TW201735110A - 多重帶電粒子束描繪方法以及多重帶電粒子束描繪裝置 - Google Patents

多重帶電粒子束描繪方法以及多重帶電粒子束描繪裝置 Download PDF

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Abstract

一實施形態的多重帶電粒子束描繪方法包括如下步驟：利用對帶電粒子束的多重束之中各自所對應的束個別地進行束的接通/斷開控制的多個個別消隱裝置，針對每束進行消隱偏轉；以及利用共用消隱裝置對所述多重束整體統一進行消隱偏轉而切換束的接通/斷開。經所述個別消隱裝置及所述共用消隱裝置控制成束接通的狀態的束通過在中心部設置有孔的限制孔徑構件的所述孔而照射至基板，藉由所述個別消隱裝置或所述共用消隱裝置而偏轉成束斷開的狀態的束的位置自所述孔發生偏離而被所述限制孔徑構件遮蔽，在當所述個別消隱裝置與所述共用消隱裝置中的一者使束偏轉成束斷開的狀態時，另一者使束偏轉成束斷開的狀態的情況下，束以不靠近所述孔的方式在所述限制孔徑構件上移動。

Description

多重帶電粒子束描繪方法以及多重帶電粒子束描繪裝置
本發明是有關於一種多重帶電粒子束描繪方法及多重帶電粒子束描繪裝置。
伴隨著大型積體電路（large scale integrated circuit，LSI）的高集積化，半導體元件的電路線寬進一步微細化。作為形成用於將電路圖案形成至該些半導體元件的曝光用遮罩（步進機或掃描器中所使用的遮罩亦稱為光罩（reticle））的方法，是使用具有優異的解析度的電子束描繪技術。
使用多重束的描繪裝置與利用一條電子束進行描繪的情況相比，可一次（一次投射（shot））照射多束，因此可大幅提高產出量（throughput）。在多重束描繪裝置中，例如，自電子槍向下方放出的電子束藉由通過具有多個孔的孔徑構件而形成多重束。
在所述孔徑構件的下方，設置有對準孔徑構件的各孔的配置位置而形成有通過孔的消隱板（blanking plate）。在消隱板的各通過孔中分別配置個別消隱裝置（blanker）（個別消隱偏轉器），進行各束的消隱偏轉。
在消隱板的下方，設置有對多重束整體統一進行消隱控制的共用消隱裝置（共用消隱偏轉器）。在共用消隱裝置的下方，設置有在中心部形成有孔的限制孔徑構件。藉由個別消隱裝置或共用消隱裝置而偏轉成束斷開（OFF）的狀態的電子束的位置自限制孔徑構件的中心的孔發生偏離，而被限制孔徑構件遮蔽。未藉由個別消隱裝置及共用消隱裝置而偏轉的電子束通過限制孔徑構件，經偏轉器偏轉而照射至基板上的所需的位置。
當個別消隱裝置所導致的束偏轉方向與共用消隱裝置所導致的束偏轉方向為相反方向時，若一個消隱裝置以成為束斷開（OFF）的方式進行偏轉時另一個消隱裝置以成為束斷開（OFF）的方式進行偏轉，則束會通過限制孔徑構件的孔而產生洩漏束。其結果為，無法充分進行朝向基板的束照射量的控制，從而出現描繪精度下降的問題。
本發明提供一種可抑制束自限制孔徑構件洩漏，從而防止描繪精度的下降的多重帶電粒子束描繪方法及多重帶電粒子束描繪裝置。
一實施形態的多重帶電粒子束描繪方法包括如下步驟：利用對帶電粒子束的多重束之中各自所對應的束個別地進行束的接通（ON）/斷開（OFF）控制的多個個別消隱裝置，針對每束進行消隱偏轉；以及利用共用消隱裝置對所述多重束整體統一進行消隱偏轉而切換束的接通（ON）/斷開（OFF）。經所述個別消隱裝置及所述共用消隱裝置控制成束接通（ON）的狀態的束通過在中心部設置有孔的限制孔徑構件的所述孔而照射至基板，藉由所述個別消隱裝置或所述共用消隱裝置而偏轉成束斷開（OFF）的狀態的束的位置自所述孔發生偏離而被所述限制孔徑構件遮蔽，在當所述個別消隱裝置及所述共用消隱裝置中的一者使束偏轉成束斷開（OFF）的狀態時，另一者使束偏轉成束斷開（OFF）的狀態的情況下，束以不靠近所述孔的方式在所述限制孔徑構件上移動。
