TW201418192A - 有機電致發光元件 - Google Patents

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Takeshi Ikeda
Hirokatsu Ito
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Idemitsu Kosan Co
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Abstract

本發明之有機電致發光元件，其特徵係具有陽極、與前述陽極呈對向而設置的陰極、與設置於前述陽極及前述陰極之間至少含發光層之有機層，且前述發光層係含下述一般式(1)所示之蒽衍生物及下述一般式(21)所示之屈衍生物，下述一般式(1)中之Z1係下述一般式(2)所示者。□□

Description

有機電致發光元件
本發明係關於有機電致發光元件。
使用有機物質之有機電致發光元件(以下簡稱為有機EL元件)，可望用為固體發光型之便宜的大面積全彩顯示元件之用途，且有多數的開發進行中。一般而言，有機EL元件係由發光層及挾有該發光層之一對的對向電極所構成。若於兩電極間施加電場，則電子可從陰極側注入，且電洞可從陽極惻注入。再者，此電子係於發光層中與電洞再鍵結，生成激發狀態，當激發狀態返回基底狀態時，將能量釋放為光。
以往之有機EL元件，相較於無機發光二極體，其驅動電壓高、發光亮度或發光效率也低。又，特性劣化也顯著，未到實用化階段。最近之有機EL元件雖緩慢地改良中，但卻被要求要有高發光效率、長壽命、色彩再現性的提昇等。
藉由有機EL用發光材料之改良，有機EL元件之性能係緩慢地獲得改善。特別是藍色有機EL元件之色彩純 度提昇(發光波長之短波長化)乃是連結顯示器之色彩再現性提昇的重要技術。
文獻1(國際公開第2010-114253號)中，乃揭示了具備發光層之有機EL元件，該發光層係含有作為主體材料之經苯并丙二烯合茀取代之蒽衍生物、作為摻雜材料之胺衍生物。然後，文獻1中乃揭示了，根據具備該發光層之有機EL元件，可獲得壽命長、以高發光效率得到發光之要旨。
但是，文獻1中所記載之有機EL元件，其效率及壽命並未充分，在照明裝置或顯示裝置等的電子儀器之光源採用有機EL元件時，其效率必須更提昇，且更長壽命化。
於是，本發明之目的在於提供一種以低電壓驅動、高效率且長壽命進行發光之有機電致發光元件。
〔1〕
有關本發明一個態樣之有機電致發光元件其特徵係具有陽極、與前述陽極呈對向而設置的陰極、設置於前述陽極及前述陰極之間至少含發光層之有機層，且前述發光層係含下述一般式(1)所示之蒽衍生物及下述一般式(21)所示之屈衍生物。
〔前述一般式(1)中，R101~R110之任c個為單鍵，用於與L1鍵結、未用於與L1鍵結之R101~R110各自獨立地表示選自氫原子、鹵素原子、羥基、氰基、取代或無取代之胺基、取代或無取代之碳數1~20之烷基、取代或無取代之碳數1~20之烷氧基、取代或無取代之環形成碳數6~20之芳氧基、取代或無取代之環形成碳數6~20之芳硫基、取代或無取代之環形成碳數6~30之芳香族烴基、或是取代或無取代之環形成原子數5~30之雜環基中任一者、L1選自單鍵或是連結基之任一者、前述連結基係由取代或無取代之環形成碳數6~30之芳香族烴環構 造去除(a+1)個氫原子所成之(a+1)價的殘基、由取代或無取代之環形成原子數5~30之雜環構造去除(a+1)個氫原子所成之(a+1)價的殘基、或是由前述芳香族烴環構造及前述雜環構造之至少任一者鍵結2~4個所形成的構造中去除(a+1)個氫原子所成的(a+1)價的殘基，且a、b、c各表示1~4的整數。
Z1表示下述一般式(2)所示之構造〕
〔前述一般式(2)中之R119~R120各自獨立地表示選自氫原子、取代或無取代之碳數1~20之烷基、取代或無取代之碳數1~30之三烷基矽烷基、取代或無取代之碳數6~60之芳基矽烷基、取代或無取代之環形成碳數6~30之芳香族烴基、或是取代或無取代之環形成原子數5~30之雜環基中任一者、R111~R118之中任一個係以單鍵用於與L1鍵結，且未用於與L1鍵結之R111~R118各自獨立地表示和未 用於與L1鍵結之R101~R110同義。
又，R111與R112、R112與R113、R113與R114、R115與R116、R116與R117、以及R117與R118的組合之中，至少1組鄰接的2個取代基有形成下述一般式(3)所示之環構造的情況〕
〔前述一般式(3)中，y1、y2表示前述一般式(2)之R111~R118中，鄰接之組的鍵結位置。
R121~R124各自獨立地表示選自氫原子、鹵素原子、羥基、氰基、取代或無取代之胺基、取代或無取代之碳數1~20之烷基、取代或無取代之碳數1~20之烷氧基、取代或無取代之環形成碳數6~20之芳氧基、取代或無取代之環形成碳數6~20之芳硫基、取代或無取代之環形成碳數6~30之芳香族烴基、或是取代或無取代之環形成原子數5~30之雜環基中任一者。
前述一般式(2)中，不形成環的R111~R118之任一者及前述一般式(3)之R121~R124之任一者為單鍵，且用於與一般式(1)之L1鍵結〕
〔前述一般式(21)中，R20~R29各自獨立地表示氫原子、鹵素原子、氰基、取代或無取代之碳數1~20之烷基、取代或無取代之矽烷基、或是取代或無取代之環形成碳數6~30之芳香族烴基。
Ar21~Ar24各自獨立地表示取代或無取代之環形成碳數6~30之芳香族烴基、或是取代或無取代之環形成原子數5~30之雜環基。
Ar21~Ar24當具有烷基作為取代基時，各具有至少2個以上之烷基〕
根據本發明，係可提供以低電壓驅動、以高效率且長壽命發光之有機電致發光元件。
1‧‧‧有機EL元件
2‧‧‧基板
3‧‧‧陽極
4‧‧‧陰極
5‧‧‧發光層
6‧‧‧電洞輸送層
7‧‧‧電子輸送層
10‧‧‧有機層
圖1表示有關本發明之實施形態的有機電致發光元件之一例概略構成的圖。
實施發明之形態 (有機EL元件之元件構成)
以下，就本發明之有機EL元件的元件構成進行說明。
本發明之有機EL元件係於一對的電極間具備有機層。此有機層，具有至少一層以有機化合物所構成之層。有機層係可包含無機化合物。
本發明之有機EL元件中，有機層之中至少1層具有發光層。因此，有機層，例如可以一層之發光層所構成，亦可具有於電洞注入層、電洞輸送層、電子注入層、電子輸送層、電洞障壁層、電子障壁層等之有機EL元件中所採用之層。
有機EL元件之代表性元件構成方面，可舉出
(a)陽極/發光層/陰極
(b)陽極/電洞注入．輸送層/發光層/陰極
(c)陽極/發光層/電子注入．輸送層/陰極
(d)陽極/電洞注入．輸送層/發光層/電子注入．輸送層/陰極
(e)陽極/電洞注入．輸送層/發光層/障壁層/電子注 入．輸送層/陰極等的構造。
上述之中，較宜使用(d)之構成，當然，並不受限於此等。
此外，上述所謂「發光層」係具有發光機能之有機層，當採用摻雜化系統時，係含有主體材料與摻雜材料。此時，主體材料主要具有促使電子與電洞再鍵結並將激發子封入發光層內之機能，摻雜材料乃具有使再鍵結所得之激發子更有效率地發光之機能。燐光元件時，主體材料主要具有使以摻雜所生成之激發子封入發光層內之機能。
上述「電洞注入．輸送層」意指「電洞注入層及電洞輸送層之中至少任一者」，「電子注入．輸送層」意指「電子注入層及電子輸送層之中至少任一者」。在此，具有電洞注入層及電洞輸送層時，電洞注入層係以設置於陽極側者佳。又，具有電子注入層及電子輸送層時，電子注入層係以設置於陰極側者佳。
本發明中，稱為電子輸送層時，係指存在於發光層與陰極之間的電子輸送區域之有機層之中，電子移動度最高的有機層。電子輸送區域為以一層所構成時，該層係電子輸送層。又，燐光型之有機EL元件中，係如構成(e)中所示，在以防止於發光層所生成之激發能量的擴散為目的下，係有將電子移動度未必高的障壁層用於發光層與電子輸送層之間，而與發光層鄰接之有機層未必相當於電子輸送層。
圖1中，表示本發明之實施形態中有機EL元件之一例概略構成。
有機EL元件1乃具有透光性之基板2、陽極3、陰極4、於陽極3與陰極4之間所配置的有機層10。
有機層10係具有含主體材料及摻雜材料之發光層5。又，有機層10係於發光層5與陽極3之間，具有電洞輸送層6。再者，有機層10係於發光層5與陰極4之間，具有電子輸送層7。
(發光層) ．主體材料
本發明之有機EL元件中所用的主體材料方面，係可使用下述一般式(1)所示之蒽衍生物。
前述一般式(1)中，R101~R110之任c個為單鍵，且用於與L1鍵結。
前述一般式(1)中，未用於與L1鍵結之R101~R110各自獨立地表示選自氫原子、鹵素原子、 羥基、氰基、取代或無取代之胺基、取代或無取代之碳數1~20之烷基、取代或無取代之碳數1~20之烷氧基、取代或無取代之環形成碳數6~20之芳氧基、取代或無取代之環形成碳數6~20之芳硫基、取代或無取代之環形成碳數6~30之芳香族烴基、或是取代或無取代之環形成原子數5~30之雜環基中任一者。
前述一般式(1)中，L1選自單鍵或是連結基之任一者。
前述一般式(1)中，前述連結基係由取代或無取代之環形成碳數6~30之芳香族烴環構造去除(a+1)個氫原子所成之(a+1)價的殘基、由取代或無取代之環形成原子數5~30之雜環構造去除(a+1)個氫原子所成之(a+1)價的殘基、或是由前述芳香族烴環構造及前述雜環構造之至少任一者鍵結2~4個所形成的構造中去除(a+1)個氫原子所成的(a+1)價的殘基。
