TW201536680A - 在三氯化硼中減少四氯化矽之方法 - Google Patents
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- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 76
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 title 1
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 title 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 46
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims abstract description 16
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 35
- IREVRWRNACELSM-UHFFFAOYSA-J ruthenium(4+);tetrachloride Chemical compound Cl[Ru](Cl)(Cl)Cl IREVRWRNACELSM-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 28
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 22
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 21
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 15
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 claims description 14
- PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J hafnium tetrachloride Chemical compound Cl[Hf](Cl)(Cl)Cl PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 14
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 claims description 11
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- SIPUZPBQZHNSDW-UHFFFAOYSA-N bis(2-methylpropyl)aluminum Chemical compound CC(C)C[Al]CC(C)C SIPUZPBQZHNSDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 10
- -1 lithium aluminum hydride Chemical compound 0.000 claims description 9
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 8
- HBBBDGWCSBWWKP-UHFFFAOYSA-J tetrachloroantimony Chemical compound Cl[Sb](Cl)(Cl)Cl HBBBDGWCSBWWKP-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 239000011214 refractory ceramic Substances 0.000 claims description 7
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 229910000103 lithium hydride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 claims description 5
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 5
- 229910000104 sodium hydride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- CSDQQAQKBAQLLE-UHFFFAOYSA-N 4-(4-chlorophenyl)-4,5,6,7-tetrahydrothieno[3,2-c]pyridine Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C1C(C=CS2)=C2CCN1 CSDQQAQKBAQLLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012280 lithium aluminium hydride Substances 0.000 claims description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 claims description 4
