TW201719784A

TW201719784A - 使用用於半導體檢查及度量之差分偵測技術而改善高度感測器之橫向解析度之方法

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Publication number: TW201719784A
Application number: TW105128691A
Authority: TW
Inventors: 緒方李
Original assignee: 克萊譚克公司
Priority date: 2015-09-04
Filing date: 2016-09-05
Publication date: 2017-06-01
Also published as: US20170067732A1; WO2017041047A1; TWI699842B; US10088298B2

Abstract

一種可用於半導體高度檢查及度量之系統包含一互補板，該互補板配合一光束分離器使用以產生所要像散且移除色像差。可實現橫向解析度及靈敏度之同時最佳化。該互補板可由與該光束分離器相同之材料製造且具有與該光束分離器相同之厚度。

Description

使用用於半導體檢查及度量之差分偵測技術而改善高度感測器之橫向解析度之方法

本發明係關於半導體晶圓檢查及度量。

半導體產業需要用於矽晶圓之三維(「3D」)檢查及/或度量程序。例如，可使用此檢查或度量來測試矽穿孔(「TSV」)及凸塊結構、產線中段(MEOL)應用中之柱及凸塊結構，或用於極紫外(EUV)微影應用之晶圓之一背側上之微粒形狀(例如，大小及高度)。用於檢查或度量之典型技術包含：(1)三角量測；(2)幾何陰影；(3)各種共焦顯微技術；及(4)白光(或寬頻光)干涉量測。當結構之特性大小變得較小時，現存三角量測及幾何陰影技術通常不提供此等應用之所需準確度及精度。例如，當目標結構高度縮小至10 μm以下時，現存三角量測及幾何陰影技術可缺乏針對3D檢查之所需準確度及精度。共焦及干涉量測方法往往不提供所需處理量或對於MEOL及產線後段(BEOL)中之3D檢查而言過於昂貴。因此，需要的係一種可為小結構提供較好準確度且更具成本效率之檢查及度量技術。

在一第一實施例中，提供一種系統。該系統包括：一光源，其經組態以提供光；一載物台，其經組態以固持一晶圓以從光源接收光；一光束分離器；及一互補板，其安置在從晶圓及光束分離器反射之光之一路徑中。互補板經組態以產生像散且移除色像差。在一例項中，互補板經組態以移除至少99.9%之色像差。系統可包含一物鏡，該物鏡經組態以運用來自光源之光照明晶圓且收集從晶圓反射之光。系統可包含經組態以接收從晶圓反射之光之一感測器及與該感測器電通信之一處理器。該處理器可經組態以判定晶圓之一表面上之一經照明區域相對於晶圓之一法向表面之一高度。感測器可偵測從晶圓反射之光是否欠聚焦或過聚焦。感測器可包含兩個光二極體。該兩個光二極體可在從晶圓反射之光欠聚焦或過聚焦時接收不同數量之從晶圓反射之光。感測器可包含兩個光二極體。系統可包含經組態以接收從晶圓反射之光之一刀刃鏡及經組態以接收由該刀刃鏡反射之從晶圓反射之光之一第二感測器。該第二感測器可包含兩個光二極體。刀刃鏡可包含一反射膜及一抗反射膜，該兩者皆安置在刀刃鏡上，藉此形成反射膜與一抗反射膜之間之一邊界。刀刃鏡可定位在從晶圓反射之光之一焦點處，使得反射膜經組態以阻擋從晶圓反射之光之至少一些。刀刃鏡可經組態使得在從晶圓反射之光欠聚焦或過聚焦時被該刀刃鏡阻擋之光之一部分不同。可按相對於從晶圓反射之光之一軸之一非垂直角度定位刀刃鏡。感測器可為一光二極體陣列。載物台可經組態以相對於來自光源之光掃描晶圓。互補板可由與光束分離器相同之材料製造且可具有與光束分離器相同之厚度。可按相對於光之一軸之與光束分離器角度相反之一角度定位互補板。光可經組態以依一線之形式投射至晶圓上。系統可包含經組態以塑形光之一狹縫。在一第二實施例中，提供一種方法。該方法包含：使光反射離開一光束分離器；使光反射離開一晶圓之一表面；及使光行進穿過光束分離器及一互補板。互補板經組態以產生像散且移除色像差。在一例項中，使用互補板來移除至少99.9%之色像差。方法可包含：在光行進穿過互補板之後運用至少一個感測器接收光；及使用一處理器、使用來自至少一個感測器之一讀取判定晶圓之表面上之一經照明區域相對於晶圓之一法向表面之一高度。方法可包含使光行進穿過一刀刃鏡。該刀刃鏡可包含一反射膜及一抗反射膜，該兩者皆安置在刀刃鏡上，藉此形成反射膜與抗反射膜之間之一邊界。刀刃鏡可定位在從晶圓反射之光之一焦點處，使得反射膜經組態以阻擋從晶圓反射之光之至少一些且使得在從晶圓反射之光欠聚焦或過聚焦時被刀刃鏡阻擋之光之一部分不同。方法亦可包含將來自刀刃鏡之光分成兩個數量及判定該等數量是否相等。該方法亦可包含將來自刀刃鏡之光之部分反射至一第二感測器。該方法亦可包含使用來自第二感測器之一讀取來判定光是否欠聚焦或過聚焦。方法可包含將投射至晶圓上之光塑形成一線。該方法亦可包含相對於光掃描晶圓。

