TW201445754A - 太陽能電池及其製造方法 - Google Patents
太陽能電池及其製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201445754A TW201445754A TW103100480A TW103100480A TW201445754A TW 201445754 A TW201445754 A TW 201445754A TW 103100480 A TW103100480 A TW 103100480A TW 103100480 A TW103100480 A TW 103100480A TW 201445754 A TW201445754 A TW 201445754A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- contact layer
- substrate
- solar cell
- front contact
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 113
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 52
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 51
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 33
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 20
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 16
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 18
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 13
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 13
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 12
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 12
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 10
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical compound [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 9
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 6
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 5
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 4
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 4
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012691 Cu precursor Substances 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- VEUACKUBDLVUAC-UHFFFAOYSA-N [Na].[Ca] Chemical compound [Na].[Ca] VEUACKUBDLVUAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- -1 hydride copper Chemical compound 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/16—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers
- H10F10/161—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising multiple PN heterojunctions, e.g. tandem cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/16—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers
- H10F10/167—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising Group I-III-VI materials, e.g. CdS/CuInSe2 [CIS] heterojunction photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/40—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising photovoltaic cells in a mechanically stacked configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/139—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
- H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
- H10F77/1698—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the metallic or insulating substrates being flexible
- H10F77/1699—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the metallic or insulating substrates being flexible the films including Group I-III-VI materials, e.g. CIS or CIGS on metal foils or polymer foils
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
Abstract
太陽能電池包括:吸收層、於吸收層上的緩衝層、前接觸層，玻璃基板、在玻璃基板上方的後接觸層、於後接觸層上方的吸收層和緩衝層以及前接觸層在超過500℃的溫度下製造而成以作為第一模組。太陽能電池更包括從第一模組的提取部分，此提取部分包含:吸收層、緩衝層、前接觸層，並且提取部分被放置於可撓性基板或其他基板上。
Description
本發明係關於光伏太陽能電池及其製造方法。
太陽能電池係指直接從太陽光產生電流的光伏組件。由於乾淨能源的需求日益遽增，近年來太陽能電池的製造已顯著地擴大，並在持續增加中。現今存在有多種類型的太陽能電池，並仍繼續發展。太陽能電池包含有可吸收太陽光以轉換成電流的吸收層。
目前市面上有許多種收集太陽能的模組存在。太陽能收集模組通常包括大而平的基板，並包含後接觸層、吸收層、緩衝層和可以是透明導電氧化物(transparent conductive oxide，TCO)材料的前接觸層。多個太陽能電池可形成在一基板上，並藉各別的互連結構將每個太陽能電池串聯連結在一起，構成一太陽能電池模組。
每個互連結構包括三個切割道，簡稱為P1，P2和P3。P1切割道延伸至後接觸層，並以吸收層的材料填充。P2切割道延伸至緩衝層和吸收層中，並以(導電的)前接觸層的材料填充。因此，P2切割道連接第一太陽能電池的前電極以及相鄰太陽能電池的後電極。P3切割道延伸至前接觸層、緩衝層
和吸收層。
太陽能電池中除了互連結構之外的部分被稱之為主動單元，因為互連結構無法促進太陽能的吸收和電力的產生。太陽能電池模組的串聯電阻，從而在很大程度上依賴於前接觸層的電阻以及前和後接觸層間的接觸電阻。
在一些實施例中，太陽能電池包含有吸收層、於吸收層上的緩衝層、前接觸層。其中玻璃基板、於玻璃基板上的後接觸層、於後接觸層上的吸收層和緩衝層以及前接觸層作為第一模組在超過500℃的溫度下被製造而成。該太陽能電池更包括從第一模組的提取部分，該提取部分包含：吸收層、緩衝層、前接觸層，其中提取部分放置於可撓性基板或其他基板上。
在一些實施例中，該提取部分在低於500℃的溫度下被放置於可撓性基板或其他基板上。在其他實施例中，該提取部分被放置於金屬層或導電性高分子層和可撓性基板或其他基板。
在另一實施例中，可撓性基板或其他基板為一互連層，將提取部分與第二模組的第二前接觸層互連，該第二模組包含有第二玻璃基板、第二後接觸層、第二吸收層、第二緩衝層、和第二前接觸層，並且該提取部分和第二模組形成一串疊型太陽能電池。該第二模組可以是下列其一：矽太陽能電池、染料敏化太陽能電池、有機太陽能電池、或銅銦鎵硒(CIGS)太陽能電池。
在一些實施例中，導電性匯流條放置於前接觸層上；一透明膠帶(tape)或有機膠(glue)或透明導電膠帶至少可以放置在前接觸層和導電性匯流條的一部分頂端。
在一些實施例中，玻璃基板包括鈉鈣玻璃(soda lime glass，SLG)，後接觸層包括鉬，吸收層包括銅、銦、鎵、硒，緩衝層包括硫化鎘或硫化鋅，且前接觸層包括下列其一：摻鋁氧化鋅、摻硼氧化鋅或銦錫氧化物。
在一些實施例中，透明導電性膠帶或有機膠用以將提取部分從玻璃基板和後接觸層分離。
在一些實施例中，第一切割部分延伸至後接觸層中，第二切割部分延伸至吸收層中，第三切割部分延伸至後接觸層、吸收層、以及前接觸層中。
在一些實施例中，可撓性基板或其他基板與玻璃基板的形狀相異。
在又一實施例中，太陽能電池的製造方法包括：於玻璃基板之上形成後接觸層、於後接觸層之上形成吸收層、於吸收層之上形成緩衝層、於緩衝層之上形成前接觸層。玻璃基板、後接觸層、吸收層、緩衝層、以及前接觸層形成第一模組。該方法還可以包括從第一模組提取一個提取部分，該提取部分包含有吸收層、緩衝層、和前接觸層，並且將該提取部分放置於可撓性基板或其他基板之上。在一些實施例中，第一模組在超過500℃的溫度之下製造而成。
