置與空室内之空腔。此產生 器設有多個長形磁嫌•較佳者是永久磁嫌，等距鐮圍綃該 室管形空腔壁之外側。此管狀空腔壁宜為園苘形，而磁棰 之軸線宜徑向排列。各磁嫌在被包園在室内之《離氣產生 腔内產生一絮尖式之磁場。磁嫌之嫌成係Μ例如100 0r pm (每分鐘轉數）之速率園繞空腔中心嫌旋轉•因而也就是 繞此空腔中心線旋轉霣離氣產生之磁場、各霣離氣產生區 、及罨離氣。平均分佈像淋浴一樣之氣體是烴常不變地引 入該產生腔內K加強所生電離氣之均匀性。 在本發明之一實例中•所有之磁撖均有相同之磁極定向 ，Μ同樣之極朝向圃筒形空腔之袖線，而產生單絮尖式磁 埸。其磁力埭從磁锇之内極徑向朝内伸*通烴空腔之圚筒 壁，然後沿袖向之雙方向成曲線發散*通經空腔而伸出於 -7- 本紙51尺度边用中a困家W準（CNS)甲Ί規格（2IdX297公及） (請先閲讀背而之注意事項#蜞袼，本頁〆 裝· 線- 經濟部屮央標準而Α工消合作社印51 201367 Λ 6 Π6 五、發明説明（6) 經濟部屮央榀準局Α工消伢合作杜印5i 園简兩纗 在空腔内 能頻率下 *此共振 氣係在二 徑向平面 饑氣產生 此平面相 在本發 雄之相反 磁埸，其 内*然後 筒壁並烴 磁埸沿空 生多儡之 振之支持 雕氣產生 腔壁内側 在本發 空腔内， 器在多個 波能。各 部圓形壁 在通經園 ，向外 產生之 產《子 場在空 瓖形埸 之相對 區靠近 鄰及傾 明之另 磁極朝 腔内之 在垂直 此壁到 腔中心 拱形磁 強度， 區内形 縱向伸 明之此 該傅输 各連於 耦合環 内側之 筒袖線 成圆圈 磁場包 迴磁共 腔内有 部位内 兩側袖 於位於 國縝並返 括有強度 振之磁力 875高斯 產生*此 向分開。 其間之平 向於形成一相接 一實例 向空腔 磁力線 於圆筒 二相鄰 嫌或軸 場線· 使Μ 2. 成罨鑪 展•平 較佳實 中，各磁 面筒壁之 從各交替 粬線之平 磁嫌向内 線易於微 回磁雄 足以在 嫌。以 之磁力 二場部 此等埸 面及空 觸之電 鐡係交 中心， 磁嫌之 面内發 之相反 弱。此 約875 波能於 是國縯 袖線。 之外端。此等磁嫌 引入空腔内之微波 2.54 GHz之微波能 線。所產生之霣離 在通烴磁嫌中心之 部每一僩界定一霣 腔之軸嫌。各區在 離氣。 替定位而以 產生一多葉 内绱發出· 散而回捲》 磁樋。如此 一實例之各 高斯之《子 多俚明顧拱 空腔轴線而 相邾磁 尖式之 徑向朗 返回到 造成之 磁嫌產 迴磁共 形之霣 在圚茼 每一偁有 54 GHz微 氣•各區 行於空腔 例中，微波能是經一傅输線供應到 線包一同粬罨讕經一分功器相連，各分功 空腔内一耦合環路之共軸《續間等分其微 路是等距離分佈，或係围鐃空腔之朝下頂 圈邊，或係圃繞面筒腔壁之内側。各環路 之各徑向平面内伸展，並以環繞空腔之等 本紙張尺度边用中a國家iti¥KCNS)T<t規怙（210x297公及） 先 閲 ih 背 而 之 》主 告 項 %一 本 頁 裝 π 線 201367 Λ 6 It 6 五、發明説明（7) 經濟部屮央櫺準局Π工消^作杜印焚 角度間 惰性 •板内 匀分佈 處理室 方之基 質宜緊 上。此 來補充 應，為 «子 生區以 雖然在 讎氣然 。所產 係低能 子伏特 離氣之 因此逋 Μ多 分之微 ，此空 則產生 本發 隔分開。 氣髑在空腔頂 有成同心環之 於空腔之頂纗 之頂上，此在 «置於此空腔 接在Φ離氣產 氣體之淋浴式 所耗费之氣體 霣離氣產生遇 迴磁共振支持 產生在環鐃中 此埸内有任何 後Μ類似之均 生之此種電離 量，所產生之 。基質也可偏 離子趨向基質 合用於软蝕處 個位於園简徑 波能耦合入空 腔之長度宜使 器便很精巧。 明之此等Μ及 纗經一淋 多儸小孔 ，不斷向 所述之實 之開口底 生器下方 嗔出配合 *乃在此 程提供燃 磁埸之旋 心袖嫌之 園形之不 勻度移到 氣效率高 鐮子對基 壓到1 0 0 。