相關申請案之交叉參考 本申請案主張2015年9月4日申請且指定為美國申請案第62/214,720號之臨時專利申請案之優先權，該案之揭示內容據此以引用的方式併入。雖然將根據特定實施例描述所主張之標的，但其他實施例(包含不提供本文中提出之所有優點及特徵之實施例)亦在本發明之範疇內。可作出各種結構、邏輯、處理步驟及電子變化，而不背離本發明之範疇。相應地，僅藉由參考隨附申請專利範圍定義本發明之範疇。本文中揭示之系統及方法之實施例實現橫向解析度及靈敏度之同時最佳化。一互補板(補償器)配合一光束分離器使用以產生所要像散且移除色像差。例如，產生所要像散可使晶圓沿著狹縫之定向保持對焦且可為了高度靈敏度提供垂直於狹縫之所要焦點偏移。此可保留橫向解析度及高度靈敏度兩者。如本文中所揭示，實施例可與一高度感測器組合以判定一晶圓上之一結構之高度。因此，本文中揭示之系統及方法之實施例可用於半導體高度檢查及度量。此系統可提供用於結構高度檢查及度量(諸如用於MEOL/BEOL應用)之一快速且具成本效率的解決方案。在圖1及圖2中展示互補板109之一個例示性實施方案。一光束分離器104從一光源接收光(藉由箭頭120表示)。一些光行進穿過中繼器119至一晶圓(未繪示)。反射離開晶圓之光行進穿過中繼器119至光束分離器104及互補板109。投射在晶圓處且反射離開晶圓之光亦可行進穿過一物鏡或其他透鏡。雖然繪示為重疊，但互補板109及光束分離器104可能與彼此分離或可能彼此鄰接。互補板109可由與光束分離器104相同之材料製造且可具有與光束分離器104相同之厚度。互補板109及光束分離器104之厚度可為相同的0.1 mm、0.01 mm或0.001 mm。例如，互補板109可由經組態以傳輸一應用波長範圍中之光之一光學玻璃製造。一典型厚度可在從近似1至3 mm之範圍中，包含其間精確至0.1 mm之所有值。在一例項中，互補板109及光束分離器104兩者皆具有2 mm之厚度。互補板109及光束分離器104之相對厚度可依據至互補板空間之光束分離器處的數值孔徑(NA)或來自晶圓之放大倍率。可按與光束分離器104相同之角度設定互補板109。通常，互補板109之角度被設定成相對於入射光之路徑之45°，但是其他角度係可行的。亦可按45°設定光束分離器104，但是可跨入射光之一虛軸或路徑相對配置互補板109及光束分離器104。在一例項中，在互補板109與光束分離器104之表面之間存在一90°角。互補板109及光束分離器104之角度之設計容限可為接近零。對於一些設計考量，互補板109之角度可不同於45°。例如，互補板109可設定為非45°之一角度以提供達到所要像散之一可行厚度或將該互補板109配合於系統中之其他組件之中。在另一實施例中，互補板109在材料、厚度及/或角度方面可不同於光束分離器，但仍可經設計以提供所要效能。在圖2中，當晶圓上之一線(未繪示)對焦時，該線上之每一點成像為垂直於狹縫之一線，如圖4之中間行中所展示。中間行之線之寬度可為晶圓上之點之一繞射限制影像，其保留一正交定向中之一高橫向解析度。中間行中之線之長度表示歸因於使用光束分離器及互補板所要之焦點偏移之射線之散開。當晶圓上之一點具有一不同高度時，偏移其影像點且所得點擴展函數表示為圖4中之另一行。因此，線之長度變得較短(接近焦點)或較長(遠離焦點)，從而提供針對晶圓上之點之高度靈敏度。同時，線之寬度在焦深(DOF)內變化極小。因此，保留橫向解析度。圖1及圖2中之中繼器119可使來自晶圓上之一點的射線偏轉至一焦點或影像點。例如，中繼器119可使射線偏轉至圖1中之頂部收斂點。中繼器119可包含一或多個透鏡。