在一些實施例中，可撓性基板或其他基板係為互連層，將提取部分和第二模組互連，該方法更包括於第二玻璃
基板之上形成第二後接觸層、於第二後接觸層之上形成第二吸收層、於第二吸收層之上形成第二緩衝層、於第二緩衝層之上形成第二前接觸層，其中所述之第二玻璃基板、第二後接觸層、第二吸收層、第二緩衝層、和第二前接觸層形成第二模組，並且在提取部分和第二模組的第二接觸層之間形成互連層。該提取包括自後接觸層和玻璃基板分層或撕下提取部分。
在一實施例中，太陽能電池的製造方法更包括於前接觸層上形成透明導電膠帶或有機膠。
在另一實施例中，太陽能電池的製造方法更可以包括在後接觸層劃第一個切割部分，在吸收層劃第二個切割部分，並在後接觸層、吸收層和前接觸層劃第三個切割部分。
在又一實施例中，太陽能電池的製造方法包括於玻璃基板上濺鍍鉬，以形成後接觸層；於後接觸層上濺鍍或共蒸鍍銅、銦、鎵和硒之組合，以形成吸收層；於吸收層之上進行硫化鎘或硫化鋅的化學浴沉積(chemical bath deposition，CBD)，以形成緩衝層；並於緩衝層之上形成前接觸層。其中玻璃基板、後接觸層、吸收層、緩衝層、前接觸層於超過500℃的溫度下形成第一模組。該方法更包括從第一模組轉移或分層出一提取部分，此提取部分包括：吸收層、緩衝層、以及前接觸層，而提取部分放置於可撓性基板或其他基板之上。
10、10a、10b、10c、10d1、10d2、30、30a、30b、30c、30d1、30d2、40、40a、40b、40c、40d、40e、60‧‧‧製程
61、62、63a、63b、63c、64、65、68a、68b、68c、71、72a、72b、73、74、75、76、77、78‧‧‧步驟
11、21、41‧‧‧鈉鈣玻璃基板
12、42‧‧‧後接觸層
13、43‧‧‧吸收層
14、44‧‧‧緩衝層
15、45‧‧‧透明導電層
16、46、52‧‧‧導電性匯流條
17、47‧‧‧透明膠帶或有機膠
18、38、49‧‧‧提取部分
19、51‧‧‧金屬箔或導電高分子層
20、50‧‧‧可撓性基板或其他基板
22‧‧‧第二後接觸層
23‧‧‧第二吸收層
24‧‧‧第二緩衝層
25‧‧‧第二透明導電層
26‧‧‧互連層
28‧‧‧太陽能電池
37‧‧‧透明導電膠帶或導電膠
48a‧‧‧切割道P1
48b‧‧‧切割道P2
48c‧‧‧切割道P3
70‧‧‧太陽能電池
第1圖為一系列剖面圖，顯示本發明之太陽能電池或串疊型太陽能電池於不同製造階段的實施例；
第2圖為另一系列剖面圖，有別於第1圖之太陽能電池或串疊型太陽能電池，此處使用透明導電性膠帶而非透明膠帶；第3圖為另一系列有別於第1圖之太陽能電池的剖面圖和俯視圖；第4圖為另一種有別於第3圖之太陽能電池的剖面圖；第5圖為本發明實施例之太陽能電池製作方法流程圖。
請配合實施例的描述與本說明書中相應的圖式一起參閱。為清楚表現出實施例的相應觀點，各圖式不一定依比例繪製。除非特別指明，不同圖式中相應的數字及符號通常代表相應的部分。
在本說明書中，相關的用語像是“較低”、“較高”、“水平”、“垂直”、“之上”、“之下”、“上”、“下”、“頂端”、“底端”及其衍生用語(例如：“水平地”、“向下地”、“向上地”…等)應根據圖式所示或描述的方位加以解釋。這些相關的用語是為了便於描述，並不代表所述裝置必須以特定方位來安裝或進行操作。有關連接(attachments)、耦合(coupling)、或其他相關的字詞像是“連接(connected)”、“互連(interconnected)”，代表構造之間為固定的、與彼此直接相連的、或透過中間構造(intervening structures)與彼此間接相連的，除非特別指明，否則也包括雙方皆為可動式或固定式的連接方式或關係。
太陽能電池可以用剛性的和可撓性的材料製作。高效率的太陽能電池通常要在超過500℃的高溫下製備。然而，若要在高效率的情況下製備可撓性的太陽能電池，超過500
℃的溫度對於聚合物基板來說太過於高。最有前途的可撓性基板為聚亞醯胺(PI)和金屬箔(metal foil)。聚亞醯胺的最高適用溫度通常低於500℃，此低溫卻導致較低的效率。
高製程溫度導致來自金屬箔(如Ti，stainless)雜質擴散(如Fe，Cr或Ni)，使元件的效率減少。此外，使用可撓性基板通常至少需要添加額外的鈉源以進行適當的處理。在串疊型太陽能電池的範疇中，高製程溫度可以使太陽能電池串疊結構中的底部電池遭受破壞。
太陽能電池的前接觸(透明導電)層執行導電的功能，且具有透光性。前接觸層通常形成於緩衝層之上，並且緩衝層形成於可吸收光或光能的吸收層之上。吸收層形成於後接觸層(例如鉬)之上，且後接觸層形成於基板上。在一個實施例中，黃銅礦(包含銅、銦、鎵和硒的CIGS)太陽能電池先在剛性基板上製程，如鈉鈣玻璃(SLG)基板上。該實施例包括分離或提取(extract)一提取部分。該提取部分可以與後接觸層和基板做分離，利用膠帶或任何其它有機膠將黃銅礦薄膜、緩衝層、和前接觸層從基板和後接觸層(鉬)撕下或分層出來。此分離製程在室溫之下進行，或者可以選擇利用熱力、電力或壓力來幫助分離(並且再接續層合或附著過程)。此製程接下來將提取部分(黃銅礦薄膜/緩衝層/前接觸層)轉移、附著、放置或黏貼至另一個基板上。這個新基板可以是另一種用於建物的材質或者是金屬箔或者是鍍上有導電性金屬的可撓性基板中。在轉移膜或者提取部分以及基板之間可以添加導電性高分子以降低接觸電阻並且改善層與層間的附著。或者，提取部分可以與
另一個太陽能電池做耦合以形成串疊型太陽能電池。
