TW201736265A - 多孔質金屬氧化物之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供多孔質金屬氧化物之製造方法。該方法包含使金屬源、細孔形成劑與水性溶劑混合而調製漿料，使上述漿料乾燥獲得金屬氧化物前驅物，使上述金屬氧化物前驅物燒成而生成多孔質金屬氧化物。其中，上述金屬源係含有構成上述多孔質金屬氧化物之金屬的有機金屬化合物或其水解物，上述細孔形成劑係在燒成上述金屬氧化物前驅物之溫度以下之溫度會分解並產生氣體之無機化合物。上述漿料之調製係相對於上述金屬源100重量份而言，使用上述細孔形成劑50重量份以上而進行。

Description

多孔質金屬氧化物之製造方法

本發明有關多孔質金屬氧化物之製造方法。

本申請案係基於2016年1月21日提出申請之美國臨時申請第62/281,361及2016年5月19日提出申請之美國臨時申請第62/338,756號主張優先權，該等申請內容作為參考併入本說明書中。

多孔質氧化鋁或多孔質氧化鋯等之多孔質金屬氧化物已作為觸媒擔體或吸附材等被廣泛使用。至於多孔質氧化鋁或其製造之技術文獻，舉例有專利文獻1~3。作為關於具有介孔構造之金屬氧化物之觸媒擔體之利用的技術文獻舉例有專利文獻4。

作為多孔質金屬氧化物之一用途，舉例於鎝99m(^99mTc)產生器中之Mo吸附材之用途。^99mTc產生器係於充填Mo吸附材之管柱中吸附親核種的鉬99(⁹⁹Mo)之裝置，係構成為藉由於上述管柱中通入生理食鹽水，可將自⁹⁹Mo生成之^99mTc溶出。藉由上述溶出取出之^99mTc與適當之藥劑結合而作為所謂之放射性醫藥品 (鎝製劑)被利用於核子醫學之診斷等。

作為可較好地使用作為^99mTc產生器之Mo吸附材之多孔質金屬氧化物之一例，舉例為多孔質氧化鋁。且，作為^99mTc產生器之Mo吸附材用之多孔質氧化鋁相關之技術文獻舉例為非專利文獻1。該非專利文獻1中記載使用葡萄糖作為細孔形成之模板製造多孔質氧化鋁。

作為多孔質金屬氧化物之另一用途舉例作為觸媒擔體之用途。例如用以淨化自汽車用引擎等之內燃機排出之排氣的包含鉑等金屬作為觸媒成分之三元觸媒典型上以擔持於觸媒擔體之形態廣為使用。作為觸媒擔體可較好地使用例如金屬氧化物之粉末。且，具有多孔質構造之觸媒擔體基於觸媒成分與目的成分之接觸效率之觀點可能有利。再者考慮擔體觸媒於實際使用環境下之耐久性，作為觸媒擔體之較佳例舉例有多孔質氧化鋁或多孔質氧化鋯等之多孔質金屬氧化物。

〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕

[專利文獻1]日本專利申請公開2013-129574號公報

[專利文獻2]美國專利第4175118號說明書

[專利文獻3]美國專利申請公開第2012/0122671號說明書

[專利文獻4]日本專利申請公開2002-320850號公報

〔非專利文獻〕

[非專利文獻1]Industrial and Engineering Chemistry Research (Ind. Eng. Chem. Res.)，第52卷，第11673-11684頁(2013)

基於^99mTc產生器之高性能化之觀點，要求可保持(擔持)更多Mo之Mo吸附材。然而，專利文獻1~3中，雖記載作為觸媒擔體或吸附劑等用途之多孔質氧化鋁，但並未記載作為^99mTc產生器之Mo吸附材之多孔質氧化鋁。且，專利文獻1中記載之介孔氧化鋁之製造方法包含準備使硝酸鋁等之鋁鹽水溶液與碳酸銨水溶液混合而成之漿料，但上述準備漿料之步驟易於不安定，例如於上述混合過程中產生急遽膠凝化而無法獲得均質漿料，或者用以抑制膠凝化之製造上限制較多而有不便之情況。專利文獻2中提案包含於含有8~20重量%之使NH₃及/或CO₂分解之化合物之水溶液中使醇酸鋁水解之多孔性氧化鋁生成物之製造方法，但上述化合物每10重量份之醇酸鋁係以0.5~3.0重量份之量使用，與本說明書所提供之製造方法明顯不同。專利文獻3係關於製造適用於作為處理來自內燃機之排氣生成物之觸媒擔體之用途的氧化鋁之方法，係優先考慮上述用途所要求之耐熱性之技術，與本文揭示之發明之關聯性低。專利文獻4中亦無使用多孔質氧 化鋁作為^99mTc產生器之Mo吸附材之記載。且，該專利文獻4中，係記載於鹽酸水溶液中溶解溴化十六烷基三甲基銨，進而添加溶解四丙氧化鋯，並混合另外準備之硫酸銨水溶液並經過攪拌、冷卻、離心等之步驟而製造多孔質氧化鋯，但該製造方法繁瑣，而有改善餘地。

本發明係鑑於該情況而完成者，目的在於提供於多種用途中可較好地使用之多孔質金屬氧化物之廣泛使用性高的製造方法。

由本說明所提供之多孔質金屬氧化物之製造方法包含使金屬源與細孔形成劑與水性溶劑混合而調製漿料。且，包含使上述漿料乾燥獲得金屬氧化物前驅物。再者，包含燒成上述金屬氧化物前驅物而生成多孔質金屬。此處，作為金屬源係使用含有構成上述多孔質金屬氧化物之金屬的有機金屬化合物或其水解物。作為上述細孔形成劑係使用在燒成上述金屬氧化物前驅物之溫度以下之溫度會分解而產生氣體之無機化合物。而且，上述漿料之調製係相對於上述金屬源100重量份而言，使用約50重量份以上之上述細孔形成劑而進行。

依據上述製造方法，由於作為金屬源使用有機金屬化合物或其水解物，故可容易地製造均質性良好之漿料。由於該漿料係相對於金屬源100重量份而言，使用約50重量份以上之上述細孔形成劑而調製，故藉由使該 漿料乾燥及燒成，的確可生成具有適於各種用途(例如Mo吸附材、觸媒擔體等之用途)之構造的多孔質金屬氧化物。