以下，基於圖式對本發明的實施形態進行說明。
[第1實施形態]
圖1是表示第1實施形態的描繪裝置的構成的概念圖。描繪裝置100是多重帶電粒子束描繪裝置的一例，包括描繪部150及控制部160。
描繪部150包括電子鏡筒102及描繪室103。在電子鏡筒102內，配置有電子槍201、照明透鏡202、孔徑構件203、消隱板204、投影透鏡205、偏轉器212、限制孔徑構件206、物鏡207及偏轉器208。照明透鏡202、投影透鏡205及物鏡207包含靜電透鏡。
在描繪室103內，配置有XY平台105。在XY平台105上，載置成為描繪對象的遮罩基板101。在遮罩基板101上，包含製造半導體裝置時的曝光用遮罩、或製造半導體裝置的半導體基板（矽晶圓）等。又，在遮罩基板101上，包含塗佈有抗蝕劑的尚未進行任何描繪的遮罩坯料（blanks）。
控制部160包括控制計算機110、控制電路112及磁碟裝置等記憶裝置140。在記憶裝置140（記憶部）中，自外部輸入描繪資料而加以儲存。
圖2（a）及圖2（b）是表示孔徑構件203的構成的概念圖。在圖2（a）中，在孔徑構件203中，以規定的排列間距呈矩陣狀形成有縱向（y方向）m行×橫向（x方向）n行（m、n≧2）的孔（開口部）22。例如，形成512行×8行的孔22。各孔22是由相同的尺寸形狀的矩形所形成。各孔22亦可為相同外徑的圓形。藉由電子束200的一部分分別通過該些多個孔22，而形成多重束20。
此處，已揭示縱向橫向（x方向、y方向）均配置有兩行以上的孔22的示例，但並不限定於此。例如，亦可為縱向橫向（x方向、y方向）中的任一者為多行而另一者僅為一行。又，孔22的排列方式如圖2（a）所示，並不限於縱向橫向配置成格子狀的情況。如圖2（b）所示，縱方向（y方向）第一段的行與第二段的行的孔彼此亦可在橫方向（x方向）上偏離尺寸a而配置。同樣地，縱方向（y方向）第二段的行與第三段的行的孔彼此亦可在橫方向（x方向）上偏離尺寸b而配置。
圖3是表示消隱板204的構成的概念圖。在消隱板204上，對準孔徑構件203的各孔22的配置位置而形成有通過孔，在各通過孔中，配置有成對的兩個電極24、電極26的組（消隱裝置28：消隱偏轉器）。對各束用的兩個電極24、電極26中的一者（例如，電極24），藉由控制電路112而施加電壓。兩個電極24、電極26中的另一者（例如，電極26）為接地。
通過各通過孔的電子束20a～電子束20e藉由施加至兩個電極24、電極26的電壓而分別獨立地偏轉。藉由如上所述的偏轉而進行消隱控制。多個消隱裝置28進行通過孔徑構件203的多個孔22（開口部）的多重束之中各自所對應的束的消隱偏轉。以下，將各束用的兩個電極24、電極26的組亦稱為個別消隱裝置28。
偏轉器212對多重束整體統一進行消隱控制。以下，將偏轉器212亦稱為共用消隱裝置212。
圖4（a）是限制孔徑構件206的俯視圖。如圖4（a）所示，在限制孔徑構件206的中心部形成有孔206a。未藉由個別消隱裝置28及共用消隱裝置212而偏轉（控制成束接通（ON））的電子束20通過孔206a。另一方面，藉由個別消隱裝置28及共用消隱裝置212而偏轉（被控制成束斷開（OFF））的電子束20的位置自孔206a發生偏離，而被限制孔徑構件206遮蔽。
如上所述，在本實施形態中，藉由多個個別消隱裝置28及共用消隱裝置212，而進行消隱控制，從而控制束的接通（ON）/斷開（OFF）。利用自束接通（ON）起至束斷開（OFF）為止通過限制孔徑構件206的束，來形成一次投射的束。通過限制孔徑構件206的多重束20的圖案像藉由物鏡207而對焦，照射至遮罩基板101上的各自的照射位置。