前述一般式(1)中，a、b、c各表示1~4的整數。
前述一般式(1)之a係以1或2者佳。
前述一般式(1)之b係以1者佳。
前述一般式(1)中，Z1表示下述一般式(2)所示之構造。
前述一般式(2)中之R119~R120各自獨立地表示選自氫原子、取代或無取代之碳數1~20之烷基、取代或無取代之碳數1~30之烷基矽烷基、取代或無取代之碳數6~60之芳基矽烷基、取代或無取代之環形成碳數6~30之芳香族烴基、或是取代或無取代之環形成原子數5~30之雜環基中任一者、R111~R118之中任一個係以單鍵用於與L1鍵結，且未用於與L1鍵結之R111~R118各自獨立地表示和未用於與L1鍵結之R101~R110同義。
又，R111與R112、R112與R113、R113與R114、R115與R116、R116與R117、以及R117與R118的組合之中，至少1組鄰接的2個取代基有形成下述一般式(3)所示之環構造的情況。
前述一般式(3)中，y1、y2表示前述一般式(2)之R111~R118中，鄰接之組的鍵結位置。
R121~R124各自獨立地表示選自氫原子、鹵素原子、羥基、氰基、取代或無取代之胺基、取代或無取代之碳數1~20之烷基、取代或無取代之碳數1~20之烷氧基、取代或無取代之環形成碳數6~20之芳氧基、取代或無取代之環形成碳數6~20之芳硫基、取代或無取代之環形成碳數6~30之芳香族烴基、或是取代或無取代之環形成原子數5~30之雜環基中任一者。
前述一般式(2)中，不形成環的R111~R118之任一者及前述一般式(3)之R121~R124之任一者為單鍵，且用於與一般式(1)之L1鍵結。
又，前述一般式(2)中之Z1係以下述一般式(2-1)、(2-2)、(2-3)之任一所示為佳。
前述一般式(2-1)中之Ar161~Ar162、前述一般式(2-2)中之Ar171~Ar172、前述一般式(2-3)中之Ar181~Ar182各自獨立地表示和前述一般式(2)中之R119~R120同義。
前述一般式(2-1))中之R161~R170之中任一個係以單鍵用於與L1鍵結，且未用於與L1鍵結之R161~R170各自獨立地表示和未用於與L1鍵結之R101~R110同義。
前述一般式(2-2)中之R171~R180之中任一個係以 單鍵用於與L1鍵結，且未用於與L1鍵結之R171~R180各自獨立地表示和未用於與L1鍵結之R101~R110同義。
前述一般式(2-3)中之R181~R190之中任一個係以單鍵用於與L1鍵結，且未用於與L1鍵結之R181~R190各自獨立地表示和未用於與L1鍵結之R101~R110同義。
前述一般式(1)之R109及R110之至少任一者係以與L1鍵結中所用的單鍵者佳。
前述一般式(1)之R109係以選自取代或無取代之環形成碳數6~30之芳香族烴基、或是取代或無取代之環形成原子數5~30之雜環基之基者佳。
然後，前述一般式(1)之R109係以下述一般式(11)所示者佳。
前述一般式(11)中，Ar1表示選自取代或無取代之環形成碳數6~30之芳香族烴基、或是取代或無取代之環形成原子數5~30之雜環基之基。
前述一般式(11)中，Ra係各自和前述一般式(1)中未用於與L1鍵結之R101~R110同義。
前述一般式(11)中，d表示1~4的整數。
前述一般式(11)中，d為2~4時，複數的Ra可相同或是相異。
又，前述一般式(1)之R109係取代或無取代之環形成碳數10~30之縮合芳香族烴基者佳。
又，前述(1)之R109係取代或無取代之環形成碳數10~30之縮合芳香族烴基，且前述一般式(1)之R110係以用於與L1鍵結之單鍵者佳。
又，前述一般式(1)中，a為1，且前述連結基係以由取代或無取代之環形成碳數6~30之芳香族烴環構造去除2個氫原子所成之2價的殘基者佳，取代或無取代之環形成碳數6~10之芳香族烴環構造之2價的殘基更佳、伸苯基再更佳。
本實施形態中，前述一般式(1)所示之化合物係以下述一般式(4)或是下述一般式(5)所示之化合物者佳。
前述一般式(4)及前述一般式(5)中，R101~R108、R110~R118各自獨立地表示和前述一般式(1)中之未用於與L1鍵結之R101~R110同義。
前述一般式(4)及前述一般式(5)中，R119~R120各自獨立地表示和前述一般式(2)中之R119~R120同義。
前述一般式(4)及前述一般式(5)中，L1係和前述一般式(1)中之L1同義。
再者，本實施形態中，前述一般式(1)所示之化合物係以下述一般式(6)~(9)所示之化合物者佳。
前述一般式(6)~(9)中，R101~R108、R110~R118各自獨立地表示和前述一般式(1)中之未用於與L1鍵結之R101~R110同義。
前述一般式(6)~(9)中，R119~R120各自獨立地表示和前述一般式(2)中之R119~R120同義。
此外，前述一般式(6)及前述一般式(7)中，蒽環及茀環係與構成苯環的6員環之碳原子鍵結著。
本實施形態中，前述一般式(1)所示之化合物係以下述一般式(12)所示之化合物者佳。
前述一般式(12)中，R101~R108、R110、R171、R173~R180各自獨立地表示和前述一般式(1)中之未用於與L1鍵結之R101~R110同義。
前述一般式(12)中，Ar171~Ar172各自獨立地表示和前述一般式(2)中之R119~R120同義。
前述一般式(12)中，L1係和前述一般式(1)中之L1同義。
再者，本實施形態中，前述一般式(1)所示之化合物係以下述一般式(13)或是下述一般式(14)所示之化合物者佳。
前述一般式(13)或是前述一般式(14)中，R101~R108、R110、R171、R173~R180各自獨立地表示和前述一般式(1)中之未用於與L1鍵結之R101~R110同義。
前述一般式(13)或是前述一般式(14)中，Ar171~Ar172各自獨立地表示和前述一般式(2)中之R119~R120同義。
此外，前述一般式(13)中，蒽環及苯并茀環係與構成苯環的6員環之碳原子鍵結著。
本實施形態中，前述一般式(1)所示之化合物係以下述一般式(15)所示之化合物者佳。
前述一般式(15)中，R101~R108、R110、R161、R163~R170各自獨立地表示和前述一般式(1)中之未用於與L1鍵結之R101~R110同義。
前述一般式(15)中，Ar161~Ar162各自獨立地表示和前述一般式(2)中之R119~R120同義。
前述一般式(15)中，L1係和前述一般式(1)中之L1同義。
再者，本實施形態中，前述一般式(1)所示之化合物係以下述一般式(16)或是下述一般式(17)所示之化合物者佳。
前述一般式(16)或是前述一般式(17)中，R101~R108、R110、R161、R163~R170各自獨立地表示和前述一般式(1)中之未用於與L1鍵結之R101~R110同義。
前述一般式(16)或是前述一般式(17)中，Ar161~Ar162各自獨立地表示和前述一般式(2)中之R119~R120同義。
此外，前述一般式(16)中，蒽環及苯并茀環係與構成苯環的6員環之碳原子鍵結著。
本實施形態中，前述一般式(1)所示之化合物係以下述一般式(18)所示之化合物者佳。
前述一般式(18)中，R101~R108、R110、R181、R183~R190各自獨立地表示和前述一般式(1)中之未用於與L1鍵結之R101~R110同義。
前述一般式(18)中，Ar181~Ar182各自獨立地表示和前述一般式(2)中之R119~R120同義。
前述一般式(18)中，L1係和前述一般式(1)中之L1同義。
再者，本實施形態中，前述一般式(1)所示之化合物係以下述一般式(19)或是下述一般式(20)所示之化合物者佳。
前述一般式(19)或是前述一般式(20)中，R101~R108、R110、R181、R183~R190各自獨立地表示和前述一般式(1)中之未用於與L1鍵結之R101~R110同義。
前述一般式(19)或是前述一般式(20)中，Ar181~Ar182各自獨立地表示和前述一般式(2)中之R119~R120同義。
此外，前述一般式(19)中，蒽環及苯并茀環係與構成苯環的6員環之碳原子鍵結著。
本實施形態中，前述一般式(1)所示之化合物係以 下述一般式(31)所示之化合物者佳。
前述一般式(31)中，R101~R108、R110、R181~R188、R190各自獨立地表示和前述一般式(1)中之未用於與L1鍵結之R101~R110同義。
前述一般式(31)中，Ar181~Ar182各自獨立地表示和前述一般式(2)中之R119~R120同義。
前述一般式(31)中，L1係和前述一般式(1)中之L1同義。
再者，本實施形態中，前述一般式(1)所示之化合物係以下述一般式(32)或是下述一般式(33)所示之化合物者佳。
前述一般式(32)或是前述一般式(33)中，R101~R108、R110、R181~R188、R190各自獨立地表示和前述一般式(1)中之未用於與L1鍵結之R101~R110同義。
前述一般式(32)或是前述一般式(33)中，Ar181~Ar182各自獨立地表示和前述一般式(2)中之R119~R120同義。
此外，前述一般式(32)中，蒽環及苯并茀環係與構成苯環的6員環之碳原子鍵結著。
前述一般式(4)~(9)、(12)~(20)、(31)~(32)之R110係以選自取代或無取代之環形成碳數6~ 30之芳香族烴基、或是取代或無取代之環形成原子數5~30之雜環基之基者佳。