本文揭示之技術可較好地以上述有機金屬化合物為金屬烷氧化物之樣態實施。作為金屬烷氧化物之一較佳例舉例為金屬異丙氧化物。

作為上述孔形成劑，可較好地使用選自銨鹽、碳酸鹽及碳酸氫鹽之至少一種化合物。藉由使用此等細孔形成劑，有效率良好地形成適於各種用途(例如Mo之吸附)之細孔的傾向。

本文揭示之技術的較佳一樣態中，上述漿料之調製可相對於上述水性溶劑100重量份而言，使用約1重量份以上且約50重量份以下之上述金屬源(例如金屬烷氧化物)而進行。依據此種樣態，有容易調製均質性良好之漿料之傾向。

本文揭示之技術的較佳另一樣態中，上述漿料之調製可相對於上述水性溶劑100重量份而言，使用約2重量份以上且約30重量份以下之上述細孔形成劑而進行。依據此種樣態，有容易調製均質性良好之漿料之傾向。

上述金屬氧化物前驅物之燒成較好在約500℃以上且約700℃以下之燒成溫度進行。藉此，可效率良好地生成具有適於各種用途之構造的多孔質金屬氧化物。

本文揭示之技術之一樣態中，上述金屬氧化 物前驅物之燒成可依序包含第1段至第N段之N鍛燒成階段(N為2以上之整數)。依據該樣態，可提高多孔質金屬氧化物之均質性。基於獲得更高效果之觀點，亦可上述N段之燒成階段中之第n-1段(n為2以上N以下之整數)之燒成階段所得之燒成物，一旦冷卻至未達300℃之溫度後即供於下一(即第n段之)燒成階段。

本文揭示之技術之一樣態中，上述金屬氧化物前驅物之燒成可包含在使前述細孔形成劑分解而產生氣體之溫度以上之溫度(例如約500℃以上且約700℃以下之燒成溫度)進行之第1燒成階段及第2燒成階段。上述第1階段之燒成物可於一旦冷卻至未達300℃之溫度後即供於上述第2燒成階段。依據此樣態，可製造更均質性良好之多孔質金屬氧化物。

本文揭示之技術之一樣態中，藉由燒成上述金屬氧化物前驅物，而生成平均細孔徑為9nm以上之上述多孔質金屬氧化物。具有此平均細孔徑之多孔質金屬氧化物可較好地使用於例如Mo吸附材或觸媒擔體等之各種用途。

本文揭示之技術之另一樣態中，藉由燒成上述金屬氧化物前驅物，而生成細孔容積為0.3cm³/g以上之前述多孔質金屬氧化物。具有此細孔容積之多孔質金屬氧化物可較好地使用於例如Mo吸附材或觸媒擔體等之各種用途。

本文揭示之技術之另一樣態中，藉由燒成上 述金屬氧化物前驅物，而生成比表面積為180m²/g以上之前述多孔質金屬氧化物。具有此比表面積之多孔質金屬氧化物可較好地使用於例如Mo吸附材或觸媒擔體等之各種用途。

本文揭示之技術中之多孔質金屬氧化物之非限定例包含多孔質氧化鋁及多孔質氧化鋯。此等多孔質金屬氧化物可較好地使用於例如Mo吸附材或觸媒擔體等之各種用途。作為上述多孔質氧化鋁之一較佳例，舉例為實質上由γ-氧化鋁所成之多孔質氧化鋁。

依據本說明書，又提供^99mTc產生器之製造方法。該方法包含藉由本文揭示之任一方法製造多孔質金屬氧化物，並將上述多孔質金屬氧化物組裝於^99mTc產生器之遮蔽體內。藉由該方法，因具備Mo吸附性能良好之多孔質金屬氧化物(例如多孔質氧化鋁)，故可製造高性能之^99mTc產生器。

10‧‧‧^99mTc產生器

12‧‧‧生理食鹽水容器

14‧‧‧管柱

16‧‧‧^99mTc溶液回收容器

20‧‧‧⁹⁹M_o吸附金屬氧化物

22‧‧‧多孔質氧化鋁(Mo吸附材)

圖1係顯示本發明之多孔質金屬氧化物製造方法之流程圖。

圖2係顯示^99mTc產生器之概略構成之示意圖。

圖3係顯示由例1~4、6所製造之多孔質氧化鋁之Mo吸附量之特性圖。

圖4係由例7製造之多孔質氧化鋯之TEM像。

圖5係由例8製造之多孔質氧化鋯之TEM像。

以下說明本發明之較佳實施形態。又，本說明書中特別提及之事項以外之事況即本發明實施之必要事況對熟知本技藝者可基於該領域先前技術而可掌握之設計事項。本發明可基於本說明書中揭示之內容與該領域之技術常識而實施。

以下圖式中，有時對發揮相同作用之構件．部位附上相同符號，且有時省略或簡略化重複之說明。且，圖式中記載之實施形態係用以明確說明本發明而示意化，並非必定正確表示實際提供之製品尺寸或縮尺者。

由本說明書提供之多孔質金屬氧化物製造方法可較好地使用於例如多孔質氧化鋁之製造。亦即，依據本說明書，提供多孔質氧化鋁之製造方法，其包含使鋁源(Al源)與細孔形成劑與水性溶劑混合而調製漿料；使上述漿料乾燥而獲得氧化鋁前驅物；及燒成上述氧化鋁前驅物而生成多孔質氧化鋁。此處，上述Al源係含有構成上述多孔質氧化鋁之金屬即鋁的有機金屬化合物(亦即有機鋁化合物)或其水解物。且上述細孔形成劑係在上述氧化鋁前驅物燒成之溫度以下會分解並產生氣體之無機化合物。而且，上述漿料之調製係相對於上述Al源100重量份而言，使用50重量份以上之上述細孔形成劑而進行。

上述多孔質氧化鋁製造方法中，藉由使用其 他金屬源例如其他金屬烷氧化物替代Al源，可提供多孔質氧化鋁以外之多孔質金屬氧化物及其製造方法。因此，依據本說明書，包含多孔質金屬氧化物(包含多孔質氧化鋁及其他多孔質金屬氧化物)及其製造方法。作為多孔質氧化鋁以外之多孔質金屬氧化物之一例，舉例為多孔質氧化鋯。依據本說明書，提供多孔質氧化鋯之製造方法，其包含使鋯源(Zr源)與細孔形成劑與水性溶劑混合而調製漿料；使上述漿料乾燥而獲得氧化鋯前驅物；及燒成上述氧化鋯前驅物而生成多孔質氧化鋯。此處，上述Zr源可為有機鋯化合物或其水解物。且上述細孔形成劑係在上述氧化鋯前驅物燒成之溫度以下會分解並產生氣體之無機化合物。而且，上述漿料之調製可相對於上述Zr源100重量份而言，使用50重量份以上之上述細孔形成劑而進行。作為多孔質氧化鋁以外之多孔質金屬氧化物之另一例，舉例為多孔質氧化鈦。依據本說明書，可提供多孔質氧化鈦製造方法，其特徵為於上述多孔質氧化鋁製造方法中使用鈦源(例如烷氧化鈦)替代Al源。