此種霣 理*而又 向平面內 腔内乃在 Τ Μ 〇 1 1 模 浴式板 。經淋 下流烴 例中是 端。此 以其中 空腔内 等區域 料。 轉便旋 各個角 對稱情 產生腔 *約有 質之正 伏特負 離氣對 有效及 分開之 空腔內 式能造 或圖板連鑛引入室內 浴式板引入之氣«均 空腔。該空腔係装於 一软》室•有面朝上 待作竃_氣處理之基 心對正在圆筒之袖線 霣離氣產生區之分佈 中提供均勻之氣«供 轉了拱形之 度都均勻之 況。如此所 之下端並到 30%離子化 «懕室一般 霄_歷Μ下， 基質表面幾 均匀地腐蝕 耦合環路而 產生ΤΜ〇1棋 成於空腔内 電離氣產 電雕氣· 產生之電 達基質上 作用•且 少於20電 Μ加速電 無損傷· 其表面。 將功率均 式之放射 •如此， 其他目的將從下列對各附所作之詳细 太紙法尺度边用中困8家標準（以5)^规格（210x2(J7公Ji) ? 先 閲 ifi 背 而 之 注 意 事 項 # 寫/* 本 裝 玎 線 201367 A 6 η 6 五、發明説明（8) 經沭部屮央櫺準n工消仲合作社卬5i 描述而更 園1« 圈2是 鼷3是 本發明圓 國4是 横切面_ 圖5是 式產生器 之位置； 國6是 式產生器 之位置。 參看圖 姐10係Μ 之櫃12， 16藏於其 歴力之水 1 6經由一 埋送或傅 水準且通 一®子迴 加明顬。 附讕簡介 具98表現本發明原理之软性腐蝕群姐之等角圓； 圈1棋姐之電離氣產生器及處理室之示意豳； 烴園2«離氣產生器之側視横切面晒•表示.按照 1棋姐具體實例之ECR霣離氣產生器； 沿圖3之線4-4通遇該ECR產生器之朝上観看之 » 類似於圈3横切面之鼷解，表示在本發明單絮尖 具體實例中磁戡造型、磁埸形狀及轚離氣產生區 類似於圆4横切面之圃能，表示在本發明多絮尖 具體實例中磁锇造型、磁埸形狀及電離氣產生區 各僩 1 * 一個按照本 概略之 其上支 内，而 準*例 HESA 檷 送棋姐 常充有 磁共振

透視國表 持有一软 於腐蝕作 如10-4托 準縫口或 22相通。 清潔之侑 霣離氣U 附圖之詳 發明原理 示之。此 蝕處理器 業時用高 耳。软蝕 門閥20而 此傳送棋 性氣《。 1 e c t r ο η 述 之群姐 軟蝕棋 14 , 一 度真空 處理器 與晶片 姐22係 装於處 工具软性 姐10包括 软蝕真空 泵保持高 14之真空 處理群姐 保持在中 理器14頂 腐蝕棋 一有輪 處理室 度真空 處理室 工具之 度真空 上者是 cyclotron resonance 請 先 閲 讀 背 而 之 注 意 事 項 再 本 頁 裝 線 -10 本紙張尺度边《中S國家详準（CNSHM規格（21(1X297公！f) 201367 Λ 6 Π 6 經濟部屮央標準而K3：工消*:合作杜印5i 五、發明説明（9 ) plasna)產生器24，其中鼸有一電IK氣 Plasna)產生空腔26，空腔之底部開口 射頻《源28、一微波霣源30及另外架在 包藏在此櫃12内* Μ支持處理器14之作 此處理器14是以示意圃表示於圈2中 壁3 4圈縯住該處理室16。此室壁34是金 保持在接地轚位。室壁34之上部包括一 内藏有一轚離氣產生室26。 在處理室16内安置有一固定之晶片台 。此台36之位置係與門閥20 (圖1)之 從裝於傳送棋姐22室内之可伸及旋轉傅 水平放置之晶片40。此台也可移動•將 正之位置移至對於電離氣產生空腔26言 40支於台上，Κ其欲腐蝕之面42向上朝 之霣離氣產生空腔26。 射頻轚源28供應從0至-100伏之偏懕 頻《源28包括一 13.56 MHz產生器44, 45和一阻塞霣容器46而連至處理室16內 空泵18有一進口 47，在晶片台36附近與 室16内之氣流從《離氣產生空腔26向下 壁50内側上之進口淋浴板48從氣«供應 ，該壁50在電離氣產生空腔26之頂部形 功率等级約1500瓦之微波能從微波霣 應並耦合入空腔26内。