因此，在一特定實施例中，如第1圖製程10的說明，黃銅礦(銅、銦、鎵、硒或CIGS)太陽能電池先在剛性基板11上製備。該剛性基板舉例來說可以是鈉鈣玻璃(SLG)。製程10的第一子集10a中，後接觸層12如鉬被放置或擺放在剛性基板11之上。吸收層13如銅銦鎵硒被放置或擺放在後接觸層12之上。緩衝層14如硫化鎘或硫化鋅被放置或擺放在吸收層13之上。然後，透明導電(TCO)層15被放置或擺放在緩衝層14之上。金屬條16如匯流條被放置或擺放在透明導電層15之上。
製程10的第二子集10b中，透明膠帶或有機膠17如圖所示被放置或擺放在透明導電層15和金屬條16上。製程10的第三子集10c中，提取部分18包含膠帶(tape)或膠水(glue)17、金屬條16、透明導電層15、緩衝層14、和吸收層13，皆被從後接觸層12與基板11上提取、分離、或分層、或撕下。換句話說，在一個特定實施例中，製程10c包含將黃銅礦薄膜/緩衝層/透明導電層(13，14，15，16)從基板/鉬(11，12)中利用導電膠帶或其他任何的導電膠37給分層。製程10c可以在室溫下被完成而不需要運用到超過500℃的高溫。若有需要，可以在10c中的分離或分層過程施加一些熱力、電力、或壓力。
另一種轉移製程10d1中，被提取的部分18爾後被轉移或黏貼至另一基板如可撓性基板20，也可選擇性地包含金屬箔或導電高分子層19。在轉移薄膜或者是提取部分18和基板20之間，額外添加的導電高分子層被用來減低接觸電阻以及改善被提取部分18和基板20之間的附著。基板20可以由其他種類
的材料所組成並且可以包含其他金屬箔或其他鍍有導電金屬的可撓性基板。或者，如另一轉移製程10d2所示，提取部分18可以與另一太陽能電池28耦合以形成所示的串疊結構。另一太陽能電池28包含有第二透明導電氧化物層25，第二緩衝層24，第二吸收層23，第二後接觸層22，和基板20。太陽能電池28僅作為展示用範例而且並不限制於所示的特定結構。提取部分18和其他太陽能電池28可以藉由互連層26耦合在一起。互連層26可以由透明(clear)材質製作而成，如透明的聚亞醯胺或者其他透明塑膠或P型半導體如ZnTe：Cu、CuxSe2、CuInO2：Ca或BaCu2S2。這些P型半導體的能帶間隙應該要等同於或大於上層的電池以避免光學損失。
第2圖所示的製程30為另一實施例，其與第1圖的製程10相似，除了其使用的是透明導電膠帶或導電膠37以代替圖1中的透明膠帶。如前所述，銅銦鎵硒太陽能電池先在剛性基板11上製備。舉例來說剛性基板可以是鈉鈣玻璃。在製程30中的第一子集30a，後接觸層12(鉬)被放置或擺放在剛性基板11之上。吸收層13(銅銦鎵硒)被放置或擺放在後接觸層12之上。緩衝層14被放置或擺放在吸收層13之上。然後，前接觸層15被放置或擺放在緩衝層14之上。取代金屬條16，透明導電膠帶37可以被放置或擺放在前接觸層15之上，如以下關於30b的詳細說明。
製程30的第二子集30b，如圖所示，透明膠帶或有機膠17被放置或擺放在前接觸層15上。在製程30的第三子集30c，提取部分38包含膠帶或膠水37、前接觸層15、緩衝層14、
和吸收層13，被從後接觸層12與基板11中提取、分離、分層、或撕下。換句話說，在一特定實施例中，製程30c包含將黃銅礦薄膜/緩衝層/前接觸層(13，14，15，16)從基板/鉬(11，12)中利用導電膠帶或其他任何的導電膠37給分層。製程30c可以在室溫之下被完成而不需要運用到超過500℃的高溫。若有需要，可以在30c中的分離或分層過程施加一些熱力、電力、或壓力。
在另一種轉移製程30d1，提取部分38爾後被轉移或黏貼至另一基板如可撓性基板20，也可選擇性地包含金屬箔或導電高分子層19。基板20可以由其他種類的材料所組成並且可以包含其他金屬箔或其他鍍有導電金屬的可撓性基板。或者如另一種轉移製程30d2所示，提取部分38可以與另一太陽能電池28耦合以形成所示的串疊結構。太陽能電池28僅作為展示範例而並不限制於所示的特定結構。提取部分38和其他太陽能電池28可以藉由互連層26給耦合在一起。其中一種最具希望的薄膜太陽能電池為多晶黃銅礦Cu(In,Ga)Se2(CIGS)。銅銦鎵硒太陽能電池的效率在剛性基板如鈉鈣玻璃上可以提高至20.3%，此製程溫度超過550℃。可撓性太陽能電池非常地吸引人，因為其運用層面很廣泛，例如手機通訊、建築整合太陽能(Building Integrated Photovoltaics，BIPV)或消費性電子產品。可撓性黃銅礦太陽能電池可藉由一些方法直接沉積在可撓性基板上，其方法包含共蒸鍍法、濺鍍/氣相硒化法後氣相硫化法(Sulfurization After Selenization，SAS)製程、電鍍法或印刷法。鈉鈣玻璃中的鈉可以加強元件的表現。然而，相對於鈉鈣
玻璃，可撓性基板中並無鈉離子。另外的鈉源通常藉由沉積NaF、Na：Mo或Na：CuGa來做添加。關於串疊型太陽能電池，此種電池可達成更高的效率。然而，串疊型電池中頂層電池吸收層的能帶間隙較底層電池要高，以將光有效地轉變成電子與電洞對。沉積順序是由底層至頂層。因此，若使用一般方法製備頂部電池，過程中溫度會受到限制，但是利用本發明所述的製程方法，由於頂部電池主要是分開製造的，所以可消除因頂部電池之加熱過程而導致底部電池受到破壞的疑慮。