亦可存在經組態以在射線到達中繼器119之前操縱該等射線之其他光學器件，圖1及圖2中未展示該等光學器件。在圖3及圖4中展示一例示性效能。在無光束分離器及互補板的情況下，中繼器119基本上無任何像差。圖3展示當光束分離器在無互補板之情況下處於適當位置時之效能。色像差及像散兩者皆明顯。像散可用來最佳化橫向解析度，但色像差需經移除以確保系統準確度。當用一互補板將光束分離器插入至光束路徑時(諸如圖1或圖2中所展示)，如圖4中展示般移除色像差。互補板109可引入所要像散且移除色像差。像散可提供設計具有高橫向解析度(藉由沿著狹縫聚焦)及最大靈敏度(藉由垂直於狹縫散焦，故其安置於一最大斜率點上)之一系統之一方式。在一例項中，色像差之總體移除使用互補板發生。在另一實例中，色像差之接近總體移除使用互補板發生。例如，0.1%或更少之色像差可剩餘且互補板可經組態以移除將在無互補板之情況下存在之至少99.9%之色像差。互補板用於圖5及圖6中展示之系統中。雖然展示此等兩個實施例，但其他系統亦可受益於一互補板之使用。在無互補板的情況下，圖5及圖6之系統可經歷較低效能及/或有限橫向解析度。首先，有限共軛系統中之光束分離器可引起可降低效能之色像差及像散像差。其次，一線掃描方案中之焦點偏移及橫向解析度之取捨可導致沿著狹縫之一有限橫向解析度。依多少焦點偏移用於兩個狹縫有限橫向解析度。一小偏移可導致較低靈敏度。一大偏移可導致較低橫向解析度。例如，在無互補板的情況下，最大橫向解析度點在靈敏度恰好為零之處之對焦。若一焦點曲線之斜率經散焦以獲得可接受靈敏度，則橫向解析度將降低達至少兩倍。互補板109可定位在位於圖5或圖6中展示之針孔或狹縫下游之光束中。在一例項中，互補板109定位在第二光束分離器110與感測器之間之光之一路徑中。互補板109之精確位置可變化，但是其通常係在如圖1中展示之範圍中。然而，互補板109可能不太接近焦點以避免由光束分離器或互補板上之缺陷造成之光散射或波前變形。互補板109之位置亦可基於其實體尺寸及大小而變化，使得其可被放置在系統中。圖5係具有兩個光二極體112、114之一實施例。系統100具有一光源101，該光源101經組態以提供具有波長範圍之一光譜之光102。在一些實施例中，光源101可經組態以提供白光(即，可見光譜中之寬頻光)或部分或完全在可見光譜外部之光。在一例示性實施例中，由光源101提供之光102包含從400 nm至800 nm之波長(λ)。一雷射光源可用作光源101，其可提供與一習知非同調光源(諸如用於白光干涉量測及色共焦顯微術之光源)比較更高之一亮度。雷射光源(諸如二極體雷射)可改善光源之壽命、穩定性及熱控制。光源101可為(例如)一可見二極體雷射。光102經投射朝向一源針孔103及一光束分離器104，該光束分離器104將光102分成如圖5中所見之兩個數量。接著，光102經投射穿過一物鏡105，該物鏡105可為一高放大倍率物鏡。物鏡可經組態以運用來自光源101之光照明晶圓且收集從晶圓106反射之光。一些或所有光102行進穿過物鏡105至一照明點107處之一樣本之至少一部分上。樣本可為(例如)一晶圓106。光102在照明點107處之光點大小可為繞射有限制的。將晶圓106安置在經組態以定位該晶圓106以接收光102之一載物台117上。該載物台117可固定或可在x方向、y方向及/或z方向上掃描。在一例項中，晶圓106可(諸如)透過機械及/或靜電夾箝夾箝至載物台117。例如，載物台117可在垂直於光102之軸或物鏡105之一平面(例如，x-y平面)中平移晶圓106。