又，前述一般式(4)~(9)、(12)~(20)、(31)~(32)之R110係以取代或無取代之環形成碳數6~30之芳香族烴基者佳、以取代或無取代之環形成碳數10~30之縮合芳香族烴基者更佳。
接著，就前述一般式(1)~(3)、(2-1)~(2-3)、(11)記載的各取代基來進行說明。
前述一般式(1)~(3)、(2-1)~(2-3)、(11)中記載之取代基的具體例方面，可舉出鹵素原子、羥基、氰基、硝基、羧基、取代或無取代之矽烷基、取代或無取代之胺基、取代或無取代之碳數1~20之直鏈狀、分支鏈狀或是環狀之烷基、取代或無取代之碳數1~20之直鏈狀、分支鏈狀或是環狀之鹵烷基、取代或無取代之碳數1~20之直鏈狀、分支鏈狀或是環狀之烷氧基、取代或無取代之碳數1~20之直鏈狀、分支鏈狀或是 環狀之鹵烷氧基、取代或無取代之碳數7~30之芳烷基、取代或無取代之環形成碳數6~30之芳氧基、取代或無取代之環形成碳數6~30之芳硫基、取代或無取代之環形成碳數6~30之芳香族烴基、取代或無取代之環形成原子數5~30之雜環基。
前述一般式(1)~(9)、(2-1)~(2-3)、(11)~(20)、(31)~(33)中之鹵素原子方面，可舉出氟、氯、溴、碘等，以氟者佳。
前述一般式(1)~(9)、(2-1)~(2-3)、(11)~(20)、(31)~(33)中之取代或無取代之胺基方面，可舉出經各取代基取代之胺基，以經芳香族烴基取代之胺基較佳、經苯基取代之胺基更佳。於胺基上進行取代之芳香族烴基方面，可舉出下述環形成碳數6~30之芳香族烴基。
前述一般式(1)~(9)、(2-1)~(2-3)、(11)~(20)、(31)~(33)中之碳數1~20之烷基方面，可為直鏈、分支鏈或是環狀之任一者，直鏈或是分支鏈之烷基方面，可舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、s-丁基、異丁基、t-丁基、n-戊基、n-己基、n-庚基、n-辛基、n-壬基、n-癸基、n-十一烷基、n-十二烷基、n-十三烷基、n-十四烷基、n-十五烷基、n-十六烷基、n-十七烷基、n-十八烷基、新戊基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、1-戊基己基、1-丁基戊基、1-庚基辛基、3-甲 基戊基、羥基甲基、1-羥基乙基、2-羥基乙基、2-羥基異丁基、1,2-二羥基乙基、1,3-二羥基異丙基、2,3-二羥基-t-丁基、1,2,3-三羥基丙基、氯甲基、1-氯乙基、2-氯乙基、2-氯異丁基、1,2-二氯乙基、1,3-二氯異丙基、2,3-二氯-t-丁基、1,2,3-三氯丙基、溴甲基、1-溴乙基、2-溴乙基、2-溴異丁基、1,2-二溴乙基、1,3-二溴異丙基、2,3-二溴-t-丁基、1,2,3-三溴丙基、碘甲基、1-碘乙基、2-碘乙基、2-碘異丁基、1,2-二碘乙基、1,3-二碘異丙基、2,3-二碘-t-丁基、1,2,3-三碘丙基、胺基甲基、1-胺基乙基、2-胺基乙基、2-胺基異丁基、1,2-二胺基乙基、1,3-二胺基異丙基、2,3-二胺基-t-丁基、1,2,3-三胺基丙基、氰基甲基、1-氰基乙基、2-氰基乙基、2-氰基異丁基、1,2-二氰基乙基、1,3-二氰基異丙基、2,3-二氰基-t-丁基、1,2,3-三氰基丙基、硝基甲基、1-硝基乙基、2-硝基乙基、1,2-二硝基乙基、2,3-二硝基-t-丁基、1,2,3-三硝基丙基、三氟甲基、2,2,2-三氟乙基、1,1,1,3,3,3-六氟-2-丙基等。
環狀之烷基(環烷基)方面，可舉例如環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環戊基、環己基、環辛基、4-甲基環己基、3,5-四甲基環己基、1-金剛烷基、2-金剛烷基、1-降莰基、2-降莰基等。
上述烷基之中，係以碳數1~10之烷基較佳、碳數1~8之烷基更佳、碳數1~4之烷基特別佳。其中更以甲 基、異丙基、t-丁基、環己基為佳。
碳數1~20之直鏈狀、分支鏈狀或是環狀之鹵烷基方面，可舉例如前述碳數1~20之烷基經1以上之鹵素原子所取代者。具體而言，可舉出氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、氟乙基、三氟甲基甲基等。
前述一般式(1)~(9)、(2-1)~(2-3)、(11)~(20)、(31)~(33)中之碳數1~20之直鏈狀、分支鏈狀或是環狀之烷氧基可表示為-OY1。此Y1之例方面，可舉出前述碳數1~20之烷基。烷氧基係可舉例如甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基。上述烷氧基之中，係以碳數1~10之烷氧基較佳、碳數1~8之烷氧基更佳。特別佳為碳數1~4之烷氧基。
前述一般式(1)~(9)、(2-1)~(2-3)、(11)~(20)、(31)~(33)中之碳數1~20之直鏈狀、分支鏈狀或是環狀之鹵烷氧基方面，可舉例如前述碳數1~20之烷氧基經1以上的鹵素基所取代者。
前述一般式(1)~(9)、(2-1)~(2-3)、(11)~(20)、(31)~(33)中之碳數7~30之芳烷基可表示為-RX-RY。此RX之例方面，可舉出對應於上述碳數1~30之烷基的伸烷基。此RY之例方面，可舉出下述環形成碳數6~30之芳香族烴基之例。此芳烷基中，芳香族烴基部分係碳數為6~30、較佳為6~20、更佳為6~12。又，此芳烷基中，烷基部分係碳數為1~30、較佳為1~20、更佳為1~10、又更佳為1~6。此芳烷基方 面，可舉例如苯甲基、2-苯基丙烷-2-基、1-苯基乙基、2-苯基乙基、1-苯基異丙基、2-苯基異丙基、苯基-t-丁基、α-萘基甲基、1-α-萘基乙基、2-α-萘基乙基、1-α-萘基異丙基、2-α-萘基異丙基、β-萘基甲基、1-β-萘基乙基、2-β-萘基乙基、1-β-萘基異丙基、2-β-萘基異丙基、1-吡咯基甲基、2-(1-吡咯基)乙基、p-甲基苯甲基、m-甲基苯甲基、o-甲基苯甲基、p-氯苯甲基、m-氯苯甲基、o-氯苯甲基、p-溴苯甲基、m-溴苯甲基、o-溴苯甲基、p-碘苯甲基、m-碘苯甲基、o-碘苯甲基、p-羥基苯甲基、m-羥基苯甲基、o-羥基苯甲基、p-胺基苯甲基、m-胺基苯甲基、o-胺基苯甲基、p-硝基苯甲基、m-硝基苯甲基、o-硝基苯甲基、p-氰基苯甲基、m-氰基苯甲基、o-氰基苯甲基、1-羥基-2-苯基異丙基、1-氯-2-苯基異丙基。
前述一般式(1)~(9)、(2-1)~(2-3)、(11)~(20)、(31)~(33)中之環形成碳數6~30之芳氧基可表示為-OZ2。此Z2之例方面，可舉出下述環形成碳數6~30之芳香族烴基。此芳氧基方面，可舉例如苯氧基。
前述一般式(1)~(9)、(2-1)~(2-3)、(11)~(20)、(31)~(33)中之環形成碳數6~30之芳硫基可表示為-SZ3。此Z3之例方面，可舉出下述環形成碳數6~30之芳香族烴基。
前述一般式(1)~(9)、(2-1)~(2-3)、(11)~(20)、(31)~(33)中之環形成碳數6~30 之芳香族烴基方面，可舉出非縮合芳香族烴基及縮合芳香族烴基，更具體而言，可舉出苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、三苯基、四苯基、丙二烯合茀基、芘基、聯三伸苯基、菲基、茀基、9,9-二甲基茀基、苯并〔c〕菲基、苯并〔a〕聯三伸苯基、萘并〔1,2-c〕菲基、萘并〔1,2-a〕聯三伸苯基、二苯并〔a,c〕聯三伸苯基、苯并〔b〕丙二烯合茀基等。上述芳香族烴基之中，係以環形成碳數6~20之芳香族烴基更佳、環形成碳數6~12之芳香族烴基特別佳。
前述一般式(1)~(9)、(2-1)~(2-3)、(11)~(20)、(31)~(33)中之環形成原子數5~30之雜環基方面，可舉出非縮合雜環及縮合雜環，更具體而言，可舉出吡咯基、吡嗪基、吡啶基、吲哚基、異吲哚基、呋喃基、苯并呋喃基、異苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、喹啉基、異喹啉基、喹噁啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲啉基、噻吩基、及由吡啶環、吡嗪環、嘧啶環、噠嗪環、三嗪環、吲哚環、喹啉環、吖啶環、吡咯啶環、二氧陸圜環、哌啶環、嗎呋啉環、哌嗪環、咔唑環、呋喃環、噻吩環、噁唑環、噁二唑環、苯并噁唑環、噻唑環、噻二唑環、苯并噻唑環、三唑環、咪唑環、苯并咪唑環、吡喃環、二苯并呋喃環、苯并〔c〕二苯并呋喃環所形成之基。上述雜環基之中，以環形成原子數5~20之雜環基更佳、環形成原子數5~12之雜環基特別佳。
前述一般式(1)~(9)、(2-1)~(2-3)、(11)~(20)、(31)~(33)中之矽烷基方面，除了無取代之矽烷基之外，可舉出碳數1~30之烷基矽烷基及碳數6~60之芳基矽烷基。
前述一般式(1)~(9)、(2-1)~(2-3)、(11)~(20)、(31)~(33)中，碳數1~30之烷基矽烷基方面，可舉出具有上述碳數1~20之烷基中例示之烷基的三烷基矽烷基，具體而言，可舉出三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、三-n-丁基矽烷基、三-n-辛基矽烷基、三丁基矽烷基、二甲基乙基矽烷基、二甲基異丙基矽烷基、二甲基-n-丙基矽烷基、二甲基-n-丁基矽烷基、二甲基-t-丁基矽烷基、二乙基異丙基矽烷基、乙烯基二甲基矽烷基、丙基二甲基矽烷基、三丙基矽烷基等。3個烷基可各為相同或相異。