描繪裝置100在以一面使XY平台105移動，一面連續地依次照射投射束的光柵掃描（raster scan）方式進行描繪動作，而描繪所需的圖案時，根據圖案，藉由消隱控制而將需要的束控制成束接通（ON）。
在本實施形態中，以個別消隱裝置28使束偏轉成束斷開（OFF）的狀態的方向與共用消隱裝置212使束偏轉成束斷開（OFF）的狀態的方向為相同的方式，將消隱板204及共用消隱裝置212組裝（安裝）於描繪部150。
配置於消隱板204與共用消隱裝置212之間的投影透鏡205是靜電透鏡，在消隱板204與共用消隱裝置212之間不產生束的旋轉或成像反轉。
因此，如圖4（b）所示，個別消隱裝置28使束偏轉成束斷開（OFF）的狀態時束在限制孔徑構件206上移動（偏轉）的方向D1、與共用消隱裝置212使束偏轉成束斷開（OFF）的狀態時束在限制孔徑構件206上移動（偏轉）的方向D2為相同。
如上所述，藉由使限制孔徑構件206上的用於設為束斷開（OFF）的個別消隱裝置28所導致的束偏轉方向D1與共用消隱裝置212所導致的束偏轉方向D2相同，而可在當利用一個消隱裝置設為束斷開（OFF）時利用另一個消隱裝置設為束斷開（OFF）時，防止束自孔206a洩漏。
圖5（a）及圖5（b）表示比較例的個別消隱裝置及共用消隱裝置的束偏轉，個別消隱裝置的束偏轉方向與共用消隱裝置的束偏轉方向為相反方向。如圖5（a）所示，若當個別消隱裝置以成為束斷開（OFF）的方式進行偏轉時，共用消隱裝置以成為束斷開（OFF）的方式進行偏轉，則如圖5（b）所示，於束在限制孔徑構件206上自位置P1向位置P2移動期間，束會通過孔206a而洩漏。已通過孔206a的洩漏束被照射至遮罩基板101，從而使圖案的描繪精度下降。
另一方面，在本實施形態中，由於設為束斷開（OFF）時的個別消隱裝置28所導致的束偏轉方向D1與共用消隱裝置212所導致的束偏轉方向D2相同，故而可抑制束自孔206a洩漏，防止描繪精度的下降。
控制部160的控制計算機110自記憶裝置140讀取描繪資料，進行多段資料更換，而生成投射資料。在投射資料中，例如，可定義對將遮罩基板101的描繪面例如以束的尺寸分割成格子狀的多個照射區域的各照射區域的照射有無、以及照射時間等。控制計算機110基於投射資料，對控制電路112輸出控制信號。控制電路112基於控制信號對描繪部150進行控制。例如，控制電路112控制對個別消隱裝置28或共用消隱裝置212的電極、靜電透鏡等的施加電壓，或控制平台105的移動。描繪部150的動作如以下所述。
自電子槍201（放出部）放出的電子束200藉由照明透鏡202而大致垂直地對孔徑構件203整體進行照明。電子束200對孔徑構件203的包含所有孔22的區域進行照明。藉由電子束200通過孔22，而形成例如矩形形狀的多個電子束（多重束）20a～電子束20e。
多重束20a～束20e通過消隱板204的各自所對應的個別消隱裝置28內部。個別消隱裝置28分別使所通過的電子束20個別地偏轉（進行消隱偏轉）。已通過消隱板204的多重束20a～束20e藉由投影透鏡205而縮小，通過共用消隱裝置212內部，向限制孔徑構件206的中心的孔206a行進。
藉由消隱板204的個別消隱裝置28而偏轉的電子束20的位置自限制孔徑構件206的中心的孔206a發生偏離，而被限制孔徑構件206遮蔽。另一方面，未藉由個別消隱裝置28而偏轉的電子束20通過限制孔徑構件206的中心的孔206a。又，藉由共用消隱裝置212而統一偏轉的多重束整體的位置自限制孔徑構件206的中心的孔206a發生偏離，而被限制孔徑構件206遮蔽。
藉由如上所述的消隱裝置的接通（ON）/斷開（OFF），而進行消隱控制，對束的接通（ON）/斷開（OFF）進行控制。已通過限制孔徑構件206的多重束20的圖案像藉由物鏡207而對焦，並藉由偏轉器208而產生偏轉，照射至遮罩基板101上的各自的照射位置。