參閱第3圖，製程40為製造太陽能電池的另一實施例，包含第一製程40a、基板41、後接觸層42、在後接觸層42之上的吸收層43、在吸收層43之上的緩衝層44、在緩衝層44之上的前接觸層45。在一些實施例中，基板41為玻璃基板，如鈉鈣玻璃。在一些實施例中，基板41的厚度範圍由0.1mm到5mm。
在一些實施例中，後接觸層42是由鉬所形成，在其之上可以形成銅銦鎵硒吸收層43。在一些實施例中，鉬的後接觸層42是由濺鍍的方式所形成。其他實施例包含其他適合的後接觸層材料。例如鉑、金、銀、鎳或銅可用以取代鉬。例如，在一些實施例中，提供一個銅或者是鎳的後接觸層，在其之上可以形成銻化鎘(CdTe)吸收層。在形成後接觸層42之後，P1切割道48a在後接觸層42中形成。P1切割道48a會被吸收層的材質所填充。在一些實施例中，後接觸層42的厚度範圍從大約10μm至大約300μm。
吸收層43，例如p型吸收層43是形成在後接觸層42之上。在一些實施例中，吸收層43是以黃銅礦為基礎的吸收
層，由銅銦鎵硒所組成，厚度大約1μm或更多。在一些實施例中，吸收層43是利用鎵化銅濺鍍靶材(未顯示)和以銦為基礎的濺鍍靶材(未顯示)來做濺鍍。在一些實施例中，鎵化銅材料最先被濺鍍以形成金屬前驅物層，並且接著在鎵化銅金屬前驅物層之上，由銦為基礎材質做濺鍍以形成含有銦的金屬前驅物層。在其他實施例中，鎵化銅材質和以銦為基礎的材質同時被濺鍍，或者交替進行。
在其他實施例中，吸收層包括不同的材料，例如CuInSe2(CIS)、CuGaSe2(CGS)、Cu(In,Ga)Se2(CIGS)、Cu(In,Ga)(Se,S)2(CIGSS)、CdTe和非晶矽(amorphous silicon)。其他實施例還包含他種吸收層材料。
其他實施例利用不同的技術形成吸收層，其提供組成上適當的均勻度。例如銅、銦、鎵、硒可以被蒸鍍並且同時藉由化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition，CVD)傳遞，接著再以大約400℃到600℃的溫度加熱。在其他實施例中，銅、銦和鎵首先被傳遞，然後在硒氣氛中於400℃到600℃的溫度範圍內進行吸收層的回火(anneal)。
在一些實施例中，吸收層43厚度大約0.3μm至8μm。在一些實施例中，緩衝層44可以是由下列族群的其中之一所組成：CdS、ZnS、In2S3、In2Se3和Zn1-xMgxO(例如ZnO)。亦可以使用其他適合的緩衝層材料。在一些實施例中，緩衝層44厚度約1nm至500nm。
前接觸層45可以由表1中所列出的材料所形成，依表1中各個材料所對應的任一摻雜物進行摻雜。
完整的太陽能電池包含一個互連結構，除該結構之外的太陽能電池其餘區域為主動區域，能有效地吸收光子。各圖式未依比例繪示，並且此技藝人士可瞭解到此主動區域實質上大於互連結構。
前接觸層45提供於整個太陽能電池區域上，(除了在P3切割道(48c)被移除的區域)。於吸收層43和緩衝層44形成之後，P2切割道48b形成在緩衝層44和吸收層43中。接著在P2切割道48b充填前接觸(或透明導電)層材料。緩衝層44和前接觸層45形成後，在吸收層43、前接觸層45、緩衝層44、和吸收層43中形成P3切割道48c。如同第1圖中的實施例，金屬條46被黏貼或附著於前接觸層45，如圖所示。在製程步驟40b，透明膠帶或有機膠47被放置或擺放在前接觸層45和金屬導電板46之
上。如製程步驟40c所示，膠帶和膠水47是用來將提取部分49自基板41和後接觸層42給提取、分離、分層、或者移除出來。提取部分49包含有吸收層43、緩衝層44、前接觸層45、金屬條46和透明膠帶或有機膠47。製程40c是在室溫之下完成，並不需要使用於超過500℃的高溫。製程40c中如果需要，可以在分離或分層過程施加一些熱力、電力、壓力的應用。
在轉移製程40d，提取部分49被轉移或黏貼至另一個基板例如可撓性基板50，此亦可選擇性的包含金屬箔或者導電高分子層51。在轉移薄膜或者是提取部分49以及基板50之間，添加導電性高分子層或者金屬箔可用來減低接觸電阻並改善提取部分49和基板50之間的附著。基板50可以用其他種類的材料所製作而成並且可包含金屬箔或其他鍍上導電性金屬的可撓性基材。藉由更進一步的邊緣裁切(edge deletion)和放置金屬條，可以於製程40e中形成包括金屬條51和金屬條46的太陽能電池。
參閱第4圖，太陽能電池70的側面圖與步驟40d的太陽能電池相似，更包含黏貼在導電層51之上的金屬條52以形成合適的頂部接觸。每個太陽能電池有個別的互連結構。互連結構包括多個切割道P1，P2，P3(顯示於第3圖和第4圖)，以分離鄰近電池的主動部分。
在一些實施例中，在P2切割道填充包括金屬或合金高導電材質。在一些實施例中，在P2切割道填充包括鋁、銅或鉬的高導電材質。高導電材料可以被包括在上述任一實施例的P2切割道中。
參閱第5圖，一更加詳細的太陽能電池製作流程圖實例如圖所示。過程中的步驟61包括提供一玻璃基板。在步驟62，經由濺鍍鉬的方式於基板上形成後接觸層。在步驟68a，可完成P1切割道。在步驟71，可以蒸鍍鈉。在步驟63，可以於後接觸層上形成吸收層。在一替代方案63a中，提供銅、銦、鎵、硒的共蒸鍍法。在另一替代方案63b中，提供銅、銦、鎵化銅和鎵化銅銦的濺鍍法。在又一替代方案中，步驟63c提供銅、銦、鎵化銅的濺鍍法並且以CuInGa+蒸鍍Se。若進行步驟63a或63c，則接著步驟64的方法進行CdS或ZnS的化學浴沉積。若採用步驟63b，可接著進行步驟72a蒸鍍Se，而於化學浴沉積步驟64之前進行快速熱製程(Rapid Thermal Processing，RTP)步驟73。或者，於進行步驟63b之後，在化學浴沉積步驟64之前進行步驟72b，使用H2Se或H2S或Se蒸氣爐。步驟64之後，於透明導電氧化物沉積步驟65之前完成步驟68b的P2切割。在透明導電氧化物沉積之後，可以接著進行步驟68c的P3切割。在步驟74，MgF2被蒸鍍。在步驟75，於轉移或分層步驟76之前進行適當的邊緣裁切。於步驟76分離提取部分並於步驟77將之附著至另一基板上。之後，可進行步驟78做太陽能電池的I-V測試。
雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10、10a、10b、10c、10d1、10d2‧‧‧製程
11、21‧‧‧鈉鈣玻璃基板
12‧‧‧後接觸層
13‧‧‧吸收層
14‧‧‧緩衝層
15‧‧‧透明導電層
16‧‧‧金屬條
17‧‧‧透明膠帶或有機膠
18‧‧‧提取部分
19‧‧‧金屬箔或導電高分子層
20‧‧‧可撓性基板或其他基板
22‧‧‧第二後接觸層
23‧‧‧第二吸收層
24‧‧‧第二緩衝層
25‧‧‧第二透明導電層
26‧‧‧互連層
28‧‧‧太陽能電池
Claims (10)
- 一種太陽能電池，包括：一吸收層；一緩衝層，於該吸收層上；一前接觸層，其中一玻璃基板、一於該玻璃基板上的後接觸層、於該後接觸層上的該吸收層、該緩衝層、和該前接觸層作為一第一模組於超過500℃的溫度下被製造而成；一從該第一模組的一提取部分，該提取部分包括該吸收層、該緩衝層、及該前接觸層；以及一可撓性基板或其他基板，其中該提取部分被放置於該可撓性基板或者其他基板。
- 如申請範圍第1項所述之太陽能電池，其中該提取部分在低於500℃的溫度下被放置於該可撓性基板或者其他基板。
- 如申請範圍第1項所述之太陽能電池，其中該提取部分被放置於一金屬層、一導電性高分子層和該可撓性基板或者其他基板。
- 如申請範圍第1項所述之太陽能電池，其中該可撓性基板或其他基板為一互連層，將該提取部分與一第二模組的第二前接觸層互連，該第二模組包括一第二玻璃基板、一第二後接觸層、一第二吸收層、一第二緩衝層、和該第二前接觸層，其中該提取部分與該第二模組形成一串疊型太陽能電池。
- 如申請範圍第1項所述之太陽能電池，包括一導電性匯流條放置於該前接觸層之上，以及一透明膠帶(tape)或一有機膠(glue)或一透明導電性膠帶，放置於該前接觸層和該導電性匯流條的至少一部分頂端。
- 如申請範圍第1項所述之太陽能電池，包括一透明導電性膠帶或有機膠用以將該提取部分從該玻璃基板和該後接觸層分離。
- 一種太陽能電池的製造方法，包括：形成一後接觸層於一玻璃基板之上；形成一吸收層於該後接觸層之上；形成一緩衝層於該吸收層之上；形成一前接觸層於該緩衝層之上，該玻璃基板、該後接觸層、該吸收層、該緩衝層、以及該前接觸層形成一第一模組；由該第一模組提取一提取部分，包含：該吸收層、該緩衝層、及該前接觸層；且將該提取部分放置於一可撓性基板或其他基板之上。
- 如申請範圍第7項所述之太陽能電池的製造方法，其中該第一模組於超過500℃的溫度下被製造。
- 如申請範圍第7項所述之太陽能電池的製造方法，其中該可撓性基板或其他基板係一互連層，將該提取部分與一第二模組互連，並且其中該方法更包括：形成一第二後接觸層於一第二玻璃基板上；形成一第二吸收層於該第二後接觸層上； 形成一第二緩衝層於該第二吸收層上；形成一第二前接觸層於該第二緩衝層上，其中該第二玻璃基板、該第二後接觸層、該第二吸收層、該第二緩衝層、和該第二前接觸層形成該第二模組；及於該提取部分與該第二模組的該第二前接觸層之間形成該互連層。
- 如申請範圍第7項所述之太陽能電池的製造方法，其中該提取包括自該後接觸層和該玻璃基板分層或撕下該提取部分，更包括於該前接觸層上形成透明導電膠帶或有機膠。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/906,932 US20140352751A1 (en) | 2013-05-31 | 2013-05-31 | Solar cell or tandem solar cell and method of forming same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201445754A true TW201445754A (zh) | 2014-12-01 |
Family
ID=51983748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW103100480A TW201445754A (zh) | 2013-05-31 | 2014-01-07 | 太陽能電池及其製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20140352751A1 (zh) |
| CN (1) | CN104218106A (zh) |
| TW (1) | TW201445754A (zh) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10090430B2 (en) * | 2014-05-27 | 2018-10-02 | Sunpower Corporation | System for manufacturing a shingled solar cell module |