環形成碳數6~60之芳基矽烷基方面，可舉出芳基矽烷基、烷基芳基矽烷基、二烷基芳基矽烷基、二芳基矽烷基、烷基二芳基矽烷基、三芳基矽烷基。複數的芳基彼此或是烷基彼此可相同或相異。
二烷基芳基矽烷基，可舉例如具有2個上述碳數1~20之烷基中例示之烷基且具有1個上述環形成碳數6~30之芳基所成的二烷基芳基矽烷基。二烷基芳基矽烷基之碳數係以8~30者佳。2個烷基可各為相同或相異。
烷基二芳基矽烷基，可舉例如具有1個上述碳數1~20之烷基中例示之烷基且具有2個上述環形成碳數6~30 之芳基所成的烷基二芳基矽烷基。烷基二芳基矽烷基之碳數係以13~30者佳。2個芳基可各為相同或相異。
三芳基矽烷基，可舉例如具有3個上述環形成碳數6~30之芳基所成的三芳基矽烷基。三芳基矽烷基之碳數係以18~30者佳。3個芳基可各為相同或相異。
如此的芳基矽烷基方面，可舉例如苯基二甲基矽烷基、二苯基甲基矽烷基、二苯基-t-丁基矽烷基、三苯基矽烷基。
前述一般式(1)中，未用於與L1鍵結之R101~R109方面，係以氫原子或是烷基等者更佳、以氫原子者特別佳。
R109為環形成碳數10~30之縮合芳香族烴基時，更佳為1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-稠四苯基、2-稠四苯基、9-稠四苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基及4-甲基-1-蒽基。
前述一般式(1)、(4)、(5)、(12)、(15)、(18)、(31)中，L1為連結基時，可舉出取代或無取代之環形成碳數6~30之(a+1)價之芳香族烴基、取代或無取代之(a+1)價的環形成原子數5~10之雜環基、或是此等之芳香族烴基、雜環基鍵結2~4個所形成之2價的基。
環形成碳數6~30之(a+1)價之芳香族烴基的具體例方面，可舉出使列舉為上述之環形成碳數6~30之芳香 族烴基者為(a+1)價的基者。
又，環形成原子數5~30之(a+1)價的雜環基的具體例方面，可舉出使列舉為上述之環形成原子數5~30之雜環基者為(a+1)價的基者。
L1為環形成碳數6~30之(a+1)價之芳香族烴基時，更佳的芳香族烴基方面，可舉出使苯基、聯苯基、萘基、9,9-二甲基茀基為2價基者。
L1為環形成原子數6~30之(a+1)價的雜環基時，更佳的雜環基方面，可舉出使吡啶基、嘧啶基、二苯并呋喃基、咔唑基為2價基者。
前述一般式(2)中之未用於與L1鍵結之R111~R118方面，係以氫原子或是烷基者更佳、以氫原子者特別佳。
前述一般式(2)中之R119~R120方面，係以烷基者佳，其中以甲基更佳、R119及R120雙方皆為甲基者又更佳。
前述一般式(3)中之R121~R124方面，係以氫原子或是烷基者更佳、以氫原子者特別佳。
前述一般式(11)中，Ar1方面，特別佳為苯基、萘基、菲基、9,9-二甲基茀基、聯苯基。
Ra方面，係以氫原子、芳基、或是雜環基者特別佳。
本發明中，所謂「環形成碳」意指構成飽和環、不飽和環或是芳香環之碳原子。所謂「環形成原子」意指構成雜環(包含飽和環、不飽和環及芳香環)之碳原子及雜原 子。
又，本發明中，所謂氫原子意指中子數相異的同位素，即包含氕(Protium)、氘(Deuterium)、氚(Tritium)。
又，稱為「取代或無取代之」之情況時的取代基方面，可舉出如上述之芳香族烴基、雜環基、烷基(直鏈或是分支鏈之烷基、環烷基、鹵烷基)、烷氧基、芳氧基、芳烷基、鹵烷氧基、烷基矽烷基、二烷基芳基矽烷基、烷基二芳基矽烷基、三芳基矽烷基、鹵素原子、氰基、羥基、硝基、及羧基。其他亦可舉出烯基或炔基。
在此所舉出的取代基之中，係以芳香族烴基、雜環基、烷基、鹵素原子、烷基矽烷基、芳基矽烷基、氰基較佳、再者，更以於各取代基之說明中為較佳之具體的取代基者佳。
稱為「取代或無取代之」之情況時的「無取代」意指不以前述取代基所取代，而鍵結有氫原子者。
此外，本說明書中，「取代或無取代之碳數a~b之XX基」的表現中之「碳數a~b」表示XX基為無取代時的碳數者，不能包含XX基被取代時的取代基之碳數。
以下說明之化合物或是其部分構造中，有關稱「取代或無取代之」的情況時，亦與前述相同。
以下雖顯示一般式(1)所示之蒽衍生物的具體例，但本發明並不受限於此等例示之化合物。
．摻雜材料
本發明之有機EL元件中所用的摻雜材料方面，可使用下述一般式(21)所示之屈衍生物。
前述一般式(21)中，R20~R29各自表示氫原子、鹵素原子、氰基、取代或無取代之碳數1~20之烷基、取代或無取代之矽烷基、或是取代或無取代之環形成碳數6~30之芳香族烴基。
前述一般式(21)中，Ar21~Ar24各自表示取代或無取代之環形成碳數6~30之芳香族烴基、或是 取代或無取代之環形成原子數5~30之雜環基。
前述一般式(21)中，Ar21~Ar24當具有烷基作為取代基時，各具有至少2個以上之烷基。
上述一般式(21)中之鹵素原子、烷基、矽烷基、芳香族烴基、雜環基方面，可舉出前述一般式(1)~(9)、(2-1)~(2-3)、(11)~(20)、(31)~(33)中之說明所例示者。
上述一般式(21)中，R20~R29係以氫原子者佳。
又，一般式(21)中，Ar21~Ar24各以具有2個以上之取代基者佳。
前述一般式(21)更以下述一般式(22)所示者佳。
前述一般式(22)中，A1~A4各自獨立地表示由氫原子、鹵素原子、取代或無取代之碳數1~20之烷基、取代或無取代之碳數1~20之烷氧基、取代或無取代之環形成碳數6~30之芳氧基、取代或無取代之碳數7~30之芳烷基、取代或無取代之胺基、取代或無取代之矽烷基、 取代或無取代之環形成碳數6~30之芳香族烴基、及取代或無取代之環形成原子數5~30之雜環基所成之第一群中選出者。
前述一般式(22)中，p、q、r及s各自獨立地表示0~3的整數，且p、q、r及s各為2以上時，A1~A4係相同或相異。
前述一般式(22)中，A5~A12各自獨立地表示由鹵素原子、取代或無取代之碳數1~20之烷基、取代或無取代之碳數1~20之烷氧基、取代或無取代之環形成碳數6~30之芳氧基、取代或無取代之碳數7~30之芳烷基、取代或無取代之胺基、取代或無取代之矽烷基、取代或無取代之環形成碳數6~30之芳香族烴基、及取代或無取代之環形成原子數5~30之雜環基中選出者。
又，A5與A6、A7與A8、A9與A10、A11與A12可互相連結而形成飽和或不飽和之環。
前述一般式(22)中，A5~A12乃各自獨立地以取代或是無取代之碳數1~20之烷基者更佳。
以下雖顯示出前述一般式(21)及前述一般式(22)所示之屈衍生物的具體例，但本發明並不受限於此等例示之化合物。
摻雜材料之發光層中之含有量並無特別限制，可因應目的來適當選擇，例如，以0.1質量%以上70質量%以下較佳、1質量%以上30質量%以下更佳。摻雜材料之含有量若為0.1質量%以上，則可獲得充分的發光，若為70質量%以下，則可避免濃度消光。
本實施形態中，發光層中所含的摻雜材料方面，發光色雖無特別限定，但以顯示出主波峰波長為480nm以下 的藍色發光之螢光發光性之摻雜材料者佳。所謂主波峰波長，乃是於濃度10-6莫耳/公升以上10-5莫耳/公升以下的甲苯溶液中所測定的發光光譜中發光強度為最大之發光光譜的波峰波長。
藉由將如此的主波峰波長之摻雜材料摻雜至前述一般式(1)所示之主體材料中來構成發光層，所成的有機EL元件會為高效率且長壽命。
．主體材料及摻雜材料之組合
本實施形態之有機EL元件中，係使用經茀環取代之(1)所示之蒽衍生物作為主體材料，並使用式(21)所示之屈衍生物作為摻雜材料。在蒽中取代茀時，從茀環之平面性，即可預測分子間之堆積性會向上提昇，且電荷移動度會變高。此時，電荷會自發光層漏出，會有效率及壽命降低之虞。因此認為，藉由使用具有電子或電洞捕集性且具有縮合環構造之摻雜物，而可將載體封入發光層內，達成高效率且長壽命。考量屈衍生物具有電洞捕集性且具有縮合環構造，當對前述主體材料而言使用作為摻雜材料時，特別可期待有機EL元件之高效率化及長壽命化。
(電洞注入．輸送層)
電洞注入．輸送層係協助朝發光層之電洞注入且輸送至發光區域為止之層，可使用電洞移動度大、離子化能量小的化合物。
形成電洞注入．輸送層之材料方面，係以能以更低電場強度將電洞輸送至發光層之材料較佳，例如，宜用芳香族胺化合物。
(電子注入．輸送層)
電子注入．輸送層乃是協助朝發光層之電子的注入並輸送至發光區域為止的層，可使用電子移動度大的化合物。
電子注入．輸送層中所用的化合物方面，例如，宜用分子內含有1個以上雜原子之芳香族雜環化合物，特別以含氮環衍生物為佳。含氮環衍生物方面，係以具有含氮6員環或5員環骨架之雜環化合物為佳。
本發明之有機EL元件中，於發光層以外之有機層中，除了上述例示之化合物以外，係可從以往之有機EL元件中所使用的材料之中選擇任意的化合物來使用。
(基板)
本發明之有機EL元件乃製作於透光性之基板上。在此所述之透光性基板乃是支持有機EL元件的基板，係以400nm~700nm之可見區域的光透過率為50%以上、平滑的基板為佳。
具體而言，可舉出玻璃板、聚合物板等。
玻璃板方面，可舉出特別是使用碳酸鈉石灰玻璃、含鋇．鍶之玻璃、鉛玻璃、矽酸鋁玻璃、矽酸硼玻璃、鋇矽 酸硼玻璃、石英等作為原料所成者。