此傅输線包括一 (或稱等鐮子體， 通到處理室16。一 架上之控制器32均 業。 *有一懕力密封室 属製造、導電、並 圓筒形外壁35，其 36，與室壁34絕緣 縫口水平對正•俾 送臂（未示）接受 晶片40從與閥20對 之迪切位置。晶片 著在處理室16頂部 *若有此必要。射 烴由一匹K網路 之晶片台36。高真 真空室16相通，故 流。氣雅經圓形端 處51供應至室16内 成其頂端。 源30經一傳输線供 同袖電級52而至分 先 閲 讀 背 注 意 事 項—%， 本 頁 裝 玎 線 -11- l紙法尺度边用中國困家標準（CNS〉TMWtM21〇x297公及） 01367 五、發明説明（J0) 功器53，將功率分成相等之多個输 是分成8儸，而鎖送功率至類似數 各環路55你圈繞產生器24園筒形鑒 *或係圃鐃室壁34圓形上端50之周 26之圓筒形側壁鑒35之内，如者位 路55之造型及所在之位置係使其安 霣嫌54相匹配之阻抗。 一永久磁嫌總成60係可旋轉地安 側上。磁赖缌成60有通當之強度及 26內強度約875高斯之絮尖形磁場 干半徑處·與園筒形腔壁35分開但 ECR產生器24示於圔3之横切面 上蟠包含有《離氣產生空腔26。此 34之內，包括有圓筒形腔側壁35圃 有圓形頂壁50在室16頂部封閉著該 壁50由一凸緣61構成，牢固連於及 簾* 一園蓋62用螺釘鎖於及密封於 室16之頂封住。一冷卻環63裝於蓋 冷卻通道64*冷卻水乃從冷卻水供 Λ 6 Β 6 出同轴 目之多 35之轴 邊，或 置37M 裝在空 裝於圆 造型， *其位 一般都 側視圓 處理器 镰著產 產生空 密封著 其頂孅 62之頂 應管線 霣期54，較佳者 偭供合環路55。 線56等距離分佈 係在產生空腔 虚線表示者。環 腔26內時呈現與 筒形腔 Μ產生 置在雕 與其靠 •在處 16係包 生空腔 腔26。 圓苘形 上而將 上，並 65經過 壁35之外 在空腔 轴線56若 近。 理室16之 園在室壁 26，Μ 及 此圜形頂 壁35之頂 空腔26及 包圍著一 其中循環 閲 讀 背 而 之 注 意 事 項 再 -寫一 本 頁 裝 線 經濟部屮央標準工消费合作社印5i 同軸《纜54之输出端實際裝於蓋62之一圓圈内，而其外 部屏蔽之導《是與此接地之蓋62相連。環路55從同軸霣嫌 54之中心導體伸出•用絕緣襯套66在蓋62處與嬙板50絕緣 。如國3及4所示，瑁路55係從同袖®孀54之中心導《連 12- 本紙張疋度边用中國困家橒平（CNS) ΉAQ格（210X297公放） 201367 五、發明説明（η) 於接地之室壁34*或係在端板50上 通經空腔26内之空間，其每一個各 向平面中之一俚不同平面内，而此 袖嫌56和圔筒形髑壁35。 氣《I進人管嫌連於釐62中心而在 進口孔67，此孔67和臟在蓋62輿氣 形氣體分佈空間68相通。多個通氣 而將氣體在空腔26頂部通入真空室 孔69成同心瑁麵案排列· _示數目 圆圈中Μ 12、24和48孔等距離分佈 磁嫌總成60包括多㈣宜為永久磁 材枓之條形•而在該總成60之位置 空腔26圔壁35外側等距離分佈。磁 35上成對之套環72内滑裝於其中而 形壁35外側。埋作時*總成60係用 馬達73將其驅勡繞園简形壁35外側 出之驅動轴74·袖之外纗裝有一皮 伸出有一驅勡皮帶76和其成摩擦接 60之外側伸展並與其成摩擦接觭而 成轉動。 磁餓缌成60之磁锇70宜成對徑向 似磁極横跨空腔26之袖線56彼此相 70之相對定位決定所產生之絮尖式 之單絮尖式磁埸係將所有磁锇之磁 13 本紙張尺度14用中8 ®家標準（CNS) ΤΜ垛格（210 X297公犮) Λ 6 Η 6 經濟部屮央標準而兑工消价合作杜印51 或在圃简形壁35處，而 在多個等角度分開之徑 每一平面含有空腔26之 空腔26軸嫌56上之氣體 體分佈淋浴板48間之環 孔69經該淋浴板48設置 16内。