針對本文揭示之多孔質金屬氧化物(例如γ-氧化鋁等之多孔質氧化鋁或多孔質氧化鋯)製造方法之典型一樣態，參考圖1加以說明。首先，使金屬源與細孔形成劑與水性溶劑混合而調製漿料(步驟S10)。其次，使步驟S10調製之漿料乾燥獲得金屬氧化物前驅物(步驟S20)。接著，燒成步驟S20所得之金屬氧化物前驅物而生成多孔質金屬氧化物(步驟S30)。以下針對各步驟之 內容及使用之材料詳細說明。

<金屬源>

本文揭示之多孔質金屬氧化物製造方法中，作為金屬源，係使用含有與目的之多孔質金屬氧化物對應之金屬的有機金屬化合物或其水解物。上述金屬只要可形成多孔質氧化物即可，並未特別限制。上述金屬可為屬於例如週期表2族~14族(典型為3族~13族)之任一者之金屬。上述金屬可為典型金屬元素，亦可為過渡金屬元素。作為上述金屬之具體例，舉例為鋁、鋯等。例如於多孔質氧化鋁之製造中應用上述方法時，可較好地採用有機鋁化合物或其水解物作為金屬源，於多孔質氧化鋯之製造中應用上述方法時，可較好地採用有機鋯化合物或其水解物作為金屬源。藉由使用該金屬源，可容易地調製均質性良好之漿料。若如此，則基於多孔質金屬氧化物之生產性或品質安定性之觀點係較佳。

本說明書中所謂有機鋁化合物係指包含Al與有機基之化合物。因此，此處所稱之有機鋁化合物之非限定例示除了例如如烷基鋁之具有有機基之碳(C)與Al之直接鍵之化合物以外，亦包含具有有機基之C透過其他元素與Al鍵結之構造之化合物。有機鋁化合物可單獨使用1種或可組合2種以上使用。關於有機鋯化合物及其他有機金屬化合物亦同樣。

本文揭示之技術之一樣態中，作為上述有機 鋁化合物可較好地採用水不溶性者。且，基於漿料之調製容易性等之觀點，可較好地採用非離子性有機鋁化合物。關於有機鋯化合物及其他有機金屬化合物亦同樣。

本文揭示之技術中之有機金屬化合物可為例如具有有機基之C透過氧(O)與上述金屬鍵結之構造之化合物。作為該構造之有機金屬化合物之典型例舉例為金屬烷氧化物。本文揭示之技術可較好地以使用金屬烷氧化物作為有機金屬化合物之形態而實施。使用此等金屬烷氧化物之樣態中，調製上述漿料之步驟可作為於含細孔形成劑之水性溶劑中使金屬烷氧化物水解之步驟而掌握。上述金屬烷氧化物亦可以其至少一部份水解之形態使用於上述漿料之調製。

上述金屬烷氧化物中之烷氧基之碳原子數並未特別限制。上述烷氧基之碳原子數可為例如1以上12以下左右。作為本文揭示之技術中之有機金屬化合物，較好使用烷氧基之碳原子數為6以下，更好為5以下，例如4以下之金屬烷氧化物。且基於處理性之觀點，較好使用烷氧基之碳原子數為2以上之金屬烷氧化物。作為本文揭示之技術中可使用之金屬烷氧化物之較佳例，舉例為該金屬之乙氧化物、異丙氧化物、第二丁氧化物及第三丁氧化物。

於多孔質氧化鋁應用本文揭示之技術時，作為該多孔質氧化鋁之製造中可使用之烷氧化鋁之較佳例舉例為乙氧化鋁、異丙氧化鋁、第二丁氧化鋁及第三丁氧化 鋁。其中較佳為異丙氧化鋁。本文揭示之技術可以單獨使用異丙氧化鋁作為有機鋁化合物之樣態較好地實施。

於多孔質氧化鋯應用本文揭示之技術時，作為該多孔質氧化鋯之製造中可使用之烷氧化鋯之較佳例舉例為乙氧化鋯、異丙氧化鋯、第二丁氧化鋯及第三丁氧化鋯。其中較佳為異丙氧化鋯。本文揭示之技術可以單獨使用異丙氧化鋯作為有機鋯化合物之樣態較好地實施。關於其他多孔質金屬氧化物之製造中可使用之金屬烷氧化物(例如多孔質氧化鈦之製造中可使用之烷氧化鈦)亦同樣。

<細孔形成劑>

本文揭示之多孔質金屬氧化物製造方法係使上述金屬源與細孔形成劑及水性溶劑混合調製漿料，使該漿料乾燥並燒成獲得多孔質金屬氧化物。作為上述細孔形成劑，係使用在進行上述燒成之溫度以下之溫度會分解而產生氣體之無機化合物。細孔形成劑可單獨使用1種或組合2種以上使用。期望不受理論限制，本發明人等認為於上述乾燥及燒成之至少一過程中，由上述細孔形成劑產生之氣體(例如CO₂及NH₃之一者或兩者)係有效地助於形成適於用以較好地發揮各種機能(例如Mo等之金屬之保持、作為觸媒擔體之機能等)之多孔質構造者。上述金屬可為例如鋁、鋯等，但不限定於此。

作為上述細孔形成劑，可較好地使用在約500 ℃以下，更好約400℃以下，典型上約300℃以下之溫度發生氣體之化合物。作為上述細孔形成劑，亦可使用在約200℃以下，進而在約100℃以下之溫度發生氣體之化合物。且作為上述細孔形成劑，可較好地使用在約30℃以上，更好約40℃以上，典型上約50℃以上之溫度發生氣體之化合物。本文揭示之技術可以使用於約40℃以上約300℃以下(例如約50℃以上約150℃以下)之溫度發生氣體之化合物作為細孔形成劑之樣態而較好地實施。

作為上述細孔形成劑並未特別限定，但可使用例如銨鹽、碳酸鹽、碳酸氫鹽等。例如可較好地使用屬於例如銨鹽及碳酸鹽之至少一者之化合物。可作為細孔形成劑使用之化合物之具體例舉例為碳酸銨、碳酸氫銨、胺基甲酸銨、碳酸氫鈉等。基於減低細孔形成劑之殘渣獲得高純度之多孔質氧化鋁之觀點，於一樣態中，可較好地採用實質上不含有構成目的之多孔質金屬氧化物之金屬以外之金屬元素之細孔形成劑。另一樣態中，基於漿料調製容易性之觀點，可較好地採用水溶性化合物作為細孔形成劑。

