TW201860B - - Google Patents

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L01S60 A 6 B6 五、發明説明（I )〔發明之技術領域] 經濟部中央櫟準局印製 本發明有鼷於可變形 此 種 裝 置 之 定 址 裝 置 O [ 相 關 申 請 案 下 列 之 專 利 申 請 案 交 [η s t Γ U me n t S In C 0 Γ Ρ or a t 且 被 加 入 此 專 利 申 請 案 作 A t to r η e y Do c k e t » ΤΙ -1 4 5 6 8 Μ υ It i - L e v e Γ [ -1 4 6 4 3 * 1 m P r 0 V e d C i r c ϋ ί t an Γ I -i 4 6 4 9 [m p r 0 V e d A In t e « Γ at in S u b s t Γ at e s Τ I -1 4 7 15 F i el d u P d D e y ί c e 加 入 此 處 作 為 參 考 的 Τ I -1 3 1 7 3 A S p at i a 1 L S e r i a 1 i 3 5 Τ [ -1 4 4 8 1 SvP at ί a 1 L S e Γ ί a 1 4 0 鋳裝置（DMD),尤其有關於 互參考而且都被指派給 Texas ed.這些申請案同時被建樓並 為參考。 I Deformable Mirror Device Bistable DMD Addressing d Method rchitecture and Process for g DMD with Control Circuit ated Deformable Mirror邇有： ight Modulator and Method, 5 , 0 4 9, filed May l 5, 1 9 8 9； ight Modulator and Methods 8丨 355, filed September 14, 3 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 甲 210x297公嫠) L01860 A 6 B6 經濟部中央搮準局印製 五、發明説明（2) 1 9 8 9 1 U. S. Patent 4, 6 6 2 t 746 Spatial Light Modulator and Method Dated May 5, 1 9 8 7 ί U, S. Patent 4,566^935 Spatial Light Modulator and Method Dated January 2 8 t l 9 8 δ i and U. S, Patent 4, 6 1 5, 595 Frame Addressed Spatial L i x h t Modulator ’ Dated October 7, 19 8 6 〔發明之背景〕 在某些視頻應用中，例如高精度電視（HDTV),所 需要之圖素潁示之陣列大小高達1Q5GX 17QQ或1,8M之 圖素。在上述之美國專利申請案掲示有一種雙穩態可變 形鍊裝置（DMD),其名稱為〃 SPAT丨AL LIGHT MODULATOR AND METHOD",可以被使用作此種應用之投 射光線閥。對於大到 U8M圈素之DKD,極為重要的一 黏是減少每一傾圖素之霣晶齷之數目，用來增加晶片之 産董和降低成本。 每一傾匾素所屜之鬣晶鳢之數目之決定是依照雙穩 態DMD是以軍向或雙方操作。在單向操作中，杻轉灤（ ~ 4* - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 甲 4< 210x297公爱) 01860 Λ 6 Β6 經濟部中央標準局印製 五、發明説明（3 ) 反射表面）在其靜態狀態或雇平狀態和一軀正着地角之 間操作。投射光學被設計成使靜態狀觼為醣狀態和正著 地角為亮狀戆。 