如画4所示，各 為三圈，各於三届同心 〇 雄之磁雄70*各為強磁 内以圃苘形排列、環鐃 雄總成60係在固定於壁 成可旋轉地安装於園苘 裝於室壁34外方之霣動 旋轉。此馬達73有一输 帶輪75，國繞該皮帶輪 觸。皮帶76園繞總成 随馬達73之旋轉將該總 相對設置•各磁鐡之類 向。各不同之成對磁锇 磁埸之型式。圖5所示 極成同樣定位而產生，

Tk 先 閲 讀 背 而 之 注 •意 事 項 # % 本 頁 201367 Λ 6 Η 6 五、發明説明（12) 此即將每一磁嫌之同樣磁極 多絮尖式磁 產生，但相 經济部屮央櫺準^工消价合作杜印3Ϊ 56。圆6所示之 極成同樣定位而 相反。 參看晒5 *由 尖磁場産生一種 狀磁場部份在一 26之壁35成一圖 平面之相對兩拥 。此二環形之磁 園筒形壁35起向 78、79包括一例 84、85，因而支 線84 ' 85代表2· 。各線84、85在 心、鄰近該平面 霣鐮氣係靠近該 在該平面各磁埸 86，位於靠近通 沿著袖線56、園 參看圖6，由 葉尖式磁埸產生 空腔26内側周圃 個縱向區90之每 同樣定位磁 形如兩環狀 相交於空腔 围81、及對 沿空腔26之 埸部份78、 轴線56增加 如強度足以 持空腔内之 54高斯微波 其中間界定 及沿著_線 平面並一起 之尖端乃界 各磁餓中心 繞著中心點 交迭定位磁 一種形如多 分開*每一 一個係從空 均朝向 埸則係 鄰磁嫌 嫌70之 磁場部 26袖線 分磁嫌 轴向分 空腔26之中心或袖線 將交迭之各對磁嫌之磁 對之磁極在徑向方向則 磁嫌排 份78、 56于點 70于平 開並與 79每一個之磁 強度，每一磁 支捋® 一届電 激動頻 一電子 56。產 形成相 定一形 之平面 80 〇 戡70之 涸楔形 個平行 腔26圓 子埋磁 離氣產 率之磁 陷阱· 生於每 接觸之 在空腔 之各發 列60所 79之磁 80、相 面82之 該徑向 埸埭從 埸或磁 共振之 生區。 場強度 位於空 一磁場 罨離氣 26中之 敗磁場 產生之單 場*各環 交於空腔 一個徑向 平面對稱 空腔26之 埸部份 磁埸線 此等磁場 875高斯 腔26之中 84 ' 85之 。如此， 霣維氣 線之間並 磁戡排列60所產生之多 縦向區90之磁場•沿著 於空腔26之_線56。多 筒形壁35起向著軸線 ? 先 IUI ifi 背 而 之 注 意 事 項 Ρί- 本 頁 裝 訂 -14- 本紙尺度逍用中 201367 Λ 6 Π 6 五、發明説明（13) 56逐減其磁埸嫌強 如91，其強度為支 91代表例如2.54高 此線形成一磁性隧 側並沿其縱向伸展 霣離氣93，其數目 軸嫌56形成。 由磁鐡70產生之 乏由霣磁媒管所產 磁鐡所產生磁埸形 腔内之氣«分子、 變動。所產生之霣 近，此等霣離氣随 空腔26及室16之袖 度為其特性。每一磁場包括一磁埸線例 持空腔内之電子埋磁共振。此種磁場線 斯微波激勵頻率之磁場強度875高斯。 道或霣子陷阱，鄰近於圓筒形腔壁35內 。如此，多涸淸楚的沿圃屑分開·之縱向 等於磁嫌70之數目，乃在腔26内平行於 磁尖磁場· Μ及由其產生之罨鐮氣*缺 生之軸向磁場i對稱性。此外•由每一 狀均匀性恰好一樣·而在®雄氣產生空 離子、及《子之濃度也可每一點都有所 離氣係在空間位於該產生室圆简形壁附 磁娥總成60充分快速旋轉，以產生圈繞 線56均匀一致的平均電離氣強度或密度 先 閲 讀 背 而 之 注 意 項 孙 % 頁 經濟部屮央標準灼C5工消ft·/.%.:;作社卬¾. 