又聚合物板方面，可舉出使用聚碳酸酯、丙烯酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚醚硫醚、聚碸等作為原料所成者。
(陽極及陰極)
有機EL元件之陽極乃擔任將電洞注入電洞注入層、電洞輸送層或是發光層的角色，以具有4.5eV以上之功函數者有效。
陽極材料之具體例方面，可舉出氧化銦錫合金(ITO)、氧化錫(NESA)、氧化銦鋅氧化物、金、銀、白金、銅等。
陽極係將此等電極物質以蒸鍍法或濺鍍法等之方法使薄膜形成來製作。
如本實施形態般，將來自發光層的發光自陽極取出時，係使陽極之可見區域的光透過率大於10%者。又，陽極之薄片電阻係以數百Ω/□(歐姆/平方)以下為佳。陽極之膜厚雖依材料而定，通常可於10nm~1μm、較佳為10nm~200nm之範圍中選擇。
陰極方面，可舉出係以於電子注入層、電子輸送層或是發光層中注入電子為目的下，以功函數小的材料為佳。
陰極材料雖無特別限定，具體而言，可使用銦、鋁、鎂、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、鋁-鋰合金、鋁-鈧-鋰合金、鎂-銀合金等。
陰極亦與陽極同樣地，可藉以蒸鍍法或濺鍍法等的方法使薄膜形成而製作。又，可採用自陰極側取出發光之態樣。又，可採用自陰極側取出來自發光層之發光的態樣。將來自發光層之發光從陰極側取出時，陰極之可見區域的光透過率係以大於10%者佳。
陰極之薄片電阻係以數百Ω/□以下為佳。
陰極之層厚雖視材料而定，但通常可於10nm以上1μm以下、較佳為50nm以上200nm以下之範圍中選擇。
(有機EL元件之各層之形成方法)
本發明之有機EL元件之各層之形成方法並無特別限定。可使用以往公知之真空蒸鍍法、旋轉塗佈法等所為之形成方法。本發明之有機EL元件中用的有機層，可藉以真空蒸鍍法、分子線蒸鍍法(MBE法、MBE；Molecular Beam Epitaxy)或使其溶於溶媒而成溶液之浸漬法、旋轉塗佈法、澆鑄法、棒塗法、輥塗法等的塗佈法所為之公知的方法來形成。
(有機EL元件之各層之膜厚)
發光層之膜厚，較佳為5nm以上50nm以下，更佳為7nm以上50nm以下，最佳為10nm以上50nm以下。因使發光層之膜厚為5nm以上，係容易形成發光層，容易調整色度。而使發光層之膜厚為50nm以下，則可抑制驅動電壓的上昇。
其他各有機層之膜厚雖無特別限制，通常以數nm~1μm之範圍為佳。藉由使其為如此的膜厚範圍，可防止起因於膜厚過薄所導致的針孔等的缺陷，同時抑制起因於膜厚過厚所導致的驅動電壓的上昇，並可防止效率的惡化。
〔實施形態之變形〕
此外，本發明並不受限於上述之實施形態者，在可達成本發明之目的的範圍內所做的變更、改良等，都包括於本發明中。
發光層並不限於1層，亦可由複數的發光層予以積層。有機EL元件具有複數的發光層時，只要至少1發光層含有前述一般式(1)所示之化合物與前述一般式(21)所示之化合物即可，其他的發光層可為螢光發光型之發光層，亦可為燐光發光型之發光層。
又，有機EL元件具有複數的發光層時，此等之發光層可互相鄰接而設置，透過中間層而有複數的發光單元積層，換言之，可為串接型之有機EL元件。
本發明中，前述發光層又以含有電荷注入補助材者為佳。
使用能階廣的主體材料來形成發光層時，主體材料之離子化電位(Ip)與電洞注入．輸送層等的Ip的差會變大，朝發光層之電洞注入困難，用以獲得充分亮度的驅動電壓會有上昇之虞。
如此的情況下，可於發光層含有電洞注入．輸送性之 電荷注入補助劑，即可使朝發光層之電洞注入變容易，降低驅動電壓。
電荷注入補助劑方面，例如，可利用一般的電洞注入．輸送材料等。
具體例方面，可舉出三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷屬烴衍生物、吡唑啉衍生物及吡唑哢衍生物、伸苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺基取代查耳酮衍生物、噁唑衍生物、茀酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物、矽氮烷衍生物、聚矽烷系、苯胺系共聚物、導電性高分子寡聚物(特別是噻吩寡聚物)等。
電洞注入性之材料方面，雖可舉出前述者，但以卟啉化合物、芳香族第三級胺化合物及苯乙烯胺化合物、特別是芳香族第三級胺化合物為佳。
又，可舉出分子內具有2個縮合芳香族環例如4,4’-雙(N-(1-萘基)-N-苯基胺基)聯苯基(以下簡稱為NPD)，又可舉出三苯基胺單元連結成3個星爆型之4,4’,4”-參(N-(3-甲基苯基)-N-苯基胺基)三苯基胺(以下簡稱為MTDATA)等。
又，六氮雜聯三伸苯衍生物等亦可適用為電洞注入性之材料。
又，p型Si、p型SiC等的無機化合物亦可使用作為電洞注入材料。
本發明之有機EL元件係可適用為電視、可攜式電話、或個人電腦等的顯示裝置、或是照明或車輛用燈具的 發光裝置等的電子儀器。
〔實施例〕
接著，列舉實施例及比較例以更詳細地說明本發明，但本發明並不受限於此等實施例之記載內容。
〔化合物之合成例〕 (中間體合成例1)中間體1之合成
中間體1之合成流程係顯示於下。
在氬氣氛圍下，將以與韓國公開特許第10-2009-0117326號公報中記載的方法同樣地實施所合成的硼酸A(11.5g)、4-溴碘苯(11.3g)、肆(三苯基膦)鈀(0)(1.39g)、2M碳酸鈉水溶液(60mL)及甲苯(120mL)之混合物，在90℃攪拌8小時。
將反應混合物冷卻至室溫，使用甲苯萃出反應溶液，並去除水層。將有機層以飽和食鹽水洗淨、以無水碳酸鈉乾燥，並減壓餾去溶媒。將所得殘渣以二氧化矽膠體層析及再結晶進行純化，得到中間體1(8.15g)。產率51%。
(中間體合成例2)中間體2之合成
中間體2之合成流程係顯示於下。
中間體合成例1中，除了使用3-溴碘苯來取代4-溴碘苯之外，其餘係以與中間體合成例1同樣的操作，得到中間體2。
(中間體合成例3)中間體3之合成
中間體3之合成流程係顯示於下。
在氬氣氛圍下，將以與韓國公開特許第10-2009-0117326號公報中記載的方法同樣地實施所合成的硼酸B(11.5g)、4-溴碘苯(11.3g)、肆(三苯基膦)鈀(0)(1.39g)、2M碳酸鈉水溶液(60mL)及甲苯(120mL)之混合物，在90℃攪拌8小時。
將反應混合物冷卻至室溫，使用甲苯萃出反應溶液，並去除水層。將有機層以飽和食鹽水洗淨、以無水碳酸鈉乾燥，並減壓餾去溶媒。將所得殘渣以二氧化矽膠體層析及再結晶進行純化，得到中間體3(8.79g)。產率55%。
(中間體合成例4)中間體4之合成
中間體4之合成流程係顯示於下。
中間體合成例3中，除了使用3-溴碘苯來取代4-溴碘苯之外，其餘係以與中間體合成例3同樣的操作，得到中間體4。
(中間體合成例5)中間體5之合成
中間體5之合成流程係顯示於下。
在氬氣氛圍下，將以與韓國公開特許第10-2009-0117326號公報中記載的方法同樣地實施所合成的硼酸C(11.5g)、4-溴碘苯(11.3g)、肆(三苯基膦)鈀(0)(1.39g)、2M碳酸鈉水溶液(60mL)及甲苯(120mL)之混合物，在90℃攪拌8小時。
將反應混合物冷卻至室溫，使用甲苯萃出反應溶液，並去除水層。將有機層以飽和食鹽水洗淨、以無水碳酸鈉 乾燥，並減壓餾去溶媒。將所得殘渣以二氧化矽膠體層析及再結晶進行純化，得到中間體5(7.19g)。產率45%。
(中間體合成例6)中間體6之合成
中間體6之合成流程係顯示於下。
中間體合成例5中，除了使用3-溴碘苯來取代4-溴碘苯之外，其餘係以與中間體合成例5同樣的操作，得到中間體6。
(合成例1)化合物1之合成
化合物1之合成流程係顯示於下。
在氬氣氛圍下，將中間體合成例1中所得之中間體1(3.99g)、以既知的方法所得之9-苯基蒽-10-基硼酸(3.28g)、肆(三苯基膦)鈀(0)(0.35g)、2M碳酸 鈉水溶液(15mL)、1,2-二甲氧基乙烷(15mL)及甲苯(15mL)之混合物，加熱迴流8小時。
將所得之反應混合物冷卻至室溫，加入水並攪拌，濾取析出的固體，依序以水、甲醇進行洗淨。將所得之殘渣以短充填二氧化矽膠體層析及再結晶予以純化，得到化合物1(2.80g)。產率49%。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量572.25而言，m/e=572。
(合成例2)化合物2之合成
化合物2之合成流程係顯示於下。
合成例1中，除了使用以既知的方法所得之9-(1-萘基)蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例1同樣的操作，得到化合物2。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量622.27而言，m/e=622。
(合成例3)化合物3之合成
化合物3之合成流程係顯示於下。
合成例1中，除了使用以既知的方法所得之9-(2-萘基)蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例1同樣的操作，得到化合物3。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量622.27而言，m/e=622。
(合成例4)化合物4之合成
化合物4之合成流程係顯示於下。