位址序列之鬩始是《壓被耨間的_回地線«位，和 反射樑被一镶重設脈波重設。然後正位址霣極霣壓被位 址電晶體設定成為<=+丨νΛ丨或八=0 ,和偏壓變成 ΟΝ。β位址霣腰為+丨丨時，該樑旎轉到0 = +乳。 當位址《槿為0V畤，該樑保持在β=0 。 在雯向搡作中，扭轉樑在二値著地狀臁之閬搡作。 投射光學被设計成使一鴒狀戆為暗狀鱷，和另外一镰狀 觼為亮狀_。 因為雙向操作之位址霣路較複雜，霱饔額外之霄晶 鼸，所以似乎睪向操作較好。然而，單向搡作受到兩種 限制。第一，需要有較离之位址電壓。第二，任務因數 效應會導致對期之劣化。逭些限制将於下面作更詳细之 説明。 為著要降低位址霣壓霱求，有一籲雜應觫加到該搮 ·-' / \' . 1，, ： 。籲壓之量用來決定該樑是犟艫，三穩態，或雙穩態 。對於單向搡作，電位能量庫璺必霈被缓持在雇平狀態 和瞢地狀觼之閬。此_璧用來保爱在施加傷B畤該樑保 持在艚平狀臁（QV位址）和不會自然的軀轉到着地狀態 的其中之一。因此，對於睪向搡作，軀歷被限_到一儀 -5 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 甲 4(210x 297公釐) 01860 Λ 6 Β6 經濟部中央櫟準局印製 五、發明説明（+) 位_,該位準可以保證霣位能量障璺適於用來阻止自然 偏轉。對偏壓之此種限制會強制位址電K被增加。例如 ，以無《屋搡作之典型之穩態 DM D需要UV位址。在 -10V之鴒壓時，DMD以三穢態楔態操作和霈要 + 1 0 V 位址。在 -UV之儸壓時，DMD以雙穩豔棋態搡作和只 需要+ 5V位址。拫清楚的，在此實例中，要配合欏準之 5 V CMOS位址《路畤，就需要以雙穩態棋戆搡作，它 霱要雙向操作和定址。 任獬因數效應是單向操作之第二镏限制。當有一雇 扭轉鉸鏟被杻轉畤，其表面之一部份被壓缠和有一部份 在拉伸狀《。在扭轉鉸鐽之表面殘餘部份受到該等蠹力 。在一籲足麴之時闐期閬，該殘餘部份之應力被釋放， 同時在扭轉狀®。然後，當扭轉絞鐽轉回到其靜態（未 扭轉）狀臁時，詼等殘餘部份提供一《内建鼴力用來使 該鉸鍵保持扭_，和該樑在静態狀戆時不再為雇平。當 «轉i i* (亦邸，扭轉姣鍵在其扭轉狀態之時間之 \ ·*- —_____-......*.* 部份長度）變大和搡作時間變長時，則當其轉回到其靜 態狀態時，其搮偏轉角度躭變大。 此種靜觼《轉被黴分偏壓加以放大，對於1Q度之著 地角，放大量可遽到2至3度。除非有足夠之光學死箝 被設計遒入喃褪$投射光學否則此種靜態偏轉曹使光 學對襯劣化^ -6 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 甲 4(21ϋχ2»7公釐} 01860 A 6 B 6 經濟部中央揉準局印製 五、發明説明（夕） 此種任務因數鼴力釋放機_不可避免的要用燹向操 作，但是在該操作棋態時，不會有對襯劣化，因為該樑 在二値著地角（9=±迅）之間操作，而不是在靜態狀 態（0 = 〇 )和正著地角（e = 土 )之間操作。雖然 任務因數效窿不會影響雙向操作模態之對襯，但是位址 電壓則會受到影春。必需以一値方向施加一値較大之位 址轚壓用來補償由於應力釋放所造成之靜態《移角度。 當雙向 DMD以 5V之位址電壓操作時，該 5V必需包括 足夠之操作邊際冗餘Μ用來容許任務因數《移。 因此，在技術上需要有一種雯穩態《轉裝置以雙向 操作用來避免單向操作之限制，同時可以避免雙向操作 之複雑位址電路之需求。 〔發明之概要〕 如上所述，最簡單之定址之逢成是使用單向操作， 但是燹向操作可以避免由於任務因數效應所造成之對機 之劣化和容許以較低電Μ操作。為著要保持雙向操作之 優黏而且不需要增加位址霄路之禊雜度，所以以所諏之 驅動樑設計法櫞建一値新的霄路。位址倍號(φ )施加 在該櫟而不是霣極，並且由一傭單一之位址轚晶臞來提 供。微分«壓〔&(+)，<(一）〕以軀移雙極軀壓之形 式施加到霄極。