再參看園2，空 繞轴線56均勻傅送 基質40之放置就软 其下若干距離處而 26、晶片40之相對 锇之精確強度、尺 施行之處所欲得之 ECR霣離氣產生 。其所產生之電離 腔26有一開口之下端95，霣離氣從此園 到基質40上而均匀浸蝕其基質表面42。 蝕表面42言可置於空腔26之內，但宜在 在室16之内。理想之空間距雛將随空腔 尺寸* Μ及微波能之特性諸如頻率*磁 寸、及位置，室内氣體之性質，和正在 结果而有所變動。 器24逋合於軟牲Μ外之其他電離氣處理 氣也可用Μ加強唄猫塗層處理·在該處 15- 本紙張尺度边用中國W家详iMCNS) Τ Ί規格（2】0 X 297公垃） 201367 Λ 6 Π 6 五、發明説明（Μ) «雛氣將等至目檷物之上；Μ及用於Μ«離氣加強之化學 蒸氣沉稹或起反應之離子浸胜處理，在該處霣離氣將導入 反應氣涠内。®«氣亦有用於選擇性之離子授牲、離子束 處理、以及其他之霣離氣處理用途·在該處電離氣亦可設 Κ抽取物、磁管、或成形磁場•或霣棰聚焦或否則魷是將 離子流或霣離氣選擇性地導至表面上或導入空間内供選擇 性處理基質之若干區域。 再者*精於本技藝之人士將可明瞭•本發明雖Μ某些說 明性及較佳之具體實例内容加以描述，但此等實例也可作 若干變動而不有離本發明之原理。例如，解說性實例雖中 意於永久磁嫌70，但霣磁搛造型也可用Κ產生所說明之磁 場或其他有利於本發明某些理念之磁埸。再者•環路耦合 固然較佳，而波導至波導之耦合以及用天線傳感器之耦合 也可產生ΤΜ〇1棋式之微波激勵於空腔内，此外其他之耦合 棋式Μ及其他之激勵棋式也能使用而Μ本發明之某些理念 獲得益庳。為求最有效利用本發明之原理*微波耦合及激 勵之细節、磁场及空腔之形吠均應有目的地加Κ選擇Μ達 成最終所要的電離氣處理，而心中存有所生霣離氣之最終 分佈情形。 請 先 閲 背 而 之 注 意 事 項 堝 本 Ε - 經濟部屮央榀準而Α工消费合作杜印¾ 本紙張尺度边用中a國家诈準（cNS) Ή規枱（210X29V公及)

Claims (1)

1. A、申請專利範面 PI iL L. 補充 A7 B7 C7 D7 β 經濟部中央橾準局印裝 (請先閑讀背面之注意事項再瑱寫本頁) •装. •綵. 2. a 一種矽嗣晶片之電離氣處 一密封室，其中含有氣 門與晶片傳送棋姐之真空 Μ將該室密封於傳送室； 一高度真空泵，有一進 內之氣«中產生真空壓力 —電離氣產生空腔位於 一支持晶片之晶片固定 將撖波能從其來源耦合 多個磁雄位於該空腔周 位之強度和造型，每一部 腔内發生轚子酒磁共振而 位界定空腔内電離氣之位 環鐃空腔旋轉磁赖之器 區及空腔内之電雕氣。 根據申誚專利範圍第1項 各磁雜所取之造型、位 一磁尖而界定電離氣產生 旋轉及電離氣繞空腔之大 根據申請專利範園第2項 各磁嫌所取之造型、位 場，其中該磁尖將二環形 場部位分開•磁餓之旋轉 之大約中心線旋轉。 理装置，包含： «及在其供壁上有一晶片傳送 傳送室相通，該門中有一閥用 口與該密封之室相通•俾在室 之水準； 該室内； 座，其一邊面向空腔； 入空腔之器具； 園，各磁嫌有產生多個磁場部 位均有足夠之磁場強度俾於空 產生氣18之電雕氣，各磁場部 置；及 具· Μ旋轉磁埸、電離氣產生 之電離氣處理裝置，其中： 置及定向為於磁場中至少產生 之位置，磁戡之旋轉促使磁尖 約中心線旋轉。 之電離氣處理装置，其中： 置及定向為產生一單絮尖式磁 縱長有空間距離之電離氣產生 促使磁尖旋轉及霣離氣繞空腔 f 4 (210X297 公尨） ~ 1 201367 A7 B7 C7 D7 六'中請專利範面 經濟部中央揉準局印裝 4· 根據申請専利範画第3項之霣離氣處理装置，其中： 各磁戡包括多涸永久磁嫌，環繞空腔外匾分開*每一 磁戡以其一個磁極轴線大致與空腔之中心線相交•而每 —個之定向均係以同樣之磁«朝向空腔之中心線，以產 單葉尖式磁埸於空腔内。 