本文揭示之技術可以至少使用碳酸銨作為細孔形成劑之樣態較好地實施。例如以重量基準，較好所使用之細孔形成劑之約70%以上(更好約85%以上，例如約95%以上)為碳酸銨之樣態。實質上亦可僅使用碳酸銨作為細孔形成劑。此處所謂「實質上」係指至少不刻意使用碳酸銨以外之細孔形成劑，可容許不可避免雜質或改質物 之存在。

<漿料之調製>

本文揭示之多孔質金屬氧化物製造方法中，調製漿料之順序並未特別限定。於一樣態中，可採用於含細孔形成劑之水性溶劑(例如細孔形成劑之水溶液)中添加金屬源並混合之調製順序。上述金屬可為例如鋁、鋯等，但不限定於此。

本說明書中所謂水性溶劑係包含水與以水為主成分(典型上以重量基準包含最多之成分)之混合溶劑之概念。構成上述混合溶劑之水以外之成分，可使用能與水均一混合之溶劑例如自低級醇(典型上為碳原子數1~4左右之單元醇，例如甲醇、乙醇等)或低級酮等選擇之1種或2種以上之溶劑。本文揭示之技術中之水性溶劑，以重量基準，水之比例典型上為超過50%且100%以下。

於含細孔形成劑之水性溶劑(典型上為細孔形成劑之水性溶劑溶液)中添加金屬源之樣態中，該水性溶劑中水的比例，以重量基準，典型上宜為50%以上，通常為70%以上。上述水的比例可為80%以上，亦可為90%以上，亦可為95%以上，亦可為99%以上，亦可實質上為100%以上。本文中所謂「實質上」意指至少不刻意使用水以外之溶劑。本文揭示之技術可以例如於細孔形成劑之水溶液中添加金屬源並混合之樣態實施。

於細孔形成劑之水性溶劑中添加金屬源之樣 態中，金屬源可直接添加，亦可與適當溶劑例如以溶解或分散於該溶劑之形態添加。

本文揭示之技術可以將例如異丙氧化鋁般之於常溫(例如25℃)為固體狀之金屬源直接以固體狀(亦即未溶解於溶劑中)添加於上述含細孔形成劑之水性溶劑中之樣態而較好地實施。該情況下，上述固體狀之金屬源較好以粉末形態添加。雖未特別限定，但基於漿料之均質性或上述粉末之分散性等之觀點，該粉末之平均粒徑通常宜為約300μm以下，較佳為約100μm以下。上述粉未之平均粒徑之下限未特別限定。一樣態中，基於粉末之處理性等之觀點，上述粉末之平均粒徑可設為例如約100nm以上。上述平均粒徑於將金屬源之粉末分散於溶劑中之形態添加之樣態中亦可適用該粉末之平均粒徑。

又，本說明書中之「平均粒徑」並未特別限定，而意指基於雷射繞射散射法基於粒度分佈測定裝置而測定之粒度分佈中之累計值50%時之粒徑(50%體積平均粒徑；以下有時簡稱為D50)者。

於含細孔形成劑之水性溶劑中以使該金屬源溶解或分散於溶劑之形態添加金屬源之樣態中，作為上述金屬源之溶解或分散所使用之溶劑，可使用水、可與水均一混合之溶劑、該等之混合溶劑等。作為上述可與水均一混合之溶劑，可使用自低級醇(典型上為碳原子數1~4之單元醇例如甲醇、乙醇)或低級酮等選擇之1種或2種以上之溶劑。雖未特別限制，但金屬源之溶解或分散所使用 之溶劑量，相對於金屬源100g而言，可為例如約500g以下，更好約300g以下，亦可為約200g以下，進而可為約150g以下。且，溶劑相對於金屬源100g而言之使用量，可為例如約10g以上，亦可為約50g以上，亦可為約80g以上，進而約100g以上。

將金屬源與細孔形成劑及水性溶劑混合而調製漿料時，該漿料調製中使用之水性溶劑全體中所佔之水的比例，以重量基準，典型上為超過50%且100%以下，通常為70%以上100%以下。上述水的比例亦可為80%以上，亦可為90%以上，亦可為95%以上，進而可為99%以上。一樣態中，上述水的比例亦可實質上為100%。亦即，漿料調製中使用之水性溶劑可僅為水。且，於其他一樣態中，漿料調製中使用之水性溶劑中所佔之水的比例，可為例如未達95%，亦可未達90%。本文揭示之技術可以漿料調製中使用之水性溶劑中所佔之水的比例為例如80%以上100%以下之樣態實施。

漿料之調製所使用之細孔形成劑之量，相對於金屬源100重量份而言，約50重量份以上為適當，較好為約100重量份以上，更好為約150重量份以上。藉由對於金屬源之細孔形成劑之使用量較多，有多孔質金屬氧化物之每重量可保持之金屬(例如Mo或鉑族金屬等之其他觸媒金屬等)之量變多之傾向。於一樣態中，相對於金屬源100重量份而言，細孔形成劑之使用量可為約200重量份以上，進而亦可為約250重量份以上。細孔形成劑之 使用量之上限並未特別限制，但通常相對於金屬源100重量份而言，設為約1000重量份以下為適當，較好設為約500重量份以下，例如可設為約350重量份以下。

漿料之調製所使用之水性溶劑之量，可設定為使細孔形成劑相對於該水性溶劑100重量份之使用量成為約30重量份以下，較好約20重量份以下，更好約10重量份以下。藉由於含該份量之水性溶劑與細孔形成劑之液體中添加金屬源並混合，有可較好地調製可獲得能效率良好地擔持金屬(例如Mo、觸媒金屬等)之多孔質金屬氧化物的漿料之傾向。細孔形成劑相對於該水性溶劑100重量份之使用量之下限並未特別限制，但通常相對於水性溶劑100重量份而言，設為約2重量份以上為適當，較好為約4重量份以上，例如可設為約5重量份以上。

漿料之調製中使用之水性溶劑之量，可設定為金屬源相對於該水性溶劑100重量份之使用量成為約50重量份以下，較好約30重量份以下，更好約20重量份以下，例如為10重量份以下。藉由於含該份量之水性溶劑與細孔形成劑之液體中添加金屬源並混合，有可較好地調製可獲得能效率良好地擔持金屬(例如Mo、觸媒金屬等)之多孔質金屬氧化物的漿料之傾向。例如，使用金屬烷氧化物作為金屬源之樣態中，可抑制漿料之凝膠化，維持良好攪拌狀態，可使上述金屬烷氧化物之水解反應更均一地進行。藉此，有可形成構造之均質性更良好之多孔質金屬氧化物之傾向。金屬源相對於水性溶劑100重量份 之使用量之下限並未特別限制。基於漿料之乾燥效率等之觀點，金屬源相對於水100重量份而言，通常設為約1重量份以上為適當，較好為約2重量份以上，例如可設為約3重量份以上。