反射光108行進穿過光束分離器104及一互補板109至一第二光束分離器110。一些光接著從第二光束分離器110行進穿過一針孔111至一第一光二極體112，而一些光接著從第二光束分離器110出射穿過一針孔113至一第二光二極體114。系統100可根據兩個光二極體112、114之相對強度區分晶圓106上之所偵測特徵係高於或低於該晶圓106之法向表面。光二極體112、114之哪個接收更多或更少光可用來判定反射光108是否欠聚焦或過聚焦。因此，若光二極體112、114未接收相等數量之反射光108，則可判定晶圓106上之所偵測特徵高於或低於該晶圓106之法向表面。有限共軛系統100中之光束分離器104及110可引起可降低效能之色像差及像散像差。此外，在一線掃描方案中實施時之焦點偏移及橫向解析度之取捨可提供一有限橫向解析度。像散可來自在圖5之平面中散開之射線，該等射線在光束分離器104之有限玻璃板上具有與垂直於平面散開之射線不同之一入射角且因此一不同光學路徑差(ODP)。因此，在平面中散開之射線具有不同於垂直於平面散開之射線之一焦點。此像散可在一線掃描佈局中提供優點，其中沿著線之點係沿著線方向對焦以提供橫向解析度且垂直於掃描線失焦，此可提供晶圓106上之最大高度靈敏度。然而，此像散量值可依據光束分離器104之折射率及依據光源101之波長。此色行為可阻止此技術之有效性。為解決色問題，提供一互補板109。來自晶圓106之反射光108經投射穿過物鏡105及互補板109。例如，若互補板109具有與光束分離器104相同之厚度及材料，且如圖5中展示般設定為相反正負號之相同傾斜角度，則一射線軌跡分析展示互補板109之色行為與光束分離器104抵償，且保留所要像散。圖6係具有四個光二極體208、209、215、216之一實施例。系統200包含一刀刃鏡(KEM) 201以判定光是否聚焦、欠聚焦或過聚焦。像圖5之系統100，有限共軛系統200中之光束分離器104可引起可降低效能之色像差及像散像差。此外，在一線掃描方案中實施時之焦點偏移及橫向解析度之取捨可提供一有限橫向解析度。提供一互補板109以解決此等潛在問題。在圖6之插圖中可較好地看見反射光108相對於KEM 201之焦點204。由於KEM 201之反射膜202及抗反射膜203之邊界在反射光108之焦點204 (艾裡(Airy)斑)之中間，故反射膜202以傳輸光束具有跨光束之一均勻強度分佈之一方式剪切反射光108。行進穿過KEM 201之反射光108藉由在兩側具有一高度反射塗層之一稜鏡205分成兩個數量且每一組成光束投射穿過選用透鏡206、207之一者至光二極體208、209之一者。理想地，稜鏡205在需要時經由一中繼透鏡放置在光瞳平面處。透鏡206、207在具有晶圓上之一單點照明之一實施例中並非必需且反射光108可從稜鏡205直接投射至光二極體208、209之一者。光二極體208、209可提供光電子效率、時間回應及電子放大增益方面之相同效能。在系統200中，KEM 201按一角度傾斜，使得從R=1範圍(即，從反射膜202)出射之光束區段穿過一稜鏡212及選用透鏡213、214之一者遞送至光二極體215、216。KEM 201可經傾斜成相對於反射光108 (例如，反射光108之一軸)之一非垂直角度。透鏡213、214在具有晶圓上之單點照明之一實施例中並非必需且反射光108可從稜鏡212直接投射至光二極體215、216之一者。光二極體215、216之信號提供可用來改善準確度及精度之冗餘及互補量測。例如，光二極體208、209、215、216可提供多個量測，使得最終結果可為其等之平均值。