由於個別消隱裝置28設為束斷開（OFF）時的束偏轉方向與共用消隱裝置212設為束斷開（OFF）時的束偏轉方向相一致，故而即使在一個消隱裝置設為束斷開（OFF）時另一個消隱裝置設為束斷開（OFF），亦可抑制經偏轉的束通過限制孔徑構件206的中心的孔206a的束洩漏，而防止描繪精度的下降。
[第2實施形態]
在所述第1實施形態中，已對利用靜電透鏡構成照明透鏡202、投影透鏡205及物鏡207的示例進行說明，但是所使用的電子透鏡並不限定於靜電透鏡，亦可使用磁場透鏡。
由於在由磁場透鏡形成的磁場中電子進行螺旋運動，故而像進行旋轉。因此，當利用磁場透鏡構成照明透鏡202、投影透鏡205及物鏡207時，利用投影透鏡205的透鏡磁場的強度，預先計算像的旋轉角φ。
然後，如圖6所示，以個別消隱裝置28使束偏轉成束斷開（OFF）的狀態的方向D3與共用消隱裝置212使束偏轉成束斷開（OFF）的狀態的方向D4形成角度φ的方式，將消隱板204及共用消隱裝置212組裝至描繪部150。圖6是自描繪裝置（電子鏡筒102）的上方觀察個別消隱裝置28及共用消隱裝置212的束偏轉方向的概念圖。
藉由利用投影透鏡205使像旋轉，而與所述第1實施形態（參照圖4（b））同樣地，個別消隱裝置28使束偏轉成束斷開（OFF）的狀態時束在限制孔徑構件206上移動（偏轉）的方向D1與共用消隱裝置212使束偏轉成束斷開（OFF）的狀態時束在限制孔徑構件206上移動（偏轉）的方向D2為相同。
由此，可抑制束自限制孔徑構件206的孔206a洩漏，防止描繪精度的下降。
[第3實施形態]
在所述第1實施形態中，是在描繪部150中將共用消隱裝置212設置於投影透鏡205的下方，但亦可如圖7所示設置於照明透鏡202的上方。此外，亦可將照明透鏡202設為照明透鏡202a、照明透鏡202b的兩段構成。
在圖7所示的構成的情況下，藉由照明透鏡202a的成像而使像反轉。因此，如圖8所示，以個別消隱裝置28使束偏轉成束斷開（OFF）的狀態的方向D5與共用消隱裝置212使束偏轉成束斷開（OFF）的狀態的方向D6成為相反方向的方式，將消隱板204及共用消隱裝置212組裝至描繪部150。
藉由利用照明透鏡202a的成像使像反轉，而與所述第1實施形態（參照圖4（b））同樣地，個別消隱裝置28使束偏轉成束斷開（OFF）的狀態時束在限制孔徑構件206上移動（偏轉）的方向D1與共用消隱裝置212使束偏轉成束斷開（OFF）的狀態時束在限制孔徑構件206上移動（偏轉）的方向D2為相同。
由此，可抑制束自限制孔徑構件206的孔206a洩漏，防止描繪精度的下降。
[第4實施形態]
在所述第3實施形態中，亦可利用磁場透鏡構成照明透鏡202a、照明透鏡202b、投影透鏡205及物鏡207。
由於在由磁場透鏡形成的磁場中電子進行螺旋運動，故而像進行旋轉。因此，當利用磁場透鏡構成照明透鏡202、投影透鏡205及物鏡207時，利用照明透鏡202a及照明透鏡202b的透鏡磁場的強度，預先計算像的旋轉角γ。
然後，如圖9所示，以個別消隱裝置28使束偏轉成束斷開（OFF）的狀態的方向D7與共用消隱裝置212使束偏轉成束斷開（OFF）的狀態的方向D8形成角度γ+180°的方式，將消隱板204及共用消隱裝置212組裝至描繪部150。角度γ是考慮到藉由照明透鏡202a及照明透鏡202b而實現的像的旋轉，180°是考慮到藉由照明透鏡202a的成像而實現的像的反轉。
藉由照明透鏡202a及照明透鏡202b而使像旋轉，並且藉由照明透鏡202a的成像而使像反轉，藉此與所述第1實施形態（參照圖4（b））同樣地，個別消隱裝置28使束偏轉成束斷開（OFF）的狀態時束在限制孔徑構件206上移動（偏轉）的方向D1與共用消隱裝置212使束偏轉成束斷開（OFF）的狀態時束在限制孔徑構件206上移動（偏轉）的方向D2為相同。