- NTTOTNSKUYCDAV-UHFFFAOYSA-N potassium hydride Chemical compound [KH] NTTOTNSKUYCDAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000105 potassium hydride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012312 sodium hydride Substances 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910026551 ZrC Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N [C].[Zr] Chemical compound [C].[Zr] OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 3
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 claims description 3
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- YBCAZPLXEGKKFM-UHFFFAOYSA-K ruthenium(iii) chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Ru+3] YBCAZPLXEGKKFM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000012448 Lithium borohydride Substances 0.000 claims 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 15
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 abstract description 7
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000004508 fractional distillation Methods 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 20
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 11
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000047 product Substances 0.000 description 9
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005708 Sodium hypochlorite Substances 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 2
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 2
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 2
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 2
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 2
- 238000001036 glow-discharge mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- SIAPCJWMELPYOE-UHFFFAOYSA-N lithium hydride Chemical compound [LiH] SIAPCJWMELPYOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910010082 LiAlH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019093 NaOCl Inorganic materials 0.000 description 1
- YGYAWVDWMABLBF-UHFFFAOYSA-N Phosgene Chemical compound ClC(Cl)=O YGYAWVDWMABLBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- IEPTVZPDPRCAKM-UHFFFAOYSA-N [He].Cl.Cl.Cl.Cl Chemical compound [He].Cl.Cl.Cl.Cl IEPTVZPDPRCAKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000102 alkali metal hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008046 alkali metal hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQMRIBYCTLBDAK-UHFFFAOYSA-M bis(2-methylpropyl)alumanylium;chloride Chemical compound CC(C)C[Al](Cl)CC(C)C HQMRIBYCTLBDAK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005255 carburizing Methods 0.000 description 1
- 238000005524 ceramic coating Methods 0.000 description 1
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- LTYZGLKKXZXSEC-UHFFFAOYSA-N copper dihydride Chemical compound [CuH2] LTYZGLKKXZXSEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000050 copper hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- AEJIMXVJZFYIHN-UHFFFAOYSA-N copper;dihydrate Chemical compound O.O.[Cu] AEJIMXVJZFYIHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006197 hydroboration reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- MLSKXPOBNQFGHW-UHFFFAOYSA-N methoxy(dioxido)borane Chemical compound COB([O-])[O-] MLSKXPOBNQFGHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000006120 scratch resistant coating Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- FCLAPXQWWIRXCV-UHFFFAOYSA-J tetrachloroniobium Chemical compound Cl[Nb](Cl)(Cl)Cl FCLAPXQWWIRXCV-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B35/00—Boron; Compounds thereof
- C01B35/08—Compounds containing boron and nitrogen, phosphorus, oxygen, sulfur, selenium or tellurium
- C01B35/10—Compounds containing boron and oxygen
- C01B35/1027—Oxides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
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Abstract
本發明係關於三氯化硼(BCl3)之純化。更具體地，本發明係關於在產生三氯化硼期間最小化四氯化矽(SiCl4)形成之方法及/或藉由防止/最小化反應腔室中之矽來源而移除三氯化硼產物流中之四氯化矽的方法。此外，一氫化物材料可用於轉變任何四氯化矽存在成甲矽烷，其更易於被移除。最後，結冰分離將取代分餾以從已被部分純化而移除初餾物的三氯化硼中移除四氯化矽。
Description
本申請案主張西元2014年3月18日申請之61/954,599號美國臨時申請案的優先權，其揭露之內容透過引用全部併入本文。
本發明係關於一改良之管柱反應器裝置及三氯化硼(BCl3)的純化方法。更具體地，本發明係關於一裝置，其在三氯化硼生產期間最小化四氯化矽(SiCl4)之形成，且本發明亦揭露了自三氯化硼產物流移除四氯化矽之方法，其係在合成三氯化硼期間所形成的。
三氯化硼(BCl3)係一種高活性化合物，其在本身之蒸氣壓下呈現為液體且具有多種不同的應用。在各種製程中其主要用作硼的來源。例如，在結構材料的製造中，三氯化硼係作為硼絲的化學氣相沉積(CVD)之前驅物，而硼絲係用於加強高性能複合材料。三氯化硼亦用作光纖硼摻雜、防刮塗層硼摻雜及半導體硼摻雜的化學氣相沉積前驅物。一些三氯化硼的非化學氣相沉積應用係半導體積體電路之反應離子蝕刻及金屬合金之精鍊。在冶金應用中，其用於自熔融金屬中移除氧化物、碳化物及氮化物。特別是，三氯化硼係用於鋁及其合金之精鍊以增進抗拉強度。