| US9349995B2 (en) * | 2013-12-23 | 2016-05-24 | Solar-Tectic Llc | Hybrid organic/inorganic eutectic solar cell |
| US11942561B2 (en) | 2014-05-27 | 2024-03-26 | Maxeon Solar Pte. Ltd. | Shingled solar cell module |
| US11482639B2 (en) | 2014-05-27 | 2022-10-25 | Sunpower Corporation | Shingled solar cell module |
| US10453978B2 (en) * | 2015-03-12 | 2019-10-22 | International Business Machines Corporation | Single crystalline CZTSSe photovoltaic device |
| US10861999B2 (en) | 2015-04-21 | 2020-12-08 | Sunpower Corporation | Shingled solar cell module comprising hidden tap interconnects |
| KR101707080B1 (ko) * | 2015-08-10 | 2017-02-15 | 한국에너지기술연구원 | 탠덤 태양전지의 제조방법 및 그에 따라 제조된 탠덤 태양전지 |
| US9935214B2 (en) | 2015-10-12 | 2018-04-03 | International Business Machines Corporation | Liftoff process for exfoliation of thin film photovoltaic devices and back contact formation |
| CN109075253A (zh) * | 2016-03-04 | 2018-12-21 | 太阳视窗技术公司 | 用于具有溅射接触层的有机半导体器件的系统和方法 |
| JP6888318B2 (ja) * | 2016-03-23 | 2021-06-16 | 三菱マテリアル株式会社 | 積層透明導電膜、積層配線膜及び積層配線膜の製造方法 |
| US10541346B2 (en) * | 2017-02-06 | 2020-01-21 | International Business Machines Corporation | High work function MoO2 back contacts for improved solar cell performance |
| WO2022169422A1 (en) * | 2021-02-05 | 2022-08-11 | Ho Charles Kin Fai | A solar panel, a method of fabricating a solar panel and a method for controlling a solar panel. |
| US12581789B2 (en) * | 2022-10-06 | 2026-03-17 | Swift Solar Inc. | Module layup for perovskite-silicon tandem solar cells |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8344238B2 (en) * | 2005-07-19 | 2013-01-01 | Solyndra Llc | Self-cleaning protective coatings for use with photovoltaic cells |
| KR20070113893A (ko) * | 2006-05-26 | 2007-11-29 | 삼성전자주식회사 | 유기 절연막 조성물 및 이를 이용하는 이중 두께를 갖는유기 절연막의 제조방법 |
| US20090020149A1 (en) * | 2007-07-16 | 2009-01-22 | Woods Lawrence M | Hybrid Multi-Junction Photovoltaic Cells And Associated Methods |
| US20090266398A1 (en) * | 2008-04-28 | 2009-10-29 | Burak Metin | Method and Apparatus to Form Back Contacts to Flexible CIGS Solar Cells |
| TW201036183A (en) * | 2008-12-16 | 2010-10-01 | Solopower Inc | Thin film photovoltaic module manufacturing methods and structures |