5· 根捶申請專利範圃第2項之轚離氣處理裝置•其中： 各磁娥所取之造型、位置及定向為產生有多個磁尖之 多絮尖式磁場，其每一個將多個縱長袖向有空間距離之 電離氣產生區分開，磁戡之旋轉促使磁尖旋轉、縱向之 罨離氣產生區旋轉、及罨離氣繞空腔之大約中心線旋轉 Ο & 根據申請専利範園第5項之《離氣處理裝置，其中： 各磁餓包括多個永久磁赖，環鐃空腔管形壁外側分開 ，每一磁锇Μ其一個磁極袖線大致與空腔之中心線相交 ，各磁撤之定向编空腔之中心線交替變換偁數次，Μ產 生多絜尖式磁場於空腔内。 7- 根據申請專利範豳第1項之霣離氣處理装置，其中： 該空腔有一閉合端，其中有氣«引入口，並有多個進 口孔與該氣《引入口相通，各孔分佈之圃菜在於均匀引 入氣髁於空腔内而均匀越過空腔之閉合端。 a 根據申誚專利範圍第1項之《離氣處理装置，其中： 該空腔為圓简形，有一軸線構成其中心線*磁锇旋轉 器具係可邇作的將磁锇縝該圆筒之袖線旋轉，基片台所 處之位置為使由其固持之晶片中心對正在該軸線上。 -2 - ..................................{...............装· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本页) •訂· -線. 甲 4(210X297 公濩) A7 B7 C7 D7 201367 A、申請專利範面 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 9· 根據申謫專利範豳第8項之罨離氣處理裝置，其中： 該耦合器具包括多僩環路《連於傅输線· Μ便耦合等 董之微波能進入空腔內，各瓖路係酾繞空腔之軸線分開 ，而其形狀及定向在於賴空腔内之微波能產生TM01棋式 之激勵。 根據申請專利範園第8項之《離氣處理装置，其中： 該空腔之形狀及尺寸設計在於使微波能當其耦合入處 理室内時即在空腔内形成ΤΜ01ι棋式之激膽。 一種矽嗣晶片之®離氣處理裝置，包含： 一密封之室； 供應氣«至該室之器具； 真空泵器具，供將室内之氣體降至真空壓力水_一個 室內之電«氣產生空腔； 一僩装於室內之晶片固定座，供將待處理之晶片支持 於其上； 一耩合入該空腔内之微波能源； 位於空腔周圃之磁嫌器具*包括多個之磁锇*每一個 有在空腔内產生磁埸之強度和造型，該磁埸有足夠之強 度俾於空腔内發生電子迺磁共振因而於磁場内產生電離 離 電 之 内 腔 空 及 場 磁 轉 旋 M 具 器 之 鐵 磁 轉 旋 腔 空 及繞 ;環 氣 絰濟部中央標準局印製 12 生 uBf : 產 中少 其至 , 内 置壜 裝磁 理於 處為 氣向 離定 霣及 之置 項位 11、 第型 圔造 範之 利取 專所 請嫌 申磁 。據各 氣根 甲 4(210X297公尨） A7 B7 Cl £7 六、申請專利範面 —磁尖而界定電雕氣產生之位置，磁嫌之旋轉促使磁尖 旋轉及霣離氣績空腔之大約中心線旋轉。 13· 根據申請専利範画第12項之電離氣處理装置•其中： 各磁羝所取之造型、位置及定向為產生一單葉尖式磁 場，其中該磁尖將二環形縱長有空間距離之轚離器產生 場部位分開，磁锇之旋轉促使磁尖旋轉及電離氣繞空腔 之大約中心埭旋轉。 根據申請專利範画第13項之霣離氣處理装置，其中： 各磁锇包括多俚永久磁鐵·環繞空腔之外圃分開*每 一磁雉Μ其一僩磁極軸線大致與空腔之中心線相交，而 每一個之定向均係Κ同樣之磁極朝向空腔之中心線· Μ 產生單葉尖式磁埸於空腔内。 15. 根據申請専利範圍第12項之®離氣處理裝置*其中： 各磁鐵所取之造型、位置及定向為產生有多個磁尖之 多葉尖式磁場•其每一個將多儸縱長轴向有空間距雕之 電離氣產生區分開，磁鐵之旋轉促使磁尖旋轉、縦向之 電離氣產生區旋轉、及霣離氣縝空腔之大約中心線旋轉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •訂. 