已知有許多製程用於生產三氯化硼，例如藉由在密封管中硼酸酯(例如：硼酸甲酯)的氯化作用。請參照例如為2,943,916號美國專利。然而，用於製備三氯化硼之最常見的技術製程係硼化合物之反應，如碳化硼(B4C)與氯。在此製程中，製備三氯化硼可藉由於裝填在石英管柱中之碳化硼及任選的碳的混合物通過氯，且其被加熱到至少800℃至1200℃之升高的溫度。一旦建立反應，反應區慢慢沿著管柱傳播而在反應區產生三氯化硼。氯化反應導致三氯化硼的形成具有雜質，如未反應的氯(Cl2)、氯化氫(HCl)及光氣(COCl2)，其通常藉由蒸餾及/或其他純化方法自原始
三氯化硼流中被移除。然而，也會產生微量的四氯化矽(SiCl4)且由於其低揮發性而更難以自產物流中藉由上述方法移除。未經加工的產物(即含有四氯化矽副產物之三氯化硼)對於一些用途係有用的；但對於許多用途而言，四氯化矽係不良的雜質，亦即當三氯化硼係用作高純度氮化硼之前驅物時。因此，其在合成期間於裝填的管柱反應器中之最小化及其自所得的三氯化硼產物流中之移除係非常需要的。
三氧化二硼(B2O3)通常作為雜質存在於碳化硼中，其含量從1%(重量)至5%(重量)不等。依據其晶體結構，三氧化二硼之熔點溫度為約450℃或約510℃。因此，在前述之反應條件下，在碳化硼氯化作用製程中碳化硼中之雜質三氧化二硼會熔化並形成液體。當製程溫度低於液化的三氧化二硼之熔點，其在製程流中最終會形成沉澱物。因在複數次反應週期後沉澱物持續地累積，其可阻擋製程流之流動。通常，裝載活性炭(如木炭)床於反應器之底部以吸收液化的三氧化二硼。在反應器的主要部分中，一旦反應被觸發(經由感應加熱)，在硼被氯化且自碳化硼中耗盡後形成多孔碳框架(石墨)。(活性碳床中之碳及在氯化作用製程期間形成之碳)對三氯化硼之純度有不利的影響，亦即碳可在至少為800℃至1200℃的碳化硼氯化作用溫度下增進石英(SiO2)的氯化作用，導致四氯化矽的形成，依據以下之反應，其在三氯化硼中係非常不良的雜質：SiO2+C+2Cl2=SiCl4+CO2；△Ho(1223K)=-141.7kJ/mol
輝光放電質譜法(GDMS)分析指出矽亦存在於碳化硼中(在一批碳化硼中採樣為0.38%(重量))。因此，三氯化硼流中之四氯化矽亦可歸因於碳化硼(三氯化硼之來源材料)中之矽雜質。
因此，極需一種用於合成三氯化硼且不存在矽來源的反應器及/或一種用於移除任何在合成製程期間所形成的四氯化矽雜質之方法。
據此，本發明揭露一種藉由碳化硼(B4C)與氯在800℃至1200℃溫度下之反應而產生三氯化硼(BCl3)之方法，該方法係使用一反應器其係若非藉由以一非石英材料形成反應器而消除從反應器產生之矽來
源，就是於石英表面施用一保護屏障，其在反應條件下對於氯攻擊不發生反應以防止/最小化四氯化矽(SiCl4)之形成。
此外，在必須使用石英的情況下，利用一適當的反應性材料或吸附材料自三氯化硼流移除四氯化矽或其他矽氯化物。
另外，若緣於石英反應器中的矽係最小化，且四氯化矽的形成係透過碳化硼中之矽雜質，與上述方法相似，一適當的反應性材料或吸附材料可用於自三氯化硼產物流中移除四氯化矽。在這種情況下，本發明教示了使用一氫化物還原劑將四氯化矽轉變成甲矽烷(SiH4)，其較四氯化矽更易於自三氯化硼中分離。透過控制的氧化作用(例如低濃度地暴露於空氣或在一燃料源存在下燃燒)、以一液相氧化媒介物(例如高錳酸鉀(KMNO4)或次氯酸鈉(NaOCl)水溶液)洗滌、以一固相媒介物(例如氫氧化銅(Cu(OH)2))洗滌或其他可接受的方法在氣相中可容易地處理前述氫化物。
在另一實施例中，可將四氯化矽藉由結冰純化進一步自三氯化硼流中移除。三氯化硼及四氯化矽之大氣壓力沸點分別約為12.6℃及57.65℃。而凝固點約為-107.3℃及-68.74℃。這顯示了可藉由凝結及冷卻三氯化硼產物而移除固體的四氯化矽。
其他實施例及特徵係列舉於以下敘述中，而在本發明技術領域具有通常知識者檢查本說明書後將會某種程度上明瞭，或可藉由實施揭露之實施例而習得。所揭露之實施例的特徵及優點則可藉由本說明書中所描述之儀器、組合及方法而實現並得到。
10、110‧‧‧反應器
12‧‧‧內部表面
14、14’‧‧‧保護塗層
15‧‧‧保護塗層之表面
16‧‧‧管柱
17‧‧‧塗層
18、18’‧‧‧屏障
20‧‧‧氣體入口
22‧‧‧氣體出口
116‧‧‧石英管柱
120‧‧‧純化床
C‧‧‧氯氣
H‧‧‧感應加熱
R‧‧‧反應性材料
附圖示出了本發明之較佳實施例且與敘述一起用於說明本發明之原理，且附圖包含於說明書中並形成說明書之一部分。
圖1為本發明之管柱反應器裝置之一透視圖，且部分剖開以顯示如其所組裝之內部結構。
圖2A為圖1中以虛線表示之管柱反應器裝置之保護塗層的一放大詳細
視圖。
圖2B為本發明之一放大詳細視圖，其相似於圖2A所示之視圖但具有多重保護塗層且覆蓋於彼此。
圖2C為本發明之保護塗層的一放大詳細視圖，其相似於圖2A所示之視圖且具有一另外的保護屏障與保護塗層的表面接觸。
圖2D為如圖2C所示之本發明之一放大詳細視圖，其示出了另一實施例，其中缺少保護塗層且保護屏障直接與內部的管柱反應器側壁及反應性媒介物接觸。
圖3為圖2D之過濾器之一側面剖面圖且外加一過濾床。
圖4為圖3所示位置顯示之管柱反應器裝置之一頂視平面圖。
現已發現在合成三氯化硼(BCl3)的期間，在三氯化硼中發現之四氯化矽(SiCl4)雜質的存在可被最小化及/或自三氯化硼產物流中移除，從而產生一純化的三氯化硼。
依據本發明，歸因於反應器之矽來源若非透過由在反應條件下對於氯攻擊不發生反應之一非石英材料構成一反應器管柱而消除，就是透過在管柱反應器之內部側壁與用於合成三氯化硼的反應性材料(例如但不限於碳化硼)之間插入一保護塗層或屏障而最小化。此保護塗層或屏障從而最小化雜質(如四氯化矽)之形成，其係由內部的石英反應器壁與反應器內之反應性化學物質發生反應所產生的。