合成例1中，除了使用以既知的方法所得之9-(3-聯苯基)蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例1同樣的操作，得到化合物4。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量648.28而言，m/e=648。
(合成例5)化合物5之合成
化合物5之合成流程係顯示於下。
合成例1中，除了使用以既知的方法所得之9-(4-聯苯基)蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例1同樣的操作，得到化合物5。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量648.28而言，m/e=648。
(合成例6)化合物6之合成
化合物6之合成流程係顯示於下。
合成例1中，除了使用以既知的方法所得之9-〔4-(1-萘基)苯基〕蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例1同樣的操作，得到化合物6。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量698.30而言，m/e=698。
(合成例7)化合物7之合成
化合物7之合成流程係顯示於下。
合成例1中，除了使用以既知的方法所得之9-〔4-(2-萘基)苯基〕蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例1同樣的操作，得到化合物7。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量698.30而言，m/e=698。
(合成例8)化合物8之合成
化合物8之合成流程係顯示於下。
在氬氣氛圍下，將中間體合成例2中所得之中間體2(3.99g)、以既知的方法所得之9-苯基蒽-10-基硼酸(3.28g)、肆(三苯基膦)鈀(0)(0.35g)、2M碳酸鈉水溶液(15mL)、1,2-二甲氧基乙烷(15mL)及甲苯 (15mL)之混合物，加熱迴流8小時。將所得之反應混合物冷卻至室溫，加入水並攪拌，濾取析出的固體，依序以水、甲醇進行洗淨。將所得之殘渣以短充填二氧化矽膠體層析及再結晶予以純化，得到化合物8(2.52g)。產率44%。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量572.25而言，m/e=572。
(合成例9)化合物9之合成
化合物9之合成流程係顯示於下。
合成例8中，除了使用以既知的方法所得之9-(1-萘基)蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例8同樣的操作，得到化合物9。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量622.27而言，m/e=622。
(合成例10)化合物10之合成
化合物10之合成流程係顯示於下。
合成例8中，除了使用以既知的方法所得之9-(2-萘基)蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例8同樣的操作，得到化合物10。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量622.27而言，m/e=622。
(合成例11)化合物11之合成
化合物11之合成流程係顯示於下。
合成例8中，除了使用以既知的方法所得之9-(3-聯苯基)蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例8同樣的操作，得到化合物11。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量648.28而言，m/e=648。
(合成例12)化合物12之合成
化合物12之合成流程係顯示於下。
合成例8中，除了使用以既知的方法所得之9-(4-聯苯基)蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例8同樣的操作，得到化合物12。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量648.28而言，m/e=648。
(合成例13)化合物13之合成
化合物13之合成流程係顯示於下。
合成例8中，除了使用以既知的方法所得之9-〔4-(1-萘基)苯基〕蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例8同樣的操作，得到化合物13。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量698.30 而言，m/e=698。
(合成例14)化合物14之合成
化合物14之合成流程係顯示於下。
合成例8中，除了使用以既知的方法所得之9-〔4-(2-萘基)苯基〕蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例8同樣的操作，得到化合物14。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量698.30而言，m/e=698。
(合成例15)化合物15之合成
化合物15之合成流程係顯示於下。
在氬氣氛圍下，將中間體合成例3中所得之中間體3 (3.99g)、以既知的方法所得之9-苯基蒽-10-基硼酸(3.28g)、肆(三苯基膦)鈀(0)(0.35g)、2M碳酸鈉水溶液(15mL)、1,2-二甲氧基乙烷(15mL)及甲苯(15mL)之混合物，加熱迴流8小時。將所得之反應混合物冷卻至室溫，加入水並攪拌，濾取析出的固體，依序以水、甲醇進行洗淨。將所得之殘渣以短充填二氧化矽膠體層析及再結晶予以純化，得到化合物15(3.15g)。產率55%。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量572.25而言，m/e=572。
(合成例16)化合物16之合成
化合物16之合成流程係顯示於下。
合成例15中，除了使用以既知的方法所得之9-(1-萘基)蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例15同樣的操作，得到化合物16。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量622.27而言，m/e=622。
(合成例17)化合物17之合成
化合物17之合成流程係顯示於下。
合成例15中，除了使用以既知的方法所得之9-(2-萘基)蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例15同樣的操作，得到化合物17。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量622.27而言，m/e=622。
(合成例18)化合物18之合成
化合物18之合成流程係顯示於下。
合成例15中，除了使用以既知的方法所得之9-(3-聯苯基)蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例15同樣的操作，得到化合物18。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量648.28而言，m/e=648。
(合成例19)化合物19之合成
化合物19之合成流程係顯示於下。
合成例15中，除了使用以既知的方法所得之9-(4-聯苯基)蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例15同樣的操作，得到化合物19。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量648.28而言，m/e=648。
(合成例20)化合物20之合成
化合物20之合成流程係顯示於下。
合成例15中，除了使用以既知的方法所得之9-〔4-(1-萘基)苯基〕蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例15同樣的操作，得到化合物20。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量698.30 而言，m/e=698。
(合成例21)化合物21之合成
化合物21之合成流程係顯示於下。
合成例15中，除了使用以既知的方法所得之9-〔4-(2-萘基)苯基〕蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例15同樣的操作，得到化合物21。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量698.30而言，m/e=698。
(合成例22)化合物22之合成
化合物22之合成流程係顯示於下。