因此，若存在一系統誤差，則該系統誤差可分成對稱及不對稱部分，且不對稱部分可在最終計算中求平均值。雖然揭示光二極體208、209、215、216，但圖6之實施例可取而代之使用光二極體陣列(PDA)。一PDA具有可偵測一光束之多個區域之一陣列。一光二極體或PDA可配合一源狹縫210使用。一源狹縫210可使用選用透鏡206、207、213、214之一者以保持沿著狹縫方向之橫向解析度。系統200可使用一源狹縫210以將光102塑形成一線而非一點。此一源狹縫210可具有實質上大於一第二尺寸(例如，源狹縫210之「寬度」，其可為z方向)之一第一尺寸(例如，源狹縫210之「長度」，其可為y方向)。在一些例示性實施例中，源狹縫210可為1 mm至5 mm長。例如，在一實施例中，源狹縫210係3 mm長。其他長度係可行的。源狹縫210之寬度通常足夠小，使得該源狹縫210可被視為一維的。例如，源狹縫210之寬度可能類似於一傳統干涉計中之一點束之一直徑。例如，在一些實施例中，源狹縫210可為5 μm至30 μm大小。亦可包含繞射光學器件(未繪示)以在光102入射於光束分離器104或源狹縫210上之前將光102塑形成一線而非一點。一照明線211入射在晶圓106上。KEM 201可經對準使得其邊緣平行於反射光108之線。KEM 201之邊界可經對準以阻擋照明線211之成像線的一半，無論晶圓106是否聚焦、欠聚焦或過聚焦。然而，當晶圓106聚焦時，光瞳平面上之線之強度分佈將為均勻。照明線211之光點大小可為繞射有限制的。關於光二極體回應於焦點偏移之相對強度變化之特性可用來改善處理量。KEM 201可用來判定光是否聚焦、欠聚焦或過聚焦。雖然可使用更多信號，但可能僅需要每一x-y點兩個至四個信號以判定一晶圓(諸如晶圓106)上之反射點之一高度。與現存技術相比，此設計更穩健且具有更低成本，且可比白光干涉量測更快。特別對於3D檢查及度量，本文中揭示之系統及方法之實施例可提供與現存技術相比更好之處理量、成本及準確度。在一例項中，可將狹縫放置在如圖6中展示之影像位置處且一維陣列偵測器可用來量測穿過狹縫之傳輸強度。此提供晶圓106上之一線之長度之量測。在另一例項中，可在無一狹縫之情況下使用一二維陣列。該二維陣列可針對沿著狹縫之高橫向解析度具有沿著照明線方向之更多像素，及垂直於照明線方向之更少像素。例如，可使用10個像素。沿著此等像素(例如，10個像素)之強度分佈可提供晶圓上之一點之高度之量測。其他操作模式係可行的。由於像散作為一射線從一個點散開至垂直於狹縫之多個像素上，且可從沿著此等像素之強度分佈計算點之高度，故可不必使用差分偵測模式。取而代之，無一狹縫之一個二維偵測器陣列可在使用本文中揭示之像散技術時判定一晶圓表面之一經照明區域之一高度。圖5或圖6中揭示之一些或所有感測器(例如，光二極體、雙電池光二極體、PDA)可電子連接至一控制器115。該控制器115可包含：一處理器116；一電子資料儲存單元117，其與處理器116電子通信；及一通信埠118，其與處理器116電子通信。處理器116可以任何適合方式(例如，經由一或多個傳輸媒體，其可包含「有線」及/或「無線」傳輸媒體)從感測器接收讀取，使得控制器115可接收由感測器產生之輸出。該控制器115可經組態以使用輸出來執行許多功能。使用來自感測器之讀取，處理器116可經組態以判定晶圓表面(例如，點或線)之一經照明區域之一高度或一缺陷是否存在於晶圓表面上或晶圓表面中。在另一實例中，控制器115可經組態以在不對輸出執行缺陷檢視之情況下將輸出發送至一電子資料儲存單元117或另一儲存媒體。可如本文中描述般進一步組態控制器115。