經濟部中央標準局印裝 開交產 :分相Μ: 中側線， 中 其外心次 其 , 壁中數 ， 置形之偶 置 裝管腔換 裝 理腔空變 理 處空與替 處 氣鐃致交 氣 雄環大線 離 « -線心 霣 之戡袖中。之 項磁極之内項 15久磁腔腔11 第永個空空第 園個一鐃於圔 範多其向場篛 利括Μ定磁利 專包戡之式専 請戡磁戡尖請 申磁一磁葉申 據各每各多據 。 根 -’生根 la17. •線· 甲 4(210X297 公; Α7 Β7 C7 D7 201367 六'申請專利範面 該空腔在其一蟠有引入氣流均勻分佈於空腔内之器具 〇 ia 根據申謫專利範園第11項之霣離氣處理裝置*其中： 該空腔為圆筒形，有厂軸線構成其中心嫌，磁鐵旋轉 器具係可埋作的將磁截鐃該圓筒之軸線旋轉，晶片台所 處之位置係使晶片之中心對正在該粬線上。 la 根據申請專利範圍第18項之轚離氣處理裝置•其中： 該耦合器具包括多個環路電連於傳嫌線，以耦合等量 之微波能進入空腔內，各環路係園鏡空腔之袖線分開， 而其形狀及定向在於藉空腔内之微波能產生TM01棋式之 激勵。 2α —種供半導《晶片之《離氣處理器用之《離氣產生器* 包含： —真空室，有一管狀側壁、一氣體引入口、一氣«抽 出口、及一電離氣產生空腔被該管狀壁部分鼷鐃； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局印¾ ;其磁氣 場 具於，離 磁 器装場霣 轉 之地磁振及旋 中 內轉生共.，線 其 腔旋產磁域心 -空可内埋區中 器 該及腔子之約 生 入開空霣生大 產 運合分於根發之 器 相耦側為多氣腔« 其出外型生離空 霣 與输壁造產電繞。之 出其狀及Μ定環氣項 输自管向型界以離20 一能腔定造線，霣第 有波空之及各具及圃 ，撖纗取度，器匾範 源將環所強線之生利 能源戡撖之埸戡產専 波能磁磁夠磁磁氣請 微該個各足之轉雕申 I 從各，有生旋霣據 上場發 、根 2L T4(210X297 公廣） 5 201367 Α7 Β7 C7 D7 六、申請專利範面 經濟部中央標準局印裝 各磁嫌所取之造型、位置及定向為於磁場中至少產生 —磁尖而界定霣離氣產生之位置，磁戡之旋轉促使磁尖 旋轉、霣離氣產生區旋轉、及電雕氣繞空腔之大約中心 埭旋轉。 22 根據申請專利範团第21項之罨難器產生器*其中： 各磁嫌所取之造型、位置及定向產生一軍葉尖式磁場 ，在該磁場中磁尖將二環形縱長之罨難氣產生場沿空腔 之中心線彼此分開，磁鐵之旋轉促使磁尖旋轉及霣離氣 產生區繞空腔之大約中心線旋轉。 2a 根據申請專利範園第22項之霣離器產生器•其中： 各磁餓包括多個之永久磁嫌•環繞空腔苷狀壁外側分 開•每一磁嫌Μ其一僩輸線大致與空腔之中心埭相交· 而每一涸之定向均係Μ同樣之磁極朝向空腔之中心線， 以產生單葉尖式之磁埸。 24- 根據申謫専利範園第21項之霣離器產生器，其中： 各磁嫌所取之造型、位置及定向為產生一多絜尖式磁 埸，有多個萊尖圔繞空腔中心線排列•每一葉尖分開二 俚袖向有空間距離之電離氣產生區，磁锇之旋轉促使葉 尖旋轉、縱長霣離氣產生區旋轉、及電離氣繞空腔之大 約中心線旋轉。 2& 根據申請專利範園第24項之《離器產生器，其中： 各磁餓包括多個之永久磁嫌*環縝空腔之外側分開* 每一磁嫌以其一個磁極軸線大致與空腔之中心線相交， 各磁餓之定向鐃空腔之中心線交替變換偶數次· Μ產生 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· •訂· •綠. 甲4(210X297 公廣） 6 - 201367 A7 B7 C7 D7 中請專利範面 2a 多葉尖式磁場。 