在氬氣氛圍下，將中間體合成例4中所得之中間體4 (3.99g)、以既知的方法所得之9-苯基蒽-10-基硼酸(3.28g)、肆(三苯基膦)鈀(0)(0.35g)、2M碳酸鈉水溶液(15mL)、1,2-二甲氧基乙烷(15mL)及甲苯(15mL)之混合物，加熱迴流8小時。將所得之反應混合物冷卻至室溫，加入水並攪拌，濾取析出的固體，依序以水、甲醇進行洗淨。將所得之殘渣以短充填二氧化矽膠體層析及再結晶予以純化，得到化合物22(3.21g)。產率56%。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量572.25而言，m/e=572。
(合成例23)化合物23之合成
化合物23之合成流程係顯示於下。
合成例22中，除了使用以既知的方法所得之9-(1-萘基)蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例22同樣的操作，得到化合物23。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量622.27而言，m/e=622。
(合成例24)化合物24之合成
化合物24之合成流程係顯示於下。
合成例22中，除了使用以既知的方法所得之9-(2-萘基)蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例22同樣的操作，得到化合物24。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量622.27而言，m/e=622。
(合成例25)化合物25之合成
化合物25之合成流程係顯示於下。
合成例22中，除了使用以既知的方法所得之9-(3-聯苯基)蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外， 其餘係以與合成例22同樣的操作，得到化合物25。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量648.28而言，m/e=648。
(合成例26)化合物26之合成
化合物26之合成流程係顯示於下。
合成例22中，除了使用以既知的方法所得之9-(4-聯苯基)蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例22同樣的操作，得到化合物26。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量648.28而言，m/e=648。
(合成例27)化合物27之合成
化合物27之合成流程係顯示於下。
合成例22中，除了使用以既知的方法所得之9-〔4-(1-萘基)苯基〕蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例22同樣的操作，得到化合物27。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量698.30而言，m/e=698。
(合成例28)化合物28之合成
化合物28之合成流程係顯示於下。
合成例22中，除了使用以既知的方法所得之9-〔4-(2-萘基)苯基〕蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例22同樣的操作，得到化合物28。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量698.30 而言，m/e=698。
(合成例29)化合物29之合成
化合物29之合成流程係顯示於下。
在氬氣氛圍下，將中間體合成例5中所得之中間體5(3.99g)、以既知的方法所得之9-苯基蒽-10-基硼酸(3.28g)、肆(三苯基膦)鈀(0)(0.35g)、2M碳酸鈉水溶液(15mL)、1,2-二甲氧基乙烷(15mL)及甲苯(15mL)之混合物，加熱迴流8小時。將所得之反應混合物冷卻至室溫，加入水並攪拌，濾取析出的固體，依序以水、甲醇進行洗淨。將所得之殘渣以短充填二氧化矽膠體層析及再結晶予以純化，得到化合物29(2.55g)。產率45%。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量572.25而言，m/e=572。
(合成例30)化合物30之合成
化合物30之合成流程係顯示於下。
合成例29中，除了使用以既知的方法所得之9-(1-萘基)蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例29同樣的操作，得到化合物30。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量622.27而言，m/e=622。
(合成例31)化合物31之合成
化合物31之合成流程係顯示於下。
合成例29中，除了使用以既知的方法所得之9-(2-萘基)蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例29同樣的操作，得到化合物31。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量622.27而言，m/e=622。
(合成例32)化合物32之合成
化合物32之合成流程係顯示於下。
合成例29中，除了使用以既知的方法所得之9-(3-聯苯基)蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例29同樣的操作，得到化合物32。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量648.28而言，m/e=648。
(合成例33)化合物33之合成
化合物33之合成流程係顯示於下。
合成例29中，除了使用以既知的方法所得之9-(4-聯苯基)蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例29同樣的操作，得到化合物33。所得 之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量648.28而言，m/e=648。
(合成例34)化合物34之合成
化合物34之合成流程係顯示於下。
合成例29中，除了使用以既知的方法所得之9-〔4-(1-萘基)苯基〕蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例29同樣的操作，得到化合物34。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量698.30而言，m/e=698。
(合成例35)化合物35之合成
化合物35之合成流程係顯示於下。
合成例29中，除了使用以既知的方法所得之9-〔4- (2-萘基)苯基〕蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例29同樣的操作，得到化合物35。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量698.30而言，m/e=698。
(合成例36)化合物36之合成
化合物36之合成流程係顯示於下。
在氬氣氛圍下，將中間體合成例6中所得之中間體6(3.99g)、以既知的方法所得之9-苯基蒽-10-基硼酸(3.28g)、肆(三苯基膦)鈀(0)(0.35g)、2M碳酸鈉水溶液(15mL)、1,2-二甲氧基乙烷(15mL)及甲苯(15mL)之混合物，加熱迴流8小時。將所得之反應混合物冷卻至室溫，加入水並攪拌，濾取析出的固體，依序以水、甲醇進行洗淨。將所得之殘渣以短充填二氧化矽膠體層析及再結晶予以純化，得到化合物36(3.49g)。產率61%。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量572.25而言，m/e=572。
(合成例37)化合物37之合成
化合物37之合成流程係顯示於下。
合成例36中，除了使用以既知的方法所得之9-(1-萘基)蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例36同樣的操作，得到化合物37。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量622.27而言，m/e=622。
(合成例38)化合物38之合成
化合物38之合成流程係顯示於下。
合成例36中，除了使用以既知的方法所得之9-(2-萘基)蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其 餘係以與合成例36同樣的操作，得到化合物38。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量622.27而言，m/e=622。
(合成例39)化合物39之合成
化合物39之合成流程係顯示於下。
合成例36中，除了使用以既知的方法所得之9-(3-聯苯基)蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例36同樣的操作，得到化合物39。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量648.28而言，m/e=648。
(合成例40)化合物40之合成
化合物40之合成流程係顯示於下。