由此，可防止束自限制孔徑構件206的孔206a洩漏，從而防止描繪精度的下降。
在所述第1實施形態～第4實施形態中，已說明使限制孔徑構件206上的用於設為束斷開（OFF）的個別消隱裝置28所導致的束偏轉方向D1與共用消隱裝置212所導致的束偏轉方向D2為相同的示例，但只要在一個消隱裝置形成為束斷開（OFF）時另一個消隱裝置形成為束斷開（OFF）時，經限制孔徑構件206遮蔽的束不靠近孔206a即可。因此，如圖10（a）及圖10（b）所示，只要方向D1與方向D2所成的角度θ為90°以下即可。圖10（a）表示θ＝90°的示例，圖10（b）表示θ＝45°的示例。角度θ較佳為45°以下，更佳為10°以下即方向D1與方向D2大致相一致。
在所述實施形態中，設置有個別消隱裝置28及共用消隱裝置212的兩段消隱機構，但是亦可為三段以上。藉由使限制孔徑構件206上的各段消隱機構所導致的束偏轉方向相一致，可抑制束自限制孔徑構件206的孔206a洩漏，從而防止描繪精度的下降。
在所述實施形態中，作為帶電粒子束的一例，已對使用電子束的構成進行說明，但是帶電粒子束並不限於電子束，也可以是離子束等其他帶電粒子束。
再者，本發明並不原封不動地限定於所述實施形態，在實施階段，可在不脫離其主旨的範圍內對構成要素進行變形而加以具體化。又，藉由所述實施形態中所揭示的多個構成要素的適當組合，可形成各種發明。例如，亦可自實施形態中所揭示的所有構成要素中刪除若干個構成要素。此外，亦可將所有不同的實施形態中的構成要素加以適當組合。
20a～20e、200‧‧‧電子束
22、206a‧‧‧孔
24、26‧‧‧電極
28‧‧‧消隱裝置（個別消隱裝置）
100‧‧‧描繪裝置
101‧‧‧遮罩基板
102‧‧‧電子鏡筒
103‧‧‧描繪室
105‧‧‧XY平台
110‧‧‧控制計算機
112‧‧‧控制電路
140‧‧‧記憶裝置
150‧‧‧描繪部
160‧‧‧控制部
201‧‧‧電子槍
202‧‧‧照明透鏡
202a、202b‧‧‧照明透鏡
203‧‧‧孔徑構件
204‧‧‧消隱板
205‧‧‧投影透鏡
206‧‧‧限制孔徑構件
207‧‧‧物鏡
208‧‧‧偏轉器
212‧‧‧偏轉器（共用消隱裝置）
D1～D8‧‧‧方向
P1、P2‧‧‧位置
φ‧‧‧像的旋轉角（角度）
θ‧‧‧方向D1與方向D2所成的角度
γ‧‧‧像的旋轉角
a、b‧‧‧尺寸
圖1是第1實施形態的描繪裝置的概略構成圖。 圖2（a）及圖2（b）是孔徑構件的概略構成圖。 圖3是消隱板的概略構成圖。 圖4（a）是限制孔徑構件的俯視圖，圖4（b）是表示限制孔徑構件上的各消隱裝置的束偏轉方向的圖。 圖5（a）及圖5（b）是表示比較例的限制孔徑構件上的個別消隱裝置及共用消隱裝置的束偏轉方向的圖。 圖6是自裝置上方觀察第2實施形態的個別消隱裝置及共用消隱裝置的束偏轉方向的概念圖。 圖7是第3實施形態的描繪裝置的概略構成圖。 圖8是自裝置上方觀察第3實施形態的個別消隱裝置及共用消隱裝置的束偏轉方向的概念圖。 圖9是自裝置上方觀察第4實施形態的個別消隱裝置及共用消隱裝置的束偏轉方向的概念圖。 圖10（a）及圖10（b）是表示變形例的限制孔徑構件上的個別消隱裝置及共用消隱裝置的束偏轉方向的圖。
20a~20e、200‧‧‧電子束
100‧‧‧描繪裝置
101‧‧‧遮罩基板
102‧‧‧電子鏡筒
103‧‧‧描繪室
105‧‧‧XY平台
110‧‧‧控制計算機
112‧‧‧控制電路
140‧‧‧記憶裝置
150‧‧‧描繪部
160‧‧‧控制部
201‧‧‧電子槍
202‧‧‧照明透鏡
203‧‧‧孔徑構件
204‧‧‧消隱板
205‧‧‧投影透鏡
206‧‧‧限制孔徑構件
207‧‧‧物鏡
208‧‧‧偏轉器
212‧‧‧偏轉器(共用消隱裝置)

Claims (11)