在一實施例中，如圖1所示之本發明反應器10係使用一惰性非反應性材料14以於石英管柱16之內表面12上形成一緻密無孔的薄保護塗層或薄保護層，而惰性非反應性材料14顯示了對於氯攻擊之耐受性，例如但不限於石墨、石墨烯或氮氧化矽或耐火陶瓷材料。在本發明中有用的陶瓷，包含但不限於碳化矽、碳化鋯、氮化鋯、氮化矽或氮化硼。這樣的保護塗層14必須有接近石英的耐熱性能，以避免/最小化由於在升高溫度時之熱膨脹所造成的層壓作用及/或應力/張力。
請參照圖2A，保護塗層14係並置於內部的反應器10壁之
內部表面12及反應性材料R之間，而反應性材料R例如但不限於一硼化合物如碳化硼(B4C)。通常，保護塗層14如一石墨烯塗層係藉由化學氣相沉積(CVD)製程在接近1000℃的溫度下利用甲烷或乙醇作為前驅物形成於具有一內部表面及一外部表面之石英管柱16的內部表面12上。此外，保護塗層14可為一氮氧化矽層，其係藉由在1200℃快速流動氨氣而形成於石英材料之內部表面12上。一緻密的耐火陶瓷塗層通常係藉由一化學氣相沉積製程與適當的前驅物所形成。例如，氮化硼之一薄層可透過三氯化硼(或其他硼化合物)與氨之間的化學反應而沉積於一石英管柱表面上。此外，一或多層額外的塗層(未示出)可形成於石英管柱16之內部表面12上的保護塗層14之上。
如圖2B所示，若反應器10包含一或多種不同的塗層17覆蓋於保護塗層14’之表面15之上及/或之下，且保護塗層14’沉積於石英管柱16之內部表面12之上，則不同的塗層可形成相鄰之層且依次覆蓋於彼此，或者一或多的塗層可穿入甚或穿過一或多的其他塗層。因此，可將不同的塗層相當地描述為通常形成於管柱「上」或「之上」，無論係如何或到何種程度之任何特定塗層接觸任何其它塗層及/或管柱本身。同樣地，當將一材料敘述為通常被施用於管柱，可將這種材料直接施用於石英管柱，或者可將這種材料施用於石英管柱在已存在於石英管柱上之一或多的塗層之上。
在另一實施例中，如圖2C所示，降低石英管柱16之表面溫度係可藉由於石英管柱16中裝填一較大直徑及/或較少孔及/或具有較低反應性之顆粒(例如但不限於氮化硼、純硼等)的同軸環而在石英管柱16之保護塗層14及反應性材料R(例如為碳化硼(B4C))之間形成一屏障18。此外，如圖2D所示，屏障18’可形成為與管柱16之內部表面12直接接觸。如在圖4最佳地示出，材料的同軸環可形成為與石英管柱16之內部側壁表面12並置，或者如圖2C所示，其可具有介於其與石英表面之間的石墨、石墨烯、或氮氧化矽或耐火陶姿材料。在另一實施例中(未示出)，一屏障可利用一非反應性管形成於管柱16內，而非將鬆散顆粒裝填至管柱16中。在此實施例中，管狀屏障之外徑會略小於管柱16之內徑，以致當滑
入到位時，管狀屏障的外部表面會與管柱16之內部表面接觸。如果管狀屏障之外徑係顯著地小於管柱16之內徑，則會形成同軸環狀空間或間隙，其可進一步以一較大直徑及/或較少孔及/或具有較低反應性之顆粒(如用於前述屏障18的那些)的環裝填。
透過使用如本文所揭露之反應器10的一實施例，製備三氯化硼可藉由透過氣體入口20引入氯氣C，從而通過裝填在石英管柱16中之碳化硼及任選的碳，且利用感應加熱H(圖1)將其加熱到至少800℃至1200℃之升高的溫度。一旦建立反應，反應區慢慢沿著管柱傳播而在反應區產生三氯化硼。氯化反應導致三氯化硼的形成，且由於建立於反應性材料及石英基底間之保護屏障，通常在三氯化硼中所發現之四氯化矽(SiCl4)雜質的存在於三氯化硼合成期間被最小化。將在下面更詳細揭露的是，由於在反應性材料R中一矽來源之存在，任何最終形成之四氯化矽可利用本文所述之方法而移除，從而產生一純化之三氯化硼，且其透過氣體出口22的途徑離開反應器10。
如前面所討論，不論為了消除從反應器中產生之矽來源所採取的步驟，四氯化矽雜質仍可因碳化硼中矽來源之存在而形成。因此，本發明更設想了用於純化三氯化硼產物而移除所形成之任何四氯化矽雜質的方法，不論管柱之內部側壁是否被如上所述之一塗層或一屏障保護。如圖3所示，以下之實施例設想了具有一保護塗層或屏障；然而，本發明技術領域具有通常知識者還將認識到如本發明所揭露之純化床亦可用於一標準石英管柱(未示出)。如圖3所示及根據本發明，一薄純硼區120或純化床係形成於反應器110之底部且維持在石英管柱116內，利用一陶瓷熔塊或另外的硼放置在一加熱的分離床(未示出)以與任何四氯化矽反應而形成三氯化硼及固體之矽，使四氯化矽雜質從三氯化硼流中被移除。此外，可利用適當的分子篩材料，其係具有對四氯化矽之良好的親合力及適當的孔洞大小以使四氯化矽分子擴散進入孔洞且被吸附於吸附材料之內部表面上，而排除三氯化硼分子進入孔洞(四氯化矽及三氯化硼之動力學直徑分別為5.81埃(Å)及6.00埃)。
純化床120亦可利用一反應性元素材料、混合材料或其他化
合物而形成以與四氯化矽反應而形成例如為MxCly，其中x=1-4且y=1-8，且在三氯化硼中作為一雜質存在之四氯化矽的元素矽會大致上被移除。反應性材料係至少部分地被消耗且作為一四氯化矽吸收劑。反應之副產物或多個副產物可能需自三氯化硼中分離，但應較四氯化矽之分離便利。較佳之材料係元素鈦(例如海綿鈦)、90%氯化鈉/10%元素硼、元素鋅(例如熔融的)及氧化鋁(Al2O3)。