應瞭解，實際上可藉由硬體、軟體及韌體之任何組合實施控制器115。再者，其如本文中描述之功能可由一個單元執行，或在不同組件之中分割，其等之各者繼而可藉由硬體、軟體及韌體之任何組合實施。用於供控制器115實施本文中描述之各種方法及功能之程式碼或指令可儲存在控制器可讀儲存媒體(諸如電子資料儲存單元117中、控制器115內、控制器115外部之一記憶體或其組合)中。一額外實施例係關於一種儲存程式指令之非暫時性電腦可讀媒體，該等程式指令可在一控制器上實行以執行用於如本文中揭示般判定一經照明區域在一晶圓之一表面上之一高度之一電腦實施方法。特定言之，如圖5及圖6中所展示，電子資料儲存單元117或其他儲存媒體可含有非暫時性電腦可讀媒體，該非暫時性電腦可讀媒體包含可在控制器115上實行之程式指令。電腦實施方法可包含本文中描述之(若干)任何方法之(若干)任何步驟。實施諸如本文中描述之方法之程式指令可儲存在電腦可讀媒體上，諸如儲存在電子資料儲存單元117或其他儲存媒體中。電腦可讀媒體可為一儲存媒體，諸如一磁碟或光碟、一磁帶或此項技術中已知之任何其他適合非暫時性電腦可讀媒體。可以各種方式(包含基於程序之技術、基於組件之技術及/或物件導向技術等等)之任意者實施程式指令。例如，可視需要使用ActiveX控制項、C++物件、JavaBeans、微軟基礎類別(「MFC」)、SSE (串流SIMD擴充)或其他技術或方法論實施程式指令。雖然未在圖5或圖6中繪示，但此等系統可包含一中繼器，諸如圖1之中繼器119。圖7係一方法之一流程圖。在方法300中，光反射301離開一光束分離器且反射302離開一晶圓之一表面。光行進303穿過光束分離器及一互補板。互補板經組態以產生像散且移除色像差。在光行進穿過互補板之後運用至少一個感測器接收304光。一處理器使用來自至少一個感測器之一讀取判定305晶圓之表面上之一經照明區域相對於晶圓之一法向表面之一高度。雖然在本文中之實施例中揭示光二極體，但亦可使用其他感測器(諸如雙電池光二極體或光二極體陣列)。晶圓可使用本文中揭示之實施例中之載物台相對於x方向及/或y方向上之光掃描。此可提供針對晶圓之表面之一區域之表面構形資訊。此區域可為(例如)一拼貼影像、一完整晶圓檢查或作為一凸塊高度檢查之所要點。應注意，本文中揭示之實施例可在不於z方向上掃描之情況下判定一晶圓之一表面高度輪廓，但是載物台可能能夠出於其他目的而在z方向上移動。可能需要校準本文中揭示之系統之實施例。校準可包含判定相對信號差(例如，像素之差對其等之總和之比率)與一已知高度差之關係。可(諸如)透過調變或脈動控制至雷射光源的功率，其可實現頻閃。在一例項中，在本文中揭示之實施例之操作期間，光學器件可被保持穩定或以其他方式固定且晶圓可與一PDA讀出計時器同步在垂直於照明線之一方向上移動。諸如由調變雷射及同步雷射與PDA讀出所引起之頻閃技術可提供進一步空間改善，此係因為頻閃可減少歸因於一載物台(諸如載物台117)之運動之模糊。本文中揭示之系統之實施例可用於一晶圓之檢查或度量。晶圓表面之一高度或缺陷是否存在於晶圓表面上或晶圓表面中可用作半導體製造期間的回饋。可最佳化本文中揭示之系統之實施例之多個設計參數。例如，與信號變化對焦點相關之高度靈敏度與物鏡NA之平方成反比。可調整相對高NA，但是許多應用需要大於0.25之一NA。一高NA物鏡通常提供一較小視域，其導致較高空間(x及y)解析度及較慢操作。雖然已相對於一或多個特定實施例描述本發明，但將瞭解，可實現本發明之其他實施例，而不背離本發明之範疇。因此，認為本發明僅由隨附申請專利範圍及其合理解釋限制。