使金屬源與細孔形成劑與水性溶劑混合之時間(典型上為於含細孔形成劑之水性溶劑中添加金屬源後之混合時間)並未特別限制，可根據使用之金屬源種類等，而調製可獲得較佳多孔質金屬氧化物之漿料之方式設定。基於漿料之均質性之觀點，通常上述混合時間設為約1小時以上為適當，較好為3小時以上，進而為6小時以上，例如可為12小時以上。作為金屬源之金屬烷氧化物(例如金屬丙氧化物)以粉末狀添加之狀態下，上述混合時間設為約12小時以上為適當，較好為約24小時以上。另一方面，基於生產性之觀點，上述混合時間通常設為72小時以下為適當，較好為48小時以下，更好為36小時以下。

雖未特別限定，但上述漿料之調製可在例如未達約60℃之溫度進行，亦可在未達約50℃，進而未達約40℃(例如未達約35℃)之溫度進行。若設為上述溫度，則可安定地調製均質性更高之漿料。且基於生產性之觀點，漿料之調製通常於約10℃以上之溫度進行為適當，例如較好於約15℃以上進行。上述漿料調製溫度於使用金屬烷氧化物(例如金屬異丙氧化物)作為金屬源之樣態中可較好地適用。

<漿料之乾燥>

本文揭示之多孔質金屬氧化物製造方法典型上包含使上述漿料乾燥獲得金屬氧化物前驅物之步驟。上述金屬可為例如鋁、鋯等，但不限定於此。使用金屬烷氧化物(例如金屬異丙氧化物)作為金屬源之樣態中，藉由上述乾燥，除了可揮發去除上述漿料之調製中使用之水性溶劑以外，較好亦去除自上述金屬烷氧化物所產生之醇。

本文揭示之方法，在自上述漿料獲得金屬氧化物前驅物之過程中，可不使用追加有機溶劑之樣態較好地實施。例如可不進行以有機溶劑洗淨上述漿料中所含之固體成分之操作、或以有機溶劑萃取上述漿料中所含之成分之操作而實施。此基於環境負荷減輕之觀點係較佳。

且，本文揭示之方法於自上述漿料獲得金屬氧化物前驅物之過程中，可以不進行藉由過濾或離心等自溶劑分離(濾出)上述漿料中所含之固體成分之操作、或洗淨(尤其使用可溶解上述細孔形成劑之溶劑進行洗淨)上述固體成分之操作之樣態而實施。藉由如此，於上述金屬氧化物前驅物之燒成時可有效地發揮上述細孔形成劑之機能。且不需要固體成分之分離或洗淨時，基於製造設備之簡略化、因廢液減少而減輕環境負荷、提高生產性等之觀點亦可能有利。

漿料之乾燥溫度並未特別限定。於一樣態中，漿料之乾燥可在室溫(典型上約15℃以上，例如約 20℃以上，典型上未達約40℃，較好約35℃以下，例如約30℃以下)進行。或者，基於促進乾燥之觀點，漿料之乾燥溫度亦可設為約40℃以上(較好約60℃以上，更好約70℃以上)。且上述乾燥溫度可設為例如約150℃以下，基於獲得更均質之金屬氧化物前驅物之觀點，通常設為約100℃以下為適當，較好為約95℃以下，例如約90℃以下。漿料之乾燥時間並未特別限制，可設定為獲得適當之乾燥狀態。基於生產性之觀點，通常上述乾燥時間設為120小時以下(例如72小時以下)為適當。

<漿料之燒成>

本文揭示之方法可藉由燒成上述金屬氧化物前驅物而獲得多孔質金屬氧化物。燒成後之多孔質金屬氧化物於根據需要進行解碎後，可藉由過篩等之習知方法調製為適當粒子大小。

金屬氧化物前驅物之燒成條件係以獲得具有期望性質之多孔質金屬氧化物之方式設定，並未特別限定。例如為了獲得具有期望性質之多孔質金屬氧化物，可僅進行1階段(1次)燒成，亦可進行2階段以上之N段(N次)之燒成。亦即，上述金屬氧化物前驅物之燒成亦可依序包含第1段至第N段之N段(N為2以上之整數)之燒成階段。

金屬氧化物前驅物之燒成溫度可設為例如約150℃以上，通常約250℃以上為適當，較好約300℃以 上，更好約400℃以上，進而可設為約400℃以上。且，上述燒成溫度可設為例如約1200℃以下，通常約1000℃以下為適當，較好約800℃以下。本文揭示之技術之一樣態中。上述燒成可於約300℃以上約1000℃以下(例如約400℃以上800℃以下)進行。

燒成時間並未特別限定，可以生成具有期望性質之多孔質金屬氧化物之方式設定。上述燒成時間通常設為1小時以上為適當，亦可設為2小時以上，亦可為3小時以上，例如可設為5小時以上。且，基於生產性之觀點，上述燒成溫度通常設為72小時以下為適當，較好為48小時以下，更好為50小時以下。又，上述燒成時間係指將燒成對象物維持於上述燒成溫度之時間，於如後述進行2次以上之燒成階段之樣態中，係指各燒成階段中維持於上述燒成溫度之時間之合計時間。

上述燒成溫度及燒成時間可適用於例如多孔質氧化鋁、多孔質氧化鋯及其他多孔質金屬氧化物之製造中之燒成條件。

多孔質氧化鋁之製造中，基於易於提高氧化鋁每重量之金屬(例如Mo、觸媒金屬等)之保持量，較好燒成至生成γ-氧化鋁(有時亦稱為活性氧化鋁)作為上述多孔質氧化鋁。多孔質氧化鋁是否為γ-氧化鋁可藉由例如X射線繞射確認。

氧化鋁前驅物之燒成溫度可設為例如約400℃以上，通常約450℃以上為適當，較好約500℃以上，更 好約550℃以上。且，上述燒成溫度設為約800℃以下為適當，較好約700℃以下，更好約650℃以下。本文揭示之技術可以例如上述燒成在約500℃以上約700℃以下(更好約550℃以上約650℃以下)進行之樣態而較好地實施。

燒成時間並未特別限定，可以生成具有期望性質之多孔質氧化鋁之方式設定。上述燒成時間通常設為1小時以上為適當，較好設為2小時以上，例如3小時以上。燒成時間亦可設為6小時以上，進而12小時以上，例如可設為24小時以上。且，基於生產性之觀點，上述燒成溫度通常設為72小時以下為適當，較好為48小時以下，更好為50小時以下。