一氫化物還原劑更可用於將四氯化矽轉變成甲矽烷，其較四氯化矽更易於自三氯化硼中分離。透過控制的氧化作用(例如低濃度地暴露於空氣或在一燃料源存在下燃燒)、以一液相氧化媒介物(例如高錳酸鉀或次氯酸鈉水溶液)洗滌、以一固相媒介物(例如氫氧化銅)洗滌或其他可接受的方法在氣相中可容易地處理前述氫化物。不希望受理論束縛，一般反應方案可包含例如：
●SiCl4+4MH → SiH4+4MCl
●SiCl4+2MH2 → SiH4+2MCl2
●SiCl4+MM’H4 → SiH4+MCl+M’Cl3
●SiCl4+4MR2H → SiH4+4MR2Cl
●SiCl4+4MM’R3H → SiH4+4MCl+4M’R3其中M包含一鹼土金屬、鹼金屬或其他主族金屬或類金屬，而R包含一烴基。
氫化物還原劑可包含但不限於以下一或多個：氫化鋰(LiH)、氫化鈉(NaH)、氫化鉀(KH)、氫化鈣(CaH2)、氫化鋁鋰(LiAlH4)、硼氫化鈉(NaBH4)、二異丁基氫化鋁(DIBAL)及三乙基硼氫化鋰(LiB(Et)3H)。未包含於此名單中之其他氫化物還原劑亦可能是有效的。理想的情況下，還原劑對四氯化矽具有超過三氯化硼之一高度選擇性，且會產生一副產物或多個副產物，其對於後續之處理不具有一顯著的負面影響。
從反應度及副產物形成之觀點來看，最好的選擇係硼氫化鈉，因其較鹼土金屬氫化物及鹼金屬氫化物反應性較低且會產生氯化鈉(NaCl)及三氯化硼。二異丁基氫化鋁(DIBAL)亦可為一好選擇，因副產物二異丁基氯化鋁係一非常高沸點的液體其在製程中不會產生固體。
可將四氯化矽藉由結冰純化進一步自三氯化硼流中移除。三氯化硼及四氯化矽之大氣壓力沸點分別約為12.6℃及57.65℃。而凝固點約為-107.3℃及-68.74℃。這顯示了可藉由凝結及冷卻三氯化硼產物而移除固體的四氯化矽。
無需進一步闡述，相信本發明技術領域具有通常知識者利用以上的敘述可將本發明利用至其最大限度。
對於所揭露之數個實施例，本發明所屬技術領域具有通常知識者將能明瞭，使用各種修改、替代的建構及均等物，均不脫離所揭露之實施例之精神。此外，為了避免對本發明產生不必要模糊，數個習知的流程與元件並未加以描述。因此，以上所述應非為限制本發明之範疇。
當提供之數值以範圍呈現時，應明瞭的是，除非明文指出，其亦明確揭露在該範圍上限與下限值之間的每一個中間值，精確到其下限值單位的十分之一。在任何明訂之數值或在明訂範圍中的中間值與在該明訂範圍中其他任何明訂或中間值之間的較小數值範圍，均包含在本發明中。這些較小數值範圍的上限與下限可獨立地被包含於該範圍中或排除於該範圍外，且每一數值範圍中之極限值之任一、兩者皆不或兩者皆是包含於該些較小數值範圍內亦係包含於本發明中，並受到該明訂範圍中之任何特定排除之限制。當該明訂範圍包含一或兩個極限值時，排除所含極限值之任一或兩者之範圍亦包含在內。
如本文中及所附申請專利範圍所使用的，非有明文排除，單數形式「一」、「一個」及「該」包含複數所指對象。因此，例如，提及「一方法」時包含複數個該種類之方法，而提及「該介電材料」時包含指稱本發明所屬技術領域具有通常知識之人所知之一種或多種介電材料以及其等之等效物。
此外，當「包含」及「包括」等語詞用於本說明書與後附之申請專利範圍中時，係意在用以明確說明所述的特徵、整數、元件或步驟的存在，但其並不排除有一個或多個其它特徵、整數、元件、步驟、動作或群組的存在或附加。
10‧‧‧反應器
12‧‧‧內部表面
14‧‧‧保護塗層
16‧‧‧管柱
20‧‧‧氣體入口
22‧‧‧氣體出口
C‧‧‧氯氣
H‧‧‧感應加熱
Claims (32)
- 一種用於產生三氯化硼同時減少四氯化矽及其他為一雜質之矽氯化物形成之方法，包含：以碳化硼(B4C)及任選一反應性材料或一吸附材料或兩者裝填具有一內表面之一非反應性管柱，其與該內表面接觸；將一氯氣通過該非反應性管柱；以及回收一氣態三氯化硼產物。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該非反應性管柱係由石英以外之一材料所形成。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該非反應性管柱係由一石英材料所形成，其中該內表面係以對於氯攻擊不發生反應之一材料塗覆。
- 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中用於塗覆該內表面之該材料係選自於由石墨烯或氮氧化矽或耐火陶瓷材料所組成的群組。
- 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該耐火陶瓷材料係選自於由碳化矽、碳化鋯或氮化鋯或氮化矽或氮化硼所組成的群組。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含將該氣態三氯化硼產物流過一純化床，其幫助該四氯化矽及其他矽氯化物雜質自該氣態三氯化硼分離。
- 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該床係使用純硼而形成。
- 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該純化床係使用分子篩材料而形成，該些分子篩材料具有對四氯化矽之親合力及適當的孔洞大小以排除三氯化硼分子而允許四氯化矽分子擴散進入該些孔洞並被吸附於該吸附材料之內部表面上。
- 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該吸附材料之該孔洞大小係小於6.00埃。