利用在傷壓«極頂部上之氣化物著地襯 螫來代替著地電極。 -7 - 甲 4(210χ2»7 公釐〉 ： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂' 線. 01860 A 6 B6 經濟部中央標準局印製 五、發明説明) 在本發明之一具臛例中，施加到該樑之位址電遯是 0 V或+ 5 V ,和用來逢成雙穩態所需之澉分鶴壓是1 5 V。 然後負«壓轚極被《移至-15V和正儸壓霣極被設定在 + 20V 〇 酋該樑被定址在0V時，在該摞和負«壓霄極之間有 + 15伏之《位差，和在該溧和正偏壓電極之間有 -20伏 待之位差。該等偏壓轚極所産生之轉矩只依照霣位差之 絶對值來決定。因為該 5V大於該探和正偏壓霣搔之間 之電位差，所以該髹旋轉到正箸地角。 當該樑定址至+ 5V時，在該樑和負偏K電極之間有 一値 +20V之霄位差，以及在該樑和正偏壓霣極間有一 値 -15V®位差。其結果是該樑旋轉到負著地角。 有一》氣化物«螫被配置在餹壓罨極之尖端，當該 樑著地時用來阻止該樑和轚極間之放霣。 因此，傾壓樑空間雙棰態裝置之技術優黏是利用一 摘軍一之霣晶體囅動電路可以使其在二値位置之間旋轉 ，使用CMOS操作電壓位準亦可進行此種動作。 此種裝置之另外一艏技術上之優黏是光學狀態之間 之對襯為常數，輿任務循琛無鼷，同時可以經常的保持 低電壓操作。 〔附匾之籣要說明] 為著要對本發明及其應黏具有更完全之瞭解，下面 - 8 - 甲4<21Sx2S7 公釐} 、. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 装- 訂 線. L01860 A 6 B6 經濟部中央標準局印製 五、發明説明u) 将參照和聯合附來作之說明，在附鼸中： HI顴示 DMD之典型之單向搡作； 鼷2和圓3顯示 DMD之典型之雙向搡作； 14顯示 DMDS界之能Jt鼸； 5願示本發明之驅動樑定址技術； 匾6顯示一籲典堃之条统之樑和霣極之波形； 7和8頫示一顧雙*態 DMQ_素之平面鼷；和 騙9顯示沿著·8之線 9-9剖開之 DMD·素之剖面 〇 〔發明之詳细說明] 在DMD陣列中，毎鏹匾素所霈之電晶讎之數目之決 定是依照其雙穩態DMD之操作是用單向楔態或雙向棋態 。在單向操作中，如匾1所示，扭轉樑1Q在其靜鱷狀態 或雇平狀態（0=0 )和正著地角（θ = 之颶搡 作。投射光學被設計成使靜態狀臁為暗狀態和正着地角 為亮狀觼。正位址霣極13遽接到位址霣晶fll 101。負位 址霣槿12被接地。樑1Q和著地霄極11和14各邃接到負傷 壓-丨义丨^籲壓位準被钃整成以單穩態棋臁或三穩戆 模態操作該樑。當輿單_觼模觼比較畤，利用三穩籣模 蘼可以獲得較低之位址電壓，因為具有較大之偃壓。 位址序列之两始是使傭璺轉畤的轉固_地線霣位， 以一俪重設顧波震謾詼欏。然後利用位址霣晶臞1〇丨将 -9 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂_ 線. 甲 4(210x297公釐) 經濟部中央揉準局印製 L 0 ibo 0 a 6 _B6_ 五、發明説明（？） 正位址罨極電壓設定成之=+ I νΛ I或< =0 ,然後使 餳壓成為ON。在位址電極13為 +丨Va丨時，樑10就旋轉 到e= +士。在位址電極13為ον時，樑ίο就保持在θ = II 或 鳢補 値以址 以第致 樑凝維 β II 2 c 晶互 毎成位 所 C 導 該三被 在 Θ 圔號 電生 ί 整低 ，制會 C 到，需 10使用 倍址産01諝最 雜限 應明 加態必 棵成使補位來 卩被得 復種效說施穰螢 轉計 C 互値丨 和準獲 。較兩 數之壓 單陣 扭設態到一線 m位以似路到因細儒是董 ，被狀接 m 放 1 壓可相電受務詳姍灤能 示學亮逢01排 鱷饉態況址 作任更 一該位 所光為13? 餹 晶 。樓情位操 ，作有定電 ， 3 射時 和器一 電} 作之之 向二面 ，決 ，， 和投 0T12相和 址線 操 作作 箪第下 求來作 G 2ο/ί + 極反體 位放種操操 ， 。