合成例36中，除了使用以既知的方法所得之9-(4-聯苯基)蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例36同樣的操作，得到化合物40。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量648.28而言，m/e=648。
(合成例41)化合物41之合成
化合物41之合成流程係顯示於下。
合成例36中，除了使用以既知的方法所得之9-〔4-(1-萘基)苯基〕蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例36同樣的操作，得到化合物41。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量698.30而言，m/e=698。
(合成例42)化合物42之合成
化合物42之合成流程係顯示於下。
合成例36中，除了使用以既知的方法所得之9-〔4-(2-萘基)苯基〕蒽-10-基硼酸來取代9-苯基蒽-10-基硼酸之外，其餘係以與合成例36同樣的操作，得到化合物42。所得之化合物係以質譜進行鑑定，對分子量698.30而言，m/e=698。
〔有機EL元件之製造例〕 ．實施例1
將25mm×75mm×厚度1.1mm之附ITO透明電極之玻璃基板(GEOMATEC股份公司製)置於異丙醇中以超音波洗淨5分鐘後，進行UV臭氧洗淨30分鐘。使ITO透明電極之厚度為130nm。
將洗淨後的附ITO透明電極線之玻璃基板架裝於真空蒸鍍裝置之基板支架上，首先於形成有ITO透明電極線之側的面上使前述透明電極被覆般蒸鍍下述化合物HI-1而成膜為膜厚5nm之HI-1膜，並形成電洞注入層。
接著，於此HI-1膜上，蒸鍍作為第1電洞輸送材料之下述化合物HT-1而成膜為膜厚80nm之HT-1膜，並形成第1電洞輸送層。
接著，於此HT-1膜上，蒸鍍下述化合物HT-2而成膜為膜厚15nm之HT-2膜，並形成第2電洞輸送層。
再者，於此HT-2膜上，蒸鍍化合物BH-1，並成膜為膜厚25nm之發光層。同時，共蒸鍍作為螢光發光材料之下述化合物BD-1。化合物BD-1之濃度為5.0質量%。此共蒸鍍膜乃作用為發光層之機能。
然後，於此發光層之上，蒸鍍下述化合物ET-1而成膜為膜厚25nm之ET-1膜，並形成第1電子輸送層。
接著，於此ET-1膜上，以成膜速度0.1Å/min蒸鍍LiF而成膜為膜厚1nm之LiF膜，並形成電子注入性電極(陰極)。
然後，於此LiF膜上蒸鍍金屬Al而成膜為膜厚80nm之金屬Al膜，並形成金屬Al陰極。
．比較例1~3
比較例1~3之有機EL元件，除了將實施例1中之發光層之主體材料及摻雜材料之至少任一者變更為表1中所記載之化合物之外，其餘係與實施例1同樣地實施來製作。
〔有機EL元件之評價〕
就所製作之有機EL元件，施加電壓以使電流密度為10mA/cm2，進行驅動電壓、CIE1931色度、電流效率L/J、外部量子效率EQE、主波峰波長λp、及壽命LT90之評價。將結果顯示於表2。有關驅動電壓、電流效率L/J、外部量子效率EQE、及壽命LT90之各評價項目，係以計算出實施例1及比較例1~3之各評價項目的值對比較例1之各評價項目的值之比而得的值。
．驅動電壓
在ITO透明電極與金屬Al陰極之間通電，計測使電流密度成為10mA/cm2時的電壓(單位：V)。
．CIE1931色度
對元件施加電壓而使電流密度成為10mA/cm2時，以分光放射亮度計CS-1000(KONICA MINOLTA公司製)來計測CIE1931色度座標(x、y)。
．電流效率L/J
對元件施加電壓而使電流密度成為10mA/cm2時，以 上述分光放射亮度計計測分光放射亮度光譜，由所得之分光放射亮度光譜來算出電流效率(單位：cd/A)。
．外部量子效率EQE
得由所得之上述分光放射亮度光譜，假定已進行了朗伯特光源放射，並算出外部量子效率EQE(單位：%)。
．主波峰波長λp
由所得之上述分光放射亮度光譜，求取主波峰波長λp。
．壽命LT90
對元件施加電壓以使電流密度成為50mA/cm2，測定對初期亮度而言亮度達到90%為止的時間(單位：h)。
上述實施例1係使用一般式(1)所示之主體材料及一般式(21)所示之摻雜材料的有機EL元件，相對於使用與本願不同之主體材料(比較例BH-1)及摻雜材料(比較例BD-1)的比較例1而言，不但更低電壓，且在效率、壽命上也大幅提昇。比較例2係使用與實施例1相同主體材料之有機EL元件，而比較例3則使用一般式 (1)所示之主體材料以外的材料之有機EL元件。相較於比較例2、3，實施例1既可維持低電壓，在效率、壽命上也提昇了。

Claims (6)

  1. 一種有機電致發光元件，其特徵係具有陽極、與前述陽極呈對向而設置的陰極、設置於前述陽極及前述陰極之間至少含發光層之有機層，且前述發光層係含下述一般式(1)所示之蒽衍生物及下述一般式(21)所示之屈衍生物， 〔前述一般式(1)中，R101~R110之任c個為單鍵，用於與L1鍵結，未用於與L1鍵結之R101~R110各自獨立地表示選自氫原子、鹵素原子、羥基、氰基、取代或無取代之胺基、取代或無取代之碳數1~20之烷基、取代或無取代之碳數1~20之烷氧基、取代或無取代之環形成碳數6~20之芳氧基、取代或無取代之環形成碳數6~20之芳硫基、取代或無取代之環形成碳數6~30之芳香族烴基、或 是取代或無取代之環形成原子數5~30之雜環基中任一者，L1選自單鍵或是連結基之任一者，前述連結基係由取代或無取代之環形成碳數6~30之芳香族烴環構造去除(a+1)個氫原子所成之(a+1)價的殘基、由取代或無取代之環形成原子數5~30之雜環構造去除(a+1)個氫原子所成之(a+1)價的殘基、或是由前述芳香族烴環構造及前述雜環構造之至少任一者鍵結2~4個所形成的構造中去除(a+1)個氫原子所成的(a+1)價的殘基，且a、b、c各表示1~4的整數，Z1表示下述一般式(2)所示之構造〕 〔前述一般式(2)中之R119~R120各自獨立地表示選自氫原子、取代或無取代之碳數1~20之烷基、取代或無取代之碳數1~30之三烷基矽烷基、取代或無取代之碳數6~60之芳基矽烷基、 取代或無取代之環形成碳數6~30之芳香族烴基、或是取代或無取代之環形成原子數5~30之雜環基中任一者、R111~R118之中任一個係以單鍵用於與L1鍵結，且未用於與L1鍵結之R111~R118各自獨立地表示和未用於與L1鍵結之R101~R110同義，又，R111與R112、R112與R113、R113與R114、R115與R116、R116與R117、以及R117與R118的組合之中，至少1組隣接的2個取代基有形成下述一般式(3)所示之環構造的情況〕 〔前述一般式(3)中，y1、y2表示前述一般式(2)之R111~R118中，隣接之組的鍵結位置，R121~R124各自獨立地表示選自氫原子、鹵素原子、羥基、氰基、取代或無取代之胺基、取代或無取代之碳數1~20之烷基、取代或無取代之碳數1~20之烷氧基、 取代或無取代之環形成碳數6~20之芳氧基、取代或無取代之環形成碳數6~20之芳硫基、取代或無取代之環形成碳數6~30之芳香族烴基、或是取代或無取代之環形成原子數5~30之雜環基中任一者，前述一般式(2)中，不形成環的R111~R118之任一者及前述一般式(3)之R121~R124之任一者為單鍵，且用於與一般式(1)之L1鍵結〕 〔前述一般式(21)中，R20~R29各自獨立地表示氫原子、鹵素原子、氰基、取代或無取代之碳數1~20之烷基、取代或無取代之矽烷基、或是取代或無取代之環形成碳數6~30之芳香族烴基，Ar21~Ar24各自獨立地表示取代或無取代之環形成碳數6~30之芳香族烴基、或是取代或無取代之環形成原子數5~30之雜環基， Ar21~Ar24當具有烷基作為取代基時，各具有至少2個以上的烷基〕。
  2. 如請求項1之有機電致發光元件，其中，前述一般式(2)中之Z1係下述一般式(2-1)、(2-2)、(2-3)之任一者所示， 〔前述一般式(2-1)中之Ar161~Ar162、前述一般式(2-2)中之Ar171~Ar172、前述一般式(2-3)中之Ar181 ~Ar182各自獨立地表示和前述一般式(2)中之R119~R120同義，前述一般式(2-1)中之R161~R170之中任一個係以單鍵用於與L1鍵結，且未用於與L1鍵結之R161~R170各自獨立地表示和未用於與L1鍵結之R101~R110同義，前述一般式(2-2)中之R171~R180之中任一個係以單鍵用於與L1鍵結，且未用於與L1鍵結之R171~R180各自獨立地表示和未用於與L1鍵結之R101~R110同義，前述一般式(2-3)中之R181~R190之中任一個係以單鍵用於與L1鍵結，且未用於與L1鍵結之R181~R190各自獨立地表示和未用於與L1鍵結之R101~R110同義〕。
  3. 如請求項1之有機電致發光元件，其中，前述一般式(1)之b係1。
  4. 如請求項1~請求項3中任一項之有機電致發光元件，其中，前述一般式(1)之a係1或是2。
  5. 如請求項1~請求項3中任一項之有機電致發光元件，其中，前述一般式(1)之R109及R110之至少任一者係用於與L1鍵結之單鍵。
  6. 如請求項1~請求項3中任一項之有機電致發光元件，其中，前述一般式(1)之R109係選自取代或無取代之環形成碳數6~30之芳香族烴基、或 是取代或無取代之環形成原子數5~30之雜環基之基。
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