- 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該床包含一反應性材料、混合材料或其他化合物以與四氯化矽反應。
- 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該反應性材料包含元素鈦、 90%氯化鈉/10%元素硼、元素鋅、氧化鋁(Al2O3)、一氫化物還原劑及/或其組合。
- 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該還原劑包含氫化鋰、氫化鈉、氫化鉀、氫化鈣、氫化鋁鋰、硼氫化鈉、二異丁基氫化鋁(DIBAL)、三乙基硼氫化鋰(LiB(Et)3H)及/或其組合。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中可將該四氯化矽及其他矽氯化物雜質藉由結冰純化進一步自該三氯化硼產物流中移除。
- 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該純化床係裝填在該非反應性管柱中或位於該非反應性管柱之下游側。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該非反應性管柱係由一石英材料所形成，其中將一大直徑及/或較少孔及/或具有較低反應性之顆粒的同軸環裝填至該管柱中形成介於該碳化硼及該石英管柱之內表面間之一屏障。
- 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該大直徑及/或較少孔及/或較低反應性之顆粒包含硼化物的氮化物、純硼及/或其組合。
- 一種用於純化含有四氯化矽雜質之三氯化硼之方法，包含：將具有一四氯化矽雜質之三氯化硼暴露於一氫化物還原劑以將四氯化矽及其他矽氯化物轉變成甲矽烷；將甲矽烷自三氯化硼分離；在氣相中氧化甲矽烷；以及回收一氣態三氯化硼產物。
- 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中該氫化物還原劑係選自於由以下一或多個所組成的群組：氫化鋰、氫化鈉、氫化鉀、氫化鈣、氫化鋁鋰、硼氫化鈉、二異丁基氫化鋁(DIBAL)及三乙基硼氫化鋰(LiB(Et)3H)。
- 一種石英管柱反應器裝置，用於形成一純化的三氯化硼，包含：一氣體入口及一氣體出口；一石英管柱反應器，其具有內側壁及外側壁；以及一非反應性屏障，其形成在該內側壁之表面上。
- 如申請專利範圍第19項所述之反應器裝置，其中該非反應性屏障係選自於由石墨烯或氮氧化矽或耐火陶瓷材料所組成的群組。
- 如申請專利範圍第20項所述之反應器裝置，其中該耐火陶瓷材料係選自於由碳化矽、碳化鋯或氮化鋯或氮化矽或氮化硼所組成的群組。
- 如申請專利範圍第20項所述之反應器裝置，其中該反應性屏障至少係一層厚。
- 如申請專利範圍第19項所述之反應器裝置，更包括一純化床，其中該純化床係使用分子篩材料而形成，該些分子篩材料具有對四氯化矽之親合力及適當的孔洞大小以排除三氯化硼分子而允許四氯化矽分子擴散進入該些孔洞並被吸附於該吸附材料之內部表面上。
- 如申請專利範圍第23項所述之反應器裝置，其中該吸附材料之該孔洞大小係小於6.00埃。
- 如申請專利範圍第23項所述之反應器裝置，其中該床包含一反應性材料、混合材料或其他化合物以與四氯化矽反應。
- 如申請專利範圍第25項所述之反應器裝置，其中該反應性材料包含元素鈦、90%氯化鈉/10%元素硼、元素鋅、氧化鋁(Al2O3)、一氫化物還原劑及/或其組合。
- 如申請專利範圍第26項所述之反應器裝置，其中該還原劑包含氫化鋰、氫化鈉、氫化鉀、氫化鈣、氫化鋁鋰、硼氫化鈉、二異丁基氫化鋁(DIBAL)、三乙基硼氫化鋰(LiB(Et)3H)及/或其組合。
- 如申請專利範圍第19項所述之反應器裝置，其中形成在該內側壁之表面上之該非反應性屏障係藉由同軸地放置具有外部側壁及內部側壁之一非反應性管於該管柱中所形成。
- 如申請專利範圍第28項所述之反應器裝置，其中該管之該外部側壁與該管柱之該內部側壁接觸。
- 如申請專利範圍第28項所述之反應器裝置，其中該非反應性管之外徑係小於該管柱之內徑，以致當該非反應性管與該管柱放置在一起時會形成一同軸環狀空間，然後將具有一大直徑及/或較少孔及/或較低反應性之顆粒之一材料裝填至該環狀空間中。
- 一種石英管柱反應器裝置，用於形成一純化的三氯化硼，包含：一氣體入口及一氣體出口；一石英管柱反應器，其具有內側壁及外側壁；以及一純化床，其中使用一反應性材料及/或一吸附劑形成該純化床，其中該吸附劑包含分子篩材料，該些分子篩材料具有對四氯化矽之親合力及適當的孔洞大小以排除三氯化硼分子而允許四氯化矽分子擴散進入該些孔洞並被吸附於該吸附材料之內部表面上。
- 一種用於純化含有一四氯化矽雜質之三氯化硼之方法，包含：將含有該些四氯化矽雜質之該三氯化硼暴露於溫度下，該溫度會導致該四氯化矽結冰以產生一固體而允許三氯化硼仍為一液體；將甲矽烷自三氯化硼分離；以及回收一液態三氯化硼產物。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201461954599P | 2014-03-18 | 2014-03-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201536680A true TW201536680A (zh) | 2015-10-01 |