根據申請専利範画第20項之霣離器產生器•其中： 該空腔有一其中有氣體引入口之閉合端•其中並有多 倨進氣孔成園繞空腔之大約中心繚的圖案分佈，各孔與 氣體引入口相通，該空腔有一與閉合端袖向分開、對著 電離氣產生區之開口，該空腔經此開口而與抽氣口相通 27. 2a 2a 根據申請專利範B第20項之電離器產生器，其中： 該空腔為園筒形•有一轴線構成有中心線，磁羝旋轉 器具係可浬作的將磁锇該袖線旋轉。 根據申誚専利範園第27項之霣鐮器產生器，其中： 該空腔包括多個環路電連於傳输線•並繞空腔之大約 中心線分開，各琿路之形狀及定向在於藉腔内之撖波能 產TMoli棋式之激勵。 根據申請專利範圃第2 8項之《離器產生器，其中： 該空腔之形狀及尺寸設計在於使微波能當其耩合入處 理室内時即在空腔内形成TM〇1棋式之激勵。 根據申謫專利範画第28項之霣雛器產生器，其中·· 該傅艙線有一分功器速於其中，將微波能大約等量的 分予各 (請先聞讀背面之注意事項再填窝本页) 3L 經 濟 部 中 標 準 ki 印 32 環路。 根據申請専利範 每一環路位於 —個平面内。 一種用電《氣處理半導《晶片之方法，包含下列各步驟 圍第28項之電離器產生器•其中： 相交在空腔粬線上之多僩平面中不同之 -7 . 甲 4 (210X297 公尨） 201367 A7 B7 C7 D7 六'申請專利範面 經濟部中央揉準局印裝 埋 及 .， 之 列 其之 腔 子 ； 驟 線 陣 跨腔 空 轚 氣 步 軸 一 ，空 入 生 離 之 其 之 内該 進 產 霣 尖 及 線 腔纆 能 中 及。磁。腔 _ 空通 該 ; ;tt 區質 ：一驟..空 ·•腔 ·. 於向 ·.合 XS場氣 各基中生步中遇 中空 中腰方 中耦 氣 磁於 轉之其產之其通 其繞 其氣質 其式 懕；生區 旋内，少尖，於 ，環 ，之基 ，棋 供中產各 .，也室法至磁法位 法於 法配朝 法οι 況腔内之 氣而於方内該方一 方位 方分流 方TM 情空腔内 離因位之室轉之生 之生 之入氣 之M 準之空腔 霣，理項在旋項產。項產 項引該 項括 水内在空 生場處32括括33括驟33括。32括使32包 力室鐵在 產磁氣第包包第包步第包驟第包及 第驟 懕入磁埸 匾轉離圍驟驟園驟尖園驟步画驟， 画步 空合之磁 各旋® 範步步範步磁範步之範步佈 範合 真耩外及 之線之利生轉利生單利生尖利應分 利耩 之能室能 内袖轉專產旋專產之専產磁專供匀 専能 内波於波.，腔腔旋請埸場請尖内請尖涸請體均 謫波 室微位微振空空此申磁磁申磁面申磁多申氣面。申微 在將 Μ用共在縝用據該該據該平據該有據該斷驟據該 磁 根 根 一根 中根 横步根 3a34353a37. (請先聞讀背面之注意事項再填寫本页) 甲 4 (210X297 公;¢) A7201367 b7 C7 D7 六'申請專利範面 :位内：軸袖 ..均 中個腔中腔腔。中中 其一 空其空空驟其路 ，少入 •鏡經步，環 法至合法環通之法僩 方由耦方由於内方多 之烴能之經位腔之在 項括該項括係空項括 37包將37包路人37包 第R而第驟環合第驟 _步路麵步一耩圍步 範合環範合.每能範合 利耦之利耦其該利耦 。專能內専能路將專能 驟誧波面請波環而請波 步申微平申微個此申微 之據該一據該多由據該。 内根 線根 之，根 驟 3a3a4Λ 袖 開内 步 腔 分面 之 空。 周平 能 烴驟 圔一 波 通步 沿之 微 於之 線線 分 ...................................(...............装..............................打........^ .................線 (請先W讀背面之注意事項再填鸾本页) 經濟部中央搮準局印裝 甲 4(210X297 公;¥)