  1. 一種多重帶電粒子束描繪方法，利用對帶電粒子束的多重束之中各自所對應的束個別地進行束的接通/斷開控制的多個個別消隱裝置，針對每束進行消隱偏轉， 利用共用消隱裝置對所述多重束整體統一進行消隱偏轉而切換束的接通/斷開，所述多重帶電粒子束描繪方法的特徵在於： 經所述個別消隱裝置及所述共用消隱裝置控制成束接通的狀態的束通過在中心部設置有孔的限制孔徑構件的所述孔而照射至基板，藉由所述個別消隱裝置或所述共用消隱裝置而偏轉成束斷開的狀態的束的位置自所述孔發生偏離而被所述限制孔徑構件遮蔽， 在當所述個別消隱裝置與所述共用消隱裝置中的一者使束偏轉成束斷開的狀態時，另一者使束偏轉成束斷開的狀態的情況下，束以不靠近所述孔的方式在所述限制孔徑構件上移動。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的多重帶電粒子束描繪方法，其中所述限制孔徑構件上的所述個別消隱裝置所導致的束偏轉方向與所述共用消隱裝置所導致的束偏轉方向所成的角度為90度以下。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的多重帶電粒子束描繪方法，其中所述限制孔徑構件上的所述個別消隱裝置所導致的束偏轉方向與所述共用消隱裝置所導致的束偏轉方向為相同。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的多重帶電粒子束描繪方法，其中藉由設置於所述個別消隱裝置與所述共用消隱裝置之間的磁場透鏡而使束旋轉。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的多重帶電粒子束描繪方法，其中所述個別消隱裝置使束偏轉成束斷開的狀態的方向與所述共用消隱裝置使束偏轉成束斷開的狀態的方向形成與藉由所述磁場透鏡而形成的束旋轉角相對應的角度。
  6. 一種多重帶電粒子束描繪裝置，其特徵在於包括： 多個個別消隱裝置，對帶電粒子束的多重束之中各自所對應的束個別地進行束的接通/斷開控制； 共用消隱裝置，對所述多重束整體統一進行束的接通/斷開控制；以及 限制孔徑構件，在中心部設置有孔，使經所述個別消隱裝置及所述共用消隱裝置控制成束接通的狀態的束通過所述孔而照射至基板，對藉由所述個別消隱裝置或所述共用消隱裝置而偏轉成束斷開的狀態而使位置自所述孔發生偏離的束進行遮蔽；並且 在當所述個別消隱裝置及所述共用消隱裝置中的一者使束偏轉成束斷開的狀態時，另一者使被所述限制孔徑構件遮蔽的束偏轉成不靠近所述孔而設為束斷開的狀態。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的多重帶電粒子束描繪裝置，其中所述限制孔徑構件上的所述個別消隱裝置所導致的束偏轉方向與所述共用消隱裝置所導致的束偏轉方向所成的角度為90度以下。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的多重帶電粒子束描繪裝置，其中所述限制孔徑構件上的所述個別消隱裝置所導致的束偏轉方向與所述共用消隱裝置所導致的束偏轉方向為相同。
  9. 如申請專利範圍第6項所述的多重帶電粒子束描繪裝置，其中在所述個別消隱裝置與所述共用消隱裝置之間，設置有使束旋轉的磁場透鏡。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的多重帶電粒子束描繪裝置，其中所述個別消隱裝置使束偏轉成束斷開的狀態的方向與所述共用消隱裝置使束偏轉成為束斷開的狀態的方向形成與藉由所述磁場透鏡而形成的束旋轉角相對應的角度。
  11. 如申請專利範圍第6項所述的多重帶電粒子束描繪裝置，其中所述共用消隱裝置設置於所述個別消隱裝置的上方。
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