於需用操 1 圖作 11« 値晶 値排 此向向 而壓將 壓董向 _ 如操 0址1« 二 舾用單雙然電制 霣之單 , 間和 位用値 用二 利和為 。址 限址® 於 中之 ， ，利三 使和 。列因好位 #1 位軀對 作 Α 態 路路素 路體 作序 ，較 之逋低 ， 。 操 + 狀霣霣臞 電晶 操址 述作高 。降 示態 向 II 暗 之之値 之 電態位 所操較 化 要所獼 雙 Θ 為示 2 毎 3 値楔 其上向 要劣著 4變 在和 時所匾 ί 。匾 二態 。如單 需之為 醑或 迗0」301號 素棰鼷 乎 ，觐 如， - _Η1 信 匾雙電 似一對 。應 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 甲 4< 210x297公釐) 經濟部中央揉準局印製 k.0iBi>0 Α6 _Β_6 五、發明説明（1 ) 持在扁平狀態(0=0)和著地狀態（β = 土 θ[)之閬 。此障壁用來保證在施加β壓畤該樑保持在庙平狀戆（ 0V位址）和不會自然的《轉到著地狀態的其中之一。因 此，對於單向操作，《壓被限制到一僱位準，該位準可 以保證霣位能ft障璺逋於用來阻止自然«(轉。對供饜之 此種限制會強制位址霣歷被增加。例如，以無俪S操作 之典型之雙»戆DMD霱要16V位址。在 -1QV之俪*時 ,DMD以三穩態楔態操作和霈要 +1QV位址。在 -UV 之《壓時，DMD以雙種態棋態操作和只需要+ 5V位址。 很清楚的，在此實例中，要配合欏_之 5VCM0S位址電 路畤，就需要以雙種臁棋態操作，它霱要雙向操作和定 址。 任務因數效麻是單向操作之第二鏹限制。當有一傾 扭轉鉸鐽被扭轉畤，其表面之一部份被壓繍和有一部份 在拉伸狀態。在扭轉鉸鍵之表面殘餘部份受到該等應力 。在一橱足夠之時閬期間，該殘餘部份之應力被釋放， 同畤在扭轉狀臁。然後，霣扭轉跤鐽轉回到其靜戆（未 扭轉）狀態畤，該等殯》部份提供一籲内建驅力用來使 該鉸鑣保持扭轉，和讓欏在靜鐮狀饑時不再為扁平。當 傷轉任籌因數（亦邸，扭轉蛟鏞在其扭轉狀臁之畤閨部 份之畏度）變大和操作畤閜變長畤，則嘗其轉回到其靜 霪狀鱷畤，其欏軀轉角賡就變大。 , -II'- ___ _ ._· < 甲4(21βχ»7公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 線· ms㈣ Λ 6 Β6 經濟部中央樣準局印製 五、發明説明（ίο) 此種靜態偏轉被微分餹壓加以放大，對於10度之著 地角，放大置可達到2至3度。除非有足夠之光學死帶 被設計進入暗視場投射光學，否則此種靜態槭轉會使光 學對襯劣化。 此種任務因數應力釋放機構不可避免的要用雙向操 作> 但是在該操作楔態時，不會有對襯劣化，因為該傑 在二値著地角（S= 土七）之間操作，而不是在靜態狀 態（e = Q)和正著地角（0 = 之間操作。雖然 任務因數效應不會影響雙向操作楔態之對襯，但是位址 轚壓則會受到影響。必需以一値方向施加一値較大之位 址電壓用’來補«由於應力釋放所造成之靜態傷移角度。 當雙向DMD以5V之位址電壓操作時，該5V必需包括 足夠之操作邊際冗餘董用來容許任務因歎籲移。 如上所述，最簡單之定址之逢成是使用單向操作， 但是雙向操作可以避免由於任務因數所造成之對襯之劣 化和容許以較低霄遯操作。為著要保持雙向操作之優點 而且不需要_加位址電路之禊雜度，\所建議使用下面所 述之位址電路。 5所示之霣路稱為驅動樑設計法。位址信號(么 )施加在該樑1Q而不是霣極，並且由一鏞單一之位址罨 晶臞501來提供。微分鴒鼴〔<(+),毛（-)〕以鴒移 51檯《壓之形式施加到霣極。利用在餹壓電極頂部上之 -1 2 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 甲 4< 210x 297公釐) 經濟部中央搮準局印製 L0IS60 a6 _B_6_ 五、發明説明（I < ) 氧化物著地襯墊53和54來代替著地霄極11和14。 