| TWI555705B TWI555705B (zh) | 2016-11-01 |
Family
ID=54141173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW104108506A TWI555705B (zh) | 2014-03-18 | 2015-03-17 | 在三氯化硼中減少四氯化矽之方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10010853B2 (zh) |
| KR (1) | KR101928159B1 (zh) |
| CN (1) | CN106163628B (zh) |
| TW (1) | TWI555705B (zh) |
| WO (1) | WO2015142942A2 (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| TWI714124B (zh) * | 2018-06-26 | 2020-12-21 | 日商昭和電工股份有限公司 | 三氯化硼之製造方法 |
| TWI914826B (zh) | 2023-06-06 | 2026-02-11 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | 鉿前驅物及相關方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP3476804B1 (en) * | 2016-06-23 | 2020-05-13 | Showa Denko K.K. | Method for producing boron trichloride |
| CN106829989B (zh) * | 2017-02-15 | 2021-04-06 | 江西瑞合特种材料有限公司 | 一种高纯三溴化硼的生产方法及装置 |
| US10717653B2 (en) * | 2017-11-08 | 2020-07-21 | Vaon, Llc | Graphene production by the thermal release of intrinsic carbon |
| CN109851858B (zh) * | 2018-06-18 | 2020-12-08 | 浙江大学 | 一种分子筛/纤维复合材料及其制备方法 |
| CN110775960B (zh) * | 2019-11-05 | 2022-12-09 | 武汉华科三维科技有限公司 | 一种Al2O3包覆的石墨烯及其制备方法和在铝合金中的应用 |
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- 2015-03-17 WO PCT/US2015/021088 patent/WO2015142942A2/en not_active Ceased
- 2015-03-17 US US14/660,852 patent/US10010853B2/en active Active
- 2015-03-17 CN CN201580014638.3A patent/CN106163628B/zh active Active
- 2015-03-17 KR KR1020167026640A patent/KR101928159B1/ko active Active
- 2015-03-17 TW TW104108506A patent/TWI555705B/zh active
- 2015-03-17 US US14/660,786 patent/US9669378B2/en active Active
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| TWI914826B (zh) | 2023-06-06 | 2026-02-11 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | 鉿前驅物及相關方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2015142942A2 (en) | 2015-09-24 |
| WO2015142942A3 (en) | 2015-11-26 |
| CN106163628B (zh) | 2019-03-22 |
| KR20160126061A (ko) | 2016-11-01 |
| TWI555705B (zh) | 2016-11-01 |
| CN106163628A (zh) | 2016-11-23 |
| US9669378B2 (en) | 2017-06-06 |
| US20150266744A1 (en) | 2015-09-24 |
| KR101928159B1 (ko) | 2018-12-11 |
| US20150265996A1 (en) | 2015-09-24 |
| US10010853B2 (en) | 2018-07-03 |
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