| US8563850B2 (en) * | 2009-03-16 | 2013-10-22 | Stion Corporation | Tandem photovoltaic cell and method using three glass substrate configuration |
| EP2439786A4 (en) * | 2009-10-15 | 2014-01-22 | Lg Innotek Co Ltd | SOLAR PHOTOVOLTAIC DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
| CN102054901A (zh) * | 2010-11-11 | 2011-05-11 | 福建钧石能源有限公司 | 柔性薄膜太阳能电池的制造方法 |
| CN102104087B (zh) * | 2010-12-15 | 2012-11-07 | 上海理工大学 | 一种柔性薄膜太阳能电池制备方法 |
| CN102157623B (zh) * | 2011-03-08 | 2013-03-06 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种薄膜太阳能电池衬底的剥离转移方法 |
| US20140124014A1 (en) * | 2012-11-08 | 2014-05-08 | Cogenra Solar, Inc. | High efficiency configuration for solar cell string |
-
2013
- 2013-05-31 US US13/906,932 patent/US20140352751A1/en not_active Abandoned
- 2013-08-19 CN CN201310362161.0A patent/CN104218106A/zh active Pending
-
2014
- 2014-01-07 TW TW103100480A patent/TW201445754A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20140352751A1 (en) | 2014-12-04 |
| CN104218106A (zh) | 2014-12-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW201445754A (zh) | 太陽能電池及其製造方法 | |
| CN102412315A (zh) | 单结cigs/cis太阳能电池模块 | |
| CN102598301A (zh) | 太阳能电池及其制造方法 | |
| CN104396020B (zh) | 用于类似铜铟亚盐酸太阳能电池的光伏器件的后接触结构 | |
| JP2013507766A (ja) | 太陽光発電装置及びその製造方法 | |
| CN104011878A (zh) | 太阳能电池及其制备方法 | |
| CN102576758A (zh) | 太阳能电池设备及其制造方法 | |
| JP2012532442A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| CN104272470B (zh) | 太阳能电池及其制造方法 | |
| CN104115283B (zh) | 太阳能电池模块及其制造方法 | |
| CN105097980B (zh) | 薄膜太阳能电池及其制造方法 | |
| CN103999236B (zh) | 太阳能电池及其制造方法 | |
| CN103339740B (zh) | 太阳能电池和制造该太阳能电池的方法 | |
| KR101241708B1 (ko) | 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 | |
| JP2014007236A (ja) | 集積化太陽電池およびその製造方法 | |
| CN104115278B (zh) | 太阳能电池及其制造方法 | |
| TWI430466B (zh) | 高效率碲化鎘薄膜太陽能電池之元件結構 | |
| KR101556465B1 (ko) | 그래핀을 후면전극으로 적용한 ｃｉｇｓ계 태양전지의 연결전극 형성방법 | |
| US9966485B2 (en) | Solar cell and method of fabricating the same | |
| JPWO2011052646A1 (ja) | 光電変換装置、光電変換モジュール、および光電変換装置の製造方法 | |
| US20100300539A1 (en) | Solar cell structure and manufacturing method thereof | |
| US9349901B2 (en) | Solar cell apparatus and method of fabricating the same | |
| EP2876692A1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| CN109301000B (zh) | 薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
| CN103515464A (zh) | 太空高效超导太阳能电池 |