將金屬前驅物之燒成分為複數次(複數段，亦即複數之燒成階段)進行時之燒成次數可設為例如2次以上5次以下。若為如此分為複數次進行燒成之樣態，則可獲得均質性更高之多孔質金屬氧化物。基於生產性之觀點，通常將燒成次數設為2次或3次(典型上為2次)為適當。

上述複數次之燒成可以例如將在上述燒成溫度之燒成(例如約300℃以上，較好約400℃以上，更好約500℃以上之燒成)分為2段以上之N段進行之樣態實施。

分為複數次進行燒成時，於任意燒成階段(第n-1階段之燒成階段，此處n為2以上N以下之整數)之後，將燒成對象物(前一燒成階段之結果物)，一 旦冷卻至未達300℃(典型上為約100℃以下，較好約50℃以下，更好約40℃以下)之溫度後即供於下一(第n段)之燒成階段。上述冷卻之燒成對象物較好根據需要進行解碎(鬆散)操作後，供於下一燒成階段。藉由如此，有獲得均質性更高之多孔質金屬氧化物之傾向。作為上述解碎操作之一較佳例，舉例為使燒成對象物通過適當大小之篩的操作。作為上述篩可較好地使用例如約200網眼以上約30網眼以下(典型上為網眼開度約77μm以上約600μm以下)者。雖未特別限定，但進行例如3次以上之燒成時，可於第1段燒成(第1燒成階段)與第2段燒成(第2燒成階段)之間進行上述操作。亦可於各燒成階段之後進行上述操作。

雖未特別限定，但本文揭示之多孔質金屬氧化物(例如多孔質氧化鋯、多孔質氧化鋁等)之製造方法之一樣態中，該製造方法可以實質上不使用例如金屬源、細孔形成劑及水性溶劑以外之材料之樣態實施。如此，基於各步驟中之條件設定之容易性、製造所用之材料之調製容易性、提高生產性等之觀點可能有利。例如作為金屬源及細孔形成劑分別使用一種材料時，上述樣態之多孔質金屬氧化物製造方法可以水性溶劑以外僅使用2種材料之樣態實施。

<多孔質金屬氧化物>

依據本文揭示之技術，可提供藉由下述方法測定之 Mo保持量(多孔質金屬氧化物每1g所保持之Mo原子之量(mg))為約200mg/g以上之多孔質金屬氧化物。依據更佳樣態，可提供Mo保持量為約300mg/g以上(典型上為約400mg/g以上，例如約500mg/g以上，進而約600mg/g以上)之多孔質金屬氧化物。Mo保持量之上限並未特別限制，可為例如約2000mg/g以下(典型上為約1000mg/g以下)。上述多孔質金屬氧化物可為例如多孔質氧化鋁(較好為多孔質γ-氧化鋁)、多孔質氧化鋯等。

[Mo保持量之測定]

塞住內徑2mm之玻璃管下端，填充各例之粉末狀多孔質金屬氧化物0.5g。準備濃度30重量%之鉬酸鈉水溶液，注入上述玻璃管內直至浸沒多孔質金屬氧化物。以該狀態放置5分鐘後，自上述玻璃管下端抽出鉬酸鈉水溶液。藉由高頻感應耦合電漿發光分析(ICP-OES；Inductively Coupled Plasma-Optical Emission Spectrometry)，決定供給至玻璃管之鉬酸鈉水溶液中所含之Mo量與自玻璃管抽出之鉬酸鈉水溶液中所含之Mo量，經由Mo量之變化，求出保持(擔持)於多孔質金屬氧化物之Mo量。藉由將該Mo量換算為使用之多孔質金屬氧化物每1g之數值，算出Mo保持量[mg/g]。關於後述實施例亦採用同樣方法。

由本說明書提供之多孔質金屬氧化物之比表面積並未特別限定。上述多孔質金屬氧化物之比表面積可 為例如4.0m²/g以上，通常為5.0m²/g以上(典型為6.0m²/g以上)為適當。一樣態中，上述多孔質金屬氧化物(例如多孔質氧化鋁，較好為多孔質γ-氧化鋁)之比表面積可為例如約180m²/g以上，較好為約200m²/g以上，更好約220m²/g以上，又更好為約250m²/g以上。藉由增大比表面積，有大致提高Mo保持量之傾向。一樣態中，多孔質金屬氧化物之比表面積亦可為例如約280m²/g以上(例如約300m²/g以上)。多孔質金屬氧化物之比表面積之上限並未特別限制。

多孔質金屬氧化物之比表面積可藉由氮氣吸附量測定法(BET法)測定。關於後述之實施例亦採用同樣方法。

由本說明書提供之多孔質金屬氧化物之平均細孔徑並未特別限定。上述多孔質金屬氧化物之平均細孔徑可為例如約5nm以上，典型上約7nm以上，通常為約9nm以上，較好為約10nm以上(例如超過10nm)，更好約12nm以上，又更好為約15nm以上。藉由增大平均細孔徑，有提高Mo之保持性能之傾向。一樣態中，多孔質金屬氧化物之平均細孔徑亦可為約18nm以上。且多孔質金屬氧化物之平均細孔徑可為約500nm以下，典型上為約300nm以下，通常為約100nm以下，較佳約50nm以下，更好為約30nm以下(例如約25nm以下)。本文揭示之技術可較好地適用於例如平均細孔徑為約5nm以上約50nm以下(例如約10nm以上約25nm以下)之範圍內之多孔質金屬氧化物及其製造。具有此平均細孔徑之多孔 質金屬氧化物由於具有顯示對於Mo等之金屬良好之保持性能之傾向，故可較好地使用於Mo吸附材或觸媒擔體等之各種用途。多孔質金屬氧化物之平均細孔徑可藉由氮氣吸附量測定法測定。關於後述實施例亦採用同樣方法。上述多孔質金屬氧化物可為例如多孔質氧化鋁(較佳為多孔質γ-氧化鋁)、多孔質氧化鋯等。