100‧‧‧有限共軛系統
101‧‧‧光源
102‧‧‧光
103‧‧‧源針孔
104‧‧‧光束分離器
105‧‧‧物鏡
106‧‧‧晶圓
107‧‧‧照明點
108‧‧‧反射光
109‧‧‧互補板
110‧‧‧第二光束分離器
111‧‧‧針孔
112‧‧‧第一光二極體
113‧‧‧針孔
114‧‧‧第二光二極體
115‧‧‧控制器
116‧‧‧處理器
117‧‧‧電子資料儲存單元/載物台
118‧‧‧通信埠
119‧‧‧中繼器
120‧‧‧箭頭
200‧‧‧有限共軛系統
201‧‧‧刀刃鏡(KEM)
202‧‧‧反射膜
203‧‧‧抗反射膜
204‧‧‧焦點
205‧‧‧稜鏡
206‧‧‧透鏡
207‧‧‧透鏡
208‧‧‧光二極體
209‧‧‧光二極體
210‧‧‧源狹縫
211‧‧‧照明線
212‧‧‧稜鏡
213‧‧‧透鏡
214‧‧‧透鏡
215‧‧‧光二極體
216‧‧‧光二極體
300‧‧‧方法
301‧‧‧反射
302‧‧‧反射
303‧‧‧行進
304‧‧‧接收
305‧‧‧判定