為著要表示圖5之位址電路之操作，假設施加在揉 10之位址罨壓為0V或+5 V,用來獲得雙穩態所需之微分 櫥壓為 +15V。負饍壓電極51被儸移在 -15V,正偏S 轚極52被設定在 +2QV。 當該樑1Q被定址在OV時，該樑10和負軀壓電極51之 間之霣位差為 +15V,該傑10和正餹壓霣極52之間之電 位差為 -2DV。傭壓電極所産生之轉矩只根據電位差之 絶對值來決定。因為 5V大於該櫟10和正槭壓電極5 2之 間之電位差，所以傑10旋轉到正著地角。 當櫟10被定址在+5V時，樑10和負偏®電極51之間 之電位差為 +2QV,樑1G和正《壓電極52之間之電位差 為 -1 5 V。其結果是樑1 Q旋轉到負著地角。 氣化物襯墊53和54設在鲕壓電極51和52之尖皭，當 該樑著地時用來阻止樑10和轚®之間之放電。亦可以使 用傳统式之著地電極。然而，在習知技術中，著地電g 不能連接在一起。對於此種提議之驅動樑位扯霣路，該 髹被電的隔離，而且相郯圖素間之著地罨極亦必需轚的 隔雕和連接到其有皭之樑。該樑和其有鼷之著地霣極之 間之連接禊化産生一艏氣化物著地襯墊，逭時一種較佳 之設計方法。 共振重設使用一般之方式來完成，惟一之不同是將 -1 3 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂' 線- 甲 4(21¾ X 297公釐) ^01860 A 6 B6 經濟部中央橾準局印製 (請先閲讀背面之注意陳項再填寫本頁) - -二圓 L··;二一··_ — __= ... 丨.- 丨 重 以ABMD連到隔 _ 超1-架 陣 被持控。可控 振 可SMO錮接的籲僱lt« 之 端支址持10其 共 和FO態一遽霉毎一NU狡10。 兩，位支樣述 括 用DEe 之中被丨合該藏 樑轉其纗*以，所 包 共EL雙中其柱法配用H素«在 一底加 _ 上 形 為VE樑其，支方只使之 圏的01外輿03面如 波 樑LE動，柱該計的以案 之性 8另成 δ 剖 ， 。極 等I-驅柱支輿設動可讅01揮鍵之形柱之54 52霄 該LT該支持一種自，申 78 鉸0102支醑16 和和 /%MU在持支之一以失ce柱路和 8 8 持剖襯 51欏 /中\為。支問中第可攢VI支電52鍵» 支-9物， 極該 iMD一稱柱籲共其之它率De持址和鉸捿被卩化4 «示 jDj名支 二是的示為效 r 支位51在由極線氣 1 壓表 i態i之之有或捍所因積Γ0樑之極。經霣之或 -_圈 |穩j案示要，轉 8 ，面ΙΓ心述霣持以壓 853 俪序 _ 所需 β 扭和} 使 Μ 中上偏支可偏 ||鶬 二時 之申中必晶俪 7 柱會le有被層以成 。著襯 到之 術述 E 素霣二 支不ab具10底加* _ 沿» 加示 技上lc_ 址之用持且ΓΙΠ示樑示04構接示化 } 施所 知如EV僱位柱使支而fo顯該顯 8 被相顯 《 ⑴ 波 6 。習持 Dlfi支好碱 _De7 。 8 柱04互 9 到 ( 脈· 波在支OR毎一持最二位丨 00酾支 8 路圏轉 ㈣設 脈 同SS, 到支。為蔽ye。 7 持柱霣 傷 明 重 設 共MI中接該離素掩Le構 列 支支 _ 以 發 五 甲 4<210χ297公釐> 經濟部中央標準局印製 & Λ 6 ____ 五、發明説明（/>) 制是根據施加到樑1Q之位址信號和在罨極51和52上之偏 E轚位之組合。 層.901是包括有位址電路之基底，可以使用CMOS技 術來形成。層 902是位址霣路之最終金屬化層。層 903 是基底之保護氣化物。在最終级之層904是一空氣間隙 ，經由移去第一間隔物來構成。層 905是鉸鋪金靥。曆 90S是軀壓«極金靥。層 9G7是經由移去第二間隔物所 形成之另一値空氣間陳，和層 908是傑金》。 «Κ電極51和52之最傳统之交互連接是使用電極金 靥（画8)而不是底層位址霣路之底層最终金屬化層。 然而，利·用此種設計方法，一儸圖素之正镰S霄極會變 成下一緬匾素之負傾壓«極。為箸要校正本發明之餹壓 轚極之匾素對圖素之極性反轉，所以視頻輸入舆其他之 毎一値圃素互補。 雖然參考上述之具體例對本發明作了上述之說明， 但是上述之說明並無意用來限制本發明之範匾。熟悉本 技術之士參考上述之説明當可瞭解上述具腥例之各種修 改和本發明之其他具醴例。因此，所附之申請專利範匯 包括該等修改，該等修改醮在本發明之真正範匾内。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 装· 線. -15- 甲 4(210x297 公釐)