由本說明書提供之多孔質金屬氧化物之細孔容積並未特別限定。上述多孔質金屬氧化物之細孔容積可為例如0.010cm³/g以上，通常為0.020cm³/g以上為適當。一樣態中，上述多孔質金屬氧化物(例如多孔質氧化鋁，較佳為多孔質r-氧化鋁)之細孔容積可為例如約0.3cm³/g以上，典型上約0.5cm³/g以上，較好約0.6cm³/g以上，更好約1.0cm³/g以上，又更好約1.1cm³/g以上。藉由增大細孔容積，有提高Mo之保持性能之傾向。一樣態中，多孔質金屬氧化物之細孔容積亦可為例如約1.2cm³/g以上。且，多孔質金屬氧化物之細孔容積為約3.0cm³/g以下，典型上約2.5cm³/g以下，例如約2.0cm³/g以下。本文揭示之技術可較好地適用於例如細孔容積為約0.5cm³/g以上約2.5cm³/g以下(較好約0.6cm³/g以上約2.0cm³/g以下)之範圍內之多孔質金屬氧化物及其製造。具有此細孔容積之多孔質金屬氧化物由於具有顯示對於Mo等之金屬良好之保持性能之傾向，故可較好地使用於Mo吸附材或觸媒擔體等之各種用途。多孔質金屬氧化物之細孔容積可藉由氮氣吸附量測定法測定。關於後述實施 例亦採用同樣方法。

依據本文揭示之技術，可提供每表面積之Mo保持量(多孔質金屬氧化物之每1m²表面積所保持之Mo原子之重量(mg))較多之多孔質金屬氧化物(例如多孔質氧化鋁)。例如可提供上述每表面積之Mo保持量約0.9mg/m²以上之多孔質金屬氧化物。每表面積之Mo保持量之上限並未特別限制，可為例如約10mg/m²以下。

依據本說明書，提供例如細孔容積為0.3cm³/g以上且平均細孔徑為9nm以上之多孔質金屬氧化物(例如多孔質氧化鋁)。特佳為滿足上述細孔容積及平均細孔徑，且比表面積為180m²/g以上之多孔質金屬氧化物。

具有此等構造之多孔質金屬氧化物有顯示對於金屬(意指包含金屬之單體、合金及金屬化合物)良好之保持性能之傾向。因此可較好地使用於觸媒擔體或金屬吸附材等之各種用途。例如具有此等構造之多孔質氧化鋁由於有顯示對於Mo之優異保持性能之傾向，故可適於Mo吸附材等之用途。本文揭示之多孔質金屬氧化物製造方法可較好地採用作為製造滿足上述細孔容積及平均細孔徑之多孔質金屬氧化物(較好為進而滿足上述比表面積之多孔質金屬氧化物)之方法。

多孔質金屬氧化物之外形並未特別限制，可根據用途或使用樣態調製為適當外形。本文揭示之技術之較佳一樣態中，多孔質金屬氧化物可調製為例如平均粒徑 約400μm以上約1μm以下(更好約300μm以上約10μm以下)之粒子狀。例如可調製為實質上不含直徑超過約500μm之粒子。

<用途>

由本文揭示之技術所提供之金屬氧化物可較好地使用於各種領域。

例如由本文揭示之技術所提供之多孔質氧化鋁可較好地適用於^99mTc產生器中之Mo吸附材。且本文揭示之技術可較好適用於有利於該用途之多孔質氧化鋁之製造。因此，由本說明書提供之事項包含藉由本文揭示之任一方法製造之多孔質氧化鋁、具備本文揭示之多孔質氧化鋁(可為藉由本文揭示之任一方法製造之多孔質氧化鋁，以下同)作為Mo吸附材之^99mTc產生器、該Mo吸附材用多孔質氧化鋁及使用本文揭示之任一多孔質氧化鋁製造^99mTc產生器之方法。

上述^99mTc產生器除了使用本文揭示之任一多孔質氧化鋁作為Mo吸附材之方面以外，可與以往之^99mTc產生器同樣構成。該^99mTc產生器之一構成例參考圖2說明其概略。

圖2所示之^99mTc產生器10具備收容⁹⁹Mo吸附氧化鋁20之管柱14、連接於管柱14上游之生理食鹽水容器12及連接於管柱14下游之^99mTc溶液回收容器16。^99mTc產生器10中至少於管柱14周圍由未圖示之遮 蔽體(典型上為鉛製屏蔽體)被覆。

管柱14內之⁹⁹Mo吸附氧化鋁20係於將本文揭示之任一多孔質氧化鋁22收容於管柱14內之前或收容後吸附⁹⁹Mo者。例如，於管柱14中填充多孔質氧化鋁22後，藉由對該管柱14供給含(⁹⁹Mo)O₄ ^2-之水溶液而可將⁹⁹Mo吸附於多孔質氧化鋁22。經吸附之⁹⁹Mo放出β線而崩壞並產生^99mTc。

生成之^99mTc藉由使自生體食鹽水容器12供給之生理食鹽水通入管柱14中，而以^99mTcO₄ ^-溶出並回收於^99mTc溶液回收容器16，而可利用於放射性藥品(鎝製劑)之製造等。

由本文揭示之技術提供之多孔質氧化鋁不限定於如上述之Mo吸附材，亦可與一般多孔質金屬氧化物同樣，較好地利用於作為其他吸附材之用途或作為觸媒擔體之用途等。

且，由本文揭示之技術提供之多孔質氧化鋁以外之多孔質金屬氧化物亦除了作為金屬吸附材(例如Mo吸附材)以外，可與一般多孔質金屬氧化物同樣，較好地利用於作為其他吸附材之用途或作為觸媒擔體之用途等。

〔實施例〕

以下說明本發明之數個實施例，但本發明並非意圖限定於該具體例中所示者。

<多孔質氧化鋁之製造> (例1)

於室溫下，於玻璃製燒杯中投入蒸餾水970g，邊以磁攪拌棒攪拌，邊投入作為細孔形成劑之碳酸銨30g並溶解。於該碳酸銨水溶液中投入粉末狀之異丙氧化鋁32g，在室溫繼續攪拌24小時而調製漿料。作為上述異丙氧化鋁係使用以研缽擂饋市售品而調製成平均粒徑100μm左右者。

其次將上述漿料(燒杯之內容物)移至矽氧樹脂製之耐熱盤上，於80℃乾燥器內靜置乾燥48小時。

隨後，將上述耐熱盤內之氧化鋁前驅物(上述漿料之乾燥物)移至匣缽中，以大氣環境之燒成爐燒成。具體而言，首先進行於600℃加熱6小時之第1燒成階段，自燒成爐取出一旦冷卻至室溫，藉由通過50網眼之金屬網將粒子尺寸某程度均一化後，回到燒成爐，進而進行於600℃加熱24小時之第2燒成階段，放冷至室溫，再度通過50網眼之金屬網，獲得例1之多孔質氧化鋁。

(例2、3)

除了將碳酸銨之使用量分別變更為60g(例2)及90g(例3)以外，與例1同樣，獲得例2、3之多孔質氧化鋁。

(例4)