為了本發明之本質及目的之一更全面理解，應參考結合隨附圖式獲取之下列詳細描述，其中：圖1係根據本發明之一實施例之具有光束分離器之互補板之一實施例之一視圖；圖2係圖1之具有光束分離器之互補板之一實施例之另一視圖；圖3表示無互補板之結果；圖4表示具有互補板之結果；圖5係使用兩個光二極體之根據本發明之一實施例；圖6係使用四個光二極體之根據本發明之一實施例；且圖7係根據本發明之一流程圖。

104‧‧‧光束分離器

109‧‧‧互補板

119‧‧‧中繼器

120‧‧‧箭頭

Claims

一種系統，其包括：一光源，其經組態以提供光；一載物台，其經組態以固持一晶圓以從該光源接收該光；一光束分離器；及一互補板，其安置在從該晶圓及該光束分離器反射之該光之一路徑中，其中該互補板經組態以產生像散且移除色像差。
如請求項1之系統，其中該互補板經組態以移除至少99.9%之該色像差。
如請求項1之系統，其進一步包括：一感測器，其經組態以接收從該晶圓反射之該光；及一處理器，其與該感測器電通信，其中該處理器經組態以判定該晶圓之一表面上之一經照明區域相對於該晶圓之一法向表面之一高度。
如請求項3之系統，其中該感測器偵測從該晶圓反射之該光是否欠聚焦或過聚焦。
如請求項3之系統，其中該感測器包括兩個光二極體，其中該兩個光二極體在從該晶圓反射之該光欠聚焦或過聚焦時接收不同數量之從該晶圓反射之該光。
如請求項3之系統，其中該感測器包括兩個光二極體且進一步包括：一刀刃鏡，其經組態以接收從該晶圓反射之光，其中該刀刃鏡包含一反射膜及一抗反射膜，該兩者皆安置在該刀刃鏡上，藉此形成該反射膜與該抗反射膜之間之一邊界，其中該刀刃鏡經定位在從該晶圓反射之該光之一焦點處，使得該反射膜經組態以阻擋從該晶圓反射之該光之至少一些，其中該刀刃鏡經組態使得在從該晶圓反射之該光欠聚焦或過聚焦時被該刀刃鏡阻擋之該光之一部分不同，且其中以相對於從該晶圓反射之該光之一軸之一非垂直角度定位該刀刃鏡；及一第二感測器，其經組態以接收由該刀刃鏡反射之從該晶圓反射之該光，其中該第二感測器包括兩個光二極體。
如請求項3之系統，其中該感測器係一光二極體陣列。
如請求項1之系統，其中該載物台經組態以相對於來自該光源之該光掃描該晶圓。
如請求項1之系統，其中該互補板由與該光束分離器相同之材料製造且具有與該光束分離器相同之厚度。
如請求項1之系統，其中按相對於該光之一軸之與該光束分離器角度相反之一角度定位該互補板。
如請求項1之系統，其中該光經組態以依一線之形式投射至該晶圓上。
如請求項11之系統，其進一步包括經組態以塑形該光之一狹縫。
一種方法，其包括：使光反射離開一光束分離器；使該光反射離開一晶圓之一表面；及使該光行進穿過該光束分離器及一互補板，其中該互補板經組態以產生像散且移除色像差。
如請求項13之方法，其中使用該互補板來移除至少99.9%之該色像差。
如請求項13之方法，其進一步包括：在該光行進穿過該互補板之後運用至少一個感測器接收該光；及使用一處理器、使用來自該至少一個感測器之一讀取判定該晶圓之該表面上之一經照明區域相對於該晶圓之一法向表面之一高度。
如請求項13之方法，其進一步包括使該光行進穿過一刀刃鏡，其中該刀刃鏡包含一反射膜及一抗反射膜，該兩者皆安置在該刀刃鏡上，藉此形成該反射膜與該抗反射膜之間之一邊界，且其中該刀刃鏡經定位在從該晶圓反射之該光之一焦點處，使得該反射膜經組態以阻擋從該晶圓反射之該光之至少一些且使得在從該晶圓反射之該光欠聚焦或過聚焦時被該刀刃鏡阻擋之該光之一部分不同。
如請求項16之方法，其進一步包括：將來自該刀刃鏡之該光分成兩個數量；及判定該等數量是否相等。
如請求項16之方法，其進一步包括將來自該刀刃鏡之該光之部分反射至一第二感測器。
如請求項13之方法，其進一步包括將投射至該晶圓上之該光塑形成一線。
如請求項13之方法，其進一步包括相對於該光掃描該晶圓。