Claims (1)

1. λ. OiBoO 専利甲請系弟 ROC Patent Appln. Ho.80105438 修正之申請專利範圍中文本-附件㈡ Aaended Claias in Chinese - Enel . Π (民画81年12月 日考 (Submitted on DeceabtH ~, 1992) 六、申請.專利範圍 補充 本年Λ β (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 1 . 一種空間光諝愛裝置，具有一値披界定成可控制. 旋轉棟：區域，_該裝置包含有： 第一铺壓電極，被定位成郯近該可旋轉樑和其揉作 偽用來在其上建立S.堅電位；和 一電路，后來S擇性的在該揉上建立一値位址電壓 電位，該SS電位之揉作舆在氐镉陲電搔上之該 電壓電位聯合，用來S择性的激勵該樑藉以使其 旋鞞。 2. 如上述申請專利範圍第1項所述之装置，其中該位 址罨壓為二値霣歷的其中之一，該裝置更包含有： 一®第二艏歷霄搔，菝定位成郯近該可旋轉樑和其 揉作偽甩來在其上建立一喑電歷霆位，’此霄壓電 位舆建立在該第一饍S搔上之電壓電位不同，浞 成在該建揉上之該等位址電壓之一値或另外一恒 Λ 榦合該饍S電壓的操作，芾來控制該旋轉之方向 〇 經濟部中央樣準局R工消費合作社印製 3. 如上述申請專莉範圍第2項所述之装置，其中該擄 壓電極和該第二饍壓罨搔互相隔開並且位於該凓之 支撻點之對立刨，在該搮上之第一電壓浞成該揉以 該支揠點為中心朝向該第一辐壓電極旋轉，和在該 可旋轉摞上之該第二電荽®成該傑以支揠點為中心 朝肉該第二铕蜜電極旋轉。 -1 6 - 本纸張Λ度速用中國國家標準（CNS)甲4規格（210 X 297公釐） 01860 A7 B7 C7 D7 六、申請專利範圍......... - ---------- 4. 如上述申請專利範圍第3項所述之裝置，更包活有 (請先閲讀背面α注意事項再瑣寫本頁) 一對m绝线著地襯墊，當該束射被支握成聯合該 偏壓電s或聯合該第二镛歷霄壓時，用來支持該 5. 如上述申請專利範圍第2項所述之裝置，更包.含有 m 1 . ( 基底層；. 舆該基底面分開之層，闬來界定該可控制可旋轉樑 區域；和 ‘ ' 狡鍵，_被該基底層支持和連接到該可旋鞞區域用來 支持該可旋鞞區域和用來容許該可旋轉區域在對 該基底層所界定之蓮動範匾内移動，該鉸鐽位於 舆該可旋轉®之平面分開的一値平面。 s.如上述申諳專莉範圍第1項所述之装置，其中該基 底包括有被界定在其中之控制電路，和其中該裝置 更包括有： 經濟部中央樣準局Λ工消費合作社印製 介入厣，介入在該基底層和該分開之基底之間，在 該介入層上界定有一些分離之區域用來提供信號 葙以控制該可旋轉區域之該旋轉；和 交互連接结構，搿來使倍號從該控制電路通信到該 分離區域藉以控制該可從轉區域。 -17- 本·纸張尺度遑用中國國家標準（CNS)甲4規格（210 X 297公》) ^01860 B7 " C7 _D7_ 六、申.請專利範圍 7. 如上述申請專利範圍第6項所述之裝置，其中該控 制電路使兩CMOS技術夾構成。 8. 如上述申請專利範圍第2項所述之装置，其中該二 値位址電壓為 0和 +VA，和其中該第一和第二偏堅 ; 電壓分別為——I I和 + I I +1 \ | 。 •' ' ： 9 .如上述申謓專莉範圃第8項所述之裝置，其中νΛ = 5 V 和 Vb = 1 5 V。 ’ 10.如上述申諳專·利範圍第2項所述之装置，被構建成 I 一値多層基底装置，和其中該墚至少在一値區域， 形成舆構逞在該裝置之支持層之位钍控制霣路互‘相 接s。· (請先閲讀背面之注意事項再塡驾本頁) I 裝. 被 用 値：偽 1 有 作 有含操 具包其 置置和 裝裝樑 値該轉 各，旋 , 可 域 列.t該 陣區近 之棟鄰 置 g 成 裝 位 愛II定 辑制披 光控 ， 間可S 空 成 罨 種定壓 1 界辐 和位電 ;s_ 該 位 S 之 電電上 壓傾極 電 一 電 之立瞪 同逞偏 不 上該 立樑·在 建該與 上在作 搔的操 鼋 性之 £ 0 位 傾 0 電 値 來堅 1 用 罨 每 ，該 在路 ， 來‘電 位 .ΤΓ. 丨線. 經濟部中央標準局R工消費合作社印製 張紙一未 〇 探 轉該 旋中 *1、 其其 使 ， 傑 ^ 該陣 勵之 激述 的所 性項 011 音第 來画 芾範 , 利 合 專 聯請 位申 電述 S 上 如 作向 揉方 之之 壓 轉 電旋 傑該 該之 成樑 促該 , 制 一 控 之來 中甩 其 ， 的 合 塑聯 電壓 傾 筲 二S 是 辑 壓 該 霄舆 甲 s) N (c 準 ;標一 I家 a 因 i中 用 遑 32 8 'I· 經濟部中央標準局S工消費合作社印製 Δ 7 v y i d i j *J B7 C7 _D7_ 六、申請專利範圍 ——---------- 13. 如上述申謓專利範圍第12項所述之陣列，其中每一 値樑之該饍壓電極互相隔開和在該墚之支福點之對 立刨，在該樑之第一轚壓促成該樑以該支狺點為中 心朝向該一値偏壓電搔旋轉，和在該可旋轉揉上之 該第二電壓{£成該探以支揠點為中心朝向該第二铺 Μ電極旋轉。 , 14. 如上述申請專利範圍第11項所述之陣列，更包含有 —値HDTV条统，和其中該陣列是在該条统中之可目 為頭不器。 1 5 .如上述申請專利範圍第1 3項所述之陣列，其中在該 支揠點'之一側之全部之饍暖電極電的共同達接，在 該支揠點之另外一刨之金部之餵S電極電的共同連 接。 _ 16. —種建立空間光諏變装置之方法，該装置具有一値 Λ 凌界定成可控制可旋轉之樑區域，該方法訢包含之 4 « 步驟有： 将第一傾S電極定位成鄰近該可旋轉傑； 在該铺堅鼋®上建立一値電壓霄位； 在該傑上蚕擇性的建立位址電壓電位，該霆S電位 之揉作舆在該饍壓電極上所建立之電匦電位聯合 ，周來使該揉旋轉。 17.如上述申請專利範園第1S項所述之方法，其中該逞 -19- 本紙張尺度連用中國Β家標準（CNS)甲_4规格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事喟再填寫本頁)， -________1;-u L01B60 / Γ5/ C7 _D7_ 六、申.請專利範圍…. 立位址電壓之步驟包括有提供二艏電壓之其中之一 之步驟。 18. 如上述申請專利範圍第17項所述之方法，其中更包 含有之步SS有： 將第二辐堅電極定位成郯近該可旋轉揉； 在該第二«S菜搔建立一値電壓電位，該電壓罨位 舆逞立在該第一饍壓電極之電壓電位不同，浞成 ! 在該探之該位址電壓之一値或另外一値之操作聯 合該镰SSS，用來控制該旋轉之方向。 19. 如上述申謓專利範圍第18項所述之方法，其中該磕 S電搔’定位步驟更包含有之步驟有： __«_________ί.1·-" (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) *裝· 在 M 立 對 之 揠 支 之 該 於 位 和 開 分 程 等 該 使 向 罨 朝二 心 第 中 該 為之 點揉 揠轉 支旋 該 可 以 該 探 在 該和 成 ， 浞轉 壓旋 發.極 1 電 第.壓 該 镰 之 一 揉第. 該 該 旋 極 電 逻 葙 二 第 該 向 朝 心 中 為 0 支 以 揉 該 成 促 。 荽轉 訂. —線· 烴濟部中央標準局R工消費合作社印轚 張 I |一 圃 西 I中 用 遑 ο 2