例1中，替代作為細孔形成劑之碳酸銨30g，而使用作為細孔形成劑之葡萄糖30g。且於碳酸銨水溶液中投入異丙氧化鋁後，使用HNO₃將pH調整至5.0，隨後於室溫攪拌24小時調製漿料。其他方面與例1同樣，獲得例4之多孔質氧化鋁。

(例5)

例2中，嘗試代替異丙氧化鋁而使用硝酸鋁製造多孔質氧化鋁。然而，於碳酸銨水溶液中開始添加硝酸鋁後，於途中凝膠化急遽進行而使攪拌停止，故判斷為難以獲得均質漿料，並停止其以後之實驗。

(例6)

使用可自Sigma Aldrich USA公司獲得之多孔質氧化鋁(Aluminum Oxide，型號199966)。

(評價)

藉由上述方法測定例1~4、6之多孔質氧化鋁之比表面積、細孔容積及平均細孔徑。結果示於表1。且，藉由上述方法，測定該等多孔質氧化鋁之每重量之鉬保持量。結果示於表1及圖3。

如表1所示，與使用葡萄糖製造之例4之多孔質氧化鋁及市售之多孔質氧化鋁(例6)相比，使用碳酸銨製造之例1~3之多孔質氧化鋁，矽氧化鋁之每重量的鉬保持量更多。尤其例2、3之多孔質氧化鋁，與例6相比為4.5倍以上而顯示優異之Mo吸附性。

又，除使用碳酸氫鈉替代碳酸銨以外，與例2同樣製造多孔質氧化鋁，同樣進行測定及評價後，比表面積為3.9g/m²，細孔容積為0.06cm³/g，平均細孔徑62.9nm，每重量之Mo保持量為412mg/g。

<多孔質氧化鋯之製造> (例7)

於室溫下，於玻璃製燒杯中投入蒸餾水300g，邊以磁攪拌棒攪拌，邊投入作為細孔形成劑之碳酸銨60g並溶解。於該碳酸銨水溶液(溶液A)中添加於甲醇50mL中含四異丙氧化鋯32g之溶液B，在室溫繼續攪拌24小時而調製漿料。其次將上述漿料(燒杯之內容物)移至矽氧樹脂製之耐熱盤上，於室溫乾燥。隨後，將上述耐熱盤內之氧化鋯前驅物(上述漿料之乾燥物)移至匣缽中，以大氣環境之燒成爐於600℃燒成6小時。該燒成物放冷至室溫，通過50網眼之金屬網，獲得例7之多孔質氧化鋯。所得多孔質氧化鋯之TEM(透過型電子顯微鏡)像示於圖4。該多孔質氧化鋯之性狀與上述多孔質氧化鋁同樣進行評價後，比表面積為8.5m³/g，細孔容積為 0.027cm³/g，平均細孔徑11.1nm。

(例8)

除了將氧化鋯前驅物之燒成條件變更為於200℃為6小時以外，與例7同樣，獲得例8之多孔質氧化鋯。所得多孔質氧化鋯之TEM像示於圖5。該多孔質氧化鋯之比表面積為66.9m³/g，細孔容積為0.062cm³/g，平均細孔徑2.3nm。

由該等例，顯示使包含細孔形成劑之氧化鋯前驅物燒成獲得多孔質氧化鋯時，藉由使該前驅物之燒成條件(此處為燒成溫度)不同，而可調節所得多孔質氧化鋯之性狀(例如平均細孔徑)。

以上已詳細說明本發明之具體例，但該等僅為例示，並非限定申請專利範圍。申請專利範圍中記載之技術包含對上述例示之具體例進行變化、變更者。

Claims (16)

1. 一種多孔質金屬氧化物之製造方法，其包含使金屬源、細孔形成劑與水性溶劑混合而調製漿料；使前述漿料乾燥獲得金屬氧化物前驅物；及使前述金屬氧化物前驅物燒成而生成多孔質金屬氧化物，其中，前述金屬源係含有構成前述多孔質金屬氧化物之金屬的有機金屬化合物或其水解物，前述細孔形成劑係在燒成前述金屬氧化物前驅物之溫度以下之溫度會分解並產生氣體之無機化合物，前述漿料之調製係相對於前述金屬源100重量份而言，使用前述細孔形成劑50重量份以上而進行。
2. 如請求項1之方法，其中前述有機金屬化合物為金屬烷氧化物。
3. 如請求項2之方法，其中前述金屬烷氧化物包含選自烷氧化鋁、烷氧化鋯及烷氧化鈦所組成之群中之至少1種。
4. 如請求項1至3中任一項之方法，其中前述細孔形成劑包含選自銨鹽、碳酸鹽及碳酸氫鹽所組成之群中之至少1種的化合物。
5. 如請求項1至4中任一項之方法，其中前述漿料之調製係相對於前述水性溶劑100重量份而言，使用1重量份以上50重量份以下之前述金屬源而進行。
6. 如請求項1至5中任一項之方法，其中前述漿料 之調製係相對於前述水性溶劑100重量份而言，使用2重量份以上30重量份以下之前述細孔形成劑而進行。
7. 如請求項1至6中任一項之方法，其中前述金屬氧化物前驅物之燒成係在500℃以上700℃以下之燒成溫度進行。
8. 如請求項1至7中任一項之方法，其中前述金屬氧化物前驅物之燒成依序包含第1段至第N段之N鍛燒成階段，其中N為2以上之整數，前述N段之燒成階段中之第n-1段(其中，n為2以上N以下之整數)之燒成階段所得之燒成物，一旦冷卻至未達300℃之溫度後即供於第n段之燒成階段。
9. 如請求項1至8中任一項之方法，其中前述金屬氧化物前驅物之燒成係進行至生成平均細孔徑為9nm以上之前述多孔質金屬氧化物。
10. 如請求項1至9中任一項之方法，其中前述金屬氧化物前驅物之燒成係進行至生成細孔容積為0.3cm³/g以上之前述多孔質金屬氧化物。
11. 如請求項1至10中任一項之方法，其中前述金屬氧化物前驅物之燒成係進行至生成比表面積為180m²/g以上之前述多孔質金屬氧化物。
12. 如請求項1至11中任一項之方法，其中前述多孔質金屬氧化物係多孔質氧化鋁。
13. 如請求項1至11中任一項之方法，其中前述多孔質金屬氧化物係多孔質氧化鋯。
14. 一種多孔質金屬氧化物，其係藉由如請求項1至13中任一項之方法製造者。
15. 一種多孔質金屬氧化物，其細孔容積為0.3cm³/g以上且平均細孔徑為9nm以上。
16. 如請求項15之多孔質金屬氧化物，其比表面積為180m²/g以上。